EP1064684A1 - Randabschluss für ein halbleiterbauelement, schottky-diode mit einem randabschluss und verfahren zur herstellung einer schottky-diode - Google Patents

Randabschluss für ein halbleiterbauelement, schottky-diode mit einem randabschluss und verfahren zur herstellung einer schottky-diode

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EP1064684A1
EP1064684A1 EP00904821A EP00904821A EP1064684A1 EP 1064684 A1 EP1064684 A1 EP 1064684A1 EP 00904821 A EP00904821 A EP 00904821A EP 00904821 A EP00904821 A EP 00904821A EP 1064684 A1 EP1064684 A1 EP 1064684A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
schottky diode
semiconductor
semiconductor body
edge termination
edge
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP00904821A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Frank Pfirsch
Roland Rupp
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of EP1064684A1 publication Critical patent/EP1064684A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/405—Resistive arrangements, e.g. resistive or semi-insulating field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes

Definitions

  • the present invention relates to an edge termination for a semiconductor component according to the preamble of claim 1 and a Schottky diode with an edge termination according to the preamble of claim 2. Furthermore, the present invention relates to a method for producing a semiconductor component with such an edge termination.
  • the invention relates primarily to asymmetrically blocking semiconductor components with planar edge closures.
  • the invention relates in particular to semiconductor components designed as Schottky diodes. Such semiconductor components and their mode of operation have been known for a long time and do not require any further description.
  • edge terminations in Schottky diodes are described.
  • One of these edge closures is designed here as a guard ring surrounding the Schottky contact, which forms a pn junction with the remaining semiconductor region.
  • the Schottky contact can also be made directly with an edge closure formed from field plates, i.e. H. without pn transition.
  • Schottky diodes are majority carrier semiconductor components and are therefore particularly suitable for high-frequency applications, that is to say for applications in which very fast switching operations and the lowest possible reverse current when commutating are required. Silicon Schottky diodes are, however, limited to reverse voltages up to approximately 100 V due to their very large reverse current.
  • Such a material is, for example, silicon carbide (SiC).
  • SiC silicon carbide
  • An SiC Schottky diode is described in US Pat. No. 5,789,311. SiC semiconductor components or SiC Schottky diodes have excellent electrical and physical properties compared to semiconductor components made of silicon, some of which are shown below.
  • SiC has a 10 to 15 times greater breakthrough field strength than silicon. Due to the very high breakthrough field strength, SiC semiconductor components are very suitable dimension small, which advantageously also results in a very low ON resistance. SiC semiconductor components thus offer a particularly good compromise between high blocking capability and low forward voltage.
  • SiC has a significantly shorter charge carrier life than silicon
  • SiC is particularly suitable for semiconductor components for high-frequency applications, since significantly higher switching speeds can be achieved here.
  • SiC Schottky diode Due to the fact that an SiC Schottky diode has almost no minority charge carriers, the charge carriers can be removed very quickly during commutation, which enables very high switching speeds.
  • SiC Compared to silicon, SiC is extremely stable thermally - the sublimation temperature at SiC is above 1600 ° C - and has a higher thermal conductivity by a factor of 3. Particularly due to the fact that SiC has a very large band gap and the associated low intrinsic concentration, SiC is particularly suitable for applications at high temperatures.
  • a major disadvantage of semiconductor components made of SiC is that typically very high temperatures (> 1500 ° C.) are required for the healing and activation of implanted doping regions, which are required for processing such SiC semiconductor components in conventional production facilities based on silicon technology usually do not allow.
  • the object of the present invention to provide an edge termination for a SiC semiconductor component and a Schottky diode, which can be produced as far as possible while circumventing the processing difficulties described above. Another The object is to specify a method for producing a Schottky diode with such an edge termination.
  • the product-related tasks are solved according to the invention by an edge seal with the features of claim 1 and by a Schottky diode with the features of claim 2.
  • the process-related problem is solved by a method having the features of patent claim 12.
  • all process steps can be processed at a temperature ( ⁇ 1250 ° C.) typical in silicon technology for the production of edge closures in SiC semiconductor components. These process steps can be carried out in a conventional silicon production line. With the exception of the SiC base material production and the production of the epitaxial layer, SiC Schottky diodes in particular can be manufactured entirely independently of the known difficulties of SiC technology.
  • FIG. 1 shows a first partial section of a SiC Schottky diode with an edge termination according to the invention, which contains a Zener diode chain;
  • FIG. 2 shows a top view of the layout of a SiC Schottky diode in which a single (a) or four (b) spiral zener diode chain is provided in the edge region;
  • FIG. 3 shows a second partial section of a SiC Schottky diode with an edge termination according to the invention, which contains a Zener diode chain and field plates arranged in between;
  • FIG. 4 shows a top view of the layout of a SiC Schottky diode in which the edge termination contains a Zener diode chain with field plates arranged in between;
  • Figure 5 shows an advantageous method for producing an SiC Schottky diode according to the invention with edge termination using various process steps.
  • SiC Schottky diodes The semiconductor components described in more detail below are SiC Schottky diodes. However, the invention is not limited exclusively to SiC Schottky diodes, but can also be used very advantageously in the context of the invention with all other SiC semiconductor components, such as, for example, pn diodes, MOSFETs, bipolar transistors or the like.
  • Figure 1 shows a partial section of the edge termination of a SiC Schottky diode, in which a Zener diode chain is provided for the edge termination.
  • 1 denotes the semiconductor body of a semiconductor component designed as a Schottky diode.
  • the Schottky diode has an anode connection A and a cathode connection K, which are arranged on opposite sides of the semiconductor body 1.
  • the SiC-containing semiconductor body 1 the polytype of which is not described in the present exemplary embodiment and is also not relevant to the invention, has an inner zone 2 heavily n-doped in the present exemplary embodiment.
  • a large-area cathode electrode 3 is applied to the inner zone 2 and thus to the rear surface 4 of the semiconductor body 1.
  • the cathode electrode 3 is connected to the cathode connection K.
  • a weakly n-doped epitaxial layer 5 is provided on the anode side and adjoins the inner zone 2 and the front surface 6 over the entire width of the semiconductor body 1.
  • the Schottky diode in FIG. 1 has an anode electrode 7 connected to the anode connection A in the central area on the front surface 6. This central area is also referred to below as the active area AB of the semiconductor component.
  • the anode electrode 7 is applied to the epitaxial layer 3 over a large area in the central region such that these together form a Schottky contact 8 in a known manner.
  • the anode electrode 7 is designed in such a way that it takes a set course towards the edge and there has the shape of a field plate 7.
  • the areas outside the active area AB of the Schottky diode are also referred to below as the edge area RB.
  • An insulation layer 9, which contains silicon dioxide, for example, is provided over a large area in the edge region RB.
  • the Schottky diode according to FIG. 1 has a space charge zone stop 10.
  • This space charge zone stop 10 is arranged in the outermost edge region RB of the semiconductor component, that is to say directly in front of its sawing edge.
  • the space charge zone stopper 10 is designed in a known manner as a single-stage substrate contact electrode 10 which rises towards the active region AB and which typically forms an ohmic contact with the substrate of the semiconductor body.
  • the substrate contact electrode 10 is typically metallic, can however, it can also be designed as a polysilicon electrode or, depending on the application, also omitted.
  • a diode chain 11 is provided on the insulation layer 9 in the edge region RB of the semiconductor component.
  • the diode chain 11 is spaced from the semiconductor body 1 via the insulation layer 10.
  • the diode chain 11 is connected to the anode electrode 7 towards the active region AB of the semiconductor component and towards the edge to the substrate contact electrode 10. In the event that the substrate contact electrode 10 has been omitted, this outermost layer 12 of the diode chain 11 can also be connected directly to the semiconductor substrate.
  • the diode chain consists of a multiplicity of adjoining semiconductor layers 12 of alternating conduction type, with two adjoining semiconductor layers 12 each forming a pn diode.
  • Any semiconductor material for example silicon, gallium arsenide or the like, can be selected as the semiconductor material of the semiconductor layers 12, as required.
  • the diodes of the diode chain 11 are designed as a Zener diode.
  • the configuration of the diode chain 11 with zener diodes is particularly advantageous since, depending on their dimensioning or doping concentration, zener diodes can have a breakdown voltage in the range from 6 V to 60 V.
  • the breakdown voltage in Zener diodes is generally a function of temperature. In the case of Zener diodes in particular, this temperature dependence of the breakdown voltage is very low if the breakdown voltage of the respective Zener diodes is selected. Specifically, this means that, in particular in the case of Zener diodes in the transition region between Zener breakdown and avalanche breakdown, with very small breakdown voltages, the temperature dependence can be almost avoided.
  • the individual semiconductor layers 12 have the same width and thus an equidistant grid. In this way, a linear potential reduction in the semiconductor body 1 can be ensured.
  • the widths of the semiconductor layers 12 need not be the same. It would of course also be conceivable for the semiconductor layers 12 of the diode chain 11 to have a non-equidistant grid, in which, for example, the individual semiconductor layers 12 have a decreasing grid toward the edge. In this case, depending on the application, a non-linear, for example parabolic potential reduction of the edge termination in the semiconductor body 1 can be achieved.
  • FIG. 2 shows two plan views each of a Schottky diode in which diode chains 11 according to the invention are provided in the edge region RB of the semiconductor component.
  • a single diode chain 11 is provided, which is constructed from a multiplicity of equidistantly arranged semiconductor layers 12 with an alternating conductivity type.
  • This single diode chain 11 is formed in the edge region RB of the semiconductor component in a spiral shape with an outwardly increasing distance from the active region AB.
  • FIG. 2 (b) shows a Schottky diode in which a total of four spiral-shaped diode chains 11 are provided in the edge region RB of the semiconductor component.
  • the diode chains 11 are each connected to the anode metallization 7 and to the substrate contact electrode 10.
  • an edge termination with one or more spirally arranged diode chains 11 is provided.
  • these diode chains 11 can also be realized in a different way, for example by means of one or more meandering, staggered or otherwise nested diode chains 11.
  • the potential in the edge region RB can be gradually and definedly reduced.
  • this edge area RB can be reduced to a minimal area in the case of a generic, high-blocking semiconductor component.
  • FIG. 3 shows the partial section of a semiconductor component designed as a Schottky diode, in which a plurality of diode chains with field plates arranged in between are provided as the edge termination.
  • the Schottky diode in FIG. 3 has an edge termination, in which a plurality, in the present exemplary embodiment three, of diode chains 11 which are spaced apart from one another are provided. Two adjacent diode chains 11 are connected to one another here via a field plate 13. The outermost diode chains 11 are each connected in a known manner to the anode electrode 7 or the substrate contact electrode 10.
  • the field plates are typically designed in the form of a metallic conductor track, but they can also be implemented using a metal silicide or polysilicon.
  • field plates 13 are arranged in the edge region RB where the electric field takes a steeply increasing course.
  • field plate rings 14 it is sufficient to use only a single diode chain 11, which is intended to determine the respective potentials of the field plates.
  • a semiconductor component with field plates 13 or field plate rings 14 in its edge region RB its reverse current can be reduced in a defined manner.
  • the different field plates 13 do not necessarily have to short-circuit two diode chains 11 spaced from one another; it would also be conceivable for a field plate 13 to be connected to a single or to two adjacent semiconductor layers 12.
  • the layout of an SiC Schottky diode designed according to FIG. 3 is shown in the top view in FIG. 4.
  • the field plates 13 are arranged as concentric, annular conductor tracks 14 around the active region AB of the semiconductor component.
  • the particular advantage of these so-called field plate rings lies in the fact that only a single diode chain 11 has to be provided between the active region AB and the substrate contact electrode 10, which is necessary for determining the respective potentials of the field plate rings 14.
  • the field plate rings 14 serve the purpose of bundling or channeling the potential lines in the edge region RB of the semiconductor component.
  • the Schottky diode has a rectangular layout in the plan view of FIGS. 2 and 4.
  • the present invention is not to be applied to such rectangular layouts of semiconductor components. limits, but rather can be applied to any type of round, oval, hexagonal, triangular or the like designed layouts.
  • a semiconductor body 1 containing SiC, the inner zone 2 of which has a strong n-doping, is provided.
  • a weakly n-doped epitaxial layer 5 is applied to the surface of the inner zone 2 via an epitaxy process (FIG. 5 (a)).
  • an insulating material is applied to the second surface 6 of the semiconductor body 1 that is created and structured in such a way that an insulation layer 9 is produced in the edge region RB (FIG. 5 (b)).
  • the insulating material is advantageously silicon dioxide, but can consist of any other insulation material, for example silicon nitride.
  • Polysilicon is applied to the insulation layer 9 in the edge region RB of the semiconductor body 1 (FIG. 5 (d)).
  • the polysilicon is structured and implanted in such a way that a multiplicity of semiconductor layers 12 result in alternating conductivity types.
  • Metallization is applied to the second surface 6 of the semiconductor body 1 in order to produce the anode electrode 7 (FIG. 5 (e)).
  • the anode electrode 7 is temperature-treated in such a way that a Schottky contact 8 is formed at this point from the interaction of the epitaxial layer 5 and the anode electrode 7.
  • the electrode electrode 7 is also structured such that it is connected to one of the semiconductor layers 12 of the diode chain 11.
  • At least one further semiconductor layer 11 is also connected to the semiconductor body 1 via the substrate contact electrode 10 (FIG. 5 (f)).
  • a cathode electrode 3 forming an ohmic contact is applied over a large area (FIG. 5 (c) and (g)).
  • Electrodes 3, 7, 10 has a metallization which serves to improve the electrical properties or to strengthen the contacts.
  • Metal alloys with sufficiently good adhesive properties in SiC contain at least some of tungsten, molybdenum, platinum, chromium, titanium, nickel, iron and the like.
  • a thin contact metallization consisting of a metal alloy just described is first applied directly to the semiconductor body and at a temperature of approximately
  • This metallization applied to the thin metallization serves to strengthen the contacts, that is to say to improve the bandability or solderability of the contacts, and to achieve good transverse conductivity.
  • SiC silicon dioxide on the semiconductor body 1.
  • this process takes an extremely long time. Because of this, it is advantageous if first a thin thermal silicon dioxide on the surface 6 of the semiconductor body. pers 1 is generated. A field oxide generated, for example, by deposition can then be applied to this thermal oxide.
  • the edge termination according to the invention was described using a Schottky diode.
  • the present invention is not restricted exclusively to SiC Schottky diodes. Rather, the present invention can also be applied to pn diodes, pin diodes, MOSFETs and the like.
  • the edge termination according to the invention is of interest for all semiconductor components in which high reverse voltages are relevant.

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Abstract

Randabschluss für ein Halbleiterbauelement mit einem Siliziumkarbid enthaltenden Halbleiterkörper (1), wobei der Randabschluss zumindest eine gegen den Halbleiterkörper (1) isolierte Diodenkette (11) mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten (12) mit jeweils alternierendem Leitungstyp aufweist.

Description

Beschreibung
Randabschluß für ein Halbleiterbauelement, Schottky-Diode mit einem Randabschluß und Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Randabschluß für ein Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 sowie eine Schottky-Diode mit einem Randabschluß gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 2. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem solchen Randabschluß.
Die Erfindung bezieht sich vorwiegend auf asymmetrisch sper- rende Haibleiterbauelemente mit planaren Randabschlüssen. Die Erfindung betrifft insbesondere als Schottky-Dioden ausgebildete Halbleiterbauelemente. Derartige Halbleiterbauelemente sowie deren Funktionsweise sind seit langem bekannt und bedürfen keiner weiteren Beschreibung.
Bei solchen Halbleiterbauelementen, insbesondere bei hochspannungsfesten Leistungs-Halbleiterbauelementen, treten Spannungsdurchbrüche bevorzugt in deren Randbereich auf, da dort die elektrische Feldstärke in Folge der durch den Rand bedingten Krümmung der Dotierungsgebiete besonders groß ist. Um solche Spannungsdurchbrüche zu vermeiden, sind ringförmig angeordnete Randabschlüsse, die das Halbleiterbauelemente typischerweise vollständig umschließen, vorgesehen. Durch diese Randabschlüsse werden lokale Feldstärkespitzen im Randbereich des Halbleiterbauelementes abgeschwächt bzw. abgebaut. Unerwünschte Spannungsdurchbrüche im Randbereich können somit vermieden werden und das Halbleiterbauelement bleibt funktionsfähig. In B. J. Baliga, "Modern Power Devices", John iley and Sons, 1987, ist eine Vielzahl von unterschiedlichen Randabschlüssen bei Halbleiterbauelementen beschrieben. Darüberhinaus sind in der US 5,486,718 Randabschlüsse beschrieben, bei denen im Randbereich spiralförmig angeordnete Ketten aus Polysilizium enthaltende Zenerdioden angeordnet sind. Durch diese Zenerdioden soll der Potentialverlauf des elektrischen Feldes im Randbereich gesteuert wird.
In B. J. Baliga, "Modern Power Devices", John Wiley and Sons, 1987, S. 437, sind Randabschlüsse bei Schottky-Dioden beschrieben. Einer dieser Randabschlüsse ist hier als ein den Schottky-Kontakt umgebender Guardring, der mit dem restlichen Halbleitergebiet einen pn-Übergang bildet, ausgebildet. Alternativ kann der Schottky-Kontakt auch direkt mit einem aus Feldplatten ausgebildetem Randabschluß, d. h. ohne pn- Übergang, realisiert werden.
Schottky-Dioden sind Majoritätsträger-Halbleiterbauelemente und eignen sind daher besonders für Hochfrequenzanwendungen, daß heißt für Anwendungen, bei denen sehr schnelle Schaltvorgänge und ein möglichst geringer Sperrstrom beim Abkommutie- ren gefordert werden. Silizium-Schottky-Dioden sind aufgrund deren sehr großen Sperrstromes allerdings auf Sperrspannungen bis etwa 100 V beschränkt.
Aus diesen Gründen wird es daher immer attraktiver, zur Her- Stellung von Schottky-Dioden andere Halbleitermaterialen, die die oben genannten Nachteile nicht aufweisen, zu verwenden.
Ein solches Material ist beispielsweise Siliziumkarbid (SiC) . In der US 5,789,311 ist eine SiC-Schottky-Diode beschrieben. SiC-Halbleiterbauelemente bzw. SiC-Schottky-Dioden weisen gegenüber solchen, aus Silizium hergestellten Halbleiterbauelementen hervorragende elektrische und physikalische Eigenschaften auf, von denen nachfolgend einige aufgezeigt werden.
SiC weist gegenüber Silizium eine um den Faktor 10 bis 15 höhere Durchbruchfeidstärke auf. Aufgrund der sehr hohen Durch- bruchfeldstärke lassen sich SiC-Halbleiterbauelemente sehr klein dimensionieren, was vorteilhafterweise auch einen sehr niedrigen ON-Widerstand zur Folge hat. SiC- Halbleiterbauelemente bieten somit einen besonders guten Kompromiß zwischen hoher Sperrfähigkeit und niedriger Durchlaß- Spannung.
Aufgrund der Tatsache, daß SiC im Vergleich zu Silizium eine deutlich geringere Ladungsträgerlebensdauer aufweist, eignet sich SiC insbesondere für Halbleiterbauelemente für Hochfre- quenzanwendungen, da hier deutlich höhere Schaltgeschwindigkeiten erzielt werden können. Aufgrund der Tatsache, daß eine SiC-Schottky-Diode nahezu keine Minoritätsladungsträger aufweist, lassen sich die Ladungsträger beim Abkommutieren sehr rasch ausräumen, wodurch sehr hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich werden.
SiC ist im Vergleich zu Silizium thermisch äußerst stabil -die Sublimationstemperatur liegt bei SiC oberhalb von 1600°C- und weist eine um den Faktor 3 höhere Wärmeleitfähig- keit auf. Insbesondere auch aufgrund der Tatsache, daß SiC eine sehr große Bandlücke und damit verbundener geringen in- trinsischen Konzentration aufweist, eignet sich SiC besonders für Anwendungen bei hohen Temperaturen.
Ein großer Nachteil bei Halbleiterbauelementen aus SiC besteht jedoch darin, daß zum Ausheilen und Aktivieren von implantierten Dotierungsgebieten typischerweise sehr hohe Temperaturen (> 1500°C) erfoderlich sind, die das Prozessieren von derartigen SiC-Halbleiterbauelementen in herkömmlichen, auf Silizium-Technologie festgelegten Fertigungsstätten in der Regel nicht erlauben.
Ausgehend von dem genannten Stand der Technik ist es daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Randabschluß für ein SiC-Halbleiterbauelement und eine Schottky-Diode anzugeben, die möglichst unter Umgehung der oben beschriebenen Prozessierungsschwierigkeiten herstellbar sind. Eine weitere Aufgabe ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Schottky- Diode mit einem solchen Randabschluß anzugeben.
Die erzeugnisbezogenen Aufgaben werden erfindungsgemäß durch einen Randabschluß mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 sowie durch eine Schottky-Diode mit den Merkmalen des Patentanspruchs 2 gelöst. Die verfahrensbezogene Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 12 gelöst.
Durch die vorliegende Erfindung lassen sich für die Herstellung von Randabschlüssen bei SiC-Halbleiterbauelementen alle Prozeßschritte bei einer in der Siliziumtechnologie typischen Temperatur (< 1250°C) prozessieren. Diese Prozessschritte lassen sich in einer herkömmlichen Silizium-Fertigungslinie durchführen. Insbesondere SiC-Schottky-Dioden lassen sich damit mit Ausnahme der SiC-Grundmaterialherstellung und der Erzeugung der Epitaxieschicht gänzlich unabhängig von den bekannten Schwierigkeiten der SiC-Technologie fertigen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt dabei:
Figur 1 einen ersten Teilschnitt einer SiC-Schottky-Diode mit einem erfindungsgemäßen Randabschluß, der eine Zener- diodenkette enthält;
Figur 2 in einer Draufsicht das Layout einer SiC-Schottky- Diode, bei der im Randbereich eine einzige (a) bzw. vier (b) spiralförmig angeordnete Zenerdiodenkette vorgesehen sind; Figur 3 einen zweiten Teilschnitt einer SiC-Schottky-Diode mit einem erfindungsgemäßen Randabschluß, der eine Zenerdiodenkette und dazwischen angeordneten Feldplatten enthält;
Figur 4 in einer Draufsicht das Layout einer SiC-Schottky- Diode, bei der der Randabschluß eine Zenerdiodenkette mit dazwischen angeordneten Feldplatten enthält;
Figur 5 ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen SiC-Schottky-Diode mit Randabschluß anhand von verschiedenen Verfahrensschritten.
In allen Figuren der Zeichnung sind gleiche oder funktions- gleiche Elemente, sofern dies nicht anders angegeben ist, mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Bei den nachfolgend näher beschriebenen Halbleiterbauelementen handelt es sich um SiC-Schottky-Dioden. Die Erfindung ist jedoch nicht ausschließlich auf SiC-Schottky-Dioden beschränkt, sondern kann im Rahmen der Erfindung sehr vorteilhaft auch bei allen anderen SiC-Halbleiterbauelementen, wie beispielsweise pn-Dioden, MOSFETs, Bipolartransistoren oder dergleichen, angewendet werden.
Figur 1 zeigt in einem Teilschnitt den Randabschluß einer SiC-Schottky-Diode, bei der für den Randabschluß eine Zenerdiodenkette vorgesehen ist.
In Figur 1 ist mit 1 der Halbleiterkörper eines als Schottky- Diode ausgebildeten Halbleiterbauelementes bezeichnet. Die Schottky-Diode weist einen Anodenanschluß A und einen Katodenanschluß K auf, die an gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterkörpers 1 angeordnet sind.
Der SiC enthaltende Halbleiterkörper 1, dessen Polytyp im vorliegenden Ausführungsbeispiel nicht näher bezeichnet sei und für die Erfindung auch nicht relevant ist, weist eine im vorliegenden Ausführungsbeispiel stark n-dotierte Innenzone 2 auf. Katodenseitig ist eine großflächige Katodenelektrode 3 auf die Innenzone 2 und damit auf die rückseitige Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht. Die Katodenelektrode 3 ist dabei mit dem Katodenanschluß K verbunden.
Anodenseitig ist eine schwach n-dotierte Epitaxieschicht 5 vorgesehen, die über die gesamte Breite des Halbleiterkörpers 1 an die Innenzone 2 und an die vorderseitige Oberfläche 6 angrenzt. Die Schottky-Diode in Figur 1 weist im zentralen Bereich an der vorderseitigen Oberfläche 6 eine mit dem Anodenanschluß A verbundene Anodenelektrode 7 auf. Dieser zentrale Bereich wird nachfolgend auch als aktiver Bereich AB des Halbleiterbauelementes bezeichnet. Die Anodenelektrode 7 ist im zentralen Bereich großflächig auf die Epitaxieschicht 3 derart aufgebracht, daß diese zusammen in bekannter Weise einen Schottky-Kontakt 8 bilden. Darüberhinaus ist die Anodenelektrode 7 derart ausgebildet, daß sie zum Rand hin ei- nen aufgestellten Verlauf nimmt und dort die Form einer Feldplatte 7 aufweist.
Die Bereiche außerhalb des aktiven Bereiches AB der Schottky- Diode werden nachfolgend auch als Randbereich RB bezeichnet. Im Randbereich RB ist großflächig eine Isolationsschicht 9, die beispielsweise Siliziumdioxid enthält, vorgesehen. Ferner weist die Schottky-Diode gemäß Figur 1 einen Raumladungszonenstopper 10 auf. Dieser Raumladungszonenstopper 10 ist im äußersten Randbereich RB des Halbleiterbauelementes, d.h. un- mittelbar vor dessen Sägekante, angeordnet. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Raumladungszonenstopper 10 in bekannter Weise als eine zum aktiven Bereich AB hin aufsteigende, einstufig ausgebildete Substratkontaktelektrode 10, die mit dem Substrat des Halbleiterkörpers typischerweise einen ohmschen Kontakt bildet, ausgebildet. Die Substratkontaktelektrode 10 ist typischerweise metallisch ausgebildet, kann jedoch auch als Polysiliziumelektrode ausgebildet sein oder je nach Applikation auch weggelassen werden.
In Figur 1 ist auf der Isolationsschicht 9 im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes eine Diodenkette 11 vorgesehen. Die Diodenkette 11 ist dabei über die Isolationsschicht 10 von dem Halbleiterkörper 1 beabstandet. Die Diodenkette 11 ist zum aktiven Bereich AB des Halbleiterbauelementes hin an die Anodenelektrode 7 und zum Rand hin an die Substratkontak- telektrode 10 angeschlossen. Für den Fall, daß die Substratkontaktelektrode 10 weggelassen wurde, kann diese äußerste Schicht 12 der Diodenkette 11 auch direkt an das Halbleitersubstrat angeschlossen sein.
Die Diodenkette besteht aus einer Vielzahl von aneinander- grenzenden Halbleiterschichten 12 alternierenden Leitungstyps, wobei jeweils zwei aneinandergrenzende Halbleiterschichten 12 eine pn-Diode bilden. Als Halbleitermaterial der Halbleiterschichten 12 kann je nach Bedarf jedes beliebige Halbleitermaterial, beispielsweise Silizium, Galliumarsenid oder dergleichen, gewählt werden.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel seien die Dioden der Diodenkette 11 als Zenerdiode ausgebildet. Die Ausgestaltung der Diodenkette 11 mit Zenerdioden ist besonders vorteilhaft, da Zenerdioden je nach deren Dimensionierung bzw. Dotierungskonzentration eine Durchbruchspannung im Bereich von 6 V bis 60 V aufweisen können. Die Durchbruchspannung bei Zenerdioden ist allgemein eine Funktion der Temperatur. Insbesondere bei Zenerdioden ist diese Temperaturabhängigkeit der Durchbruchspannung sehr gering, wenn die Durchbruchspannung der jeweiligen Zenerdioden gewählt wird. Konkret bedeutet das, daß insbesondere bei Zenerdioden im Übergangsbereich zwischen Zenerdurchbruch und Avalanchedurchbruch mit sehr kleinen Durchbruchspannungen die Temperaturabhängigkeit nahezu vermieden werden kann. Im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 weisen die einzelnen Halbleiterschichten 12 die gleiche Breite und damit ein äqui- distantes Raster auf. Auf diese Weise kann ein linearer Potentialabbau im Halbleiterkörper 1 gewährleistet werden. Die Breiten der Halbleiterschichten 12 müssen jedoch nicht gleich sein. Es wäre selbstverständlich auch denkbar, daß die Halbleiterschichten 12 der Diodenkette 11 ein nicht-äquidistantes Raster aufweisen, bei dem beispielsweise die einzelnen Halbleiterschichten 12 zum Rand hin ein abnehmendes Raster auf- weisen. In diesem Fall kann je nach Applikation ein nichtlinearer, beispielsweise parabolischer Potentialabbau des Randabschlusses im Halbleiterkörper 1 erreicht werden.
Figur 2 zeigt in zwei Draufsichten jeweils eine Schottky- Diode, bei der im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes erfindungsgemäße Diodenketten 11 vorgesehen sind. In Figur 2(a) ist dabei eine einzige Diodenkette 11 vorgesehen, die aus einer Vielzahl von äquidistant angeordneten Halbleiterschichten 12 mit alternierendem Leitungstyp aufgebaut ist. Diese einzige Diodenkette 11 ist dabei im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes spiralenförmig mit sich nach außen vergrößerndem Abstand zum aktiven Bereich AB ausgebildet.
Figur 2 (b) zeigt eine Schottky-Diode, bei der im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes insgesamt vier spiralförmig angeordnete Diodenketten 11 vorgesehen sind. In Figur 2(a) und Figur 2 (b) sind die Diodenketten 11 jeweils an die Anodenmetallisierung 7 und an die Substratkontaktelektrode 10 angeschlossen.
Im Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren 1 und 2 ist ein Randabschluß mit einer bzw. mehreren spiralförmig angeordneten Diodenketten 11 vorgesehen. Selbstverständlich lassen sich diese Diodenketten 11 auch auf andere Art und Weise, beispielsweise durch eine oder mehrere mäanderförmige, gestaffelte oder anderweitig ineinander verschachtelte Diodenketten 11 realisieren. Durch die Verwendung einer oder mehrerer Diodenketten 11 mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten 12, die im Randbereich RB eines Halbleiterbauelementes angeordnet sind, läßt sich das Potential im Randbereich RB stufenweise und definiert reduzieren. Insbesondere durch die Verwendung von spiralförmig, mäanderför ig oder andersweitig ineinander verschachtelter Diodenketten 11 im Randbereich RB läßt sich dieser Randbereich RB bei einem gattungsgemäßen, hochsperrenden Halblei- terbauelement auf eine minimale Fläche reduzieren.
Bezüglich des Aufbaus, der Struktur und der Funktionsweise von solchen Diodenketten 11 wird auf die eingangs genannte US 5,486,718 verwiesen, die vollinhaltlich in die vorliegende Patentanmeldung mit einbezogen wird ("incorporated by refe- rence") .
Figur 3 zeigt den Teilschnitt eines als Schottky-Diode ausgebildeten Halbleiterbauelementes, bei dem als Randabschluß mehrere Diodenketten mit dazwischen angeordneten Feldplatten vorgesehen sind.
Die Schottky-Diode in Figur 3 weist gegenüber der in Figur 1 einen Randabschluß auf, bei dem mehrere, im vorliegenden Aus- führungsbeispiel drei, Diodenketten 11, die voneinander beabstandet sind, vorgesehen sind. Jeweils zwei benachbarte Diodenketten 11 sind hier über eine Feldplatte 13 miteinander verbunden. Die jeweils äußersten Diodenketten 11 sind in bekannter Weise jeweils mit der Anodenelektrode 7 bzw. der Sub- stratkontaktelektrode 10 verbunden. Die Feldplatten sind typischerweise in Form einer metallischen Leiterbahn ausgebildet, sie können jedoch auch durch ein Metallsilizid oder durch Polysilizium realisiert sein.
Diese Feldplatten 13 sind in dem Randbereich RB dort angeordnet, wo das elektrische Feld einen stark ansteigenden Verlauf nimmt. Durch die Bereitstellung von einer oder mehrerer Feld- plattenringe 14 reicht es aus, lediglich eine einzige Diodenkette 11, die zur Festlegung der jeweiligen Potentiale der Feldplatten bestimmt ist, zu verwenden. Bei einem Halbleiterbauelement mit Feldplatten 13 bzw. Feldplattenringen 14 in dessen Randbereich RB kann dessen Sperrstrom definiert reduziert werden.
In einer Weiterbildung müssen die verschiedenen Feldplatten 13 nicht zwangsläufig zwei voneinander beabstandete Dioden- ketten 11 miteinander kurzschließen; es wäre auch denkbar, daß jeweils eine Feldplatte 13 an eine einzelne oder an zwei aneinander grenzenden Halbleiterschichten 12 angeschlossen ist.
Das Layout einer gemäß Figur 3 ausgebildeten SiC-Schottky- Diode ist in der Draufsicht in Figur 4 dargestellt. Die Feldplatten 13 sind dabei als konzentrische, ringförmige Leiterbahnen 14 um den aktiven Bereich AB des Halbleiterbauelementes angeordnet. Der besondere Vorteil dieser sogenannten Feldplattenringe liegt darin, daß hier lediglich eine einzige Diodenkette 11 zwischen dem aktiven Bereich AB und der Substratkontaktelektrode 10 vorgesehen sein muß, die für die Festlegung der jeweiligen Potentiale der Feldplattenringe 14 notwendig ist. Die Feldplattenringe 14 dienen dabei dem Zweck, die Potentiallinien im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes zu bündeln bzw. zu kanalisieren.
Darüber hinaus sind selbstverständlich die verschiedensten Kombinationen der oben beschriebenen Konstruktionen, wie bei- spielsweise floatende Feldringe mit oder ohne Feldplatten, als Randabschlüsse für solche SiC-Halbleiterbauelemente denkbar.
In den vorstehenden Ausführungsbeispielen weist die Schottky- Diode in der Draufsicht der Figuren 2 und 4 ein rechteckiges Layout auf. Die vorliegende Erfindung sei jedoch nicht auf derartige rechteckige Layouts von Halbleiterbauelementen be- schränkt, sondern kann vielmehr auf jegliche Art von runden, ovalen, hexagonalen, dreieckigen oder dergleichen ausgebildeten Layouts angewendet werden.
Bezüglich des Aufbaues, der Struktur und der Funktionsweise von Randabschlüssen mit Diodenketten 11 und zwischen den Diodenketten 11 angeordneten Feldplattenringen 14 wird auf die US 5,266,831 verwiesen, die vollinhaltlich in die vorliegende Patentanmeldung mit einbezogen wird ("incorporated by reference") .
Anhand der Figuren 5(a) bis (g) wird nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung von SiC-Schottky-Dioden mit Randabschluß beschrieben.
Es wird ein SiC enthaltender Halbleiterkörper 1, dessen Innenzone 2 eine starke n-Dotierung aufweist, bereitgestellt. Auf die Oberfläche der Innenzone 2 wird über einen Epitaxieprozeß eine schwach n-dotierte Epitaxieschicht 5 aufgebracht (Figur 5 (a) ) . Anschließend wird auf die dadurch entstandene zweite Oberfläche 6 des Halbleiterkörpers 1 ein isolierendes Material aufgebracht und derart strukturiert, daß im Randbereich RB eine Isolationsschicht 9 erzeugt wird (Figur 5(b)). Das isolierende Material ist vorteilhafterweise Siliziumdi- oxid, kann aber aus jedem anderen Isolationsmaterial, beispielsweise aus Siliziumnitrit, bestehen.
Auf die Isolationsschicht 9 im Randbereich RB des Halbleiterkörpers 1 wird Polysilizium aufgebracht (Figur 5 (d) ) . Das Po- lysilizium wird strukturiert und derart implantiert, daß sich eine Vielzähl von Halbleiterschichten 12 alternierenden Leitungstyps ergeben. Auf die zweite Oberfläche 6 des Halbleiterkörpers 1 wird zur Herstellung der Anodenelektrode 7 eine Metallisierung aufgebracht (Figur 5(e)). Die Anodenelektrode 7 wird dabei derart temperaturbehandelt, daß aus der Wechselwirkung der Epitaxieschicht 5 und der Anodenelektrode 7 an dieser Stelle ein Schottky-Kontakt 8 gebildet wird. Die An- odenelektrode 7 wird ferner derart strukturiert, daß sie an einer der Halbleiterschichten 12 der Diodenkette 11 angeschlossen ist. Mindestens eine weitere Halbleiterschicht 11 wird zudem über die Substratkontaktelektrode 10 an den Halb- leiterkörper 1 angeschlossen (Figur 5(f)). An der zweiten Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 1 wird über eine Metallisierung großflächig eine einen ohmschen Kontakt bildende Kathodenelektrode 3 aufgebracht (Figur 5(c) und (g) ) .
Die oben genannten Verfahrensschritte müssen nicht notwendigerweise in der dort angegebenen oder der Reihenfolge entsprechend Figur 5(a)-(g) erfolgen, sondern können auch im Rahmen der Prozeßtechnologie beliebig variiert werden.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn mindestens eine der Elektroden 3, 7, 10 eine zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften bzw. zur Kontaktverstärkung dienende Metallisierung aufweist. Metallegierungen mit ausreichend guten Hafteigenschaften bei SiC enthalten zumindest zum Teil Wolfram, Mo- lybdän, Platin, Chrom, Titan, Nickel, Eisen und dergleichen.
Typischerweise wird zur Herstellung eines Kontaktes bei SiC zunächst eine dünne Kontaktmetallisierung bestehend aus einer gerade beschriebenen Metallegierung direkt auf den Halblei- terkörper aufgebracht und bei einer Temperatur von etwa
900°C behandelt. Anschließend wird die eigentliche Metallegierung für die entsprechende Elektrode auf diese Kontaktelektrode aufgebracht. Diese auf die dünne Metallisierung aufgebrachte Metallisierung dient der Kontaktverstärkung, daß heißt zur Verbesserung der Bandbarkeit bzw. Lötbarkeit der Kontakte, und der Erlangung einer guten Querleitfähigkeit.
Ein großer Vorteil bei SiC ist die Möglichkeit, thermisch erzeugtes Siliziumdioxid auf den Halbleiterkörper 1 aufzuwach- sen. Allerdings dauert dieser Prozess äußerst lange. Aufgrund dessen ist es vorteilhaft, wenn zunächst ein dünnes thermisches Siliziumdioxid an der Oberfläche 6 des Halbleiterkör- pers 1 erzeugt wird. Anschließend kann auf dieses thermische Oxid ein beispielsweise durch Abscheidung • erzeugtes Feldoxid aufgebracht werden.
In den vorstehenden Ausführungsbeispielen wurde der erfindungsgemäße Randabschluß anhand einer Schottky-Diode beschrieben. Es sei jedoch ausdrücklich daraufhingewiesen, daß die vorliegende Erfindung nicht ausschließlich auf SiC- Schottky-Dioden beschränkt ist. Vielmehr läßt sich die vor- liegende Erfindung auch bei pn-Dioden, pin-Dioden, MOSFETS und dergleichen anwenden. Allgemeiner Weise ist der erfindungsgemäße Randabschluß bei allen Halbleiterbauelementen, bei denen hohe Sperrspannungen relevant sind, von Interesse.

Claims

Patentansprüche
1. Randabschluß für ein Halbleiterbauelement mit einem Siliziumkarbid enthaltenden Halbleiterkörper (1), d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Randabschluß zumindest eine gegen den Halbleiterkörper (1) isolierte Diodenkette (11) mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten (12) mit jeweils alternierendem Leitungstyp aufweist.
2. Schottky-Diode
- mit einem Siliziumkarbid enthaltenden Halbleiterkörper (1) des ersten Leitungstyps,
- mit einer Dotierungsschicht (5) des ersten Leitungstyps, die an einer ersten Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers
(1) angeordnet ist und die eine niedrigere Dotierungskonzentration als der Halbleiterkörper (1) aufweist,
- mit einer an der ersten Oberfläche (6) angeordneten und einen Schottky-Kontakt (8) bildenden, metallischen ersten Elektrode (7),
- mit einer den Halbleiterkörper (1) an dessen zweiter Oberfläche (4) kontaktierenden zweiten Elektrode (3),
- mit einem Randabschluß, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Randabschluß zumindest eine gegen den Halbleiterkörper (1) isolierte Diodenkette (11) mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten (12) mit jeweils alternierendem Leitungstyp aufweist, wobei die Diodenkette (11) zum einen an die erste Elektrode (7) angeschlossen ist und zum anderen mit einem Bezugspotential verbunden ist.
3. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der Ansprüche 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Diodenketten (11) jeweils aus einer einzigen, durchgehenden Kette aneinandergrenzender Halbleiterschichten (12) mit alternierendem Leitungstyp aufgebaut ist.
4. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der vorstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß mindestens eine Feldplatte (13) vorgesehen ist, die jeweils an mindestens einer der Halbleiterschichten (12) einer Diodenkette (11) angeschlossen ist.
5. Randabschluß oder Schottky-Diode nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Feldplatten (13) als kreisringförmige, konzentrische Leiterbahnen (14) um einen aktiven Bereich (AB) des Halbleiterbauelementes herum angeordnet sind.
6. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der vorstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Halbleiterschichten (12) der Diodenkette (11) ein äquidistantes Raster oder ein nicht-äquidistantes Raster mit zum Rand des Halbleiterkörpers (1) hin abnehmendem Raster aufweisen.
7. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der vorstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Halbleiterschichten (12) der Diodenketten (11) eine Vielzahl von Zenerdioden bilden.
8. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der vorstehen- den Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Diodenketten (11) in der lateralen Projektion spiralförmig und/oder mäanderförmig und/oder ineinander verschachtelt ausgebildet sind.
9. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der vorstehen¬ den Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Halbleiterschichten (12) dotiertes Polysilizium und/oder dotiertes, einkristallines Silizium enthalten.
10. Randabschluß oder Schottky-Diode nach einem der vorstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Be- zugspotential das Kathodenpotential der Schottky-Diode ist.
11. Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode gemäß einem der Ansprüche 2 bis 10 mit den Verfahrensschritten:
(a) Auf eine erste Oberfläche (6) eines Halbleiterkörpers (1) wird über einen Epitaxieprozeß eine Dotierungsschicht (5) des ersten Leitungstyps und niedrigerer Dotierungskonzentration aufgebracht;
(b) Auf die erste Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird ein Oxid aufgebracht und derart strukturiert, daß in einem Randbereich (RB) eine Isolationsschicht (9) erzeugt wird;
(c) Auf die Isolationsschicht (9) im Randbereich (RB) wird Polysilizium aufgebracht;
(d) Das Polysilizium wird strukturiert und derart implan- tiert, daß sich eine Vielzahl von Halbleiterschichten
(12) alternierenden Leitungstyps ergeben;
(e) Auf die erste Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) wird eine einen Schottky-Kontakt bildende Metallisierung aufgebracht, die eine erste Elektrode (7) bildet; (f) Die erste Elektrode (7) wird derart strukturiert, daß sie an mindestens einer der Halbleiterschichten (12) angeschlossen ist; (g) Auf eine zweite Oberfläche (4) des Halbleiterkörpers (1) wird großflächig eine einen ohmschen Kontakt bildende zweite Elektrode (3) aufgebracht;
12. Verfahren nach Anspruch 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß mindestens eine der Halbleiterschichten (12) an den Halbleiterkörper (1) angeschlossen wird.
13. Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode nach einem der Ansprüche 11 oder 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf die erste und/oder auf die zweite Elektrode (7, 3) eine gut lötbare oder bundbare und der Kontaktverstärkung dienende Metallisierung aufgebracht wird.
14. Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode nach einem der Ansprüche 11 bis 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Isolationsschicht (9) ein thermisch ausgebildetes erstes Oxid, welches direkt auf die erste Oberfläche (6) des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wurde, und ein durch Abscheidung erzeugtes zweites Oxid, welches auf das thermische Oxid aufgebracht wurde, aufweist.
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