DE4115060A1 - Ccd-bildsensor und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Ccd-bildsensor und verfahren zu dessen herstellung

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen verbesserten Aufbau und ein Verfahren zum Herstellen eines CCD-Bildsensors mit einem verringerten Smear-Rauschen.
Im allgemeinen hat ein CCD-Bildsensor (CCD = Charge-Coupled Devices oder Ladungsverschiebe-Schaltungen) den folgenden Aufbau. Auf einem n-Typ-Substrat ist eine p-Typ-Wanne ausge­ bildet. Im Abstand voneinander ist eine n-Typ-Photodiode und ein n-Typ-VCCD (Vertical Charge Coupled Device) in der p- Typ-Wanne ausgebildet. Über der Fläche des Bereiches zwi­ schen der n-Typ-Photodiode und der n-Typ-VCCD ist ein Über­ tragungs-Gate zum Verbinden der n-Typ-Photodiode und der n- Typ-VCCD ausgebildet.
In diesem CCD-Bildsensor kann anstelle des n-Typ-VCCD ein BCCD (Buried Charge Coupled Device = CCD mit vergrabenem Ka­ nal) oder SCCD (Surface Charge Coupled Device = CCD mit Oberflächenkanal) eingesetzt werden. SCCD werden heute fast gar nicht mehr verwendet.
In einem CCD-Bildsensor mit dem zuvor genannten herkömmli­ chen Aufbau wird üblicherweise zur Verringerung des am Bild­ schirm auftretenden Aufhellungsphänomens eine Anti-Aufhel­ lungsvorspannung zur Steuerung einer OFD (Over Flow Drain)- Spannung an den Bereich unterhalb der n-Typ-Photodiode ange­ legt. Es wird also eine bestimmte Potentialbarriere ausge­ bildet, die vermeidet, daß ein Signal in einem Potential- Wannenüberlauf (potential well overflow) gespeichert wird. Zur Steuerung einer OFD-Spannung wird das HOFD-Verfahren (Horizontal Over Flow Drain) bzw. das VOFD-Verfahren (Vertical Over Flow Drain) verwendet.
Da das HOFD-Verfahren ein Taktverfahren ist, muß die zu je­ der Photodiode zugehörige VCCD in einer Linie angeordnet sein. Dadurch wird der offene Bereich einer Photodiode ent­ sprechend verringert und der Füllfaktor gesenkt, wodurch die Empfindlichkeit des CCD-Bildsensors abnimmt. Derzeit wird üblicherweise das VOFD-Verfahren zur Steuerung einer OFD- Spannung angewendet. Bei dem VOFD-Verfahren wird eine flache p-Typ-Wanne mit einer passenden Tiefe unter dem Photodioden­ bereich ausgebildet und eine tiefe p-Typ-Wanne einer passen­ den Tiefe unter dem anderen Bereich ausgebildet, indem zwei­ mal soviel Ionen implantiert werden, so daß eine ausrei­ chende anti-Aufhellungsvorspannung angelegt wird.
Der Aufbau eines CCD-Bildsensors gemäß dem VOFD-Verfahren ist in Fig. 3(a) gezeigt. Auf einem n-Typ-Substrat 1 ist eine n-Typ-Epitaxialschicht 2 ausgebildet, auf der eine fla­ che p-Typ-Wanne 3 und eine tiefe p-Typ-Wanne 4 ausgebildet ist, indem Ionen zweifach implantiert werden. In dem oberen Bereich der flachen p-Typ-Wanne 3 bzw. der tiefen p-Typ- Wanne 4 ist eine n-Typ-Photodiode 5 bzw. ein n-Typ-BCCD 6 ausgebildet. Anschließend wird ein Übertragungspoly-Gate 7 zum Verbinden der n-Typ-Photodiode 5 und der n-Typ-BCCD und eine Polygateelektrode 7a zum Anlegen eines Taktsignals an die n-Typ-BCCD 6 auf der Oberfläche des Bereichs zwischen beiden und auf dem n-Typ-BCCD 6 ausgebildet.
Wie in Fig. 3(a) dargestellt, wird, wenn Licht auf die n- Typ-Photodiode 5 fällt und eine Signalladung unter der n- Typ-Photodiode erzeugt wird, die Signalladung durch ein Hochpegelsignal, das an das Übertragungspoly-Gate 7 angelegt wird zu der n-Typ-BCCD 6 verschoben und unter der n-Typ-BCCD 6 gespeichert. Die Signalladung wird durch herkömmliches Takten einer CCD zu der BCCD verschoben.
Fig. 3(b) zeigt die elektrische Potentialverteilung entlang der Linie a-a′ von Fig. 3(a).
Gleichzeitig tritt jedoch ein Wegdriften der unter der n- Typ-Photodiode 5 erzeugten Signalladung zwischen der tiefen p-Typ-Wanne 4 und der n-Typ-BCCD 6 auf, oder sie geht an das n-Typ-Substrat 1 verloren, was zu dem Smear-Phänomen führt.
Wenn eine Verschlußspannung (shutter voltage) in der Größen­ ordnung von 30 V bis 40 V an das n-Typ-Substrat 1 angelegt wird, wird diese Smear-Ladung infolge der Verschlußspannung an das n-Typ-Substrat 1 abgegeben und der Smear-Effekt kann noch verstärkt werden. Der Grund hierfür liegt darin, daß die Verschlußspannung sehr hoch ist.
Zur Vermeidung des Smear-Effekts wird derzeit eine p⁺-Typ- BPL (Blocking p-type Layer, p-Typ-Blockierschicht) in einem bestimmten Bereich zwischen dem n-Typ-BCCD 6 und der tiefen p-Typ-Wanne 4 ausgebildet, indem p-Ionen mit hoher Energie implantiert werden.
Nachstehend wird das Verfahren zum Herstellen eines bekann­ ten CCD-Bildsensors, bei der eine p⁺-Typ-BPL verwendet wird, mit Bezug auf die Fig. 4(a) bis (f) beschrieben.
Wie in Fig. 4(a) gezeigt, wird als erstes eine n-Typ-Epita­ xialschicht 2 auf einem n-Typ-Substrat 1 ausgebildet und wie in Fig. 4(b) zu sehen p-Ionen an zwei Stellen der n-Typ-Epi­ taxialschicht 2 implantiert, mit der eine OFD-Spannung ge­ steuert wird. Wie in Fig. 4(c) gezeigt, wird eine flache p- Typ-Wanne 3 und eine tiefe p-Typ-Wanne 4 mit bestimmter Tiefe mittels Wärmebehandlung, durch die die implantierten p-Ionen diffundieren, ausgebildet.
Wie in Fig. 4(d) gezeigt, wird als nächstes eine p⁺-Typ-BPL 8 in einem bestimmten Bereich der tiefen n-Typ-Wanne 4 aus­ gebildet, indem p-Ionen mit Hilfe einer Ionenimplantiervor­ richtung mit hoher Energie (etwa 600 KeV) implantiert wer­ den. Die p⁺-Typ BPL 8 verringert das Smear-Phänomen, bei dem in der BCCD gespeicherte Signalladung infolge der an das Substrat angelegten Verschlußspannung, an das Substrat abge­ geben wird und bei dem eine in der Photodiode erzeugte Signalladung anstatt zur BCCD geleitet zu werden an das Sub­ strat abgegeben wird.
Wie in Fig. 4(e) gezeigt, wird eine n-Typ-Photodiode 5 in einem bestimmten Bereich des oberen Bereiches der flachen p- Typ-Wanne 3 ausgebildet, indem n-Ionen implantiert werden und eine n-Typ-BCCD 6 wird in der tiefen p-Typ-Wanne 4 aus­ gebildet, und zwar in dem Bereich oberhalb der p⁺-Typ-BPL 8 durch Implantieren von n-Ionen.
Dann wird eine herkömmliche p⁺-Dünnschicht 9 auf der Ober­ fläche der n-Typ-Photodiode 5 ausgebildet.
Daraufhin wird wie in Fig. 4(f) gezeigt, ein Transferpoly- Gate 7 zum Verbinden der n-Typ-Photodiode 5 und der n-Typ- BCCD 6 und eine Polygateelektrode 7a zum Anlegen eines Takt­ signals an den n-Typ-BCCD 6 auf der Oberfläche des Bereichs zwischen beiden und auf dem n-Typ-BCCD 6 ausgebildet. In diesem Verfahren wird Polysilizium für das Transfer-Gate verwendet. Anstelle von Polysilizium kann auch Metall wie Aluminium verwendet werden, das aber wegen der schlechteren Übertragungseigenschaft nicht mehr gebräuchlich ist.
Fig. 5(a) zeigt ein Diagramm, anhand dessen die Arbeitsweise eines nach dem zuvor beschriebenen Verfahren hergestellten CCD-Bildsensors beschrieben wird.
Wenn auf die n-Typ-Photodiode Licht (λ) fällt, wird in dem Lichtsignalladung-Ausgabebereich (O), der zwischen der n- Typ-Photodiode 5 und der flachen p-Typ-Wanne 3 angeordnet ist, eine Signalladung erzeugt. Wenn an das Transferpoly- Gate 7 ein Steuersignal mit hohem Pegel angelegt wird, wird die Signalladung durch den Signalladungs-Übertragungskanal­ bereich (P), der zwischen der n-Typ-Photodiode 5 und dem n- Typ BCCD 6 angeordnet ist, in den Signalladungs-Speicherbe­ reich (Q) benachbart zu der n-Typ-BCCD 6 übertragen.
Anschließend wird die Signalladung, die in dem Signalla­ dungsspeicherbereich (Q) gespeichert ist, zu einer HCCD (Ho­ rizontal Charge Coupled Device) (nicht dargestellt) mit Hilfe eines üblichen Taktvorgangs verschoben.
Wenn aber eine in dem Lichtsignalladung-Ausgabebereich (O) erzeugte Signalladung nicht in den Signalladung-Übertra­ gungskanalbereich (P) übertragen wird, sondern in den Smear­ signal-Ausgabebereich (R) entladen wird, der zwischen dem tiefen p-Typ-Wanne 4 und der p⁺-Typ-BPL 8 angeordnet ist, wird der Smeareffekt auf einem Bildschirm eines CCD-Bildsen­ sors erzeugt.
Wie aber aus Fig. 5(b) ersichtlich ist, in der die elektri­ sche Potentialverteilung entlang der Linie b-b′ von Fig. 5(a) gezeigt ist, kann die Signalladung aufgrund der hohen Potentialbarriere der p⁺-Typ-BPL 8 kaum in den Smearsignal- Ausgabebereich (R) entladen werden und folglich ist der Smeareffekt verringert.
Nachstehend wird beschrieben, wie eine Signalladung in einen n-Typ-BCCD 6 driftet und nicht als Smearsignal in das n-Typ- Substrat 1 entladen wird.
Der Aufbau eines herkömmlichen CCD-Bildsensors weist eine flache p-Typ-Wanne und eine tiefe p-Typ-Wanne in der Form einer flachen Ebene auf, in dem Ionen zweifach implantiert werden, so daß eine anti-Aufhellungsvorspannung angelegt wird. Die zuvor genannte kann auch in Herzform ausgebildet sein.
Durch Ausbilden der p-Typ-Wanne mit einer im wesentlichen flachen Form und Steuern der Verunreinigungskonzentration des Bereiches unter der Photodiode und der BCCD durch im­ plantierte Ionen, kann der Aufbau und ein Verfahren zum Her­ stellen eines CCD-Bildsensors bereitgestellt werden, bei der der Smeareffekt vermieden und die OFD-Spannung gesteuert wird. Wegen der Schwierigkeiten beim Ionenimplantiervorgang sind diese jedoch nicht mehr in Benutzung.
Der in Fig. 4 gezeigte Aufbau und das Verfahren zur Herstel­ lung eines CCD-Bildsensors hat folgende Nachteile. Erstens ist die erforderliche Ionenimplantiervorrichtung zum Ausbil­ den der p⁺-Typ-BPL sehr teuer und dessen Verwendung be­ schränkt, so daß es in der Praxis nicht einsetzbar ist. Zweitens können wegen der unter hohen Energien von etwa 600 keV implantierten p-Ionen Defekte in dem Substrat entstehen. Durch derartige Defekte in einem CCD-Bildsensor kann Rau­ schen erzeugt werden und der Smeareffekt kann nur verringert werden, wenn zum Ausbilden der p⁺-Typ-BPL hochwertige Ver­ fahrenstechnologien eingesetzt werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen CCD-Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung be­ reitzustellen, bei dem die OFD-Spannung gesteuert und der Smeareffekt verringert bzw. das Verfahren verkürzt und ver­ einfacht wird.
Diese Aufgabe wird gelöst mit den Merkmalen der Pa­ tentansprüche.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung wird ein Verfahren zum Herstellen eines CCD-Bildsen­ sors mit folgenden Schritten bereitgestellt: Ausbilden eines n-Typ-Bereiches zum Steuern einer OFD-Spannung (over flow drain voltage) und eines p-Typ-Bereiches zum Verringern des Smeareffekts in einem bestimmten Abstand voneinander auf einer Epitaxialschicht mittels Implantieren von n-Ionen bzw. p-Ionen mit hoher Verunreinigungskonzentration und einer Wärmebehandlung, Aufwachsen einer p-Typ-Epitaxialschicht mit bestimmter Dicke auf der gesamten Oberfläche, Ausbilden einer n-Typ-Photodiode und eines n-Typ-BCCD (CCD mit vergra­ benem Kanal) in einem bestimmten Abstand voneinander durch Implantieren von n-Ionen in Wannen, die oberhalb des n-Typ- Bereiches zum Steuern der OFD-Spannung bzw. des p⁺-Typ- Bereiches zum Verringern des Smeareffekts angeordnet sind, Ausbilden eines Transferpoly-Gate zum Verbinden der n-Typ- Photodiode und der n-Typ-BCCD und einer Polygateelektrode zum Anlegen eines Taktsignals an das n-Typ-BCCD auf der Oberfläche des Bereiches zwischen beiden und dem n-Typ-BCCD.
Der erfindungsgemäße Aufbau eines CCD-Bildsensors umfaßt eine n-Typ-Photodiode und einen n-Typ-BCCD, die in einer p- Typ-Epitaxialschicht eingeschlossen sind, und ein die beiden verbindendes Übertragungspoly-Gate. Die Verbesserung besteht in dem n-Typ-Bereich zum Steuern der OFD-Spannung, der zwi­ schen einem n-Typ-Substrat unterhalb der n-Typ-Photodiode und der p-Typ-Epitaxialschicht angeordnet ist und eines p⁺-Typ-Bereiches zum Verringern des Smeareffektes, der zwi­ schen dem n-Typ-Substrat unterhalb des n-Typ-BCCD und der p- Typ-Epitaxialschicht angeordnet ist. Die genannten Bereiche haben die vorgesehene Dicke und Breite und sind in horizon­ taler Richtung in bestimmtem Abstand voneinander ausgebil­ det.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Beispielen und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1(a) bis (e) Querschnittsansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zum Herstellen eines CCD-Bild­ sensors gemäß der vorliegenden Erfindung, bei der die Verringerung des Smeareffekts berücksichtigt wird,
Fig. 2(a) ein Diagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise des erfindungsgemäßen Bildsensors,
Fig. 2(b) eine elektrische Potentialverteilung entlang der Linie c-c′ von Fig. 5(f),
Fig. 3(a) eine Querschnittsansicht eines Aufbaus eines be­ kannten CCD-Bildsensors, bei dem der Smeareffekt nicht berücksichtigt wird,
Fig. 3(b) eine elektrische Potentialverteilung entlang der Linie a-a′ vom Fig. 3(a),
Fig. 4(a) bis (f) Querschnittsansichten zum Erläutern der Herstellung eines bekannten CCD-Bildsensors, bei der Smeareffekt nicht berücksichtigt wird,
Fig. 5(a) ein Diagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise eines bekannten CCD-Bildsensors, und
Fig. 5(b) eine elektrische Potentialverteilung entlang der Linie b-b′ von Fig. 5(a).
Mit Bezug auf Fig. 1(a) bis (e) wird nachstehend eine be­ vorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines CCD-Bildsensors beschrieben.
Als erstes werden, wie in Fig. 1(a) gezeigt n-Ionen in einem bestimmten Bereich eines n-Typ-Substrats 11, das als Start­ material dient, implantiert. Wie in Fig. 1(b) gezeigt, wer­ den in einem bestimmten Abstand oder Intervall entfernt von dem n-Ionen-Implantationsbereich p-Ionen implantiert. Wie in Fig. 1(c) dargestellt, werden durch Diffusion der implan­ tierten n- und p-Ionen mittels Wärmebehandlung ein n-Typ-Be­ reich 12 zum Steuern einer OFD-Spannung und ein p⁺-Typ-Be­ reich 13 zum Verringern des Smeareffekts in einem bestimmten Intervall ausgebildet. Anschließend wird über die gesamte Oberfläche eine p-Typ-Epitaxialschicht 14 ausgebildet. Das bezeichnete Intervall zwischen dem n-Typ-Bereich 12 zum Steuern der OFD-Spannung und dem p⁺-Typ-Bereich 13 zum Ver­ ringern des Smeareffekts, hat die Funktion, einen Entla­ dungsweg für ein Smearsignal zu dem n-Typ-Substrat 11 be­ reitzustellen. Die Epitaxialschicht 14 hat eine vergleich­ bare Funktion wie die p-Typ-Wanne 3 und 4 in dem in Fig. 4 dargestellten herkömmlichen CCD-Bildsensor.
Als nächstes wird wie in Fig. 1(d) gezeigt, eine n-Typ-Pho­ todiode 15 und eine n-Typ-BCCD 16 an der Oberfläche der p- Typ-Epitaxialschicht 14 oberhalb des n-Typ-Bereichs 12 zum Steuern der OFD-Spannung bzw. des p⁺-Typ-Bereichs 13 zum Verringern des Smeareffekts ausgebildet.
Außerdem wird eine p⁺-Typ-Dünnschicht 18 in üblicher Weise auf der Oberfläche der n-Typ-Photodiode 15 ausgebildet.
Anschließend wird wie in Fig. 1(e) gezeigt, ein Transfer­ poly-Gate 17 zum Verbinden der n-Typ-Photodiode 15 und des n-Typ-BCCD 16 und eine Polygate-Elektrode 17a zum Anlegen eines Taktsignals an den n-Typ-BCCD 16 auf der Oberfläche des Bereiches zwischen beiden und auf dem n-Typ-BCCD 16 aus­ gebildet. Bei diesem Verfahren wird Polysilicium für das Transferpoly-Gate 17 verwendet, es kann aber auch Metall, z. B. Aluminium, verwendet werden.
Fig. 2(a) ist ein Diagramm zur Erläuterung der Arbeitsweise eines nach dem zuvor beschriebenen erfindungsgemäßen Verfah­ ren hergestellten CCD-Bildsensors.
Wenn Licht (λ) auf die Oberfläche der n-Typ-Photodiode 15 fällt, wird in dem Lichtsignalladung-Ausgabebereich (O) un­ ter der n-Typ-Photodiode 15 eine Signalladung erzeugt. Wenn ein Hochpegelsignal an das Transferpoly-Gate 17 angelegt wird, wird die Signalladung durch den Signalladungs-Übertra­ gungskanalbereich (P) der p-Typ-Epitaxialschicht 14 in den Signalladungs-Speicherbereich (Q) unter der n-Typ-BCCD 16 verschoben und darin gespeichert.
Anschließend wird das in dem Signalladungs-Speicherbereich (Q) unter dem n-Typ-BCCD 16 gespeicherte Signal zu einer HCCD (nicht dargestellt) mittels CCD-Takten verschoben.
Dabei wird ein Teil der Signalladung, die in dem Licht­ signalladung-Ausgabebereich (O) erzeugt wird, nicht über den Signalladung-Übertragungskanalbereich (P) zu dem Signalla­ dung-Speicherbereich (Q) verschoben. Dieser Anteil der Sig­ nalladung bewirkt den Smeareffekt. Die unter den n-Typ-BCCD 16 driftende Smearladung beeinflußt die Qualität des Bilds auf dem Bildschirm mehr als die in das n-Typ-Substrat 11 ab­ gegebene Smearladung.
Wenn mehrere CCD-Bildsensoren auf einer einteiligen Bildauf­ nahmevorrichtung angeordnet sind, kann eine in einer Photo­ diode erzeugte Smearladung driften und die in einer weiteren Photodiode erzeugte Signalladung beeinflussen.
Durch den Aufbau eines CCD-Bildsensors gemäß der vorliegen­ den Erfindung mit einem p⁺-Typ-Bereich 13 zum Verringern des Smeareffekts unterhalb der n-Typ-BCCD 16, wie sie in Fig. 2(a) gezeigt ist, wird in diesem Bereich eine höhere Poten­ tialbarriere ausgebildet. Dadurch kann die Smearladung nicht in diesem Bereich zurückbleiben und wird durch den Smearla­ dung-Ausgabebereich (R) in dem keine Potentialbarriere aus­ gebildet ist in das n-Substrat 11 entladen.
Fig. 2(b) zeigt eine elektrische Potentialverteilung entlang der Linie c-c′ von Fig. 2(a).
Wie in Fig. 2(b) zu sehen, sind in dem p⁺-Typ-Bereich 13 eine höhere Potentialbarriere und ein breiterer neutraler Bereich zum Verringern des Smeareffektes ausgebildet. In diesem Bereich wird eine Smearladung nicht zurückgehalten und wird stattdessen durch den Smearladung-Ausgabebereich (R) an das n-Typ-Substrat 11 entladen. Der Smearladung-Aus­ gabebereich (R) ist in dem bestimmten Bereich zwischen dem n-Typ-Bereich 12 zum Steuern der OFD-Spannung und dem p⁺-Be­ reich 13 zum Verringern des Smeareffektes ausgebildet und hat eine geringere Potentialbarriere.
Die vorliegende Erfindung hat folgende Vorteile: Erstens ist im Vergleich zum Stand der Technik keine teure Ionenimplantiervorrichtung erforderlich und es werden auch keine Ionen mit hoher Energie implantiert. Die Erfindung ist daher wirtschaftlich und Defekte am Substrat werden vermie­ den.
Zweitens sind im Vergleich zum Stand der Technik keine hohen Genauigkeitsanforderungen an das Verfahren anzulegen. Das Verfahren ist schnell durchführbar.
Drittens wird der Smeareffekt noch besser vermieden.

Claims (2)

1. CCD-Bildsensor mit einer n-Typ-Photodiode (15) und einem n-Typ-BCCD (16), die in einer p-Typ-Epitaxialschicht (14) eingeschlossen sind und einem Transferpoly-Gate (17) zu dessen Verbindung und einer Polygate-Elektrode (17a) zum Anlegen eines Taktsignals an den n-Typ-BCCD (16) mit einem n-Typ-Bereich (12) zum Steuern einer OFD- Spannung, der unterhalb der n-Typ-Photodiode (15) zwi­ schen dem n-Typ-Substrat (11) und der p-Typ-Epitaxial­ schicht (14) angeordnet ist, und einem p⁺-Typ-Bereich (13) zum Verringern des Smeareffekts, der unterhalb des n-Typ-BCCD (16) zwischen dem n-Typ-Substrat (11) und der p-Typ-Epitaxialschicht (14) angeordnet ist, wobei die Bereiche eine bestimmte Tiefe und Breite aufweisen und in Horizontalrichtung in einem bestimmten Abstand ausge­ bildet sind.
2. Verfahren zum Herstellen eines CCD-Bildsensors mit fol­ genden Schritten: Implantieren von n-Ionen in einem be­ stimmten Bereich eines n-Typ-Substrats und Implantieren von p-Ionen in einem Bereich in einem bestimmten Abstand entfernt von dem mit n-Ionen implantierten Bereich, Aus­ bilden eines n-Typ-Bereiches zum Steuern einer OFD-Span­ nung und eines p⁺-Typ-Bereiches zum Verringern des Smeareffektes durch Diffusion der implantierten Ionen mittels Wärmebehandlung, Aufwachsen einer p-Typ-Epitaxi­ alschicht mit bestimmter Dicke über die gesamte Oberflä­ che, Ausbilden einer n-Typ-Photodiode und eines n-Typ- BCCD auf der p-Typ-Epitaxialschicht über dem n-Typ-Be­ reich zum Steuern der OFD-Spannung und dem p⁺-Typ-Be­ reich zum Verringern des Smeareffektes durch Implantie­ ren von n-Ionen, Ausbilden eines Transferpoly-Gates zum Verbinden der n-Typ-Photodiode und des n-Typ-BCCD und einer Polygateelektrode zum Anlegen eines Taktsignals an den n-Typ-BCCD auf der Oberfläche des Bereiches zwischen beiden und dem n-Typ-BCCD.
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