DE3134074C2 - Halbleiterbauelement zum Steuern großer Ströme - Google Patents
Halbleiterbauelement zum Steuern großer StrömeInfo
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Abstract
Ein Mehrfachemitter-Halbleiterbauelement, d.h. ein Halbleiterbauelement mit einer Anordnung, bei der eine Mehrzahl Emitterzonen (16) von einer Gatezone (17) unterteilt und umgeben sind. In dem Halbleiterbauelement hat ein Teil (27), das zum Anlegen eines externen Steuersignals an eine Gateelektrode (17) dient, die Form einer geschlossenen Schleife, und die Mehrzahl Emitterzonen (16) ist zu beiden Seiten der Schleife (27) angeordnet. Durch diese Anordnung wird sichergestellt, daß auch dann, wenn die Anzahl Emitterzonen erheblich vergrößert wird, an die einzelnen Emitterzonen (16) ein gleichförmiges Steuersignal angelegt werden kann, wodurch eine Verschlechterung der Abschaltcharakteristiken vermieden wird.
Description
dadurch gekennzeichnet, daß das elektrische Verbindungsglied (27) die Form wenigstens einer
geschlossenen Schleife aufweist und einen längs der geschlossenen Schleife gemessenen Widerstand
besitzt, der niedriger ist als ein längs eines anderen Teils der zweiten Elektrode (17) gemessener Widerstand,
wobei die ersten Halbleiterzonen (15) längs der Innen- und der Außenseite der geschlossenen
Schleife des elektrischen Verbindungsgliedes (27) angeordnet sind.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die ersten Halbleiterzonen jeweils als Streifen ausgebildet
und bezüglich des Zentrums der einen Hauptfläche radial angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrische Verbindungsglied (27) kreisringförmig ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die ersten Halbleiterzonen jeweils als Streifen ausgebildet
und bezüglich des Zentrums der einen Hauptfiäche radial angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß das elektrische Verbindungsglied mehrere konzentrische Kreisringe (271, 272) aufweist
und daß die ersten Halbleiterzonen (15) auf der Innen- und der Außenseite jedes Kreisringes (271,
272) angeordnet sind.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement zürn Steuern großer Ströme der im Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 vorausgesetzten Art, wie es z. B. aus der DE-OS 21 03 146 bekannt ist Bei diesem bekannten
Halbleiterbauelement das einen Abschaltthyristor darstellt, und bei dem die ersten Elektroden und die
zugehörigen ersten Halbleiterzonen jeweils als Streifen ausgebildet und bezüglich des Zentrums der einen
Hauptfläche radial angeordnet sind, weist der die Mehrzahl der als Kathoden verwendeten ersten Elektroden
verbindende Leiter zur Erhöhung der Strombelastbarkeit die Form einer geschlossenen kreisringförmigen
Schleife auf.
Die Strombelastbarkeit von Abschaltthyristoren wird durch die Anordnung einer großen Zahl von ersten
Halbleiterzonen vergrößert. Durch eine geeignete An-Ordnung von Steuerelektrode und ersten Halbleiterzonen
zueinander wird erreicht, daß das Abschaltsignal auf alle ersten Halbleiterzonen möglichst gleichmäßig
wirkt
So ist aus der DE-OS 21 31 747 ein Abschaltthyristor bekannt, bei dem die Steuerelektrode mehrere geschlossene Schleifen aufweist und die ersten Halbleiterzonen längs der Innen- und Außenseiten der geschlossenen Schleifen liegen, während eine vergleichbare Anordnung mit einer abgewandelten Steuerelektrode aus der DE-OS 28 47 853 bekannt ist.
So ist aus der DE-OS 21 31 747 ein Abschaltthyristor bekannt, bei dem die Steuerelektrode mehrere geschlossene Schleifen aufweist und die ersten Halbleiterzonen längs der Innen- und Außenseiten der geschlossenen Schleifen liegen, während eine vergleichbare Anordnung mit einer abgewandelten Steuerelektrode aus der DE-OS 28 47 853 bekannt ist.
Aus der DE-OS 27 18 781 ist es bekannt, bei einem Thyristor einv;n Leiter mit Hilfe von Lötmittel als elektrischem
Verbindungsglied mit der Steuerelektrode zu verbinden.
Dadurch, daß bei Halbleiterelementen wie Abschaltthyristoren die Steuerelektrode, die üblicherweise durch
Aufdampfen mit einer geringen Dicke von ca. 5—10 μπι
gebildet ist, einen Widerstandswert aufweist, der längs der Hauptfläche des Substrats ansteigt, tritt in der Steuerelektrode
ein Spannungsabfall in Richtung des Stromflusses durch die Steuerelektrode längs der Hauptfläche
des Substrats auf, wenn das Abschaltsignal, das relativ zur Kathode negativ ist, an den zur Steuerelektrode
führenden zweiten Leiter angelegt wird.
Aufgrund dieses Spannungsabfalls ist die Potentialverteilung in der Steuerelektrode derart, daß relativ zur
Kathode die Potentialdifferenz nahe dem zweiten Leiter groß und in weitem Abstand davon gering ist. Infolgedessen
weisen die bekannten Abschaltthyristoren den Nachteil auf, daß das Abschaltsignal in einem nahe dem
zweiten Leiter fließenden Hauptstrom stark und in einem Hauptstromflußbereich fern von diesem Leiter
schwach ist, was in unregelmäßigen Abschaltvorgängen in den jeweiligen Bereichen resultiert.
Durch die ungleichmäßigen Abschaltvorgänge wird der Laststrom in dem verzögerten Abschaltbereich
während des Abschaltvorgangs des Abschaltthyristors konzentriert. Infolgedessen wird der maximale Laststrom,
der für ein Abschalten des Abschaltthyristors ohne Durchbruch (maximaler abschaltbarer Strom) zulässig
ist, im Vergleich zu gleichmäßigen Abschaltvorgängen in den einzelnen Hauptstromflußbereichen verringert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein HaIbleiterbauelement zum Steuern großer Ströme der eingangs genannten Art hinsichtlich seiner Strombelastbarkeit weiter zu verbessern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein HaIbleiterbauelement zum Steuern großer Ströme der eingangs genannten Art hinsichtlich seiner Strombelastbarkeit weiter zu verbessern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Durch die erfindungsgemäße Form des Verbindungsglieds, dessen Widerstand und die Anordnung der ersten
Hälbleiterzonen wird erreicht, daß die Unterschiede im
Spannungsabfall zwischen den Haibleiterzonen und
dem zur Steuerelektrode führenden zweiten Leiter beim Ein- oder Ausschalten äußerst gering gehalten
werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 im Schnitt eine Perspektivansicht eines Abschaltthyristors;
F i g. 2 eine größere Teilschnittansicht des Abschaltthyristors nach F i g. 1;
F i g. 3 eine Draufsicht auf eine Oberfläche eines mit einer Mehrzahl von ersten Elektroden ausgebildeten
Substrats, das in dem Abschaltthyristor nach F i g. 1 vor- 15 bündig.
det von dem kreisringförmigen Verbindungsglied 27.
Das Verbindungsglied 27 ist Teil einer Verbundelektrodenplatte
2, die außerdem noch als einen die Kathoden 16 elektrisch miteinander verbindenden ersten Leiter
eine Kathodenplatte 26 umfaßt.
Die Kathodenplatte 26 besteht z. B. aus Molybdän mit einer Dicke von ca. 3 mm. Eine Hauptflärhe 211 dieser
Scheibe ist ausgeschnitten zur Bildung einer ringförmigen Nut 261, in der das Verbindungsglied 27 aus Molybdän
aufgenommen wird. Das Verbindungsglied 27 ist gegenüber der Kathodenplatte 26 durch einen Isolator
201, z. B. aus Glas, isoliert und von diesem in seiner Lage
gehalten. Die freie Oberfläche des Verbindungsglieds 27 ist mit der einen Hauptfläche 211 der Kathodenplatte 26
handen ist;
F ■ g. 4 eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Abschaltthyristors, wobei der e^ste Leiter
teilweise entfernt ist
Unter Bezugnahme auf die F i g. 1 —3 wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelementes
in Form eines Abschaltthyristors erläutert.
Das Halbleiterbauelement weist ein Halbleitersub-Das Verbindungsglied 27 hat eine Breite von ca. 1 mm
und eine Dicke von ca. 1 mm, und sein elektrischer Widerstand, gemessen längs seiner Ringbahn, ist sehr klein,
er beträgt 0,001 Ω oder weniger. Nach Fig. 1 befindet
sich das Verbindungsglied 27 in Kontakt mit einem zweiten Leiter als Zuleitung 270 mit einem niedrigen
Widerstand zur Bildung eines elektrischen Anschlusses zur Zuführung von Steuersignalen. Die Zuleitung 270
gelangt mit dem Verbindungsglied 27 bei dem erläuter-
strat 1 auf, das als erste bis vierte Halbleiterzonen eine
Mehrzahl von n-leitfähigen Emitterzonen 15, eine p-leit- 25 ten Ausführungsbeispiel an einer Stelle in Kontakt, aber
fähige Basis 14, eine n-leitfähige Basis 13 und einen p- der Kontakt kann auch an mehreren Stellen erfolgen,
leitfähigen Emitter 12 umfaßt. Eine Mehrzahl von ersten
Elektroden 16 als Kathoden stehen auf der einen Hauptfläche des Substrats 1 in Ohmschem Kontakt mit den
n-leitfähigen Emitterzonen 15. Eine zweite Elektrode ais
Steuerelektrode befindet sich in Ohmschem Kontakt
mit einer freien Fläche der p-Ieitfähigen Basis 14 auf
derselben Hauptfläche, während eine dritte Elektrode
Elektroden 16 als Kathoden stehen auf der einen Hauptfläche des Substrats 1 in Ohmschem Kontakt mit den
n-leitfähigen Emitterzonen 15. Eine zweite Elektrode ais
Steuerelektrode befindet sich in Ohmschem Kontakt
mit einer freien Fläche der p-Ieitfähigen Basis 14 auf
derselben Hauptfläche, während eine dritte Elektrode
30
als Anode 18 auf der anderen Hauptfläche des Substra-Eine Kontaktgabe an mehreren Stellen wird sogar bevorzugt,
um den Steuerelektrodenwiderstand zu verringern.
Das erläuterte Ausführungsbeispiel ist vorteilhaft hinsichtlich des Anlegens der Ein- oder Ausschaltspannung
an die einzelnen Kathoden 16 mit geringen Verlusten und hoher Gleichmäßigkeit, weil die externe Zuleitung
270 mit dem kreisförmigen Abschnitt 170 der Steu-
tes 1 durch eine Lotschicht 19 mit dem p-leitfähigen 35 erelektrode 17 über das ringförmige Verbindungsglied
Emitter 12 in Ohmschem Kontakt steht. 27 gekoppelt ist und die einzelnen Kathoden 16 von dem
Die leitfähigen Emitterzonen 15 sind als Streifen aus- Abschnitt 170 geringe und gleiche Abstände aufweisen,
gebildet und von der Steuerelektrode 17 umgeben. Ein Wenn z. B. der gesamte durch die Steuerelektrode auf-Laminarbereich
aus vier pnpn-Schichten bildet einen genommene Steuerstrom 300—500 A während des Ab-Hauptstromflußbereich,
und ein angrenzender Lami- 40 schaltvorgangs ist, ist es möglich, die Differenz des
narbereich aus drei pnp-Schichten bildet einen Steuer- Spannungsabfalls zwischen jeder Kathode 16 und der
bereich.
. Jede einzelne n-leitfähige Emitterzone 15 hat Rechteckform mit einer Breite von ca. 0,2 mm und einer Länge
von ca. 5 mm und springt von der Oberfläche der benachbarten p-leitfähigen Basis 14 um ca. 30 μίτι vor, so
daß eine Mesaforir gebildet ist. Jede Kathode 16 ist ein
aufgedampfter Al-Film mit einer Dicke von ca. ΙΟμίτι,
der mit der Mesaoberfläche in Ohmschem Kontakt
liegt. Es sind insgesamt mehr als 150 n-leitfähige Emit- 50 gleichmäßigem SteuerbetrierT zu erwarten ist, infolge
terzonen 15 vorgesehen und radial auf der einen Haupt- ungleichmäßigen Steuerbetriebs auf ca. 400A verrinfläche
des scheibenförmigen Substrats 1 so angeordnet, gert werden. Das vorstehend erläuterte Ausführungsdaß
sie zwei konzentrische Bereiche bilden. beispiel weist zwar eine dem Stand der Technik ähnliche
Die die n-leitfähigen Emitterzonen 15 umgebende Anordnung der ersten Halbleiterzonen auf, es werden
Steuerelektrode 17 ist ein aufgedampfter Al-Film mit 55 jedoch dabei die vorgenannten Nachteile vollständig
einer Dicke von ca. ΙΟμηι. Die p-leitfähige Basis 14 beseitigt.
Zuleitung 270 auf 10 mV oder weniger zu halten. Somit ist es möglich, den Nachteil des konventionellen Abschaltthyristors
auszuschalten, daß in bestimmten ersten Halbleiterzonen ein verzögertes Abschalten während
des Abschaltvorgangs erfolgt, wodurch Hauptstrom in diesen Zonen konzentriert wird.
Tatsächlich hat sich gezeigt, daß Ströme von ca. 800 A, deren Unterbrechung bzw. Abschaltung bei
springt teilweise vor und bildet eine Mesaform 140, die
mit den n-leitfähigen Emitterzonen 15 bündig ist, und die Steuerelektrode 17 setzt sich zu der Oberfläche der
Mesa 140 der p-leitfähigen Basis 14 fort. Ein geschlossenes kreisringförmiges Verbindungsglied 27 ist auf einen
kreisförmigen Abschnitt 170 der Steuerelektrode 17 gedrückt und steht in Kontakt damit.
Nach F i g. 3 verläuft die Mesa 140 der p-leitfähigen Basis 14 in Kreisform zwischen konzentrischen Zonen
der doppelkonzentrischen Anordnung radialer n-leitfähiger
Emitterzonen 15, und sämtliche n-leitfähigen Emitterzonen 15 sind im wesentlichen gleichbeabstan-Ein
weiteres Ausführungsbeispiel nach der F i g. 4 betrifft hochleistungsfähige Halbleiterbauelemente. Nach
F i g. 4 weist ein Halbleitersubstrat 1 insgesamt hundert
n-leitfähige Emitterzonen mit Kathoden 16 auf, die radial so angeordnet sind, daß sie innerhalb von vier konzentrischen
Bereichen eingeschlossen sind, und das Halbleitersubstrat 1 trägt eine Verbundelektrodenplatte
2. Zur Verdeutlichung der Anordnung der n-leitfähigen Emitterzonen mit den Kathoden 16 auf der einen
Hauptfläche des Substrats ist in Fig.4 die Verbundelektrodenplatte 2 teilweise entfernt. Ein erstes kreisringförmiges
Verbindungsglied 271 liegt zwischen der
inneren ersten und zweiten konzentrischen Zone der vier konzentrischen Zonen der Anordnung radialer n-Ieitfähiger
Emitterzonen mit Kathoden 16. Ein zweites kreisringförmiges Verbindungsglied 272 liegt zwischen
der dritten und der vierten konzentrischen Zone. Das erste und das zweite Verbindungsglied 271 und 272 sind
durch eine Zuleitung 270 elektrisch miteinander verbunden. Die Zuleitung 270 verläuft außerhalb der Verbundelektrodenplatte 2.
Durch diese Anordnung wird eine Beeinträchtigung der Abschaltleistung auch bei dem Hochleistungs-Abschaltthyristor
mit mehreren hundert oder mehr n-leitfähigen Emitterzonen vermieden.
Die Erfindung wurde unter Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele erläutert. Zum Beispiel kann statt Molybdän
für das Verbindungsglied und die Kathode auch irgendein anderes hochleitfähiges Material mit einem
Wärmeausdehnungskoeffizienten, der angenähert demjenigen des Halbleitersubstrats entspricht, verwendet
werden, z. B. Wolfram (W) oder ein Verbundmaterial, bei dem in einer Cu-Matrix Kohlenstoffasern eingebettet
sind.
Außerdem ist es nicht immer erforderlich, die Kathodenplatte und das Verbindungsglied in der Verbundelektrodenplatte vorzusehen; diese Teile können auch
voneinander getrennt sein. In diesem Fall werden sie unter Zwischenschaltung eines Isolators oder in einem
vorbestimmten Abstand voneinander montiert. Ein kreisringförmiges Verbindungsglied eignet sich zwar
' "für Halbleitersubstrate in Form einer Kreisscheibe, aber
es kann auch andere Formen aufweisen. Das Verbindungsglied und die Steuerelektrode können durch verschiedene
Teile gebildet werden, oder sie können aus demselben Teil bestehen. Wenn z. B. der vorspringende
Abschnitt 170 der Steuerelektrode 17 dicker als die übrige
Steuerelektrode 17 ausgelegt ist, kann das Verbindungsglied 27 entfallen. In diesem Fall wirkt der Abschnitt
170 praktisch als Verbindungsglied.
Die Erfindung ist außer bei Abschaltthyristoren auch [ bei anderen Halbleiterbauelementen mit engen Mu-
stern, wie z. B. bei Leistungstransistoren, statischen Induktions-
oder Feldeffektthyristoren anwendbar.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
45
45
50
55
60
65
Claims (1)
1. Halbleiterbauelement zum Steuern großer Ströme mit
— einem Halbleitersubstrat mit zwei entgegengesetzten Hauptflächen, das zwischen den Hauptflächen
eine Mehrzahl von ersten Halbleiterzonen eines ersten Leitfähigkeitstyps, die zu einer
Hauptfläche des Substrats hin exponiert sind, und eine zweite Halbleiterzone eines zweiten
Leitfähigkeitstyps, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, angrenzend an die
ersten Halbleiterzonen und zu der einen Hauptfläche hin exponiert aufweist, so daß die e-sten
Halbleiierzonen jeweils voneinander getrennt und von der zweiten Halbleiterzone in der einen
Hauptfläche umgeben sind, und das zu der anderen Hauptfläche hin noch mindestens eine
weitere Halbleiterzone aufweist,
— einer Mehrzahl von ersten Elektroden, die direkt auf den ersten Halbleiterzonen angeordnet
sind,
— einer zweiten Elektrode als Steuerelektrode, die
direkt auf der zweiten Halbleiterzone angeordnet ist,
— einer dritten Elektrode, die auf der anderen Hauptfläche angeordnet ist,
— einem ersten Leiter, der die ersten Elektroden elektrisch miteinander verbindet,
— einem zweiten Leiter, der von der zweiten Elektrode ausgeht, und
— einem elektrischen Verbindungsglied, das die zweite Elektrode mit dem zweiten Leiter verbindet,
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