DE3880996T2 - Herstellungsverfahren für eine monolithische Halbleiteranordnung mit wenigstens einem Transistor einer integrierten Kontrollschaltung und einem auf dem gleichen Chip integrierten Leistungstransistor. - Google Patents

Herstellungsverfahren für eine monolithische Halbleiteranordnung mit wenigstens einem Transistor einer integrierten Kontrollschaltung und einem auf dem gleichen Chip integrierten Leistungstransistor.

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