DE19681425B3 - Schaltung und Verfahren zum Regeln einer Spannung - Google Patents
Schaltung und Verfahren zum Regeln einer Spannung Download PDFInfo
- Publication number
- DE19681425B3 DE19681425B3 DE19681425T DE19681425T DE19681425B3 DE 19681425 B3 DE19681425 B3 DE 19681425B3 DE 19681425 T DE19681425 T DE 19681425T DE 19681425 T DE19681425 T DE 19681425T DE 19681425 B3 DE19681425 B3 DE 19681425B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- terminal
- coupled
- regulated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/12—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac
- G05F1/40—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using discharge tubes or semiconductor devices as final control devices
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
- G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/205—Substrate bias-voltage generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Dram (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
Schaltung (20) zum Regeln einer Spannung durch Steuern eines Spannungserzeugers (18), umfassend: einen Spannungsteiler (24), der zwischen die geregelte Spannung (Vint) und eine Versorgungsspannung (Vcc) gekoppelt und betreibbar ist, um eine Lesespannung zu erzeugen; eine Klemmschaltung (22), die parallel zum Teiler (24) gekoppelt und betreibbar ist, um die empfindliche Abhängigkeit zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und der regulierten Spannung (Vint) dadurch zu verringern, dass die Spannung an der Klemmschaltung (22) im wesentlichen daran gehindert wird, einen vorbestimmten Wert zu übersteigen; und eine Detektorschaltung (26), die zwischen den Teiler (24) und den Spannungserzeuger (18) gekoppelt und betreibbar ist, um ein Steuersignal zu erzeugen, welches den Spannungserzeuger (18) deaktiviert, wenn die Lesespannung einen ersten vorbestimmten Schwellenwert erreicht, und den Spannungserzeuger (18) aktiviert, wenn die Lesespannung einen zweiten vorbestimmten Schwellenwert erreicht.
Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein elektronische Bauelemente, insbesondere eine Schaltung zum Regeln einer Spannung. Gemäß einem Aspekt der Erfindung kann ein integriertes Bauelement, bspw. eine Speicherschaltung, die Reglerschaltung beinhalten, welche eine Spannung regelt, die das Bauelement intern erzeugt.
- Hintergrund der Erfindung
- Zahlreiche integrierte Bauelemente beinhalten eine Schaltung, die mittels einer externen Energiequelle eine geregelte Spannung erzeugt, die für den internen Gebrauch innerhalb des Bauelements vorgesehen ist. Beispielsweise kann ein elektrisch löschbarer und programmierbarer Festspeicher (EEPROM) eine solche Schaltung enthalten, um intern eine Programmierspannung aus einer externen Speisespannung zu erzeugen. Andererseits kann ein Speicherbauelement, wie z. B. ein dynamischer Schreib-/Lese-Speicher (DRAM) sowie andere Typen integrierter Schaltungen derartige Schaltkreise zum internen Erzeugen einer Substrat- oder Sperr-Vorspannung aus einer externen Spannungsversorgung beinhalten, um die Schwellenwerte von in dem Substrat ausgebildeten Feldeffekttransistoren (FETs) einzustellen. Eine solche interne Spannungserzeugung reduziert häufig die Anzahl externer Spannungsversorgungen, die das integrierte Bauelement für seinen Betrieb benötigt.
- Typischerweise enthält eine solche Erzeugungs- und Regelschaltung einen Spannungserzeuger, bspw. in Form einer Ladungspumpe, und einen Spannungsregler, welcher die intern erzeugte Spannung auf einem vorbestimmten Spannungspegel oder innerhalb eines vorbestimmten Spannungsbereichs hält. Bspw. kann der Regler den Spannungserzeuger dann aktivieren, wenn die Spannung nicht einem vorbestimmten Pegel entspricht oder sich außerhalb des vorbestimmten Bereichs befindet, und er kann den Spannungserzeuger deaktivieren, wenn dieser die vorbestimmte Spannung auf den vorbestimmten Wert oder in den vorbestimmten Bereich gebracht hat.
- Häufig besteht der Wunsch, ein integriertes Bauelement in der Weise auszubilden, daß es in einem relativ breiten Bereich von Versorgungsspannungen arbeiten kann. Bspw. kann es wünschenswert sein, einen DRAM derart auszugestalten, daß dieser mit einer Spannungsversorgung arbeiten kann, die zwischen etwa 3 und 6 Volt liegt.
- Einige existierende Spannungsregelschaltungen können die geregelte Spannung auf einem im wesentlichen fixen Pegel innerhalb des Bereichs externer Speisespannungen halten, mit denen das integrierte Bauelement betreibbar ist. Solche Regelschaltungen erfordern allerdings häufig eine stabile Referenzspannung und eine dazugehörige Vergleicherschaltung. Die Spannung, welche die stabile Referenzspannung liefert, und die dazugehörige Vergleicherschaltung haben häufig eine beträchtliche Anzahl von Komponenten, die eine relativ große Fläche des integrierten Bauelements belegen.
- Andere existierende Spannungsregelschaltungen besitzen eine minimale Anzahl von Komponenten und belegen mithin nur einen minimalen Flächenbereich des integrierten Bauelements. Der Pegel, auf dem der Regler die erzeugte Spannung hält, ist allerdings häufig empfindlich gegenüber Schwankungen der Speisespannung. D. h.: der Pegel der geregelten Spannung verschiebt sich häufig, wenn die Speisespannung schwankt. Solche Verschiebungen der geregelten Spannung sind häufig unerwünscht.
- Die
US 4 775 959 A zeigt eine Schaltung zum Steuern eines Spannungserzeugers mit einem Spannungsteiler zwischen einem Anschluss für die zu regelnde Spannung und einem Versorgungsspannungsanschluss. Der Spannungsteiler besteht aus zwei leitend vorgespannten Transistoren und aus drei als Dioden geschalteten Transistoren. Betrachtet man einen der beiden leitend vorgespannten Transistoren (die einen vorbestimmten Widerstandswert liefern) als Klemmschaltung, so liegt diese Klemmschaltung in Reihe zu dem Spannungsteiler. - Offenbarung der Erfindung
- Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Schaltung zum Regeln einer Spannung durch Steuerung eines Spannungserzeugers geschaffen (Anspruch 1). Ein Spannungsteiler befindet sich zwischen der geregelten Spannung und einer Speisespannung, und er erzeugt eine Lesespannung. An den Teiler ist parallel eine Klemmschaltung angeschlossen, die die Empfindlichkeit zwischen Speisespannung und geregelter Spannung dadurch verringert, daß sie im wesentlichen verhindert, daß die Spannung an ihr selbst einen vorbestimmten Wert übersteigt. Zwischen den Teiler und den Spannungserzeuger ist eine Detektorschaltung gekoppelt, die ein Steuersignal liefert, welches den Spannungserzeuger dann deaktiviert, wenn die Lesespannung einen ersten, vorbestimmten Schwellenwert erreicht, und den Spannungserzeuger aktiviert, wenn die Lesespannung einen zweiten vorbestimmten Schwellenwert erreicht.
- Gemäß einem bevorzugten Aspekt der Erfindung beinhaltet der Spannungsteiler eine Mehrzahl von Lastelementen, die in Serie zwischen die geregelte und die Speisespannung gekoppelt sind, so daß Verbindungen oder Knoten zwischen aufeinanderfolgenden Paaren der Elemente gebildet werden. Die Lesespannung wird von einem ausgewählten Punkt der Verbindungen abgegriffen. Die Klemmschaltung enthält einen ersten Klemmanschluß, der an eine der Verbindungen gekoppelt ist, und einen zweiten Klemmanschluß, der an eine weitere der Verbindungen gekoppelt ist, die sich zwischen dem ausgewählten Verbindungspunkt, von dem die Lesespannung abgegriffen wird und der geregelten Spannung befindet, oder der mit der geregelten Spannung gekoppelt ist.
- Gemäß einem weiteren bevorzugten Aspekt der Erfindung ist die Klemmschaltung zwischen ein Paar Knoten gelegt, die ausgewählt sind aus dem ausgewählten Verbindungspunkt, der geregelten Spannung und solchen Verbindungspunkten, die zwischen dem ausgewählten Verbindungspunkt der geregelten Spannung liegen.
- Außerdem schafft die vorliegende Erfindung speziell eine Schaltung zum Regeln einer geregelten Spannung durch Steuern einer Ladungspumpe (Anspruch 11). Ein spezielles Anwendungsbeispiel ist eine Speicherschaltung (Anspruch 23). Außerdem schafft die Erfindung ein Verfahren zum Regeln einer Spannung (Anspruch 31).
-
1 ist ein Blockdiagramm eines Speicherbauelements gemäß der Erfindung. -
2 ist ein Blockdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform des Spannungsreglers nach1 . -
3 ist eine schematische Darstellung der bevorzugten Ausführungsform des Reglers nach2 . -
4 ist ein Querschnitt eines Teils eines Substrats des Speicherbauelements nach1 . -
5 ist eine graphische Darstellung, die die durch den Regler nach4 erreichte verbesserte Spannungsregelung veranschaulicht. -
6 ist eine weitere graphische Darstellung, die die durch die Schaltung nach3 erreichte verbesserte Regelung veranschaulicht. - Detaillierte Beschreibung der Erfindung
-
1 ist ein Blockdiagramm eines Speicherbauelements10 , welches gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist und arbeitet, wenngleich die vorliegende Erfindung auch bei anderen Arten integrierter Bauelemente eingesetzt werden könnte. Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist der Speicher10 ein DRAM. Der Speicher10 enthält eine Steuerschaltung12 , die an Adressen-, Steuer- und Datenbusse gekoppelt ist, um von einer (nicht gezeigten) externen Schaltung, wie man sie in einem (nicht gezeigten) Rechnersystem finden kann, Adressen-, Steuer- und Datensignal zu empfangen. Der Speicher10 enthält außerdem ein Feld14 von Speicherzellen zum Speichern von Daten, und eine Spannungserzeugungs- und -regelschaltung16 , die aus einer externen Versorgungsspannung VCC eine interne Spannung VINT bildet. VINT kann für vielerlei Zwecke verwendet werden, darunter als Programmierspannung in einem Speicher10 , welcher elektrisch programmierbare Speicherzellen enthält, oder als Sperr-Vorspannung zum Vorspannen eines Substrats, in welchem Feldeffekttransistoren ausgebildet sind, um die Schwellenwerte der Transistoren einzustellen oder zu justieren. Das interne Erzeugen einer solchen Spannung ermöglicht es dem Speicher10 häufig, mit einer einzigen externen Spannungsversorgung betrieben zu werden, im Gegensatz zu mehreren externen Versorgungsspannungen. - Die Regelschaltung
16 enthält eine Ladungspumpe18 , die ansprechend auf ein Aktivier-/Deaktivier-Signal, welches sie an ihrem Steueranschluß19 empfängt, VINT erzeugt. Eine Reglerschaltung20 überwacht VINT und erzeugt ansprechend auf dessen Pegel das Aktivier-/Deaktivier-Signal. - Im Betrieb empfängt die Steuerschaltung
12 die Adressen-, Steuer- und Datensignale an jeweiligen Bussen, und entsprechend diesen Signalen liest und schreibt sie Daten aus dem Speicherzellenfeld14 bzw. in das Speicherzellenfeld14 . Darüberhinaus liefert die Steuerschaltung12 Signale zum Aktivieren und anderweitigen Steuern der Regelschaltung16 . - Wenn die Steuerschaltung
12 die Regelschaltung16 aktiviert, beginnt die Ladungspumpe18 , VINT solange entweder zu erhöhen oder zu verringern, bis sie einen ersten vorbestimmten Wert erreicht, (abhängig davon, ob VINT positiv oder negativ ist). Wenn die Reglerschaltung20 erkennt, daß VINT ersten vorbestimmten Wert erreicht hat, deaktiviert sie die Ladungspumpe18 . Wird VINT ungleich dem ersten vorbestimmten Wert, oder wird er gleich einem zweiten vorbestimmten Wert, der zusammen mit dem ersten vorbestimmten Wert ein vorbestimmtes Spannungsfenster definiert, welches mit einer (unten in Verbindung mit3 beschriebenen) Hystereseschaltung erzeugt wird, aktiviert die Reglerschaltung20 die Ladungspumpe18 , damit diese erneut den Erzeugungs-Regel-Zyklus aufnimmt. Für den Einsatz in der Regelschaltung16 eignen sich bekannte Ladungspumpen oder andere Arten von Spannungserzeugungsschaltungen. -
2 ist ein Blockdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform der in1 gezeigten Reglerschaltung20 . Die Reglerschaltung20 enthält eine Spannungsklemmschaltung22 , die an einen Spannungsteiler24 gekoppelt ist. Der Spannungsteiler24 ist zwischen die Versorgungsspannung VCC und die durch die Ladungspumpe18 (1 ) erzeugte Spannung VINT geschaltet. Ein Schwellenwertdetektor26 liegt zwischen dem Spannungsteiler24 und der von der Ladungspumpe18 (1 ) kommenden Spannung VINT. Die Klemmschaltung22 arbeitet in der Weise, daß sie den Hub verringert, um den sich VINT bei Schwankungen von VCC verschiebt. - Genauer gesagt, enthält der Spannungsteiler
24 mehrere Lastelemente28 , die zwischen der Versorgungsspannung VCC und der intern erzeugten Spannung VINT in Serie liegen. Wie gezeigt, ist die exakte Anzahl der Lastelemente28 solange nicht kritisch, wie zumindest zwei von ihnen vorhanden sind. Die Serienverbindung der Lastelemente28 bildet Verbindungspunkte oder Knoten30 zwischen aufeinanderfolgenden Paaren benachbarter Lastelemente28 . Wie dargestellt, gibt es einen Verbindungspunkt weniger, als Lastelemente vorhanden sind. Anschlüsse32 und34 der Klemmschaltung22 sind an ein ausgewähltes Paar von Verbindungspunkten30 gekoppelt. Weiterhin kann einer der Anschlüsse32 und34 an einen Verbindungspunkt30 und der andere der Anschlüsse32 und34 an VINT gekoppelt gekoppelt sein. Einer der Verbindungspunkte30 wird als Lesespannungsanschluß36 gewählt, der an einen Eingangsanschluß38 des Detektors26 gekoppelt ist. Ein Ausgangsanschluß40 des Detektors26 ist an den Steueranschluß19 der Ladungspumpe18 gekoppelt (1 ). Eine solche Reglerschaltung20 eignet sich besonders für Anwendungsfälle, bei denen VINT auf einem Wert unterhalb dessen von VCC gehalten wird. - Wenn im Betrieb VINT ansteigt, steigt auch die Lesespannung VS am Anschluß
36 proportional an zu dem Verhältnis der Anzahl des Werts der Lastelemente28 , die sich zwischen dem Anschluß36 und VINT befinden, zu der Anzahl und dem Wert der Lastelemente28 zwischen VCC und VINT. Wenn die Lesespannung VS über einen vorbestimmten Wert hinaus ansteigt, erkennt der Detektor26 , daß die Lesespannung an diesem Wert vorbeigegangen ist und gibt ein Signal am Anschluß40 aus, um die Ladungspumpe18 zu aktivieren oder ”einzuschalten”. Die Ladungspumpe18 arbeitet nun so, daß sie die interne Spannung VINT absenkt. Nachdem die Spannung VINT weit genug abgefallen ist, so daß die Lesespannung VS unter den vorbestimmten Wert sinkt, erzeugt der Detektor26 an seinem Anschluß40 ein Signal zum Deaktivieren, d. h. zum ”Ausschalten” der Ladungspumpe18 . Auf diese Weise hält die Reglerschaltung VINT auf einem geregelten Wert. Wie weiter unten in Verbindung mit3 erläutert werden wird, kann der Detektor26 mit einer Hysterese behaftet sein, so daß er nachweist, wann die Lesespannung VS an zwei vorbestimmten Werten vorbeigeht, an einem, um die Ladungspumpe18 einzuschalten, an dem zweiten, unteren vorbestimmten Wert, um die Ladungspumpe18 auszuschalten. Eine solche Hysterese kann unter anderem ein Schwingen der durch den Detektor und die Ladungspumpe gebildeten Schleife um einen einzelnen vorbestimmten Schwellenwert herum vermeiden. - Wie aus
2 ersichtlich ist, und wenn man die Klemmschaltung22 vorübergehend außer Acht läßt, steigt mit einer Zunahme von VCC auch die Lesespannung VS am Anschluß36 . Somit muß VINT auf eine niedrigere Spannung gebracht werden, damit der Schwellenwertdetektor26 die Ladungspumpe18 ausschaltet. Wenn VCC ansteigt, fällt im Ergebnis der geregelte Wert von VINT. Um die gegenseitige Abhängigkeit oder Empfindlichkeit zwischen VCC und VINT zu verringern, ist die Klemmschaltung22 vorgesehen, wie oben diskutiert wurde. Im Betrieb verhindert die Klemmschaltung, daß die Spannung zwischen den Anschlüssen32 und34 einen vorbestimmten Klemm-Wert übersteigt. D. h.: Die Klemmschaltung22 begrenzt die Spannung zwischen den Anschlüssen32 und34 auf den vorbestimmten Klemm-Wert. Nachdem diese vorbestimmte Klemmspannung erreicht worden ist, beseitigt die Klemmschaltung22 im Endeffekt aus dem Teiler24 diejenigen Lastelemente28 , die sich zwischen den Anschlüssen32 und34 befinden. Dies ermöglicht es VINT, einen größeren proportionalen Effekt auf die Lesespannung VS am Anschluß36 zu haben. Damit braucht die Ladungspumpe18 VINT nicht soweit zum Auslösen des Detektors24 abzusenken, wie es erforderlich wäre, wenn man die Klemmschaltung22 wegließe. - Obschon – wie oben angegeben – die Anschlüsse
32 und34 zwischen irgendeinem Paar von Verbindungspunkten30 oder zwischen einem Verbindungspunkt30 und die Spannung VINT gekoppelt werden können, besteht eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung darin, daß die Anschlüsse32 und34 an irgendein Paar von Verbindungspunkten30 gekoppelt werden, die sich zwischen dem Anschluß36 und der Spannung VINT einschließlich befinden, d. h., eingeschlossen der Verbindungspunkt, an den der Anschluß36 gekoppelt ist, und der Anschluß des Lastelements28n , der an VINT gekoppelt ist. -
3 ist ein Schaltungsdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform der in2 gezeigten Spannungsreglerschaltung20 . Bei dieser Ausführungsform wird die Reglerschaltung20 dazu benutzt, eine Sperr-Vorspannung VBB zum Vorspannen eines Substrats (4 ) der die Reglerschaltung enthaltenden Schaltung in Sperrichtung zu regulieren. Wie im Stand der Technik bekannt, hat ein solches Sperr-Vorspannen Vorteile wie z. B. das Einstellen der Schwellenwerte der in dem Substrat gebildeten Transistoren. Wie dargestellt, wird die Klemmschaltung22 aus einem Paar in Serie geschalteten, als Diode verschalteten FETs42 und44 gebildet. Der Spannungsteiler24 enthält drei in Reihe geschaltete Lastelemente28 1,28 2, und28 3. Wenngleich als Einzelwiderstand dargestellt, kann das Lastelement28 1 aus mehreren Lastelementen anderer Typen gebildet werden, bspw. aus als Diode verschalteten Langkanal-FETs. Das Lastelement28 2 wild aus einem als Diode verschalteten FET26 gebildet, und das Lastelement28 3 wird aus einem Langkanal-FET48 gebildet. Wie gezeigt, ist die Klemmschaltung22 quer zu, d. h. parallel mit dem Langkanal-Transistor48 geschaltet. Die Gates, die Drains und die Sources der Transistoren42 ,44 ,46 und48 sind mit G, D bzw. S gekennzeichnet. - Der Schwellenwertdetektor
26 enthält einen Versorgungsspannungsanschluß50 und einen Referenzanschluß52 . Ein Lastbauelement54 , welches, auch wenn als Einzeltransistor dargestellt, aus einem oder mehreren Arten von Lastelementen bestehen kann, bspw. einem oder mehreren Transistoren, ist zwischen einen Anschluß50 und den Drainanschluß eines FET56 geschaltet. Gate und Source des Transistors56 sind an den Eingangsanschluß38 und einen Referenzanschluß52 gekoppelt. Drei Negatoren58a –c liegen in Reihe zwischen dem Drain des Transistors56 und dem Ausgangsanschluß40 . Obschon drei Negatoren58a –c dargestellt sind, kann man irgendeine ungerade Anzahl von Negatoren einsetzen. Das Gate von FET60 ist mit dem Ausgangsanschluß40 gekoppelt, Source und Drain des Transistors60 sind mit einem Referenzanschluß52 bzw. der Source eines FET62 gekoppelt. Gate und Drain des FET62 sind mit dem Eingangsanschluß38 bzw. dem Drain des Transistors56 gekoppelt. Die Kombination aus den Negatoren58 und den Transistoren60 und62 bildet eine Hystereseschaltung64 . Bei einem Aspekt der Erfindung ist das Gate des Transistors60 der Hystereschaltungs-Eingangsanschluß, das Gate des Transistors62 ist der Hysterese-Steueranschluß, und der Drain des Transistors62 ist der Hystereseschaltungs-Treiberanschluß. Wie oben für die Schaltungen22 und24 diskutiert, sind Gates, Drains und Sources der Transistoren56 ,60 und62 mit G, D und S bezeichnet. Bei einem anderen Aspekt der Erfindung ist die Hystereseschaltung64 weggelassen, und der Drain des Transistors56 kann direkt mit dem Ausgangsanschluß40 gekoppelt sein. - In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beträgt VCC etwa 3 bis 6 Volt. VBB auf etwa zwischen –1 und –2 Volt geregelt und VREF entspricht etwa Masse oder null Volt. Allerdings können verschiedene Spannungen verwendet werden, solange VREF zwischen VCC und VBB liegt. Außerdem haben Lastelemente
28 1 und54 annähernd gleiche Impedanzwerte von 2 Megaohm bzw. 200 Kiloohm. Das Verhältnis Breite/-Länge der Transistoren42 ,44 ,46 ,48 ,56 ,60 und62 beträgt etwa 6 Mikrometer/1 Mikrometer; 6/1; 2/2; 2/6,5; 6/1,5; 6/1 bzw. 6/1. - Wenn im Betrieb die Spannung VBB steigt, steigt auch die Lesespannung VS am Anschluß
36 des Spannungsteilers24 . Entspricht die Lesespannung VS etwa der Schwellenspannung des Transistors56 oberhalb VREF, schaltet der Transistor56 ein, d. h. wird leitend. Wenn die Lesespannung VS weiter ansteigt, gelangt der Transistor56 in Sättigung und treibt damit die Spannung an seinem Drain auf etwa VREF. Die Spannung an dem Drain des Transistors56 wird als logisch niedrig betrachtet; da der Wert über Negatoren58 läuft, erzeugt der Negator58c am Anschluß40 einen logisch hohen Pegel. Diese logisch hohe Spannung aktiviert die Ladungspumpe18 , die damit beginnt, die Spannung VBB einen niedrigeren Pegel zu treiben. Der logisch hohe Pegel am Anschluß40 schaltet außerdem den Transistor60 ein, und die Lesespannung VS schaltet den Transistor62 ein. Damit verstärken die Transistoren60 und62 die in Sättigung oder nahezu in Sättigung arbeiten, die Spannung VREF am Drain des Transistors56 . D. h.: Die Transistoren60 und62 bilden eine Hysterese für den Detektor26 , so daß die Lesespannung VS auf einen Wert abfallen muß, der niedriger ist als derjenige, bei dem der Transistor56 eingeschaltet wird, damit der Detektor26 einen logisch niedrigen Pegel ausgibt und damit die Ladungspumpe18 abschaltet. Die Wirkung der Hystereseschleife besteht also in der Bildung eines Schwellenfensters mit einem oberen und einem unteren vorbestimmten Wert. Wenn die Lesespannung VS über den oberen Wert steigt, d. h. über den ersten vorbestimmten Wert, schaltet der Detektor26 die Ladungspumpe18 an, und wenn die Lesespannung VS unter den unteren Wert abfällt, d. h. unter den zweiten vorbestimmten Wert, schaltet der Detektor26 die Ladungspumpe18 aus. Auf diese Weise hält die Reglerschaltung20 die Spannung VBB in einem vorbestimmten Bereich, der sich einstellen läßt, indem man das Schwellenfenster des Detektors26 verändert. - Um die empfindliche Abhängigkeit zwischen VCC und sowohl der Lesespannung VS als auch VBB zu verringern, ist die Klemmschaltung
22 parallel zu dem Langkanal-Transistor48 geschaltet. Weil die Klemmschaltung22 zwei in Reihe geschaltete, jeweils als Diode verschaltete Transistoren42 und44 enthält, entspricht die Klemmspannung etwa der Summe der Schwellenwerte der Transistoren42 und44 . Gemäß einem Aspekt der Erfindung beträgt die durch die Klemmschaltung22 geschaffene Klemmspannung etwa 1 bis 2 Volt. Wenn die Spannung an dem Transistor48 über die Klemmspannung hinaus ansteigt, hält die Klemmspannung22 die Spannung am Transistor48 auf einem etwa konstanten Wert und reduziert oder beseitigt die Einflüsse des durch den Transistor48 gebildeten Widerstands. Während also lediglich der Widerstand des Transistors46 wirksam zwischen VBB und der Lesespannung liegt, führt eine Änderung von VBB zu einer größeren proportionalen Änderung der Lesespannung VS. Wenn also VCC über einen gewissen Pegel hinaus zunimmt, klemmt die Klemmschaltung22 die Spannung am Transistor48 und ermöglicht der Reglerschaltung20 , VBB auf einem höheren Wert zu halten, als dies möglich wäre ohne die Klemmschaltung22 . D. h.: Bei Änderungen von VCC verringert oder beseitigt die Klemmschaltung22 die entsprechenden Spannungen von VBB. Deshalb kann die Reglerspannung20 VBB auf einem konstanteren Wert halten. -
4 ist eine Querschnittansicht eines n-Kanal-FETs65 , der in einem p-Substrat66 ausgebildet ist. Der Transistor65 enthält ein leitendes Gate68 , eine Gateisolierung oder ein Gate-Dielektrikum70 , ein Drain72 und eine Source74 . Durch Vorspannen des Substrats66 auf eine negative Spannung gegenüber der Source74 läßt sich der Schwellenwert des Transistors65 einstellen. Außerdem können andere bekannte Vorteile erzielt werden. Bei einem n-Substrat mit einem p-Kanal-Transistor (beide nicht dargestellt) wäre die Sperr-Vorspannung positiv. -
5 ist eine graphische Darstellung einer Computersimulation, bei der das Ausgangssignal des Detektors26 (als ausgezogene Linie gezeichnet) mit vorhandener Klemmschaltung22 einerseits und das Ausgangssignal des Detektors26 (durch eine gestrichelte Linie dargestellt) ohne die Klemmschaltung22 gegenüber VBB für VCC = 2,5 Volt aufgetragen sind. Wie dargestellt, schaltet bei vorhandener Klemmschaltung22 die Reglerschaltung20 die Ladungspumpe18 aus, wenn VBB auf etwa –1,1 Volt abfällt, und schaltet die Ladungspumpe ein, wenn VBB auf etwa –0,7 Volt ansteigt. Ohne vorhandene Klemmschaltung22 schaltet die Reglerschaltung20 die Ladungspumpe18 aus, wenn VBB auf etwa –1,2 Volt liegt, und schaltet die Ladungspumpe18 ein, wenn VBB –0,8 Volt beträgt. - In
6 ist eine ähnliche graphische Darstellung wie in5 für VCC = 4 Volt gezeigt. Wie dargestellt, schaltet bei vorhandener Klemmschaltung22 die Reglerschaltung20 die Ladungspumpe18 aus, wenn VBB etwa -1,3 Volt beträgt, und sie schaltet die Ladungspumpe18 ein, wenn VBB etwa –1,1 Volt beträgt. Bei fehlender Klemmschaltung22 schaltet die Reglerschaltung20 die Ladungspumpe18 aus, wenn VBB etwa –1,7 Volt beträgt, und schaltet die Ladungspumpe ein, wenn VBB etwa –1,4 Volt beträgt. - Aus
5 und6 ist ersichtlich, daß zwei Auslösepunkte, nämlich Ladungspumpe aus und Ladungspumpe ein, für die die Klemmschaltung22 beinhaltende Reglerschaltung20 sich um –0,2 bzw. –0,4 Volt zwischen VCC = 2,5 Volt und VCC = 4 Volt geändert haben. Bei der Reglerschaltung ohne die Klemmschaltung22 betragen die Differenzen der Ausschalt- und Einschaltpunkte –0,5 und –0,6 Volt. Somit verringert die Klemmschaltung signifikant die Verschiebung von VBB bei Änderung von VCC. - Es ist außerdem ersichtlich, daß zwar spezifische Ausführungsbeispiele der Erfindung zur Anschauungszwecken erläutert wurden, aber dennoch zahlreiche Modifizierungen ohne Abweichung vom Grundgedanken und Schutzumfang der Erfindung möglich sind. Bspw. können die n-Kanal-Transistoren ersetzt werden durch p-Kanal-Transistoren oder durch Bipolartransistoren.
Claims (34)
- Schaltung (
20 ) zum Regeln einer Spannung durch Steuern eines Spannungserzeugers (18 ), umfassend: einen Spannungsteiler (24 ), der zwischen die geregelte Spannung (Vint) und eine Versorgungsspannung (Vcc) gekoppelt und betreibbar ist, um eine Lesespannung zu erzeugen; eine Klemmschaltung (22 ), die parallel zum Teiler (24 ) gekoppelt und betreibbar ist, um die empfindliche Abhängigkeit zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und der regulierten Spannung (Vint) dadurch zu verringern, dass die Spannung an der Klemmschaltung (22 ) im wesentlichen daran gehindert wird, einen vorbestimmten Wert zu übersteigen; und eine Detektorschaltung (26 ), die zwischen den Teiler (24 ) und den Spannungserzeuger (18 ) gekoppelt und betreibbar ist, um ein Steuersignal zu erzeugen, welches den Spannungserzeuger (18 ) deaktiviert, wenn die Lesespannung einen ersten vorbestimmten Schwellenwert erreicht, und den Spannungserzeuger (18 ) aktiviert, wenn die Lesespannung einen zweiten vorbestimmten Schwellenwert erreicht. - Schaltung nach Anspruch 1, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente (28 1...28 n) enthält, die in Serie zwischen der geregelten und der Versorgungsspannung (Vcc) liegen und Verbindungspunkte (30 1...30 n-1) zwischen aufeinanderfolgenden Paaren der Elemente bilden, und die dazu dienen, die Lesespannung an einem der Verbindungspunkte zu erzeugen; und die Klemmschaltung (22 ) einen ersten Klemmanschluß (32 ) aufweist, der mit einem der Verbindungspunkte gekoppelt ist, und einen zweiten Klemmanschluß (34 ) aufweist, der mit einem weiteren der Verbindungspunkte zwischen dem Verbindungspunkt, an welchem die Lesespannung erzeugt wird, und der geregelten Spannung, oder mit der geregelten Spannung gekoppelt ist. - Schaltung nach Anspruch 1, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente (28 1...28 n) aufweist, die in Serie zwischen die Versorgungsspannung und die geregelte Spannung gekoppelt sind und Verbindungspunkte (30 1...30 n-1) zwischen aufeinanderfolgenden Elementen bilden, wobei der Teiler (24 ) so betreibbar ist, dass er die Lesespannung an einem ausgewählten der Verbindungspunkte erzeugt; und die Klemmschaltung (22 ) zwischen ein Paar von Knoten gekoppelt ist, ausgewählt aus dem ausgewählten Verbindungspunkt, der geregelten Spannung und solchen Verbindungspunkten, die zwischen dem ausgewählten Verbindungspunkt und der geregelten Spannung liegen. - Schaltung nach Anspruch 3, bei der ein oder mehrere der Lastelemente (
28 1...28 n) jeweils einen als Diode verschalteten Transistor mit einem Langkanal aufweisen. - Schaltung nach Anspruch 3, bei der die Klemmschaltung einen oder mehrere, jeweils als Diode verschaltete Transistoren in Reihenschaltung enthält.
- Schaltung nach Anspruch 1, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente enthält, die in Serie zwischen der Versorgungsspannung (Vcc) und der geregelten Spannung (Vint) liegen und Verbindungspunkte zwischen aufeinanderfolgenden Elementen definieren, wobei der Teiler (24 ) so betreibbar ist, dass er die Lesespannung an einem ausgewählten der Verbindungspunkte erzeugt; und die Klemmschaltung (22 ) parallel zu dem Lastelement gekoppelt ist, welches an die geregelte Spannung (Vcc) geschaltet ist. - Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Detektorschaltung (
26 ) aufweist: ein an die Versorgungsspannung (Vcc) gekoppeltes Lastelement (54 ); und einen Schalter (56 ,62 ), der in Serie zwischen dem Lastelement (54 ) und einer Referenzspannung liegt und mit einem Steueranschluß die Lesespannung empfängt, wobei der Schalter dazu dient, das Steuersignal an dem Verbindungspunkt des Schalters (56 ,62 ) und des Lastelements (54 ) dadurch zu erzeugen, dass er schließt, wenn die Lesespannung den vorbestimmten Schwellenwert übersteigt, und öffnet, wenn die Lesespannung geringer ist als der vorbestimmte Schwellenwert. - Schaltung nach Anspruch 7, bei der die Detektorschaltung außerdem einen Negator (
58 ) aufweist, der mit einem Eingang an den Verbindungspunkt gekoppelt ist und dazu dient, an seinem Ausgang (40 ) das Steuersignal zu erzeugen. - Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Detektorschaltung eine zwischen dem Teiler (
24 ) und dem Spannungserzeuger (18 ) vorhandene Hystereseschaltung aufweist. - Schaltung nach Anspruch 1, bei der der erste vorbestimmte Schwellenwert kleiner ist als der zweite vorbestimmte Schwellenwert.
- Schaltung zum Regeln einer geregelten Spannung durch Steuern einer Ladungspumpe (
18 ), welche die geregelte Spannung erzeugt und einen Ladungspumpen-Steueranschluß aufweist, umfassend: einen Spannungsteiler (24 ), der mit einem geregelten Anschluß an die geregelte Spannung (Vint) gekoppelt ist, mit einem Speiseanschluß, der an eine Versorgungsspannung (Vcc) gekoppelt ist, und mit einem Leseanschluß, der eine Lesespannung führt; eine Klemmschaltung (22 ), die parallel zum Teiler gekoppelt und betreibbar ist, um das Ausmaß der Lesespannungsänderungen zu reduzieren, wenn die Versorgungsspannung sich ändert, indem verhindert wird, dass die Spannung an der Klemmschaltung (22 ) einen vorbestimmten Wert übersteigt; und eine Detektorschaltung (26 ) mit einem Detektoreingangsanschluß, der an den Leseanschluß gekoppelt ist, und mit einem Detektorausgangsanschluß, der an den Ladungspumpen-Steueranschluß (19 ) gekoppelt ist, wobei der Detektorausgangsanschluß (40 ) ein Steuersignal führt, welches die Ladungspumpe (18 ) deaktiviert, wenn die Lesespannung gleich einem ersten vorbestimmten Wert wird, und die Ladungspumpe (18 ) aktiviert, wenn die Lesespannung ungleich dem ersten vorbestimmten Schwellenwert wird. - Schaltung nach Anspruch 11, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente (28 1...28 n) aufweist, die in Reihe zwischen dem geregelten und dem Speiseanschluß liegen und zwischen aufeinanderfolgenden Elementen Verbindungspunkte (30 1...30 n-1) definieren; der Leseanschluß an einen der Verbindungspunkte gekoppelt ist; und die Klemmschaltung (22 ) einen ersten Klemmanschluß (32 ) aufweist, der an einen der Verbindungspunkte gekoppelt ist, und einen zweiten Klemmanschluß (34 ) aufweist, der entweder an einen weiteren der Verbindungspunkte zwischen dem Leseanschluß und dem geregelten Anschluß oder an den geregelten Anschluß gekoppelt ist. - Schaltung nach Anspruch 12, bei der eines oder mehrere der Lastelemente einen widerstandsbehafteten Transistor (
46 ,48 ) in Diodenverschaltung aufweist. - Schaltung nach Anspruch 12, bei der die Klemmschaltung einen oder mehrere in Serie geschaltete Transistoren jeweils in Diodenverschaltung enthält.
- Schaltung nach Anspruch 11, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente aufweist, die in Serie zwischen den Speise- und den geregelten Anschluß geschaltet sind und Verbindungspunkte zwischen benachbarten Elementen definieren; der Leseanschluß an einen der Verbindungspunkte gekoppelt ist; und die Klemmschaltung (22 ) einen ersten und einen zweiten Klemmanschluß aufweist, gekoppelt an einen ersten und einen zweiten Verbindungspunkt, die sich innerhalb des Leseanschlusses und des geregelten Anschlusses befinden. - Schaltung nach Anspruch 11, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente aufweist, die in Serie zwischen dem Speise- und dem geregelten Anschluß liegen und zwischen aufeinanderfolgenden Elementen Verbindungspunkte definieren; der Leseanschluß an einen der Verbindungspunkte gekoppelt ist; und die Klemmschaltung (22 ) parallel zu dem Lastelement geschaltet ist, welches mit dem geregelten Anschluß gekoppelt ist. - Schaltung nach Anspruch 11, bei der die Detektorschaltung (
26 ) außerdem aufweist: einen Detektorreferenzanschluß (VRef) und einen Detektorspeiseanschluß (Vcc); mindestens ein Lastelement (54 ) mit einem ersten Lastanschluß, der an den Detektorspeiseanschluß gekoppelt ist, und einem zweiten Lastanschluß, der an den Detektorausgangsanschluß gekoppelt ist; und einen ersten Schalter (56 ) mit einem ersten Anschluß, welcher mit dem Detektorausgangsanschluß (40 ) gekoppelt ist, einem zweiten Anschluß (52 ), der mit dem Detektorreferenzanschluß gekoppelt ist, und einem Steueranschluß (38 ), der mit dem Detektoreingangsanschluß gekoppelt ist, wobei der Schalter schließt, wenn die Lesespannung die vorbestimmte Schwellenspannung überschreitet, und öffnet, wenn die Lesespannung geringer ist als die vorbestimmte Schwellenspannung. - Schaltung nach Anspruch 17, bei der die Detektorschaltung außerdem eine ungerade Anzahl von in Reihe geschalteten Negatoren (
58a , b, c) zwischen dem Verbindungspunkt des ersten Schalteranschlusses und dem zweiten Lastanschluß einerseits und dem Detektorausgangsanschluß (40 ) andererseits aufweist, wobei ein erster (58a ) der Negatoren mit einem Negator-Eingangsanschluß an den Verbindungspunkt gekoppelt ist und ein letzter (58c ) der Negatoren mit einem Negator-Ausgangsanschluß an den Detektorausgangsanschluß (40 ) gekoppelt ist. - Schaltung nach Anspruch 18, bei der die Detektorschaltung (
26 ) außerdem eine Hystereseschaltung (64 ) mit einem Hystereseeingangsanschluß, der an den Detektorausgangsanschluß (40 ) gekoppelt ist, und einem Hysterese-Treiberanschluß, der an den ersten Anschluß gekoppelt ist, aufweist. - Schaltung nach Anspruch 19, bei der die Hystereseschaltung (
64 ) außerdem enthält: einen mit dem Detektoreingangsanschluß (40 ) gekoppelten Hysterese-Steueranschluß; einen mit dem Detektor-Referenzanschluß (52 ) gekoppelten Hysterese-Ausgangsanschluß; einen zweiten Schalter (60 ) mit einem ersten Anschluß, einem zweiten, mit dem Hysterese-Ausgangsanschluß gekoppelten Anschluß, und einem mit dem Hysterese-Eingangsanschluß gekoppelten Steueranschluß; und einen dritten Schalter (62 ) mit einem mit dem Hysterese-Treiberanschluß gekoppelten ersten Anschluß, einem mit dem Hysterese-Steueranschluß gekoppelten Steueranschluß und einem mit dem ersten Anschluß des zweiten Schalters (60 ) gekoppelten zweiten Anschluß. - Schaltung nach Anspruch 11, bei der die Detektorschaltung (
26 ) außerdem eine Hystereseschaltung (64 ) mit einem Hysterese-Eingangsanschluß, der an den Detektorausgangsanschluß gekoppelt ist, und mit einem an den Detektor-Eingangsanschluß gekoppelten Hysterese-Steueranschluß aufweist. - Schaltung nach Anspruch 11, bei der die Detektorschaltung (
26 ) die Ladungspumpe (18 ) aktiviert, wenn die Lesespannung gleich einem zweiten vorbestimmten Schwellenwert wird. - Speicherschaltung, umfassend: einen Speiseanschluß (Vcc) zum Empfangen einer Versorgungsspannung; eine Steuerschaltung (
12 ) zum Empfangen von Adressen-, Daten- und Steuersignalen; ein Feld (14 ) von Speicherzellen in Kommunikation mit der Steuerschaltung (12 ); und eine Spannungsschaltung (16 ) zur Bereitstellung einer geregelten Spannung (Vint), umfassend: eine Ladungspumpe (18 ) zum Erzeugen der geregelten Spannung; einen Spannungsteiler (24 ), der zwischen die geregelte Spannung (Vint) und den Speiseanschluß (Vcc) gelegt ist und dazu dient, eine Lesespannung zu erzeugen; eine Klemmschaltung (22 ), die parallel zum Teiler (24 ) gekoppelt und betreibbar ist, um die Empfindlichkeit zwischen der geregelten Spannung und der Lesespannung dadurch zu steigern, dass im wesentlichen verhindert wird, dass die Spannung an der Klemmschaltung (22 ) einen vorbestimmten Wert übersteigt; und eine Detektorschaltung (26 ), die zwischen dem Teiler (24 ) und der Ladungspumpe (18 ) liegt und dazu dient, ein Steuersignal zu erzeugen, welches die Ladungspumpe deaktiviert, wenn die Lesespannung einen ersten vorbestimmten Schwellenwert erreicht, und die Ladungspumpe (18 ) aktiviert, wenn die Lesespannung einen zweiten vorbestimmten Schwellenwert erreicht. - Schaltung nach Anspruch 23, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente (28 1...28 n) enthält, die in Serie zwischen die geregelte Spannung und den Speiseanschluß gekoppelt sind und Verbindungspunkte (30 1...30 n-1) zwischen benachbarten Paaren der Elemente definieren, wobei der Spannungsteiler (24 ) dazu dient, die Lesespannung an einem ausgewählten Verbindungspunkt der Verbindungspunkte zu erzeugen; und die Klemmschaltung (22 ) einen ersten Klemmanschluß aufweist, der an einen (32 ) der Verbindungspunkte gekoppelt ist, und einen zweiten Klemmanschluß aufweist, der entweder an einen weiteren (34 ) der Verbindungspunkte zwischen dem ausgewählten Verbindungspunkt und der geregelten Spannung gekoppelt ist, oder an die geregelte Spannung gekoppelt ist. - Schaltung nach Anspruch 23, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente enthält, die in Reihe zwischen dem Versorgungsspannungsanschluß (Vcc) und der geregelten Spannung (Vint) liegen und zwischen aufeinanderfolgenden Elementen Verbindungspunkte (30 1...30 n-1) definieren, wobei der Teiler dazu dient, die Lesespannung an einem ausgewählten Punkt der Verbindungspunkte zu erzeugen; und die Klemmschaltung (22 ) zwischen ein paar Knoten gekoppelt ist, welche den ausgewählten Verbindungspunkt, die geregelte Spannung und solche Verbindungspunkte beinhalten, die sich zwischen dem ausgewählten Verbindungspunkt und der geregelten Spannung befinden. - Schaltung nach Anspruch 23, bei der der Spannungsteiler (
24 ) mehrere Lastelemente (28 1...28 n) enthält, die in Reihe zwischen der Versorgungsspannung und der geregelten Spannung liegen und Verbindungspunkte (30 1...30 n-1) zwischen aufeinanderfolgenden Elementen definieren, wobei der Teiler dazu dient, die Lesespannung an einem ausgewählten Punkt der Verbindungspunkte zu erzeugen; und die Klemmschaltung (22 ) parallel zu dem Lastelement liegt, welches an die geregelte Spannung gekoppelt ist. - Schaltung nach Anspruch 26, bei der ein oder mehrere der Lastelemente einen als Diode verschalteten Transistor mit einem relativ langen Kanal enthalten.
- Schaltung nach Anspruch 26, bei der die Klemmschaltung (
22 ) einen oder mehrere, jeweils als Diode verschaltete Transistoren (42 ,44 ) in Reihe enthält. - Schaltung nach Anspruch 23, bei der die Detektorschaltung (
26 ) aufweist: ein Lastelement mit einem ersten Anschluß, der an den Versorgungsspannungsanschluß (Vcc) gekoppelt ist, und einem zweiten Anschluß; und einen Schalter (56 ,62 ), der in Serie zwischen dem zweiten Anschluß und einer Referenzspannung liegt, und der einen Steueranschluß aufweist, welcher die Lesespannung empfängt, wobei der Schalter zum Erzeugen des Steuersignals an dem zweiten Anschluß dient, indem er schließt, wenn die Lesespannung die vorbestimmte Schwellenspannung übersteigt, und öffnet, wenn die Lesespannung geringer ist als die vorbestimmte Schwellenspannung. - Schaltung nach Anspruch 23, bei der die Speicherschaltung außerdem ein Substrat enthält, in welchem mehrere Transistoren ausgebildet sind; und die geregelte Spannung (Vint) an das Substrat als Sperr-Vorspannung gelegt wird.
- Verfahren zum Regeln einer Spannung, umfassend: Erzeugen mehrerer Zwischenspannungen zwischen der geregelten Spannung und einer Speisespannung; Deaktivieren einer die geregelte Spannung erzeugenden Schaltung, wenn eine ausgewählte Spannung unter den Zwischenspannungen eine erste vorbestimmte Spannung erreicht; Aktivieren der Schaltung, wenn die ausgewählte Spannung eine zweite vorbestimmte Spannung erreicht; und Klemmen der Differenz zwischen einem Paar von Zwischenspannungen oder einer der Zwischenspannungen und der geregelten Spannung mittels einer zu der die geregelte Spannung erzeugenden Schaltung (
24 ) parallel geschalteten Klemmschaltung (22 ), um die Empfindlichkeit zwischen der Speisespannung und der ausgewählten Zwischenspannung zu verringern. - Verfahren nach Anspruch 31, bei der das Klemmen beinhaltet: Klemmen der Differenz zwischen einer ersten der Zwischenspannungen und entweder einer zweiten der Zwischenspannungen, die zwischen der ausgewählten Zwischenspannung und der geregelten Spannung liegt, oder der geregelten Spannung.
- Verfahren nach Anspruch 31, bei der das Klemmen außerdem beinhaltet: Klemmen der Differenz zwischen einer ersten der Zwischenspannungen oder der ausgewählten Zwischenspannung, und einer zweiten der Zwischenspannungen oder der geregelten Spannung.
- Verfahren nach Anspruch 31, bei der die zweite vorbestimmte Spannung größer als die erste vorbestimmte Spannung ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/485,093 US5644215A (en) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | Circuit and method for regulating a voltage |
US08/485,093 | 1995-06-07 | ||
PCT/US1996/009941 WO1996041247A1 (en) | 1995-06-07 | 1996-06-06 | Circuit and method for regulating a voltage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19681425T1 DE19681425T1 (de) | 1998-07-02 |
DE19681425B3 true DE19681425B3 (de) | 2012-08-02 |
Family
ID=23926885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19681425T Expired - Fee Related DE19681425B3 (de) | 1995-06-07 | 1996-06-06 | Schaltung und Verfahren zum Regeln einer Spannung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5644215A (de) |
JP (1) | JP3425956B2 (de) |
KR (1) | KR100401392B1 (de) |
AU (1) | AU6270496A (de) |
DE (1) | DE19681425B3 (de) |
GB (1) | GB2315886B (de) |
WO (1) | WO1996041247A1 (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6115307A (en) | 1997-05-19 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method and structure for rapid enablement |
US5923156A (en) * | 1997-08-15 | 1999-07-13 | Micron Technology, Inc. | N-channel voltage regulator |
US6054847A (en) * | 1998-09-09 | 2000-04-25 | International Business Machines Corp. | Method and apparatus to automatically select operating voltages for a device |
JP2000155617A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 内部電圧発生回路 |
FR2801678B1 (fr) * | 1999-11-30 | 2002-02-01 | St Microelectronics Sa | Dispositif de detection d'une haute tension |
US6285243B1 (en) | 2000-02-23 | 2001-09-04 | Micron Technology, Inc. | High-voltage charge pump circuit |
US6495994B1 (en) * | 2001-08-27 | 2002-12-17 | Micron Technology, Inc. | Regulator circuit for independent adjustment of pumps in multiple modes of operation |
GB2381882B (en) * | 2001-11-09 | 2005-11-09 | Micron Technology Inc | Voltage clamp circuit |
DE10327285A1 (de) * | 2003-06-17 | 2005-01-13 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung |
US6937026B2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-08-30 | Lockheed Martin Corporation | High voltage interface module |
US6992534B2 (en) * | 2003-10-14 | 2006-01-31 | Micron Technology, Inc. | Circuits and methods of temperature compensation for refresh oscillator |
US9831764B2 (en) | 2014-11-20 | 2017-11-28 | Stmicroelectronics International N.V. | Scalable protection voltage generator |
CN107231325B (zh) | 2016-03-25 | 2021-03-30 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | 信号接收电路及方法、信号检测电路 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3220721C2 (de) * | 1981-06-02 | 1987-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa, Jp | |
US4775959A (en) * | 1984-08-31 | 1988-10-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having back-bias voltage generator |
US5039877A (en) * | 1990-08-30 | 1991-08-13 | Micron Technology, Inc. | Low current substrate bias generator |
JPH06251583A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の基板バイアス発生回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4581546A (en) * | 1983-11-02 | 1986-04-08 | Inmos Corporation | CMOS substrate bias generator having only P channel transistors in the charge pump |
US4689651A (en) * | 1985-07-29 | 1987-08-25 | Motorola, Inc. | Low voltage clamp |
JPS63308794A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 基板バイアス回路 |
US4947058A (en) * | 1988-06-03 | 1990-08-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | TTL current sinking circuit with transient performance enhancement during output transition from high to low |
US4972104A (en) * | 1988-06-03 | 1990-11-20 | Fairchild Semiconductor Corporation | TTL totem pole anti-simultaneous conduction circuit |
US4975798A (en) * | 1989-09-05 | 1990-12-04 | Motorola Inc. | Voltage-clamped integrated circuit |
-
1995
- 1995-06-07 US US08/485,093 patent/US5644215A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-06 JP JP50210197A patent/JP3425956B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-06 GB GB9725961A patent/GB2315886B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-06 KR KR1019970709006A patent/KR100401392B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-06 WO PCT/US1996/009941 patent/WO1996041247A1/en active IP Right Grant
- 1996-06-06 AU AU62704/96A patent/AU6270496A/en not_active Abandoned
- 1996-06-06 DE DE19681425T patent/DE19681425B3/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-28 US US08/825,327 patent/US5831419A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3220721C2 (de) * | 1981-06-02 | 1987-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa, Jp | |
US4775959A (en) * | 1984-08-31 | 1988-10-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device having back-bias voltage generator |
US5039877A (en) * | 1990-08-30 | 1991-08-13 | Micron Technology, Inc. | Low current substrate bias generator |
JPH06251583A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の基板バイアス発生回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2315886B (en) | 1999-05-12 |
GB2315886A (en) | 1998-02-11 |
US5644215A (en) | 1997-07-01 |
KR100401392B1 (ko) | 2003-12-24 |
JPH11507452A (ja) | 1999-06-29 |
DE19681425T1 (de) | 1998-07-02 |
US5831419A (en) | 1998-11-03 |
WO1996041247A1 (en) | 1996-12-19 |
JP3425956B2 (ja) | 2003-07-14 |
KR19990022525A (ko) | 1999-03-25 |
AU6270496A (en) | 1996-12-30 |
GB9725961D0 (en) | 1998-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69422239T2 (de) | Referenzspannungsgeneratorschaltung | |
DE69227432T2 (de) | Spannungsgenerator für eine Speicher-Anordnung | |
DE2935858C2 (de) | ||
DE4124427C2 (de) | Schaltung zum Erzeugen einer inneren temperaturstabilisierten Versorgungsspannung | |
DE3872762T2 (de) | Referenzspannungsgeneratorschaltung. | |
DE4226047C2 (de) | Schaltkreis zur Erzeugung einer internen Spannungsversorgung mit einer Steuerschaltung zur Durchführung eines Belastungstests ("Burn-in-Test") | |
DE60318060T2 (de) | Ringoszillator mit frequenzstabilisierung | |
DE69300024T2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Bezugsspannungen. | |
DE10220561B4 (de) | Generator für negative Spannung für ein Halbleiterspeicherbauelement | |
DE19681425B3 (de) | Schaltung und Verfahren zum Regeln einer Spannung | |
DE4037206A1 (de) | Quellspannungssteuerschaltkreis | |
DE19618752C2 (de) | Einschaltrücksetzsignal-Erzeugungsschaltkreis einer Halbleitervorrichtung | |
DE69210063T2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungseinheit mit Detektionsschaltung für Substrat-Potential | |
DE3710865A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE4437757A1 (de) | Referenzspannungserzeugungsschaltung | |
DE102014119097B4 (de) | Spannungsregler mit schneller übergangsreaktion | |
DE2934641C2 (de) | ||
DE69517287T2 (de) | Pegelumsetzer | |
DE19813707C2 (de) | Spannungspegelumformschaltung | |
DE19725459A1 (de) | Von externer Spannung unabhängiger Sperrvorspannungspegeldetektor | |
EP0973084B1 (de) | Integrierte Schaltung mit einem Spannungsregler | |
DE10106767B4 (de) | Spannungsdetektionsschaltung für ein Halbleiterspeicherbauelement und Verwendung | |
DE3889211T2 (de) | Speisespannungsschalteranordnung für nichtflüchtige Speicher in MOS-Technologie. | |
DE69018053T2 (de) | CMOS-Treiberschaltung mit hoher Schaltgeschwindigkeit. | |
DE3430972C2 (de) | Integrierte Schaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20121103 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |