DE4223914C2 - Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her­ stellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit einer niedrigdotierten, epitaktisch aufgewachsenen (EPI-) Halblei­ terschicht als Driftstrecke, nach dem Oberbegriff der Pa­ tentansprüche 1 und 2.
Vertikale Leistungsbauelemente weisen häufig eine pin-Struk­ tur auf. Zwischen einem hochdotierten p-Gebiet und einem hochdotierten n-Gebiet des vertikalen Leistungsbauelementes befindet sich eine niedrigdotierte, epitaktisch aufgewach­ sene Halbleiterschicht, die als Driftstrecke des vertikalen Leistungsbauelementes dient. Diese Driftstrecke hat die Aufgabe, einen Bereich zur Verfügung zu stellen, über dem die angelegte Spannung bei ausgeschaltetem oder in Sperr­ richtung gepoltem Leistungsbauelement abfallen kann. Die Dicke und Dotierung dieser Schicht muß der spezifischen Sperrspannung des vertikalen Leistungsbauelementes angepaßt werden und hängt unter anderem davon ab, ob ein bipolares oder unipolares Bauelement hergestellt wird. Hierzu wird verwiesen auf die Literaturstelle S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981.
Im eingeschalteten Zustand des vertikalen Leistungsbauele­ mentes werden von dem in Vorwärtsrichtung geschalteten pn-Übergang Ladungsträger in die Driftstrecke injiziert und heben dort die Ladungsträgerkonzentration stark an. Um das Bauelement auszuschalten oder in den Sperrzustand zu brin­ gen, müssen die Ladungsträger aus der Driftstrecke ausge­ räumt werden, damit sich eine Raumladungszone ausbreiten kann und die Sperrspannung über die Driftstrecke abfallen kann. Die Dauer des Ausschaltvorganges bestimmt die Schalt­ verluste des Bauelementes und dessen maximal mögliche Be­ triebsfrequenz.
Um diese Bauelementeparameter zu verbessern, können kon­ struktive Maßnahmen ergriffen werden oder es kann die Le­ bensdauer der Minoritätsträger durch prozeßtechnische Maß­ nahmen herabgesetzt werden.
Bekannte Maßnahmen zur Reduktion der Lebensdauer der Mino­ ritätsträger sind die Eindiffusion von Schwermetallen und die Bestrahlung der Bauelemente, wie in folgenden Literatur­ stellen beschrieben wird:
B. J. Baliga, Modern Power Devices, Seiten 100 bis 110, Wiley, 1987;
P. D. Taylor, Thyristor Design and Realization, Wiley, New York, 1987.
Bei der Bestrahlung der Bauelemente werden unterschiedliche Teilchensorten verwendet. Diesbezüglich wird verwiesen auf:
K. Platzröder and K. Loch, High-voltage thyristors and diodes made of neutron-irradiated silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, 23: 805-809, 1976;
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Eine praktische Bedeutung bei der Produktion von diskreten Halbleitern hat jedoch nur die Bestrahlung mittels Elektro­ nen und Protonen gewonnen. Diesbezüglich wird verwiesen auf:
B. J. Baliga and J. P. Walden, Improving the reverse reco­ very of power MOSFET integral diodes by electron irradia­ tion, Solid-State Electronics, 26: 1133-1141, 1983;
B. J. Baliga, Switching speed enhancement in insulated gate transistors by electron irradiation, IEEE Transactions on Electron Devices, 12: 1790-1795, 1984;
D. Silber, W. D. Novak, W. Wondrak, B. Thomas and H. Berg, Improved dynamic properties of GTO-thyristors and diodes by proton implantation, In Proceedings IEDM, Seiten 162 bis 165, 1985;
A. Mogro-Campero, R. P. Love, M. F. Chang and R. F. Dyer, Shorter turn-off times in insulated gate transistors by proton implantation, IEEE Electr. Dev. Lett., 6: 224-226, 1985.
Sowohl die Eindiffusion von Schwermetallen als auch die Be­ strahlung mit Elektronen haben Nachteile, da die Verminde­ rung der Lebensdauer der Minoritätsträger zu einer Erhöhung der Leckströme und zu höheren Durchlaßverlusten des Lei­ stungsbauelementes führt.
Besondere Probleme treten bei der Herstellung von sogenann­ ten intelligenten Leistungshalbleitern auf, bei denen sich der Leistungsschalter und die zugehörige Steuerschaltung auf einem Chip befinden. Hier muß die Beeinflussung der Minori­ tätsträgerlebensdauer auf das Leistungsbauelement beschränkt werden.
Im Bereich der Steuerschaltung muß eine Verringerung der Lebensdauer der Minoritätsträger vermieden werden, um eine Beeinträchtigung der Funktion der Transistoren in der Steuerschaltung, beispielsweise durch erhöhte Leckströme, zu verhindern.
Die hohen Diffusionsgeschwindigkeiten von Schwermetallen in Silizium führen zu einer gleichmäßigen Verteilung der Me­ tallatome im ganzen Wafer und damit zu einer homogenen Le­ bensdauerverminderung der Minoritätsträger. Dies führt zu einer Verschlechterung der statischen Bauelementeparameter. Hierdurch wird die Herstellung von intelligenten Leistungs­ halbleitern mit diesen Technologien erheblich erschwert.
Wenn die Bestrahlung mittels Elektronen oder Protonen zur Reduktion der Minoritätsträgerlebensdauer innerhalb des Leistungsbauelementes eingesetzt wird, treten Nachteile dahingehend auf, daß zum einen die erzielten Ergebnisse nicht temperaturstabil sind und zum anderen durch Strahlen­ schäden Ladungen erzeugt werden, die bei durch MOS-Gate gesteuerten Bauelementen zu Schwellenspannungsverschiebungen führen.
Die oben beschriebenen bekannten Verfahren zur Reduktion der Minoritätsträgerlebensdauer können daher bei den sogenannten intelligenten Leistungshalbleitern kaum eingesetzt werden. Verfahren, die sich zur Reduktion der Minoritätsträgerle­ bensdauer bei diesen intelligenten Leistungshalbleitern eignen, sind nicht bekannt.
Zu dem Gegenstand der vorliegenden Anmeldung wurde vom Deutschen Patentamt unter der Recherchennummer R 110 854.9 eine Standardrecherche durchgeführt. Soweit die genannten Schriften relevant erscheinen, werden sie nachfolgend ge­ würdigt.
Aus der DE 34 23 287 A1 ist ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelementes in Form eines Thyristors bekannt, bei dem zur Verkürzung der Abschaltzeit nach Abschluß des epitaktischen Prozesses eine Ionenimplantation in die niedrigdotierte Basis zum Erzeugen von die Minoritätsträger­ lebensdauer verkürzenden Störstellen vorgenommen wird. Ins­ besondere bei der Implantation von schweren Elementen sind sehr hohe Energien erforderlich. Als typisch werden dort Implantationsenergien in der Größenordnung von 56 MeV an­ gegeben. Anlagen, mit denen eine Implantation bei derart hohen Energien vorgenommen werden können, stehen üblicher­ weise in der Praxis nicht zur Verfügung. Ein weiterer Nach­ teil, der sich aus dem hohen Implantationsenergieniveau dieses bekannten Verfahrens ergibt, ist die schlechte Loka­ lisierung der durch die Implantation erzeugten Störstellen.
Aus der EP 0133954 B1 ist ein Verfahren zum Herstellen von DRAM-Speicherbausteinen sowie von CMOS-Schaltungen bekannt, bei dem die Erzeugung sogenannter Soft-Fehler aufgrund einer Alpha-Strahlung im Falle der DRAM-Speicherelemente oder das Auftreten des sogenannten Latch-up-Phänomens im Falle der CMOS-Bauelemente dadurch verhindert wird, daß in Schichten­ strukturen von dünnen Einkristallhalbleiterschichten eine Ionenimplantation von elektrisch nicht aktiven Störstoffen vorgenommen wird.
Aus der EP 0419128 A1 ist es bekannt, daß ein Nachlassen der Steilheit eines MOS-Transistors im Laufe seiner Betriebszeit dadurch verhindert werden kann, daß in dessen Gate-Source-Kanal Germanium implantiert wird. Statt der Implantation kann auch eine Epitaxie eingesetzt werden.
Aus der Veröffentlichung K. H. Yang et al: Minority carrier lifetime in annealed silicon crystals containing oxygen, Phys. stat. sol. (a) 50, 1978, Seiten 221 bis 235 ist es be­ kannt, daß in sauerstoffreichen Wafern Siliziumdioxidprä­ zipitate und Versetzungsschleifen während der Temperung ent­ stehen. Diese bilden elektrisch aktive Defekte und gettern Verunreinigungen. Hierdurch soll also nicht eine Reduktion der Lebensdauer der Minoritätsträger, sondern durch das Gettern der Verunreinigungen die Erhöhung der Minoritäts­ trägerlebensdauer erreicht werden.
Aus der US 5,023,696 A ist ein Leistungsbauelement bekannt, das durch Waferbonden zweier Wafer gebildet wird. Durch den Bondprozeß entstehen an der Grenzfläche der beiden Wafer Kristallfehler. Durch eine Argon-Implantation werden weitere Kristallfehler in der Stoppschicht oder nahe am pn-Übergang des Halbleiterleistungselementes erzeugt, die als Rekombi­ nationszentren von überschüssigen Minoritätsträgern dienen.
Ausgehend von dem oben genannten Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die Reduktion der Minoritätsträgerlebensdauer mit in der Praxis verfügbaren Anlagen erzielbar ist und das auch bei intelligenten Lei­ stungshalbleitern einsetzbar ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 sowie durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 2 gelöst.
Bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Verfahren sind in den Unteransprüchen angegeben.
Bei den erfindungsgemäßen Verfahren wird der Prozeß des epitaktischen Aufwachsens der niedrigdotierten Halbleiter­ schicht, die die Driftstrecke bildet, vor Vollendung dieser Schicht unterbrochen. Innerhalb dieses Verfahrenszustandes, der noch Teil der Substratherstellung ist und der vor der eigentlichen Bauelementherstellung liegt, werden erfin­ dungsgemäß alternativ oder kumulativ folgende Maßnahmen durchgeführt:
  • - Es wird eine Implantation von nicht-dotierenden Ionen in die teilweise epitaktisch aufgewachsene Halbleiterschicht vorgenommen. Hierbei wird vorzugsweise nur die Schicht in der unmittelbaren Nähe der Unterbrechungsoberfläche der niedrigdotierten Halbleiterschicht mit einer Implantation der nicht-dotierenden Ionen versehen, so daß niedrige Implantationsenergien in der Größenordnung von weniger als 200 KeV eingesetzt werden können. Als Implantationsstoffe sind erfindungsgemäß vorzugsweise Sauerstoff, jedoch auch Kohlenstoff, Argon oder ein anderes Edelgas vorgesehen.
  • - Es wird nach Unterbrechung des epitaktischen Aufwachsens der niedrigdotierten Halbleiterschicht eine Zwischen­ schicht mit einer Konzentration eines nicht-dotierenden Stoffes epitaktisch aufgewachsen. Die selbe Wirkung wird erzielt, wenn nach dem Aufwachsen eines Teiles der niedrigdotierten Halbleiterschicht ohne Unterbrechung des Aufwachsprozesses durch Einbringen eines nicht-dotierenden Stoffes in die Prozeßatmosphäre eine mit diesem Stoff versehene Zwischenschicht epitaktisch aufgewachsen wird.
Bevorzugt ist im Falle eines Siliziumhalbleiters eine hohe Germaniumkonzentration. Durch die abweichende Atomgröße von Germanium gegenüber Silizium kommt es hierbei zu Gitterversatzstörstellen (MISFIT Dislocations), welche als Rekombinationszentren für die Minoritätsträger wirken.
Nach Abschluß einer dieser beiden Schritte wird das epi­ taktische Aufwachsen der niedrigdotierten Halbleiter­ schicht, die die Driftstrecke bildet, zu Ende geführt.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren lassen sich während der epitaktischen Herstellung der Driftstrecke an beliebigen Stellen der Driftstrecke lokale Störungen einbauen. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es im Gegensatz zu den üb­ lichen Verfahren, wie beispielsweise der eingangs gewürdig­ ten nachträglichen Bestrahlung, möglich, Einfluß auf die Minoritätsträgerlebensdauer innerhalb einer Leistungs­ elementstruktur eines intelligenten Leistungshalbleiters zu nehmen, ohne die Eigenschaften der Steuerschaltung zu be­ einträchtigen. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren findet die Steuerung der Lebensdauer der Minoritätsträger innerhalb der Driftstrecke des Leistungsbauelementes nicht nach der Herstellung der Steuerschaltung, sondern vor deren Herstel­ lung statt, da das erfindungsgemäße Verfahren noch Teil der Substratherstellung ist.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren können gewünschte Pro­ file einer Störstellenkonzentration innerhalb der Drift­ strecke gebildet werden. Dadurch ist es möglich, eine optimale Ladungsträgerverteilung innerhalb der Driftstrecke des Leistungsbauelementes zu erzwingen, so daß sich das Schaltverhalten des Leistungsbauelementes in Abhängigkeit von dem verwendeten Typ, wie beispielsweise des HVDMOS-Transistors, des IGBTs, der Diode oder des Transistors und in Abhängigkeit von dem Anwendungsfall einer beispielsweise induktiven oder resistiven Last optimieren läßt.
Durch ein optimiertes Störstellenprofil mit beispielsweise mehreren Schichten in einer geeigneten Tiefe innerhalb der Driftstrecke werden die Nachteile bekannter Verfahren zur Lebensdauerbeeinflussung der Minoritätsträger auf die sta­ tischen Parameter eines Leistungsbauelementes vermieden.
Besonders offenkundig treten die Vorteile der Optimierung bei dem erforderlichen Kompromiß zwischen kurzen Schalt­ zeiten und geringen Durchlaßverlusten hervor.
Durch die lokale Begrenzung der Störstellen auf die Drift­ strecke und deren Erzeugung vor der Bauelementefertigung wird ein negativer Einfluß auf die Steuerschaltung im Falle von intelligenten Leistungshalbleitern vollständig vermie­ den.
Dadurch ist es möglich, ein Leistungsbauelement mit optima­ ler Lebensdauerbeeinflussung herzustellen und gegebenenfalls mit einer Steuerschaltung auf einem einzigen Chip zu kombinieren.

Claims (9)

1. Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbau­ elementes mit einer niedrigdotierten, epitaktisch aufge­ wachsenen Halbleiterschicht als Driftstrecke, wobei die Minoritätsträgerlebensdauer durch in der Driftstrecke vorgesehene Rekombinationszentren vermindert wird, dadurch gekennzeichnet, daß das epitaktische Aufwachsen der niedrigdotierten Halbleiterschicht unterbrochen wird, um nicht-dotierende Ionen in die epitaktisch aufgewachsene Halbleiterschicht zu implantieren, woraufhin das epitaktische Aufwachsen der niedrigdotier­ ten Halbleiterschicht vollendet wird.
2. Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbau­ elementes mit einer niedrigdotierten, epitaktisch aufge­ wachsenen Halbleiterschicht als Driftstrecke, wobei die Minoritätsträgerlebensdauer durch in der Driftstrecke vorgesehene Rekombinationszentren vermindert wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem epitaktischen Aufwachsen eines Teiles der niedrigdotierten Halbleiterschicht eine mit einer Kon­ zentration eines nicht-dotierenden Stoffes versehene Zwischenschicht epitaktisch aufgewachsen wird, woraufhin das epitaktische Aufwachsen der niedrigdotier­ ten Halbleiterschicht vollendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht-dotierende Stoff Germanium ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das implantierte Ion ein Sauerstoff-Ion ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das implantierte Element Kohlenstoff, Argon oder ein anderes Edelgas ist.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht-dotierende Stoff Kohlenstoff ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Reduktion der Minoritätsträgerlebensdauer inner­ halb der Driftstrecke lokal auf eine Schicht von be­ stimmter Dicke begrenzt ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Konzentration der Rekombinationszentren sich in­ nerhalb der Driftstrecke über eine Schicht vorbestimmter Dicke ändert.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß innerhalb der Driftstrecke mehrere begrenzte Schich­ ten mit Rekombinationszentren zur Reduktion der Mino­ ritätsträgerlebensdauer vorgesehen sind.
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