DE3201312A1 - Verfahren zur reinigung von silicium - Google Patents

Verfahren zur reinigung von silicium

Info

Publication number
DE3201312A1
DE3201312A1 DE19823201312 DE3201312A DE3201312A1 DE 3201312 A1 DE3201312 A1 DE 3201312A1 DE 19823201312 DE19823201312 DE 19823201312 DE 3201312 A DE3201312 A DE 3201312A DE 3201312 A1 DE3201312 A1 DE 3201312A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
slag
oxide
silicon
alkaline earth
oxides
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19823201312
Other languages
English (en)
Other versions
DE3201312C2 (de
Inventor
Werner Dipl.-Ing. Dr. 8221 Hufschlag Gmöhling
Georg Dipl.-Phys. Dr. 8262 Neuötting Kreutzberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
SKW Trostberg AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SKW Trostberg AG filed Critical SKW Trostberg AG
Priority to DE3201312A priority Critical patent/DE3201312C2/de
Priority to IT24563/82A priority patent/IT1154400B/it
Priority to FR8220751A priority patent/FR2519961A1/fr
Priority to SE8207238A priority patent/SE8207238L/
Priority to GB08301207A priority patent/GB2116956A/en
Priority to JP58005406A priority patent/JPS58130114A/ja
Publication of DE3201312A1 publication Critical patent/DE3201312A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3201312C2 publication Critical patent/DE3201312C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)

Description

Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von Silicium, insbesondere zur Herstellung von Silicium in Solarqualität.
Aufgrund der zunehmenden Bedeutung von Solarzellen für die Energiegewinnung hat es in jüngster Zeit nicht an Versuchen gefehlt, technisches Silicium mit einer Reinheit von wenigstens 95 %, sogenanntes Rohsilicium, so zu reinigen, daß es für die Herstellung von Solarzellen geeignet ist.
Zur Reinigung von Rohsilicium werden nach der CH-PS 567 435 und nach der US-PS 2 972 521 Säuren oder Säuregemische als Reinigungsagentien verwendet. Damit können jedoch bestimmte Verunreinigungen, wie z. B. Bor oder Phosphor, nicht entfernt werden.
In der DE-PS 1 022 806 und der DE-OS 2 706 175 werden Verfahren beschrieben, bei denen die Reinigung mit Hilfe einer Schlackebehandlung wie z. B. einer Silikatschmelze, vorgenommen wird; der Reinigungseffekt beschränkt sich bei diesen Verfahren aber auf die Elemente Calcium und Aluminium.
Auch mit einer Kombinanten von Säure- und Schlackebehandlung läßt sich kein Silicium erhalten, das für die Herstellung von Solarzellen geeignet ist. So wird z. B. nach der DE-OS 2 729 464 vor der Säurebehandlung das Rohsilicium mit einer Extraktionsschmelze in Kontakt gebracht; trotzdem gelingt es damit nicht, z. B. die Elemente Bor oder Phosphor zu entfernen.
— 5 —
Es sind zwar auch Verfahren bekannt, deren reinigende Wirkung sich auf alle unerwünschten Fremdstoffe erstreckt; diese Verfahren sind aber entweder zu aufwendig, und damit zu unwirtschaftlich, oder aber sie führen nicht zu dem gewünschten Reinheitsgrad. In der DE-OS 2 933 164 wird z. B. ein mehrstufiges Verfahren beschrieben, bei dem sich an das Extraktionsschmelzen eine Säure- und Vakuumbehandlung anschließt, womit aber auch nach nochmaligem Aufschmelzen und Erstarren bezüglich des Bors eine nur mäßige und keinesfalls ausreichende Reinigungswirkung erzielt werden kann.
Das in der DE-OS 2 944 975 beschriebene Verfahren, bei dem Silicium in geschmolzenem Zustand mit Bariumcarbonat umgesetzt wird, liefert zwar auch bezüglich des Bors einen ausreichenden Reinheitsgrad, ist aber aufgrund der erforderlichen sehr hohen Temperaturen und der Norwendigkeit, für einen ausreichenden Reinheitsgrad noch zusätzlich ein oxidierendes Gas, wie z. B. Sauerstoff oder Wasserdampf einzublasen, sehr arbeits- und kostenintensiv.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein Verfahren zur Reinigung von Silicium bereitzustellen, das die aufgezeigten Nachteile nicht besitzt und mit dem auf einfache, wenig arbeitsintensive und wirtschaftliche Weise ein Silicium erhalten werden kann, das die zur Herstellung von Solarzellen,erforderliche Reinheit, insbesondere auch bezüglich des Bors, besitzt. Diese Aufgabe wird mit der vorliegenden Erfindung gelöst.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Reinigung von Silicium durch Behandeln von Rohsilicium mit einer Erdalkalioxide und/oder Alkalioxide enthaltenden geschmolzenen Schlacke, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man das Rohsilicium in zerkleinerter Form mit der Schlacke oder den Schlackenkomponenten vor dem Aufschmelzen mischt.
Das Verfahren kann so durchgeführt werden, daß man das zerkleinerte Rohsilicium mit der Gesamtmenge der ebenfalls zerkleinerten Schlacke und/oder schlackenbildenden Komponenten intensiv mischt und dann diese Mischung aufschmilzt, oder man mischt das Rohsilicium nur mit einem Teil der zerkleinerten Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten und fügt diese Mischung zu dem anderen aufgeschmolzenen Teil der Schlacke. In einer bevorzugten Ausführungsform wird das zerkleinerte Rohsilicium mit etwa der Hälfte der Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten gemischt und diese Mischung dann zu der anderen/ aufgeschmolzenen Hälfte langsam zugegeben.
Als Schlackenbildner können anstelle der Oxide auch Verbindungen eingesetzt werden, die unter den angewandten Bedingungen in die Oxide überführbar sind, wie z. B. die Carbonate oder Hydroxide von Alkali- oder Erdalkalimetallen, die durch Kohlendioxid- bzw. Wasserabspaltung in die Oxide übergehen. Es können auch Gemische von zwei oder mehreren Alkali- und/oder Erdalkaliverbindungen verwendet werden.
Als Erdalkaliverbindungen werden insbesondere Magnesiumoxid, Calciumoxid, Strontiumoxid und/oder Bariumoxid, oder auch die zu diesen Oxiden führenden Carbonate und/oder Hydroxide verwendet, als Alkaliverbindungen Lithiumoxid, Natriumoxid und/oder Kaliumoxid, oder auch die entsprechenden Carbonate und/oder Hydroxide.
Zweckmäßigerweise arbeitet man in Gegenwart eines geeigneten Flußmittels, wie z. B. von Magnesium- und/oder Calciumfluorid, und/oder in Gegenwart eines Verdünnungsmittels. Als Verdünnungsmittel für die Erdalkalioxide eignet sich z. B. Siliciumdioxid, als Verdünnungsmittel für die Alkalioxide z. B. Aluminiumoxid oder/und Siliciumdioxid. Vorzugs-
weise setzt sich die Schlacke zusammen aus 20 bis 100 Gew.-% Alkali- und/oder Erdalkalioxiden, 0 bis 40 Gew.-% Flußmittel und 0 bis 80 Gew.-% Verdünnungsmittel.
Die Teilchengröße des zerkleinerten Rohsiliciums liegt vorzugsweise zwischen 10 μπι und 1 mm und insbesondere zwischen 40 μΐη und 100 μπι. Die Zerkleinerung des rohen Siliciummetalls kann durch Mahlen in geeigneten Mühlen, wie z. B. in Zentrifugalkugelmühlen oder Gegenstrahlmühlen, erfolgen (Teilchengröße von ca. 10 bis 100 μπι) , oder aber auch durch Brechen (Teilchengröße = 1 mm). Die zerkleinerte Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten besitzen vorzugsweise das gleiche Kornspektrum wie das zerkleinerte Rohsilicium. Es ist deshalb auch möglich, die Zerkleinerung des Rohsiliciums und der Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten gemeinsam vorzunehmen.
Das Aufschmelzen kann in einem dafür geeigneten üblichen Ofen, wie z. B. in einem elektrischen Widerstandsofen oder Induktionsofen, erfolgen. Die AufSchmelztemperatur liegt dabei meist zwischen 1400 und 1600 0C, insbesondere bei ca. 1500 0C.
Das Mengenverhältnis von Rohsilicium zur Schlacke ist von der Art und Zusammensetzung der Schlacke abhängig. Das Mengenverhältnis Rohsilicium/Erdalkali- oder -Alkalioxid beträgt vorzugsweise 1 : 0,2 bis 4 und insbesondere 1 : 0,3 bis 3.
Nach dem völligen Durchschmelzen aller festen Bestandteile wird die Siliciumschmelze abgestochen oder abgegossen. Eine längere Verweilzeit ist in der Regel nicht erforderlich. Zur Erzielung eines besonders hohen Reinheitsgrads
des Siliciums kann es aber zweckmäßig sein, an das erfindungsgemäße Verfahren eine bekannte Saure- und/oder Vakuumbehandlung anzuschließen, wie sie z. B. in der DE-OS 29 33 164 beschrieben ist.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren läßt sich überraschenderweise ein Silicium erhalten, das einen viel höheren Reinheitsgrad aufweist als ein nach den bekannten Methoden der Schlackenbehandlung erhaltenes Silicium. Insbesondere kann der Borgehalt des Rohsiliciums von ca. 40 ppm auf ca. 3 bis 4 ppm gesenkt werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es demnach möglich, auf einfache und wirtschaftliche Weise ein Silicium zu erhalten, das sich aufgrund seiner Reinheit sehr gut für die Herstellung von Solarzellen eignet.
Die nachfolgenden Beispiele erläutern die Erfindung näher, ohne sie darauf zu beschränken.
Beispiel 1
2,0 kg Rohsilicium der üblichen Zusammensetzung werden auf eine mittlere Teilchengröße von 40 um gemahlen, mit 5,5 kg einer Schlacke, bestehend aus 41 Gew.-% Magnesiumoxid, 41 Gew.-% Siliciumdioxid und 18 Gew.-% Calciumfluorid intensiv vermischt und langsam zu weiteren 5,5 kg einer bereits aufgeschmolzenen Schlacke zugegeben. Nach anschließender Säurereinigung wird folgender Reinheitsgrad festgestellt:
Elsen 0,003 Gew.-%
Aluminium 0,0015 Gew.-%
Calcium = 0,01 Gew.-%
Bor 3 ppm
Beispiel
1,0 kg Rohsilicium der üblichen Zusammensetzung wird auf eine mittlere Teilchengröße = 1 mm gebrochen, mit 2,75 kg einer Schlacke aus 41 Gew.-% Bariumhydroxid, 41 Gew.-% Siliciumdioxid und 18 Gew.-% Calciumfluorid intensiv vermischt und langsam zu weiteren 2,75 kg einer bereits aufgeschmolzenen Schlacke zugegeben. Nach anschließender Säurereinigung wird folgender Reinheitsgrad festgestellt:
Aluminium < 0 ,01 Gew.-%
Calcium <0,01 Gew.-%
Bor 2 ppm
Beispiel 3
1,0 kg Rohsilicium der üblichen Zusammensetzung wird auf eine mittlere Teilchengröße von 40 μΐη gemahlen, mit 2,8 kg einer Schlacke aus 50 Gew.-% Natriumhydroxid und 50 Gew.-% Siliciumdioxid intensiv vermischt und langsam zu weiteren 2,8 kg einer bereits geschmolzenen Schlacke zugegeben. Nach anschließender Säurereinigung wird folgender Reinheitsgrad festgestellt:
Eisen < 0 ,02 Gew. -%
Aluminium < 0 ,01 Gew. -%
Calcium < 0 ,01 Gew. -%
Bor 1 ppm
V&rgleichsbeispiel
Wird das in den Beispielen 1 bis 3 zugesetzte Rohsilicium einer Schlackenbehandlung in der bisher bekannten Weise unterworfen, indem man das Rohsilicium zu einer bereits
"**V W-I* *ί Μ · *
- 10 -
geschmolzenen Schlacke gibt, so wird nach anschließender Säurebehandlung ein Produkt mit folgendem Reinheitsgrad erhalten:
Eisen 0,01 Gew
Aluminium 0,02 Gew
Calcium 0,01 Gew
Bor 36 ppm

Claims (16)

Patentansprüche
1. Verfahren zur Reinigung von Silicium durch Behandeln von Rohsilicium mit einer Erdalkalioxide und/oder Alkalioxide enthaltenden geschmolzenen Schlacke, dadurch gekennzeichnet, daß man das Rohsilicium in zerkleinerter Form mit der Schlacke oder den Schlackenkomponenten vor dem Aufschmelzen mischt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß man das zerkleinerte Rohsilicium mit der Gesamtmenge der ebenfalls zerkleinerten Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten mischt und aufschmilzt oder mit einem Teil der zerkleinerten Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten mischt und diese Mischung zu dem restlichen Teil der aufgeschmolzenen Schlacke zugibt.
.: .··. oxu ι ο ι L
— 2 ·-
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß man das zerkleinerte Rohsilicium mit etwa der Hälfte der Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten mischt und zu der anderen Hälfte der aufgeschmolzenen Schlacke zugibt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man als schlackenbildende Komponenten die Oxide, Carbonate und/oder Hydroxide von Alkali- und/oder Erdalkalimetallen verwendet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man in Gegenwart eines Flußmittels arbeitet.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß man als Flußmittel Magnesium- oder Calciumfluorid verwendet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß man in Gegenwart eines Verdünnungsmittels arbeitet.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß man als Verdünnungsmittel für Erdalkalioxide Siliciumoxid und als Verdünnungsmittel für Alkalioxide Aluminiumoxid und/oder Siliciumdioxid verwendet.
9... Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlacke aus 20 bis 100 Gew.-% Alkali- und/oder Erdalkalioxiden, 0 bis 40 Gew.-% Flußmittel und 0 bis 80 Gew.-% Verdünnungsmittel besteht.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Erdalkalioxide Magnesiumoxid, Calciumoxid, Strontiumoxid und/oder Bariumoxid sind.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Alkalioxide Lithiumoxid, Natriumoxid und/oder Kaliumoxid sind.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Teilchengröße des zerkleinerten Rohsiliciums 10 μΐη bis 1 mm, vorzugsweise 40 μπι bis 100 um, beträgt.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die zerkleinerte Schlacke oder schlackenbildenden Komponenten das gleiche Kornspektrum wie das zerkleinerte Rohsilicium besitzen.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet,
daß man bei einer Temperatur von 1400 bis 1600 0C aufschmilzt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gewichtsverhältnis Rohsilicium/Erdalkali- oder -Alkalioxid 1 : 0,2 bis 4, vorzugsweise 1 : 0,3 bis beträgt.
16. Das in den Beispielen beschriebene Verfahren zur Reinigung von Silicium.
DE3201312A 1982-01-18 1982-01-18 Verfahren zur Reinigung von Silicium Expired DE3201312C2 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3201312A DE3201312C2 (de) 1982-01-18 1982-01-18 Verfahren zur Reinigung von Silicium
IT24563/82A IT1154400B (it) 1982-01-18 1982-12-02 Procedimento per la depurazione di silicio
FR8220751A FR2519961A1 (fr) 1982-01-18 1982-12-10 Procede de purification du silicium
SE8207238A SE8207238L (sv) 1982-01-18 1982-12-17 Forfarande for rening av kisel
GB08301207A GB2116956A (en) 1982-01-18 1983-01-17 Process for purifying silicon
JP58005406A JPS58130114A (ja) 1982-01-18 1983-01-18 ケイ素の精製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3201312A DE3201312C2 (de) 1982-01-18 1982-01-18 Verfahren zur Reinigung von Silicium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3201312A1 true DE3201312A1 (de) 1983-07-28
DE3201312C2 DE3201312C2 (de) 1983-12-22

Family

ID=6153285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3201312A Expired DE3201312C2 (de) 1982-01-18 1982-01-18 Verfahren zur Reinigung von Silicium

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS58130114A (de)
DE (1) DE3201312C2 (de)
FR (1) FR2519961A1 (de)
GB (1) GB2116956A (de)
IT (1) IT1154400B (de)
SE (1) SE8207238L (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3403091A1 (de) * 1983-02-07 1984-08-09 Elkem A/S, Oslo Verfahren zur herstellung von silicium hoher reinheit
WO1995026926A1 (en) * 1994-03-30 1995-10-12 Elkem A/S Method for upgrading of silicon-containing residues obtained after leaching of copper-containing residues from chlorosilane synthesis
US5651807A (en) * 1994-03-30 1997-07-29 Elkem A/S Method for treatment of residues from organochlorosilane and/or chlorosilansynthesis
US5772728A (en) * 1994-03-30 1998-06-30 Elkem Asa Method for upgrading of silicon-containing residues obtained after leaching of copper-containing residues from chlorosilane synthesis
US7682585B2 (en) 2006-04-25 2010-03-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Silicon refining process

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3331046A1 (de) * 1983-08-29 1985-03-14 Wacker-Chemie GmbH, 8000 München Verfahren zum behandeln von silicium und ferrosilicium mit schlacke
FR2556333A1 (fr) * 1983-12-09 1985-06-14 Hanna Mining Co Procede pour purifier du silicium pour des applications necessitant une grande purete
US4798659A (en) * 1986-12-22 1989-01-17 Dow Corning Corporation Addition of calcium compounds to the carbothermic reduction of silica
US20050139148A1 (en) * 2002-02-04 2005-06-30 Hiroyasu Fujiwara Silicon purifying method, slag for purifying silicon and purified silicon
JP2005255417A (ja) * 2002-03-18 2005-09-22 Sharp Corp シリコンの精製方法
NO318092B1 (no) 2002-05-22 2005-01-31 Elkem Materials Kalsium-silikatbasert slagg, fremgangsmate for fremstilling av kalsium-silikatbasert slagg, og anvendelse for slaggbehandling av smeltet silium
JP4436904B2 (ja) * 2002-07-23 2010-03-24 新日鉄マテリアルズ株式会社 Si製造方法
JP4766837B2 (ja) 2004-03-03 2011-09-07 新日鉄マテリアルズ株式会社 シリコンからのホウ素除去方法
JP4632769B2 (ja) * 2004-12-09 2011-02-16 シャープ株式会社 シリコンの精製方法
JP4749730B2 (ja) 2005-02-09 2011-08-17 新日鉄マテリアルズ株式会社 Siの精錬方法
JP4966560B2 (ja) * 2005-03-07 2012-07-04 新日鉄マテリアルズ株式会社 高純度シリコンの製造方法
JP5140835B2 (ja) * 2005-03-07 2013-02-13 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 高純度シリコンの製造方法
JP4850501B2 (ja) 2005-12-06 2012-01-11 新日鉄マテリアルズ株式会社 高純度シリコンの製造装置及び製造方法
KR101663434B1 (ko) * 2012-06-25 2016-10-06 실리코르 머티리얼즈 인코포레이티드 실리콘의 정제 방법
CN103553050B (zh) * 2013-10-25 2016-03-02 青岛隆盛晶硅科技有限公司 多晶硅连续化介质熔炼方法
GB201621609D0 (en) * 2016-12-19 2017-02-01 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Process for the production of commercial grade silicon
CN108675306B (zh) * 2018-05-30 2021-11-16 云南永昌硅业股份有限公司 一种高效回收硅渣中硅金属的方法
CN115124041B (zh) * 2022-05-27 2023-11-17 大连理工大学 一种利用太阳能电池废旧玻璃提纯多晶硅废料的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2729464A1 (de) * 1977-06-30 1979-01-11 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von silicium
EP0002135A1 (de) * 1977-11-21 1979-05-30 Union Carbide Corporation Gereinigtes metallurgisches Silizium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2706175B2 (de) * 1977-02-14 1979-09-06 Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen
DE2933164A1 (de) * 1979-08-16 1981-02-26 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von rohsilicium

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3871872A (en) * 1973-05-30 1975-03-18 Union Carbide Corp Method for promoting metallurgical reactions in molten metal
IT1100218B (it) * 1978-11-09 1985-09-28 Montedison Spa Procedimento per la purificazione di silicio

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2706175B2 (de) * 1977-02-14 1979-09-06 Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen
DE2729464A1 (de) * 1977-06-30 1979-01-11 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von silicium
EP0002135A1 (de) * 1977-11-21 1979-05-30 Union Carbide Corporation Gereinigtes metallurgisches Silizium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2933164A1 (de) * 1979-08-16 1981-02-26 Consortium Elektrochem Ind Verfahren zum reinigen von rohsilicium

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3403091A1 (de) * 1983-02-07 1984-08-09 Elkem A/S, Oslo Verfahren zur herstellung von silicium hoher reinheit
WO1995026926A1 (en) * 1994-03-30 1995-10-12 Elkem A/S Method for upgrading of silicon-containing residues obtained after leaching of copper-containing residues from chlorosilane synthesis
US5651807A (en) * 1994-03-30 1997-07-29 Elkem A/S Method for treatment of residues from organochlorosilane and/or chlorosilansynthesis
US5772728A (en) * 1994-03-30 1998-06-30 Elkem Asa Method for upgrading of silicon-containing residues obtained after leaching of copper-containing residues from chlorosilane synthesis
CN1078176C (zh) * 1994-03-30 2002-01-23 埃以凯姆公司 氯硅烷合成工艺的含铜残渣浸出后所获含硅残渣的处理方法
US7682585B2 (en) 2006-04-25 2010-03-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Silicon refining process

Also Published As

Publication number Publication date
GB8301207D0 (en) 1983-02-16
SE8207238L (sv) 1983-07-19
FR2519961A1 (fr) 1983-07-22
IT1154400B (it) 1987-01-21
DE3201312C2 (de) 1983-12-22
IT8224563A0 (it) 1982-12-02
SE8207238D0 (sv) 1982-12-17
GB2116956A (en) 1983-10-05
JPS58130114A (ja) 1983-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3201312A1 (de) Verfahren zur reinigung von silicium
DE3403091C2 (de)
EP0436835B2 (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinen Natriumsilikaten
DE60130477T2 (de) Hochreines Zirkonium oder Hafnium, diese beinhaltendes Sputtering Target und mit diesesm hergestellte dünnen Filme, Verfahren zur Herstellung von hochreinem Zirkonium oder Hafnium und Herstellungsverfahren für Pulver aus hochreinem Zirkonium oder Hafnium
DE2926482A1 (de) Verfahren zur gewinnung und verwertung brauchbarer substanzen aus einer metallschmelze
DE3402357A1 (de) Verfahren zur herstellung von vanadiumverbindungen aus vanadiumhaltigen rueckstaenden
DE2706175C3 (de) Verfahren zum Verschmelzen und Reinigen von Silicium
EP0141125A2 (de) Verfahren zum Behandeln von Silicium und Ferrosilicium mit Schlacke
DE3615602A1 (de) Verfahren zur wiedergewinnung von wolfram und rhenium aus einer wolfram- und rheniumhaltigen quelle
DE2713639A1 (de) Verfahren zum schmelzen von kupferlegierungen
DE2913207C2 (de) Kalkhaltiges Mittel zum Behandeln von Eisenschmelzen
DE2729464C2 (de)
DE2062656B2 (de) Verfahren zum anreichern von niob und tantal
DE2346778C2 (de) Verwendung von im glasartigen Zustand als Fritte vorliegenden Teilchen als Flußmittel zum Stranggießen von Stahl
DE3536495C2 (de)
DE2625532A1 (de) Verfahren zum aufschluss von metallsilikat mit saeure
AT405645B (de) Verfahren zum herstellen von isolierwolle
DE767593C (de) Verfahren zum Gewinnen von Tantal- und/oder Niob-Verbindungen
DD200896A1 (de) Verfahren zur gewinnung des alkaliinhaltes von industrierueckstaenden
DE2305924A1 (de) Verfahren zur herstellung von aluminium
DE2145912C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Aluminium
DE635387C (de) Verfahren zur Herstellung von kompaktem Magnesium
DE669315C (de) Verfahren zur Erhoehung der Azotierbarekeit von Calciumcarbid
DE596528C (de) Verfahren zur Herstellung von Ferrovanadin
DE528462C (de) Verfahren zur Behandlung von Metalloxyden

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8330 Complete renunciation