DE2756514A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
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Description
16. Dezember 1977 31 869 B
RCA Corporation, 30 Rockefeiler Plaza, New York. N.Y. 10020 (V.St.A.)
»Halbleiterbauelement*
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit zwei an dessen Oberfläche angrenzenden
Bereichen entgegengesetzten Leitungstyps und mit einer auf der Oberfläche liegenden, mit den Bereichen kontaktierten
leitenden Schicht.
Ein Hauptproblem herkömmlicher Halbleiterbauelemente, insbesondere
Transistoren, welche fingerartig ineinandergreifende Basis-Emitter-Strukturen aufweisen, besteht darin,
daß jeder Finger der ineinandergreifenden Bereiche auf einem anderen Spannungspotential arbeitet. Das bedeutet
also, daß dort, wo sich eine Elektrode von einem Anschlußpol aus längs des Randes der Fingerteile erstreckt, ein
beträchtlicher Spannungsabfall zwischen den nahe dem Anschlußpol und den weiter abliegenden Fingerteilen auftritt;
der relative Abstand der Fingerteile vom Anschlußpol sei dabei längs der Elektrode gemessen. Dieselbe
Situation liegt bei einer Elektroden-Konfiguration vor, bei der sich ein Leiterteil von einem Anschlußpol aus
erstreckt und eine Vielzahl von leitenden Fingern aufweist, die direkt von dort aus in die Fingerteile des
ineinandergreifenden Bereichs vorspringen. Solche Unterschiede in den Spannungswerten zwischen den Fingerteilen
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kann zur Instabilität des Halbleiterbauelementes führen.
Zusätzlich zu der unausgeglichenen Spannungsverteilung selbst werden die Elektrodenfinger, die näher an dem Anschlußpol
liegen, gewöhnlich zu hoch vorgespannt, damit sichergestellt ist, daß die weiter wegliegenden Elektrodenfinger
auf einer minimalen Betriebsspannung gehalten werden. Das bedeutet also, daß die näher an dem Anschlußpol
liegenden Finger höher vorgespannt werden als das für eine einwandfreie Betriebsweise erforderlich wäre. Folglich
fließt mehr Strom in die Fingerteile des ineinandergreifenden Bereichs, der näher an dem Anschlußpol liegt als in
die weiter ab befindlichen Finger. Das führt zu einem übermäßigen Strom in den näher liegenden FingerteiLen und
kann eine örtliche Überhitzung hervorrufen, durch welche das Bauelement beschädigt oder zerstört werden kann.
Bisherige Versuche zur Lösung dieser Probleme waren grundsätzlich darauf gerichtet, den Widerstand der Hauptleitung
herabzusetzen, um dadurch die Differenz der unterschiedlichen Spannungsabfälle in den einzelnen Fingern zu vermindern.
Eine solche Lösung besteht darin, die Leiterstrecken aus einem Material mit vergrößerter Leitfähigkeit
herzustellen. Eine weitere Lösung war es, entweder die Dicke oder die Breite der Elektrode oder beides zu
vergrößern.
Obwohl diese Lösungen zur Verminderung des Widerstandes der Leiter und damit der Unterschiede in den Spannungsabfällen zwischen den einzelnen Elektrodenfingern führten,
blieb das grundsätzliche Problem bestehen. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, zu einem
Halbleiterbauelement der eingangs genannten Gattung
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eine Elektroden-Konfiguration zu schaffen, bei der die Unterschiede in den Spannungsabfällen zwischen den einzelnen
Elektrodenfingern im wesentlichen eliminiert sind. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die leitende
Schicht aus einem ersten kammartigen Bereich mit einem ersten Steg und mit von dem Steg ausgehenden ersten Fingern
und aus einer Verbindungsleitung mit einem im wesentlichen parallel zu dem ersten Steg verlaufenden Abschnitt
besteht, und daß die Leitung den ersten Steg zwischen den Stegenden kontaktiert.
Dadurch wird erreicht, daß der maximale Spannungsabfall zwischen der Kontaktstelle des Kammrückens und dem entferntesten
Finger von dieser Kontaktstelle beträchtlich kleiner ist als der Spannungsabfall, der auftreten würde,
wenn der Kammrücken an einem seiner Enden kontaktiert wäre.
Anhand der schematischen Zeichnung von Ausführungsbeispielen werden weitereEinzelheiten der Erfindung erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 bis 3 nicht maßstabgetreue Draufsichten auf Teile verschiedener Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßer
Elektroden.
Fig. 1 zeigt ein insgesamt mit 10 bezeichnetes Halbleiterbauelement,
dessen Halbleiterkörper 12 eine Oberfläche 14 besitzt.
An die Oberfläche 14 grenzt eine erste halbleitende Zone 16 an, die im folgenden als P-leitend beschrieben ist,
aber ebenso gut N-leitend sein könnte, wenn der Leitungstyp der anderen im folgenden angegebenen Zonen ebenfalls
geändert wird.
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Innerhalb der ersten Zone 16 und angrenzend an die Oberfläche
14 ist wenigstens eine zweite halbleitende Zone 18 des anderen Leitungstyps - also im Beispiel mit N-Leitung
- vorgesehen. An der Grenzschicht zwischen der ersten Zone 16 und der zweiten Zone 18 ist ein PN-Übergang
20 gebildet. Vorzugsweise greifen die erste Zone 16 und die zweite Zone 18 fingerartig ineinander, obwohl
auch andere Formen angewendet werden können, z. B. kann die zweite Zone 18 einen Oberflächenabschnitt in
Form eines in der Zeichnung nicht dargestellten Gitters haben. Unter "fingerartig ineinandergreifen" ist zu verstehen,
daß Finger der ersten Zone 16 mit entsprechenden Fingern der zweiten Zone 18 verflochten sind.
Eine Schicht 22 aus leitendem Material kontaktiert die erste Zone 16 elektrisch und bildet eine Elektrode. Vorzugsweise
kontaktiert die Schicht 22 die erste Zone 16 nur an deren Fingerteilen, d. h. die leitende Schicht
hält zur ersten Zone 16 mit Hilfe einer nicht gezeichneten Isolierschicht Abstand. Die Isolierschicht besitzt
öffnungen, in denen die Fingerteile freigelegt sind, damit die Schicht 22 die erste Zone 16 durch diese Öffnungen
hindurch kontaktieren kann. Die Schicht 22 besteht aus einem kammartigen Bereich 24 mit einem zweiendigen
Kammsteg 26, welcher mit mehreren Fingern 28 versehen ist, die sich über die Fingerteile der ersten
Zone 16 erstrecken. Der Aufbau der Schicht 22 enthält außerdem eine Verbindungsleitung 30 mit einem Teilstück
oder Abschnitt 32, welches im wesentlichen parallel zum Steg 26 des kammartigen Bereiches 24 verläuft. Die Leitung
30 geht von einem Anschlußpol 34 aus und kontaktiert den Steg 26 des kammartigen Bereiches 24 an einer Stelle
zwischen den Stegenden.
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Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Finger 28 im wesentlichen symmetrisch längs des Stegs 26 mit Bezug
auf die Kontaktstelle der Leitung 30 verteilt. Dadurch wird sichergestellt, daß der maximale Spannungsabfall
zwischen der Kontaktstelle der Zuleitung 32 mit dem Steg 26 und dem am weitesten abgelegenen Finger 28 beträchtlich
kleiner ist als der Spannungsabfall sein würde, wenn die Zuleitung 32 mit einem Ende des Stegs 26 kontaktiert
wäre.
Das Maß des Unterschiedes zwischen dem Spannungsabfall bei dem vorliegenden AusfUhrungsbeispiel im Verhältnis zu
einem nicht gezeichneten Aufbau, bei dem die Zuleitung den Kammrücken an einem von dessen Enden kontaktiert,
wird durch die folgende Rechnung deutlich.
Der durchschnittliche Spannungsabfall (Δ V) einer leiten-
IR den Elektrode ist durch die allgemeine Formel A V = ^p
gegeben. Darin bedeuten: I den Strom; und
R den Widerstand des Stegs.
Der Widerstand R kann angegeben werden als: R = £ü^p Darin sind a die Länge des Weges, w die
Breite des Weges und f der spezifische Flächenwiderstand des Materials des Stegs.
Bei einem nicht gezeichneten Elektrodenaufbau, bei dem die Zuleitung ein Ende des Stegs kontaktiert, ergibt
sich also ein Spannungsabfall längs des Stegs von
f s*
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 haben der Strom und die Weglänge die Hälfte des Wertes wie bei
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dem obigen Aufbau, da die Kontaktstelle in der Mitte zwischen den Enden des Stegs 26 liegt und die Finger
28 symmetrisch dazu angeordnet sind.
Der entsprechende Spannungsabfall für eine Elektrode des vorliegenden Ausführungsbeispie^s gemäß Fig. 1 beträgt
daher:
Ia
ns
Δ Vr = (T/2) (a/2) _ρ = i In = Ia J>
= Ia /1 y* = (V1 )/4.
ά 2w ^s 2w -7S 8w x s 2w K%)J s
2w ^s 2w * s 8w T s 2w N^'" s
Der Unterschied der Spannungsabfälle zwischen der Kontaktstelle der Zuleitung mit dem Steg und dem am weitesten
entfernt gelegenen Finger ist daher beim erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel viermal kleiner als bei einem Aufbau,
bei dem die Verbindungsleitung den Steg an einem seiner Enden kontaktiert.
Durch die erfindungsgemäße Lösung und die damit verbundene enorme Herabsetzung der Unterschiede im Spannungsabfall
ergeben sich zahlreiche überraschende Vorteile. Da es in erster Linie Aufgabe jeder Ausbildung einer Elektrode
ist, eine bestimmte Betriebsspannung an dem am weitesten von der Kontaktstelle mit der Verbindungsleitung entfernten
Finger 28 zu gewährleisten, ist zunächst ersichtlich, daß bei der erfindungsgemäßen Ausbildung das
Potential an der Kontaktstelle zwischen der Leitung und dem Steg 26 wegen des verminderten Spannungsabfalls
zu den Fingern 28 beträchtlich kleiner sein kann, als das bisher bei Kontaktierung der Leitung 30 an einem
Ende des Stegs 26 der Fall war. Da der maximale Spannungsabfall längs des Stegs 26 erfindungsgemäß reduziert ist,
können die" Abmessungen der Leitung 30 verglichen mit de-
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neu einer Leitung, die ein Ende des Stegs kontaktiert, vermindert werden. Während eine Verkleinerung der Abmessungen
den Widerstand der Leitung 30 vergrößert, kann der Oberflächenbereich des gesamten Bauelements jedoch reduziert
werden. Das ist ein wichtiger Gesichtspunkt, da die Flächenmaße eines Chips in der Technologie der Halbleiterbauelemente
gewöhnlich ein entscheidendes Kriterium ist.
Neben dem Spannungsabfall zwischen der Kontaktstelle der Verbindungsleitung und den davon entferntesten Fingern spielt
bei der Konstruktion eines Elektrodenaufbaus auch der Spannungsabfall zwischen benachbarten Fingern eine Rolle.
Eine Verminderung des Spannungsabfalls zwischen benachbarten Fingern kann durch ein zweites erfindungsgemäßes
Ausführungsbeispiel erreicht werden. Ein solcher Aufbau ist in Fig. 2 dargestellt.
Das Bauelement 40 gemäß Fig. 2 entspricht dem Bauelement 10 gemäß Fig. 1 insoweit, als es einen Halbleiterkörper
42 mit einer Oberfläche 44 aufweist.
Innerhalb des Halbleiterkörpers 42 und angrenzend an dessen Oberfläche 44 befindet sich eine erste Zone 46 des einen
Leitungstyps. Eine zweite Zone 48 des anderen Leitungstyps liegt innerhalb der ersten Zone 46 und grenzt an
die Oberfläche 44 an. Vorzugsweise greifen die erste Zone 46 und die zweite Zone 48 fingerartig ineinander.
An der Grenzfläche zwischen der ersten Zone 46 und der zweiten Zone 48 wird ein PN-Übergang 50 gebildet.
Eine Schicht 52 aus leitendem Material kontaktiert elektrisch die erste Zone 46 und bildet eine Elektrode. Die
Schicht 52 bildet einen kammartigen Bereich 54, zu dem
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ein Steg 56 und mehrere Finger 58 gehören, die sich über Bereiche der ersten Zone 46 erstrecken. In diesem Ausführungsbeispiel
hat der Steg an einem seiner Enden 56 einen vergleichsweise breiten Bereich 59 und einen vergleichsweise
engen Bereich 60 an dem anderen Ende. Die leitende Schicht 52 bildet außerdem eine Verbindungsleitung
62, zu der ein Abschnitt 64 gehört, der im wesentlichen parallel zum Steg 56 liegt. Die Leitung 62 geht
von einem Anschlußpol 66 aus und kontaktiert den Steg 56
des kammartigen Bereiches 54 an einem Punkt A, der zwischen den Stegenden liegt. Vorzugsweise ist der Punkt A
asymmetrisch mit Bezug auf die Finger 58 angeordnet, d.h.
die Leitung 62 kontaktiert den Kammrücken 56 mehr in der Nähe seines vergleichsweise schmaleren Endes.
Mit ähnlichen Berechnungen, wie sie oben angegeben worden sind, können die Ausdehnung des vergleichsweise breiteren
Bereichs 59 und die Lage des Kontaktpunktes A so bestimmt werden, daß die Spannungsabfälle zwischen dem
Punkt A und jedem Ende des Stegs 56 gleich sind. Da der Widerstand des vergleichsweise breiteren Bereichs 59
kleiner ist als der des vergleichsweise schmaleren Bereichs 60, liegt der Punkt A näher dem Ende des Stegs 56
mit dem vergleichsweise schmaleren Bereich 60. Durch diese Anordnung wird der Spannungsabfall zwischen benachbarten
Fingern 58 längs des schmaleren Bereichs 60 vermindert, weil dort wegen der asymmetrischen Lage des Punktes A
ein größeres Spannungspotential näher dem Ende des schmaleren Bereiches 60 besteht. Wegen des kleineren
Widerstandes des vergleichsweise breiteren Bereichs 59 ist ferner auch der Spannungsabfall zwischen benachbarten
Fingern 58 in diesem Bereich vermindert. Der Aufbau der leitenden Schicht 52 nach diesem Ausführungsbeispiel
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reduziert also nicht nur den Spannungsabfall zwischen der Kontaktstelle A der Zuleitung 62 und den entferntesten
Fingern 58, sondern auch den Spannungsabfall zwischen benachbarten Fingern. Im Ergebnis sind die Finger
58 bei Betrieb des Bauelementes 40 im wesentlichen alle auf demselben Potential.
Zum Bauelement 10 gemäß Fig. 1 wird festgestellt, daß mit der Zahl der vom Steg 26 ausgehenden Finger 28 das Bedürfnis
nach noch weiterem Ausgleich des Spannungsabfalls ebenfalls stärker wird. Diese Forderung kann im
wesentlichen durch den Aufbau gemäß Fig. 3 erfüllt werden. Das Bauelement 68 gemäß Fig. 3 besteht aus einem
Halbleiterkörper 70 mit einer Oberfläche 72 sowie ferner einer ersten Zone 74 mit einem ersten Leixtungstyp innerhalb
des Halbleiterkörpers 70 und angrenzend an dessen Oberfläche 72.
Innerhalb der ersten Zone 74 und angrenzend an die Oberfläche
72 ist eine zweite Zone 76 des anderen Leitungstyps vorgesehen. Vorzugsweise greifen die erste Zone
74 und die zweite Zone 76 fingerartig ineinander. Ein ineinandergreifender PN-Übergang 78 besteht an der
Grenzfläche zwischen der ersten Zone 74 und der zweiten Zone 76.
Eine Schicht 80 aus leitendem Material liegt über der
ersten Zone 74 und kontaktiert diese elektrisch. Der Aufbau der leitenden Schicht 80 umfaßt einen ersten
kammartigen Bereich 82 und eine Verbindungsleitung 84. Der erste kammartige Bereich 82 weist einen Steg 86 auf,
von dem aus sich mehrere Finger 88 erstrecken. In diesem Ausführungsbeispiel sind Finger 88 längs dem ersten
Steg 86 im wesentlichen gleichverteilt.
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Ein zweiter kammartiger Bereich 90, der vorzugsweise mit
Abstand von und im wesentlichen parallel zu dem ersten kammartigen
Bereich 82 liegt, besteht aus einem zweiten Steg 92 und mehreren vom Steg ausgehenden Fingern 94. Der
zweite Steg 92 ist durch die Finger 88 des ersten Stegs 86 kontaktiert. In diesem Ausführungsbeispiel sind die
vorgenannten Kontakte im wesentlichen symmetrisch längs dem zweiten Steg 92 verteilt.
Die Leitung 84 weist einen Abschnitt 96 auf, der im wesentlichen sowohl parallel zum ersten Steg 86 als auch
zum zweiten Steg 92 verläuft. Die Leitung 84 führt von dem Anschlußpol 98 zu dem ersten kammartigen Bereich
und kontaktiert diesen in der Mitte zwischen den Enden des ersten Stegs 86.
Funktionsmäßig kann dieses Ausführungsbeispiel als ein Paar der anhand des Bauelements 10 beschriebenen Elektroden
in Kaskadenschaltung angesehen werden. Das bedeutet, daß der erste kammartige Bereich 82 als Nebeneinspeisung
wirkt, wobei jeder Finger 88 als Zuleitung den zweiten kammartigen Bereich 90 kontaktiert. Wie
oben erläutert, sind die Spannungsabfälle zwischen dem Zuleitungsteil 84 und jedem Finger 88 im wesentlichen
gleich. Weil nun die Finger 88 den zweiten Kammrücken 92 in im wesentlichen symmetrischer Weise kontaktieren,
sind die Spannungsabfälle zwischen jedem Finger 88 und jedem Finger 94 im wesentlichen gleich.
Die Spannungsabfälle zwischen der Zuleitung 84 und jedem der Finger 94 sind demgemäß ebenfalls im wesentlichen
gleich. Dieses Kaskadenprinzip kann auch im Falle des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 2 verwendet
werden.
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Die leitenden Schichten 22, 52 und 80 können z.B. aus Gold, Nickel-Blei oder ähnlichem bestehen. Die erfindungsgemäßen
Konfigurationen können mit Hilfe bekannter Methoden, z.B. photolithographischen Techniken hergestellt
werden.
Obwohl zuvor Bauelemente mit ineinandergreifenden Zonen beschrjöDen wurden, sind die Elektrodenausbildungen ebenfalls
auf Bauelemente mit einer Vielzahl einzelner Oberflächenbereiche, die mit einer einzigen Elektrode zu kontaktieren
sind, anwendbar.
Die erfindungsgemäßen Bauelemente 10, 40 und 68 weisen erheblich verminderte Spannungsabfälle zwischen den Fingern
28, 58 und 94 der Elektroden auf, es gibt daher kaum Anlaß, irgendeinen der Finger 28, 58 oder 94 zu
hoch vorzuspannen. Demgemäß besteht kaum Gefahr, daß örtliche Uberhitzungen infolge von durch ungleichmäßige
Spannungsverteilung bedingten, übermäßigen Strömen die Bauelemente 10, 40 oder 68 beschädigen.
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Leerse ite
Claims (6)
1.)Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit
zwei an dessen Oberfläche angrenzenden Bereichen entgegengesetzten Leitungstyps und mit einer auf der
Oberfläche liegenden, mit den Bereichen kontaktierten leitenden Schicht, dadurch gekennzeichnet , daß die leitende Schicht (22)
aus einem ersten kammartigen Bereich (24) mit einem ersten Steg (26) und mit von dem Steg (26) ausgehenden
ersten Fingern (28) und aus einer Verbindungsleitung (30) mit einem im wesentlichen parallel zu dem ersten
Steg (26) verlaufenden Abschnitt (32) besteht, und daß die Leitung (30) den ersten Steg (26) zwischen
den Stegenden kontaktiert.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Finger ^28)
längs des Steges (26) im wesentlichen gleichverteilt angeordnet sind und daß die Leitung (30) mit dem Steg
(26) an einem in bezug auf die LängserStreckung des Steges im wesentlichen symmetrisch liegenden Punkt
kontaktiert ist (Fig. 1).
3. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Steg (56)
an einem seiner Enden einen vergleichsweise schmaleren Bereich (60) und am anderen Ende einen vergleichs-
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weise breiteren Bereich (59) aufweist und daß die Leitung (62) den ersten Steg (56) an einer näher an
dem ersten Ende liegenden Stelle (A) kontaktiert (Fig. 2).
4. Bauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet
, daß ein zweiter kammartiger Bereich (90) mit einem zweiten Steg (92) und einer zweiten Schar
von von dem zweiten Steg (92) ausgehenden Fingern (94) vorgesehen ist und daß der zweite Steg (92)
durch die ersten Finger (88) kontaktiert ist (Fig. 3)
5. Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die zweite Schar von
Fingern (94) längs des zweiten Stegs (92) im wesentlichen gleichverteilt ist.
6. Bauelement nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Steg
(92) im wesentlichen parallel und mit Abstand zum ersten Steg (86) angeordnet ist.
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US3430115A (en) * | 1966-08-31 | 1969-02-25 | Webb James E | Apparatus for ballasting high frequency transistors |
Also Published As
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