DE3045979A1 - Vorsensibilisierte negativ-flachdruckform fuer den trocken-flachdruck - Google Patents
Vorsensibilisierte negativ-flachdruckform fuer den trocken-flachdruckInfo
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Description
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft eine Flachdruckform für den Trocken-Flachdruck
und ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf einen neuen Typ
einer vorsensibilisierten, negativ arbeitenden Flachdruckforin
bzw. -platte zur Anwendung für den Trocken-Flachdruck und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Es wurden bereits zahlreiche Vorschläge für negativ arbeitende Flachdruckformen für den Trocken-Flachdruck gemacht, die
eine Siliconkautschukschicht aufweisen, welche eine lichtempfindliche
Schicht überdeckt, die auf einem Trägersubstrat aufgebracht ist,
So wird beispielsweise in der japanischen Patentveröffentlichung
Nr. 16044/1971 eine vorsensibilisierte Flachdruckplatte beschrieben, in der eine. Siliconkautschukschicht mit Hilfe
einer Klebmittelschicht auf einer unter der Einwirkung von Licht löslich werdenden lichtempfindlichen Schicht des
Diazonium-Typs haftet, welche wiederum auf einer Aluminiumplatte aufgetragen ist. Die Platte wird durch einen Negativ-
film mit aktinischem Licht belichtet, um die lichtempfindliche Schicht In dem belichteten Bereich löslich zu machen, dann
wird die löslich gemachte lichtempfindliche Schicht mit Hilfe eines Entwicklers herausgelöst und gleichzeitig wird die darüber
angebrachte Siliconkautschukschicht entfernt, so daß die als Trägersubstrat vorliegende Aluminiumplatte in den belichteten
Bereichen in Form der Bildbereiche freiliegt.
Auch in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. 8306/1974 und Nr. 7320/1974 und der japanischen Patentanmeldung
Nr. 131797/1978 wird eine negativ arbeitende Flach-
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platte für den Trocken-Flachdruck beschrieben, welche den vorstehend beschriebenen Aufbau hat. In dieser Flachdruckplatte
werden die löslich gemachte photoempfindliche Schicht und die auf dieser aufgebrachte Siliconkautschukschicht durch
die Entwicklung entfernt und die freigelegten Bereiche des Trägersubstrats stellen die Bildbereiche dar. In diesen vorstehend
beschriebenen Druckformen hat der Bilcibereich eine ähnliche Struktur wie der einer Tiefätz-Form, in der die
farbaufnehmenden Teile aus Vertiefungen fcestehen (nachstehend
auch als 'Zellen" bzw. "Poren" bezeichnet), welche durch Entfernen der löslich gemachten photoempf lndl:i chen Schicht
und der darüber angeordneten Siliconkautschuki-.chicht ausgebildet
worden sind. Bei einer solchen Druckform war es daher bisher erforderlich, auf die Druckplatte eine größere Menge
an Druckfarbe aufzutragen, um zu gewährleisten, daß die Druckfarbe während des Druckvorgangs ausreichend in dem Zellenbereich
haftet. Dies führt jedoch zu einer starken Erhöhung des verbrauchten Volumens an Druckfarbe, wodurch nicht nur
eine Erhöhung der Druckkosten, sondern auch schwerwiegende Probleme im Hinblick auf den Druckeffekt, nämlich bei der
Reproduktion der Gradation, verursacht werden. Wenn beispielsweise Druckfarbe auf eine Druckplatte aufgetragen wird,
so daß eine wünschenswerte optische Dichte des sogenannten festen Anteils der erzielten Abdrucke erreicht wird, so wird
die Druckfarbe von der Formwalze einer Druckmaschine in die Zellen auf der Form, die ein Punktrasterbild in den sogenannten
-Lichtspitzen-Teilen des Abdruckes bilden sollen, nicht ausreichend
übertragen, insbesondere in die Zellen, die sehr kleine Rasterpunkte mit einem Durchmesser in der Größenordnung von mehreren
10 μΐη bilden. Somit neigen die Punkte auf dem Abdruck dazu,
deformiert zu werden oder manchmal tritt wegen der fehlenden übertragung von Farbe in die Zellen ein Auslassen von Punkten
auf. Wenn die Menge der aur die Formoberfläche aufgetragenen
Farbe erhöht wird, um diese Unregelmäßigkeiten der Form der Punkte auszuschalten, so wird andererseits die optische Dichte der
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festen Anteils zu hoch, wodurch die Ausgeglichenheit des Druckeffekts verlorengeht oder manchmal auch schwerwiegende
Probleme im Hinblick auf die Druckqualität auftreten können, beispielsweise die, daß Rasterpunkte in den Schattenbereichen
nicht reproduziert werden.
Um diese Schwierigkeiten zu beseitigen, kann es wirkungsvoll sein, die Schichtdicke der aufzulösenden photoempfindlichen
Schicht zu vermindern und dadurch die Zelltiefe zu vermindern. Es ist "jedoch sehr schwierig und praktisch undurchführbar,
eine photoempfindliche Schicht einer Dicke, wie sie erforderlich
ist, um die vorstehenden mit dem Druck in Zusammenhang stehenden Schwierigkeiten zu lösen, auszubilden, z.B. mit einer
Filmdicke von etwa 0,1 \xm. Darüber hinaus führt das Dünnerwerden
der photoempfindlichen bzw. lichtempfindlichen Schicht
zu einen erhöhten physikalischen und chemischen Einfluß durch das Träcersubstrat, wobei z.B. die Reproduzierbarkeit und
die Beständigkeit des Bildes in vielen Fällen störend beeinflußt werden.
Die bisl· er bekannten negativ arbeitenden Flachdruckplatten
für den Trocken-Flachdruck zeigen somit Nachteile im Hinblick auf das Haften der Druckfarbe etc. und eignen sich somit weniger
fur die praktische Anwendung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehend beschriebenen Nachteile auszuschalten und eine neue Negativ-Flachdruckform
für den Trocken-Flachdruck sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung zur Verfügung zu stellen, die gute
Druckqualitäl. in allen Bereichen des Bildes zeigt. Andere Aufgaben und Vorteile der Erfindung sind aus der nachstehenden
Beschreibung ersichtlich.
Gegenstand de-r Erfindung ist 'eine vorsensibilisierte Negativ-
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Flachdruckform für den Trocken-Flachdruck , diii gekennzeichnet
ist durch
(1) ein Trägersubstrat,
(2) eine auf dem Trägersubstrat aufgebrachte und an diesem
haftende oleophile photoempfindliche Schicht und
(3) eine Druckfarbe abweisende SiliccnkauLschukschicht,
die auf der photoempfindlichen Schichi aufgebracht ist
und an dieser haftet,
wobei die photoempfindliche Schicht sowohl vor als auch nach der Belichtung mit aktinischem Licht im wesentlichen unlöslich
im Entwickler ist und befähigt ist, in den mit aktinischem Licht belichteten Bereichen die Siliconkautschukschicht freizugeben,
und die Siliconkautschukschicht befähigt ist, in den belichteten Bereichen durch den Entwickler entfernt zu werden.
Gegenstand der Erfindung ist außerdem eine vorsensibilisierte Negativ-Flachdruckform für den Trocken-Flachdruck, die einen
Bildbereich aufweist, der durch die photoempf-ndliche Schicht
gebildet wird, die auf einem Trägersubstrat aufgebracht ist,
und die einen.bildfreien Bereich aufweist, der durch eine
Siliconkautschukschicht gebildet ist, die auf dieser photoempfindlichen
Schicht aufgebracht ist.
Erfindungsgegenstand ist außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer vorsensibilisierten Negativ-Flachdruckform für den Trocken
Flachdruck, bei dem eine Druckformmatrix (printing master), bestehend aus einem Trägersubstrat,.einer auf. diesem aufgebrachten
photoempfindlichen Schicht, die schwe;rlöslich oder
unlöslich in Entwicklern ist, und einer auf dieser photoempfindlichen
Schicht aufgebrachten Siliconkautschukschicht, bildmäßig belichtet wird und anschließend die belichtete
Druckformmatrix mit einem Entwickler behandelt wird, so daß nur die belichteten Bildbereiche der Siliconkautschukschicht
entfernt werden.
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Durch die Erfindung wird somit eine vorsensibilisierte
Negativ-Flachdruckform zugänglich, für die beim Negativ-Flachdruck kein Wasser zum Befeuchten erforderlich ist und
die aus einem Trägersubstrat, einer auf dem Trägersubstrat
aufgebrachten, unter Lichteinwirkung die Freisetzung ermöglichenden photoempfindlichen Schicht und einer auf der
photoempfindlichen Schicht aufgebrachten Siliconkautschukschicht besteht. Wenn diese Druckform durch einen Negativfilm
belichtet und danach mit einem Entwickler behandelt wird, ward nur die auf der belichteten photoempfindlichen
Schicht aufgebrachte Siliconkautschukschicht entfernt, während die photoempfindliche Schicht als solche zurückbleibt
und einei. Bildbereich ausbildet. Befeuchtungswasser ist nicht
erfordei lieh, wenn das Drucken mit dieser Flachdruckform
durchgeführt wird.
Die Erfindung wird nachstehend ausführlicher beschrieben. Die erfindungsgemäß vorliegende photoempfindliche Schicht
ist in Entwicklern schwerlöslich' oder unlöslich. Es handelt sich um eine Licht-Trennschicht, d.h. eine unter der Einwirkung
von Licht eine Freigabe bewirkende Schicht, die ermöglicht, daß beim Entwicklen nur die darauf aufgebrachte
Siliconkautschukschicht entfernt wird, so daß die belichteten
Bereiche der photoempfindlichen Schicht unverändert zurückbleiben,
ohne· praktisch entfernt zu werden.
Eine solche Licht-Trennschicht wird erhalten, indem eine bekannte, unter Lichteinwirkung löslich werdende photoempfindliche
Verbindung durch Vernetzung dieser Verbindung mit einer polyfunktionellen Verbindung oder durch Modifizieren einer
in der Verbindung vorhandenen funktionellen Gruppe mit einer mcnofu:iktionellen Verbindung in Entwicklern schwerlöslich
oder unlöslich gemacht wird. Zur Veranschaulichung von geeigneten unter Lichteinwirkung löslich werdenden photo-
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empfindlichen Verbindungen seien Chinondiazide erwähnt,
wie sie normalerweise für vorsensibilisierte Positivplatten, Wipe-on-Platten oder Photoresists verwendet werden, wie Ester
von Benzochinon-1,2-diazid-sulfonaten oder Naphthochinon-1,2-diazid-sulfonaten
und Polyhydroxyverbindungen, z.B. Ester aus Benzochinon-1,2-diazid-sulfochlorid und Polyhydroxyphenyl,
Ester aus Naphthochinon-1,2-diazid-sulfochlorid und Pyrogallol-aceton-Harz
und Ester aus Naphthochinon-1,2-diazidsulfochlorid
und Phenol-Formaldehyd-Novo:akharzen, oder
Komplexe von Diazoniumverbindungen mit ar organischen oder organischen Säuren, beispielsweise photoempfindliche Komplexe
von Diazodiphenylamin und Phosphowolframsäure.
Zu geeigneten Methoden zur Einführung einer vernetzten Struktur in eine derartige unter Lichteinwirkung löslich
werdende photoempfindliche Verbindung gehört eine Methode,
gemäß der reaktive Gruppen, beispielsweise Hydroxyl- und Aminogruppen, die in der photoempfindlichen Verbindung vorhanden
sind, mit einem polyfunktionellen Vernetzungsmittel vernetzt werden.
Zu Beispielen für geeignete Vernetzungsmittel gehören Polyisocyanate,
z.B. Paraphenylendiisocyanat, 2,4- oder 2,6-Toluoldiisocyanat, 4,4'-Diphenylmethandiisocyanat, Hexamethylendiisocyanat,Isophorondiisocyanat
oder Addukte dieser Verbindungen und Polyepoxyverbindungen, z.B. Polyäthylenglycol-diglycidyläther,
Polypropylenglycol-diglycidylather,
Bisphenol A-diglycidyläther und Trimethylolpropan-triglycidyläther.
Es ist erforderlich, daß der Härtungsvorgang mit Hilfe dieser Vernetzungsmittel unter Bedingungen durchgeführt
wird, unter denen die photoempfindliche Substanz ihre Lichtempfindlichkeit nicht verliert, gewöhnlich bei einer Temperatur
von nicht mehr als 1200C. Zu'diesem Zweck wird ein Katalysator
oder dergleichen angewendet.
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Andere geeignete Methoden, um eine derartige unter Lichteinwirkung
löslich werdende photoempfindliche Verbindung in Entwicklern schwerlöslich oder unlöslich zu machen besteht
darin, daß man beispielsweise eine in dieser photoempfindlichen Verbindung vorhandene funktionelle Gruppe urethanisiert, verestert
oder amidisiert. Die Verbindung, die mit dieser funktionelleii Gruppe der photoempfindlichen Verbindung umgesetzt
werden soll, kann entweder eine niedermolekulare oder eine relativ hochmolekulare Verbindung sein. Wahlweise kann
ein Vinylmonomeres auf die photoempfindliche Verbindung pfropfpolyrnerisiert
werden.
Eine besonders bevorzugte photoempfindliche Schicht, die
erfindungsgenäß verwendet wird, wird durch Vernetzen oder
Modifizieren eines Teilesters aus Naphthochinon-1,2-diazid-5-sulfochlorj
d und Phenol-Formaldehyd-Novolakharz mit einem poly- oder monofunktionellen Isocyanat erhalten.
Der photoempi indlichen Schicht können weitere Bestandteile einverleibt werden, um die Filmbildungseigenschaft oder die
Haftung an dem Trägersubstrat zu verbessern, oder Farbstoffe, um das Bild zum Zeitpunkt der Entwicklung oder Belichtung
sichtbar zu machen, vorausgesetzt, daß diese zugesetzten anderen Bestandteile die erfindungsgemäße Wirkung nicht beeinträchtigen.
Die Dick j der erfindungsgemäß verwendeten Licht-Trennschicht
liegt im Bereich von etwa 0,1 bis 100 μπι, vorzugsweise von
etwa 0,5 bis 10 p.m. Eine geringere Dicke führt leicht zur
Ausbildung von Defekten, wie zur Bildung von Nadellöchern zum Zeitpunkt der Beschichtung, während eine größere Dicke
in wirtschaftlicher Hinsicht nachteilig ist.
Die erfindungsgemäß verwendete Siliconkautschukschicht besteht
hauptsächlich aus einem linearen Organopolysiloxan mit einem Molekulargewicht von mehreren 1000 bis mehreren 100 000,
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das die folgende wiederkehrende Einheit cufweist
worin η eine ganze Zahl von nicht weniger als 1 bedeutet und R für eine C1 bis C. ,.-Alkyl-, -Alkenyl oder Phenylgruppe
steht, wobei vorzugsweise 60 % oder mehr der Gruppen R Methylgruppen bedeuten. Ein solches lineares Organopolysiloxan
kann mit einem organischen Peroxid vermischt und der Wärmebehandlung unterworfen werden, wobei ein mäßig vernetzter
Siliconkautschuk gebildet wird.
Außerdem wird dem linearen Polysiloxan eil Vernetzungsmittel
zugesetzt, welches ein sogenanntes Raumtemperatur-Vulkanisationsmittel
(Niedertemperatur-Vulkanisationsmittel) darstellt, wie es für Siliconkautschuk verwendet wird, wozu beispielsweise
Acetoxysilane, Ketoximinosilane, Alkoxysilane, Äminosilane und Amidosilane gehören. Durch Verwendung dieser Vernetzungsmittel
in Kombination mit einem Hydroxyl-Endgruppen aufweisenden linearen Organopolysiloxan werden Siliconkautschuke des Deacetyl-Typs
(deacetic acid type), Deoxim-Typs, Dealkohol-Typs,
Deamin-Typs und Deamid-Typs erhalten. Im allgemeinen wird zu diesen Siliconkautschuken zusätzlich eine geringe Menge einer
Organozinnverbindung oder dergleichen als Katalysator zugesetzt.
" . .
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Die Dicke der Siliconkautschukschicht liegt im Bereich von etwa 0,5 bis 10 um. Eine geringere Dicke kann zu Schwierigkeiten
im Hinblick auf die Dauerhaftigkeit beim Drucken führen, während eine größere Dicke nicht nur nachteilig in
wirtschaftlicher Hinsicht ist, sondern auch im Gegensatz zu der -srfindungsgemäßen Aufgabe steht, wonach die Zellen
flacher gemacht werden sollen; darüber hinaus wird es schwierig, die Siliconkautschukschicht während der Entwicklung
zu entfernen, wodurch eine verschlechterte Bildreproduzierbarkeit verursacht wird.
Bei der erfindungsgemäßen Flachdruckplatte sind außerdem
die Haftung zwischen dem Trägersubstrat und der photoempfindlichen
Schicht und zwischen der photoempfindlichen Schicht und der Siliconkautschukschicht so wichtig für das grundsätzliche
Verhalten und die Arbeitsweise der Platte, wie die Bildreproduzierbarkeit und die Dauerhaftigkeit beim
Drucken, daß erforderlichenfalls eine Haftschicht bzw. Klebmittelschicht zwischen den vorstehend genannten Schichten
ausgebildet werden kann oder daß eine das Haftvermögen verbessernde Komponente jeder der vorstehend genannten Schichten
einverleibt werden kann. Speziell für das Haftvermögen zwischen der photoempfindlichen Schicht und der Siliconkautschukschicht
ist es wirksam, zwischen den beiden Schichten eine bekannte Silicon-Grundierschicht oder Silan-Kupplungsmittelschicht
vorzusehen öler der photoempfindlichen Schicht oder der Siliconkautschukschicht einen Silicon-Primer oder ein Silan-Kupplungsmittel
einzuverleiben.
Das Träctersubstrat sollte so flexibel sein, daß es in einer
üblichen Flachdruckmaschine befestigt werden kann, und sollte fest genug s^in, um der während des Drückens angelegten Belastung
zu widerstehen. Typisch für geeignete Trägersubstrate sind MetallpLatten, wie aus Aluminium, Kupfer und Stahl, Kunst-
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stoff-Folien, wie aus Polyethylenterephthalat, und beschichtete
Papiere. Auf diesen Platten oder Folien kann eine weitere Uberzugsschicht aufgebracht werden, um die Lichthofbildung
zu vermeiden oder um andere Ziele zu Verfolger, und die so beschichteten Platten oder Folien können als I'.asissubstrate
verwendet werden.
Zum Schützen der Siliconkautschukschicht, die als Oberflächenschicht
in den wie vorstehend aufgebauten Flachdruckplatten für den Trockenflachdruck vorliegt oder aach zu anderen Zwecker
kann ein dünner Schutzfilm auf die Oberfläche der Siliconkautschukschicht aufgetragen werden.
Die vorstehend beschriebene Flachdruckplatte für den Trocken-Flachdruck
gemäß der Erfindung wird beispielsweise auf folgende
Art hergestellt. Zuerst wird auf das Trägersubstrat eine Lösung einer die photoempfindliche Schicht bildenden Zusammensetzung
aufgetragen, was unter Anwendung einer üblichen Beschichtungsvorrichtung, wie einer gleichsinnig laufenden
Walzenauftragmaschine, einer Luftrakel-Beschichtungsvorrichtung oder einer Mayer-Stab-Beschichtungsvorrichtung, oder
mit Hilfe einer rotierenden Auftragvorricntung, wie einer
Wirbelbeschichtungsvorrichtung, erfolgen kann. Anschließend wird die Schicht getrocknet und erforderlichenfalls wärmegehärtet
und dann wird erforderlichenfalls in der gleichen Weise eine Haftschicht auf der photoempfindlichen Schicht aufgetragen,
wonach getrocknet wird. Schließlich wird eine Siliconkautschuklösung in gleicher Weise aufgetragen, wonach
eine Wärmebehandlung, normalerweise bei einer Temperatur von 100 bis 1200C,mehrere Minuten lang durchgeführt wird, um die
Härtung bis zu einem ausreichenden Grad zu ermöglichen, so daß eine Siliconkautschukschicht gebildet wird. Erforderlichenfalls
kann die so gebildete Siliconkautschukschicht mit Hilfe
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einer Laminiervorrichtung oder dergleichen mit einem Schutzfilm
überzogen werden.
Die erfindungsgemäße Negativ-Flachdruckform für den Trocken-Flachdruck,
die in der vorstehend beschriebenen Weise hergestellt wurde, wird durch eine Negativ-Bildvorlage mit aktinischem
Licht belichtet, die im Vakuum in engen Kontakt mit der Platte cfebra-ht wird. Die für diese Beiichtungsstufe verwendete
Lichtqualle sollte eine ausreichende Menge an Ultraviolettstrahlung (üLtraviolett-Licht) erzeugen und als Lichtquelle
zu diesem Zweck eignen sich Quecksilberlampen, Kohlebogenlampen,
Xenoilampen, Metallhalogenid-Lampen oder Fluoreszenzlampen .
Nach der Belichtung wird die Platte mit einem Entwicklerkissen abgerieben, welches einen Entwickler enthält, wobei nur die
Siliconkautschukschicht in den belichteten Bereichen entfernt wird, Wehrend die lichtempfindliche Schicht, die durch Vernetzen
oder Modifizieren in dem Entwickler schwerlöslich oder
unlöslich genacht wurde, ohne wesentliche Verminderung ihrer Dicke zurückbleibt, wobei die belichtete Oberfläche der
lichtempfindlichen Schicht einen für Druckfarbe aufnahmefähigen Bereich darstellt.
Geeignete Entwickler, die für die Zwecke der Erfindung verwendet werden können, umfassen aliphatische Kohlenwasserstoffe
(z.B. Hexan, Heptan, Ga&olin (Benzin), Kerosin), aromatische
Kohlenwasser .stoffe (z.B. Toluol, Xylol) oder halogenierte Kohlenwasserstoffe (z.B. Trichlene), die befähigt sind, Siliconkautschuk
anzuquellen, und diesen Entwicklern sind die nachstehenden polaren Lösungsmittel einverleibt :
Alkohol- (z.B. Methanol, Äthanol), Äther (z.B. ÄthylcellosoJve,
Dioxan), Ketone (z.B. Aceton, Methyläthylke-t
on) , Ester (z.B. Äthylacetat, Cellosolveacetat) .
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Das theoretische Prinzip der Bilderzeugung mit Hilfe der unter Lichteinwirkung eine Freisetzung bewirkenden, photoempfindlichen
Schicht gemäß der Erfindung ist unbekannt; es wird jedoch angenommen, daß es auf der Änderung der
Haftung der photoempfindlichen Schicht gegenüber der Siliconkautschukschicht
beruht, die durch eine Änderung der Polarität der photoempfindlichen Schicht bei der Belichtung
oder eine Änderung der Quelleigenschaften der photoempfindlichen
Schicht gegenüber dem Entwicklungslösungsmittel verursacht wird. Die Tiefe der feinen Zellen, welche die
Druckfarbe-aufnehmenden Bereiche der auf diese Weise hergestellten
Druckform bilden, ist um die Dicke der photoempfindlichen Schicht geringer als die Tiefe der Zellen
in üblichen negativ arbeitenden Flachdruckforruen für den
Trocken-Flachdruck, in denen die löslich gemachte photoempfindliche Schicht in den belichteten Bereichen weggelöst
wird und gleichzeitig die darüber angeordnete Siliconkautschukschicht entfernt wird. Der freizulegende Druckfarbe
aufnehmende Bereich kann aus einem für Druckfarbe hochaufnahmefähigen
Harz bestehen. Aus diesem Grund kann bei Verwendung der erfindungsgemäßen Flachdruckplatte ein extrem guter
Druck erreicht werden, der frei von dem sogenannten Auslassen von feinen Punkten ist.
Darüber hinaus läßt sich der Bildbereich r. der durch die photoempfindliche
Schicht als Oberflächenschicht gebildet wird, leicht mit Farbstoffen färben, während die bildfreien Bereiche,
die aus der Siliconkautschukschicht als Oberflächenschicht bestehen, nicht gefärbt werdenj es ist daher möglich, die
Druckplatte zu überprüfen, wobei nur der Bildbereich gefärbt ist. Wenn es notwendig wird, die Druckfarben-Aufnahmefähigkeit
der betreffenden Bildbereiche zu beseitigen, beispielsweise aufgrund von Korrekturen oder dergleichen, wird eine Siliconkautschuklösung
auf den betreffenden Teil aufgetragen, um den
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Bildbereich mit einem Siliconkautschukfilm zu überziehen.
Da die photoempfindliche Schicht des Bildbereiches besonders gute Haftung an dem Siliconkautschukfilm zeigt, der auf dem
zu beseitigenden Teil ausgebildet ist, zeigt dieser genannte Bereich ausgezeichnete Beständigkeit beim Drucken.
Die Erfindung· wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen
eingehender erläutert. Die dort angegebenen Teile sind Gewichts: teile.
(A) Aui ein3 mit einer chemischen ümwandlungsschicht überzogene
Aluminiamplatte (0,3 mm dick, Produkt der Sumitomo
Light Metal Industries) wurde eine Lösung der nachstehenden Zusammensetzung zur Ausbildung einer photoempfindlichen Schicht
aufgetragen, wonach eine 2 Minuten dauernde Wärmebehandlung bei 120cC erfolgte, wobei eine 2,6 um dicke photoempfindliche
Schicht gebiLdet wurde :
(a) Naphthochinon-1,2-diazid-5-sulfoester
von Phenolnovolakharz (Sumilightresin PR 50235, Produkt der Sumitomo Durez Co., Ltd.) mit einem
prozentualen Veresterungsgrad von
44 % 100 Teile
(b) 4,4-Diphenylmethandiisocyanat 20 Teile
(c) Dibutylzinndilaurat 0,2 Teil
(d) Methylcellosolveacetat 2000 Teile
Auf die so ausgebildete photoempfindliche Schicht wurde dann
eine Siliconkautschuklösung der nachstehenden Zusammensetzung
aufgetragen, wonach 2 Minuten lang auf 1200C erhitzt wurde,
um die Färtung durchzuführen, wobei eine 2,2 \m dicke Silicon-
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kautschukschicht gebildet wurde :
(a) Dimethylpolysiloxan (Molekulargewicht etwa 80 000, mit HydroxyI-
Endgruppen) 100 Teile
(b) Äthyltriacetoxysilan 5 Teile
(c) Dibutylzinndiacetat 0,2 Tel
(d) y*-Aminopropyltriäthoxysilan 3 Teile
(e) Iso Par E 1650 Teile
Auf die so erhaltene Druckform-Matrix wurie iir Vakuum in
bekannterweise ein Negativfilm mit einem Rasterbild von 175 Linien enghaftend aufgelegt und die Anordlung wurde dann
mit Hilfe einer Metallhalogenldlampe unter einem Abstand von
1 m 60 Sekunden lang bildmäßig belichtet. Die Platte wurde dam in eine Mischlösung aus Äthanol/Iso Par E (Produkt der Esso
Chemical) im Verhältnis 20/80 eingetaucht und leicht mit einem Entwicklerkissen abgerieben, wodurch die Siliconkautschukschicht
in den belichteten Bereichen entfernt wurde und die Oberfläche der photoempfindlichen Schicht freigelegt wurde,
wobei ein Bild erzeugt wurde, welches mit dem Originalfilm übereinstimmte.
Die Oberflächenbedingungen der so erhaltenen Druckplatte wurden mit einem Oberflächen-Rauhigkeits-Prüfgerät des Nadel-Typs
geprüft, wobei festgestellt wurde, duß die Oberfläche der photoempfindlichen Schicht in dem durch die Entwicklung
freigelegten Bereich sehr glatt war und duß die Dicke der photoempfindlichen Schicht, die 2,6 μΐη betrug, nicht vermindert
war.
(B) Andererseits wurde auf der gleichen vorstehend beschriebenen Aluminiumplatte eine phötoempfindliche Schicht der nachstehenden
Zusammensetzung aufgetragen, deren Dicke 2,6 μπι betrug,
wonach eine Wärmebehandlung während 2 Minuten
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_■ 20 . ·■ 30^5979
bei 12O0C durchgeführt wurde :
(a) Näphthochinon-1,2-diazid-5-sulfoester
von Phenolnovolakharz (Sumilightresin PR 50235, Produkt der Sumitomo Durez
Co., Ltd.) mit einem Veresterungsgrad von 44 %
Dann wurde auf der so ausgebildeten photoempfindlichen Schicht die gleiche Siliconkautschukschicht aufgebracht,
die vorstehend unter (A) beschrieben wurde, wobei die gleiche Dicke e:.ngehalten wurde, wonach 2 Minuten bei 1200C wärmebehandelt
wurde. Die nachstehende Belichtung und Entwicklung wurden : η gl2icher Weise wie vorstehend unter (A) durchgeführt,
wobei äie photoempfindliche Schicht in den belichteten Bereichen
aufgelöst wurde und gleichzeitig die darüber liegende Siliconkautschukschicht entfernt wurde, so daß in diesen
Bereichen die Aluminiumplatte freigelegt wurde. Auf diese Weise wurde aine Druckplatte hergestellt.
Die genü.ß (A) und (B) erhaltenen Druckplatten wurden jeweils
in einei Offsetpresse (Komori Sprint 2 Color) befestigt und
der Druck wurde unter Verwendung von "Aqualess ST Cyan" (Produkt der Toyo Ink Manufacturing Co.) ohne Verwendung von
Befeuchtungswasser durchgeführt. Das Drucken erfolgte bei
einem Ga ad dor optischen Dichte des festen Bereiches auf dem
Abdruck von ?.,0 bis 0,7, während das Anhaften von Druckfarbe
in den Li<:hspii zen-Bereichen (Punktdurchmesser 50 bis 70 μπι)
durch eine Lupe mit dem Auge beobachtet werden konnte (50-fache Vergrößerung). Dabei wurde gefunden, daß die optische Dichte
des festen Anteils, bei der die Haftung der Druckfarbe schlecht wurde (einiges oder völliges Weglassen von Punkten),
in Platte (A1 0,8 bis 0,9 und-in Platte (B) 1,3 bis 1,4 betrug.
Bei der gleichen Menge der Druckfarbe zeigte Platte (A) eine bemer-
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kenswerte Verbesserung des Haftens der Druckfarbe in den
Punktbereichen.
Auf eine 0,24 nun dicke Aluminiumplatte (Produkt der
Sumitomo Light Metal Industries) wurde eil Resolharz
(Sumilightresin PC-1, Produkt der Sumitono Duiez Co., Ltd.)
aufgetragen, so daß eine Dicke von 2 μΐη erreicht wurde, wonach
eine 3-minütige Wärmebehandlung bei 1800C durchgeführt
wurde, um die Härtung zu bewirken. Auf di'ase Keise wurde
ein Trägersubstrat erhalten. Dann wurde eLne Lösung für
eine photoempfindliche Schicht der nächstahenoen Zusammensetzung
auf das Trägersubstrat aufgetragen und ducch 2-minütiges Erhitzen
auf 1200C gehärtet, wobei eine 2,4 μΐη dicke photoempfindliche
Schicht gebildet wurde :
(a) Naphthochinon-1,2-diazid-5-salfoester
von Phenolnovolakharz (wie
in Beispiel 1 beschrieben) 100 Teile
(b) 2,6-Toluoldiisocyanat 2 0 Teile
(c) Dibutylzinnlaurat 0,2 Teil
(d) Dioxan " 2000 Teile
Dann wurde eine Siliconkautschuklösung der nachstehenden Zusammensetzung auf die photoempfindliche Schicht aufgetragen
und durch 2-minütiges Erhitzen auf 1200C gehärtet, wobei eine
2,1 u.m dicke Siliconkautschukschicht gebildet wurde :
(a) Dimethylpolysiloxan (Molekulargewicht etwa 80 000, mit HydroxyI-
Endgruppen) 100 Teile
(b) Vinyl-tri(methyläthylketoximo)-
silan 8 Teile
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(c) Dibutylzinndiacetat 0,2 Teil
(d) Y- [N- (ß-Aminoäthyl) amino] propyltrimethoxysilan
2,5 Teile
(e) Iso Par E 1800 Teile
Die so erhaltene Druckform-Matrix wurde 60 Sekunden unter
einem Abstand von 1 m mit einer Metallhalogenidlampe belichtet, wobei die Belichtung durch einen Negativfilm mit
einem Rasterbild von 150 Linien erfolgte, der im Vakuum in dichtem Kontakt an der Platte haftete. Die Platte wurde
dann in einen Entwickler eingetaucht (Iso Par E/Äthanol = 9/1), dor einen Farbstoff enthielt (Öl-Blau A) und leicht
mit einem Entwicklerkissen abgerieben, wobei nur die Siliconkautschukschicht
in den belichteten Bereichen entfernt wurde. Auf diese Weise wurde eine Druckplatte mit einer freigelegten
gefärbten photoempfindlichen Schicht erhalten, welche exakt das Bild des Negativfilms reproduzierte.
In 30 ml trockenes Dioxan wurden unter einem Stickstoff-Gasstron 10 j Phenylisocyanat und 20 mg Dibutylzinndilaurat
gegeben, wonach 7 g Naphthochinon-1,2-diazid-5-sulfoester
von Phenolnovolak mit einem Veresterungsgrad von 43 % unter Rühren ;uges3tzt wurden. Das Rühren wurde 3 Stunden bei Raumtemperatur
fortgesetzt. Nach dem Stehenlassen über Nacht wurde 1 ml Wasser zugefügt, um verbliebenes Phenylisocyanat
zu zersetzen. Das Reaktionsgemisch wurde filtriert, um &n
Niederschlag zu entfernen. Das Filtrat wurde dann in einen
großen Überschuß an Wasser gegossen, wobei eine Ausfällung stattfand, wonach der Niederschlag filtriert und getrocknet
wurde. Es wurde ein gelbes Pulver erhalten.
130036/064 7
copy
Der erhaltene Naphthochinon-1,2-diazid-5-sulfoester von
Phenolnovolakharz, der in dieser Weise mit Phenylisocyanat
modifiziert worden war, wurde in Dioxan gälöst, so daß eine
5 gew.-%ige Lösung erhalten wurde. Diese Lösung wurde auf eine 0,3 mm dicke durch chemische Umwandlang beschichtete
Aluminiumplatte aufgetragen und dann getrocknet, um eine
2,2 μπι dicke photoempfindliche Schicht auszubilden. Auf diese
Schicht wurde dann in gleicher Weise wie in Beispiel 2 eine Siliconkautschukschicht aufgebracht. Die so eihaltene Druckform-Matrix
wurde 60 Sekunden unter einem Abstand von 1m durch einen Negativfilm mit einem Rasterbild von 15C Linien, der im
Vakuum in dichtem Kontakt mit der Platte stand, mit einer Metallhalogenidlampe belichtet. Die Platte wurde dann in eine
aus Iso Par E/Äthanol(= 9/1) bestehende Lösuno eingetaucht und
mit einem Entwicklerkissen abgerieben, wobei nur die Siliconkautschukschicht
in den belichteten Bereichen entfernt wurde und eine freiliegende photoempfindliche Schicht zurückblieb,
die ein getreues Abbild des Filmoriginals darstellte.
Die so erhaltene Druckplatte wurde im Hinblick auf ihre Oberflächenbedingungen unter Verwendung eines Oberflächen-Rauhigkeits-Prüfgeräts
des Nadel-Typs'geprüft (TALYSURF, Produkt der Teijin Shoji). Dabei wurde gefunden, daß die
Oberfläche der photoempfindlichen Schicht in den durch die
Entwicklung freigelegten Bereichen glatt war und daß die Dicke der photoempfindlichen Schicht 2,2 um betrug.
Unter Verwendung jeder der in Beispielen 1 (A), 2 und 3 hergestellten Druckformen wurde das Drucken mit "Aqualess
ST Magenta" (Produkt der 1'oyo Ink Manufacturing Co.) ohne
Verwendung von Befeuchtungswasser mit Hilfe einer Offset-Druckpresse (Davidson Dualith 700) durchgeführt. Dabei erzeugten
130036/0647
BAD ORIGINAL
alle Druckformen schöne Abdrucke und selbst nach 20 000, 10 000 bzw. 10 000 Kopien waren die Oberflächen der Druckformen
frei von Beschädigung, so daß sie zum weiteren Drucken verwendbar waren.
130036/0647
Claims (1)
- SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCH ÜBTE Lr-MOF Γ "&BSINGHAUS FINCKMARIAHILFPLATZ 2 & 3, MÖNCHEN ΘΟ POSTADRESSE ι POSTFACH SBOIOO, D-BOOO MÖNCHE >l SBALSO PB 3I1ESSIOmAL REPRESENTATIVES BEFORE 'Ht EUR DPEAN PATENT OFFICEKARL LUlJWia SCHIFF (1Οβ4-1978)OIPL. CHfM. DR. Al EXANOER V. FÜNERDIPL. INQ PETER STHEHLDIPL. CHEM. DR. URSULA SCHÜBEL-HOPFOIPL. INS DIETER EBSINQHAUSDR. INQ. DIETER FINCKTELEFON (Ο8β) 48 QO 04
TELEX B-SSees AURO Daufomarcpat MünchenTORAY INDUSTRIES, INC. DEA-*3 49 15. Dezember 1980Vorsensibilisierte Negativ-Flachdruckform für
den Trocken-FlachdruckPATENTANSPRÜCHE1. Vorsensibilisierte Negativ-Flachdruckform für den Trocken-Flachdruck, gekennzeichnet durch(1) ein Trägersubstrat,(2) eine auf dem Trägersubstrat aufgebrachte oleophile photoempfindliche Schicht und(3) eine.Druckfarbe abweisende Siliconkautschukschichtdie auf der photoempfindlichen Schicht aufgebracht ist, wobei die photoempfindliche Schicht sowohl vor als auch nach der Belichtung mit aktinischem Licht im wesentlichen unlöslich in Entwicklern ist und befähigt ist, die Siliconk.autschukschicht130036/0647- - ; : 3045978in den mit aktinischem Licht belichteten ausgewählten Bereichen freizugeben, und' die Siliconkautschukschicht . befähigt ist, durch einen Entwickler in den belichteten Bildbereichen entfernt zu werden.2. Vorsensibilisierte Negativ-Flachdruckform für den Trockenflachdruck, gekennzeichnet durch einen Bildbereich, der durch eine auf einem Trägersubstrat aufgebrachte photoempfindliche Schicht gebildet wird, und einen bildfreien Bereich, der durch eine Silicon-kautschukschichfgebildet wird, die auf der photoempfindlichen Schicht aufgebracht, ist.3. Negettiv-Flachdruckform nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die photoempfindliche Schicht durch Vernetzung einer Chinondiazid-Verbindung mit einer polyfunktionellen Verbindung in Entwicklern schwerlöslich oder unlöslich gemacht wurde.4. Negcttiv-Flachdruckform nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als polyfunktioneile Verbindung eine Polyisocyanatverbindung verwendet wurde.5. Negativ-Flachdruckform nach Anspruch 3, dadurch g e -130036/0647kennzeichnet, daß als polyfurktionelle Verbindung eine Polyepoxyverbindung verwendet wurde.6. Negativ-Flachdruckform nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die photoempfindliche Schicht dadurch in Entwicklern schwerlöslich · oder unlöslich gemacht wurde, daß eine Chinondiazid-Verbindung mit einem Monoisocyanat urethanisiert wurde.7. Negativ-Flachdruckform nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die photoempfindliche Schicht dadurch in Entwicklern schwerlöslich- oder unlöslich gemacht wurde, daß eine Chinondiazid-Verbindung verestert wurde.8. Negativ-Flachdruckform nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die photoempfindliche Schicht dadurch in Entwicklern schwerlöslich oder unlöslich gemacht wurde, daß eine Chinondiazid-Verbindung amidisiert wurde. ·9. Negativ-Flachdruckform nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die photoempfindliche Schicht in Entwicklern schwerlöslich . oder unlöslich gemacht wurde, indem eine Chinondiazid-Verbindung mit einem Vinylmonomeren der Pfropfpolymerisation unterworfen wurde.13 0 0 3 6/064710. Negativ-Flachdruckform nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß als Chinondiazid-Verbindung ein Ester aus Naphthochinon-1,2-diazid-sulfonat und einer Polyhydroxyverbindung verwendet worden i st.11. Negativ-Flachdruckform nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß als Polyhydroxyverbindung ein Phenol-Formaldehyd-Novolakharz verwendet wurde.12. Negativ-Flachdruckform nach einem der Ansprüche 1 bis11, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der photoempfindlichen Schicht im Bereich von 0,1 bis 100 μπι liegt.13. Negativ-Flachdruckform nach einem der Ansprüche 1 bis12, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliconkautschukschicht ein vernetztes Diorganopolysiloxan enthält, das durch Härtung eines Diorganopolysiloxans mit der folgenden wiederkehrenden EinheitSi130036/06A7erhalten wurde, worin η eine ganze Zahl von nicht weniger
als 1 ist und die Reste R gleich oder verschieden sind und jeweils für C1 bis C1--Alkylgruppen, Alkenyl- oder Phenylgruppen, wobei 60 % oder mehr der Reste R für Methylgruppen bedeuten, stehen.14. Negativ-Flachdruckform nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke
der Silicon-Kautschukschicht im Bereich von etwa 0,5 bis
10 μπι liegt.15. Verfahren zur Herstellung einer vorsensibilisierten
Negativ-Flachdruckform für den Trocken-Flachdruck, dadurch gekennzeichnet , daß man eine Druckform-Matrix, die aus einem Trägersubstrat, einer auf dem Trägersubstrat aufgebrachten in Entwicklern schwer löslichen oder unlöslichen photoempfindlichen Schicht und einer auf der photoempfindliche: Schicht aufgebrachten Siliconkautschukschich.t: besteht, bildmäßig belichtet und danach die belichtete Druckform-Matrix mit einem Entwickler behandelt, der lediglich die belichteten Bildbereiche der Siliconkautschukschicht entfernt..130038/0647
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Date | Code | Title | Description |
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8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: STREHL, P., DIPL.-ING. DIPL.-WIRTSCH.-ING. SCHUEBE |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |