DE1913053C3 - Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode - Google Patents
Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-ElektrodeInfo
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- WYZJBFDJUPUJOF-UHFFFAOYSA-N Diain Natural products CC(C)CC1C2C(CC(=C)C3CC(O)C(O)(CCl)C3C2OC1=O)OC(=O)C(=C)CO WYZJBFDJUPUJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Feldeffekttransistör
mit isolierter Gate-Elektrode entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Unter einem Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode ist hier ein Bauelement zu verstehen,
bestehend aus einein Halbleiterkörper oder Teil desselben mit hohem spezifischem Widerstand vom
einen Leitungstyp, zwei voneinander getrennten Zo ien mit niedrigem spezifischem Widerstand vom entgegengesetzten
Leitungstyp, die sich im Halbleiterkörper oder Teil desselben von einer ersten Oberfläche her
erstrecken, einer Kanalzone im Körper oder Teil desselben in der Nähe der ersten Oberfläche und
zwischen den beiden Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand i,i der den entgegengesetzten Leitungstyp
bestimmende Ladungsträger zwischen den Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand fließen können,
einer über der ersten Oberfläche zwischen den beiden Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand angebrachten
und durch Isoliermaterial von dieser ersten Oberfläche getrennten Gate-Elektrode und aus Elektroden,
die mit den Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand auf der ersten Oberfläche ohmsche
Kontakte herstellen. Die beiden Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand werden als Source- und
Drain-Zonen bezeichnet. Der Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode kann einen Teil einer
integrierten Halbleiterschaltung bilden.
Eine allgemein bekannte Form eines derartigen Transistors ist der Metall-Oxyd-Halbleitertransistor,
der gewöhnlich als MOST bezeichnet wird. Bei diesem Bauelement besteht im allgemeinen der Halbleiterkörper
oder Teil desselben aus Silizium und die Gate-Elektrode ist durch eine isolierende Siliziumoxydschicht
von der Siliziumoberfläche getrennt.
Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode weisen mehrere Eigenschaften auf, wegen deren sie zur Anwendung als Hochtrequenzleistungsverstärker, insbesondere für linearen Betrieb und bei einer hohen anzulegenden Speisespannung, geeignet sind.
Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode weisen mehrere Eigenschaften auf, wegen deren sie zur Anwendung als Hochtrequenzleistungsverstärker, insbesondere für linearen Betrieb und bei einer hohen anzulegenden Speisespannung, geeignet sind.
Bei hohen Spitzenströmen ist eine sehr große Breite der Kanalzone erforderlich. Dies kann z. B. dadurch
erzielt werden, daß die Source- und Drain-Zonen in Form eines Kammes ausgebildet werden, wobei die
fingerförmigen Teile der Source-Zone und die der Drain-Zone ineinander eingreifen und die Kanalzone an
dem Oberflächenteil zwischen benachbarten ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Source- und
Drain-Zonen angebracht ist. Dadurch wird ein Transistor mit großer Kanalbreite erhalten, wobei die
erwähnte Kanalzone zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Source- und Drain-Zonen
einen mäanderförmigen Verlauf hat. Beim Aufbau eines derartigen Transistors ergeben sich
Probleme in bezug auf die Geometrie und die Definition
der Source-, Drain- und Gate-Elektroden. Die aus einer
Metallschicht bestehende Gate-Elektrode kann derart angebracht werden, daß sie völlig über den fingerförmigen
Teilen der Source- und Drain-Zonen und der zwischenliegenden Kanalzone liegt Eint derartige
Form ist jedoch nicht völlig befriedigend, weil infolge der Tatsache, daß die Gate-Elektrode über den
fingerförmigen Teilen der Drain-Zone liegt, die Kapazität zwischen der Gate-Elektrode und der
Drain-Zone hoch ist, was unerwünscht ist, da diese Kapazität b^lrn Betrieb Rückkopplung herbeiführt.
Auch kann die aus einer Metallschicht bestehende Gate-Elektrode derart angebracht werden, daß sie sich
nahezu völlig über der Kanalzone befindet und gleichfalls einen mäanderförmigen Verlauf hat Das
Ende einer derartigen die Gate-Elektrode bildenden Metallschicht bildet einen Anschlußteil, mit dem z. B.
mittels eines Drahtes eine elektrische Verbindung hergestellt wird. Diese Form eignet sich nicht immer für
Hochfrequenzvorrichtungen, weil zwischen dem Anschlußteil und von diesem Anschiußteil entfernten
Teilen der Gate-Elektrode ein ziemlich hoher Widerstand auftreten wird. Dieser Widerstand kann z. B. sogar
100 Ω betragen, was bei Hochfrequenzvorrichtungen nicht erwünscht ist, weil dieser Gate-Reihenwiderstand
mit der Gate-Kapazität eine parasitäre Zeitkonstante bildet. So wird bei einem MOST mit einem P-leitenden
Kanal mit einer Länge von 10 μΐη und einer Grenzfrequenz von etwa 250MHz und mit einem
Gate-Reihenwiderstand von nur 10 Ω und einer Gate-Kapazität von 200 pF eine parasitäre Grenzfr-ΐ-quenz
von etwa 80 MHz auftreten.
Vollständigkeitshalber wird noch bemerkt, daß aus der FR-PS 13 86 206 Dünnschichtfeldeffekt-Transistoren
bekannt sind, bei denen auf einer Seite eines Halbleiterkörpers fingerförmige, ineinander greifende
Source- und Drain-Elektroden angeordnet sind und auf der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers
eine Gate-Elektrode, die aus einem Basisteil und fingerförmigen, langgestreckten Teilen besteht. Eine
solche Elektrodenkonfiguration eignet sich jedoch nicht für einen Transistor der eingangs genannten Art, dessen
Elektroden sich auf derselben Seite des Halbleiterkörpers befinden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Feldeffekttransistor nach dem Oberbegriff des Anspruchs
1 so auszugestalten, daß der Widerstand der Gate-Elektrode verringert wird, ohne daß die Kapazität
zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Zone wesentlich erhöht wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Mit dieser Konfiguration eines Feldeffekttransistors mit isolierter Gate-Elektrode wird ein verhältnismäßig
niedriger Gate-Reihenwiderstand erhalten, was auf das Anbringen des Basisteiles der Gate-Elektrode zurückzuführen
ist, der die gesonderten langgestreckten Teile der Gate-Elektrode miteinander verbindet.
Gemäß der Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 10 sind die langgestreckten Teile der
Gate-Elektrode seitlich gegen die fingerförmigen Teile der Drain-Zone verschoben, derart, daß der unmittelbar
neben den fingerförmigen Teilen der Drain-Zone liegende Teil der Kanalzone nicht unter der Gate-Elektrode
liegt. Ein derartiges Bauelement wird als ein Feldeffekttransistor mit isolierter verschobener Gate-Elektrode
bezeichnet und eignet sich zur Anwendung bei einem mit einer Verarmungsschicht arbeitenden
Transistor für hohe Leistung, insbesondere einem mit einer Verarmungsschicht arbeitenden Silizium-Feldeffekttransistor
mit isolierter Gate-Elektrode für hohe Leistung, wobei die Isolierschicht aus der im Anspruch 9
erwähnten Struktur von Siliziumoxyd und Siliziumnitrid besteht Ein derartiges Bauelement wird ais ein MNOST
bezeichnet
Die Erfindung wird nachstehend anhand der schematischen Zeichnungen näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 eine Draufsicht auf einen mit einer Verarmungsschicht arbeitenden Silizium-MNOST für hohe
Leistung nach der Erfindung,
Fig.2 einen Querschnitt längs der Linie III-1II der Fig. 1,
F i g. 3 in vergrößertem Maßstab eine Draufsicht auf ein Detail eines Teiles der Elektrodenstruktur eines
Feldeffekttransistors nach den F i g. 1 und 2, wobei die Metallschichtteile der Deutlichkeit halber schraffiert
dargestellt sind, und
F ϊ g. 4 in vergrößertem Maßstab eine Draufsicht auf ein Detail eines Teiles der Elektrodenstruktur einer
Abänderung des Feldeffekttransistors nach den F i g. 1 bis 3.
Der Silizium-MNOST für hohe Leistung nach den F i g. 1 bis 3 enthält einen P-leitenden Halbleiterkörper 1
mit hohem spezifischem Widerstand und mit Abmessungen von 2,65 mm χ 1,05 mm χ 250 μηι. Die Source-Elektrode
2 wird mittels eines Drahtes 5 angeschlossen, der an einem Ende durch Wärmedruckverbindung auf
einem Anschlußteil 6 der Source-Elektrode des
Transistors befestigt ist. Die Drain-Elektrode 3 wirf4 über einen Draht 7 angeschlossen, der an einem Ende
durch Wärmedruckverbindung auf einem Anschlußteil 8 befestigt ist, während die Gate-Elektrode 4 über einen
Draht 9 angeschlossen wird, der an einem Ende durch Wärmedruckverbindung auf einem Anschlußteil 10
befestigt ist.
F i g. 1 und 4 zeigen schematisch die N-leitenden diffundierten Source- und Drain-Zonen. Die Source-Zone
enthält einen Basisteil 12 mit einem rechteckigen Außenumfang und einem nahezu rechteckigen Innenumfang.
Vom Basisteil 12 her erstrecken sich eine Anzahl fingerförmiger Teile 13 der Source-Zone nach
innen (siehe Fig.2 und 3). In Fig. 1 ist der Außenumfang des PN-Übergangs zwischen der N-leitenden
Source-Zone und dem P-leitenden Substrat 1 mit einer gestrichelten Linie 14 dargestellt. In Fi g. 3 ist der
Innenumfang des PN-Übergangs zwischen den fingerförmigen Teilen 13 der N-leitenden Source-Zone und
dem P-leitenden Substrat ί mit einer gestrichelten Linie 15 dargestellt. Die Drain-Zone enthält e;nen zentral
angeordneten Basisteil 16 mit einem rechteckigen Umfang. Vom Basisteil 16 der Drain-Zone her
erstrecken sich eine Anzahl fingerförmiger Teile 17 der Drain-Zone. Die fingerförmigen Teile 13 der Source-Zone
und die fingerförmigen Teile 17 der Drain-Zone greifen ineinander ein, wobei diese Teile in einer
Richtung quer zu ihrer Längsrichtung eine Breite von etwa 19 μίτι haben. In den Fig. 1 und 3 ist der
PN-Übergang zwischen den fingerförmigen Teilen 17 der N-leitenden Drain-Zone und dem P-leitenden
Substrat 1 mit einer gestrichelten Linie 18 dargestellt. Im Halbleiterkörper liegt zwischen den ineinander
eingreifenden fingerförmigen Teilen 13 und 17 der Source- bzw. der Drain-Zone eine mäanderförniige
Kanalzone 19. Die Länge dieses Kanals, d. h. in einer
Richtung quer zu der Längsrichtung der fingerförmigen Teile 13 und 17 der Source- bzw. der Drain-Zone, ist
11 μπι, während die Gesamtbreite des Kanals 4,08 cm
beträgt.
Auf der Oberfläche des Halbleiterkörners ist eine Isolierschicht angebracht, deren erster Teil 21 aus
Siliziumoxyd mit einer Dicke von 0,1 μΓη besteht und
sich auf der Halbleiteroberfläche befindet, während ein zweiter Schichtteil 22 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke
von 0,1 μΐη besteht und sich auf dem Teil 21 aus Siliziumoxyd befindet (F i g. 2).
Die Source- und Drain-Elektroden 2 bzw. 3 erstrecken sich in öffnungen in dieser zusammengesetzten
Isolierschicht und stellen mit Oberfiächenteilen der Source- und Drain-Zonen ohmsche Kontakte her, wie
nachstehend beschrieben wird. Die Source-Elektrode 2 besteht aus einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von
0,4 μπι, die einen Basisteil 24 enthält, der sich in einer
Öffnung in der Isolierschicht 21,22 befindet und der mit dem Basisteil 12 der Source-Zone einen ohmschen
Kontakt herstellt und in den Anschlußteil 6 übergeht, auf dem der Draht 5 befestigt ist. Die Drain-Elektrode
besteht aus einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von 0,4 μΐη, die einen Basisteil 25 enthält, der sich in einer
Öffnung in der Isolierschicht 21,22 befindet und der mit dem Basisteil 16 der Diain-Zone einen ohmschen
Kontakt herstellt und in den Anschlußteil 8 übergeht, auf dem der Draht 7 befestigt ist.
Die Gate-Elektrode 4 besteht aus einer Aluminiumschicht
mit einer Dicke von 0,4 μΐη, die sich auf der
Oberfläche des Siliziumnitridteiles 22 der Isolierschicht befindet und die einen Basisteil 27 und eine Anzahl sich
an diesen Basisteil 27 anschließender langgestreckter Teile 28 enthält Die langgestreckten Teile 28 erstrecken
sich über der Kanalzone 19 zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen 13 und 17 der
Source- bzw. der Drain-Zone und bilden einen Teil geschlossener Schleifen, wobei benachbarte Schleifen
mittels des Basisteiles 27 miteinander verbunden sind. Die Abmessung der langgestreckten Teile 28 in einer
Richtung quer zur Längsrichtung der fingerförmigen Teile der Source- und Drain-Zonen ist 10 μπι. Der
Basisteil 27 der Gate-Elektrode geht in den Anschlußtei! 10 über, auf dem der Draht 9 befestigt ist und der über
dem Basisteil 12 der Source-Zone angebracht ist.
Der Basisteil 27 der Gate-Elektrode liegt völlig innerhalb des Basisteiles 24 der Source-Elektrode und
verbindet alle durch die benachbarten Paare langgestreckter Teile 28 der Gate-Elektrode gebildete
Schleifen. Aus F i g. 3 ist ersichtlich, daß kein einziger
Teil der Gate-Elektrode über der Drain-Zone liegt, so
daß sich ein Transistor mit einer sehr niedrigen Kapazität zwischen der Gate-Elektrode und der
Drain-Zone ergibt Außerdem hat der Transistor eine verschobene Gate-Elektrode, da die langgestreckten
Teiie 28 die fingerförmigen Teile 13 der Source-Zone überlappen, aber gegen die fingerförmigen Teile 17 der
Drain-Zone über 3,0 μπι verschoben sind. Bei diesem
Transistor ist der Gate-Reihenwiderstand etwa 6 Ω und ist die Kapazität zwischen Gate-Elektrode und Drain-Zone
etwa 5 pF.
Der Stromweg vom Basisteil 24 der Source-Elektrode zu den fingerförmigen Teilen 13 der Source-Zone liegt
in Teilen der Source-Zone, die sich unter dem Basisteil 27 der Gate-Elektrode befinden. Auch ist aus F i g. 3
ersichtlich, daß die Kapazität zwischen Gate-Elektrode und Source-Zone auf ein Mindestmaß beschränkt wird,
wenn eine Konfiguration der Gate-Elektrode verwendet wird, bei der der größte Teil des Basisteiles 27 der
Gate-Elektrode die Kanalzone bedeckt, während nur ein kleinerer Teil des Basisteiles 27 diejenigen Enden
der fingerförmigen Teile 13 der Source-Zone bedeckt, die an dem Basisteil 12 der Source-Zone angrenzen.
Der Transistor nach den F i g. 1 bis 3 ist ein mit einer Verarmungsschicht arbeitender MNOST mit verschobener
Gate-Elektrode für hohe Leistung, bei dem die stromführende Kanalzone aus einer N-Ieitenden Oberflächeninversionsschicht
besteht, die zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen 13 und 17 der Source- bzw. der Drain-Zonen beim Aufwachsen
der Siliziumoxydschicht 21 auf die Siliziumoberfläche gebildet wird.
Die Isolierschicht zwischen der Gate-Elektrode und der Halbleiteroberfläche braucht nicht unbedingt aus
einer Struktur von Siliziumoxyd und Siliziumnitrid zu bestehen und kann z. B. nur aus einer Siliziumoxydschicht
mit einer Dicke von 0,2 μΐη bestehen. Die Gestalt der Source- und Drain-Zonen kann von den
Beispielen abweichen. Bei der in den Fig. 1 bis 3 gezeigten Struktur sind die Source-, Drain- und
Gate-Elektroden derart gestaltet, daß zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der
Source- und Drain-Zonen eine große Kanalzonenoberfläche pro gegebene Oberfläche des Halbleiterkörpers
erhalten wird. Die besondere Gestalt der Source- und Drain-Elektroden ist wichtig, weil durch die Abwesenheit
von Metallisierungen auf den fingerförmigen Teilen der Source- und Drain-Zonen die Abmessung dieser
fingerförmigen Teile in einer Richtung quer zu ihrer Längsrichtung klein gewählt werden kann. Sollten
Metallschichtteile auf den fingerförmigen Teilen der Source- und Drain-Zonen angebracht werden, so wäre
es erforderlich, ihre Abmessungen zu vergrößern, damit unter Verwendung bisher bekannter Fotomaskierungstechniken
zum Definieren der Melallschichieleklroden ein auf befriedigende Weise wirkender Transistor
erhalten wird.
Fig.4 zeigt eine A.bänderung des Feldeffekttransistors
nach den F i g. 1 bis 3 und ist praktisch der Ansicht nach F i g. 3 ähnlich. Bei dieser Abänderung sind auf der
Oberfläche der fingerförmigen Teile 13 der Source-Zone isolierte Aluminiumschichtteile 31 angebracht,
während auf der Oberfläche der fingerförmigen Teile 17 der Drain-Zone Aluminiumschichtteile 32 angebracht
sind, wobei die Aluminiumschichtteile 32 sich vom Basisteil 25 der Drain-Elektrode her erstrecken. Bei
diesem Transistor sind die Kanallänge (Abstand zwischen den fingerförmigen Teilen der Source- und
Drain-Zonen) und die Querabmessungen der fingerförmigen Teile der Source- und Drain-Zonen verschieden,
weil die fingerförmigen Teile 13 und 17 vergrößert werden müssen, um die Aluminiumschichtteile 31 und 32
anbringen zu können. Eine derartige Konfiguration kann vorteilhaft sein, wenn es erwünscht ist die
Reihenwiderstände der Source- und Drain-Zonen auf ein Mindestmaß herabzusetzen und die Gleichmäßigkeit
der Stromverteilung über sämtliche Teile der Kanalzone zu vergrößern.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode mit einem Halbleiterkörper, in dem die Source-
und die Drain-Zone als Oberflächenzonen ausgebildet sind, die je einen Hauptteil und eine Anzahl sich
an diesen Hauptteil anschließender fingerförmiger Teile umfassen, wobei die fingerförmigen Teile der
Source-Zone und die der Drain-Zone ineinander greifen und der Kanal zwischen benachbarten
fingerförmigen Teilen der Source- und Drain-Zonen liegt, bei dem die Gate-Elektrode aus einer
Metallschicht mit einer Anzahl langgestreckter Teile besteht, die über dem Kanal liegen und sich nahezu
parallel zur Längsrichtung der fingerförmigen Teile der Source- und Drain-Zonen erstrecken, und wobei
die Source- und die Drain-Zone je mit einer Elektrode in Form einer Metallschicht mit einem
Hauptteil versehen sind, der auf dem Hauptteil der Source- bzw. Drain-Zone liegt, und bei dem die
Elektroden und die Gate-Elektrode auf derselben Seite des Halbleiterkörpers liegen, dadurch
gekennzeichnet, daß die langgestreckten Teile (28) der Gate-Elektrode (4) durch eine:n
Basisteil (27) der Gate-Elektrode miteinander verbunden sind, der wenigstens teilweise über dem
Hauptteil der Source-Zone (12, 13) und den zur Source-Zone (12, 13) gehörenden fingerförmigen
Teilen (13) angeordnet ist (F i g. 1 bis 4).
2. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die langgestreckten Teile (23)
und der Basisteil (27) der Gate-Elektrode Teile geschlossener Schleifen bilden, wobei benachbarte
Schleifen durch den Basisteil miteinander verbunden sind.
3. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußteil (10) der
Gate-Elektrode über der Source-Zone liegt (Fig. 1).
4. Feldeffekttransistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptteil (12) der Sourco
Zone an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Gebiet umgrenzt und daß die Gate-Elektrode völlig
innerhalb dieses Gebietes liegt.
5. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode
(24) nahezu völlig auf dem Hauptteil (12) der Source-Zone liegt (Fig. 3).
6. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Elektrode
(24, 31) Separatmetallschichtteile (31) auf den fingerförmigen Teilen (13) der Source-Zone
enthält (F ig. 4).
7. Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektrode (3!S)
nahezu völlig auf dem Hauptteil (16) der Drain-Zone liegt (F ig. 3).
8. Feldeffekttransistor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektrode (25, 33!)
Teile (32) enthält, die auf den fingerförmigen Teilen (17) der Drain-Zone liegen und sich vom Hauptteil
(25) der Drain- Elektrode her erstrecken (Fig. 4).
9. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
(1) oder Teil desselben aus Silizium besteht, während das die Gate-Elektrode von der Halbleiteroberfläche
trennende Isoliermaterial einen ersten Teil (21) aus Siliciumoxid auf der Halbleiteroberfläche
und einen zweiten Teil (22) aus Siliciumnitrid auf dem zuerst erwähnten Teil enthält (F i g. 2).
10. Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche ] bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die
langgestreckten Teile (28) drr Gate-EJektrode gegen die fingerförmigen Teile (17) der Drain-Zone
seitlich verschoben sind, derart, daß der unmittelbar neben den fingerförmigen Teilen der Drain-Zone
liegende Teil der Kanalzone nicht unter der Gate-Elektrode liegt (F i g. 2).
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| GB01844/68A GB1254302A (en) | 1968-03-11 | 1968-03-11 | Improvements in insulated gate field effect transistors |
| GB1184469 | 1969-02-28 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1913053A1 DE1913053A1 (de) | 1969-12-11 |
| DE1913053B2 DE1913053B2 (de) | 1979-03-01 |
| DE1913053C3 true DE1913053C3 (de) | 1979-10-25 |
Family
ID=26248564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1913053A Expired DE1913053C3 (de) | 1968-03-11 | 1969-03-11 | Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3586930A (de) |
| AT (1) | AT320023B (de) |
| BE (1) | BE729668A (de) |
| CH (1) | CH508277A (de) |
| DE (1) | DE1913053C3 (de) |
| FR (1) | FR2003655B1 (de) |
| GB (1) | GB1254302A (de) |
| NL (1) | NL6903513A (de) |
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- 1969-03-07 NL NL6903513A patent/NL6903513A/xx unknown
- 1969-03-10 FR FR6906723A patent/FR2003655B1/fr not_active Expired
- 1969-03-10 CH CH352969A patent/CH508277A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-03-10 BE BE729668D patent/BE729668A/xx unknown
- 1969-03-10 US US805396A patent/US3586930A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-03-11 AT AT239269A patent/AT320023B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-03-11 DE DE1913053A patent/DE1913053C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6903513A (de) | 1969-09-15 |
| CH508277A (de) | 1971-05-31 |
| FR2003655A1 (de) | 1969-11-14 |
| BE729668A (de) | 1969-09-10 |
| US3586930A (en) | 1971-06-22 |
| AT320023B (de) | 1975-01-27 |
| FR2003655B1 (de) | 1973-10-19 |
| GB1254302A (en) | 1971-11-17 |
| DE1913053A1 (de) | 1969-12-11 |
| DE1913053B2 (de) | 1979-03-01 |
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| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |