DE19981445B4 - Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom - Google Patents
Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom Download PDFInfo
- Publication number
- DE19981445B4 DE19981445B4 DE19981445T DE19981445T DE19981445B4 DE 19981445 B4 DE19981445 B4 DE 19981445B4 DE 19981445 T DE19981445 T DE 19981445T DE 19981445 T DE19981445 T DE 19981445T DE 19981445 B4 DE19981445 B4 DE 19981445B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- emitter
- recombination
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
- H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
Abstract
Leistungshalbleiter,
der eine erste Schicht (3) eines ersten Leitungstyps, eine erste
Schicht (2) eines zweiten Leitungstyps, eine zweite Schicht (1)
des ersten Leitungstyps und eine zweite Schicht (5) des zweiten
Leitungstyps umfasst sowie einen Rekombinationsbereich (6) mit Rekombinationszentren
unmittelbar auf der zweiten Schicht (5) des ersten Leitungstyps,
dadurch gekennzeichnet, dass die Rekombinationszentren Sauerstoffausscheidungen
umfassen.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Leistungshalbleiter, der einen reduzierten Sperrstrom aufweist und der eine erste Schicht von einem ersten Leitungstyp, eine erste Schicht von einem zweiten Leitungstyp, eine zweite Schicht von dem ersten Leitungstyp und eine zweite Schicht von dem zweiten Leitungstyp umfaßt. Insbesondere betrifft die Erfindung einen insulatedgate-Bipolartransistor (IGBT), bei dem die zweite Schicht vom zweiten Leitungstyp ein (anodenseitiger) p-Emitter, die erste Schicht vom zweiten Leitungstyp eine p+-Basis, die zweite Schicht vom ersten Leitungstyp eine n–-Basis und die erste Schicht vom ersten Leitungstyp ein (kathodenseitiger) n+-Emitter ist.
- Man ist allgemein bestrebt, bei Leistungshalbleitern die über das Bauelement im Durchlaßzustand abfallende Spannung zu minimieren, um so die Verlustleistung des Bauelements zu senken. Ein Leistungshalbleiter der oben genannten Art ist z.B. ein mit IGBT realisierter Schnellschalter, der sich die meiste Zeit im Durchlaßzustand befindet und nur relativ selten sperrt, um einen Kurzschlußstrom abzuschalten. Beispielsweise wird bei einem IGBT zur Minimierung der Durchlaßspannung im Stand der Technik der anodenseitige (kollektorseitige) Emitter mit einer relativ hohen Dotierungskonzentration und einer erhöhten Eindringtiefe versehen, so daß der Emitterwirkungsgrad dicht unterhalb von Eins liegt. Außerdem wird die Trägerlebensdauer in den Basiszonen des IGBT so hoch wie möglich gemacht, um damit den Transportfaktor zu erhöhen. Durch die Summe dieser Maßnahmen nimmt der Teiltransistorverstärkungsfaktor αpnp einen Wert an, der relativ nahe bei Eins liegt. Durch die Transistorverstärkung ergibt sich aber bei einer hohen angelegten Spannung ein großer Sperrstrom, der zum Aufheizen des Bauelements führt. Dieser im Sperrzustand unvermeidbar fließende Sperrstrom darf jedoch nicht zu hoch wer den, damit die Aufheizeffekte nicht zur Zerstörung des Bauelements führen.
-
EP 0 327 316 A2 beschreibt einen Transistor, bei dem über dem P+-Halbleitersubstrat Rekombinationszentren gebildet werden. Die Rekombinationszentren werden gebildet durch Implantation von beispielsweise Sauerstoffionen, mittels der Kristall-Gitterdefekte gebildet werden, welche als Rekombinationszentren dienen. - Das Bilden von Kristall-Gitterdefekten durch Einstrahlung von Protonen ist ebenfalls aus WO 98/15010 A1 bekannt.
-
DE 42 23 914 A1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelements, bei dem eine niedrig dotierte Halbleiterschicht epitaktisch aufgewachsen wird, wobei das epitaktische Aufwachsen unterbrochen wird, um nicht dotierende Ionen in die epitaktisch aufgewachsene Halbleiterschicht zu implantieren. Nach erfolgter Implantation der nicht dotierenden Ionen wird das epitaktische Aufwachsen der niedrig dotierten Halbleiterschicht fortgeführt und beendet. -
DE 40 36 222 A1 beschreibt ein Verfahren zum Bilden von aufeinander gestapelten Hochspannungsdioden. Gemäß diesem Verfahren wird die Ladungsträgerlebensdauer am pn-Übergang gesteuert durch gezielte Fehlorientierung der kristallographischen Orientierung der beiden Halbleiterkörper oder durch Verwendung von Halbleiterkörpern unterschiedlicher Gitterkonstanten. -
DE 31 24 988 C2 beschreibt ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Thyristoten, bei welchem die Rückwärtsregenerierungsladung verringert wird. Gemäß diesem Verfahren werden ebenfalls Störstellen als Rekombinationszentren in dem Kristallgitter gebildet mittels Bestrahlung von Ionen. - Gemäß dieser Vorgehensweise wird eine Strahlung aus Protonen, Alphateilchen oder Stickstoffionen verwendet. Ferner ist in
DE 31 24 988 C2 angegeben, zur Bestrahlung gerade keine Sauerstoffionen zu verwenden, da diese sowohl elektrisch als auch chemisch im Halbleiterkörper aktiv sind, was gemäß diesem Verfahren nicht gewünscht ist. -
DE 38 42 468 A1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einer Gitterdefektzone zur Verkürzung der Abschaltzeit der Vorrichtung auch bei relativ hohen Temperaturen. - Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist es, einen Leistungshalbleiter zu schaffen, der sowohl eine niedrige Durchlaßspannung als auch einen geringen Sperrstrom hat.
- Die Aufgabe wird durch einen Leistungshalbleiter nach Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
- Um bei einem Bauelement mit niedriger Durchlaßspannung den Sperrstrom zu begrenzen, werden erfindungsgemäß Rekombinationszentren eingebaut, die im Durchlaßzustand des Halbleiters, also bei hoher Ladungsträgerinjektion praktisch wirkungslos sind, jedoch im Sperrzustand, also bei niedrigen Ladungsträgerdichten eine hohe Effizienz haben. Diese Rekombinationszentren werden in einem Bereich der Siliziumscheibe eingebaut, der von der anodenseitigen (kollektorseitigen) Scheibenoberfläche aus gesehen dicht unterhalb des durch den p-Emitter und die angrenzende n-dotierte Schicht gebildeten pn-Übergangs liegt.
- Der erfindungsgemäße Leistungshalbleiter, der eine erste Schicht eines ersten Leitungstyps, eine erste Schicht eines zweiten Leitungstyps, eine zweite Schicht des ersten Leitungstyps und eine zweite Schicht des zweiten Leitungstyps umfaßt, ist gekennzeichnet durch einen Rekombinationsbereich mit Rekombinationszentren unmittelbar auf der Schicht des ersten Leitungstyps, wobei die Rekombinationszentren Sauerstoffausscheidungen umfassen.
- Der Rekombinationsbereich hat vorzugsweise eine vertikale Ausdehnung zwischen 20 und 50 μm.
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung, bei der bezug genommen wird auf die beigefügten Zeichnungen.
-
1 stellt schematisch einen ersten Leistungshalbleiter mit dem erfindungsgemäßen Rekombinationsbereich im Querschnitt dar. -
2 stellt schematisch einen weiteren Leistungshalbleiter mit dem erfindungsgemäßen Rekombinationsbereichim Querschnitt dar. - Der in
1 dargestellte Leistungshalbleiter ist ein non punch through- (NPT-) IGBT, anhand dessen die Erfindung im folgenden zunächst erläutert wird. Der NPT-IGBT umfaßt einen Halbleiter1 , der in der gezeigten Ausführungsform schwach n-dotiert ist und als n–-Basis wirkt. An die n–-Basis1 , die eine erste Basis ist, schließt sich als eine zweite Basis eine p+-Basis2 an, auf deren Oberfläche eine erste n+- Emitterstruktur3 angeordnet ist. Von dem Emitter3 injizierte Ladungsträger gelangen durch einen Kanal in der p+-Basis2 in die n–-Basis1 und von dort zu einem anodenseitigen p-Emitter5 auf der der p-Basis2 gegenüberliegenden Seite der n–-Basis1 . Der Strom der Ladungsträger durch den Kanal wird durch ein Gate4 auf der Oberfläche des Halbleiterbauelements gesteuert, das durch eine Isolatorschicht8 vom Halbleiter getrennt ist. - Die beiden Emitter
3 und5 werden über Metallisierungen7 elektrisch jeweils mit einem externen Emitteranschluß verbunden. - Bei den NPT-IGBT-Bauelementen bildet die n–-Basis
1 eine homogene Schicht. Die Raumladungszone, die im Sperrfall in der n–-Basis1 und der p+-Basis2 aufgespannt wird, erreicht den anodenseitigen (kollektorseitigen) Emitter nicht. Um den Sperrstrom klein zu halten, muß die Lebensdauer der Ladungsträger im Sperrfall zwischen dem Rand der Raumladungszone und dem anodenseitigen (kollektorseitigen) Emitter möglichst gering sein. - Für gute Durchlaßeigenschaften des Leistungshalbleiters soll- te die Lebensdauer der Ladungsträger dagegen möglichst groß sein.
- Dazu wird ein Rekombinationsbereich
6 unmittelbar vor dem anodenseitigen (kollektorseitigen) Emitter5 erzeugt. Dazu wird bei der Herstellung des Halbleiterbauelements ein. nichtdotierender Stoff zugesetzt, durch den in dem Rekombinatiosbereich6 Rekombinationszentren geschaffen werden und die Lebensdauer der Ladungsträger verkürzt wird. Der Rekombinationsbereich6 schließt sich unmittelbar an den anodensei- tigen (kollektorseitigen) p-Emitter5 an. Der Bereich6 liegt also bei einem NPT-IGBT von der Anode bzw. dem Kollektor unten in1 aus gesehen dicht unterhalb des durch den p-Emitter5 und die n–-Basis1 gebildeten pn-übergangs. Er befindet sich damit bei Anlegen der vollen Sperrspannung an den kathodenseitigen pn-übergang auf der Seite des Emitters3 zwischen der p-Basis2 und der n-Basis1 in der neutralen, d.h.raumladungsfreien Zone innerhalb der n–-Basis1 und unterdrückt zuverlässig den Sperrstrom. - Der Rekombinationsbereich
6 hat vorzugsweise eine Dicke in der Größenordnung von 20 bis 50 μm. Im Durchlaßbetrieb des Halbleiters wird der Rekombinationsbereich6 mit Ladungsträgern überschwemmt. Die in diesem Bereich6 eingebauten Rekombinationszentren sollen im Durchlaßzustand bei der hohen Ladungsträgerinjektion eine möglichst geringe Wirkung aufweisen. Im Sperrzustand, d.h. bei niedrigen Ladungsträgerdichten sollen sie jedoch eine sehr hohe Effizienz haben. - Als hierfür geeigneter, nichtdotierender Zusatzstoff in dem Bereich
6 kommen sauerstoffausscheidungen in Frage. Aus T. Falter, D. Hellmann, P. Eichinger; Tagungsband der SPIE-Konferenz, Austin (1994), S. 109 ist bekannt, daß die durch Sauerstoffausscheidungen eingestellte Ladungsträgerlebensdauer im Fall hoher Ladungsträgerinjektionen typischerweise um mehr als zwei Größenordnungen höher liegt als im Fall niedriger Ladungsträgerinjektion. Das bedeutet, daß im Sperrfall bei einer sehr niedrigen Ladungsträgerinjektion die Ladungsträgerkonzentration in dem Bereich6 durch Rekombinationen reduziert wird, insbesondere da sich durch die Rekombinationen die Stromverstärkung durch den anodenseitigen p-Emitter verringert. Nimmt die Ladungsträgerinjektion durch den Emitter5 zu, d.h. geht der Leistungshalbleiter von dem sperrenden Zustand in den leitenden Zustand über, so steigt die Ladungsträgerkonzentration in dem Bereich6 stark an, d.h. der Halbleiter wird mit Ladungsträgern überschwemmt und die Ladungsträger nehmen den Bereich6 kaum noch wahr; da bei hoher Injektion die durch die Sauerstoffausscheidungen bedingte Rekombinationsrate relativ gering ist. - Die gewünschte vertikale Verteilung der Sauerstoffausscheidungen in dem Bereich
6 läßt sich z.B. dadurch herstellen, daß in die Anodenseite (Kollektorseite) des Bauelements Sauerstoffatome implantiert werden, die durch einen nachfolgenden Hochtemperaturprozeß in die gewünschte Tiefe verteilt werden und sich dort während des Abkühlvorgangs am Ende des Hochtemperaturprozesses zu Sauerstoffausscheidungen zusammenlagern. - Ebenso können die Sauerstoffatome durch eine anodenseitige bzw. kollektorseitige Oxidation der Siliziumoberfläche in den Kristall eingebracht werden, wobei die Kathodenseite (Emitterseite) vorher mit einer Schutzschicht z.B. aus einem SiO2/Si3N4-Schichtpaket bedeckt werden kann, um eine kathodenseitige Eindiffusion von Sauerstoffatomen zu vermeiden.
- Die Erfindung wurde anhand eines NPT-IGBT als Leistungshalbleiter beschrieben. Es ist für den Fachmann jedoch selbstverständlich, daß die offenbarte technische Lehre auch auf ande re Leistungsbauelemente wie punch through- (PT-) IGBTs, Thyristoren und abschaltbare (GTO-) Thyristoren angewendet werden kann. So ist beispielsweise bei einem in
2 dargestellten PT-IGBT dem kollektorseitigen Emitter eine hoch dotierte Stoppzone9 vorgelagert, die von einem Leitungstyp ist, der dem Leitungstyp des Emitters5 entgegengesetzt ist. Erst an die Stoppzone9 schließt sich eine schwächer dotierte (n–-) Schicht1 an. Der Rekombinationsbereich6 befindet sich bei einem solchen PT-IGBT vorzugsweise in dem Übergangsbereich zwischen dem anodenseitigen (kollektorseitigen) Emitter5 und der stark dotierten Stoppzone6 bzw. ist ein Teil der Stoppzone9 oder des Emitters5 . Die übrigen, bereits oben erläuterten Bezugszeichen bezeichnen identische Bereiche wie in1 .
Claims (2)
- Leistungshalbleiter, der eine erste Schicht (
3 ) eines ersten Leitungstyps, eine erste Schicht (2 ) eines zweiten Leitungstyps, eine zweite Schicht (1 ) des ersten Leitungstyps und eine zweite Schicht (5 ) des zweiten Leitungstyps umfasst sowie einen Rekombinationsbereich (6 ) mit Rekombinationszentren unmittelbar auf der zweiten Schicht (5 ) des ersten Leitungstyps, dadurch gekennzeichnet, dass die Rekombinationszentren Sauerstoffausscheidungen umfassen. - Leistungshalbleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die vertikale Ausdehnung des Rekombinationsbereiches (
6 ) zwischen 20 und 50 μm liegt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19981445T DE19981445B4 (de) | 1998-07-29 | 1999-07-01 | Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19834214.4 | 1998-07-29 | ||
| DE19834214 | 1998-07-29 | ||
| DE19981445T DE19981445B4 (de) | 1998-07-29 | 1999-07-01 | Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom |
| PCT/DE1999/002000 WO2000007245A1 (de) | 1998-07-29 | 1999-07-01 | Leistungshalbleiter mit reduziertem sperrstrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19981445D2 DE19981445D2 (de) | 2001-02-22 |
| DE19981445B4 true DE19981445B4 (de) | 2005-09-22 |
Family
ID=7875751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19981445T Expired - Fee Related DE19981445B4 (de) | 1998-07-29 | 1999-07-01 | Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU5847599A (de) |
| DE (1) | DE19981445B4 (de) |
| WO (1) | WO2000007245A1 (de) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10030381B4 (de) * | 2000-06-21 | 2005-04-14 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Leistungshalbleiterbauelement aufweisend einen Körper aus Halbleitermaterial mit Übergang zwischen zueinander entgegengesetzten Leiterfähigkeitstypen |
| DE10048437A1 (de) | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Eupec Gmbh & Co Kg | Verfahren zum Herstellen eines Körpers aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge und mit dem Verfahren hergestellter Körper |
| DE102006006700B9 (de) * | 2006-02-13 | 2008-07-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement insbesondere Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungsträgerrekombinationszonen und Verfahren zur Herstellung desselben |
| CN100459151C (zh) * | 2007-01-26 | 2009-02-04 | 北京工业大学 | 具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管 |
| GB2584698B (en) * | 2019-06-12 | 2022-09-14 | Mqsemi Ag | Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3842468A1 (de) * | 1987-12-18 | 1989-06-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Halbleitervorrichtung |
| EP0327316A2 (de) * | 1988-02-04 | 1989-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Halbleitervorrichtung mit zusammengesetztem Substrat, hergestellt aus zwei Halbleitersubstraten in engem Kontakt |
| DE3124988C2 (de) * | 1980-06-27 | 1992-01-30 | Westinghouse Electric Corp., Pittsburgh, Pa., Us | |
| DE4036222A1 (de) * | 1990-11-14 | 1992-05-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden |
| DE4223914A1 (de) * | 1992-06-30 | 1994-01-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke |
| WO1998015010A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Thyristor mit durchbruchbereich |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62500340A (ja) * | 1984-09-28 | 1987-02-05 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 電荷蓄積空乏領域放電保護装置及び方法 |
| DE69319465T2 (de) * | 1992-02-20 | 1998-11-12 | Hitachi Ltd | Gate-Turn-Off-Thyristor und dessen Verwendung in Leistungwandlern |
-
1999
- 1999-07-01 WO PCT/DE1999/002000 patent/WO2000007245A1/de active Application Filing
- 1999-07-01 AU AU58475/99A patent/AU5847599A/en not_active Abandoned
- 1999-07-01 DE DE19981445T patent/DE19981445B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3124988C2 (de) * | 1980-06-27 | 1992-01-30 | Westinghouse Electric Corp., Pittsburgh, Pa., Us | |
| DE3842468A1 (de) * | 1987-12-18 | 1989-06-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Halbleitervorrichtung |
| EP0327316A2 (de) * | 1988-02-04 | 1989-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Halbleitervorrichtung mit zusammengesetztem Substrat, hergestellt aus zwei Halbleitersubstraten in engem Kontakt |
| DE4036222A1 (de) * | 1990-11-14 | 1992-05-21 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden |
| DE4223914A1 (de) * | 1992-06-30 | 1994-01-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke |
| WO1998015010A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-09 | Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg | Thyristor mit durchbruchbereich |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU5847599A (en) | 2000-02-21 |
| DE19981445D2 (de) | 2001-02-22 |
| WO2000007245A1 (de) | 2000-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102007036147B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone | |
| DE102005026408B3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Stoppzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement mit einer Stoppzone | |
| EP1097481B1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement für hohe sperrspannungen | |
| DE10330571B4 (de) | Vertikales Leistungshalbleiterbauelemente mit Injektionsdämpfungsmittel im Randbereich und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE102014101951B4 (de) | Superjunction-Halbleitervorrichtung mit Implantationszonen und Verfahren zu deren Herstellung | |
| WO2000042662A1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit mesa-randabschluss | |
| DE112006001791B4 (de) | Non-Punch-Through Hochspannungs-IGBT für Schaltnetzteile und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| EP1611613B2 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements | |
| DE102018217675A1 (de) | Halbleitervorrichtung, Leistungsumwandlungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE102017219159A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Fertigungsverfahren dafür | |
| DE4310444C2 (de) | Schnelle Leistungsdiode | |
| DE10240107B4 (de) | Randabschluss für Leistungshalbleiterbauelement und für Diode sowie Verfahren zur Herstellung einer n-leitenden Zone für einen solchen Randabschluss | |
| DE19804580A1 (de) | Leistungshalbleiterdiode | |
| EP1017093B1 (de) | Leistungshalbleiterelement und Verfahren zur Herstellung | |
| DE102006016049B4 (de) | Halbleiterbauelement, insbesondere Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungsträgerrekombinationszonen und Verfahren zur Herstellung desselben | |
| DE102016122787A1 (de) | Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements | |
| DE19981445B4 (de) | Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom | |
| EP0710988B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von durch Feldeffekt steuerbaren Halbleiterbauelementen | |
| DE112020002222T5 (de) | Siliziumkarbid-halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer siliziumkarbid-halbleitervorrichtung | |
| DE102018123439B4 (de) | Leistungshalbleitertransistor, Verfahren zum Verarbeiten eines Leistungshalbleitertransistors und Verfahren zum Produzieren eines Leistungshalbleitertransistors | |
| DE4223914C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke | |
| DE10245089B4 (de) | Dotierverfahren und Halbleiterbauelement | |
| DE10361134A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von tiefen p-Gebieten in Silizium und unter Verwendung des Verfahrens hergestellte Halbleiterbauelemente | |
| DE102020110072A1 (de) | Vertikale leistungs-halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren | |
| DE102018132236B4 (de) | Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |