DE19981445D2 - Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom - Google Patents

Leistungshalbleiter mit reduziertem Sperrstrom

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10030381B4 (de) * 2000-06-21 2005-04-14 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleiterbauelement aufweisend einen Körper aus Halbleitermaterial mit Übergang zwischen zueinander entgegengesetzten Leiterfähigkeitstypen
DE10048437A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-18 Eupec Gmbh & Co Kg Verfahren zum Herstellen eines Körpers aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge und mit dem Verfahren hergestellter Körper
DE102006006700B9 (de) * 2006-02-13 2008-07-10 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement insbesondere Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungsträgerrekombinationszonen und Verfahren zur Herstellung desselben
CN100459151C (zh) * 2007-01-26 2009-02-04 北京工业大学 具有内透明集电极的绝缘栅双极晶体管
GB2584698B (en) * 2019-06-12 2022-09-14 Mqsemi Ag Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4311534A (en) * 1980-06-27 1982-01-19 Westinghouse Electric Corp. Reducing the reverse recovery charge of thyristors by nuclear irradiation
EP0197948A4 (de) * 1984-09-28 1988-01-07 Motorola Inc Schutz gegen die entladung einer verarmungszone eines ladungsspeichers.
GB2213988B (en) * 1987-12-18 1992-02-05 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor device
JPH07107935B2 (ja) * 1988-02-04 1995-11-15 株式会社東芝 半導体装置
DE4036222A1 (de) * 1990-11-14 1992-05-21 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung von halbleiterelementen, insbesondere von dioden
DE69319465T2 (de) * 1992-02-20 1998-11-12 Hitachi Ltd Gate-Turn-Off-Thyristor und dessen Verwendung in Leistungwandlern
DE4223914C2 (de) * 1992-06-30 1996-01-25 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke
JP3238415B2 (ja) * 1996-09-30 2001-12-17 オイペツク オイロペーイツシエ ゲゼルシヤフト フユール ライスツングスハルプライター エムベーハー ウント コンパニイ コマンデイートゲゼルシヤフト ブレークダウン領域をもつサイリスタ

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