Beschreibung
Randabschluß für ein Halbleiterbauelement, Schottky-Diode mit einem Randabschluß und Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Randabschluß für ein Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 sowie eine Schottky-Diode mit einem Randabschluß gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 2. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem solchen Randabschluß.
Die Erfindung bezieht sich vorwiegend auf asymmetrisch sper- rende Haibleiterbauelemente mit planaren Randabschlüssen. Die Erfindung betrifft insbesondere als Schottky-Dioden ausgebildete Halbleiterbauelemente. Derartige Halbleiterbauelemente sowie deren Funktionsweise sind seit langem bekannt und bedürfen keiner weiteren Beschreibung.
Bei solchen Halbleiterbauelementen, insbesondere bei hochspannungsfesten Leistungs-Halbleiterbauelementen, treten Spannungsdurchbrüche bevorzugt in deren Randbereich auf, da dort die elektrische Feldstärke in Folge der durch den Rand bedingten Krümmung der Dotierungsgebiete besonders groß ist. Um solche Spannungsdurchbrüche zu vermeiden, sind ringförmig angeordnete Randabschlüsse, die das Halbleiterbauelemente typischerweise vollständig umschließen, vorgesehen. Durch diese Randabschlüsse werden lokale Feldstärkespitzen im Randbereich des Halbleiterbauelementes abgeschwächt bzw. abgebaut. Unerwünschte Spannungsdurchbrüche im Randbereich können somit vermieden werden und das Halbleiterbauelement bleibt funktionsfähig. In B. J. Baliga, "Modern Power Devices", John iley and Sons, 1987, ist eine Vielzahl von unterschiedlichen Randabschlüssen bei Halbleiterbauelementen beschrieben.
Darüberhinaus sind in der US 5,486,718 Randabschlüsse beschrieben, bei denen im Randbereich spiralförmig angeordnete Ketten aus Polysilizium enthaltende Zenerdioden angeordnet sind. Durch diese Zenerdioden soll der Potentialverlauf des elektrischen Feldes im Randbereich gesteuert wird.
In B. J. Baliga, "Modern Power Devices", John Wiley and Sons, 1987, S. 437, sind Randabschlüsse bei Schottky-Dioden beschrieben. Einer dieser Randabschlüsse ist hier als ein den Schottky-Kontakt umgebender Guardring, der mit dem restlichen Halbleitergebiet einen pn-Übergang bildet, ausgebildet. Alternativ kann der Schottky-Kontakt auch direkt mit einem aus Feldplatten ausgebildetem Randabschluß, d. h. ohne pn- Übergang, realisiert werden.
Schottky-Dioden sind Majoritätsträger-Halbleiterbauelemente und eignen sind daher besonders für Hochfrequenzanwendungen, daß heißt für Anwendungen, bei denen sehr schnelle Schaltvorgänge und ein möglichst geringer Sperrstrom beim Abkommutie- ren gefordert werden. Silizium-Schottky-Dioden sind aufgrund deren sehr großen Sperrstromes allerdings auf Sperrspannungen bis etwa 100 V beschränkt.
Aus diesen Gründen wird es daher immer attraktiver, zur Her- Stellung von Schottky-Dioden andere Halbleitermaterialen, die die oben genannten Nachteile nicht aufweisen, zu verwenden.
Ein solches Material ist beispielsweise Siliziumkarbid (SiC) . In der US 5,789,311 ist eine SiC-Schottky-Diode beschrieben. SiC-Halbleiterbauelemente bzw. SiC-Schottky-Dioden weisen gegenüber solchen, aus Silizium hergestellten Halbleiterbauelementen hervorragende elektrische und physikalische Eigenschaften auf, von denen nachfolgend einige aufgezeigt werden.
SiC weist gegenüber Silizium eine um den Faktor 10 bis 15 höhere Durchbruchfeidstärke auf. Aufgrund der sehr hohen Durch- bruchfeldstärke lassen sich SiC-Halbleiterbauelemente sehr
klein dimensionieren, was vorteilhafterweise auch einen sehr niedrigen ON-Widerstand zur Folge hat. SiC- Halbleiterbauelemente bieten somit einen besonders guten Kompromiß zwischen hoher Sperrfähigkeit und niedriger Durchlaß- Spannung.
Aufgrund der Tatsache, daß SiC im Vergleich zu Silizium eine deutlich geringere Ladungsträgerlebensdauer aufweist, eignet sich SiC insbesondere für Halbleiterbauelemente für Hochfre- quenzanwendungen, da hier deutlich höhere Schaltgeschwindigkeiten erzielt werden können. Aufgrund der Tatsache, daß eine SiC-Schottky-Diode nahezu keine Minoritätsladungsträger aufweist, lassen sich die Ladungsträger beim Abkommutieren sehr rasch ausräumen, wodurch sehr hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich werden.
SiC ist im Vergleich zu Silizium thermisch äußerst stabil -die Sublimationstemperatur liegt bei SiC oberhalb von 1600°C- und weist eine um den Faktor 3 höhere Wärmeleitfähig- keit auf. Insbesondere auch aufgrund der Tatsache, daß SiC eine sehr große Bandlücke und damit verbundener geringen in- trinsischen Konzentration aufweist, eignet sich SiC besonders für Anwendungen bei hohen Temperaturen.
Ein großer Nachteil bei Halbleiterbauelementen aus SiC besteht jedoch darin, daß zum Ausheilen und Aktivieren von implantierten Dotierungsgebieten typischerweise sehr hohe Temperaturen (> 1500°C) erfoderlich sind, die das Prozessieren von derartigen SiC-Halbleiterbauelementen in herkömmlichen, auf Silizium-Technologie festgelegten Fertigungsstätten in der Regel nicht erlauben.
Ausgehend von dem genannten Stand der Technik ist es daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Randabschluß für ein SiC-Halbleiterbauelement und eine Schottky-Diode anzugeben, die möglichst unter Umgehung der oben beschriebenen Prozessierungsschwierigkeiten herstellbar sind. Eine weitere
Aufgabe ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer Schottky- Diode mit einem solchen Randabschluß anzugeben.
Die erzeugnisbezogenen Aufgaben werden erfindungsgemäß durch einen Randabschluß mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 sowie durch eine Schottky-Diode mit den Merkmalen des Patentanspruchs 2 gelöst. Die verfahrensbezogene Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 12 gelöst.
Durch die vorliegende Erfindung lassen sich für die Herstellung von Randabschlüssen bei SiC-Halbleiterbauelementen alle Prozeßschritte bei einer in der Siliziumtechnologie typischen Temperatur (< 1250°C) prozessieren. Diese Prozessschritte lassen sich in einer herkömmlichen Silizium-Fertigungslinie durchführen. Insbesondere SiC-Schottky-Dioden lassen sich damit mit Ausnahme der SiC-Grundmaterialherstellung und der Erzeugung der Epitaxieschicht gänzlich unabhängig von den bekannten Schwierigkeiten der SiC-Technologie fertigen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnung angegebenen Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt dabei:
Figur 1 einen ersten Teilschnitt einer SiC-Schottky-Diode mit einem erfindungsgemäßen Randabschluß, der eine Zener- diodenkette enthält;
Figur 2 in einer Draufsicht das Layout einer SiC-Schottky- Diode, bei der im Randbereich eine einzige (a) bzw. vier (b) spiralförmig angeordnete Zenerdiodenkette vorgesehen sind;
Figur 3 einen zweiten Teilschnitt einer SiC-Schottky-Diode mit einem erfindungsgemäßen Randabschluß, der eine Zenerdiodenkette und dazwischen angeordneten Feldplatten enthält;
Figur 4 in einer Draufsicht das Layout einer SiC-Schottky- Diode, bei der der Randabschluß eine Zenerdiodenkette mit dazwischen angeordneten Feldplatten enthält;
Figur 5 ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen SiC-Schottky-Diode mit Randabschluß anhand von verschiedenen Verfahrensschritten.
In allen Figuren der Zeichnung sind gleiche oder funktions- gleiche Elemente, sofern dies nicht anders angegeben ist, mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Bei den nachfolgend näher beschriebenen Halbleiterbauelementen handelt es sich um SiC-Schottky-Dioden. Die Erfindung ist jedoch nicht ausschließlich auf SiC-Schottky-Dioden beschränkt, sondern kann im Rahmen der Erfindung sehr vorteilhaft auch bei allen anderen SiC-Halbleiterbauelementen, wie beispielsweise pn-Dioden, MOSFETs, Bipolartransistoren oder dergleichen, angewendet werden.
Figur 1 zeigt in einem Teilschnitt den Randabschluß einer SiC-Schottky-Diode, bei der für den Randabschluß eine Zenerdiodenkette vorgesehen ist.
In Figur 1 ist mit 1 der Halbleiterkörper eines als Schottky- Diode ausgebildeten Halbleiterbauelementes bezeichnet. Die Schottky-Diode weist einen Anodenanschluß A und einen Katodenanschluß K auf, die an gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterkörpers 1 angeordnet sind.
Der SiC enthaltende Halbleiterkörper 1, dessen Polytyp im vorliegenden Ausführungsbeispiel nicht näher bezeichnet sei
und für die Erfindung auch nicht relevant ist, weist eine im vorliegenden Ausführungsbeispiel stark n-dotierte Innenzone 2 auf. Katodenseitig ist eine großflächige Katodenelektrode 3 auf die Innenzone 2 und damit auf die rückseitige Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht. Die Katodenelektrode 3 ist dabei mit dem Katodenanschluß K verbunden.
Anodenseitig ist eine schwach n-dotierte Epitaxieschicht 5 vorgesehen, die über die gesamte Breite des Halbleiterkörpers 1 an die Innenzone 2 und an die vorderseitige Oberfläche 6 angrenzt. Die Schottky-Diode in Figur 1 weist im zentralen Bereich an der vorderseitigen Oberfläche 6 eine mit dem Anodenanschluß A verbundene Anodenelektrode 7 auf. Dieser zentrale Bereich wird nachfolgend auch als aktiver Bereich AB des Halbleiterbauelementes bezeichnet. Die Anodenelektrode 7 ist im zentralen Bereich großflächig auf die Epitaxieschicht 3 derart aufgebracht, daß diese zusammen in bekannter Weise einen Schottky-Kontakt 8 bilden. Darüberhinaus ist die Anodenelektrode 7 derart ausgebildet, daß sie zum Rand hin ei- nen aufgestellten Verlauf nimmt und dort die Form einer Feldplatte 7 aufweist.
Die Bereiche außerhalb des aktiven Bereiches AB der Schottky- Diode werden nachfolgend auch als Randbereich RB bezeichnet. Im Randbereich RB ist großflächig eine Isolationsschicht 9, die beispielsweise Siliziumdioxid enthält, vorgesehen. Ferner weist die Schottky-Diode gemäß Figur 1 einen Raumladungszonenstopper 10 auf. Dieser Raumladungszonenstopper 10 ist im äußersten Randbereich RB des Halbleiterbauelementes, d.h. un- mittelbar vor dessen Sägekante, angeordnet. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Raumladungszonenstopper 10 in bekannter Weise als eine zum aktiven Bereich AB hin aufsteigende, einstufig ausgebildete Substratkontaktelektrode 10, die mit dem Substrat des Halbleiterkörpers typischerweise einen ohmschen Kontakt bildet, ausgebildet. Die Substratkontaktelektrode 10 ist typischerweise metallisch ausgebildet, kann
jedoch auch als Polysiliziumelektrode ausgebildet sein oder je nach Applikation auch weggelassen werden.
In Figur 1 ist auf der Isolationsschicht 9 im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes eine Diodenkette 11 vorgesehen. Die Diodenkette 11 ist dabei über die Isolationsschicht 10 von dem Halbleiterkörper 1 beabstandet. Die Diodenkette 11 ist zum aktiven Bereich AB des Halbleiterbauelementes hin an die Anodenelektrode 7 und zum Rand hin an die Substratkontak- telektrode 10 angeschlossen. Für den Fall, daß die Substratkontaktelektrode 10 weggelassen wurde, kann diese äußerste Schicht 12 der Diodenkette 11 auch direkt an das Halbleitersubstrat angeschlossen sein.
Die Diodenkette besteht aus einer Vielzahl von aneinander- grenzenden Halbleiterschichten 12 alternierenden Leitungstyps, wobei jeweils zwei aneinandergrenzende Halbleiterschichten 12 eine pn-Diode bilden. Als Halbleitermaterial der Halbleiterschichten 12 kann je nach Bedarf jedes beliebige Halbleitermaterial, beispielsweise Silizium, Galliumarsenid oder dergleichen, gewählt werden.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel seien die Dioden der Diodenkette 11 als Zenerdiode ausgebildet. Die Ausgestaltung der Diodenkette 11 mit Zenerdioden ist besonders vorteilhaft, da Zenerdioden je nach deren Dimensionierung bzw. Dotierungskonzentration eine Durchbruchspannung im Bereich von 6 V bis 60 V aufweisen können. Die Durchbruchspannung bei Zenerdioden ist allgemein eine Funktion der Temperatur. Insbesondere bei Zenerdioden ist diese Temperaturabhängigkeit der Durchbruchspannung sehr gering, wenn die Durchbruchspannung der jeweiligen Zenerdioden gewählt wird. Konkret bedeutet das, daß insbesondere bei Zenerdioden im Übergangsbereich zwischen Zenerdurchbruch und Avalanchedurchbruch mit sehr kleinen Durchbruchspannungen die Temperaturabhängigkeit nahezu vermieden werden kann.
Im Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 weisen die einzelnen Halbleiterschichten 12 die gleiche Breite und damit ein äqui- distantes Raster auf. Auf diese Weise kann ein linearer Potentialabbau im Halbleiterkörper 1 gewährleistet werden. Die Breiten der Halbleiterschichten 12 müssen jedoch nicht gleich sein. Es wäre selbstverständlich auch denkbar, daß die Halbleiterschichten 12 der Diodenkette 11 ein nicht-äquidistantes Raster aufweisen, bei dem beispielsweise die einzelnen Halbleiterschichten 12 zum Rand hin ein abnehmendes Raster auf- weisen. In diesem Fall kann je nach Applikation ein nichtlinearer, beispielsweise parabolischer Potentialabbau des Randabschlusses im Halbleiterkörper 1 erreicht werden.
Figur 2 zeigt in zwei Draufsichten jeweils eine Schottky- Diode, bei der im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes erfindungsgemäße Diodenketten 11 vorgesehen sind. In Figur 2(a) ist dabei eine einzige Diodenkette 11 vorgesehen, die aus einer Vielzahl von äquidistant angeordneten Halbleiterschichten 12 mit alternierendem Leitungstyp aufgebaut ist. Diese einzige Diodenkette 11 ist dabei im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes spiralenförmig mit sich nach außen vergrößerndem Abstand zum aktiven Bereich AB ausgebildet.
Figur 2 (b) zeigt eine Schottky-Diode, bei der im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes insgesamt vier spiralförmig angeordnete Diodenketten 11 vorgesehen sind. In Figur 2(a) und Figur 2 (b) sind die Diodenketten 11 jeweils an die Anodenmetallisierung 7 und an die Substratkontaktelektrode 10 angeschlossen.
Im Ausführungsbeispiel gemäß den Figuren 1 und 2 ist ein Randabschluß mit einer bzw. mehreren spiralförmig angeordneten Diodenketten 11 vorgesehen. Selbstverständlich lassen sich diese Diodenketten 11 auch auf andere Art und Weise, beispielsweise durch eine oder mehrere mäanderförmige, gestaffelte oder anderweitig ineinander verschachtelte Diodenketten 11 realisieren.
Durch die Verwendung einer oder mehrerer Diodenketten 11 mit einer Vielzahl von Halbleiterschichten 12, die im Randbereich RB eines Halbleiterbauelementes angeordnet sind, läßt sich das Potential im Randbereich RB stufenweise und definiert reduzieren. Insbesondere durch die Verwendung von spiralförmig, mäanderför ig oder andersweitig ineinander verschachtelter Diodenketten 11 im Randbereich RB läßt sich dieser Randbereich RB bei einem gattungsgemäßen, hochsperrenden Halblei- terbauelement auf eine minimale Fläche reduzieren.
Bezüglich des Aufbaus, der Struktur und der Funktionsweise von solchen Diodenketten 11 wird auf die eingangs genannte US 5,486,718 verwiesen, die vollinhaltlich in die vorliegende Patentanmeldung mit einbezogen wird ("incorporated by refe- rence") .
Figur 3 zeigt den Teilschnitt eines als Schottky-Diode ausgebildeten Halbleiterbauelementes, bei dem als Randabschluß mehrere Diodenketten mit dazwischen angeordneten Feldplatten vorgesehen sind.
Die Schottky-Diode in Figur 3 weist gegenüber der in Figur 1 einen Randabschluß auf, bei dem mehrere, im vorliegenden Aus- führungsbeispiel drei, Diodenketten 11, die voneinander beabstandet sind, vorgesehen sind. Jeweils zwei benachbarte Diodenketten 11 sind hier über eine Feldplatte 13 miteinander verbunden. Die jeweils äußersten Diodenketten 11 sind in bekannter Weise jeweils mit der Anodenelektrode 7 bzw. der Sub- stratkontaktelektrode 10 verbunden. Die Feldplatten sind typischerweise in Form einer metallischen Leiterbahn ausgebildet, sie können jedoch auch durch ein Metallsilizid oder durch Polysilizium realisiert sein.
Diese Feldplatten 13 sind in dem Randbereich RB dort angeordnet, wo das elektrische Feld einen stark ansteigenden Verlauf nimmt. Durch die Bereitstellung von einer oder mehrerer Feld-
plattenringe 14 reicht es aus, lediglich eine einzige Diodenkette 11, die zur Festlegung der jeweiligen Potentiale der Feldplatten bestimmt ist, zu verwenden. Bei einem Halbleiterbauelement mit Feldplatten 13 bzw. Feldplattenringen 14 in dessen Randbereich RB kann dessen Sperrstrom definiert reduziert werden.
In einer Weiterbildung müssen die verschiedenen Feldplatten 13 nicht zwangsläufig zwei voneinander beabstandete Dioden- ketten 11 miteinander kurzschließen; es wäre auch denkbar, daß jeweils eine Feldplatte 13 an eine einzelne oder an zwei aneinander grenzenden Halbleiterschichten 12 angeschlossen ist.
Das Layout einer gemäß Figur 3 ausgebildeten SiC-Schottky- Diode ist in der Draufsicht in Figur 4 dargestellt. Die Feldplatten 13 sind dabei als konzentrische, ringförmige Leiterbahnen 14 um den aktiven Bereich AB des Halbleiterbauelementes angeordnet. Der besondere Vorteil dieser sogenannten Feldplattenringe liegt darin, daß hier lediglich eine einzige Diodenkette 11 zwischen dem aktiven Bereich AB und der Substratkontaktelektrode 10 vorgesehen sein muß, die für die Festlegung der jeweiligen Potentiale der Feldplattenringe 14 notwendig ist. Die Feldplattenringe 14 dienen dabei dem Zweck, die Potentiallinien im Randbereich RB des Halbleiterbauelementes zu bündeln bzw. zu kanalisieren.
Darüber hinaus sind selbstverständlich die verschiedensten Kombinationen der oben beschriebenen Konstruktionen, wie bei- spielsweise floatende Feldringe mit oder ohne Feldplatten, als Randabschlüsse für solche SiC-Halbleiterbauelemente denkbar.
In den vorstehenden Ausführungsbeispielen weist die Schottky- Diode in der Draufsicht der Figuren 2 und 4 ein rechteckiges Layout auf. Die vorliegende Erfindung sei jedoch nicht auf derartige rechteckige Layouts von Halbleiterbauelementen be-
schränkt, sondern kann vielmehr auf jegliche Art von runden, ovalen, hexagonalen, dreieckigen oder dergleichen ausgebildeten Layouts angewendet werden.
Bezüglich des Aufbaues, der Struktur und der Funktionsweise von Randabschlüssen mit Diodenketten 11 und zwischen den Diodenketten 11 angeordneten Feldplattenringen 14 wird auf die US 5,266,831 verwiesen, die vollinhaltlich in die vorliegende Patentanmeldung mit einbezogen wird ("incorporated by reference") .
Anhand der Figuren 5(a) bis (g) wird nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung von SiC-Schottky-Dioden mit Randabschluß beschrieben.
Es wird ein SiC enthaltender Halbleiterkörper 1, dessen Innenzone 2 eine starke n-Dotierung aufweist, bereitgestellt. Auf die Oberfläche der Innenzone 2 wird über einen Epitaxieprozeß eine schwach n-dotierte Epitaxieschicht 5 aufgebracht (Figur 5 (a) ) . Anschließend wird auf die dadurch entstandene zweite Oberfläche 6 des Halbleiterkörpers 1 ein isolierendes Material aufgebracht und derart strukturiert, daß im Randbereich RB eine Isolationsschicht 9 erzeugt wird (Figur 5(b)). Das isolierende Material ist vorteilhafterweise Siliziumdi- oxid, kann aber aus jedem anderen Isolationsmaterial, beispielsweise aus Siliziumnitrit, bestehen.
Auf die Isolationsschicht 9 im Randbereich RB des Halbleiterkörpers 1 wird Polysilizium aufgebracht (Figur 5 (d) ) . Das Po- lysilizium wird strukturiert und derart implantiert, daß sich eine Vielzähl von Halbleiterschichten 12 alternierenden Leitungstyps ergeben. Auf die zweite Oberfläche 6 des Halbleiterkörpers 1 wird zur Herstellung der Anodenelektrode 7 eine Metallisierung aufgebracht (Figur 5(e)). Die Anodenelektrode 7 wird dabei derart temperaturbehandelt, daß aus der Wechselwirkung der Epitaxieschicht 5 und der Anodenelektrode 7 an dieser Stelle ein Schottky-Kontakt 8 gebildet wird. Die An-
odenelektrode 7 wird ferner derart strukturiert, daß sie an einer der Halbleiterschichten 12 der Diodenkette 11 angeschlossen ist. Mindestens eine weitere Halbleiterschicht 11 wird zudem über die Substratkontaktelektrode 10 an den Halb- leiterkörper 1 angeschlossen (Figur 5(f)). An der zweiten Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 1 wird über eine Metallisierung großflächig eine einen ohmschen Kontakt bildende Kathodenelektrode 3 aufgebracht (Figur 5(c) und (g) ) .
Die oben genannten Verfahrensschritte müssen nicht notwendigerweise in der dort angegebenen oder der Reihenfolge entsprechend Figur 5(a)-(g) erfolgen, sondern können auch im Rahmen der Prozeßtechnologie beliebig variiert werden.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn mindestens eine der Elektroden 3, 7, 10 eine zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften bzw. zur Kontaktverstärkung dienende Metallisierung aufweist. Metallegierungen mit ausreichend guten Hafteigenschaften bei SiC enthalten zumindest zum Teil Wolfram, Mo- lybdän, Platin, Chrom, Titan, Nickel, Eisen und dergleichen.
Typischerweise wird zur Herstellung eines Kontaktes bei SiC zunächst eine dünne Kontaktmetallisierung bestehend aus einer gerade beschriebenen Metallegierung direkt auf den Halblei- terkörper aufgebracht und bei einer Temperatur von etwa
900°C behandelt. Anschließend wird die eigentliche Metallegierung für die entsprechende Elektrode auf diese Kontaktelektrode aufgebracht. Diese auf die dünne Metallisierung aufgebrachte Metallisierung dient der Kontaktverstärkung, daß heißt zur Verbesserung der Bandbarkeit bzw. Lötbarkeit der Kontakte, und der Erlangung einer guten Querleitfähigkeit.
Ein großer Vorteil bei SiC ist die Möglichkeit, thermisch erzeugtes Siliziumdioxid auf den Halbleiterkörper 1 aufzuwach- sen. Allerdings dauert dieser Prozess äußerst lange. Aufgrund dessen ist es vorteilhaft, wenn zunächst ein dünnes thermisches Siliziumdioxid an der Oberfläche 6 des Halbleiterkör-
pers 1 erzeugt wird. Anschließend kann auf dieses thermische Oxid ein beispielsweise durch Abscheidung • erzeugtes Feldoxid aufgebracht werden.
In den vorstehenden Ausführungsbeispielen wurde der erfindungsgemäße Randabschluß anhand einer Schottky-Diode beschrieben. Es sei jedoch ausdrücklich daraufhingewiesen, daß die vorliegende Erfindung nicht ausschließlich auf SiC- Schottky-Dioden beschränkt ist. Vielmehr läßt sich die vor- liegende Erfindung auch bei pn-Dioden, pin-Dioden, MOSFETS und dergleichen anwenden. Allgemeiner Weise ist der erfindungsgemäße Randabschluß bei allen Halbleiterbauelementen, bei denen hohe Sperrspannungen relevant sind, von Interesse.