DE3134434T1 - Low-power battery backup circuit for semiconductor memory - Google Patents

Low-power battery backup circuit for semiconductor memory

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DE3134434T1
DE3134434T1 DE813134434T DE3134434T DE3134434T1 DE 3134434 T1 DE3134434 T1 DE 3134434T1 DE 813134434 T DE813134434 T DE 813134434T DE 3134434 T DE3134434 T DE 3134434T DE 3134434 T1 DE3134434 T1 DE 3134434T1
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Description

- M te -«
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Claims (1)

  1. ■ : . Patentansprüche
    (V.)-Schaltung zur Aufrechterhaltung eines in einer Speicheranordnung einer integrierten Halbleiterschaltung
    gespeicherten Bitmusters während eines leistungsarmen Betriebs, wobei die Speicherschaltung periphere Speicherzugriff sschaltungen zum. Lesen und Schreiben von Daten in und aus der Speicheranordnung, eine Hauptspannungsklemme und eine Steuerklemme aufweist, wobei
    ~Ό die letztere eine Hilfsspannung aufnimmt, wenn die
    zum Versorgen der Speicherschaltung über die Hauptspannungsklemme angeschlossene Hauptspannungsquelle ausfällt, und wobei die Speicheranordnung einen besonderen Spannungsknoten aufweist, gekennzeichnet durch die Kombination:
    - einer Einrichtung zum Vergleichen der Spannungen, die von der Speicherschaltung an der Hauptspannungsk-Lemme und an der Steuerklemme aufgenommen werden,
    um einen ersten Zustand an einem Ausgangsknoten der
    ^O Vergleichseinrichtung zu liefern, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme nicht um mehr als einen vorgewählten Spannungssprung überschreitet, und um einen zweiten Zustand
    an dem Ausgangsknoten zu liefern, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme um mehr als den vorgewählten Spannungssprung übersteigt,
    ^- 31 34 A34
    - eine Einrichtung zum Anschließen der Hauptsparinungsklemme an den Speicheranorcnung-Spannungsknoten, und zwar über einen niederinpedanten Pfad, wenn der Spannungsvergleicher-Ausgangsknoten sich in dem ersten Zustand befindet, und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn der Spannungsvergleicher-Ausgangsknoten sich in dem zweiten Zustand befindet,
    .'.- eine Einrichtung zum Anschließen der Steuerklemme an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten, und zwar durch einen hochimpedanten Pfad, wenn der Spannungsvergleicher-Ausgangsknoten sich in dem ersten Zustand befindet, und durch einen riederimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungsvergleicher-Ausgangsknoten in dem zweiten Zustand befindet, - eine Einrichtung zur Erzeugung einer Substratvorspannung für die integrierte Speicherschaltung,
    - eine Einrichtung zum Messen der Substratvorspannung für die Erzeugung eines ersten Zustandes an einem Meßknoten, wenn die Substrat vorspannung größer als ein vorgegebener Wert ist, und für die Erzeugung eines zweiten Zustandes, wenn die Substratvorspannung kleiner als der. vorgegebene Wert ist, und
    - eine Einrichtung zum Sperren der peripheren Schaltungen, wenn der Ausgangsknoten des Spannungsvergleichers sich in dem zweiten Zustanc befindet, oder wenn der Meßknoten den zweiten Zustand hat, um zu verhindern,
    daß die peripheren Schaltungen Zugriff zu der Speicheranordnung haben.
    2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Anschließen der Hauptspannungsklemme an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten einen Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor mit einer Steuerelektrode, einer Quellenelektrode und einer Senkenelektrode aufweist, wobei die Steuerelektrode und die Senkenelektrode miteinander und mit der Hauptspannungsklemme verbunden sind, während die Quellenelektrode an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten angeschlossen ist.
    3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, da.ß die Einrichtung zum Anschließen der Steuerklemme an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten eine Anzahl von Feldeffekttransistoren mit jeweils Steuerelektroden, Quellen- und Senkenelektroden aufweist, wobei ein erster Transistor mit seiner Senkenelektrode an die Steuerelektrode und mit seiner Quellenelektrode an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten angeschlossen ist, während seine Steuerelektrode mit der Senkenelektrode eines zweiten Transistors verbunden ist, dessen Quellenelektrode an einen gemeinsamen Knoten angeschlossen ist, während seine Steuerelektrode mit dem Span-
    nungsvergleicher-Ausgangskr,:ten verbunden ist, während ein dritter Transistor mit seiner Senkenelektrode an der Hauptspannungsklemme liegt und mit seiner Quellenelektrode an den gemeinsamen Knoten und mit seiner Steuerelektrode an den Spannungsvergleicher-Ausgangsknoten angeschlossen ist, und daß ein vierter Transistor mit seiner Senkenelektrode an die Hauptspannungsklemme, mit seiner Quellenelektrode an die Steuerelektrode des ersten "ransis.tors und mit seiner Steuerelektrode an die Senkenelektrode des dritten Transistors angeschlossen ist.
    4. Schaltung nach Anspruch 3, nadurch gekennzeichnet, daß jede Bit-Leitung in der Speicheranordnung an die Quellenelektrode eines entsprechenden Transistors angeschlossen ist, wobei de' Transistor mit seiner Senkenelektrode an dem Speicheranordnungs-Spannungsknoten und m.it seiner Steuerelektrode an der Senkenelektrode des zweiten Transistors liegt.
    5. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Wegschaltung vorgesehen ist, die zur Versorgung der Substratvorspannurcserzeugungsschaltung mit der größeren Spannung von der Hauptversorgungsspannung oder der Steuerkle-me dient.
    313A434
    6. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgewählte Spannungssprung im wesentlichen auf 0 Volt eingestellt ist, so daß der Ausgangsknoten in einen ersten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Hauptspannungsklemme die Spannung an der Steuerklemme überschreitet und der Ausgangsknoten in einen zweiten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme übersteigt. ' ■, '
    7. Schaltung zur Aufrechterhaltung eines Bitmusters
    in einer Speicheranordnung einer spannungsmäßig unterversorgten integrierten Halbleiterschaltung, in der die Speicheranordnung durch periphere Schältungen
    15. gesteuert und erreicht wird, wobei die Speicherschaltung eine Hauptspannungsklemme aufweist, die zum Versorgen der peripheren Schaltungen angeschlossen ist und welche eine Speicherschaltungs-Steuerklemme besitzt, die Hilfsspannung aufnimmt, wenn ein Verlust von Hauptspannung an der Hauptspannungsklemme auftritt, .·.■'■ gekennzeichnet durch:.
    - einen Spannungsvergleicher, der an die Hauptspannungsklemme und an die Steuerklemme angeschlossen ist und zum Treiben eines Vergleicherausgangsknotens in einem ersten Zustand dient, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungs-
    klemme nicht um mehr als einen vorgewählten Spannungssprung übersteigt und die den Ausgang in einen zweiten Zustand bringt, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme um mehr als den vorgewählten Spannungssprung überschreitet,
    - an den Vergleicherausgangsknoten angeschlossene Einrichtungen zum Treiben eines Spannungszustandsknotens in einen ersten Zustand, wenn der Vergleicherknoten sich in dem ersten Zustand befindet und zum
    ■IQ.· Treiben des Spannungszustandsknotens in einen zweiten Zustand, wenn sich der Vergleicherausgangsknoten in dem ersten Zustand befindet,
    - Einrichtungen zum Anschließen der Hauptspannungsklemme an den Spannungsknoten für die Speicheranord-
    Ί5 nung, und zwar durch einen niederimpedanten Pfad, wenn der Spannungszustandsknoten sich in dem zweiten Zustand befindet, und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungszustandsknoten in dem ersten Zustand befindet,
    _eine Einrichtung zum Anschließen der Steuerklemme an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten, und zwar durch einen niederimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungszustandsknoten in dem ersten Zustand befindet und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn der Spannungszustandsknoten in dem zweiten Zustand ist,
    - eine Einrichtung zum Erzeugen einer Substratvor-
    spannung, die zum Vorspannen des Substrats an die integrierte Halbleiterspeicherschaltung anlegbar ist, ■
    - eine Einrichtung, die zum Aufnehmen der Versorgungsspannung für das Treiben eines Meßknotens in einen ersten Zustand angeschlossen ist, wenn die Vorspannung einen vorgegebenen Spannungswert übersteigt und die den Meßknoten in einen zweiten Zustand bringt, wenn die Vorspannung diese vorgegebene Spannung nicht überschreitet,
    - eine Einrichtung, die zwischen den Meßknoten und den Spannungszustandsknoten geschaltet ist, um den Spannungszustandsknoten in den zweiten Zustand zu treiben, wenn sich der Meßknoten in dem zweiten Zustand befindet, und
    - eine Einrichtung, die an den Spannungszustandsknoten angeschlossen ist und zum Erzeugen eines Sperrbefehls dient, der an die peripheren Schaltungen übertragen wird, um ihren Betrieb zu unterbinden, wenn sich der Spannungszustandsknoten in seinem ersten Zustand befindet.
    8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgewählte Spannungssprung im wesentlichen auf ο Volt eingestellt ist, so daß der Ausgangsknoten in einen ersten Zustand getrieben wird, wenn die
    Spannung an der Hauptspannungsklemme die Spannung an der Steuerklemme überschreitet und der Ausgangsknoten in einen zweiten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme übersteigt.
    9. Schaltung zur Aufrechterhaltung eines Bitmusters in einer Speicheranordnung einer spannungsmäßig unterversorgten integrierten Halbleiterschaltung, in der die Speicheranordnung durch periphere Schaltungen gesteuert und erreicht wird, wobei die Speicherschaltung eine Hauptspannungsklemme aufweist, die zum Versorgen der peripheren Schaltungen angeschlossen ist und welche eine Speicherschaltungs-Steuerklemme besitzt, die Hilfsspannung aufnimmt, wenn ein Verlust von Hauptspannung an der Hauptspannungsklemme auftritt, gekennzeichnet durch:
    - einen Spannungsvergleicher, der an die Hauptspannungsklemme und an die Steuerklemme angeschlossen ist und zum Treiben eines Vergieicherausgangsknotens in einem ersten Zustand dient, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme nicht um mehr als einen vorgewählten Spannungssprung übersteigt und die οen Ausgang in einen zweiten Zustand bringt, wenn die Spannung an der Steuerk 1 ernme die Spannung an der Hauptspannungsklemme um mehr
    als den vorgewählten Spannungssprung überschreitet, - eine an den Vergleicherausgangsknoten, an die Hauptspannungsklemme und an einen Spannungszustandsknoten angeschlossene Einrichtung zum Ziehen des Spannungszustandsknotens auf eine Spannung, die innerhalb einer Transistorschwellenspannung der Spannung an der Hauptspannungsklemme liegt, wenn der Vergleicherausgangsknoten vom ersten Zustand in seinen zweiten Zustand übergeht,
    - einen zwischen die Steuerklemme und den Spannungszustandsknoten angeschlossenen Widerstand, um die Spannung an dem Spannungszustandsknoten auf die Spannung an der Steuerklemme hochzuziehen, wenn der Vergleicherausgangsknoten sich in seinem zweiten Zustand befindet, - Einrichtungen zum Anschließen der Hauptspannungsklemme an den Spannungsknoten für die Speicheranordnung, und zwar durch einen niederimpedanten Pfad, wenn der Spannungszustandsknoten sich in dem zweiten Zustand befindet, und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungszustandsknoten in dem ersten Zustand befindet,
    -■■ eine Einrichtung zum Anschließen der Steuerklemme an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten, und zwar durch einen niederimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungszustandsknoten in dem ersten Zustand befindet und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn der Spannungs-
    zustandsknoten in dem zweiten Zustand ist,
    - eine Einrichtung zum Erzeugen einer Substratvorspannung, die zum Vorspanne1"· des Substrats an die
    ; integrierte Halbleiterspeicnerschaltung anlegbar ■■ ' -; ' ist·,' ' ■ ■ .. ; ■ ^ -V-." : ϊ : ■ ■ ■. .
    - eine Einrichtung, die zurr Aufnehmen der Versorgungsspannung für das Treiben eines Meßknotens in einen ersten Zustand angeschlossen ist, wenn die Vorspannung einen vorgegebenen Spannuncswert übersteigt und die den Meßknoten in einen zweiten Zustand bringt, wenn die Vorspannung diese vorgegebene Spannung nicht überschreitet,
    - eine Einrichtung, die zwischen den Meßknoten und den Spannungszustandsknoten geschaltet ist, um den Spannungszustandsknoten in den zweiten Zustand zu treiben, wenn sich der Meßknoten in dem zweiten Zustand befindet, und
    - eine Einrichtung, die an den Spannungszustandsknoten angeschlossen ist und zum Erzeugen eines Sperrbefehls dient, der an die peripheren Schaltungen übertragen wird, um ihren Betrieb zu unterbinden, wenn sich der Spannungszustandsknoter in seinem ersten Zustand befindet.
    -ίο. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der vorgewählte Spannungssprung im wesentlichen
    * · UVV
    auf O Volt eingestellt ist, so daß der Ausgangsknoten in einen ersten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Hauptspannungsklemme die Spannung an der Steuerklemme überschreitet und der Ausgangsknoten in einen zweiten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme übersteigt.
    '11. Schaltung zur Aufrechterhaltung eines Bitmusters in einer Speicheranordnung einer spannungsmäßig unterversorgten integrierten Halbleiterschaltung, in der die Speicheranordnung durch periphere Schaltungen gesteuert und erreicht wird, wobei die Speicherschaltung eine Hauptspannungsklemme aufweist, die zum Versorgen der peripheren Schaltungen angeschlossen ist und welche eine Speicherschaltungs-Steuerklemme besitzt, die Hilfsspannung aufnimmt, wenn ein Verlust von Hauptspannung an der Hauptspannungsklemme auftritt, gekennzeichnet durcn:
    _ einen Spanhungsvergleicher, der an die Hauptspannungsklemme und an die Steuerklemme angeschlossen ist und zum Treiben eines Vergleicherausgangsknotens in einen ersten Zustand dient, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme nicht um mehr als einen vorgewählten Spannungssprung übersteigt und die den Ausgang in einen zweiten
    Zustand bringt, wenn die Spannung an der Steuerklemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme um mehr als den vorgewählten Spannungssprung überschreitet,
    - an den Vergleicherausgangsknoten angeschlossene
    Einrichtungen zum Treiben eines Spannungszustandsknotens in einen ersten Zustand, wenn der Vergleicherknoten sich in dem ersten Zustand befindet und zum Treiben des Spannungszustandsknotens in einen zweiten Zustand, wenn sich der Vergleicherausgangsknoten in dem ersten Zustand befindet,
    - Einrichtungen zum Anschließen der Hauptspannungsklemme an den Spannungsknoten für die Speicheranordnung, und zwar durch einen niederimpedanten Pfad, wenn der Spannungszustandsknoten sich in dem zweiten Zustand befindet, und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungszustandsknoten in dem ersten Zustand befindet,
    - eine Einrichtung zum Anschließen der Steuerklemme an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten, und zwar durch einen niederimpedanten Pfad, wenn sich der Spannungszustandsknoten in dem ersten Zustand befindet und durch einen hochimpedanten Pfad, wenn der Spannungszustandsknoten in dem zweiten Zustand ist,
    - eine Einrichtung zum Erzeugen einer Substratvoi— spannung, die zum Vorspannen des Substrats an die integrierte Halbleiterspeicherschaltung anlegbar ist,
    - eine Einrichtung, die zum Aufnehmen der Versorgungsspannung für das Treiben eines Meßknotens in einen ersten Zustand angeschlossen ist, wenn die Vorspannung einen vorgegebenen Spannungswert übersteigt und die den Meßknoten in einen zweiten Zustand bringt, wenn die Vorspannung diese vorgegebene Spannung nicht überschreitet,
    - eine Einrichtung, die zwischen den Meßknoten und den Spannungszustandsknoten geschaltet ist, um den .Spannungszustandsknoten in den zweiten Zustand zu treiben, wenn sich der Meßknoten in dem zweiten Zustand befindet, und
    - eine Einrichtung, die an den Spannungszustandsknoten angeschlossen ist und zum Erzeugen eines Sperrbefehls dient, der an die Speicherzugriffsschaltungen übertragen wird, um ihren Betrieb zu unterbinden, wenn sich der Spannungszustandsknoten in seinem ersten Zustand befindet, und
    - eine Anzahl von Transistoren mit jeweils Steuerelektroden, Quellen- und Senkenelektroden, wobei ihre Steuerelektroden gemeinsam an den Spannungszustandsknoten, die Senkenelektroden gemeinsam an den Speicheranordnungs-Spannungsknoten und die Quellenelektroden jedes Transistors ah eine zugehörige Bit-Leitung der Speicheranordnung angeschlossen sind, um die Bit-Leitungen auf eine vorgegebene Spannung vorzuspannen,
    wenn die Speicherschaltunc leistungsmäßig unterversorgt ist. '
    12. Schaltung nach Anspruch 11. dadurch gekennzeichnet, daß der vorgewählte Spannurgssprung im wesentlichen auf 0 Volt eingestellt ist. so daß der Ausgangsknoten in einen ersten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Hauptspann-ngsklemme die Spannung an der Steuerklemme überschreitet und der Ausgangsknoten in einen zweiten Zustand getrieben wird, wenn die Spannung an der Steuer«lemme die Spannung an der Hauptspannungsklemme übersteigt.
DE813134434T 1980-02-06 1981-02-04 Low-power battery backup circuit for semiconductor memory Granted DE3134434T1 (de)

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US06/119,293 US4288865A (en) 1980-02-06 1980-02-06 Low-power battery backup circuit for semiconductor memory
PCT/US1981/000147 WO1981002359A1 (en) 1980-02-06 1981-02-04 Low-power battery backup circuit for semiconductor memory

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DE3134434T1 true DE3134434T1 (de) 1982-05-19
DE3134434C2 DE3134434C2 (de) 1990-01-18

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GB (1) GB2082414B (de)
WO (1) WO1981002359A1 (de)

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