DE112005002852T5 - Passivierungsstruktur mit Spannungsausgleichschleifen - Google Patents
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- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/965—Shaped junction formation
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Abstract
Halbleiter-Bauelement,
das Folgendes umfasst:
einen Halbleiter(die)körper (semiconductor die body) eines ersten Leitfähigkeitstyps,
ein in dem Halbleiterkörper ausgebildetes aktives Gebiet, das ein Gebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, das in der Nähe der äußeren Grenze des aktiven Gebietes endet, und
eine Passivierungsstruktur, die um das aktive Gebiet herum angeordnet ist und ein durchgängiges Band aus Widerstandsmaterial mit im Wesentlichen gleichmäßiger Breite aufweist, wobei sich das durchgängige Band nach einer Umrundung des aktiven Gebietes mit sich selbst kreuzt und eine erste geschlossene Schleife aus einem Widerstandsmaterial bildet, die als innere Grenze der Passivierungsstruktur dient, und sich ein zweites Mal mit sich selbst kreuzt und um die erste geschlossene Schleife herum eine zweite geschlossene Schleife aus dem elektrischen Widerstandsmaterial bildet, die als äußere Grenze der Passivierungsstruktur dient, sowie einen schleifenbildenden Band aus dem Widerstandsmaterial, der die erste geschlossene Schleife unter Bildung von Schleifen umgibt, ohne sich zu kreuzen, und an der...
einen Halbleiter(die)körper (semiconductor die body) eines ersten Leitfähigkeitstyps,
ein in dem Halbleiterkörper ausgebildetes aktives Gebiet, das ein Gebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, das in der Nähe der äußeren Grenze des aktiven Gebietes endet, und
eine Passivierungsstruktur, die um das aktive Gebiet herum angeordnet ist und ein durchgängiges Band aus Widerstandsmaterial mit im Wesentlichen gleichmäßiger Breite aufweist, wobei sich das durchgängige Band nach einer Umrundung des aktiven Gebietes mit sich selbst kreuzt und eine erste geschlossene Schleife aus einem Widerstandsmaterial bildet, die als innere Grenze der Passivierungsstruktur dient, und sich ein zweites Mal mit sich selbst kreuzt und um die erste geschlossene Schleife herum eine zweite geschlossene Schleife aus dem elektrischen Widerstandsmaterial bildet, die als äußere Grenze der Passivierungsstruktur dient, sowie einen schleifenbildenden Band aus dem Widerstandsmaterial, der die erste geschlossene Schleife unter Bildung von Schleifen umgibt, ohne sich zu kreuzen, und an der...
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement und insbesondere ein Halbleiter-Bauelement, das eine Randpassivierungsstruktur aufweist.
- Ein typisches Halbleiter-Bauelement weist in der Regel ein aktives Gebiet auf, das an einem pn-Übergang endet.
- Die Durchschlagsspannung eines in einem Substrat ausgebildeten pn-Übergangs ist in der Regel geringer als ihr theoretischer Grenzwert, da bestimmte Stellen an dem pn-Übergang dazu neigen, stärkere elektrische Felder zu entwickeln. Der pn-Übergang an dem Abschlussrand des aktiven Gebietes eines Bauelements ist beispielsweise insbesondere an Stellen mit geringem Krümmungsradius stärkeren elektrischen Feldern ausgesetzt.
- Um die Intensität der elektrischen Felder in der Nähe des pn-Übergangs an dem Abschlussrand des aktiven Gebietes zu reduzieren, können Hochspannungshalbleiter-Bauelemente eine Randpassivierungsstruktur aufweisen. Eine Randpassivierungsstruktur sorgt für eine Übergangszone, in der die starken elektrischen Felder um das aktive Gebiet herum allmählich zu dem niedrigeren Potential an dem Rand des Bauelements übergehen. Eine Passivierungsstruktur verringert die Feldstärke um das Abschlussgebiet eines pn-Übergangs, indem die elektrischen Feldlinien über das Randpassivierungsgebiet verteilt werden.
- US-PS Nr. 5,382,825 erläutert verschiedene Passivierungsstrukturen und ihre jeweiligen Nachteile. Um die dort erläuterten Passivierungsstrukturen des Standes der Technik zu verbessern, offenbart US-PS 5,382,825 eine Passivierungsstruktur, die ein spiralförmiges Band aus Widerstandsmaterial enthält, das um das aktive Gebiet eines Halbleiter-Bauelements herum angeordnet ist, damit die elektrischen Felder in der Nähe des Abschlussgebietes eines pn-Übergangs bei einem Halbleiter-Bauelement allmählich abgebaut werden.
- Das von US-PS Nr. 5,382,825 offenbarte spiralförmige Band kreuzt sich jedoch nicht. Infolgedessen bestimmt die Position des Endes des spiralförmigen Bandes, das sich am nächsten bei dem aktiven Gebiet befindet, die Anfangsspannung, bei der der Spannungsabfall um das aktive Gebiet herum beginnt. Diese Anfangsspannung ist jedoch möglicherweise nicht repräsentativ für die Stärke des um das aktive Gebiet herum vorliegenden elektrischen Feldes.
- Zum Ausgleichen der Spannung schlägt US-PS Nr. 5,382,825 das Ausbilden einer Feldplatte um das aktive Gebiet herum vor. Die für die Feldplatte vorgeschlagene Breite beträgt das Dreifache der Tiefe des pn-Übergangs, der das aktive Gebiet umgibt. Diese Breite würde auf der Oberfläche des Chips (die) eine große Fläche einnehmen und diesen dadurch vergrößern.
- Das spiralförmige Band weist zudem eine variierende Breite auf, so dass der Widerstand des Bandes über seine Länge hinweg ausgeglichen wird. Ein solches Band ist in der Praxis möglicherweise nur schwer mit Präzision herzustellen. Infolgedessen kann der Widerstand an dem Band entlang auf unvorhersehbare Weise variieren, was statt zu einem gleichmäßigen, fast linearen Spannungsabfall zu Schwankungen beim Spannungsabfall führt.
- Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Passivierungsstruktur bereitzustellen, um die elektrischen Felder um das aktive Gebiet eines Halbleiterchips herum zu reduzieren.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Passivierungsstruktur ein leitfähiges Band aus Widerstandsmaterial auf, das sich einmal kreuzt und eine erste geschlossene Schleife bildet und dann endet, indem es sich ein zweites Mal kreuzt und eine zweite geschlossene Schleife bildet.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die erste geschlossene Schleife aus einem elektrisch leitfähigen Widerstandsmaterial um das aktive Gebiet eines Halbleiter-Bauelements herum angeordnet und dient als innere Grenze der Passivierungsstruktur, die zweite geschlossene Schleife aus dem Widerstandsmaterial ist um die erste geschlossene Schleife herum angeordnet und dient als äußere Grenze der Passivierungsstruktur, und ein schleifenbildendes Band aus dem Widerstandsmaterial mit der gleichen Breite wie die innere geschlossene Schleife und die äußere geschlossene Schleife umgibt die erste geschlossene Schleife unter Bildung von Schleifen, ohne sich zu kreuzen, und endet an der zweiten geschlossenen Schleife.
- Die innere geschlossene Schleife und die äußere geschlossene Schleife sorgen für eine im Wesentlichen gleichmäßige Spannung an den Enden des schleifenbildenden Bandes, und da die innere geschlossene Schleife und die äußere geschlossene Schleife ungefähr die gleiche Breite aufweisen wie das durchgängige Band, nehmen sie wesentlich weniger Platz in Anspruch als die im Stand der Technik vorgeschlagenen Feldplatten.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird das durchgängige Band so dotiert, dass es pn-Übergänge aufweist, die für schrittweise (statt stufenlos) erfolgende Spannungsabfälle entlang des durchgängigen Bandes sorgen.
- Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird zumindest über den pn-Übergängen in dem durchgängigen Band eine leitfähige Metallschicht abgeschieden, um dessen Zeitkonstante RC zu verbessern (reduzieren) und den Gesamtwiderstand zu reduzieren.
- Andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Erfindung, die sich auf die beiliegenden Zeichnungen bezieht.
-
1 zeigt eine Draufsicht auf eine Passivierungsstruktur gemäß dem Stand der Technik. -
2 zeigt eine Draufsicht auf eine Passivierungsstruktur gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
3 zeigt eine Draufsicht auf eine Passivierungsstruktur gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
4 zeigt eine Draufsicht auf eine Passivierungsstruktur gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
5 zeigt eine Draufsicht auf eine Passivierungsstruktur gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
6 zeigt eine Draufsicht auf eine Passivierungsstruktur gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
7 zeigt eine entlang Linie 7-7 in4 in Richtung der Pfeile verlaufende Querschnittsansicht einer Passivierungsstruktur. - Bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in
2 handelt es sich um ein Halbleiter-Bauelement10 , das ein aktives Gebiet12 aufweist, das auf einer Hauptoberfläche eines Halbleiterchips14 ausgebildet ist. Das aktive Gebiet12 kann aktive Elemente enthalten, die ein bestimmtes Halbleiter-Bauelement bilden, wie beispielsweise einen Leistungs-MOSFET, einen Leistungs-IGBT, ein bipolares Leistungsbauelement, eine Leistungsdiode usw. Das Bauelement10 enthält die um das aktive Gebiet12 herum ausgebildete Passivierungsstruktur16 . Die Passivierungsstruktur16 wird aus einem leitfähigen durchgängig Band aus Widerstandsmaterial wie n-dotiertem Polysilizium gebildet und weist eine innere geschlossene Schleife18 auf, die direkt um das aktive Gebiet12 herum angeordnet ist, sowie eine äußere geschlossene Schleife20 , die um die innere geschlossene Schleife18 herum ausgebildet ist und als äußere Grenze der Passivierungsstruktur16 dient. Die innere geschlossene Schleife18 weist eine rechteckige Form mit abgerundeten Ecken auf und enthält daher zwei Paar gerade, parallele Seiten, die über vier Bögen miteinander verbunden sind. Die äußere geschlossene Schleife20 weist im Wesentlichen die gleiche Form auf wie die innere geschlossene Schleife. Zwischen der inneren geschlossenen Schleife18 und der äußeren geschlossenen Schleife20 ist ein schleifenbildendes Band22 aus Widerstandsmaterial angeordnet, das an der inneren geschlossenen Schleife18 beginnt und diese unter Bildung von Schleifen umgibt, ohne sich zu kreuzen, und an der äußeren geschlossenen Schleife20 endet. - In Abhängigkeit von dem gewünschten Gesamtwiderstand und dem spezifischen Widerstand jeder Schleife kann eine beliebige Anzahl Schleifen benutzt werden.
- Die innere geschlossene Schleife
18 wird dadurch gebildet, dass sich das Widerstandsband einmal mit sich selbst kreuzt, bevor die mehreren Schleifen des schleifenbildenden Bandes22 beginnen, und die äußere geschlossene Schleife20 wird dadurch gebildet, dass sich das durchgängige Band ein zweites Mal mit sich selbst kreuzt, bevor er endet. Die beiden geschlossenen Schleifen dienen dem Spannungsausgleich an jedem Ende des schleifenbildenden Bandes22 , was um das aktive Gebiet12 herum einen gleichmäßigeren Spannungsabfall ermöglicht. - Bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Ende eines schleifenbildenden Bandes
22 mit einer geraden Seite24 der inneren geschlossenen Schleife18 verbunden und verläuft zunächst in einem Winkel zu der einen geraden Seite24 und dann für seine erste Schleife parallel zur äußere Grenze der inneren geschlossenen Schleife18 . Das schleifenbildende Band22 verläuft danach mit seiner ersten Schleife parallel zu der inneren geschlossenen Schleife18 und endet an einer geraden Seite26 der äußeren geschlossenen Schleife20 . Es sei angemerkt, dass das schleifenbildende Band22 gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung an einer Seite der äußeren geschlossenen Schleife20 endet, die das gleiche positionsbezogene Verhältnis aufweist wie die Seite der inneren geschlossenen Schleife18 , von der der schleifenbildende Band22 ausgeht. Das schleifenbildende Band22 beginnt insbesondere beispielsweise an der rechten geraden Seite24 der inneren geschlossenen Schleife18 und endet an der rechten geraden Seite26 . Infolgedessen bedeckt das schleifenbildende Band22 auf allen Seiten der inneren geschlossenen Schleife18 im Wesentlichen die gleiche Fläche. Wie beispielsweise in2 zu sehen ist, umwindet das schleifenbildende Band22 unter Schleifenbildung die innere geschlossene Schleife18 neunmal. - Jede Schleife des schleifenbildenden Bandes
22 liegt vorzugsweise in dem gleichen Abstand zu einer dane benliegenden Schleife, und das schleifenbildende Band22 weist im Wesentlichen durchgehend die gleiche Breite auf. - Außerdem weisen die innere geschlossene Schleife
18 und die äußere geschlossene Schleife20 vorzugsweise die gleiche Breite auf wie das schleifenbildende Band22 . - Die zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in
3 enthält alle Merkmale der ersten Ausführungsform, nur ist hier das schleifenbildende Band22 mit einer Ecke28 der inneren geschlossenen Schleife18 verbunden und endet an einer Ecke30 der äußeren geschlossenen Schleife20 . Das schleifenbildende Band22 endet an einer Ecke30 der äußeren geschlossenen Schleife20 , die das gleiche positionsbezogene Verhältnis aufweist wie die Ecke28 der inneren geschlossenen Schleife18 . Das schleifenbildende Band22 beginnt insbesondere beispielsweise an der rechten oberen Ecke der inneren geschlossenen Schleife18 und endet an der rechten oberen Ecke der äußeren geschlossenen Schleife20 . Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform folgt das schleifenbildende Band22 bei der zweiten Ausführungsform dann der Außenkontur der inneren geschlossenen Schleife18 , ohne sich zu kreuzen, bis er an der äußeren geschlossenen Schleife20 endet. - Ein in
4 gezeigtes Bauelement gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält alle Elemente der ersten und der zweiten Ausführungsform, nur ist das schleifenbildende Band22 hier mit einer Seite30 der inneren geschlossenen Schleife18 verbunden, geht in diese über und folgt dann der Außenkontur der inneren geschlossenen Schleife18 , wobei es allmählich in einem immer größeren Abstand zur äußeren Grenze der inneren geschlossenen Schleife18 verläuft. Nach seiner ersten Schleife folgt das schleifenbildende Band22 deren Kontur und geht allmählich in die äußere geschlossene Schleife20 über. Es sei angemerkt, dass das schleifenbildende Band22 an einer Stelle in die äußere geschlossene Schleife20 übergeht, die in Bezug auf ihre Position der Stelle an der inneren geschlossenen Schleife entspricht, an der es beginnt, sich von dieser zu trennen. Das schleifenbildende Band22 beginnt insbesondere beispielsweise an der linken Seite der inneren geschlossenen Schleife18 , um sich von dieser zu trennen, und endet dann, indem es in die linke Seite der äußeren geschlossenen Schleife20 übergeht. - Die Passivierungsstruktur
16 bei einem typischen Bauelement gemäß der vorliegenden Erfindung kann durch Abscheiden und Dotieren einer Polysiliziumschicht an einer gewünschten Stelle auf dem Chip14 und nachfolgendes Aufbringen der gewünschten Struktur mit Hilfe eines Photolithographieschrittes gebildet werden. Damit ein gewünschter Spannungsabfall für ein 600 V-Bauelement erzielt wird, kann das durchgängige Band einen spezifischen Widerstand von 100 Megaohm aufweisen, 1,0 μm breit sein und sechsundvierzig Schleifen bilden, wobei jede Schleife zu den benachbarten Schleifen einen Abstand von ungefähr 0,5 μm besitzt. - Die Passivierungsstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung kann mit Dotierstoffen mit einer Leitfähigkeit, wie beispielsweise n-Leitfähigkeit, dotiert werden. Für das Erzielen des gewünschten Gesamtwiderstandes kann eine beliebige Anzahl Schleifen und eine beliebiger entsprechender spezifischer Widerstand verwendet werden.
- Die Passivierungsstruktur
16 kann auch so konstruiert werden, dass sie Gebiete mit entgegengesetzter Leitfähigkeit enthält, wodurch eine Struktur entsteht, die an beliebiger Stelle pn-Übergänge aufweist. Ein pn-Übergang dient dazu, die Spannung statt auf lineare Weise schrittweise zu senken. Jeder pn-Übergang würde somit eine Diode bilden. - Um einen angemessenen Spannungsabfall zu erzielen, kann die Passivierungsstruktur so gestaltet sein, dass sie fünfundzwanzig Schleifen enthält, von denen jede vier Dioden aufweist, die jeweils einen Spannungsabfall von sechs Volt bewirken.
- Bei der Ausbildung von pn-Übergängen in dem schleifenbildenden Band
22 in5 kann eine Maske verwendet werden, um eine Gegendotierung der gewünschten Abschnitte des schleifenbildenden Bands22 zu ermöglichen.5 zeigt beispielsweise p-Gebiete34 , die das schleifenbildenden n-Band (N-type looping strip)22 schneiden und in dem durchgängigen Band22 pn-Übergänge bilden. - Es ist jedoch festgestellt worden, dass Passivierungsstrukturen, die Dioden enthalten, eine relativ hohe Kapazität aufweisen, was insbesondere unter Bedingungen eines hohen Verhältnisses dv/dt unerwünscht ist. Um die hohe Kapazität zu reduzieren, kann das Polysilizium zwischen den Dioden durch eine Metallschicht oder Silizid beispielsweise zumindest an den Kurven in jeder Schleife (90°-Positionen) kurzgeschlossen werden.
- Wie in
6 kann beispielsweise eine Schicht aus Metall (durch eine dunklere Schicht dargestellt) über dem schleifenbildenden Band22 ausgebildet werden, die pn-Übergänge enthält. Durch die Metallschicht über dem schleifenbildenden Band22 kommt es zu einer Reduzierung seines Widerstandes, wodurch sich wiederum seine Zeitkonstante RC verringert. - Die Passivierungsstruktur
16 in7 ist zwischen den Kontakt36 des aktiven Gebietes12 und den Kontakt38 zur HIGH-Seite des Bauelements geschaltet. Die Passivierungsstruktur16 ist über der Oxidschicht40 ausgebildet, die auf dem Chip (die)14 angeordnet ist. Ein Gebiet42 mit zur Leitfähigkeit des Chips entgegengesetzter Leitfähigkeit ist unter der dicken Oxidschicht40 ausgebildet. Das Gebiet42 enthält vorzugsweise eine RESURF-Konzentration an Dotierstoffen. Bei der bevorzugten Ausführungsform ist der Chip14 mit n-Dotierstoffen dotiert, während das Gebiet42 mit p-Dotierstoffen dotiert ist. Es sei angemerkt, dass die Dicke der Oxidschicht40 statt 1,0 μm, wie es bei Bauelementen des Standes der Technik notwendig war, ungefähr 0,5 μm betragen kann, da die Spannung sehr allmählich abgestuft wird. - Die vorliegende Erfindung ist zwar in Bezug auf bestimmte Ausführungsformen beschrieben worden, für Fachleute werden jedoch viele andere Variationen und Modifikationen und andere Verwendungszwecke erkennbar sein. Die vorliegende Erfindung soll daher vorzugsweise nicht durch die hier gegebene spezifische Offenbarung eingeschränkt werden, sondern nur durch die beiliegenden Ansprüche.
- ZUSAMMENFASSUNG
- Ein Halbleiter-Bauelement, das eine Passivierungsstruktur aufweist, die mit einem leitfähigen Band aus Widerstandsmaterial ausgebildet wird, das sich nach einer Umrundung des aktiven Gebietes des Bauelements mit sich selbst kreuzt und eine erste geschlossene Schleife bildet, wobei es sich um ein durchgängiges Band handelt, das die erste geschlossene Schleife unter Bildung von Schleifen umläuft, ohne sich zu kreuzen, und sich ein zweites Mal mit sich selbst kreuzt und eine zweite geschlossene Schleife bildet.
Claims (10)
- Halbleiter-Bauelement, das Folgendes umfasst: einen Halbleiter(die)körper (semiconductor die body) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein in dem Halbleiterkörper ausgebildetes aktives Gebiet, das ein Gebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps enthält, das in der Nähe der äußeren Grenze des aktiven Gebietes endet, und eine Passivierungsstruktur, die um das aktive Gebiet herum angeordnet ist und ein durchgängiges Band aus Widerstandsmaterial mit im Wesentlichen gleichmäßiger Breite aufweist, wobei sich das durchgängige Band nach einer Umrundung des aktiven Gebietes mit sich selbst kreuzt und eine erste geschlossene Schleife aus einem Widerstandsmaterial bildet, die als innere Grenze der Passivierungsstruktur dient, und sich ein zweites Mal mit sich selbst kreuzt und um die erste geschlossene Schleife herum eine zweite geschlossene Schleife aus dem elektrischen Widerstandsmaterial bildet, die als äußere Grenze der Passivierungsstruktur dient, sowie einen schleifenbildenden Band aus dem Widerstandsmaterial, der die erste geschlossene Schleife unter Bildung von Schleifen umgibt, ohne sich zu kreuzen, und an der zweiten geschlossenen Schleife endet, wobei das schleifenbildende Band an einem Ende von dem Außenrand der ersten geschlossenen Schleife aus verläuft und an seinem anderen Ende an dem Innenrand der zweiten geschlossenen Schleife endet.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Widerstandsmaterial aus Polysilizium besteht.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das durchgängige Band aus Widerstandsmaterial Gebiete eines ersten Leitfähigkeitstyps enthält, die sich neben Gebieten eines zweiten Leitfähigkeitstyps befinden.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Passivierungsstruktur über einer dicken Isolierschicht angeordnet ist.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Passivierungsstruktur über einem Gebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Halbleiterkörper angeordnet ist, das mit einer RESURF-Konzentration von Dotierstoffen dotiert ist.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die erste geschlossene Schleife mehrere gebogene Abschnitte enthält, die über gerade Abschnitte miteinander verbunden sind und so eine geschlossene Schleife bilden.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, das des Weiteren eine auf dem durchgängigen Band aus Widerstandsmaterial ausgebildete Metallschicht umfasst.
- Halbleiter-Bauelement, das Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper mit einem darin ausgebildeten aktiven Gebiet, ein durchgängiges Band aus Widerstandsmaterial, das das aktive Gebiet unter Bildung von Schleifen umgibt, ohne sich zu kreuzen, und darin ausgebildete pn-Übergänge enthält, und eine über mindestens einem der pn-Übergänge ausgebildete Metallschicht.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 8, bei dem das Widerstandsmaterial Polysilizium umfasst.
- Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 8, das des Weiteren eine erste geschlossene Schleife aus Widerstandsmaterial umfasst, die um das aktive Gebiet herum angeordnet ist, und eine zweite geschlossene Schleife aus Widerstandsmaterial, die um die erste geschlossene Schleife herum angeordnet ist, wobei das durchgängige Band zwischen der ersten und der zweiten geschlossenen Schleife angeordnet und mit diesen elektrisch verbunden ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/991,167 US7183626B2 (en) | 2004-11-17 | 2004-11-17 | Passivation structure with voltage equalizing loops |
US10/991,167 | 2004-11-17 | ||
PCT/US2005/041734 WO2006055738A2 (en) | 2004-11-17 | 2005-11-17 | Passivation structure with voltage equalizing loops |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112005002852T5 true DE112005002852T5 (de) | 2007-10-11 |
DE112005002852B4 DE112005002852B4 (de) | 2020-03-12 |
Family
ID=36385376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112005002852.6T Active DE112005002852B4 (de) | 2004-11-17 | 2005-11-17 | Passivierungsstruktur mit Spannungsausgleichschleifen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7183626B2 (de) |
JP (1) | JP2008521256A (de) |
KR (1) | KR100903428B1 (de) |
CN (1) | CN101057337B (de) |
DE (1) | DE112005002852B4 (de) |
WO (1) | WO2006055738A2 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7183626B2 (en) * | 2004-11-17 | 2007-02-27 | International Rectifier Corporation | Passivation structure with voltage equalizing loops |
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- 2004-11-17 US US10/991,167 patent/US7183626B2/en active Active
-
2005
- 2005-11-17 WO PCT/US2005/041734 patent/WO2006055738A2/en active Application Filing
- 2005-11-17 DE DE112005002852.6T patent/DE112005002852B4/de active Active
- 2005-11-17 KR KR1020077011281A patent/KR100903428B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-17 CN CN2005800390463A patent/CN101057337B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-17 JP JP2007543251A patent/JP2008521256A/ja active Pending
-
2006
- 2006-12-28 US US11/647,070 patent/US8076672B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060102984A1 (en) | 2006-05-18 |
CN101057337B (zh) | 2011-01-05 |
WO2006055738A3 (en) | 2006-11-02 |
US20070120224A1 (en) | 2007-05-31 |
JP2008521256A (ja) | 2008-06-19 |
KR20070084339A (ko) | 2007-08-24 |
DE112005002852B4 (de) | 2020-03-12 |
US8076672B2 (en) | 2011-12-13 |
KR100903428B1 (ko) | 2009-06-18 |
US7183626B2 (en) | 2007-02-27 |
WO2006055738A2 (en) | 2006-05-26 |
CN101057337A (zh) | 2007-10-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
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|
R081 | Change of applicant/patentee |
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|
R082 | Change of representative |
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