DE2734409A1 - Bildaufnahmegeraet in ccd-bauweise - Google Patents
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Description
Bildaufnahmegerät in CCD-Bauweise
Die Erfindung bezieht sich auf Bildaufnahmegerate, die aus
ladungsgekoppelten Elementen aufgebaut sind. Als Bezeichnung für ladungsgekoppelte Elemente wird im folgenden die auch
im deutschen Sprachgebrauch üblich gewordene Abkürzung CCD verwendet (von engl.: "Charg Coupled Devices11). Die vorliegende
Erfindung betrifft speziell Bildaufnahmegeräte in CCD-Bauweise, die mit sogenannter Feldübertragung arbeiten.
Der Ausgangspunkt der Erfindung wird nachstehend anhand der Pig. 1 der beigefügten Zeichnungen erläutert, die ein Blockschaltbild
eines für den Stand der Technik typischen CCD-Bildaufnahmegeräts mit Feldübertragung zeigt, bei dem die Erfindung
angewendet werden kann. Die übrigen Figuren veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung, und zwar zeigt:
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Fig. 2 eine Draufsicht auf einen Teil eines erfindungsgemäß
ausgebildeten CCD-Bildaufnahmegeräts mit Feldübertragung;
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Kanalpotentials als
Funktion der Gatespannung bei einer CCD-Anordnung mit versenktem Kanal und einer CCD-Anordnung mit Oberflächenkanal
;
Fig. 4 eine Draufsicht auf einen Teil eines mit Feldübertragung arbeitenden Bildaufnahmegeräts gemäß einer zweiten
Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 einen schematischen Querschnitt durch das Gerät nach
Fig. 4 sowie Profile der sich während des Betriebs dieses Geräts ergebenden Substratpotentiale.
Das in Fig. 1 dargestellte, für Feldübertragung ausgelegte CCD-Bildaufnahmegerät
enthält eine Matrix 10 aus lichtfühlenden Elementen, die üblicherweise als A-Register bezeichnet wird,
eine Zwischenspeichermätrix 12, die als B-Register bekannt ist, sowie ein Ausgangsregister 14, das gemeinhin C-Register genannt
wird. Das B- und das C-Register sind abgedeckt oder verdunkelt, durch irgendwelche Maßnahmen (nicht dargestellt) ist dafür gesorgt,
daß nichts von der Strahlungsenergie des aufzunehmenden Bildes auf diese Register treffen kann.
Das Α-Register und das B-Register sind jeweils mit Kanalbegrenzungen
versehen, die sich in Spaltenrichtung der jeweiligen Matrix erstrecken, um die einzelnen Kanäle (d.h. die Spalten der CCD-Matrix)
voneinander zu trennen (die Kanalbegrenzungen für das B-Register sind teilweise in den Figuren 2 und 4 zu erkennen).
Die in Fig. 1 nicht eigens dargestellten Elektroden der CCD-Anordnungen
können vom einschichtigen Typ sein und z.B. aus N-leitenden Polysiliziumbereichen bestehen, die durch P-leitende
Polysiliziumbereiche voneinander getrennt sind, wie es in der Offenlegungsschrift 26 04 081 beschrieben ist.
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"f" 273U09 ο
Pur die Elektroden können aich Anordnungen aus Polysilizium
und sich damit überlappenden Lagen aus Polysilizium oder Metall verwendet oder andere bekannte CCD-Elektrodenstrukturen
genommen werden. Das Bildaufnahmegerät kann zwei-, drei-, vier- oder mehrphasig betrieben werden. Eine handelsübliche
Form eines solchen Geräts, die von der RCA Corporation unter der Typenbezeichnung SID 51232 und dem Namen "Big Sid"
auf den Markt gebracht wird, arbeitet mit Dreiphasensteuerung und hat 320 Spalten und 512 Zeilen (256 Zeilen im A-Register
und 256 im B-Register).
Die Arbeitsweise der Anordnung nach Fig. 1 ist einfach zu verstehen.
Während der sogenannten Integrationszeit wird eine Szene oder irgend ein anderes Bild auf das Α-Register abgebildet.
Das Bild kann aus Licht oder andersartiger Strahlungsenergie bestehen. Diese Energie bewirkt, daß an verschiedenen
Stellen des Α-Registers Ladungen entsprechend der auf die betreffenden Stellen fallenden Strahlungsintensität erzeugt wird.
Nach dem Ende der Integrationszeit (z.B. während des Vertikalaustastintervalls
beim kommerziellen Fernsehen) werden die angesammelten Ladungssignale (ein sogenanntes "Feld", das einem
Teilbild beim kommerziellen Fernsehen entsprechen kann), parallel in Spaltenrichtung vom Α-Register zum B-Register übertragen,
indem die Mehrphasenspannungen φ...... ψ.^ und φΒ^...
ψΒΝ in passender Folge angelegt werden, wobei N eine der Anzahl
der verwendeten Phasen gleiche ganze Zahl ist. Anschließend werden die Ladungen, Jeweils eine Zeile auf einmal, vom B-Register
zum C-Register übertragen, und jede Zeile von Ladungen wird dann, nachdem sie das C-Register erreicht hat, unter Steuerung
durch die Schiebe spannungen φ«^... <J)qN in Serienform aus diesem
Register hinausgeschoben. Dieses serielle Hinausschieben aus dem C-Register erfolgt mit relativ hoher Geschwindigkeit
(z.B. während einer "Zeilenzeit" des kommerziellen Fernsehens).
Während der Übertragung eines Feldes vom B-Register in das C-Register
kann ein neues Feld im Α-Register integriert werden.
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Bei dem oben erwähnten Bildaufnahmegerät des RCA-Typs SID 51232
("Big Sid") sind das A-, das B- und das C-Register sämtlich
CCD-Anordnungen mit Oberflächenkanälen. Ein solcher Gerätetyp hat im Betrieb eine Menge wesentlicher Vorteile. Zum einen werden
im Α-Register nur relativ schwache Dunkelströme erzeugt. Zum anderen läßt sich bei diesem Gerätetyps eine relativ große
Ladungsmenge bei gegebener Zellengröße (Kanalbreite und Elektrodenfläche) speichern. Anders ausgedrückt kann bei Vorgabe der
zu speichernden Ladungsmenge die Kanalbreite und die Elektrodenfläche relativ klein gehalten werden, was eine hohe Packungsdichte
erlaubt, d.h. auf einer gegebenen Substratfläche kann eine relativ große Anzahl von Ladungsspeicherplätzen untergebracht
werden. Ein weiterer Vorteil eines Α-Registers mit Oberflächenkanälen besteht in der Möglichkeit, eine sogenannte
operative ÜberStrahlungskontrolle vorzusehen, wie sie in der
USA-Patentschrift 3 931 4-65 beschrieben ist.
Obwohl die mit Oberflächenkanälen ausgelegten Bildaufnahmegeräte äußerst gute Bilder liefern, ist noch Raum für Verbesserungen.
In der Praxis hat sich herausgestellt, daß speziell das C- Register
eines derjenigen Teile ist, die einer noch weiteren Verbesserung der Bildqualität entgegenstehen. Das mit Oberflächenkanälen
ausgelegte C-Register erfordert für optimalen Betrieb die Einführung sogenannter "dicker Nullen" (engl.: "Pat Zeros").
Bei einer speziellen Ausführungsform werden in der Praxis diese dicken Nullen an einem Ende des Registers in Serienform eingegeben,
wenn der Inhalt des C-Registers an dessen anderem Ende ausgeschoben wird, und diese dicken Nullen füllen dann teilweise
die Potentialgruben im C-Register. Die Information der nachfolgenden
vom B-Register in das C-Register geschobenen Bildzeile wird dann den Ladungssignalen überlagert, die in den jeweiligen
Stufen des C-Registers entsprechend den eingegebenen dicken Nullen vorhanden sind.
Der Grund für die Notwendigkeit des Einführens dicker Nullen in CCD-Anordnungen mit Oberflächenkanal ist bekannt und sei hier
nur kurz erläutert. Bei CCD-Anordnungen mit Oberflächenkanal
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gibt es Defekte in Form sogenannter "fester Haftstellen11
(engl.: "fast trapping states") an der Substratoberfläche.
Diese Haftstellen begrenzen die Leistungsfähigkeit der Ladungsübertragung, da sie den die Information enthaltenden
Ladungssignalen bei deren Wanderung längs der Oberfläche des CCD-Kanals Ladung wegnehmen oder hinzufügen. Durch Einführung
der dicken Nullen wird dieser Übertragungsverlust wesentlich verringert und dadurch die Güte der Ladungsübertragung verbessert.
Andererseits wurde jedoch gefunden, daß die Erzeugung der dicken Nullen für ein C-Register mit Oberflächenkanal und
einschichtiger Elektrodenstruktur auch Rauschkomponenten verursacht.
Wenn auch die Güte der Ladungsübertragung in einem C-^egister
mit Oberflächenkanal beim Betrieb mit dicken Nullen relativ hoch ist, gibt es immer noch ein gewisses Maß an Übertragungsverlusten (in der Größenordnung von 1O~* bis 10 pro Ladungsübertragung
bei Taktfrequenzen von 5 bis 10 MHz) während der
Weitergabe der Ladungssignale längs des C-Registers. Da das C-Register aus relativ vielen Stufen bestehen kann (z.B. aus
320 Stufen), führt dieser sehr kleine Verlust pro Stufe zu einem beträchtlichen Gesamtverlust bei denjenigen Signalen,
die eine große Anzahl von Einzelübertragungen erfahren. Dieser Übertragungsverlust äußert sich in einer Abnahme der Horizontalauflösung
des CCD-Bildaufnahmegeräts.
Es gibt außerdem noch einen praktischen Gesichtspunkt, der den Gebrauch eines CCD-Bildaufnahaegeräts mit Oberflächenkanal manchmal
problematisch erscheinen läßt. Wenn das Gerät in einer tragbaren Fernsehkamera verwendet werden soll, ist es wichtig, die
Spannung und Leistung und das Gewicht möglichst gering zu halten. In der Praxis hat sich gezeigt, daß die Übertragungsspannungen
für das A- und das B-Register relativ niedrig (z.B. etwa 8 Volt) sein können, weil die Übertragungen in diesen Registern relativ
langsam erfolgen (etwa 200 KHz für die Übertragungen vom A- zum B-Register und etwa 15»75 KHz für die Übertragungen vom B- zum
C-Register). Diese Spannung kann von einer gewöhnlichen 12 VoIt-
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Batterie geliefert werden. Die Übertragungen im C-Register
finden jedoch mit viel höherer Geschwindigkeit statt (etwa 6 MHz). In der Praxis hat sich gezeigt, daß im Falle einer
einschichtigen Elektrodenstruktur, wie sie in der weiter oben erwähnten USA-Patentanmeldung beschrieben ist , für die
Takt Spannungen (J),,,. bis φ«, am C-Register etwa 15 Volt erforderlich sind. Um diese 15 Volt von der 12-Volt-Batterie zu
erhalten, wird ein Gleichspannungswandler verwendet, der den Aufwand und die Kompliziertheit des Systems vergrößert. Außerdem steigt mit der höheren Spannung und mit dem benötigten Wandler auch der Leistungsverbrauch des Systems, was die Lebensdauer der Batterie verkürzt.
Bei einem erfindungsgemäß verbesserten CCD-Bildaufnahmegerät
mit Feldübertragung ist das A-Register 10 (Fig. 1) nach wie vor
eine CCD-Anordnung mit Oberflächenkanal, während das C-Register 1* jedoch ein Typ mit sogenanntem versenkten oder vergrabenen
Kanal ist. Das B-Register bleibt vorzugsweise eine Anordnung mit Oberflächenkanälen, es kann jedoch auch ein Typ mit vergrabenen Kanälen sein.
Venn man bei dem in Fig. 1 dargestellten Bildaufnahmegerät das C-Register mit vergrabenem Kanal auslegt, dann ergibt sich für
den Ladungsubertragungsverlust je Stufe in diesem Register ein Maß von 10 bis 10 y bei Taktfrequenzen von 10 bis 20 MHz.
Außerdem werden im C-Register keine "dicken Nullen" verwendet.
Da der Ladungsubertragungsverlust wesentlich niedriger ist, wird die Horizontalauflösung wesentlich höher, und da keine
dicken Nullen in Serienform in das C-Register eingeschoben werden, erzeugen sie auch keine Rausch- oder Störkomponenten in
diesem Register. Außerdem hat die Praxis gezeigt, daß man zum Betreiben des mit vergrabenem Kanal ausgelegten C-Registers
bei 6 MHz mit einer Taktspannung von 12 Volt oder weniger auskommt, die sich aus der 12-Volt-Batterie ohne die Notwendigkeit eines aufwärtstransformierenden Gleichspannungswandlers
entnehmen läßt (vgl. in diesem Zusammenhang Fig. 3, die veranschaulicht, daß bei einem gegebenen Gateelektrodenpotential in
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einer CCD-Anordnung mit vergrabenem Kanal ein höheres Kanalpotential
erzeugt wird als in einer CCD-Anordnung mit Oberflächenkanal;
vgl. außerdem die in Fig. 5 veranschaulichte Arbeitsweise). Außerdem wurde gefunden, daß auch die erforderliche
Leistung zum Betreiben des C-Registers im Falle eines vergrabenen Kanals wesentlich niedriger ist als im Falle
eines Oberflächenkanals.
In einem erfindungsgemäßen Bildaufnahmegerät können alle Register auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat (ein einziges
Halbleiterplättchen) gebildet sein; bei den dargestellten Ausführungsbeispielen handelt es sich z.B. jeweils um ein P-leitendes
Substrat. Das A- und das B-Register der Ausführungsform nach Fig. 2 sind beide mit Oberflächenkanal ausgelegt und
werden mit Dreiphasensteuerung betrieben. Die Fig. 2 zeigt teilweise das B-Register und das C-Register einer Ausführungsform
der Erfindung. Die Elektroden wie z.B. 20, 22 und 24- können einschichtig sein und sind nur schematisch dargestellt· In
Vertikalrichtung laufende P+-Diffusionen (Kanalbegrenzungen)
wie z.B. 26, 28 und 30 definieren die Grenzen der vertikalen
CCD-Kanäle. Jeder dieser Kanäle besteht aus einer CCD-Anordnung mit Oberflächenkanal· Ein typischer Kanal, wie er mit 32 bezeichnet
ist, kann etwa 25*4- £un breit sein. Die Kanalbegrenzungen
sind an ihren Enden verbreitert, um dort kleine öffnungen oder Durchlässe 34- zu bilden, durch die hindurch Ladungen in
das C-Register fließen können.
Das C-Register ist ein Register mit vergrabenem Kanal, was durch die gepunktete Darstellung zum Ausdruck kommen soll. Das Substrat
ist P-leitend, und der vergrabene Kanal sei durch einen sehr dünnen N-leitenden Bereich an der Oberfläche des Substrats hergestellt,
der einen PN-Halbleiterübergang mit dem Substrat bildet.
Der vergrabene Kanal ist an einem Rand durch eine Kanalbegrenzung z.B. in Form eines P+-Diffusionsgebiets 36 begrenzt.
Da die Kapazität einer Potentialgrube für eine gegebene Elektrodenfläche bei einem vergrabenen Kanal geringer ist als bei einem
Register mit Oberflächenkanal, wird der vergrabene Kanal we-
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sentlich breiter als die vertikal verlaufenden Oberflächenkanäle des B-Registers ausgelegt (in der Praxis z.B. doppelt
so breit oder noch breiter). Bei einer praktischen Ausführungs form, bei der das B-Register 25,4 jun breite Kanäle 32 hat, beträgt
die Breite w des vergrabenen Kanals beispielsweise 50,8
Die Arbeitsweise der Anordnung nach Fig. 2 läßt sich relativ
einfach erklären. Nach einer gewissen Pitegrationszeit wird
der Inhalt des Α-Registers (Pig. 1) in das B-Register geschoben. Es sei z.B. angenommen, daß nach dem Ende dieser Übertragung eine
Zeile oder Reihe von Ladungssignalen vorübergehend unter einer mit der Phase 1 (φΒ>ι) angesteuerten Elektrode 20 gespeichert
ist. Zu diesem Zeitpunkt ist die (L^-Spannung verhältnismäßig
positiv, während die φΒ2~ 1111Cl (^-Spannungen weniger positiv,
z.B. gleich 0, sind. Diese Zeile von Ladungssignalen wird dann durch die φηρ~ ^1*1 ta^-Spannungen nacheinander zuerst unter
die Elektrode 22 und dann unter die Elektrode 24 geschoben.
Wenn φΒ, positiv wird, dann wird auch (J>c, relativ positiv, wodurch
eine Potentialgrube unter den (J^-Elektroden wie z.B.
der Elektrode 40 geschaffen wird. Das zu dieser Zeit in einem
Kanal 32 unter der Elektrode 24 vorhandene Ladungssignal läuft
unter die Elektrode 40 im C-Register. Die Ladungsübertragung vom B-Register in das C-Register ist beendet, wenn die 4b3~
Spannung auf ihren niedrigen Wert zurückkehrt, während die <j>Q,-Spannung hoch bleibt. Bei einer praktischen Ausführungsform kann der Hub der Mehrphasenspannungen des B-Registers
(z.B. der (^,-Spannung) von 0 bis 11 Volt gehen, während der
Hub der Mehrphasenspannungen des O-Registers (z.B. der φσ^-
Spannung) von -2 bis +8 Volt gehen kann, wobei in beiden Fällen die Vorspannung des Substrats mit 0 angenommen wird. In Fig.
läßt sich erkennen, daß bei diesen Spannungswerten (es ist auch eine andere Wahl dieser Werte möglich) derartige Substratpotentiale
entstehen, daß eine Ladungsübertragung aus dem Bereich des Kanals 32 unterhalb der Elektrode 24 in den Bereich des
Substrats unterhalb der Elektrode 40 stattfindet. Es sei erwähnt, daß im B-Register der von 0 bis 11 Volt gehende Spannungs-
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hub zu einer Änderung des Oberflächenpotentials am Substrat von 0 bis ungefähr 8,5 Volt führt, und daß im C-Register der
von -2 bis +8 Volt gehende Spannungshub zu einer Änderung des Kanalpotentials von etwas über 8 Volt bis auf ungefähr 16 Volt
führt.
Der vorstehend beschriebene Vorgang läuft in allen vertikalen Kanälen ab, d.h. die unter der Elektrode 24 gespeicherte
Zeile von Ladungssignalen wird in paralleler Weise unter die φ,,,-Elektroden des C-Registers geschoben. Anschließend wandern
die Ladungssignale unter dem Einfluß der Spannungen φσ,ρ φσ2
und φσ^ längs durch das C-Register, um an einem Ausgangsanschluß
dieses Registers (in Fig. 1 bei 15 gezeigt) Bildsignale in Serienform zu erzeugen.
Während bei der Ausführungsform nach Fig. 2 die Übergabe aus
dem Oberflächenkanal in den vergrabenen Kanal hinter der Elektrode 24 stattfindet, kann diese Übergabe auch unter der Elektrode
24 erfolgen.
Die Fig. 4 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung, die sich von der Ausführungsform nach Fig. 2 darin unterscheidet,
daß das B-Register zwei zusätzliche Elektroden 42 und 44 enthält, wobei die Elektrode 42 wesentlich breiter als die restlichen
Elektroden des B-Registers und auch breiter als die Elektrode 44 ist. Der vergrabene Kanal erstreckt sich von der
Kanalbegrenzung 46 bis unter die Elektrode 42. Es ist nicht notwendig, den Rand 48 des vergrabenen Kanals allzu genau auszurichten.
Dieser Rand 48 sollte wesentlich näher am Rand 50 der Elektrode 42 als am Rand 52 dieser Elektrode liegen, und
diese grobe Vorschrift ist relativ einfach zu erfüllen. Die breite Elektrode 42 bringt auch eine Potentialgrube erhöhter
Kapazität (verglichen nit dem Fall einer schmalen Elektrode, unter der Bereiche sowohl des vergrabenen Kanals als auch des
Oberflächenkanals vorhanden sind). Die erhöhte Kapazität der Potentialgrube erlaubt die vorübergehende Speicherung von La-
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dung, während Ladungen im C-Register aus diesem Register hinausgeschoben werden, wie es in Pig. 5 dargestellt ist.
Die Arbeitsweise der Ausführungsform nach Pig. 4 wahrend der Übertragung vom B-Register in das C-Register ist in
Pig. 5 veranschaulicht. Die verschiedenen dargestellten Substratpotentiale können aus der graphischen Darstellung
nach Pig. 3 ermittelt werden, worin die Beziehung zwischen dem Gateelektrodenpotential und dem Substratpotential gezeigt
ist. Die Pig. 5 zeigt bei a) die verschiedenen Substratpotentiale im Augenblick, wo das Ladungssignal an der φΒ2~
Elektrode 41 ankommt. Diese Elektrode liegt auf +10 Volt, um ein Substratoberflachenpotential von 8 Volt zu erzeugen.
Die Elektrode 42 liegt auf +6 Volt,um unter ihrem Bereich
42a ein Substratoberflachenpotential von 5 Volt und unter ihrem Bereich 42b ein Potential von +14,5 Volt für den vergrabenen
Kanal zu erzeugen. Es sei angenommen, daß die Potentialgrube 60 unter der Elektrode 41 relativ voll ist, so daß ein
Teil des Ladungssignals über die 5-Volt-Barriere lauft und
in die Potentialgrube 62 unter dem Teil 42b der Elektrode 42 fließt.
Wahrend der folgenden Zeitspanne, die bei b) in Pig. 5 veranschaulicht
ist, ist das Potential φ«« der Elektrode 41 von
+10 Volt auf +2 Volt verringert. Das Oberflächenpotential unter der Elektrode 41 ist entsprechend auf etwa +1,7 Volt
vermindert, so daß der Rest des unter der Elektrode 41 befindlichen Ladungssignals in die Grube 62 fließt· Während
dieser Zeitspanne (und auch während der vorangegangenen Periode) liegt die Gateelektrode 44 auf einem Potential V^o v<>n ~8 Volt,
um eine +2,8 Volt-Barriere zu bilden und dadurch zu verhindern, daß irgendwelche Teile des unter der Elektrode 42 vorhandenen
Ladungssignals in das C-Register fließen.
Während des nächstfolgenden Zeitintervalls, das bei c) in Pig.
dargestellt ist, ist das der Elektrode 42 angelegte Potential VG1 von +6 Volt auf -8 Volt verringert, und gleichzeitig ist
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das der Elektrode 44 angelegte Potential VG2 von -8 Volt auf
0 Volt erhöht. Diese Potentialänderungen haben zur Folge, daß
die Tiefe der Potentialgrube unter dem Bereich 42b der Elektrode
42 geringer wird und daß die Potentialbarriere unter der Elektrode 44 verschwindet und dort das gleiche Potential von +9,5 Volt
entsteht, wie es der vergrabene Kanal unterhalb der Elektrode 53 des C-Registers hat. Unter diesen Bedingungen läuft das
unter dem Teil 42b der Elektrode 42 gespeicherte Ladungssignal unter die Elektroden 44 und 53, wie es bei c) in Fig. 5 veranschaulicht
ist. Gleichzeitig bewirkt die Abnahme der Spannung VG>., daß die Höhe der unter dem Bereich 42a der Elektrode 42
befindlichen Barriere von 5 Volt auf 0 Volt abnimmt. Zur gleichen Zeit wird die der Elektrode 41 angelegte Spannung <j>B2 von
+2 Volt auf +10 Volt erhöht, so daß ein neues Ladungssignal aus dem B-Register in die dadurch gebildete 8-Volt-Grube fließt.
Selbst wenn diese Grube hierdurch voll wird, kann dieses Ladungssignal wegen der O-Volt-Barriere unter dem Bereich 42a
der Elektrode 42 nicht unter die Elektrode 42 gelangen.
Die Fig. 5 zeigt bei d) dieselben Bedingungen, wie sie bei a)
dargestellt sind. Die sich hier abspielenden Vorgänge werden bei Betrachtung dieser Figur deutlich. Die Spannung V«2 liegt
bei -8 Volt, so daß am vergrabenen Kanal eine +2,8-Volt-Barriere vorhanden ist, die das B-Register vom C-Register trennt. Das
Ladungssignal unter der Elektrode 53 kann nun mit hoher Geschwindigkeit längs des C-Registers weitergegeben werden, um
am Ausgangsanschluß 15 (Fig. 1) die Bildsignale in Serienform zu liefern.
Es ist auch möglich, sowohl das B-Register als auch das C-Register
mit vergrabenen Kanälen auszulegen. Die Übergabe von dem mit Oberflächenkanälen ausgebildeten Α-Register kann in
diesem Fall nach der in Fig. 2 veranschaulichten Methode erfolgen, oder gewünachtenfalls kann auch eine gesonderte Gateelektrode
größerer Breite verwendet werden, wie es in den Figuren 4 und 5 veranschaulicht ist. Ein Nachteil dieser Aus-
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führungsform besteht darin, daß in einem solchen B-Register die Kapazität der Potentialgruben für Ladungssignale kleiner
ist als bei dem gleich großen mit Oberflächenkanal ausgelegten Α-Register. Diese Eigenheit läßt sich nicht ausgleichen, ohne
daß andere Probleme entstehen. Wenn man beispielsweise die Elektroden im B-Register breiter macht, um deren Fläche zu
vergrößern, dann wird die Vertikalauflösung geringer. Wenn jedoch nur das C-Register mit vergrabenem Kanal ausgelegt ist,
wie es die Figuren 2, 4· und 5 zeigen, dann kann man eine erhöhte
Ladungsspeicherkapazität einfach dadurch erreichen, daß man die Breite des CCD-Kanals des C-Registers vergrößert, wie
es dargestellt ist. Durch diese Maßnahme wird die Auflösung nicht vermindert, weil hier die vergrößerte Breite in Vertikalrichtung
geht· Die Horizontalauflösung wird aus den bereits beschriebenen Gründen verbessert.
Ein mit vergrabenem Kanal ausgelegtes Register für den dargestellten
Typ eines Bildaufnahmegeräts mit P-leitendem Substrat
(N-leitendem Kanal) kann auf folgende Weise hergestellt werden: Bevor Elektroden aufgebracht werden, wird zunächst eine relativ
dicke Schicht (5000 2) aus Siliziumdioxid durch thermisches
Wachstum auf dem Substrat gebildet, indem das Substrat erhitzt wird. Dann wird mit Hilfe photolithographischer Verfahren die
Oxidschicht an demjenigen Teil des Substrats entfernt, wo der vergrabene Kanal zu bilden ist. Hierauf wird ein zur N-Leitung
führender Stoff wie z.B. Phosphor in das Substrat implantiert. Bei einem in der Praxis ausgeführten Verfahren mit Phosphor-
12 —? dotierung wurde eine Dosis von 1,3x10 cm mit einer Spannung
von 200 KeV implantiert. Die weitere Herstellung des Bildaufnahmegeräts erfolgt dann auf herkömmliche Weise. Die Oxidschicht
an den Kanälen mag bei allen Registern einschließlich des mit vergrabenem Kanal ausgelegten Registers 2000 A betragen und
durch thermisches Wachstum gebildet werden.
Die vorstehend beschriebenen und dargestellten Ausführungsformen der Erfindung, bei denen P-leitende Substrate und N-Implantationen
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zur Bildung der vergrabenen Kanäle verwendet werden, sind lediglich
als Beispiele anzusehen, d.h. man kann das Gerät auch mit Oberflächenkanälen auf N-leitendem Substrat ausbilden
und die vergrabenen Kanäle durch P-leitende Bereiche an der Oberfläche des Substrats schaffen. In diesem Fall sind
die Polaritäten der zum Betrieb verwendeten Spannungen entsprechend zu ändern.
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Claims (9)
- Patentansprüche(i/ Mit Feldübertragung arbeitendes Bildaufnahmegerät aus ladungsgekoppelten Elementen (CCD-Bauweise), mit einem ersten Register in CCD-Bauweise, dessen Kanaltyp ein Oberflachenkanal ist und das als Antwort auf ein aufprojiziertes Strahlungsbild Ladungssignale erzeugt und speichert, ferner mit einem zweiten Register in CCD-Bauweise,das mit dem ersten Register gekoppelt ist und in welches ein Feld von LadungsSignalen aus dem ersten Register zum Zwecke der Zwischenspeicherung einschiebbar ist, sowie mit einem dritten Register in CCD-Bauweise, das mit dem zweiten Register gekoppelt ist, um von dort die zu jeweils einer Zeile des Feldes gehörenden Ladungssxgnale parallel zu empfangen, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Register (14·) ein Typ mit vergrabenem Kanal ist.
- 2. Sildaufnahmegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Register (10) aus einer Vielzahl von sich in der Spaltenrichtung des Feldes erstreckenden CCD-Kanälen besteht, deren jeder im wesentlichen die gleiche Breite in Zeilenrichtung hat, und daß das dritte Register (14-) aus einem sich in Zeilenrichtung erstreckenden CCD-Kanal besteht; daß der Kanal des dritten Registers eine in der Spaltenrichtung gemessene Breite (w) hat, die wesentlich größer als die Breite der CCD-Kanäle des ersten Registers (10) ist.
- 3. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite des CCD-Kanals des dritten Registers (14-) mindestens doppelt so groß wie die Breite der CCD-Kanäle des ersten Registers (10) ist.
- 4. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,70Ö8ÖS/1Ö71 " 15 "ORIGINAL INSPECTED2734A09daß das zweite Register (12) aus einer Vielzahl von sich in Spaltenrichtung des Feldes erstreckenden CCD-Kanälen und aus einer Vielzahl von sich in Zeilenrichtung über die Spalten der CCD-Kanäle erstreckenden Elektroden besteht, die alle im wesentlichen gleiche Breite haben; daß das zweite Register (12) in Spaltenrichtung gesehen hinter seiner dem ersten Register (10) am weitesten entfernt liegenden Registerelektrode (4-1) eine erste Gateelektrode (4-2) aufweist, deren Breite wesentlich größer als die Breite der anderen Registerelektroden des zweiten Registers ist und hinter der sich eine zweite Gateelektrode (44) befindet, die unmittelbar an das dritte Register (14) angrenzt; daß sich die erste und die zweite Gateelektrode quer über die Spalten der CCD-Kanäle erstrecken; daß das mit vergrabenem Kanal ausgelegte dritte Register (14) aus einem Substrat eines ersten Leitungstyps besteht, das einen Oberflächenbereich eines dazu entgegengesetzten Leitungstyps aufweist, der bis unter die besagte erste Gateelektrode (42) reicht und sich im wesentlichen über die gesamte Länge der ersten Gateelektrode erstreckt ·
- 5. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Register (12) eine Vielzahl von sich in Zeilenrichtung erstreckenden Elektroden aufweist, deren letzte (24) in unmittelbarer Nachbarschaft des dritten Registers (14) liegt und die alle quer über die Spalten der CCD-Kanäle laufen; daß das mit vergrabenem Kanal ausgelegte dritte Register (14) ein Substrat eines ersten Leitungstyps aufweist, auf dem ein Oberflächenbereich eines dazu entgegengesetzten Leitungstyps gebildet ist, der an einem hinter der letzten Elektrode des zweiten Registers liegenden Bereich des Substrats en£det und überlappungsfrei mit dieser letzten Registerelektrode ist.
- 6. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das aweite Register (12) eine Vielzahl von sich in Zeilen-- 16 -709805/1071richtung erstreckenden Elektroden aufweist, deren letzte in unmittelbarer Nachbarschaft des dritten Registers (14-) liegt und die sich alle quer über die Spalten der CCD-Kanäle erstrecken, und daß das mit vergrabenem Kanal ausgelegte dritte Register (14-) ein Substrat eines ersten Leitungstyps aufweist, auf dem ein Oberflachenbereich eines dazu entgegengesetzten Leitungstyps gebildet ist, der vom dritten Register bis unter die letzte Registerelektrode des zweiten Registers reicht und sich im wesentlichen über die gesamte Länge dieser letzten Registerelektrode erstreckt.
- 7. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Register (10) aus einer Vielzahl von sich in Spaltenrichtung des Feldes erstreckenden CCD-Kanälen besteht, die mit den CCD-Kanälen des zweiten Registers (12) ausgerichtet sind und die alle im wesentlichen die gleiche Breite in Zeilenrichtung haben, und daß sich der vergrabene Kanal des dritten Registers (14) in Zeilenrichtung erstreckt und in Spaltenrichtung eine Breite hat, die wesentlich größer als die Breite der Kanäle des ersten und des zweiten Registers (10, 12) ist.
- 8. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanaltyp des zweiten Registers (12) ein vergrabener Kanal ist.
- 9. Bildaufnahmegerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanaltyp des zweiten Registers (12) ein Oberflächenkanal ist.^09885/1011
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JPS5558677A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Nec Corp | Charge transfer image pickup device and its driving method |
JPS57139961A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Nec Corp | Solid state image pickup device |
FR2551919B1 (fr) * | 1983-09-13 | 1986-10-10 | Thomson Csf | Dispositif photosensible a transfert de ligne |
NL8500337A (nl) * | 1985-02-07 | 1986-09-01 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde beeldopneeminrichting. |
US4658278A (en) * | 1985-04-15 | 1987-04-14 | Rca Corporation | High density charge-coupled device imager and method of making the same |
JPS6262553A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US5036937A (en) * | 1989-08-04 | 1991-08-06 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Exercise vehicle |
EP0506188B1 (de) * | 1991-03-29 | 1997-06-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ladungsgekoppelte Anordnung |
US5331165A (en) * | 1992-12-01 | 1994-07-19 | Ball Corporation | Split event reduced x-ray imager |
US5608242A (en) * | 1994-10-11 | 1997-03-04 | Dalsa, Inc. | Variable width CCD register with uniform pitch and charge storage capacity |
US8383443B2 (en) | 2010-05-14 | 2013-02-26 | International Business Machines Corporation | Non-uniform gate dielectric charge for pixel sensor cells and methods of manufacturing |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL181766C (nl) * | 1973-03-19 | 1987-10-16 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde halfgeleiderschakeling, waarbij pakketten meerderheidsladingsdragers door een halfgeleiderlaag evenwijdig aan de halfgeleiderlaag kunnen worden overgedragen. |
NL7311600A (nl) * | 1973-08-23 | 1975-02-25 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde inrichting. |
US3911467A (en) * | 1974-07-25 | 1975-10-07 | Rca Corp | Interlaced readout of charge stored in charge-coupled image sensing array |
US3971003A (en) * | 1974-11-18 | 1976-07-20 | Rca Corporation | Charge coupled device imager |
-
1976
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Legal Events
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