JPS608632B2 - 逆回復電荷を減少させたサイリスタの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置、特にサィリスタの製造方法に関
するものである。

この発明は、本出願入の米国特許第４０７５０３７号（
１９７母王２月２１日付）に開示された発明の改良に関
するものである。

近年、半導体装置（デバイス）の電気的特性を変えるた
め、種々の方法で、半導体装置を隙射することが試みら
れている。

このような例として「米国特許第３８０９５８２号；第
３８４０８８７号：第３８５２６１２号；第３８７２４
９３号；第３８７７９７７号；第３８８１９６３号：第
３８８１９６４号：第３９９００９１号；第４０４０１
７０号：第４０５６４０８号：第４０７５０３７号；第
４０７６５５５号；及び、特磯昭５４−１６５８１４号
（特開昭５５−８８３３８号公報）が挙げられる。これ
らは、いずれも本出願人に係るものである。特定の半導
体装置は、その動作中に、大電流順方向導通モードから
高電圧逆方向阻止モードヘスＺィッチングされなければ
ならない。その最も一般的なものがサイリスタである。
サイリスタをその要素として含む更に複雑な装置に、ダ
イアック（ｄｊａｃ）、トライアック（ｔｒｊａｃ）、
逆スイッチング整流器、及び逆導通サィリスタがある。
Ｚサィリスタ、殊に電力用サィリスタが順方向
導通状態に在るとき、過剰キャリア濃度及びこれに対応
する過剰電荷がベース領域、殊に、普通カソード・ベー
ス領域より低い不純物濃度を有するアノード。ベース領
域、に存在する。サィリスタが２逆回復する間に、逆回
復電荷Ｑｒｒと呼ばれる過剰電荷は、サィリスタの逆阻
止特性を制限するキャリア再結合及び拡散により除去さ
れなければならない。この逆回復電荷の量は、その装置
の諸パラメータのうち、ベース領域での少数キャリアの
ラ２ィフタィムとアノード・ベース領域両端の電流利得
との関数である。サイリスタを用いた多くの場合におい
て、逆回復電荷Ｑｒｒはできる限り少し、か、或いは特
定の値にすることが望ましい。

前に挙げた米国特許第３４０７５０３７号では、その装
置を照射（特に電子照射）することによって、そのベー
ス領域、特にカソード・ベース領域での少数キャリアの
ライフタイムを減らすことによって、過剰電荷を減らす
ことが提案されている。この方法で一応の目的は蓬３せ
られるが、この方法によって少数キャリアのライフタイ
ムと過剰電荷を減少させる場合、これに伴なつて順方向
電圧降下ＶＴＭ及び漏れ電流が増加するので、照射量を
慎重に制御しなければならない。過剰電荷の減少と日頃
方向電圧降下の増加との４間で、適当な妥協が必要であ
った。この発明は、かかる問題を克服し、順方向電圧降
下ＶＴＭと漏れ電流の変化を最少に抑えながら、サィリ
ス夕の逆回復電荷ねｒｒを減少させる方法を提供するも
のである。

米国特許第４０５６４０８号には、原子核照射（好まし
くは陽子或いはアルファ粒子照射〉で、サィリスタを含
む半導体装置のスイッチング時間を短縮する方法が開示
されている。

ここでは、逆阻止ＰＮ接合の隣りに欠陥を発生させるた
めに、照射源からのエネルギーレベルが調整される。そ
して、この発明と対照的に、カソード・ベース領域とア
ノード・ベース領域との間の逆阻止ＰＮ接合に隣接して
、最大の結晶欠陥を発生させることが示されている。し
かしながら、このような従来技術は遠動作スイッチング
時にブレークダウンを起こし素子を破壊してしまうとい
う欠点があった。従ってこの発明の目的は、順方向電圧
降下をほとんど増加させることなくサィリスタの逆回復
電荷を減少させる方法を提供することである。この発明
は、広義には、順方向電圧降下を実質的に増加させるこ
となく逆回復電荷を減少させたサィリスタの製造方法で
あって、前記サィリスタのカソード−ェミツタ領域に隣
接した主表面からのアノードＰＮ接合の深さを求める工
程、少なくとも１の分子量を有する粒子を放出する所定
の放射線源を用いて前記主表面から照射する場合の、前
記サィリスタに発生する最大欠陥発生場所の位置を求め
る工程、前記最大欠陥発生場所が前記サィリスタのアノ
ードＰＮ接合に隣接するように、前記放射線源からの前
記主表面でのエネルギーレベルを調整する工程、及び前
記放射線源からの前記エネルギーレベルで、前記主表面
を介して、前記サィリスタの逆回復電荷を減少させるた
めの所定の照射量だけ前記サィリス夕を照射する工程、
を備えた方法に在る。この発明によれば、サィリスタの
逆回復電荷が、他の電気的特性、特に順方向電圧降下及
び漏れ電流に著しい悪影響を与えないで、減少させる方
法が提供される。

普通の半導体装置においては、スイッチング時間Ｔｑも
幾分短縮される。この発明の方法は、サィリスタのカソ
ード・ェミッタ領域に隣接する主表面からの、アノード
ＰＮ接合面の深さを求める工程を含んでいる。そして、
サィリスタの最大欠陥発生場所のその主表面からの深さ
が、所定の、好ましくは少くとも１の分子量を持つ粒子
を放出する単一エネルギーの放射線源を利用して、決定
される。このような原子核放射線源として、陽子或いは
アルファ粒子放射線源が比較的安価に入手でき、かつ、
これらは、後述する様に、シリコン半導体本体へ照射す
る場合、化学的及び電気的にほとんど不活性である点で
、好ましいものである。より狭い半幅（ｈａｌｆ−ｗｉ
ｄｔｈ）すなわち最大結晶欠陥発生の半分の分布曲線の
幅を持つ欠陥発生分布が必要であることから、例えば窒
素イオンの様なより大きい分子量の放射線が望ましい場
合もあり得る。この「半幅」については、米国特許第４
０５６４０８号の第Ｉ Ｚ図に示されている。次に、ア
ノードＰＮ接合好ましくはこのアノード接合に隣接する
アノード・ベース領域での最大欠陥発生場所の深さを得
るために、放射線源からの、サィリスタ主表面でのエネ
ルギーレベルが調整される。

最大欠陥発生場所は、アノードＰＮ接合から、それぞれ
アノード・ベース領域で２０マイクロメートル以内、或
いは、アノード・ェミツ夕領域で１０〜１５マイクロメ
ートル以内にあることが好ましい。このような原子核粒
子の範囲は、半導体物質及びエネルギーレベルがわかれ
ば容易に決定できるので、最大欠陥発生場所の位置は容
易に求められる。更に、一つの、好ましくは複数個のサ
ィリスタの主表面が、調整されたエネルギーレベルを持
つ放射線源に晒される様に、位置決めされる。次にそれ
らのサィリスタは、順方向電圧降下及び漏れ電流に実質
的な影響を及ぼさないで、そのサィリス夕の逆回復電荷
を減少する照射量レベルまで、調整された放射線源を用
いて、照射される。以下、この発明の好ましい実施例に
沿って、この発明を詳細に説明する。この発明に従って
照射される、中心点弧型のサィＩＪスタが第１図に示さ
れている。

半導体本体１川こは、上部と底部の二つの主表面１ １
，１２及び曲面状の側面１３がある。また、このサィリ
スタ本体１０には、主表面１１と１２に隣接して、互い
に反対の導電形の不純物を有するカソード・ェミッタ領
域１４とァノード・ェミッタ領域１７とが含まれており
、半導体本体１０の内部に、二つのェミッタ領域１４と
１７とに挟まれた、互いに反対の導電形の不純物を有す
るカソード・ベース領域１５とアノード・ベース領域１
６とが含まれている。カソード・ェミッタ領域１４とカ
ソ−ド・ベース領域１５とは互いに反対の導電形の不純
物領域であり、アノード・ベース領域１６とアノード・
ェミツ夕領域１７も互いに反対の導電形の不純物領域で
ある。カソード・ベース領域１５及びアノード・ェミッ
タ領域１７は、標準的な技術により、例えば１×１び７
〜１×１び９原子／塊の表面濃度まで、例えばカリウム
及びアルミニウム又はこれらのいずれかを主表面１１及
び１２から拡散させることによって、同時に形成するこ
とが好ましい。その後、主表面１１から、例えばリンを
、標準的な技術により、選択的に拡散させて、カソード
・ェミッタ領域１４が形成される。このよにして、サィ
リスタ本体１０１こ、３つのＰＮ接合１８，１９、及び
２０（すなわちカソードＰＮ接合１８、逆阻止ＰＮ接合
１９、及びアノードＰＮ接合２０）から成る４層不純物
構造が形成される。このサイリスタ本体１０の中心部分
における主表面１ １にカソード・ベース領域１５を隣
接させることにより、中心点弧型ゲートが形成される。

カソード・ベース領域１５は、各カソード・ェミッタ領
域１４の間の部分において間欠的に主表面１１と隣接し
、大電力用サィリスタでは既知の短絡領域（ｓｈ側ｔ）
を形成している。サィリスタ本体１０への電気的接続を
行なうため、主表面１１で、カソード・ベース領域１５
とカソード・ェミッタ領域１４とに、金属電極２１及び
２２がオーム接触している。例えばアルミニウムの様な
適当な金属を選択的にメタラィズすることによって、或
いは、既にメタラィズされた金属、標準的な写真製版及
びエッチング技術によって選択的に取除くことによって
、例えば約４００００Ａの厚さのゲート電極２１とカソ
ード電極２２を形成することが好ましい。サィリスタ装
置を支持する金属電極２５３は、主表面１２で、アノー
ド・ェミッタ領域１７にオーム接触している。この電極
２３は、厚さ８０ミル（２伽）の適当な金属、例えばモ
リブデンを、本体１０に合金化することが好ましい。適
当な不活性化（パッシベーション）樹脂（例えばシ０リ
コーン、ェボキシ又はワニスの組成物）２４を側面１３
に被覆することにより、サィリスタの動作に対する外気
の影響がほとんどなくなる。この発明を実施するために
は、半導体本体１０の主表面１１からのアノードＰＮ接
合２０の深さが、周知の方法を使って決定される。照射
を行なうため、少くとも１の分子量を有する原子核粒子
を放出する。

適当な放射線源が選ばれる。その放射線源は、陽子、ア
ルファ粒子或いは窒素イオンを放出するものであること
が好ましいが、その理由は、かかる粒子が、半導体本体
内へ打ち込まれる際、電気的及び化学的にほとんど不活
性であるからである。この点については、ベリリウムイ
オンが次に好ましいものと言える。少くとも１の分子量
を有するその他の各粒子も利用できるが、１６より大き
い分子量を有する原子核粒子は目下のところ利用できな
い。何故なら、市販の放射線源、例えばファン・デ・グ
ラーフ（ＶａｎｄｅＣｒａａｆｆ）加速器では、その様
な分子量の大きい粒子を、半導体本体内へ、以下に述べ
る所望の深さまで打ち込むのに充分大きいエネルギーが
得られないからである。更に、ホウ素イオン、炭素イオ
ン及び酸素イオンのような核粒子は、半導体本体へ打込
む際電気的及び化学的に作用するために、使用すべきで
はない。このような理由から、陽子とアルファ粒子が一
般に最も望ましいものではあるが、欠陥発生分布につい
て、より狭い半幅が望ましい特定の用途においては、窒
素イオンのような分子量の大きい粒子の方が役に立つこ
ともある。さらに、放射線源は、欠陥発生分布に対して
最も狭い半幅を得るためには、ファン。

デ・グラ−フ加速器の様な基本的に単一エネルギー源で
あることが好ましい。一様な粒子分布を得るために照射
ビームが水平方向と垂直方向とに変調できない場合、単
一エネルギーをある程度犠牲にして、散乱箔（フオィル
）を利用し、半導体装置の表面に、より一様な粒子分布
を形成することが特定の放射線源には適当である。しか
しながら、一般には放射線源の単一エネルギーは、順方
向電圧降下を低く保ちながら、欠陥発生分布に対する半
幅を最も狭くし、ひいては逆回復電荷を最少にすること
のできる程度になっているものである。放射線源が選定
されると、エネルギーレベルが再調整されてサィリス夕
のアノードＰＮ接合２０の近くに最大欠陥が発生する。

このエネルギーレベルの調整は、米国特許第４０５６４
０８号の第１０図に示される様なグラフからエネルギー
範囲を実験的に選び、その後、その範囲中の種々のェネ
ルギ−レベルで、照射すべき特定の種類のサィリスタの
種々の本体を照射し、そして電気的特性、特に順方向電
圧降下ト漏れ電流、ターンオフ時間を測定することによ
って行なわれる。測定された電気的特性間の関係を、第
４図乃至第６図に示す様にプロツトし、或いは測定され
たデータをディジタルコンピュータで処理することによ
り、最適のエネルギーレベルを選択することができる。
このエネルギーレベルは「放射線源のエネルギーレベル
０を制御することによって調整するのが好ましい。ファ
ン。デ・グラーフの様な選ばれた原子核放射線源に晒す
ため、サイリスタ本体１０の主表面１１を位置決めする
ことによって、サィリスタへの照射が行なわれる。この
ような構成によって、タ選択された放射線源からの調整
されたエネルギーレベルの放射線２６によって、カソー
ド４ヱミッタ領域１４に隣接する主表面１１を通って照
射される様に、サィリスタ本体１０が位置決めされる。
その後、位置決めたれたサィリス外ま、選ばｏれた放射
線緩からの調整されたエネルギーレベルの放射線２６に
よって、サィリスタの逆回復電荷を所望のレベルまで十
分減らすことのできる照射量レベルまで、照射される。
この最適な照射量レベルは、同種類のサィリスタ群を色
々な照射量レベルまで照射し、かつ第４図乃至第６図に
示される様に、順方向電圧降下、逆回復電荷、及びスイ
ッチング時間の関係をプロットすることにより、最適エ
ネルギーレベルとともに実験的に選ばれる。或いは、得
られたデータを、ディジタルコンピュータで処理して、
所望の照射量レベルを選んでもよい。更に、この電気的
特性を最良のものにするため、これらの関係に漏れ電流
を加えてプロツトしてもよい。いずれの場合にしても、
第１図の点線２５で示される様に、アノードＰＮ接合２
０１こ隣接するアノードェミッタ領域１７に、最大欠陥
が発生する。

すなわち、アノードＰＮ接合２０から主表面１２までの
アノードヱミッタ領域１７の幅の１／４以下（電力用サ
ィリスタの場合には、好ましくは、アノード接合から１
０〜１５マイクロメートル以内）の部分に最大欠陥が発
生する。しかしながら、最大欠陥発生場所は、漏れ電流
を減少させるために、アノードＰＮ接合２０から隔てら
れている。後で詳しく述べる様に、このような位置決め
によりサィリスタの逆回復電荷が減らされ、順方向電圧
降下と漏れ電流の増加を最少にすることができる。次に
第２図において、第１図に関連して説明したものと同様
の中心点弧型サィリスタが、この発明に従って照射され
て、逆回復電荷が減少される。

このサィリス外ま、第１図に示されているものと同じ要
素と、それらの関係とを備えている。従って、各要素に
は、第１図の要素の各符号の前に「１」が附されて図示
されている。ただ一つ違う点は、最大欠陥発生場所１２
５の位置である。

第２図では、最大欠陥発生場所１２５は、ＰＮ接合１２
０に隣接するアノード・ベース領域１１６中に位置して
いる。すなわち、この最大欠陥発生場所はアノード・ベ
ース領域１１６にあって、逆阻止ＰＮ接合１１９とアノ
ード接合１２０とに挟まれるアノード・ベース領域１１
６の幅の１′４以下（電力用サィリスタでは好ましくは
、そのアノードＰＮ接合１２０から２０マイクロメート
ル以内）の部分にある。この場合にも、漏れ電流の増加
を防ぐために、最大欠陥発生場所がアノードＰＮ接合１
２０から隔てられている。上述した如く、第１図及び第
２図に示される様に、最大欠陥発生場所は、アノードＰ
Ｎ接合に隣接して、アノード・ェミツタ領域の幅の１／
４と、アノード・ベース領域の幅の１／４との間（好ま
しくはアノード・ェミッタ領域での１０〜１５マイクロ
メートル以内から、アノード・ベース領域での２０マイ
クロメートル以内まで）の範囲となる。しかしながら、
高い不純物濃度を持つアノード・ェミッタ領域に欠陥発
生場所を作るには、大きなエネルギー及び照射量が必要
であることが分かったので、最大欠陥発生場所は、アノ
ード・ベース領域においてアノードＰＮ接合から隔てた
位置にあることが更に好ましい。可調整放射線源として
ファン・デ・グラーフ加速器を用い、それから放出され
る１０．２Ｍｅｖの単一エネルギーのアルファ粒子を利
用して、通常の電力用サィリスタに形成される最大欠陥
発生場所の好ましい位置決めが第３図に示されている。

図示の如く、半導体装置の中に、主表面から放射線が約
６１マイクロメートル入った所で、アノード・ベース領
域におけるアノードＰＮ接合から約９マイクロメートル
のところに、最大欠陥発生場所が位層付けられている。
その放射線欠陥の半幅は約１．３マイクロメートルであ
る。第２図及び第３図に例示されたこの発明の作用を示
すため、それぞれ２の固のＴ６がＢＨ型電力用サィリス
タから成る二つのサィリス夕群に、ファン・デ・グラー
フ加速器から１０．２Ｍｅｖの単一エネルギーアルファ
粒子を照射した。

各サィリスタ群は、図示の如く、１の当り３．７２×１
ぴ。アルファ粒子の照射量とした。一方のサィリスタ群
すなわち“サイリスタ群２”には、さらに、ファン１デ
・グラーフ加速器からの１７Ｍｅｖアルファ粒子で、１
．２４×１ぴｏ粒子／地の照射量が与えられた。２番目
の照射は、１７Ｍｅｖアルファ粒子による欠陥発生が逆
回復電荷にどの様な影響を及ぼすか、を求めるために行
なわれたものである。

各サィリスタの逆回復電荷が、照射の前後にわたって、
マイクロクーロン〔仏Ｃ〕で測定された。

下記の表１には、照射の前後における、各サイリスタ群
についての逆回復電荷Ｑｎの平均値ｏが、逆回復時間の
短縮率ともに示されている。表 １初期 Ｑｒｒ終了時
の短縮率 〔．仏○〕 Ｑｒｒ〔仏○〕 協 夕 （未照射）（照射剤） サィリスタ群１ １０５ ５５ ４４サィリスタ群
２ １３２ ５０ ６２表１に示されている様に、
いずれの照射におし、０ても、逆回復電荷がかなり減少
している。

さらに、これらのエネルギーと照射量について、”頃方
向電圧降下ＶＴＭ及び漏れ電流の変化は最少であること
がわかった。この発明を更に示すために、ファン・デ・
グラターフ加速器からの陽子粒子を用いて、Ｔ７州ＣＢ
型電力用サィリスタを照射した。

この照射は、１１マイクロメートルのアルミニウム散乱
箔を介して、異つたエネルギーレベルで行なわれた。そ
のエネルギーレベルの差は、アノード・ベース領域及び
０アノード・ェミツタ領域において、アノードＰＮ接合
に隣接した最大欠陥発生場所の位置を変更する様に選ば
れた。各サィリスタ群について５〜１の固の半導体装置
を与え、７つの電力サィリスタ群が用意された。

各サィリスタにおいて、アノ−ドＰＮ接合は、２３６マ
イクロメートルの製造限界内に決められた。これらのサ
ィリスタ群は、散乱箔を介して、５．２，５．４，５．
６，５．＆ ６．０，６．２，及び６．４Ｍｅｖの陽子
で照射された。アノードＰＮ接合での最大欠陥発生場所
位置決めするために５．８Ｍｅｖが計算により求められ
、他のエネルギーはアノードＰＮ接合の両側において、
１５マイクロメートル毎に最大欠陥発生場所を位置決め
するために計算により求められた。照射前と、段階的に
変わる照射量での照射後とで、半導体装置の逆回復電荷
Ｑｒｒトスィッチング時間Ｔｑ、及び順方向電圧降下Ｖ
ＴＭが測定された。

順方向電圧降下ＶＴＭと逆回復電荷Ｑｒｒとの関係、順
方向電圧降下ＶＴＭとスイッチング時間Ｔｑとの関係、
及びスイッチング時間Ｔｑと逆回復電荷Ｑｒｒとの関係
を示すために、それぞれ第４図乃至第６図において、測
定結果の平均値がプロットされている。第４図に示され
ている様に、全ての例において逆回復電荷ねｎが著しく
短縮され、しかも日頃方向電圧降下は極めて僅かに増加
しているだけである。

更に、これも第４図からわかる様に、アノード。ベース
領域とアノード・ェミッ夕領域のいずれにおいても、ア
ノードＰＮ接合に隣接して最大欠陥発生場所を位置付け
ることは、電気的特性にほとんど相対的変化をもたらさ
ない。アノード・ェミッタ領域において、アノードＰＮ
接合から約１５マイクロメートルに最大欠陥発生場所を
形成する６．０Ｍｅｖエネルギーレベルで照射すること
によ３り、僅かによい特性が得られた。しかしながら、
第４図では、より少い照射量でアノードＱベース領域に
最大欠陥発生場所を位置付けることにより、逆回復電荷
に、より大きな変化が得られることが示されており、こ
のことによって、この実施３例が一層実用的なものとな
っている。第５図及び第６図において、他の点は全て等
しくして、スイッチング時間Ｔｑと順方向電圧降下ＶＭ
との関係、或いはスイッチング時間Ｔｑと逆回復時間Ｑ
ｍとの関係が最適なものとなる様に「４エネルギーレベ
ルを決めることができる。

しかしながら、この場合でも殆んど違いがなく、６．０
Ｍｅｖエネルギーレベルの場合に僅かによいだけである
。

第６図で示される様に、照射によってスイッチング時間
も幾分短縮されたが、大したものではなかった。

この短縮は全照射量について約１／２であった。このこ
とは、カソード。ベース領域でのキャリアのライフタイ
ムを実質的に変化させないで「アノード・ベース領域の
両端間の電流利得が０照射によって大きく変化したこと
によるものと考えられる。現在での好ましい実施例につ
いて述べたが、この発明はその他の様々な形で実施し、
利用できるものである。

以上のように、本願発明によれば、タ順方向電圧降下及
び漏れ電流の増加を招来することなく一層逆回復電荷を
減少させることができ、以て、遠動作スイッチング時の
ブレークダウンを回避できる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に従って照射される中心点孤型のサィ
リスタの断面図、第２図は第１図とは異なる条件で照射
される中心点孤型のサィリスタの断面図、第３図は第２
図で示される様に、アルファ粒子で照射されたサィリス
タの、照射による欠陥の空間分布を示す図、第４図は色
々なエネルギーレベルでの陽子による照射を受けたサィ
リス夕の逆回復電荷Ｑｒｒと順方向電圧降下ＶＴＭとの
関係を示す図、第５図は第４図に示されているものと同
じサイリスタについての、スイッチング時間Ｔｑと順方
向電圧降下ＶＴＭとの関係を示す図、そして第６図は第
４図に示されているものと同じサイリスタについての、
スイッチング時間Ｔｑと逆回復電荷Ｑｒｒとの関係を示
す図、である。 １０…・・・サィリスタ本体、１１，１２……主表面、
１４…・・・カソード・ェミツタ領域、１５・・・・・
・カソード・ベース領域、１６……アノード・ベース領
域、１７・・・・・・アノード■ェミッタ領域、１８…
…カソードＰＮ接合、１９…・・・逆阻止ＰＮ接合、２
０…・・・アノードＰＮ接合、２５，１２５・・…・最
大欠陥発生装置、尚、図中、同一符号は同‐一又は相分
部分を示す。 ＦＩＧ．ｌ． ＦＩＧ．２． ＦＩＧ．３． ＦＩＧ．４． ＦＩＧ．５． ＦＩＧ．６．

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 順方向電圧降下を実質的に増加させることなく逆回
   復電荷を減少させたサイリスタの製造方法であって、（
   Ａ） 前記サイリスタのカソード・エミツタ領域に隣接
   した主表面からのアノードＰＮ接合の深さを求める工程
   、（Ｂ） 少なくとも１の分子量を有する粒子を放出す
   る所定の放射線源を用いて前記表面から照射する場合の
   、前記サイリスタに発生する最大欠陥発生場所の位置を
   求める工程、（Ｃ） 前記最大欠陥発生場所が前記サイ
   リスタのアノードＰＮ接合に隣接するように、前記放射
   線源からの前記主表面でのエネルギーレベルを調整する
   工程、及び（Ｄ） 前記放射線源からの前記エネルギー
   レベルで、前記主表面を介して、前記サイリスタの逆回
   復電荷を減少させるための所定の照射量だけ前記サイリ
   スタを照射する工程、を備えた方法。 ２ 前記最大欠陥発生場所の深さがアノード・ベース領
   域において、前記アノードＰＮ接合から２０マイクロメ
   ートル以内にある特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 前記最大欠陥発生場所の深さが、アノード・エミツ
   タ領域において、前記アノードＰＮ接合から１５マイク
   ロメートル以内にある特許請求の範囲第１項記載の方法
   。