DE4036973C2 - Circuit for generating an erase or programming voltage in a semiconductor memory circuit that is higher than an externally supplied supply voltage - Google Patents

Circuit for generating an erase or programming voltage in a semiconductor memory circuit that is higher than an externally supplied supply voltage

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung der in den Oberbegriffen der Patentansprüche 1 und 2 genannten Art.The invention relates to a circuit in the Preambles of claims 1 and 2 mentioned type.

Bei einer aus der DE-PS 37 05 147 bekannten Schaltung wird aus einer rechteckigen, pulsierenden Eingangsspannung ein konstantes Gleichspannungspotential an einem Ausgang bereitgestellt. Dabei ist die Schaltung in der Lage, die Amplitude der pulsierenden Gleichspannung maximal zur Erzeugung des inneren Potentials auszunutzen. Insbesondere wird das erzeugte innere Potential dabei nicht von Schwellenspannungen der verwendeten Transistoren beeinflußt. Die erzeugte Spannung ist somit nicht von herstellungsbedingten Parameterschwankungen der verwendeten Bauelemente abhängig.In a circuit known from DE-PS 37 05 147 becomes a rectangular, pulsating input voltage a constant DC voltage potential at an output provided. The circuit is able to the amplitude of the pulsating DC voltage to the maximum Exploit generation of the inner potential. Especially the generated internal potential is not caused by threshold voltages of the transistors used. The generated Voltage is therefore not due to manufacturing Parameter fluctuations of the components used depend.

Die vorliegende Erfindung betrifft demgegenüber eine Schaltung zur Erzeugung einer gegenüber einer extern zugeführten Versorgungsspannung erhöhten Lösch- oder Programmierspannung in einem Halbleiterbaustein. Wie der Fig. 1 entnommen werden kann, sind im Stand der Technik dazu bereits Schaltungen bekannt, die eine Kettenschaltung mehrerer sogenannter Pumpschaltkreise aufweisen, die in der Lage sind, aus einer extern zugeführten Eingangsspannung eine erhöhte Spannung am Ausgang zu erzeugen. Eine derart erhöhte Spannung wird bei Halbleiterbausteinen, insbesondere bei Speicherbausteinen, zum Löschen und Schreiben benötigt. Die extern zugeführten Versorgungsspannungen (beispielsweise 5 Volt) reichen dafür, insbesondere bei Verwendung von Floating-Gate-Transistoren, in der Regel nicht aus.In contrast, the present invention relates to a circuit for generating an erase or programming voltage in a semiconductor module that is higher than an externally supplied supply voltage. As can be seen from FIG. 1, circuits are already known in the prior art for this purpose which have a chain connection of a plurality of so-called pump circuits which are able to generate an increased voltage at the output from an externally supplied input voltage. Such an increased voltage is required for erasing and writing in the case of semiconductor components, in particular in the case of memory components. The externally supplied supply voltages (for example 5 volts) are generally not sufficient for this, in particular when using floating gate transistors.

Bisher bekannte derartige Schaltungen weisen jedoch den Nachteil auf, daß die erzeugte erhöhte Lösch- oder Programmierspannung von verschiedenen Parametern, welche vom Herstellungsprozeß des Halbleiters beeinflußt werden, abhängt und daher größeren Schwankungen unterworfen ist.However, previously known circuits of this type have the Disadvantage that the increased erase or programming voltage  of various parameters, which depend on the manufacturing process of the semiconductor are affected and is therefore subject to greater fluctuations.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltung anzugeben, bei der die erzeugte Lösch- oder Programmierspannung trotz herstellungsbedingter Bauelement-Parameterschwankungen sowie jeweils unterschiedlicher Betriebsbedignungen ausreichende Höhe hat.The object of the invention is to provide a circuit in the generated erase or programming voltage despite manufacturing-related component parameter fluctuations as well sufficient for different operating conditions Height.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale der Patentansprüche 1 und 2 jeweils gelöst.This object is achieved by the features of Claims 1 and 2 each solved.

Diese Schaltung weist den Vorteil auf, daß für die erzeugte erhöhte Lösch- oder Programmierspannung eine Regelung vorgesehen ist, wodurch eine Korrekturmöglichkeit besteht, durch die mittels Anlegen entsprechender Korrektursignale die Höhe der Ausgangsspannung verändert werden kann. Damit ist noch nach der Herstellung der Schaltung eine Beeinflussung der Ausgangsspannung möglich. Beispielsweise kann eine Löschspannung, die einen zu geringen Wert aufweist, um ein vollständiges Löschen der verwendeten Floating-Gate-Transistoren zu gewährleisten, durch Anlegen der entsprechenden Korrektursignale auf den optimalen Spannungspegel gebracht werden. Andererseits ist es auch möglich, eine zu hohe Löschspannung, die ein Überlöschen von Transistoren bewirken würde, um den entsprechenden Betrag zu erniedrigen.This circuit has the advantage that for the increased erase or programming voltage generated a regulation is provided, which enables a correction possibility exists through the use of appropriate correction signals the level of the output voltage can be changed can. This is still after the circuit is made the output voltage can be influenced. For example can be an erase voltage that is too low a value to completely delete the used Ensure floating gate transistors by applying the corresponding correction signals to the optimal voltage level to be brought. On the other hand, it is also possible an extinguishing voltage that is too high, which means that the Would cause transistors to increase the corresponding amount humiliate.

Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Embodiments of the invention are in the subclaims specified.

Ausführungsbeispiele einer herkömmlichen und der erfindungsgemäßen Schaltung werden anhand der Zeichnung näher erläutert. Im einzelnen zeigt Embodiments of a conventional and the inventive Circuit are explained in more detail with reference to the drawing. In detail shows  

Fig. 1 eine herkömmliche Schaltung, Fig. 1 shows a conventional circuit,

Fig. 2 ein Blockschaltbild zum Darstellen eines Prinzips der Erfindung, Fig. 2 is a block diagram showing a principle of the invention,

Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel der Erfindung und Fig. 3 shows an embodiment of the invention and

Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. Fig. 4 shows another embodiment of the invention.

Bei der in Fig. 1 gezeigten herkömmlichen Schaltung ist eine Mehrzahl von Pumpschaltkreisen 1, die auf von einem Oszillator erzeugte Pumptaktimpulse 4, 4′ ansprechen, in Reihe geschaltet. Die Pumpschaltkreise 1 der ersten Stufe sind mit einem NMOS-Transistor 2 verbunden, dessen Drain und Gate gemeinsam mit einem Sourcespannungsanschluß Vcc verbunden sind. Die Pumptaktimpulse 4, 4′ besitzen um 180° gedrehte Phasen.In the conventional circuit shown in Fig. 1, a plurality of pump circuits 1 , which respond to pump clock pulses 4, 4 ' generated by an oscillator, are connected in series. The pump circuits 1 of the first stage are connected to an NMOS transistor 2 , the drain and gate of which are connected in common to a source voltage terminal Vcc. The pump clock pulses 4, 4 ' have phases rotated by 180 °.

Der Ausgang des Pumpschaltkreises in der letzten Stufe ist mit einem Spannungsausgangsanschluß 10 verbunden, um eine erhöhte Löschspannung an die Steuergateelektrode der Speicherzelle anzulegen. Die Löschspannung wird durch einen Zeilenkodierer einer entsprechenden Wortleitung oder durch einen Programmierspeicherschaltkreis (nicht gezeigt) einer Bitleitung zur Verfügung gestellt, die mit dem Drain der Speicherzelle verbunden ist.The output of the pump circuit in the last stage is connected to a voltage output terminal 10 in order to apply an increased erase voltage to the control gate electrode of the memory cell. The erase voltage is provided by a line encoder of a corresponding word line or by a programming memory circuit (not shown) of a bit line which is connected to the drain of the memory cell.

Zwischen dem Spannungsausgangsanschluß 10 und dem Sourcespannungsanschluß ist ein N-Typ Pull-Up-Transistor 5 mit dem Drain- und dem Gateanschluß an dem Versorgungsspannungsanschluß angeschlossen angeordnet. Ebenso ist zwischen dem Spannungsausgangsanschluß 10 und dem Erdpotentialanschluß Vss ein N-Typ-Klemmtransistor 3 in der in der Skizze gezeigten Weise angeschlossen.Between the voltage output connection 10 and the source voltage connection, an N-type pull-up transistor 5 is arranged with the drain and the gate connection connected to the supply voltage connection. Likewise, an N-type clamping transistor 3 is connected between the voltage output terminal 10 and the ground potential terminal Vss in the manner shown in the sketch.

Die Pumpschaltkreise 1 umfassen jeweils Kondensatoren 6, 8, von denen eine Elektrode mit den Pumptaktimpulsen 4, 4′ und die andere Elektrode mit den Gate- bzw. Drainanschlüssen der NMOS-Transistoren 7, 9 verbunden sind. Der NMOS-Transistor erniedrigt die Sourcespannung Vcc um seine Schwellspannung Vth. Die erniedrigte Spannung wird an den Drain- und den Gateanschluß des NMOS-Transistors 7 des Pumpschaltkreises 1 angelegt, der auf die Pumptaktimpulse 4, 4′ anspricht, um den Spannungsabfall auf einen gegebenen erhöhten Wert zu erhöhen. Für einen Fachmann ist leicht zu verstehen, daß der Wert der von dem Spannungsausgangsanschluß 10 abgegebenen erhöhten Spannung von der Zahl der Pumpschaltkreise 1 abhängt.The pump circuits 1 each comprise capacitors 6, 8 , of which one electrode is connected to the pump clock pulses 4, 4 ' and the other electrode is connected to the gate and drain connections of the NMOS transistors 7, 9 . The NMOS transistor lowers the source voltage Vcc by its threshold voltage Vth. The lowered voltage is applied to the drain and the gate of the NMOS transistor 7 of the pump circuit 1 , which responds to the pump clock pulses 4, 4 ' to increase the voltage drop to a given increased value. For a skilled person will easily understand that the value of the output from the voltage output terminal 10 increased voltage depends on the number of pump circuits. 1

In der Zwischenzeit dient der Pull-Up-Transistor 5 zum Aufrechterhalten der Spannung von Vcc-Vth am Spannungsausgangsanschluß 10, wenn die Pumpschaltkreise 1 nicht arbeiten. Wenn auch der Klemmtransistor 3 ein NMOS-Transistor ist, arbeitet er im Durchbruchbereich, da sein Gateanschluß mit dem Erdpotentialanschluß verbunden ist.In the meantime, the pull-up transistor 5 serves to maintain the voltage of Vcc-Vth at the voltage output terminal 10 when the pump circuits 1 are not operating. Even if the clamping transistor 3 is an NMOS transistor, it works in the breakdown region since its gate connection is connected to the ground potential connection.

In einer solchen herkömmlichen Schaltung wird, wann immer die Pumptaktimpulse 4, 4′ an die Pumpschaltkreise 1 angelegt werden, die Spannung des Pumpschaltkreises 1 erhöht, und die erhöhte Spannung wird von dem Klemmtransistor 3 gehalten.In such a conventional circuit, whenever the pump clock pulses 4, 4 'are applied to the pump circuits 1 , the voltage of the pump circuit 1 is increased, and the increased voltage is held by the clamping transistor 3 .

Demzufolge erfährt der Klemmtransistor direkt die von der erhöhten Spannungsabgabe verursachte Belastung und wird daher leicht zerstört. Darüber hinaus wird der Klemmtransistor von verschiedenen Faktoren beeinflußt, die bei seinem Herstellungsprozeß auftreten, so daß die Durchbruchsspannung nicht auf einem bestimmten Wert festgelegt sein muß, wodurch es schwierig wird, den erhöhten Spannungswert einzustellen. Nach der Herstellung der Speichervorrichtung ist es unmöglich, den erhöhten Spannungswert in geeigneter Weise einzustellen.As a result, the clamp transistor directly experiences that of the increased voltage output causes stress and therefore easily destroyed. In addition, the clamping transistor influenced by various factors involved in its manufacturing process occur so that the breakdown voltage need not be set to a particular value, whereby it becomes difficult to adjust the increased voltage value. After making the storage device, it is impossible to set the increased voltage value appropriately.

Im folgenden wird Bezug genommen auf Fig. 2. Eine in Fig. 2 gezeigte Schaltung zum Erzeugen einer erhöhten Lösch- oder Programmierspannung umfaßt einen ersten und einen zweiten Pull-Up-Transistor 11 und 12, deren Drain- und Gateanschlüsse mit einem Sourcespannungsanschluß Vcc verbunden sind, und eine Mehrzahl von Spannungserhöhungsschaltkreisen 100, die in Reihe zwischen dem Sourceanschluß des ersten Pull-Up-Transistors 11 und dem Sourceanschluß des zweiten Pull-Up-Transistors 12 geschaltet sind, wobei die Source des zweiten Pull-Up-Transistors mit dem Spannungsausgang 19 verbunden ist. Der Spannungspumpschaltkreis 100 umfaßt Kondensatoren 13, 15 und Transistoren 14, 16, entsprechend wie der Pumpschaltkreis gemäß Fig. 1. Die ersten und zweiten Pull-Up-Transistoren sind jeweils von derselben Art wie der NMOS-Transistor 2 und der Pull-Up-Transistor 5.In the following reference is made to Fig. 2 comprises a circuit shown in Fig. 2 for generating an elevated erase or programming voltage a first and a second pull-up transistor 11 and 12 whose drain and gate terminals connected to a source voltage terminal Vcc and a plurality of step-up circuits 100 connected in series between the source of the first pull-up transistor 11 and the source of the second pull-up transistor 12 , the source of the second pull-up transistor having the voltage output 19 is connected. The voltage pump circuit 100 includes capacitors 13, 15 and transistors 14, 16 , corresponding to the pump circuit shown in FIG. 1. The first and second pull-up transistors are each of the same type as the NMOS transistor 2 and the pull-up transistor 5 .

Zwischen dem Spannungsausgangsanschluß 19 und dem Spannungspumpschaltkreis 100 ist ein Rückführschaltkreis angeordnet. Der Rückführschaltkreis umfaßt einen Spannungsmeßschaltkreis 200, der mit dem Spannungsausgangsanschluß 19 verbunden ist, einen Referenzspannungserzeugungsschaltkreis 300 zum Erzeugen einer gegebenen Referenzspannung, einen Vergleichs- und Verstärkerschaltkreis 400 zum Vergleichen des Ausgangs des Spannungsmeßschaltkreises 200 mit dem des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300 und zum Verstärken ihrer Differenz, und einen Pumpkontrollsignalerzeugungsschaltkreis 500 zum Empfangen der Ausgabe des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 zum Erzeugen von Pumpkontrollsignalen 17, 18, die an die Elektroden der Kondensatoren des Spannungspumpschaltkreises 100 angelegt werden.A feedback circuit is arranged between the voltage output terminal 19 and the voltage pump circuit 100 . The feedback circuit comprises a voltage sensing circuit 200, which is connected to the voltage output terminal 19, a reference voltage generating circuit 300 for generating a given reference voltage, a comparison and amplification circuit 400 for comparing the output of Spannungsmeßschaltkreises 200 with that of the reference voltage generating circuit 300 and amplifying their difference, and Pump control signal generation circuit 500 for receiving the output of the comparison and amplifier circuit 400 for generating pump control signals 17, 18 which are applied to the electrodes of the capacitors of the voltage pump circuit 100 .

Nun wird Bezug genommen auf Fig. 3 zum Darstellen der internen Schaltkreise von Fig. 2. Innerhalb des Spannungsmeßschaltkreises 200 sind EEPROM Sicherungsschaltkreise 210, 220 zum Messen des Programmierzustandes angeordnet, die alternativ mit dem Referenzspannungserzeugungschaltkreis 300, wie in Fig. 4 gezeigt, verbunden sein können.Reference is now made to FIG. 3 to illustrate the internal circuits of FIG. 2. Inside the voltage measurement circuit 200 , EEPROM fuse circuits 210, 220 for measuring the programming state are arranged, which are alternatively connected to the reference voltage generation circuit 300 as shown in FIG. 4 can.

Der Spannungsmeßschaltkreis 200 umfaßt einen ersten und einen zweiten Widerstand 201 und 202, die in Reihe zwischen dem Spannungsausgangsanschluß 19 und dem Erdspannungsanschluß Vss geschaltet sind, einen schaltbaren Widerstandsschaltkreis 250 mit einem ersten und einem zweiten schaltbaren, zum ersten Widerstand 201 parallel geschalteten Widerstand 203, 205 und 204, 206 und einem ersten und einem zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreis 210, 220, von denen die Ausgänge jeweils mit den ersten und zweiten schaltbaren Widerständen 203, 205 und 204, 206 verbunden sind. Die ersten und zweiten schaltbaren Widerstände umfassen Transistoren 205, 206 und Widerstände 203, 204, die zwischen dem Spannungsausgangsanschluß 19 und dem Ausgangsanschluß 207 des Spannungsmeßschaltkreises 200 mit den dazwischengefügten Widerständen 201 und 202 angeordnet sind. Die Gates der Transistoren 205 und 206 sind jeweils mit den Ausgängen der ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 verbunden. Die ersten und zweiten EEPROM-Schaltkreise umfassen Verarmungstransistoren 211, 221, deren Drainanschluß mit dem Erdpotential Vss und deren Gateanschluß mit dem Sourcespannungsanschluß verbunden ist, Floatinggate-Feldeffekttransistoren 212, 222, deren Kanäle zwischen dem Sourceanschluß der Verarmungstransistoren 211, 221 und dem Erdpotential Vss und deren Gateanschlüsse mit Resetsignalen 252, 254 verbunden sind, und Inverter 213, 233 zum Invertieren der Ausgänge der Ausgangsknoten zwischen dem Sourceanschluß der Verarmungstransistoren 211, 221 und dem Drainanschluß der Floatinggate-Feldeffekttransistoren 212, 222, um die Steuerelektroden der Transistoren 205, 206 des schaltbaren Widerstandsschaltkreises anzusteuern. Die Floatinggate-Feldeffekttransistoren 212, 222 dienen als EEPROM-Sicherungszelle, die entsprechend den am Drainanschluß angelegten Zellenzustandskontrollsignalen 251, 253 gelöscht oder programmiert wird.The voltage measuring circuit 200 comprises a first and a second resistor 201 and 202 , which are connected in series between the voltage output connection 19 and the ground voltage connection Vss, a switchable resistor circuit 250 with a first and a second switchable resistor 203, 205 connected in parallel with the first resistor 201 and 204, 206 and first and second EEPROM fuse circuits 210, 220 , the outputs of which are connected to the first and second switchable resistors 203, 205 and 204, 206 , respectively. The first and second switchable resistors include transistors 205, 206 and resistors 203, 204 which are arranged between the voltage output terminal 19 and the output terminal 207 of the voltage measuring circuit 200 with the resistors 201 and 202 interposed therebetween. The gates of transistors 205 and 206 are connected to the outputs of the first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 , respectively. The first and second EEPROM circuits include depletion transistors 211, 221 , the drain of which is connected to ground potential Vss and the gate of which is connected to the source voltage connection, floating gate field effect transistors 212, 222 , the channels of which are between the source of depletion transistors 211, 221 and the ground potential Vss and whose gates are connected to reset signals 252, 254 , and inverters 213, 233 for inverting the outputs of the output nodes between the source of the depletion transistors 211, 221 and the drain of the floating gate field-effect transistors 212, 222 , around the control electrodes of the transistors 205, 206 of the switchable To control the resistance circuit. The floating gate field effect transistors 212, 222 serve as an EEPROM fuse cell which is erased or programmed in accordance with the cell status control signals 251, 253 applied to the drain connection.

Der Referenzspannungserzeugungsschaltkreis 300 umfaßt Verarmungstransistoren 302, 305, die normalerweise im Ein-Zustand sind, deren Kanäle zwischen dem Sourcespannungsanschluß und dem Erdpotentialanschluß angeordnet sind, zwei NMOS-Transistoren 303, 304, die in Reihe zwischen die beiden Verarmungstransistoren 302, 305 geschaltet sind, wobei die Gates gemeinsam mit einem Schreibfreigabesignal verbunden sind, und einen Inverter 301 zum Invertieren des Schreibfreigabesignals , um die Gates der NMOS-Transistoren mit dem invertierten Signal zu versorgen. Der Vergleichs- und Verstärkerschaltkreis 400 umfaßt einen N- Kanal-Eingangstyp-Differentialverstärker aus zwei PMOS-Transistoren 403, 404 und drei NMOS-Transistoren 401, 402, 405. Der Gateanschluß des NMOS-Transistors 405, der mit dem Erdpotential Vss verbunden ist, empfängt das Schreibfreigabesignal über einen Inverter 406. Die Ausgabe des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 geht durch drei Inverter 407, 408 und 409.The reference voltage generating circuit 300 includes depletion transistors 302, 305 , which are normally in the on state, the channels of which are arranged between the source voltage connection and the ground potential connection, two NMOS transistors 303, 304 , which are connected in series between the two depletion transistors 302, 305 , whereby the gates are commonly connected to a write enable signal, and an inverter 301 for inverting the write enable signal to supply the inverted signal to the gates of the NMOS transistors. The comparison and amplifier circuit 400 comprises an N-channel input type differential amplifier made up of two PMOS transistors 403, 404 and three NMOS transistors 401, 402, 405 . The gate of NMOS transistor 405 , which is connected to ground potential Vss, receives the write enable signal via an inverter 406 . The output of the comparison and amplifier circuit 400 goes through three inverters 407, 408 and 409 .

Der Pumpkontrollsignalerzeungsschaltkreis 500 umfaßt zwei NOR- Gatter 501, 502, die gemeinsam vorgegebene Pumptaktimpulse Φp, das Schreibfreigabesignal und die Ausgabe des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 empfangen, und Inverter 503, 504, 505 zum Invertieren der Signale der beiden NOR-Gatter 501, 502, um zwei Pumpkontrollsignale entgegengesetzter Logik auszugeben.The pump control signal generation circuit 500 comprises two NOR gates 501, 502 , which collectively receive predetermined pump clock pulses φp, the write enable signal and the output of the comparison and amplifier circuit 400 , and inverters 503, 504, 505 for inverting the signals of the two NOR gates 501, 502 to output two pump control signals of opposite logic.

Nun wird Bezug genommen auf Fig. 4. Der Referenzspannungserzeugungsschaltkreis 300 ist mit dem schaltbaren Widerstandskreis 340 und den Programmierzustanderkennungsschaltkreisen 210, 220 verbunden. Der schaltbare Widerstandsschaltkreis 340 umfaßt Verarmungstransistoren 307, 309, deren Gateanschlüsse und Sourceanschlüsse gemeinsam mit dem Erdpotentialanschluß Vss verbunden sind, was von Fig. 3 abweicht.Reference is now made to FIG. 4. The reference voltage generation circuit 300 is connected to the switchable resistance circuit 340 and the programming state detection circuits 210, 220 . The switchable resistance circuit 340 comprises depletion transistors 307, 309 , whose gate connections and source connections are connected together to the ground potential connection Vss, which differs from FIG. 3.

Die ersten und zweiten schaltbaren Widerstände 306, 307 und 308, 309 des Widerstandsschaltkreises 340 umfassen NMOS-Transistoren 306 und 308 und Verarmungstransitoren 307 und 309, die in Reihe zwischen dem Ausgang des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises und dem Erdpotentialanschluß angeordnet sind. Die Gateanschlüsse der NMOS-Transistoren 306 und 308 sind jeweils mit den Ausgängen 230 und 240 der ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 verbunden. Die ersten und zweiten Programmierzustanderkennungsschaltkreise 210 und 220 umfassen Verarmungstransitoren 212, 222 und Inverter 213, 223, entsprechend Fig. 3. The first and second switchable resistors 306, 307 and 308, 309 of the resistance circuit 340 include NMOS transistors 306 and 308 and depletion transistors 307 and 309 arranged in series between the output of the reference voltage generating circuit and the ground potential terminal. The NMOS transistors 306 and 308 have their gates connected to the outputs 230 and 240 of the first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 , respectively. The first and second programming state detection circuits 210 and 220 include depletion transistors 212, 222 and inverters 213, 223 , as shown in FIG. 3.

Auf der anderen Seite besteht der Spannungsmeßschaltkreis 200 aus den ersten und zweiten Widerständen 201 und 202, die in Reihe zwischen dem Spannungsausgangsanschluß 19 und dem Erdpotentialanschluß geschaltet sind.On the other hand, the voltage measuring circuit 200 is composed of the first and second resistors 201 and 202 connected in series between the voltage output terminal 19 and the ground potential terminal.

Der Betrieb des Schaltkreises wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 2-4 beschrieben.The operation of the circuit will now be described with reference to Figs. 2-4.

Zunächst wird auf Fig. 3 Bezug genommen. Die Spannung des Spannungsausgangsanschlusses 19 wird auf dem Wert Vcc-Vth gehalten aufgrund des zweiten Pull-Up-Transistors 12 im Anfangszustand, wenn der Spannungspumpschaltkreis 100 keine Spannung erzeugt.First, reference is made to FIG. 3. The voltage of the voltage output terminal 19 is kept at Vcc-Vth due to the second pull-up transistor 12 in the initial state when the voltage pump circuit 100 does not generate voltage.

Wenn das Schreibfreigabesignal im "niedrigen" Zustand freigegeben wird, um Daten zu programmieren, wird die Ausgabe 310 des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300 durch die Verarmungstransistoren 302 und 305 geteilt, um die Referenzspannung zu ergeben, und die Ausgabe 410 des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 geht in den "niedrigen" Zustand, so daß der Pumpkontrollsignalerzeugungsschaltkreis 500 auf die Pumptaktimpulse Φp antwortet, um die Pumpkontrollsignale 17 und 18 mit entgegengesetzter Logik jeweils an eine Elektrode der Kondensatoren 13 und 15 des Spannungspumpschaltkreises 100 anzulegen.When the write enable signal is enabled in the "low" state to program data, the output 310 of the reference voltage generation circuit 300 is divided by the depletion transistors 302 and 305 to give the reference voltage, and the output 410 of the comparison and amplifier circuit 400 goes into FIG "low" state, so that the pump control signal generating circuit 500 responds to the pump clock pulses Φp to the pump control signals 17 and 18 of opposite logic in each case to an electrode of the capacitors 13 and 15 of the voltage pump circuit 100 to be created.

Wenn das Pumpkontrollsignal 17 im "hohen" Zustand an den Gateanschluß und Drainanschluß des Transistors 14 angelegt wird, der mit dem Sourceanschluß des ersten Pull-Up-Transistors 11 verbunden ist, dessen Gateanschluß und Drainanschluß mit dem Versorgungsspannungsanschluß Vcc verbunden ist, wobei Gate und Drain des Transistors 14 ursprünglich mit dem Wert Vcc-Vth beaufschlagt waren, erreicht die Spannung einen höheren Wert, der an den Drainanschluß des Transistors 16 der nächsten Stufe angelegt wird, und die Spannung des Spannungsausgangsschaltkreises 19 wird auf einen Wert angehoben, der entsprechend den Pumptaktimpulsen 17 und 18 genügend hoch zum Programmieren ist.When the pump control signal 17 is "high" applied to the gate and drain of transistor 14 , which is connected to the source of first pull-up transistor 11 , the gate and drain of which is connected to supply voltage terminal Vcc, with gate and drain of the transistor 14 was originally supplied with the value Vcc-Vth, the voltage reaches a higher value which is applied to the drain of the transistor 16 of the next stage, and the voltage of the voltage output circuit 19 is raised to a value which corresponds to the pump clock pulses 17 and 18 is high enough for programming.

Dann wird die Spannung des Spannungsausgangsanschlusses 19 durch den Spannungsmeßschaltkreis 200 gemessen, dessen Ausgangssignal 260 mit dem Ausgangssignal 310 des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300 im Vergleichs- und Verstärkerschaltkreis 400 verglichen wird. Wenn das Ausgangsignal 260 des Spannungsmeßschaltkreises 200 niedriger ist als das Ausgangssignal des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300, geht der Ausgang des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 in den "niedrigen" Zustand, so daß der Spannungspumpschaltkreis 100 weiterhin als Antwort auf die Pumptaktimpulse Φp die Spannung des Spannungsausgangsschaltkreises 19 erhöht.The voltage of the voltage output terminal 19 is then measured by the voltage measuring circuit 200 , the output signal 260 of which is compared with the output signal 310 of the reference voltage generating circuit 300 in the comparison and amplifier circuit 400 . If the output signal 260 of the voltage measurement circuit 200 is lower than the output signal of the reference voltage generation circuit 300 , the output of the comparison and amplifier circuit 400 goes into the "low" state, so that the voltage pump circuit 100 continues to increase the voltage of the voltage output circuit 19 in response to the pump clock pulses φp .

Wenn alternativ das Ausgangssignal des Spannungsmeßschaltkreises 200 höher ist als das Ausgangssignal des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300, geht der Ausgang des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 in den "hohen" Zustand, und die Pumpkontrollsignale 17 und 18 gehen jeweils in den "hohen" und "niedrigen" Zustand, so daß der Pumpschaltkreis 100 nicht mehr auf die Pumptaktimpulse Φp reagiert und die Pumpoperation beendet und daher nicht weiter die Spannung des Spannungsausgangsanschlusses 19 erhöht. Also wird die Spannung des Spannungsausgangsanschlusses immer konstant gehalten. Alternatively, when the output of voltage measurement circuit 200 is higher than the output of reference voltage generation circuit 300 , the output of comparison and amplifier circuit 400 goes "high" and pump control signals 17 and 18 go "high" and "low", respectively , so that the pump circuit 100 no longer responds to the pump clock pulses Φp and ends the pumping operation and therefore does not further increase the voltage of the voltage output connection 19 . So the voltage of the voltage output connection is always kept constant.

Darüber hinaus wird die Spannung des Spannungsausgangsanschlusses 19 durch Kontrollen des Wertes des Ausgangssignals 260 des Spannungsmeßschaltkreises 200 überwacht, was durch den schaltbaren Widerstandsschaltkreis 250 und die ersten und zweiten EEPROM-Schaltkreise 210 und 220 durchgeführt wird.In addition, the voltage of the voltage output terminal 19 is monitored by controlling the value of the output signal 260 of the voltage measurement circuit 200 , which is performed by the switchable resistance circuit 250 and the first and second EEPROM circuits 210 and 220 .

Da die Gates der Transistoren 205 und 206 des dynamischen Widerstandsschaltkreises 250, die parallel mit dem ersten Widerstand 201 geschaltet sind, jeweils mit den Ausgängen 230 und 240 des ersten und des zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreises 210 und 220 verbunden sind, verändern sich die Werte der Widerstände zum Messen und Dividieren der Spannung des Spannungsausgangsschaltkreises 19 entsprechend den Ausgangszuständen der ersten und zweiten EEPROM-Schaltkreise 210 und 220, wodurch der Ausgang des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 so angepaßt wird, daß die gewünschte erhöhte Spannung erhalten wird.Since the gates of transistors 205 and 206 of dynamic resistance circuit 250 , which are connected in parallel with first resistor 201 , are connected to outputs 230 and 240 of first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 , the values of the resistances change for measuring and dividing the voltage of the voltage output circuit 19 according to the output states of the first and second EEPROM circuits 210 and 220 , thereby adjusting the output of the comparison and amplifier circuit 400 so that the desired increased voltage is obtained.

Wenn es keinen schaltbaren Widerstandsschaltkreis 250 und nicht die ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 gäbe, wäre die Ausgangsspannung herstellungsbedingt vorgegeben.If there were no switchable resistance circuit 250 and not the first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 , the output voltage would be predetermined due to the manufacturing process.

Die Signale 230 und 240 des ersten und zweiten Programmiermeßschaltkreises 210 und 220 verändern sich entsprechend dem Speicherzustand der EEPROM-Sicherungszellen 212 und 222, das heißt, sind von den Zellenzustandskontrollsignalen 251, 253 und den Resetsignalen 252, 254 bestimmt, die jeweils an die Drainanschlüsse und Kontrollgateanschlüsse der EEPROM-Sicherungszellen 212, 222, die aus Floatinggate-Feldeffekttransistoren bestehen, angelegt werden, was die gleiche Operation ist, wie die des Löschens oder Programmierens einer herkömmlichen EEPROM-Zelle.The signals 230 and 240 of the first and second programming measurement circuits 210 and 220 change in accordance with the memory state of the EEPROM fuse cells 212 and 222 , that is to say are determined by the cell status control signals 251, 253 and the reset signals 252, 254 , which are in each case connected to the drain connections and Control gate terminals of the EEPROM fuse cells 212, 222 , which consist of floating gate field effect transistors, are applied, which is the same operation as that of erasing or programming a conventional EEPROM cell.

Das heißt, die Resetsignale 252, 254 sind dieselben wie das an die Wortleitung einer EEPROM-Zelle angelegte Signal, während die Zustandskontrollsignale 251, 253 dieselben sind, wie das an die mit dem Drain einer EEPROM-Zelle verbundene Bitleitung angelegte Signal.That is, the reset signals 252, 254 are the same as the signal applied to the word line of an EEPROM cell, while the status control signals 251, 253 are the same as the signal applied to the bit line connected to the drain of an EEPROM cell.

Wenn daher das Resetsignal und das Zellenzustandskontrollsignal jeweils z. B. eine Spannung von 18 V und 0 V besitzen, werden die EEPROM-Sicherungszellen 212, 222 alle durch Ladungsträgerinjektion gelöscht. Wenn andererseits das Resetsignal und das Zellenzustandskontrollsignal jeweils eine Spannung vn 0 V und 18 V besitzen, werden die EEPROM-Sicherungszellen durch Ladungsträgerverarmung programmiert.Therefore, when the reset signal and the cell condition control signal are each e.g. B. have a voltage of 18 V and 0 V, the EEPROM fuse cells 212, 222 are all deleted by charge carrier injection. On the other hand, if the reset signal and the cell status control signal each have a voltage of 0 V and 18 V, the EEPROM fuse cells are programmed by charge carrier depletion.

Die EEPROM-Sicherungszellen 212, 222 erhalten die Schwellenspannung in ihrem gelöschten Zustand, so daß, selbst wenn die Resetsignale 252, 254 mit einem Wert von 1 V bis 2 V an die Kontrollgates angelegt werden, um den Speicherzustand der Zellen auszulesen, die Zellen nicht leiten. Daher gehen in diesem Fall die Ausgänge 230, 240 der EEPROM-Sicherungszellen 210, 220 in den "niedrigen" Zustand für die Zellen, die nicht leiten.The EEPROM fuse cells 212, 222 maintain the threshold voltage in their cleared state so that even if the reset signals 252, 254 are applied to the control gates with a value of 1 V to 2 V to read out the memory state of the cells, the cells will not conduct. In this case, therefore, the outputs 230, 240 of the EEPROM fuse cells 210, 220 go into the "low" state for the cells that are not conducting.

Wenn demgegenüber die EEPROM-Sicherungszellen 212, 222 programmiert sind, liegt die Schwellenspannung bei etwa -2 V, so daß Resetsignale 252, 254 von etwa 1 V bis 2 V die Zellen leitfähig machen und daher die Ausgänge der entsprechenden EEPROM-Sicherungszellen in den "hohen" Zustand bringen. Daher können die NMOS-Transistoren 205, 206 des schaltbaren Widerstandsschaltkreises 250 leiten.In contrast, if the EEPROM fuse cells 212, 222 are programmed, the threshold voltage is approximately -2 V, so that reset signals 252, 254 of approximately 1 V to 2 V make the cells conductive and therefore the outputs of the corresponding EEPROM fuse cells in the " bring high "condition. Therefore, the NMOS transistors 205, 206 of the switchable resistance circuit 250 can conduct.

Wenn der schaltbare Widerstandsschaltkreis 250 derart betrieben wird, daß er einen Widerstand parallel zum ersten Widerstand 201 bildet, besitzt der Ausgang 260 des Spannungsmeßschaltkreises 200 einen niedrigeren Spannungswert als der Ausgang 310 des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300, so daß der Ausgang 410 des Vergleichs- und Verstärkerschaltkreises 400 in den "niedrigen" Zustand gebracht wird, wodurch der Pumpschaltkreis 100 veranlaßt wird, die Spannung des Spannungsausgangsanschlusses 19 wie oben beschrieben zu erhöhen.When the switchable resistance circuit 250 is operated to form a resistor in parallel with the first resistor 201 , the output 260 of the voltage measurement circuit 200 has a lower voltage value than the output 310 of the reference voltage generation circuit 300 , so that the output 410 of the comparison and amplifier circuit 400 in is brought to the "low" state, causing the pump circuit 100 to increase the voltage of the voltage output terminal 19 as described above.

Der Spannungswert des Ausgangs 260 des Spannungsmeßschaltkreises 200 wird nun entsprechend den Zuständen der Ausgänge 230, 240 der ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210, 220 beschrieben. Es wird angenommen, daß die Werte der ersten und zweiten Widerstände 201 und 202 und der Widerstandselemente 203 und 204 jeweils R1, R2, R3 und R4 betragen und daß die Spannungen des Spannungsausgangsanschlusses 19 und des Spannungsmeßschatkreises 200 jeweils Vpp und Vpd sind.The voltage value of the output 260 of the voltage measurement circuit 200 will now be described according to the states of the outputs 230, 240 of the first and second EEPROM fuse circuits 210, 220 . It is assumed that the values of the first and second resistors 201 and 202 and the resistor elements 203 and 204 are R1, R2, R3 and R4, respectively, and that the voltages of the voltage output terminal 19 and the voltage measuring circuit 200 are Vpp and Vpd, respectively.

Wenn die Ausgänge 230 und 240 der EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 jeweils im "hohen" und "niedrigen" Zustand sind, gilt Vpd = R2× Vpp/(R1//R3)+R2). Wenn andererseits die Ausgänge 230 und 240 jeweils im "niedrigen" und "hohen" Zustand sind, gilt Vpd = R2×Vpp(R1//R4+ R2). Wenn die Ausgänge alle im "hohen" Zustand sind, gilt Vpd = R2× Vpp/(R1//R3//R4+R2). Die Ausgangsspannung des Spannungsausgangsanschlusses 19 wird durch Kontrolle des Meßwerts des Spannungsmeßschaltkreises 200 im Ausführungsbeispiel der Fig. 3 eingestellt, dies wird hingegen in dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 durch Kontrolle des Referenzspannungswertes erreicht. Der schaltbare Widerstandsschaltkreis 340 ist nämlich zwischen dem Ausgang 350 des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300 und dem Erdpotentialanschluß angeschlossen, so daß die Ausgangsspannung geteilt wird. Die Widerstandselemente des schaltbaren Widerstandsschaltkreises sind Verarmungstransistoren, deren Gate und Kanal mit dem Erdpotential verbunden sind, was von dem Ausührungsbeispiel gemäß Fig. 3 abweicht.When the outputs 230 and 240 of the EEPROM fuse circuits 210 and 220 are in the "high" and "low" states, respectively, Vpd = R2 × Vpp / (R1 // R3) + R2). On the other hand, when the outputs 230 and 240 are in the "low" and "high" states, respectively, Vpd = R2 × Vpp (R1 // R4 + R2). If the outputs are all in the "high" state, Vpd = R2 × Vpp / (R1 // R3 // R4 + R2) applies. The output voltage of the voltage output connection 19 is set by checking the measured value of the voltage measuring circuit 200 in the exemplary embodiment in FIG. 3, but this is achieved in the exemplary embodiment in accordance with FIG. 4 by checking the reference voltage value. That is, the switchable resistance circuit 340 is connected between the output 350 of the reference voltage generating circuit 300 and the ground potential terminal, so that the output voltage is divided. The resistance elements of the switchable resistance circuit are depletion transistors, the gate and channel of which are connected to ground potential, which differs from the exemplary embodiment according to FIG. 3.

Die Gates der NMOS-Transistoren 306 und 308 des schaltbaren Widerstandsschaltkreises 340 sind jeweils mit den Ausgängen 230 und 240 der ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 verbunden. Wenn daher die EEPROM-Sicherungszellen 212, 222 alle gelöscht sind, gehen alle Ausgänge in den "niedrigen" Zustand, so daß die NMOS-Transistoren 306 und 308 alle ausgeschaltet werden. Infolgedessen beeinflussen die Verarmungstransistoren 307 und 309 als die Spannungsteilungswiderstandselemente nicht die Spannung des Ausgangsanschlusses 350 des Referenzspannungserzeugungsschaltkreises 300.The gates of the NMOS transistors 306 and 308 of the switchable resistor circuit 340 are connected to the outputs 230 and 240 of the first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 , respectively. Therefore, when the EEPROM fuse cells 212, 222 are all cleared, all of the outputs go low so that the NMOS transistors 306 and 308 are all turned off. As a result, the depletion transistors 307 and 309 as the voltage dividing resistance elements do not affect the voltage of the output terminal 350 of the reference voltage generation circuit 300 .

Wenn jedoch die Ausgänge 230 und 240 der ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 jeweils "hoch" und "niedrig" oder "niedrig" und "hoch" pder alle "hoch" sind, wird der Spannungswert des Ausgangsanschlusses 350 so kontrolliert, daß der Wert der erzeugten erhöhten Spannung geändert wird.However, when the outputs 230 and 240 of the first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 are "high" and "low" or "low" and "high" or all "high", the voltage value of the output terminal 350 is controlled so that the value of the increased voltage generated is changed.

Die ersten und zweiten EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220, die gemeinsam in den Fig. 3 und 4 verwendet werden, kontrollieren den Wert der Lösch- und Programmierspannung entsprechend dem gelöschten und programmierten Zustand der EEPROM-Sicherungszellen 212 und 222. Wenn zum Beispiel der programmierte Zustand ungenau ist, weil die Elektronen im Floatinggate nicht völlig abgesogen sind, obwohl die Programmierspannung von etwa 16 V an das Drain zum Programmieren der Speicherzelle angelegt ist, ist es notwendig, die Programmierspannung mit einem höheren Wert beim erneuten Programmieren der Zelle anzulegen. Eine ähnliche Prozedur wird beim Löschen der Zelle angewandt. Wenn die EEPROM-Sicherungsschaltkreise 210 und 220 nicht im Schaltkreis vorgesehen wären, könnte der Wert des Spannungsausgangsanschlusses 19 durch den Schaltkreis aus dem Spannungsmeßschaltkreis 200, dem Referenzspannungserzeugungsschaltkreis 300 und dem Vergleichs- und Verstärkerschaltkreis 400 zwar konstant gehalten werden, aber es wäre nicht möglich, den an einen geeigneten Wert entsprechend dem programmierten Zustand der Speicherzelle angepaßten erhöhten Spannungswert zu erhalten.The first and second EEPROM fuse circuits 210 and 220 , which are used in common in FIGS. 3 and 4, control the value of the erase and programming voltage according to the erased and programmed state of the EEPROM fuse cells 212 and 222 . For example, if the programmed state is inaccurate because the electrons in the floating gate are not completely drawn off, even though the programming voltage of approximately 16 V is applied to the drain for programming the memory cell, it is necessary to set the programming voltage with a higher value when reprogramming the Create cell. A similar procedure is used when deleting the cell. If the EEPROM fuse circuits 210 and 220 were not provided in the circuit, the value of the voltage output terminal 19 could be kept constant by the circuit of the voltage measurement circuit 200 , the reference voltage generation circuit 300 and the comparison and amplifier circuit 400 , but it would not be possible to obtain an increased voltage value adapted to a suitable value in accordance with the programmed state of the memory cell.

Claims (5)

1. Schaltung zur Erzeugung einer gegenüber einer extern zugeführten Versorgungsspannung (Vcc) erhöhten Lösch- oder Programmierspannung in einer Halbleiter-Speicherschaltung mit:
einem Ausgang (19) für die erzeugte erhöhte Lösch- oder Programmierspannung, und
einer Anzahl von miteinander seriell und zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und dem Ausgang verschalteter Spannungserhöhungsschaltkreisen (100), die von gegenphasigen Taktimpulsen (17, 18) gesteuert werden, gekennzeichnet durch:
eine Spannungsteilereinrichtung (200) bestehend aus einem ersten (201, 250) und zweiten (202) Widerstandsnetzwerk, die miteinander seriell und zwischen dem Ausgang (19) und dem Erdpotential (Vss) verschaltet sind, wobei das erste Widerstandsnetzwerk (201, 250) eine Parallelschaltung mehrerer Widerstände (201, 203, 204) aufweist, von denen zumindest ein Widerstand (203, 204) über einen mit diesem seriell verschalteten Transistor (205, 206) zu- oder abschaltbar ist,
eine Referenzspannungserzeugungsschaltung (300), die zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und dem Erdpotential (Vss) verschaltet ist, zum Bereitstellen einer vorgegebenen Referenzspannung,
einer Differenzverstärkerschaltung (400) zum Bereitstellen der verstärkten Differenz zwischen zwei Eingangssignalen, wobei das erste Eingangssignal die Referenzspannung ist und das zweite Eingangssignal eine zwischen den beiden Widerstandsnetzwerken (201, 250; 202) abgegriffene geteilte Ausgangsspannung ist,
eine Taktimpuls-Abgabeeinrichtung (500) zur Unterbrechung der Taktimpulse in Abhängigkeit des Ausgangssignals der Differenzverstärkerschaltung (400) dann, wenn die Lösch- oder Programmierspannung ausreichend hoch ist, und
eine Korrekturschaltung (210, 220) für die Lösch- und Programmierspannung zum Erzeugen mindestens eines Schaltsignals zum Steuern des Transistsors (205, 206) in dem ersten Widerstandsnetzwerk (201, 250) in Abhängigkeit mehrerer an Eingängen anliegender externer Korrektursignale, um dadurch das Teilverhältnis der Spannungsteilereinrichtung zu korrigieren (Fig. 3).
1. Circuit for generating an erase or programming voltage which is higher than an externally supplied supply voltage (Vcc) in a semiconductor memory circuit with:
an output ( 19 ) for the generated erase or programming voltage, and
a number of voltage boosting circuits ( 100 ) connected in series with one another and between the supply voltage (Vcc) and the output and controlled by clock pulses ( 17, 18 ) in phase opposition, characterized by :
a voltage divider device ( 200 ) consisting of a first ( 201, 250 ) and a second ( 202 ) resistor network, which are connected to one another in series and between the output ( 19 ) and the ground potential (Vss), the first resistor network ( 201, 250 ) being a Parallel connection of several resistors ( 201, 203, 204 ), of which at least one resistor ( 203, 204 ) can be switched on or off via a transistor ( 205, 206 ) connected in series with this,
a reference voltage generation circuit ( 300 ), which is connected between the supply voltage (Vcc) and the ground potential (Vss), for providing a predetermined reference voltage,
a differential amplifier circuit ( 400 ) for providing the amplified difference between two input signals, the first input signal being the reference voltage and the second input signal being a divided output voltage tapped between the two resistor networks ( 201, 250; 202 ),
a clock pulse output device ( 500 ) for interrupting the clock pulses in dependence on the output signal of the differential amplifier circuit ( 400 ) when the erase or programming voltage is sufficiently high, and
a correction circuit ( 210, 220 ) for the erase and programming voltage for generating at least one switching signal for controlling the transistor ( 205, 206 ) in the first resistor network ( 201, 250 ) as a function of a plurality of external correction signals applied to inputs, in order thereby to reduce the partial ratio of the Correct voltage divider device ( Fig. 3).
2. Schaltung zur Erzeugung einer gegenüber einer extern zugeführten Versorgungsspannung (Vcc) erhöhten Lösch- oder Programmierspannung in einer Halbleiter-Speicherschaltung mit:
einem Ausgang (19) für die erzeugte erhöhte Spannung, und
einer Anzahl von miteinander seriell und zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und dem Ausgang verschalteter Spannungserhöhungsschaltkreisen (100), die von gegenphasigen Taktimpulsen gesteuert werden, gekennzeichnet durch:
eine Spannungsteilereinrichtung (200),
eine Referenzspannungserzeugungsschaltung (300), die zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und dem Erdpotential (Vss) verschaltet ist, zum Bereitstellen einer Referenzspannung, wobei die Referenzspannungserzeugungsschaltung ein Widerstandsnetzwerk (340) mit einer Parallelschaltung mehrerer Widerstände (307, 309) aufweist, von denen zumindest ein Widerstand über einen mit diesem seriell verschalteten Transistor (306, 308) zu- oder abschaltbar ist,
eine Differenzverstärkerschaltung (400) zum Bereitstellen der verstärkten Differenz zwischen zwei Eingangssignalen, wobei das erste Eingangssignal die Referenzspannung ist und das zweite Eiganngssignal eine durch die Spannungsteilereinrichtung (200) geteilte Ausgangsspannung ist,
eine Taktimpuls-Abgabeeinrichtung (500) zur Unterbrechung der Taktimpulse in Abhängigkeit des Ausgangssignals der Differenzverstärkerschaltung (400) dann, wenn die Lösch- oder Programmierspannung ausreichend hoch ist, und
eine Korrekturschaltung (210, 220) für die Lösch- oder Programmierspannung zum Erzeugen mindestens eines Schaltsignals zum Steuern des Transistors (306, 308) in dem Widerstandsnetzwerk (340), in Abhängigkeit mehrerer an Eingängen (251, 252, 253, 254) anliegender externer Korrektursignale, um dadurch die Referenzspannung zu korrigieren (Fig. 4).
2. Circuit for generating an erase or programming voltage which is higher than an externally supplied supply voltage (Vcc) in a semiconductor memory circuit with:
an output ( 19 ) for the generated increased voltage, and
a number of voltage boosting circuits ( 100 ) connected in series with one another and between the supply voltage (Vcc) and the output, which are controlled by counter-phase clock pulses, characterized by:
a voltage divider device ( 200 ),
a reference voltage generation circuit ( 300 ), which is connected between the supply voltage (Vcc) and the ground potential (Vss), for providing a reference voltage, the reference voltage generation circuit having a resistance network ( 340 ) with a parallel connection of a plurality of resistors ( 307, 309 ), at least of which a resistor can be switched on or off via a transistor ( 306, 308 ) connected in series with this,
a differential amplifier circuit ( 400 ) for providing the amplified difference between two input signals, the first input signal being the reference voltage and the second input signal being an output voltage divided by the voltage divider device ( 200 ),
a clock pulse output device ( 500 ) for interrupting the clock pulses in dependence on the output signal of the differential amplifier circuit ( 400 ) when the erase or programming voltage is sufficiently high, and
a correction circuit ( 210, 220 ) for the erase or programming voltage for generating at least one switching signal for controlling the transistor ( 306, 308 ) in the resistance network ( 340 ), depending on a number of external ones connected to inputs ( 251, 252, 253, 254 ) Correction signals to thereby correct the reference voltage ( Fig. 4).
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Referenzspannungserzeugungsschaltung (300) sowie die Taktimpuls-Abgabeeinrichtung (500) von einem Schreibsignal () gesteuert sind.3. A circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the reference voltage generating circuit ( 300 ) and the clock pulse output device ( 500 ) are controlled by a write signal ().
4. Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Korrekturschaltung (210, 220) mindestens einen EEPROM-Sicherungsschaltkreis aufweist, bestehend aus einem Verarmungs-Typ-Transistor (211), dessen Drainanschluß mit der Versorgungsspannung (Vcc) verbunden ist und dessen Sourceanschluß mit dem Gateanschluß verbunden ist, und eine über ihren Drainanschluß in Serie zu diesem Transistor (211) verschaltete, durch die externen Korrektursignale (251, . . . 254) programmierbare EEPROM-Sicherungszelle (212) aufweist, wobei die Spannung zwischen dem Verarmungs-Typ-Transistor (211) und der EEPROM-Sicherungszelle (212) als Schaltsignal für den Transistor (205, 296; 306, 308) in dem Widerstandsnetzwerk (201, 250, 282, 340) verwendet wird.4. Circuit according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the correction circuit ( 210, 220 ) has at least one EEPROM fuse circuit, consisting of a depletion-type transistor ( 211 ), the drain connection of which is connected to the supply voltage (Vcc) and whose source connection is connected to the gate connection, and has an EEPROM fuse cell ( 212 ), which is connected in series with this transistor ( 211 ) via its drain connection and is programmable by the external correction signals ( 251 ,... 254 ), the voltage between the depletion type transistor ( 211 ) and the EEPROM fuse cell ( 212 ) is used as a switching signal for the transistor ( 205, 296; 306, 308 ) in the resistance network ( 201, 250, 282, 340 ).
5. Schaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Taktimpuls-Abgabeeinrichtung (500) NOR-Gatter (501, 502) aufweist, die eingangsseitig das Schreibsignal (), das Differenzsignal (410) sowie die Taktimpulse (ΦP) erhalten.5. A circuit according to claim 3 or 4, characterized in that the clock pulse output device ( 500 ) has NOR gates ( 501, 502 ) which receive the write signal (), the difference signal ( 410 ) and the clock pulses (ΦP) on the input side.
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