DE3124988C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Thyristors, bei dem durch Bestrahlung mit Ionen durch eine Hauptfläche die Sperrverzugsladung ohne wesentliche Vergrößerung des Durchlaßspannungsabfalls durch Störstellenerzeu­ gung in der Nähe eines pn-Übergangs verringert wird, wobei die Lage der Stör­ stellenzone durch die Bestrahlungsenergie bestimmt wird.

Gewisse Halbleiteranordnungen, wie z. B. Thyristoren, schalten von einem Durch­ laßbetrieb mit hohem Strom in einen Sperrbetrieb mit hoher Spannung, das trifft auch für komplexere Halbleiteranordnungen, wie DIACS, TRIACS, rückwärts­ schaltende Gleichrichter und rückwärtsleitende Thyristoren, zu.

Wenn sich ein Thyristor und insbesondere ein Leistungsthyristor, im Durchlaß­ zustand befindet, haben die Basisbereiche eine überschüssige Trägerkonzentration und dementsprechend eine Überschußladung. Das gilt insbesondere für den Ano­ den-Basisbereich, der in der Regel eine geringere Störstellenkonzentration als der Kathodenbasisbereich hat. Während der Schaltung in den Sperrbetrieb muß die überschüssige Ladung abgebaut werden. Dies geschieht durch Ladungsträgerrekom­ bination und Diffusion. Durch die entsprechenden, von Null verschiedenen Lebens­ dauern wird eine Überschußladung erzeugt, die sogenannte Sperrverzugsladung Q_rr, die die Sperrcharakteristik des Thyristors begrenzt. Der Anteil der Sperrverzugs­ ladung hängt von den Bauteilparametern und insbesondere von der Minoritäts­ trägerlebensdauer in den Basisbereichen sowie der Stromverstärkung im Anoden- Basisbereich ab. Für viele Thyristoranwendungen ist es wünschenswert, die Sperr­ verzugsladung so gering wie möglich zu halten oder auf einen bestimmten Wert einzustellen. In der US-PS 40 75 037 wird beispielsweise vorgeschlagen, die Über­ schußladung durch Verringerung der Minoritätslebensdauer in den Basisbereichen und insbesondere im Kathodenbasisbereich durch Bestrahlung zu reduzieren, wobei vorzugsweise Elektrodenbestrahlung Verwendung findet. Dieses Verfahren erfor­ dert eine sehr sorgfältige Steuerung der Dosis, da die Verringerung der Minori­ tätsträgerlebensdauer und die Verringerung der überschüssigen Ladung mit einer Vergrößerung des Durchlaßspannungsabfalls V_TM und des Leckstromes verbunden ist. Eine kompensierende Abstimmung ist insbesondere zwischen der Überschuß­ ladung und dem Anstieg des Durchlaßspannungsabfalls erforderlich.

Durch die US-PS 40 56 408 ist schon ein Verfahren bekannt, um die Umschalt­ zeit von Halbleiteranordnungen einschließlich Thyristoren durch Bestrahlung von Atomen und Ionen zu verringern, wobei insbesondere Wasserstoff-(Protonen) und Heliumionen (Alphateilchen) Verwendung finden. Die Energie der Ionen wird so gewählt, daß das Störstellenmaximum in unmittelbarer Nähe des sperren­ den pn-Übergangs zwischen dem Kathoden-Basisbereich und dem Anoden-Basis­ bereich stattfindet. Dieses bekannte Verfahren führte nicht zu den gewünschten Ergebnissen, da Kurzschlüsse während der schnellen Umschaltung, die zur Zer­ störung des Thyristors führten, nicht vermeidbar waren.

Davon ausgehend liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, diese Schwierigkeiten zu überwinden und ein Verfahren zu schaffen, mit welchem die Sperrverzugs­ ladung Q_rr eines Thyristors mit minimalen Änderungen des Durchlaßspannungs­ abfalls V_TM und des Leckstromes verringert werden kann.

Diese Aufgabe wird durch die Maßnahmen im Kennzeichen des Patentanspruches gelöst.

Durch die Maßnahmen der Erfindung kann in gewünschter Weise die Sperrverzugs­ ladung eines Thyristors verringert werden, wobei keine wesentlich nachteiligen Veränderungen anderer elektrischer Eigenschaften stattfinden, wie Durchlaß­ spannungsabfall oder Leckstrom. Die Umschaltzeit t_q wird sogar erniedrigt.

Das Verfahren wird beispielsweise mit monoenergetischen Wasserstoff- oder Heliumionen durchgeführt. Diese Strahlung hat den Vorteil, daß die in den Fest­ körper eingebauten Wasserstoff- oder Heliumteilchen weitgehend elektrisch und chemisch inaktiv sind. Es gibt Anwendungsmöglichkeiten, bei welchen eine Im­ plantation mit Teilchen höherer Massezahl, z. B. Stickstoffionen, wünschenswert ist, da für die Störstellenerzeugung eine geringere Halbwertsbreite benötigt wird. Unter dem Begriff Halbwertsbreite ist dabei die Breite des Implantationsprofils beim halben Intensitätsmaximum gemeint (vgl. Fig. 1 in US-PS 40 56 408). Zur Durchführung des Verfahrens werden ein oder mehrere Thyristoren mit einer Hauptfläche relativ zur Ionenstrahlrichtung ausgerichtet und bei der Energie implantiert, bei der die projizierte Reichweite der gewünschten Tiefe ent­ spricht, bei der das Maximum an Störstellen erzeugt werden soll. Die Dosis wird so gewählt, daß die Sperrverzugsladung verringert wird, aber Durchbruchs­ spannung und Leckstrom nicht wesentlich nachteilig beeinflußt werden.

Die Erfindung mit ihren Vorteilen und Merkmalen wird beispielsweise anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 einen Schnitt durch einen zentral zündbaren Thyristor, welcher als erstes Beispiel einer Bestrahlung gemäß der Erfindung ausgesetzt ist,

Fig. 2 einen Schnitt durch einen zentral zündbaren Thyristor, welcher als zweites Beispiel einer Bestrahlung gemäß der Erfindung ausgesetzt ist,

Fig. 3 eine graphische Darstellung der Tiefenverteilung von Störstellen, die durch die Bestrahlung im Thyristor erzeugt wurden.

Fig. 4 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit zwischen dem Durchbruchspannungsabfall und der Sperrverzugsladung bei einer Bestrahlung von Thyristoren mit Wasserstoffionen (Protonen) unterschiedlicher Energien.

Fig. 5 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit zwischen der Umschaltzeit und dem Durchlaßspannungsabfall bei einer Bestrahlung derselben Thyristoren, wie sie auch der Darstellung von Fig. 4 zugrunde liegen.

Fig. 6 eine graphische Darstellung zwischen der Umschaltzeit und der Sperrverzugsladung, bei einer Bestrahlung derselben Thyristoren, wie sie auch der Darstellung gemäß Fig. 4 zugrunde liegen.

In Fig. 1 ist ein zentral zündbarer Thyristor in einem Halbleiterkörper 10 dargestellt, der gemäß der Erfindung einer Bestrahlung ausgesetzt ist. DerHalbleiterkörper 10 hat zwei Hauptflächen 11 und 12, sowie eine gekrümmte Seitenfläche 13. In der Halbleiterstruktur ist ein Kathoden- Emitterbereich 14 und ein Anoden-Emitterbereich 17 durch Dotierung entgegengesetzter Leitfähigkeit ausgebildet. Der eine Bereich grenzt an die Hauptfläche 11 und der andere an die Hauptfläche 12 an. Ferner ist ein Kathoden-Basisbereich 15 und ein Anoden-Basisbereich 16 im Inne­ ren des Halbleiterkörpers 10 zwischen den beiden Bereichen 14 und 17 ausgebildet. Auch der Kathoden-Basisbereich hat eine zum Anoden-Ba­ sisbereich entgegengesetzte Leitfähigkeit. Somit ergibt sich, daß die Kathoden-Emitterbereiche 14, welche an dem Kathoden-Basisbereich 15 angrenzt von entgegengesetzter Leitfähigkeit sind, was auch für den Ano­ den-Basisbereich 16 und den Anoden-Emitterbereich 17 gilt. Der Katho­ den-Basisbereich 15 und der Anoden-Emitterbereich 17 werden vorzugs­ weise gleichzeitig durch eine Duffision z. B. von Gallium und/oder Alumi­ nium durch die Hauptfläche 11 und die Hauptfläche 12 hergestellt. Dabei können übliche Verfahren Verwendung finden, mit welchen eine Oberflächenkonzentration von etwa zwischen 1×10¹⁷ und 1×10¹⁹ Atome/cm³ erreichbar ist. Anschließend wird der Kathoden- Emitterbereich 14 durch eine selektive Diffusion z. B. mit Phosphor durch die Hauptfläche 11 hergestellt. Durch diese Ausgestaltung erhält man einen Thyristoraufbau im Halbleiterkörper 10, der aus vier Schichten besteht, zwischen welchen drei pn-Übergänge 18 und 19 und 20 ausgebildet sind. Es handelt sich dabei um den Kathoden-pn-Übergang 18, den Blockier-pn-Übergang 19 und den Anoden-pn-Übergang 20.

Der Thyristor ist mit einer zentral zündbaren Basis versehen, indem der Kathoden-Basisbereich 15 im Zentrumbereich des Halbleiterkörpers 10 bis zur Hauptfläche 11 ausgebildet ist. Der Kathoden-Basisbereich 15 greift auch zwischen den Kathoden-Emitterbereichen 14 bis zur Haupt­ fläche 11 durch, um bei Hochleistungstransistoren übliche Shunts auszu­ bilden. Zur Kontaktierung des Thyristors sind eine Gate-Elektrode 21 und eine Kathodenelektrode 22 vorgesehen, welche mit dem Kathoden-Basis­ bereich 15 einerseits und dem Kathoden-Emitterbereich 14 andererseits an der Hauptfläche 11 verbunden sind. Diese beiden Elektroden können herkömmlich mit einer Dicke von etwa 4000 nm ausgebildet sein, indem eine entsprechende Metallisierung mit einem geeigneten Material, z. B. Metall zunächst flächendeckend mit Hilfe eines photolithographischen Verfahrens aufgebracht und anschließend durch Ätzen strukturiert wird. Eine weitere Elektrode 23 ist mit dem Anoden- Emitterbereich 17 an der Hauptfläche 12 verbunden und wird vorzugsweise als Legierungselektrode aus einem geeigneten Material, wie z. B. Molybdän hergestellt, welches mit einer Dicke von etwa 2 mm auf dem Halbleiterkörper angebracht wird. Atmosphärische Einflüsse auf die Wirkungsweise des Thyristors werden im wesentlichen durch eine über der gekrümmten Seitenfläche 13 abgebrachten Passivierungsschicht 24 reduziert, welche aus Siliconen, Epoxidharz oder Lackverbindungen bestehen kann.

Zur Verwirklichung der vorliegenden Erfindung wird die Tiefe des Anoden-pn-Übergangs 20 im Halbleiterkörper 10 als Abstand von der Hauptfläche 11 in bekannter Weise ermittelt.

Für die Bestrahlung wird eine geeignete Strahlungsquelle vorgesehen, welche Ionen abgibt. Bevorzugt wird eine Strahlung aus Protonen, Alphateilchen oder Stickstoffionen, da diese Teilchen sowohl elektrisch als auch chemisch im wesentlichen bezüglich des bestrahlten Halbleiterkörpers inaktiv sind. Es können jedoch auch Berylliumionen oder andere Partikel Verwendung finden.

Im übrigen sollen Partikel wie z. B. Borionen, Kohlenstoffionen und Sauerstoffionen nicht verwendet werden, da diese sowohl elektrisch als auch chemisch im Halbleiterkörper aktiv sind. Deshalb werden eine Protonen- oder Alphastrahlung als besonders zweckmäßig angesehen, obwohl Partikel mit höherer Masse wie z. B. Stickstoffionen für bestimmte Anwendungsfälle sehr nützlich sind, insbesondere wenn eine geringe Halbwertsbreite für die Verteilung der Störstellenerzeugung wünschenswert ist.

Die Bestrahlungsquelle besteht aus einer im wesentlichen monoenergetischen Quelle, wie sie ein Van der Graaff-Beschleuniger darstellt, damit man eine möglichst geringe Halbwertsbreite für die Verteilung der Störstellenerzeugung erhält. Mit bestimmten Strahlungsquellen kann es zweckmäßig sein, die Forderung nach einer monoenergetischen Quelle etwas abzuschwächen, indem eine Streufolie in den Strahlengang eingefügt wird, um eine gleichmäßigere Partikelverteilung zu erhalten, wenn die Strahlung nicht in horizontaler und vertikaler Richtung zur gleichmäßigeren Verteilung der Partikel moduliert werden kann. Allgemein gilt, daß eine monoenergetische Strahlungsquelle soweit als möglich angenähert werden soll, um eine möglichst geringe Halbwertsbreite für die Verteilung der Störstellenerzeugung und weiter eine möglichst geringe Sperrverzugs­ ladung bei Beibehaltung eines möglichst geringen Durchlaßspannungsabfalls zu erzielen.

Bei der Bestrahlung wird die Energie so gewählt, daß die Tiefe der maximalen Störstellenerzeugung benachbart zu dem Anoden-pn-Übergang 60 des Thyristors liegt. Die Energie wird experimentell ermittelt und kann gemäß der US-PS 40 56 408 in Verbindung mit Fig. 10 dargestellten Weise erfolgen. Anschließend werden verschiedene Halbleiter eines bestimmten Thyristortyps mit verschiedener Energie innerhalb eines ausgewählten Energiebereichs bestrahlt und die elektrischen Charakteristiken bzw. die Abschaltzeit, der Durchbruchs­ spannungsabfall und der Leckstrom gemessen. Die optimale Energie kann für die graphisch voneinander abhängigen ausgemessenen Werte ermittelt werden, wie dies anhand der Fig. 4, 5 und 6 gezeigt ist. Selbstverständlich kann die Ermittlung der optimalen Energie auch durch eine Datenverarbeitung in einem Rechner erfolgen. Die Energie der Bestrahlung wird durch die Einstellung der Energie der Bestrahlungsquelle abgestimmt.

Der Thyristor wird bestrahlt, indem er mit seiner Hauptfläche 11 einer Strahlungsquelle ausgesetzt wird. Dabei tritt die Strahlung 26 durch die Hauptfläche 11 und den angrenzenden Kathoden-Emitterbereich 14 in den Halbleiterkörper ein. Die Strahlungsdosis wird derart eingestellt, daß sie ausreicht, um die Sperrverzugsladung der Thyristoren auf das gewünschte Niveau zu verringern. Diese optimale Strahlendosis wird ebenfalls experimentell ermittelt, indem eine Anzahl von Thyristoren verschiedenen Strahlungsdosen ausgesetzt wird, und durch graphische Erfassung bzw. durch Errechnung der Abhängigkeit zwischen dem Durchlaßspannungsabfalls der Sperrverzugsladung und der Umschaltzeit das Optimum ermittelt wird. Das Beispiel der Messungen ist graphisch in den Fig. 4, 5 und 6 dargestellt. Zusätzlich kann auch der Leckstrom in dieser Betrachtung für die Optimierung der elektrischen Werte berücksichtigt werden.

Grundsätzlich wird die maximale Störstellenerzeugung im Bereich der gestrichelten Linie 25 gemäß Fig. 1 ausgebildet, welche im Anoden- Emitterbereich 17 benachbart zum Anoden-pn-Übergang 20 auf der Seite der Hauptfläche 12, d. h. in einem Abstand von vorzugsweise innerhalb 10 bis 15 µm von dem Anoden-pn-Übergang des Leistungstransistors. Die maximale Störstellenerzeugung ist von diesem Anoden-pn-Übergang in einem Abstand angeordnet, um den Leckstrom zu verringern. Durch diese Positionierung wird die Sperrverzugsladung des Thyristors verringert, wobei gleichzeitig der Durchlaßspannungsabfall und der Leckstrom nur minimal vergrößert wird.

In Fig. 2 ist ein im Zentrum zündbarer Thyristor mit einem der Fig. 1 entsprechenden Aufbau dargestellt, welcher bestrahlt wird, um die Sperrverzugsladung zu verringern. Der Transistor ist bezüglich der Ausführungsform gemäß Fig. 1 gleichartig ausgebaut, was durch das Vorstellen einer "1" vor das entsprechende Bezugszeichen angedeutet ist. Der einzige Unterschied zwischen den beiden Ausführungsformen besteht in der Positionierung der Zone 125 der maximalen Störstellenerzeugung. Diese Zone 125 ist im Anoden-Basis­ bereich 116 neben dem Anoden-pn-Übergang 120 ausgebildet. Dabei befindet sich diese Zone in einem Abstand von weniger als einem Viertel der Dicke des Anoden-Basisbereichs neben dem Anoden-pn-Übergang 120 zwischen diesem Übergang und dem Blockier-pn-Übergang 119. Bei einem Leistungsthyristor beträgt dieser Abstand weniger als etwa 20 µm vom Anoden-pn-Bereich 120. Auch in diesem Fall ist die Zone der maximalen Störstellenerzeugung in einem gewissen Abstand zum Anoden-pn- Übergang 120 angeordnet, um ein Ansteigen des Leckstroms zu vermeiden.

Obwohl somit die Positionierung der Zone der maximalen Störstellen­ erzeugung in der Nähe des Anoden-pn-Übergangs 20 bzw. 120 auf beiden Seiten alternativ vorgesehen ist, wird die Positionierung im Anoden- Basisbereich bevorzugt , da hierfür eine höhere Dosis und eine höhere Energie benötigt wird, um die Störstellenerzeugung im Anoden- Emitterbereich mit der höheren Störstellenkonzentration bewirken zu können.

Eine bevorzugte Positionierung der Zone maximaler Störstellenerzeugung in einem typischen Leistungstransistor ist in Fig. 3 dargestellt, wobei eine Bestrahlung mit monoenergetischen Alphateilchen mit einer Intensität von 10,2 MeV erfolgt. Wie man aus der Darstellung entnehmen kann, befindet sich die Zone der maximalen Störstellenerzeugung in einer Tiefe von etwa 61 µm von der Hauptfläche aus gerechnet, durch welche die Strahlung eintritt. Die Zone verläuft in dem Anoden- Basisbereich in einem Abstand von etwa 9 µm von dem Anoden-pn- Übergang. Die Halbwärtsbreite der Störstellenstrahlung beträgt etwa 1,3 µm.

Zur Erläuterung des Erfolges durch das Verfahren nach der Erfindung gemäß den Fig. 2 und 3 wurden zwei Gruppen von je 20 Leistungsthyristoren vom Typ T62 NBH mit monoenergetischen Alphateilchen von einem Van der Graaff- Beschleuniger aus mit einer Intensität von 10,2 MeV bestrahlt. Jede Gruppe wurde einer Dosis von 3,72 × 10¹⁰ Alphateilchen/cm³ ausgesetzt. Die zweite Gruppe wurde anschließend mit Alphateilchen mit einer Energiedichte von 15 MeV zusätzlich bestrahlt, was einer Dosis von 1,24 × 10¹⁰ Alphateilchen/cm³ entspricht. Mit der zweiten Bestrahlung sollte festgestellt werden, welchen Einfluß die Alphateilchen mit der Energiedichte von 17 MeV zur Störstellenerzeugung auf die Sperrverzugsladung hat.

Die Sperrverzugsladung jedes einzelnen Thyristors wurde vor und nach der Bestrahlung in (Mikrocoulombs) ausgemessen. Der Mittelwert der Sperrverzugsladung für jede Gruppe nach der Bestrahlung ist mit der prozentualen Verringerung der Sperrverzugszeit in der nachfolgenden Tabelle angegeben.

Tabelle 1

Aus dieser Tabelle ergibt sich, daß die Sperrverzugsladung in beiden Fällen durch die Bestrahlung erheblich verringert werden konnte. Der Durchbruchspannungsabfall V_TM und die Leckstromänderungen waren bei diesen Energien und Strahlungsmengen jedoch trotzdem verhältnismäßig minimal. Zur weiteren Erläuterung wurden Leistungs­ thyristoren mit Protonen bestrahlt, wobei die Bestrahlung mit verschiedenen Energien durch eine 11 µm dicke Aluminium-Streufolie erfolgt. Der Unterschied in den Energien wurde derart ausgewählt, daß sich die Position der maximalen Störstellenerzeugung in der Nähe des Anoden-pn-Übergangs im Anoden-Basisbereich einerseits und Anoden-Emitterbereich andererseits einstellte.

Es wurden sieben Gruppen von Leistungsthyristoren mit jeweils 5 bis 10 Einheiten pro Gruppe verwendet. Der Anoden-pn-Übergang eines jeden Thyristors wurde innerhalb vorgegebener Grenze bei einem Abstand von 236 µm festgelegt. Die Bestrahlung erfolgt durch eine Streufolie mit Protonen bei Energien von 5,2; 5,4; 5,6; 5,8; 6,0; 6,2; und 6,6 MeV. Bei einer Energie von 5,8 MeV ergab sich die errechnete Position der maximalen Störstellenerzeugung am Anoden-pn-Basisbereich, wogegen die anderen Energien dazu geeignet waren, die maximale Störstellenerzeugung beiderseits dieses Übergangs in Schritten von 15 µm auszubilden.

Die Sperrverzugsladung Q_rr sowie die Umschaltzeit tq und der Durchlaßspannungsabfall V_TM wurden sowohl vor als nach der Bestrahlung mit den unterschiedlichen Dosen ausgemessen. Die Meßergebnisse sind in den Fig. 4, 5 und 6 dargestellt, welche die Abhängigkeit des Durchlaßspannungsabfalls einerseits und Sperrverzugsladung und andererseits von der Umschaltzeit sowie von der Abhängigkeit der Sperrverzugsladung von der Umschaltzeit darstellen.

Aus Fig. 4 läßt sich entnehmen, daß sich die Sperrverzugsladung drastisch mit nur einer geringen Vergrößerung des Durchlaßspannungs­ abfalls verringern läßt. Außerdem erkennt man, daß die Positionierung der maximalen Störstellenerzeugung in der Nähe des Anoden-pn- Übergangs sowohl in dem Anoden-Basisbereich als auch im Anoden- Emitterbereich nur eine geringe Änderung der elektrischen Eigenschaften mit sich bringt. Geringfügig bessere charakteristische Werte ließen sich bei einer Energie von 6,0 MeV erzielen, bei welchem sich die Summe der maximalen Störstellenerzeugung im Anoden-Emitterbereich etwa 15 µm von dem Anoden-pn-Übergang einstellt. Fig. 4 zeigt jedoch auch, daß eine große Änderung der Sperrverzugsladung mit einer geringeren Dosis erzielbar ist, indem die Zone maximaler Störstellenerzeugung im Anoden-Basisbereich positioniert wird, wodurch sich eine sehr vorteilhafte Ausführungsform ergibt.

Aus den Darstellungen gemäß den Fig. 5 und 6 läßt sich überdies zeigen, daß sich die Energie der Bestrahlung auch zur Optimierung der Beziehungen zwischen der Umschaltzeit und dem Durchlaßspannungsabfalls einerseits oder zwischen der Umschaltzeit und der Sperrverzugszeit andererseits auswählen läßt. Auch hier ergeben sich nur geringe Unterschiede, wobei das Energieniveau von 6,0 MeV nur geringfügig bessere Werte zeigt,

Aus Fig. 6 läßt sich entnehmen, daß die Umschaltzeit durch die Bestrahlung nur in einem sehr unwesentlichen Umfang verringert wurde. Die Verringerung beträgt etwa den Faktor 1/2 für die gesamte Strahlungsdosis. Es wird angenommen, daß dies deshalb der Fall ist, weil die Bestrahlung die Stromverstärkung im Anoden-Basisbereich wesentlich verändert, ohne gleichzeitig die Trägerlebensdauer im Kathoden-Basisbereich wesentlich zu beeinflussen.

Claims (1)

1. Verfahren zum Herstellen eines Thyristors, bei dem durch Bestrahlung mit Ionen durch eine Hauptfläche die Sperrverzugsladung ohne wesentliche Ver­ größerung des Durchlaßspannungsabfalls durch Störstellenerzeugung in der Nähe eines pn-Übergangs verringert wird, wobei die Lage der Störstellenzone durch die Bestrahlungsenergie der Ionen bestimmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungsenergie so gewählt wird, daß die Lage der maximalen Störstellenkonzentration entweder im Anoden-Basisbereich innerhalb eines Abstandes von 20 Üm vom Anoden-pn-Übergang oder im Anoden-Emitter­ bereich innerhalb eines Abstandes von 15 µm vom Anoden-pn-Übergang liegt.