DE4115060A1 - Ccd-bildsensor und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen verbesserten Aufbau
und ein Verfahren zum Herstellen eines CCD-Bildsensors mit
einem verringerten Smear-Rauschen.
Im allgemeinen hat ein CCD-Bildsensor (CCD = Charge-Coupled
Devices oder Ladungsverschiebe-Schaltungen) den folgenden
Aufbau. Auf einem n-Typ-Substrat ist eine p-Typ-Wanne ausge
bildet. Im Abstand voneinander ist eine n-Typ-Photodiode und
ein n-Typ-VCCD (Vertical Charge Coupled Device) in der p-
Typ-Wanne ausgebildet. Über der Fläche des Bereiches zwi
schen der n-Typ-Photodiode und der n-Typ-VCCD ist ein Über
tragungs-Gate zum Verbinden der n-Typ-Photodiode und der n-
Typ-VCCD ausgebildet.
In diesem CCD-Bildsensor kann anstelle des n-Typ-VCCD ein
BCCD (Buried Charge Coupled Device = CCD mit vergrabenem Ka
nal) oder SCCD (Surface Charge Coupled Device = CCD mit
Oberflächenkanal) eingesetzt werden. SCCD werden heute fast
gar nicht mehr verwendet.
In einem CCD-Bildsensor mit dem zuvor genannten herkömmli
chen Aufbau wird üblicherweise zur Verringerung des am Bild
schirm auftretenden Aufhellungsphänomens eine Anti-Aufhel
lungsvorspannung zur Steuerung einer OFD (Over Flow Drain)-
Spannung an den Bereich unterhalb der n-Typ-Photodiode ange
legt. Es wird also eine bestimmte Potentialbarriere ausge
bildet, die vermeidet, daß ein Signal in einem Potential-
Wannenüberlauf (potential well overflow) gespeichert wird.
Zur Steuerung einer OFD-Spannung wird das HOFD-Verfahren
(Horizontal Over Flow Drain) bzw. das VOFD-Verfahren
(Vertical Over Flow Drain) verwendet.
Da das HOFD-Verfahren ein Taktverfahren ist, muß die zu je
der Photodiode zugehörige VCCD in einer Linie angeordnet
sein. Dadurch wird der offene Bereich einer Photodiode ent
sprechend verringert und der Füllfaktor gesenkt, wodurch die
Empfindlichkeit des CCD-Bildsensors abnimmt. Derzeit wird
üblicherweise das VOFD-Verfahren zur Steuerung einer OFD-
Spannung angewendet. Bei dem VOFD-Verfahren wird eine flache
p-Typ-Wanne mit einer passenden Tiefe unter dem Photodioden
bereich ausgebildet und eine tiefe p-Typ-Wanne einer passen
den Tiefe unter dem anderen Bereich ausgebildet, indem zwei
mal soviel Ionen implantiert werden, so daß eine ausrei
chende anti-Aufhellungsvorspannung angelegt wird.
Der Aufbau eines CCD-Bildsensors gemäß dem VOFD-Verfahren
ist in Fig. 3(a) gezeigt. Auf einem n-Typ-Substrat 1 ist
eine n-Typ-Epitaxialschicht 2 ausgebildet, auf der eine fla
che p-Typ-Wanne 3 und eine tiefe p-Typ-Wanne 4 ausgebildet
ist, indem Ionen zweifach implantiert werden. In dem oberen
Bereich der flachen p-Typ-Wanne 3 bzw. der tiefen p-Typ-
Wanne 4 ist eine n-Typ-Photodiode 5 bzw. ein n-Typ-BCCD 6
ausgebildet. Anschließend wird ein Übertragungspoly-Gate 7
zum Verbinden der n-Typ-Photodiode 5 und der n-Typ-BCCD und
eine Polygateelektrode 7a zum Anlegen eines Taktsignals an
die n-Typ-BCCD 6 auf der Oberfläche des Bereichs zwischen
beiden und auf dem n-Typ-BCCD 6 ausgebildet.
Wie in Fig. 3(a) dargestellt, wird, wenn Licht auf die n-
Typ-Photodiode 5 fällt und eine Signalladung unter der n-
Typ-Photodiode erzeugt wird, die Signalladung durch ein
Hochpegelsignal, das an das Übertragungspoly-Gate 7 angelegt
wird zu der n-Typ-BCCD 6 verschoben und unter der n-Typ-BCCD
6 gespeichert. Die Signalladung wird durch herkömmliches
Takten einer CCD zu der BCCD verschoben.
Fig. 3(b) zeigt die elektrische Potentialverteilung entlang
der Linie a-a′ von Fig. 3(a).
Gleichzeitig tritt jedoch ein Wegdriften der unter der n-
Typ-Photodiode 5 erzeugten Signalladung zwischen der tiefen
p-Typ-Wanne 4 und der n-Typ-BCCD 6 auf, oder sie geht an das
n-Typ-Substrat 1 verloren, was zu dem Smear-Phänomen führt.
Wenn eine Verschlußspannung (shutter voltage) in der Größen
ordnung von 30 V bis 40 V an das n-Typ-Substrat 1 angelegt
wird, wird diese Smear-Ladung infolge der Verschlußspannung
an das n-Typ-Substrat 1 abgegeben und der Smear-Effekt kann
noch verstärkt werden. Der Grund hierfür liegt darin, daß
die Verschlußspannung sehr hoch ist.
Zur Vermeidung des Smear-Effekts wird derzeit eine p⁺-Typ-
BPL (Blocking p-type Layer, p-Typ-Blockierschicht) in einem
bestimmten Bereich zwischen dem n-Typ-BCCD 6 und der tiefen
p-Typ-Wanne 4 ausgebildet, indem p-Ionen mit hoher Energie
implantiert werden.
Nachstehend wird das Verfahren zum Herstellen eines bekann
ten CCD-Bildsensors, bei der eine p⁺-Typ-BPL verwendet wird,
mit Bezug auf die Fig. 4(a) bis (f) beschrieben.
Wie in Fig. 4(a) gezeigt, wird als erstes eine n-Typ-Epita
xialschicht 2 auf einem n-Typ-Substrat 1 ausgebildet und wie
in Fig. 4(b) zu sehen p-Ionen an zwei Stellen der n-Typ-Epi
taxialschicht 2 implantiert, mit der eine OFD-Spannung ge
steuert wird. Wie in Fig. 4(c) gezeigt, wird eine flache p-
Typ-Wanne 3 und eine tiefe p-Typ-Wanne 4 mit bestimmter
Tiefe mittels Wärmebehandlung, durch die die implantierten
p-Ionen diffundieren, ausgebildet.
Wie in Fig. 4(d) gezeigt, wird als nächstes eine p⁺-Typ-BPL
8 in einem bestimmten Bereich der tiefen n-Typ-Wanne 4 aus
gebildet, indem p-Ionen mit Hilfe einer Ionenimplantiervor
richtung mit hoher Energie (etwa 600 KeV) implantiert wer
den. Die p⁺-Typ BPL 8 verringert das Smear-Phänomen, bei dem
in der BCCD gespeicherte Signalladung infolge der an das
Substrat angelegten Verschlußspannung, an das Substrat abge
geben wird und bei dem eine in der Photodiode erzeugte
Signalladung anstatt zur BCCD geleitet zu werden an das Sub
strat abgegeben wird.
Wie in Fig. 4(e) gezeigt, wird eine n-Typ-Photodiode 5 in
einem bestimmten Bereich des oberen Bereiches der flachen p-
Typ-Wanne 3 ausgebildet, indem n-Ionen implantiert werden
und eine n-Typ-BCCD 6 wird in der tiefen p-Typ-Wanne 4 aus
gebildet, und zwar in dem Bereich oberhalb der p⁺-Typ-BPL 8
durch Implantieren von n-Ionen.
Dann wird eine herkömmliche p⁺-Dünnschicht 9 auf der Ober
fläche der n-Typ-Photodiode 5 ausgebildet.
Daraufhin wird wie in Fig. 4(f) gezeigt, ein Transferpoly-
Gate 7 zum Verbinden der n-Typ-Photodiode 5 und der n-Typ-
BCCD 6 und eine Polygateelektrode 7a zum Anlegen eines Takt
signals an den n-Typ-BCCD 6 auf der Oberfläche des Bereichs
zwischen beiden und auf dem n-Typ-BCCD 6 ausgebildet. In
diesem Verfahren wird Polysilizium für das Transfer-Gate
verwendet. Anstelle von Polysilizium kann auch Metall wie
Aluminium verwendet werden, das aber wegen der schlechteren
Übertragungseigenschaft nicht mehr gebräuchlich ist.
Fig. 5(a) zeigt ein Diagramm, anhand dessen die Arbeitsweise
eines nach dem zuvor beschriebenen Verfahren hergestellten
CCD-Bildsensors beschrieben wird.
Wenn auf die n-Typ-Photodiode Licht (λ) fällt, wird in dem
Lichtsignalladung-Ausgabebereich (O), der zwischen der n-
Typ-Photodiode 5 und der flachen p-Typ-Wanne 3 angeordnet
ist, eine Signalladung erzeugt. Wenn an das Transferpoly-
Gate 7 ein Steuersignal mit hohem Pegel angelegt wird, wird
die Signalladung durch den Signalladungs-Übertragungskanal
bereich (P), der zwischen der n-Typ-Photodiode 5 und dem n-
Typ BCCD 6 angeordnet ist, in den Signalladungs-Speicherbe
reich (Q) benachbart zu der n-Typ-BCCD 6 übertragen.
Anschließend wird die Signalladung, die in dem Signalla
dungsspeicherbereich (Q) gespeichert ist, zu einer HCCD (Ho
rizontal Charge Coupled Device) (nicht dargestellt) mit
Hilfe eines üblichen Taktvorgangs verschoben.
Wenn aber eine in dem Lichtsignalladung-Ausgabebereich (O)
erzeugte Signalladung nicht in den Signalladung-Übertra
gungskanalbereich (P) übertragen wird, sondern in den Smear
signal-Ausgabebereich (R) entladen wird, der zwischen dem
tiefen p-Typ-Wanne 4 und der p⁺-Typ-BPL 8 angeordnet ist,
wird der Smeareffekt auf einem Bildschirm eines CCD-Bildsen
sors erzeugt.
Wie aber aus Fig. 5(b) ersichtlich ist, in der die elektri
sche Potentialverteilung entlang der Linie b-b′ von Fig.
5(a) gezeigt ist, kann die Signalladung aufgrund der hohen
Potentialbarriere der p⁺-Typ-BPL 8 kaum in den Smearsignal-
Ausgabebereich (R) entladen werden und folglich ist der
Smeareffekt verringert.
Nachstehend wird beschrieben, wie eine Signalladung in einen
n-Typ-BCCD 6 driftet und nicht als Smearsignal in das n-Typ-
Substrat 1 entladen wird.
Der Aufbau eines herkömmlichen CCD-Bildsensors weist eine
flache p-Typ-Wanne und eine tiefe p-Typ-Wanne in der Form
einer flachen Ebene auf, in dem Ionen zweifach implantiert
werden, so daß eine anti-Aufhellungsvorspannung angelegt
wird. Die zuvor genannte kann auch in Herzform ausgebildet
sein.
Durch Ausbilden der p-Typ-Wanne mit einer im wesentlichen
flachen Form und Steuern der Verunreinigungskonzentration
des Bereiches unter der Photodiode und der BCCD durch im
plantierte Ionen, kann der Aufbau und ein Verfahren zum Her
stellen eines CCD-Bildsensors bereitgestellt werden, bei der
der Smeareffekt vermieden und die OFD-Spannung gesteuert
wird. Wegen der Schwierigkeiten beim Ionenimplantiervorgang
sind diese jedoch nicht mehr in Benutzung.
Der in Fig. 4 gezeigte Aufbau und das Verfahren zur Herstel
lung eines CCD-Bildsensors hat folgende Nachteile. Erstens
ist die erforderliche Ionenimplantiervorrichtung zum Ausbil
den der p⁺-Typ-BPL sehr teuer und dessen Verwendung be
schränkt, so daß es in der Praxis nicht einsetzbar ist.
Zweitens können wegen der unter hohen Energien von etwa 600
keV implantierten p-Ionen Defekte in dem Substrat entstehen.
Durch derartige Defekte in einem CCD-Bildsensor kann Rau
schen erzeugt werden und der Smeareffekt kann nur verringert
werden, wenn zum Ausbilden der p⁺-Typ-BPL hochwertige Ver
fahrenstechnologien eingesetzt werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
CCD-Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung be
reitzustellen, bei dem die OFD-Spannung gesteuert und der
Smeareffekt verringert bzw. das Verfahren verkürzt und ver
einfacht wird.
Diese Aufgabe wird gelöst mit den Merkmalen der Pa
tentansprüche.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Er
findung wird ein Verfahren zum Herstellen eines CCD-Bildsen
sors mit folgenden Schritten bereitgestellt: Ausbilden eines
n-Typ-Bereiches zum Steuern einer OFD-Spannung (over flow
drain voltage) und eines p-Typ-Bereiches zum Verringern des
Smeareffekts in einem bestimmten Abstand voneinander auf
einer Epitaxialschicht mittels Implantieren von n-Ionen bzw.
p-Ionen mit hoher Verunreinigungskonzentration und einer
Wärmebehandlung, Aufwachsen einer p-Typ-Epitaxialschicht mit
bestimmter Dicke auf der gesamten Oberfläche, Ausbilden
einer n-Typ-Photodiode und eines n-Typ-BCCD (CCD mit vergra
benem Kanal) in einem bestimmten Abstand voneinander durch
Implantieren von n-Ionen in Wannen, die oberhalb des n-Typ-
Bereiches zum Steuern der OFD-Spannung bzw. des p⁺-Typ-
Bereiches zum Verringern des Smeareffekts angeordnet sind,
Ausbilden eines Transferpoly-Gate zum Verbinden der n-Typ-
Photodiode und der n-Typ-BCCD und einer Polygateelektrode
zum Anlegen eines Taktsignals an das n-Typ-BCCD auf der
Oberfläche des Bereiches zwischen beiden und dem n-Typ-BCCD.
Der erfindungsgemäße Aufbau eines CCD-Bildsensors umfaßt
eine n-Typ-Photodiode und einen n-Typ-BCCD, die in einer p-
Typ-Epitaxialschicht eingeschlossen sind, und ein die beiden
verbindendes Übertragungspoly-Gate. Die Verbesserung besteht
in dem n-Typ-Bereich zum Steuern der OFD-Spannung, der zwi
schen einem n-Typ-Substrat unterhalb der n-Typ-Photodiode
und der p-Typ-Epitaxialschicht angeordnet ist und eines
p⁺-Typ-Bereiches zum Verringern des Smeareffektes, der zwi
schen dem n-Typ-Substrat unterhalb des n-Typ-BCCD und der p-
Typ-Epitaxialschicht angeordnet ist. Die genannten Bereiche
haben die vorgesehene Dicke und Breite und sind in horizon
taler Richtung in bestimmtem Abstand voneinander ausgebil
det.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Beispielen und der
Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1(a) bis (e) Querschnittsansichten zur Erläuterung
eines Verfahrens zum Herstellen eines CCD-Bild
sensors gemäß der vorliegenden Erfindung, bei der
die Verringerung des Smeareffekts berücksichtigt
wird,
Fig. 2(a) ein Diagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise des
erfindungsgemäßen Bildsensors,
Fig. 2(b) eine elektrische Potentialverteilung entlang der
Linie c-c′ von Fig. 5(f),
Fig. 3(a) eine Querschnittsansicht eines Aufbaus eines be
kannten CCD-Bildsensors, bei dem der Smeareffekt
nicht berücksichtigt wird,
Fig. 3(b) eine elektrische Potentialverteilung entlang der
Linie a-a′ vom Fig. 3(a),
Fig. 4(a) bis (f) Querschnittsansichten zum Erläutern der
Herstellung eines bekannten CCD-Bildsensors, bei
der Smeareffekt nicht berücksichtigt wird,
Fig. 5(a) ein Diagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise
eines bekannten CCD-Bildsensors, und
Fig. 5(b) eine elektrische Potentialverteilung entlang der
Linie b-b′ von Fig. 5(a).
Mit Bezug auf Fig. 1(a) bis (e) wird nachstehend eine be
vorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
zum Herstellen eines CCD-Bildsensors beschrieben.
Als erstes werden, wie in Fig. 1(a) gezeigt n-Ionen in einem
bestimmten Bereich eines n-Typ-Substrats 11, das als Start
material dient, implantiert. Wie in Fig. 1(b) gezeigt, wer
den in einem bestimmten Abstand oder Intervall entfernt von
dem n-Ionen-Implantationsbereich p-Ionen implantiert. Wie in
Fig. 1(c) dargestellt, werden durch Diffusion der implan
tierten n- und p-Ionen mittels Wärmebehandlung ein n-Typ-Be
reich 12 zum Steuern einer OFD-Spannung und ein p⁺-Typ-Be
reich 13 zum Verringern des Smeareffekts in einem bestimmten
Intervall ausgebildet. Anschließend wird über die gesamte
Oberfläche eine p-Typ-Epitaxialschicht 14 ausgebildet. Das
bezeichnete Intervall zwischen dem n-Typ-Bereich 12 zum
Steuern der OFD-Spannung und dem p⁺-Typ-Bereich 13 zum Ver
ringern des Smeareffekts, hat die Funktion, einen Entla
dungsweg für ein Smearsignal zu dem n-Typ-Substrat 11 be
reitzustellen. Die Epitaxialschicht 14 hat eine vergleich
bare Funktion wie die p-Typ-Wanne 3 und 4 in dem in Fig. 4
dargestellten herkömmlichen CCD-Bildsensor.
Als nächstes wird wie in Fig. 1(d) gezeigt, eine n-Typ-Pho
todiode 15 und eine n-Typ-BCCD 16 an der Oberfläche der p-
Typ-Epitaxialschicht 14 oberhalb des n-Typ-Bereichs 12 zum
Steuern der OFD-Spannung bzw. des p⁺-Typ-Bereichs 13 zum
Verringern des Smeareffekts ausgebildet.
Außerdem wird eine p⁺-Typ-Dünnschicht 18 in üblicher Weise
auf der Oberfläche der n-Typ-Photodiode 15 ausgebildet.
Anschließend wird wie in Fig. 1(e) gezeigt, ein Transfer
poly-Gate 17 zum Verbinden der n-Typ-Photodiode 15 und des
n-Typ-BCCD 16 und eine Polygate-Elektrode 17a zum Anlegen
eines Taktsignals an den n-Typ-BCCD 16 auf der Oberfläche
des Bereiches zwischen beiden und auf dem n-Typ-BCCD 16 aus
gebildet. Bei diesem Verfahren wird Polysilicium für das
Transferpoly-Gate 17 verwendet, es kann aber auch Metall,
z. B. Aluminium, verwendet werden.
Fig. 2(a) ist ein Diagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise
eines nach dem zuvor beschriebenen erfindungsgemäßen Verfah
ren hergestellten CCD-Bildsensors.
Wenn Licht (λ) auf die Oberfläche der n-Typ-Photodiode 15
fällt, wird in dem Lichtsignalladung-Ausgabebereich (O) un
ter der n-Typ-Photodiode 15 eine Signalladung erzeugt. Wenn
ein Hochpegelsignal an das Transferpoly-Gate 17 angelegt
wird, wird die Signalladung durch den Signalladungs-Übertra
gungskanalbereich (P) der p-Typ-Epitaxialschicht 14 in den
Signalladungs-Speicherbereich (Q) unter der n-Typ-BCCD 16
verschoben und darin gespeichert.
Anschließend wird das in dem Signalladungs-Speicherbereich
(Q) unter dem n-Typ-BCCD 16 gespeicherte Signal zu einer
HCCD (nicht dargestellt) mittels CCD-Takten verschoben.
Dabei wird ein Teil der Signalladung, die in dem Licht
signalladung-Ausgabebereich (O) erzeugt wird, nicht über den
Signalladung-Übertragungskanalbereich (P) zu dem Signalla
dung-Speicherbereich (Q) verschoben. Dieser Anteil der Sig
nalladung bewirkt den Smeareffekt. Die unter den n-Typ-BCCD
16 driftende Smearladung beeinflußt die Qualität des Bilds
auf dem Bildschirm mehr als die in das n-Typ-Substrat 11 ab
gegebene Smearladung.
Wenn mehrere CCD-Bildsensoren auf einer einteiligen Bildauf
nahmevorrichtung angeordnet sind, kann eine in einer Photo
diode erzeugte Smearladung driften und die in einer weiteren
Photodiode erzeugte Signalladung beeinflussen.
Durch den Aufbau eines CCD-Bildsensors gemäß der vorliegen
den Erfindung mit einem p⁺-Typ-Bereich 13 zum Verringern des
Smeareffekts unterhalb der n-Typ-BCCD 16, wie sie in Fig.
2(a) gezeigt ist, wird in diesem Bereich eine höhere Poten
tialbarriere ausgebildet. Dadurch kann die Smearladung nicht
in diesem Bereich zurückbleiben und wird durch den Smearla
dung-Ausgabebereich (R) in dem keine Potentialbarriere aus
gebildet ist in das n-Substrat 11 entladen.
Fig. 2(b) zeigt eine elektrische Potentialverteilung entlang
der Linie c-c′ von Fig. 2(a).
Wie in Fig. 2(b) zu sehen, sind in dem p⁺-Typ-Bereich 13
eine höhere Potentialbarriere und ein breiterer neutraler
Bereich zum Verringern des Smeareffektes ausgebildet. In
diesem Bereich wird eine Smearladung nicht zurückgehalten
und wird stattdessen durch den Smearladung-Ausgabebereich
(R) an das n-Typ-Substrat 11 entladen. Der Smearladung-Aus
gabebereich (R) ist in dem bestimmten Bereich zwischen dem
n-Typ-Bereich 12 zum Steuern der OFD-Spannung und dem p⁺-Be
reich 13 zum Verringern des Smeareffektes ausgebildet und
hat eine geringere Potentialbarriere.
Die vorliegende Erfindung hat folgende Vorteile:
Erstens ist im Vergleich zum Stand der Technik keine teure
Ionenimplantiervorrichtung erforderlich und es werden auch
keine Ionen mit hoher Energie implantiert. Die Erfindung ist
daher wirtschaftlich und Defekte am Substrat werden vermie
den.
Zweitens sind im Vergleich zum Stand der Technik keine hohen
Genauigkeitsanforderungen an das Verfahren anzulegen. Das
Verfahren ist schnell durchführbar.
Drittens wird der Smeareffekt noch besser vermieden.
Claims (2)
1. CCD-Bildsensor mit einer n-Typ-Photodiode (15) und einem
n-Typ-BCCD (16), die in einer p-Typ-Epitaxialschicht
(14) eingeschlossen sind und einem Transferpoly-Gate
(17) zu dessen Verbindung und einer Polygate-Elektrode
(17a) zum Anlegen eines Taktsignals an den n-Typ-BCCD
(16) mit einem n-Typ-Bereich (12) zum Steuern einer OFD-
Spannung, der unterhalb der n-Typ-Photodiode (15) zwi
schen dem n-Typ-Substrat (11) und der p-Typ-Epitaxial
schicht (14) angeordnet ist, und einem p⁺-Typ-Bereich
(13) zum Verringern des Smeareffekts, der unterhalb des
n-Typ-BCCD (16) zwischen dem n-Typ-Substrat (11) und der
p-Typ-Epitaxialschicht (14) angeordnet ist, wobei die
Bereiche eine bestimmte Tiefe und Breite aufweisen und
in Horizontalrichtung in einem bestimmten Abstand ausge
bildet sind.
2. Verfahren zum Herstellen eines CCD-Bildsensors mit fol
genden Schritten: Implantieren von n-Ionen in einem be
stimmten Bereich eines n-Typ-Substrats und Implantieren
von p-Ionen in einem Bereich in einem bestimmten Abstand
entfernt von dem mit n-Ionen implantierten Bereich, Aus
bilden eines n-Typ-Bereiches zum Steuern einer OFD-Span
nung und eines p⁺-Typ-Bereiches zum Verringern des
Smeareffektes durch Diffusion der implantierten Ionen
mittels Wärmebehandlung, Aufwachsen einer p-Typ-Epitaxi
alschicht mit bestimmter Dicke über die gesamte Oberflä
che, Ausbilden einer n-Typ-Photodiode und eines n-Typ-
BCCD auf der p-Typ-Epitaxialschicht über dem n-Typ-Be
reich zum Steuern der OFD-Spannung und dem p⁺-Typ-Be
reich zum Verringern des Smeareffektes durch Implantie
ren von n-Ionen, Ausbilden eines Transferpoly-Gates zum
Verbinden der n-Typ-Photodiode und des n-Typ-BCCD und
einer Polygateelektrode zum Anlegen eines Taktsignals an
den n-Typ-BCCD auf der Oberfläche des Bereiches zwischen
beiden und dem n-Typ-BCCD.
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