DE1913053A1 - Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode - Google Patents
Feldeffekttransistor mit isolierter TorelektrodeInfo
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Description
N0V.Philips'Gloeilampenfa"brieken Va / WJM.
"Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode"τ
Die Erfindung bezieht sich auf einen Feldeffekttransistor
mit isolierter Torelektrode und insbesondere auf einen Feldeffekttransistor für hohe Leistung und hohe Frequenzen,
bei dem die Zufluss- und Abflusszonen aus je einem Basisteil und einer Anzahl sich daran anschlieseender fingerförmiger
Teile bestehen, wobei die fingerförmigen Teile der Zuflusszone und die der Abflusszone ineinander eingreifen
und die Kanalzone sich an Oberflächenteilen zwischen benachbarten fingerförmigen Teilen der Zufluss- und Abflugszonen
befindet, während die Torelektrode aus einer Metallschicht mit einer Anzahl langgestreckter Teile besteht, die über
den erwähnten Oberflächenteilen liegen und sich nahezu pa-
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rallel zur Längsrichtung der fingerförmigen Teile der Zufluss-
und Abflusszonen erstrecken.
Unter einem Feldeffekttransistor mit isolierter Toi-elektrode ist hier eine Vorrichtung zu verstehen, bestehend
aus einem Halbleiterkörper oder Teil desselben mit hohem spezifischem Widerstand vom einen Leitfähigkeitstyp, zwei
voneinander getrennten Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, die sich
im Halbleiterkörper oder Teil desselben von einer ersten Oberfläche her erstrecken, einer Kanalzone im Körper oder
Teil desselben in der Nähe der ersten Oberfläche und zwischen
den beiden Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand in der den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp bestimmende Ladungsträger
zwischen den erwähnten Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand fliessen können, einer über der ersten
Oberfläche zwischen den beiden Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand angebrachten und durch Isoliermaterial von
dieser ersten Oberfläche getrennten Torelektrode und aus Elektroden, die mit den Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand auf der ersten Oberfläche ohmsche Kontakte herstellen. Die beiden Zonen mit niedrigem spezifischem Widerstand
werden als Zu- und Abflusszonen bezeichnet. Der Feldeffekttransistor
mit isolierter Torelektrode kann einen Teil einer integrierten Halbleiterschaltung bilden.
Eine allgemein bekannte Form eines derartigen
Transistors ist der Metall-Oxyd-Halbleitertransistor, der gewöhnlich
als MOST bezeichnet wird. Bei dieser Vorrichtung,
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β'-
bestellt im allgemeinen der Halbleiterkörper oder ^FeIl desselben
aus Silizium und ist die Torelektrode durbh eine isolierende
Siliziumoxydschient von der Siliziumoberfläche getrennt
.
Feldeffekttransistoren mit isolierten Torelektroden
weisen mehrere Eigenschaften auf, wegen deren sie
zur Anwendung als Hochfrequenzleistungsverstärker, insbesondere für linearen Betrieb und bei einer hohen anzulegenden Speisespannung, geeignet sind.
zur Anwendung als Hochfrequenzleistungsverstärker, insbesondere für linearen Betrieb und bei einer hohen anzulegenden Speisespannung, geeignet sind.
Bei hohen Spitzenströmen ist eine sehr grosse
Breite der Kanalzone erforderlich. Dies kann z.B. dadurch •erzielt werden, dass die Zu- und Abflusszonen in Form einer Kamme ausgebildet werden, wobei die fingerförmigen Teile der Zuflusszone und die der Abflusszone ineinander eingreifen ■ und die Kanalzone an dem Oberflächenteil zwischen benachbarten ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen angebracht ist. Dadurch wird ein Transistor mit grosser Kanalbreite erhalten, wobei die erwähnte Kanalzone zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen einen mäanderförmigen Verlauf hat. Beim Aufbau eines derartigen Transistors ergeben sich Probleme in bezug auf die Geometrie und die Definition der Zufluss-, ιlAbfluss- und Torelektroden. Die aus einer Metallschicht bestellende Torelektrode kann derart angebracht werden, dass sie völlig über den fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen und der zwischenliegenden Kanalzone
liegt. Eine derartige Form ist jedoch nicht völlig befrie-
Breite der Kanalzone erforderlich. Dies kann z.B. dadurch •erzielt werden, dass die Zu- und Abflusszonen in Form einer Kamme ausgebildet werden, wobei die fingerförmigen Teile der Zuflusszone und die der Abflusszone ineinander eingreifen ■ und die Kanalzone an dem Oberflächenteil zwischen benachbarten ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen angebracht ist. Dadurch wird ein Transistor mit grosser Kanalbreite erhalten, wobei die erwähnte Kanalzone zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen einen mäanderförmigen Verlauf hat. Beim Aufbau eines derartigen Transistors ergeben sich Probleme in bezug auf die Geometrie und die Definition der Zufluss-, ιlAbfluss- und Torelektroden. Die aus einer Metallschicht bestellende Torelektrode kann derart angebracht werden, dass sie völlig über den fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen und der zwischenliegenden Kanalzone
liegt. Eine derartige Form ist jedoch nicht völlig befrie-
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PHB. 31.8^9.
digend, weil infolge der Tatsache, dass die Torelektrode
über den fingerförmigen Teilen der Abflusszone liegt, die
•Kapazität zwischen der Torelektrode und der Abflusszone hoch
ist, was unerwünscht ist, da diese Kapazität beim Betrieb Rückkopplung herbeiführt. Auch kann die aus einer Metallschicht
bestehende Torelektrode derart angebracht werden, dass sie sich nahezu völlig über der Kanalzone befindet und
gleichfalls einen mäanderförmigen Verlauf hat. Das Ende
einer derartigen die Torelektrode bildenden Metallschicht
bildet einen Anschlussteil, mit dem z.B. mittels eines Drahtes eine elektrische Verbindung hergestellt wird. Diese Form
eignet sich nicht immer für Hochfrequenzvorrichtungen, weil zwischen dem Anschlussteil und von diesem Anschlussteil entfernten
Teilen der Torelektrode ein ziemlich hoher Widerstand auftreten wird. Dieser Widerstand kann z.B. sogar
/100 Λ betragen, was bei Hochfrequenzvorrichtungen nicht· erwünscht
ist, weil dieser Torreihenwiderstand mit der Torkapazität eine parasitäre Zeitkonstante bildet. So wird bei
einem MOST mit einem p-leitenden Kanal mit einer Länge von
10 /um und einer Grenzfrequenz von etwa 250 MHz und mit
einem Torreihenwiderstand von nur 10Aund einer Torkapazität
von 200 pF eine parasitäre Grenzfrequenz von etwa 80 MHz auftreten.
Die Erfindung hat den Zweck, die obenerwähnten Nachteile zu vermeiden.
Nach der Erfindung ist ein Feldeffekttransistor eingangs erwähnter. Art dadurch gekennzeichnet, dass die er-
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wähnten langgestreckten Teile durch einen Basisteil mit ein-
-ander verbunden sind, der wenigstens teilweise über einer der Zu- und Abflusszonen liegt und in einen Anschlussteil
übergeht, während.qjxLe mit der erwähnten einen Zone in Verbindung
stehende Elektrode eine Metallschicht mit einem Basisteil enthält, der auf dem Basisteil der erwähnten einen Zone
liegt, derart, dass Stromwege von dem Basisteil der mit der Zone in Verbindungs stehenden Elektrode zu den fingerförmigen
Teilen dieser Zone in Teilen dieser Zone liegen, die sich unterhalb das Basisteiles der Torelektrode befinden.
Mit dieser Konfiguration eines Feldeffekttransistors
mit isolierter Torelektrode wird eine Vorrichtung mit einem verhältnismässig niedrigen Torreihenwiderstand erhalten,
was auf das Anbringen des Basisteiles der Torelektrode zurückzuführen ist, der die gesonderten langgestreckten Teile
der Torelektrode miteinander verbindet. Diese Teile der Torelektrode können aus gesonderten fingerförmigen Teilen bestehen,
die sich vom Basisteil der Torelektrode her erstrecken und in der Nähe des Basisteiles der mit der anderen der erwähnten
Zu- und Abflusszonen in Verbindung stehenden Elektrode
endigen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform bilden
die langgestreckten Teile der Torelektrode jedoch Teile geschlossener Schleifen, die sich vom Basisteil der Torelektrode
her erstrecken, wobei benachbarte Schleifen mittels· des erwähnten Basisteiles der Torelektrode miteinander verbunden
sind, Mit dieser Konfiguration wird eine weitere Herabsetzung des Torreihenwiderständes erzielt.
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Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
eines Feldeffekttransistors mit isolierter Torelektrode nach
der Erfindung ist der Basisteil der Torelektrode wenigstens teilweise über der Zuflusszone angebracht. Diese Konfiguration wird einer Konfiguration vorgezogen, in der der Basisteil
der Torelektrode wenigstens teilweise die Abflusszone bedeckt, weil im letzteren Fall die Kapazität zwischen der
Torelektrode und der Abflusszone zunehmen wird.
Bei der erwähnten bevorzugten Ausführungsform,
bei der der Basisteil der Torelektrode wenigstens teilweise über der Zuflusszone angebracht ist, kann der Anschlussteil
der Torelektrode sich gleichfalls über der Zuflusszone befinden. Dies ist erwünscht, weil dann die Kapazität zwischen
der Torelektrode und der Abflusszone nicht zunimmt. Die die Torelektrode bildende Metallschicht kann völlig innerhalb
des Gebietes liegen, das durch den Basisteil der die Zuflusselektrode
bildenden Metallschicht begrenzt wird. . ,,
Bei der erwähnten bevorzugten Ausführungsform, ; :
bei der der Basisteil der Torelektrode wenigstens teilweise die Zuflusszone bedeckt, kann der Basisteil der Torelektrode
teilweise über denjenigen Teilen der Kanalzone liegen, die an denjenigen Enden der fingerförmigen Teile der Abflusszone angrenzen,
die nicht am Basisteil der Abflusszone angrenzen, und an denjenigen Enden der fingerförmigen Teile der Zuflusszone,
die am Basisteil der Zuflusszone angrenzen. Diese Konfiguration wird einer anderen vorgezogen, in der der Basisteil
der Torelektrode völlig über dem Basisteil der Zufluss-
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zone liegt, weil im letzteren Falle die Kapazität zwischen der Torelektrode und der Zuflusszone höher wäre.
Die die Zuflusselektrode bildende Metallschicht kann nahezu völlig auf dem Basisteil der Zuflusszone liegen,
wobei die fingerförmigen Teile der Zuflussζone nicht
von dieser Metallschicht bedeckt werden. Bei dieser Konfiguration kann bei einer gegebenen Oberfläche des Halbleiterkörpers
die Oberfläche der Kanalzone grosser als bei einer Vorrichtung sein, in der die die Zuflusselektrode bildende
Metallschicht Teile enthält, die rsich auf den fingerförmigen
Teilen der Zuflusszone befinden. Bei einer'Vorrichtung, in
der eine Kanalzone geringeren Umfangs bei der gegebenen Oberfläche
des Halbleiterkörpers zulässig ist, kann die die Zuflusselektrode bildende Metallschicht separat Metallteile
enthalten, die auf den fingerförmigen Teilen der Zuflusszone
liegen. Aus ähnlichen Gründen kann die die Abflusszone bildende Metallschicht nahezu völlig auf dem Basisteil der Abflusszone
liegen, oder kann die die Abflusszone bildende Metallschicht Teile enthalten, die sich auf den fingerförmigen
Teilen der Abflusszone befinden und sich von einem Basisteil der Metallschicht her erstrecken, der auf dem Basisteil
der Abflusszone liegt,
Bei einem Feldeffekttransistor mit isolierter
Torelektrode nach der Erfindung kann der Halbleiterkörper oder Teil desselben aus Silizium bestehen, während das die
Torelektrode von der Halbleiteroberfläche trennende Isoliermaterial einen ersten Schichtteil aus Siliziumoxyd auf der
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Halbleiteroberfläche und einen zweiten Schichtteil aus Siliciumnitrid
auf dem ersten Schichtteil enthält.
Bei einer besonderen Ausführungsform eines Feldeffekttransistors
mit isolierter Torelektrode nach der Erfindung sind die langgestreckten Teile der Torelektrode seitlich
gegen die fingerförmigen Teile der Abflusszone verschoben,
derart, dass der unmittelbar neben der fingerförmigen
Teilen der Abflusszone liegende Teil der Kanalzone nicht unter der Torelektrode liegt. Eine derartige Vorrichtung wird
als ein Feldeffekttransistor mit isolierter verschobener Torelektrode
bezeichnet und diese Konfiguration eignet sich zur Anwendung bei einem mit einer Erschöpfungsschicht wirkenden
Transistor für hohe Leistung, insbesondere einem mit einer Erschöpfungsschicht wirkenden Silizium-Feldeffekttransistor
mit isolierter Torelektrode für hohe Leistung, wobei die Isolierschicht aus der obenerwähnten Struktur vom Siliziumoxyd und Siliziumnitrid besteht. Eine derartige Vorrichtung
wird &ls ein MNOST bezeichnet.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der beiliegenden
schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen mit einer Erschöpfungsschicht
wirkenden Silizium-MNOST für hohe Leistung nach der Erfindung,
Fig. 2 einen Querschnitt längs der Linie III-III
der Fig. 1 , -. .
Fig. 3 in vergrössertem Masstab eine Draufsicht
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auf ein Detail eines Teiles der Elektrodenstruktur einer
Vorrichtung nach, den Figuren 1 und 2, wobei die Metallschichtteile
der Deutlichkeit halber schraffiert dargestellt sind, und
Fig. h in vergrössertem Masstab eine Draufsicht
auf ein Detail eines Teiles der Elektrodenstruktur einer Abänderung
der Vorrichtung nach den Figuren 1 bis 3·
Der Silizium-MNOST für hohe Leistung nach den
Figuren 1 bis 3 enthält einen p-leitenden Halbleiterkörper 1 mit hohem spezifischem Widerstand und mit Abmessungen von
2,65 mm χ 1,05 nun χ 250 /um . Die Zuflusselektrode 2 wird
mittels eines Drahtes 5 angeschlossen, der an einem Ende durch Wärmedruckverbindung auf einem Anschlussteil 6 der
Zuflusselektrode des Transistors befestigt ist. Die Abflusselektrode
3 wird über einen Draht 7 angeschlossen, der an einem Ende durchsWärmedruckverbindung auf-einem Anschlussteil
8 befestigt ist, während die Torelektrode k über einen Draht 9 angeschlossen wird, der an einem Ende durch Wärmedruckverbindung
auf einem Anschlussteil 10 befestigt ist.
Figuren 1 und k zeigen schematisch die n-leitenden
diffundierten Zu- und Abflusszonen. Die Zuflusszone enthält
einen Basisteil 12 mit einem rechteckigen Aussenumfang
und einem nahezu reehibfcckigen Innenumfang. Vom Basisteil
her erstrecken sich eine Anzahl fingerförmiger Teile 13 der
Zuflusszone nach innen (siehe Figuren 2 und 3). In Fig. 1 ist der Aussenumfang des pn-Ubergangs zwischen der n-leitenden
Zuflusszone und dem p-leitenden Substrat 1 mit einer
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- ro -
gestrichelten Linie 14 dargestellt. In Fig. 3 ist der Innenumfang
des pn-Ubergangs zwischen den fingerförmigen Teilen 13 der η-leitenden Zuflusszone und dem p-leitenden Substrat
1 mit einer gestrichelten Linie 15 dargestellt. Die Abflusszone enthält einen zentral angeordneten Basisteil 16 mit
einem rech±eckigem .Umfang. Vom Basisteil 16 der Abflusszone
her erstrecken sich eine Anzahl.fingerförmiger Teile 17 der
Abflusszone. Die fingerförmigen Teile 13 der Zuflusszone und
die fingerförmigen Teile 17 der Abflusszone greifen ineinander ein, wobei diese Teile in einer Richtung quer zu ihrer
Längsrichtung eine Breite von ca 19 /um haben. In den Figuren 1 und 3 ist der pn-Übergang zwischen den fingerförmigen
Teilen 17 der η-leitenden Abflusszone und dem p-leitenden Substrat 1 mit einer gestrichelten Linie 18 dargestellt. Im
Halbleiterkörper liegt zwischen den ineinander eingreifenden
fingerförmigen Teilen 13 und 17 der Zufluss- bzw. der Abflusszone eine määnderförmige Kanalzone 19. Die Länge dieses Kanals,
d.h. in einer Richtung quer zu der Längsrichtung der fingerförmigen Teile 13 und 17 der Zufluss- bzw. der Abflusszone,
ist 11 /um, während die Gesamtbreite des Kanals 4,08
cm beträgt.
Auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers ist eine Isolierschicht angebracht, deren erster Teilo21 aus
Siliziumoxyd mit einer Dicke von 0.1 /um besteht und sich auf der Halbleiteroberfläehe befindet, während ein zweiter
Schichtteil 22 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von 0.1 /um besteht und sich auf dem Teil 21 aus Siliziumoxyd befin-
det. (Fig. 2). 9098 50/1271
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Die Zufluss- und Abflusselektroden 2 bzw. 3 erstrecken
sich in öffnungen in dieser zusammengesetzten, isolierschicht
und stellen mit Oberflächenteilen der Zuflussland Abflusszonen ohmsche Kontakte her, wie nachstehend beschrieben
wird. Die Zuflusselektrode 2 besteht aus einer Aluminiumschicht mit einer Dicke von O,k /um, die einen Basisteil
2k enthält, der sich in einer Öffnung in der Isolierschicht
21,22 befindet und der mit dem Basisteil 12 der Zuflusszone einen ohmschen Kontakt herstellt und in den Anschlussteil
6 übergeht, auf dem der Draht 5 befestigt ist. Die Abflusselektrode besteht aus einer Aluminiumschicht mit
einer Dicke von O.k /um, die einen Basisteil 25 enthält, der
sich in einer öffnung in der IsolierschJäicht 21,22 befindet
und der mit dem Basisteil 16 der Abflusszone einen ohmschen
Kontakt herstellt und in den Anschlussteil 8 übergeht, auf dem der Draht 7 befestigt ist.
Die Torelektrode k besteht.aus einer Aluminiumschicht
mit einer Dicke von 0.4 /um, die sich auf der Oberfläche des Siliziumnitridteiles 22 der Isolierschicht befindet
und die einen Basisteil 27 und eine Anzahl sich an diesen Basisteil 27 anschliessenden langgestreckter Teile
28 enthält. Die langgestreckten Teile 28 erstrecken sich über der Kanalzone 19 zwischen den ineinander eingreifenden
fingerförmigen Teilen 13 und 17 der Zufluss- bzw. der Abflusszone und bilden einen Teil geschlossener Schleifen,
wobei benachbarte Schleifen mittels des Basisteiles 27 miteinander
verbunden sind. Die Abmessung der langgestreckten
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Teile 28 in einer Richtung quer zur Läpgsrichtung der fingerförmigen
Teile der Zu- und Abflussζonen ist 10 yum. Der
Basisteil 27 der Torelektrode geht in den Anschlussteil 10 über, auf dem der Draht 9 befestigt ist und der über dem
Basisteil 12 der Zuflusszone angebracht ist.
Der Basisteil 27 der Torelektrode liegt völlig
innerhalb des Basisteiles 24 der Zuflusselektrode und ver-" bindet alle durch die benachbarten Paare langgestreckter
Teile 28 der Torelektrode gebildete Schleifen. Aus Fig. 3 ist
ersichtlich, dass kein einziger Teil der Torelektrode über
der Abflusszone liegt, so dass eine Vorrichtung mit einer
sehr niedrigen Kapazität zwischen der Torelektrode und der
Abflusszone erhalten ist. Ausserdem hat die Vorrichtung eine
verschobene Torelektrode, indem die langgestreckten Teile
28 die fingerförmigen Teile 13 der Zuflussζone überlappen,
aber gegen die fingerförmigen Teile 17 der Abflusszone über
3|0 /um verschoben sind. Bei dieser Vorrichtung ist der
forreihenwiderstand ca. öilund ist die Kapazität zwischen
Torelektrode und Abflusszone ca 5 pF.
Der Stromweg vom Basisteil 24 der Zuflusselektrode
zu den fingerförmigen Teilen 13 der Zuflusszone liegt in
Teilen der Zuflusszone, die sich unter dem Basisteil 27
der Torelektrode befinden. Auch ist aus Fig. 3 ersichtlich,
dass die Kapazität zwischen Torelektrode und Zuflusszone auf ein Mindestraass beschränkt wird, wenn eine Konfiguration
der Torelektrode angewandt wird, bei der der grösste Teil des Basisteiles 27 der Torelektrode die Kanalzone bedeckt,
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während nur ein kleinerer Teil des Basisteiles 27 diejenigen Enden der fingerförmigen Teile 13 der Zuflusszone bedeckt,
die an dem Basisteil 12 der Zuflusszone angrenzen.
Der Transistor nach den Figuren 1 bis 3 ist ein mit einer Erschöpfungsschicht wirkender MNOST mit verschobener
Torelektrode für hohe Leistung, bei dem die stromführende Kanalzone aus einer η-leitenden Oberflächeninversionsschicht
besteht, die zwischen den ineinander eingreifenden
fingerförmigen Teilen 13 und 17 der Zufluss- bzw. der Abfluss·
zönen beim Aufwachsen der Siliziumoxydschicht 21 auf die
Siliziumoberf'läche gebildet wird.
Es dürfte einleuchten, dass im Rahmen der Erfindung viele Abarten möglich sind. Die Isolierschicht zwischen
der Torelektrode und der Halbleiteroberfläche braucht nicht
unbedingt aus einer Struktur von Siliziumoxyd und Siliziumnitrid zu bestehen und kann z.B. nur aus einer Siliziumoxydschicht
mit einer Dicke von 0.2 /um bestehen. Ausserdom beschränkt
sich die Erfindung nicht auf Vorrichtungen mit verschobenen Torelektroden. Die Gestalten der Zu- und Abflusszonen
können auch in mancher Hinsicht abweichen. Bei der in den Figuren 1 bis 3 gezeigten Struktur sind die Zufluss-,
Abfluss- und Torelektroden derart gestaltet, dass zwischen den ineinander eingreifenden fingerförmigen Teilen der Zu-
und Abflusszonen eine grosse Kanalzonenoberfläche pro gegebene
Oberfläche des Halbleiterkörpers erhalten wird. Die besonderen Gestalten der Zu- und Abflusselektroden sind wichtig,
weil durch die Abwesenheit von Metallisierungen auf den
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fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen die Abmessung
dieser fingerförmigen Teile in einer Richtung quer zu ihrer
Längsrichtung klein gewählt werden kann. Sollten Metallschichtteile auf den fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen
angebracht weirden, so wäre es erforderlich, ihre Abmessungen zu vergrössern, damit unter Verwendung bisher
bekannter Photomaskierungstechniken zum Definieren der Metallschichtelektroden
eine auf befriedigende Weise wirkende Vorrichtung erhalten wird.
Fig. k zeigt eine Abänderung der Vorrichtung nach
den Figuren 1 bis 3 und ist praktisch der Ansicht nach Fig. 3 ähnlich. Bei dieser Abänderung sind auf der Oberfläche der
fingerförmigen Teile 13 der Zuflusszone isolierte Aluminiumschichtteile
31 angebracht, während auf der Oberfläche der
fingerförmigen Teile 17 der Abflusszone Aluminiumschichtteile
32 angebracht sind, wobei die Aluminiumschichtteile 32 sich
vom Basisteil 25 der Abflusselektrode her erstrecken. Bei
dieser Vorrichtung sind die Kanallänge (Abstand zwischen den fingerförmigen Teilen der Zu- und Abflusszonen) und die' Querabmessungen
der fingerförmigen Teile der Zu- und Abflusszonen
verschieden, weil die fingerförmigen Teile 13 und 17 vergrössert
werden müssen, um die Aluminiumschichtteile 31 und 32 anbringen zu können. Eine derartige Konfiguration kann
vorteilhaft sein, wenn es erwünscht ist, die Reihenwiderstände
der Zu- und AbflussZonen auf ein Mindestmass herabzusetzen
und die Gleichmässigkeiteder Stromverteilung über sämtliche Teile der Kanalzone zu vergrössern.
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Claims (1)
- PHB. 31.849· - 1.5 -:" ' ' PATENTAN SPRUCH E .1. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode, bei dem die Zufluss- und Abflusszone je einen Basisteil und eine Anzahl sich an diesen Basisteil anschliessender fingerförmiger Teile enthalten, wobei die fingerförmigen Teile der Zuflusszone und die der Abflusszone ineinander eingreifen und die Kanalzone sich an Oberflächenteilen zwischen benachbarten fingerförmigen Teilen der Zufluss- und Abflusszonen befindet, während die Torelektrode aus einer Metallschicht mit einer Anzahl langgestreckter Teile besteht, die über den erwähnten Oberflächenteilen liegen und sich nahezu parallel zur Längsrichtung der fingerförmigen Teile der Zu- und Abflusszonen erstrecken, dadurch gekennzeichnet, dass die erwähnten langgestreckten Teile mittels eines Basisteiles miteinander verbunden sind, der wenigstens teilweise über einer der Zu- und Abflusszonen liegt und in einen Anschlussteil übergeht, wobei die mit der erwähnten einen Zone in Verbindung stehende Elektrode eine Metallschicht mit einem Basisteil enthält, der auf dem Basisteil, der einen Zone liegt, derart, dass Stromwege von dem Basisteil der mit· der einen Zone in Verbindung stehenden Elektrode zu den fingerförmigen Teilen dieser Zone in Teilen dieser Zone liegen, die sich unter dem Basisteil der Torelektrode befinden.2. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die langgestreckten Teile der Torelektrode Teile geschlossener Schleifen bilden, die sich vom Basisteil der Torelektrode lier er-9 0 9 8 5 0/1271 -PHB. 31.8^9. - 16 -strecken, wobei benachbarten Schleifen durch den erwähnten Basisteil miteinander verbunden sind.3. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrodenach Anspruch 1 oder 2, dadiarch gekennzeichnet, dass der Basisteilc'der Torelektrode wenigstens teilweise über der Zuflusszone liegt.k. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode" nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussteil der Torelektrode über der Zuflusszone liegt.5. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach Anspruch 3 oder h, dadurch gekennzeichnet, dass die die Torelektrode bildende Metallschicht völlig innerhalb des Gebietes liegt, dass durch den Basisteil der die Zuflusselektrode bildenden Metallschicht begrenzt wird.6. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach einem der Ansprüche 3 bis 5> dadurch gekennzeichnet, dass der Basisteil der Torelektrode teilweise über denjenigen Teilen der Kanalzone liegt, die an denjenigen Enden der fingerförmigen Teile der Zuflusszone angrenzen, die nicht am Basisteil der Anflusszone angrenzen, und an denjenigen Enden der fingerförmigen Teile der Zuflusszone, die am Basisteil der Zuflusszone angrenzen.7« Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrodenach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die die Zuflusselektrode bildende Metallschicht nahezu völlig auf dom Üa;- J .a te J 1 der Zrif lusszoiie liegt, wobei die f ingo:1 föimigen T.-:-i1« der Zuflusszone niciit mit dieser Metall-.--oiii-iu n^nvog,, :.;t(.t 'H098507 12.7 1-PHB. 31.8^9. - 17 -8. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach, einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die die Zuflusselektrode bildende Metallschicht Separatmetallschichtteile auf den fingerförmigen Teilen der Zuflusszone enthält,9. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass die die Abflusselektrode bildende Metallschicht nahezu völlig auf dem Basisteil der Abflusszone liegt.10. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die die Abflusselektrode bildende Metallschicht Teile enthält, die auf den fingerförmigen Teilen der Abflusszone liegen und sich von einem Basisteil der Metallschicht her erstrecken, der sich auf dem Basisteil der Abflusszone befindet.11. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichaet, dass der Halbleiterkörper oder Teil desselben aus Silizium besteht, während das die Torelektrode von der Halbleiteroberfläche trennende Isoliermaterial einen ersten Teil aus Siliziumoxyd auf der Halbleiteroberfläche und einen zweiten Teil aus Siliziumnitrid auf dem zuerst erwähnten Teil enthält.12. Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die langgestreckten Teils der Torelektrode gegen die fingerförmigen Teil© der Abflusszone seitlich verschoben sind,909850/1271PHB. 31.849. - 18 -derart, dass der unmittelbar neben den fingerförmigen Teilen der Abflusszone liegenden Teil der Kanalzone nicht unter der Torelektrode liegt.909850/1271Leerseite
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