DE3842468A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
HalbleitervorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einer
auf der einen Seite angeordneten Anodenzone und einer auf der
anderen Seite liegenden Kathodenzone, wobei eine Zone von
hohem spezifischen Widerstand und eine Gitterdefekt-Zone zwi
schen Anodenzone und Kathodenzone gelegen sind.
Halbleitervorrichtungen dieser Art sind z. B. geeignet als
Thyristoren mit statischer Induktion, bipolarer Transistoren
mit isoliertem Gate und dergleichen.
Halbleitervorrichtungen dieser Gattung sind beispielsweise in
der US-PS 40 56 408 und in der JP-OS 60-2 07 376 beschrieben. In
letzterer Druckschrift ist eine Halbleitervorrichtung beschrie
ben, bei welcher auf der einen Seite eines Halbleitersubstra
tes die Anodenzone und auf der anderen Seite die Kathodenzone
liegt. Die Zone mit hohem spezifischen Widerstand ist zwischen
Anodenzone und Kathodenzone gebildet, während die Gitterdefekt-
Zone an gleicher Stelle wie die Zone mit hohem spezifischen
Widerstand liegt und durch Protonenbestrahlung hergestellt ist.
Die Gitterdefekt-Zone wird also bei dieser Halbleitervorrich
tung in solcher Weise gebildet, daß der Höchstwert der Vertei
lung der Gitterdefekte in einem Gebiet der Zone mit hohem spe
zifischen Widerstand nahe bei der Anodenzone liegt.
Bei dieser Halbleitervorrichtung bewirkt die Gitterdefekt-Zo
ne, wenn die Vorrichtung abgeschaltet wird, ein schnelles Ver
schwinden der aus der Anode injizierten Löcher, wodurch eine
kurze Ein- und Ausschaltzeit erreicht werden.
Bei hohen Temperaturen wird jedoch die Auswirkung der Gitter
defekte in der Zone hohen spezifischen Widerstandes geringer,
was zu einer verlängerten Lebensdauer der Ladungsträger führt,
mit der Folge einer verlängerten Abschaltzeit. Wenn eine sol
che Vorrichtung in einer Schaltung verwendet wird, in der
Schaltvorgänge in kurzen Zeitabständen wiederholt werden, bei
spielsweise ein Hochfrequenz-Stromwandler, so nehmen die durch
Stromfluß während der Abschaltzeit verursachten Leistungsver
luste zu, wobei auch die freigesetzte Wärme zunimmt. Die frei
gesetzte Wärme erzeugt einen Temperaturanstieg der Vorrichtung,
wodurch wiederum die Ausschaltzeit verlängert wird; durch die
se Rückwirkung verschlechtern sich insgesamt die Kenndaten der
Vorrichtung. Bezüglich der in der Zone hohen spezifischen Wi
derstandes gelegenen Gitterdefekte tritt weiterhin die Schwie
rigkeit auf, daß die oben erwähnten günstigen Eigenschaften
nicht erhalten bleiben, wenn die Temperatur der Vorrichtung
zunimmt, obwohl die Abschaltzeit bei normalen Temperaturen
kürzer ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervor
richtung zur Verfügung zu stellen, deren Ausschaltzeit auch
bei zunehmender Temperatur der Vorrichtung kurz bleibt und die
insgesamt eine ausgezeichnete Abschaltcharakteristik und hohe
Zuverlässigkeit aufweist.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Halblei
tervorrichtung folgende Eigenschaften aufweist: Sie weist auf
der einen Seite eine Anodenzone mit hoher Konzentration von
Verunreinigungen auf; auf der anderen Seite der Vorrichtung
liegt eine Kathodenzone von verschiedener hoher Konzentration
an Verunreinigungen; zwischen Anodenzone und Kathodenzone ist
eine Zone hohen spezifischen Widerstandes gebildet, mit einer
Zone geringer Konzentration der Verunreinigungen als elektri
scher Strompfad; eine Gitterdefekt-Zone mit relativ niedriger
Konzentration von Verunreinigungen verkürzt die Lebensdauer
der Ladungsträger und ist zwischen Anodenzone und Kathodenzone
gelegen; und die Gitterdefekt-Zone liegt in der Anodenzone.
Weiter Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus
der folgenden Beschreibung mehrerer Ausführungsformen und aus
der Zeichnung, auf die Bezug genommen wird.
In der Zeichnung
zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht der Halbleitervor
richtung nach einer ersten Ausführungsform, bei der
es sich um einen Thyristor mit statischer Induktion
handelt;
Fig. 2A ein Diagramm, welches die Gitterdefekt-Verteilung und
die Verunreinigungs-Verteilung bei der Halbleitervor
richtung nach Fig. 1 zeigt;
Fig. 2B ein Diagramm, welches die Gitterdefekt-Verteilung und
die Verunreinigungs-Verteilung bei einer als Vergleich
herangezogenen Halbleitervorrichtung zeigt, bei wel
cher die Gitterdefekt-Zone außerhalb der Anodenzone
liegt;
Fig. 3A ein Diagramm, welches die Beziehung zwischen der Tem
peratur der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung und den
Leistungsverlusten während des Abschaltens der Vor
richtung zeigt;
Fig. 3B ein Diagramm, welches die Beziehung zwischen der Tem
peratur der Vorrichtung und den Abschalt-Leistungs
verlusten bei einer als Vergleich herangezogenen Halb
leitervorrichtung zeigt, bei welcher sich die Gitter
defekt-Zone außerhalb der Anodenzone befindet;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht einer weiteren Aus
führungsform der Halbleitervorrichtung, die einen
Thyristor mit statischer Induktion bildet;
Fig. 5 ein Diagramm, welches die Gitterdefekt-Verteilung und
die Verunreinigungs-Verteilung in der Anodenzone und
in der Kathodenzone sowie in der Pufferzone der Halb
leitervorrichtung nach Fig. 4 zeigt; und
Fig. 6 und 7 schematische Schnittansichten weiterer Ausfüh
rungsformen der Halbleitervorrichtung, jeweils in
Form eines bipolaren Transistors mit isoliertem Gate.
Es wird nun auf Fig. 1 Bezug genommen. Die dort gezeigte
Halbleitervorrichtung 10 bildet einen Thyristor mit statischer
Induktion. Diese Vorrichtung 10 ist aufgebaut aus einem Halb
leitersubstrat 11, einer Anodenzone 12 auf der einen Seite
dieses Substrats 11, nämlich auf der Bodenseite in der gezeig
ten Darstellung, in Form einer P⁺-Zone mit hoher Verunreini
gungs- oder Störstoffkonzentration, wobei eine Kathodenzone 13
auf der anderen Seite des Substrates 11, nämlich an der Ober
seite, als N⁺-Zone von hoher Störstoffkonzentration gebildet
ist; zwei Gatezonen 14, 14 a sind ebenfalls an der Oberseite
des Substrates 11 gebildet, beispielsweise in Form einer P⁺-
Zone von hoher Störstoffkonzentration. Zwischen Anodenzone 12
und Kathodenzone 13 ist ferner in dem Substrat 11 eine Zone 15
von hohem spezifischen Widerstand gebildet, beispielsweise ei
ne N⁻-Zone von niedriger Störstoffkonzentration, welche einen
Strompfad bildet. In der Anodenzone 12 ist nahe der Zone 15
von hohem spezifischen Widerstand eine Gitterdefekt-Zone 16
gebildet, insbesondere durch Protonenbestrahlung geeigneter
Dosierung. Wenn die Störstoffverteilung der Halbleitervorrich
tung 10 der Darstellung in Fig. 2A entspricht, ist die Git
terdefekt-Zone 16 so gelegen, daß der Höchstwert Q der Gitter
defekt-Verteilung innerhalb der Kurve AN für die Störstoffver
teilung der Anodenzone 12 und noch näher an der Kurve CA der
Störstoffverteilung für die Kathodenzone 13 liegt. Die Gitter
defekt-Zone 16 bewirkt eine Verkürzung der Lebensdauer der La
dungsträger, um ein schnelles Verschwinden der aus der Anoden
zone 12 injizierten Löcher zu erreichen.
Auf der Anodenzone 12 ist eine Anodenelektrode 17 gebildet,
und auf der Kathodenzone 13 ist eine Kathodenelektrode 18 ge
bildet. Entsprechend befinden sich auf den Gatezonen 14 und
14 a zwei Gateelektroden 19, 19 a, die insbesondere durch Ver
dampfungstechnik aufgewachsen sind.
Die Halbleitervorrichtung 10 wird leitend und nicht leitend
gesteuert, indem sowohl die Breite der Verarmungsschicht, die
sich bis in die Zone 15 hohen spezifischen Widerstands er
streckt, als auch die Höhe der Potentialbarriere zwischen
Anode und Kathode gesteuert werden. Bei einer solchen Vorrich
tung 10 kann die Stromdichte bei geringem Spannungsabfall in
Durchlaßrichtung sehr hoch sein, was bedeutet, daß der Durch
gangswiderstand sehr klein ist, wobei zusätzlich eine kurze
Abschaltzeit erreicht wird. Überdies verschwinden bei einer
solchen Vorrichtung 10 die während des Abschaltvorganges inji
zierten positiven Löcher durch die Wirkung der Gitterdefekt-
Zone 16, bevor sie die Zone 15 hohen spezifischen Widerstandes
erreichen, so daß die Abschaltzeit verkürzt wird. Die Gitter
defekt-Zone 16 liegt aber nicht innerhalb der Zone 15 hohen
Widerstandes, die eine relativ schwache Störstoffkonzentration
und einen relativ hohen Widerstand aufweist, sondern innerhalb
der Anodenzone 12, die eine relativ hohe Störstoffkonzentra
tion und einen relativ niedrigen Widerstand aufweist. Dies
führt dazu, daß die Vorrichtung 10 weniger empfindlich gegen
eine Temperaturerhöhung ist, denn die Gitterdefekt-Zone 16
liegt in einem Bereich von relativ hoher Störstoffkonzentra
tion. Wegen des niedrigeren Widerstandswertes ist die Zunahme
an Leistungsverlusten der Vorrichtung geringer, so daß die Ab
schaltzeit auch bei hohen Temperaturen kurz bleibt.
Es wird nun die Herstellung der Halbleitervorrichtung 10 be
schrieben.
Das Substrat 11 aus einem N⁻-Halbleiter von hohem spezifischen
Widerstand besteht insbesondere aus monokristallinem Silicium,
das einer Ionenimplantation mit Störstoffen und anschließend
einer Diffusionsbehandlung unterzogen wird, um die Anodenzone
12, die Kathodenzone 13 und die Gatezonen 14, 14 a an ihren
vorbestimmten Stellen zu bilden. Anschließend werden die Ano
denzone 12, die Kathodenzone 13 und die Gatezonen 14, 14 a mit
Elektroden 17, 18, 19, 19 a versehen, die insbesondere aus Alu
minium bestehen. Anschließend wird die Stirnseite bzw. Ober
seite des Halbleitersubstrats 11 senkrecht mit Protonen be
strahlt, beispielsweise aus einem Zyclotron-Beschleuniger, um
Kristalldefekte zu verursachen und die Gitterdefekt-Zone 16
herzustellen. Die Protonendosierung ist so gewählt, daß der
Spannungabfall in Durchlaßrichtung, welcher auf den Gitterde
fekten beruht, nicht ungünstig beeinflußt wird; ferner wird
die Protonenenergie so gewählt, daß die Gitterdefekte so loka
lisiert sind, wie in Fig. 2A gezeigt ist, also nicht so, daß
das Maximum der Verteilung wie in Fig. 2B gezeigt gelegen ist.
Auf diese Weise wird ein Thyristor mit statischer Induktion
hergestellt.
Wenn das Halbleitersubstrat 11 aus monokristallinem Silicium
eine Dicke von etwa 300 µm aufweist, so beträgt die Dicke der
Zone 15 vorzugsweise 130 µm und die der Anodenzone 12 etwa 150
µm. Der Höchstwert Q der Gitterdefekt-Verteilung liegt etwa 20
oder 30 µm von dem Übergang zwischen der Anodenzone 12 und der
Zone 15 hohen Widerstandes entfernt. Für diese Werte beträgt
die optimale Protonendosierung etwa 1×1012 cm-2 bis 3×1012
cm-2
Die Protonenbestrahlung erzeugt Gitterdefekte nicht nur in der
Anodenzone 12, sondern auch in der Zone 15 hohen spezifischen
Widerstandes; die Konzentration der Gitterdefekte, die in der
Zone 15 erzeugt werden, ist jedoch im Vergleich zu der in der
Anodenzone 12 vernachlässigbar. Wenn ein Teil der Gitterdefekt-
Verteilungskurve sich von der Anodenzone 12 bis in die Zone 15
hohen spezifischen Widerstandes erstreckt, so liegt dies noch
im Rahmen der Erfindung, solange der Hauptteil der Defektver
teilung innerhalb der Anodenzone 12 liegt. Die optimale Dichte
der Gitterdefekte ist etwa 1,5 bis 2,0 mal so groß wie die
Gitterdefekt-Dichte, bei welcher die Summe aus Leitungsver
lusten und Abfallverlusten bei Raumtemperatur minimal ist.
Ein Thyristor mit statischer Induktion, bei welchem die Zone
15 hohen Widerstandes eine Dicke von 130 µm aufweist, die
Anodenzone 12 eine Dicke von 150 µm aufweist und das Maximum Q
der Gitterdefekt-Verteilung in einer Tiefe von 30 µm ab der
Verbindung zwischen den Zonen 12 und 15 gelegen ist, eignet
sich besonders als Schaltelement in einer Einfach-Stromwandler
schaltung. Ein solches Schaltelement wurde mit einer Schalt
frequenz von 50 kHz betrieben, wobei sich die in Fig. 3A ge
zeigte Beziehung zwischen der Temperatur der Vorrichtung und
den Abschalt-Leistungsverlusten ergab. Zum Vergleich wurde ein
Thyristor mit statischer Induktion, bei dem die Dicke der Zone
15 130 µm beträgt und die Dicke der Anodenzone 12 150 µm be
trägt, während das Maximum der Gitterdefekt-Verteilung im Über
gangsbereich zwischen Anodenzone und Zone hohen spezifischen
Widerstandes liegt, als Schaltelement einer Einfach-Stromwand
lerschaltung verwendet und mit einer Schaltfrequenz von 50 kHz
betrieben. Fig. 3B zeigt die Beziehung zwischen der Tempera
tur der Vorrichtung und den Abschalt-Leistungsverlusten.
Der Vergleich der Fig. 3A und 3B zeigt, daß der erfindungs
gemäße Thyristor mit statischer Induktion eine ausgezeichnete
Charakteristik bei hohen Temperaturen aufweist und selbst bei
einem Temperaturanstieg von 50°C auf 125°C keine Zunahme der
Abschalt-Leistungsverluste auftritt. Hingegen tritt bei dem
gemäß Fig. 2B ausgebildeten Thyristor, der zum Vergleich her
angezogen wird, eine Zunahme der Abschalt-Leistungsverluste
bei einer Temperaturerhöhung von 50°C auf 125°C auf. Von be
sonderer Bedeutung ist auch, daß die Vorrichtung nach Fig. 2B
aufgrund der erhöhten Leistungsverluste bei höheren Temperatu
ren nicht zuverlässig betrieben werden kann. Hingegen kann die
gemäß Fig. 2A ausgebildete Vorrichtung auch bei Temperaturen
von mehr als 100°C normal betrieben werden. Die Abschaltzeit
ist vergleichbar mit Vorrichtungen von MOSFET-Typ.
Fig. 4 zeigt eine Halbleitervorrichtung 20, die einen Thyri
stor mit statischer Induktion nach einer weiteren Ausführungs
form der Erfindung bildet. In dieser Vorrichtung liegt eine
Pufferzone 30 in der Zone 25 hohen spezifischen Widerstandes
nahe der Anodenzone 22. Diese Pufferzone 30 ist eine dünne
Störstoffschicht gleichen Leitungstyps wie die Zone 25 hohen
spezifischen Widerstandes, jedoch von einer relativ höheren
Konzentration. Ansonsten stimmt diese Ausführungsform mit der
nach Fig. 1 überein, wobei die Bezugszahlen jeweils um 10 er
höht wurden. Diese Vorrichtung wird in nahezu völlig gleicher
Weise wie die nach Fig. 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß
bei den Verfahrensschritten zur Diffusion und Ionenimplanta
tion weitere Schritte zur Herstellung der Pufferschicht hinzu
gefügt werden.
Fig. 5 zeigt die Störstoffverteilung und Gitterdefekt-Vertei
lung der Halbleitervorrichtung nach Fig. 4. Es ist zu beach
ten, daß das Maximum Q der Gitterdefekt-Verteilung innerhalb
der Kurve AN für die Anodenstörstoffkonzentration und nahe der
Zone 25 hohen spezifischen Widerstandes liegt; ferner liegt
die Kurve BA für die Störstoffkonzentration der Pufferzone nä
her an der Kurve AN für die Störstoffkonzentration der Anode.
Bei dieser Ausführungsform sind der Einfluß der Temperatur auf
die Leistungsverluste vermindert und die Durchbruchsspannung
verbessert. Beim Abschalten der Vorrichtung erstreckt sich ei
ne Verarmungsschicht von den Gatezonen 24, 24 a zur Anodenzone
in Abhängigkeit von der anliegenden Anodenspannung. Die Puf
ferzone 30 von hoher Störstellenkonzentration bewirkt bei die
ser Ausführungsform eine Begrenzung der Ausdehnung der Verar
mungsschicht beim Auftreffen auf diese Pufferzone 30. Das
elektrische Feld im Übergangsbereich zwischen Anodenzone und
Zone hohen spezifischen Widerstandes wird infolgedessen ver
kleinert, wodurch eine höhere Durchbruchsspannung erzielt wird.
Die Pufferzone ermöglicht also eine höhere Spannung in Durch
laßrichtung und verbessert so die Durchbruchsspannungs-Charak
teristik. Zur Herstellung der Halbleitervorrichtungen 10, 20
nach den in den Fig. 1 und 4 gezeigten Ausführungsformen
sind verschiedene Verfahren geeignet. Die Anodenzone 12 bzw.
22 besteht aus einer monokristallinen P⁺-Halbleiterscheibe,
auf der entweder eine N⁻-Schicht als Zone 15 hohen spezifi
schen Widerstandes (Fig. 1) oder aber zunächst eine N⁺-Schicht
als Pufferzone 30 aufgewachsen wird, gefolgt von einer N⁻-
Schicht als Zone 25 hohen spezifischen Widerstandes (Fig. 4).
Die Verunreinigungen bzw. Störstoffe werden dann in die N⁻-Zone
implantiert oder eindiffundiert, um die Kathodenzone 13 bzw.
23 und die Gatezonen 14, 14 a bzw. 24, 24 a herzustellen. Dann
werden die Elektroden 17, 18, 19 und 19 a bzw. 27, 28, 29 und
29 a auf der Anodenzone 12 bzw. 22, die Kathodenzone 13 bzw. 23
sowie die Gatezonen 14, 14 a bzw. 24, 24 a durch Aufdampfen oder
eine ähnliche Technik aufgewachsen. Schließlich wird die Git
terdefekt-Zone 16 bzw. 26 vorzugsweise durch Protonenbestrah
lung hergestellt.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist nicht auf die Verwendung
als Thyristor mit statischer Induktion beschränkt, sondern ist
insbesondere auch auf die Herstellung eines bipolaren Tran
sistors mit isoliertem Gate anwendbar.
In Fig. 6 ist eine Halbleitervorrichtung 50 nach einer sol
chen Ausführungsform gezeigt; sie bildet also einen bipolaren
Transistor mit isoliertem Gate, der zwei Kathodenzonen 53, 53 a
auf der oberen Fläche einer Zone 55 hohen spezifischen Wider
standes aufweist, welche sich oberhalb einer Anodenzone 52 be
findet, in welcher eine Gitterdefekt-Zone 56 in vorbestimmter
Lage gebildet ist. Zwischen der Zone 55 hohen spezifischen Wi
derstandes und den Kathodenzonen 53, 53 a ist eine Zone 61 ent
gegengesetzten Leitungstyps gebildet, die aus einer P⁺-Stör
stoffzone gebildet ist. Die Gateelektroden 59, 59 a sind mit
Isolierfilmen 62, 62 a auf der Zone 61 entgegengesetzten Lei
tungstyps gebildet. Eine Anodenelektrode 57 ist auf der Anoden
zone 52 gebildet, und eine Kathodenelektrode 58 ist über den
zwei Kathodenzonen 53, 53 a gebildet. Die Herstellung und die
Funktion der Gitterdefekt-Zone 56 stimmen mit den zuvor be
schriebenen Ausführungsformen überein, ebenso wie die hier
durch erreichten Effekte.
Bei der in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung 50 bewirkt eine an
den Gateelektroden 59, 59 a angelegte Spannung die Veränderung
eines Kanals, der an der Oberfläche der Zone 61 entgegenge
setzten Leitungstyps gebildet ist, um einen elektrischen Strom
zu steuern, welcher durch die Zone 55 hohen spezifischen Wi
derstandes fließt. Jeglicher Einfluß bzw. Leistungsverlust,
der temperaturbedingt ist, wird durch die Gitterdefekt-Zone 56
in gleicher Weise wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungs
formen vermindert, so daß eine kurze Abschaltzeit auch bei ho
hen Temperaturen erhalten bleibt.
Wie in Fig. 7 gezeigt ist, kann eine Pufferzone 80 in der
Vorrichtung 50 an vorbestimmter Stelle in der Zone 75 hohen
spezifischen Widerstandes in gleicher Weise wie die entspre
chende Zone 25 a bei der Ausführungsform nach Fig. 4 ausgebil
det werden. Diese Pufferzone schränkt die Ausdehnung der Ver
armungsschicht beim Abschalten der Vorrichtung ein und verbes
sert die Durchbruchsspannungs-Charakteristik. Bei der Ausfüh
rungsform nach Fig. 7 stimmen ansonsten alle Merkmale mit Fig.
6 überein, wobei um 20 erhöhte Bezugszahlen verwendet wur
den.
Bei den in den Fig. 6 und 7 gezeigten Ausführungsformen ei
nes bipolaren Transistors mit isoliertem Gate wird die "Katho
denzone" üblicherweise als "Source" bezeichnet, während die
"Anodenzone" üblicherweise als "Drain" bezeichnet wird.
Bei den beschriebenen Ausführungsformen können die Protonenbe
strahlung von der Oberseite bzw. Kathodenseite her erfolgen.
Die Bestrahlung kann aber auch von der Unterseite bzw. Anoden
seite her erfolgen, um die Gitterdefekt-Zone herzustellen.
Claims (6)
1. Halbleitervorrichtung mit auf einer Seite der Vorrichtung
gelegener, eine hohe Störstoffkonzentration aufweisender
Anodenzone, einer Kathodenzone von verschiedener hoher Stör
stoffkonzentration auf der anderen Seite der Vorrichtung, ei
ner Zone hohen spezifischen Widerstandes, die zwischen der
Anodenzone und der Kathodenzone gebildet ist, mit einer Zone
von geringer Störstoffkonzentration, die einen Strompfad für
einen elektrischen Strom bildet, und mit einer Gitterdefekt-
Zone von relativ schwacher Störstoffkonzentration, welche die
Lebensdauer der Ladungsträger verkürzt und zwischen der Anoden
zone und der Kathodenzone gelegen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gitterdefekt-Zone in der Anodenzone liegt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Gitterdefekt-Zone innerhalb der Anodenzone nahe der Zone
hohen spezifischen Widerstandes gebildet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Pufferzone innerhalb der Zone hohen spezifischen Wider
standes nahe der Anodenzone gebildet ist und den gleichen Lei
tungstyp wie die Zone hohen spezifischen Widerstandes sowie
eine relativ höhere Konzentration als die Zone hohen spezifi
schen Widerstandes aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Gitterdefekt-Zone in der Anodenzone durch Protonenbestrah
lung gebildet ist, wobei das Maximum der Gitterdefekt-Vertei
lung innerhalb der Anodenzone gelegen ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Protonenbestrahlung mit einer Dichte zwischen 1×1012 cm-2
und 3×1012 cm-2 erfolgt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dichte der Gitterdefekt-Zone 1,5 bis 2,0 mal so groß wie
diejenige Gitterdefekt-Dichte ist, bei welcher die Summe aus
Leitungs- und Abschalt-Leistungsverlusten minimal ist.
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