DE3019898A1 - Pnp-transistor fuer bipolare integrierte schaltung und verfahren zur herstellung des transistors - Google Patents
Pnp-transistor fuer bipolare integrierte schaltung und verfahren zur herstellung des transistorsInfo
- Publication number
- DE3019898A1 DE3019898A1 DE19803019898 DE3019898A DE3019898A1 DE 3019898 A1 DE3019898 A1 DE 3019898A1 DE 19803019898 DE19803019898 DE 19803019898 DE 3019898 A DE3019898 A DE 3019898A DE 3019898 A1 DE3019898 A1 DE 3019898A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zones
- transistor
- layer
- diffusion
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/133—Emitter regions of BJTs
- H10D62/135—Non-interconnected multi-emitter structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/137—Collector regions of BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
- H10D84/63—Combinations of vertical and lateral BJTs
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7913205A FR2457564A1 (fr) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | Transistor pnp pour circuit integre bipolaire et son procede de fabrication |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3019898A1 true DE3019898A1 (de) | 1980-12-04 |
Family
ID=9225817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803019898 Ceased DE3019898A1 (de) | 1979-05-23 | 1980-05-23 | Pnp-transistor fuer bipolare integrierte schaltung und verfahren zur herstellung des transistors |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3019898A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2457564A1 (enExample) |
| IT (1) | IT1133421B (enExample) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2592526B1 (fr) * | 1985-12-31 | 1988-10-14 | Radiotechnique Compelec | Circuit integre comportant un transistor lateral |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3197710A (en) * | 1963-05-31 | 1965-07-27 | Westinghouse Electric Corp | Complementary transistor structure |
| DE1952614A1 (de) * | 1966-01-15 | 1971-05-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL162511C (nl) * | 1969-01-11 | 1980-05-16 | Philips Nv | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. |
| FR2123118B1 (enExample) * | 1971-01-13 | 1976-05-28 | Radiotechnique Compelec | |
| US3936329A (en) * | 1975-02-03 | 1976-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Integral honeycomb-like support of very thin single crystal slices |
| IT1070023B (it) * | 1975-11-24 | 1985-03-25 | Ibm | Processo di fabbricazione di transistori complementari |
| DE2602395C3 (de) * | 1976-01-23 | 1978-10-12 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg | Monolithisch integrierter I2 L-Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1979
- 1979-05-23 FR FR7913205A patent/FR2457564A1/fr active Granted
-
1980
- 1980-05-22 IT IT12546/80A patent/IT1133421B/it active
- 1980-05-23 DE DE19803019898 patent/DE3019898A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3197710A (en) * | 1963-05-31 | 1965-07-27 | Westinghouse Electric Corp | Complementary transistor structure |
| DE1952614A1 (de) * | 1966-01-15 | 1971-05-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1133421B (it) | 1986-07-09 |
| FR2457564A1 (fr) | 1980-12-19 |
| FR2457564B1 (enExample) | 1983-06-10 |
| IT8012546A0 (it) | 1980-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68925116T2 (de) | In gemischter Technologie hergestellte integrierte Schaltung mit CMOS-Strukturen und leistungsfähigen lateralen Bipolartransistoren mit erhöhter Early-Spannung und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE1260029B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf einem Halbleitereinkristallgrundplaettchen | |
| DE2905022A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
| DE3545040C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Schicht und einer Kollektorzone in einer monolithischen Halbleitervorrichtung | |
| DE2214935A1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
| DE2048945A1 (de) | Verfahren zur Herstellung integrier ter Schaltungen | |
| EP0007923A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines doppeltdiffundierten, lateralen Transistors und eines mit diesem integrierten komplementären vertikalen Transistors | |
| EP0001586A1 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung mit vertikalen NPN- und PNP-Strukturen und Verfahren zur Herstellung | |
| DE69404700T2 (de) | Referenzdiode in integriertem Bipolarschaltkreis | |
| DE1764570C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit zueinander komplementären NPN- und PNP-Transistoren | |
| DE2556668A1 (de) | Halbleiter-speichervorrichtung | |
| DE1903870A1 (de) | Verfahren zum Herstellen monolithischer Halbleiteranordnungen | |
| DE69229937T2 (de) | Avalanche Diode in einer bipolaren integrierten Schaltung | |
| DE2218680C2 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE69225355T2 (de) | Transistor mit einer vorbestimmten Stromverstärkung in einer integrierten Bipolarschaltung | |
| EP0974161B1 (de) | Halbleiterbauelement mit struktur zur vermeidung von querströmen | |
| DE2507038C3 (de) | Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3010986A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
| DE2403816C3 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3688030T2 (de) | Bipolare integrierte schaltung mit isolationsstruktur und substratkontakt und verfahren zur herstellung. | |
| DE2529951A1 (de) | Lateraler, bipolarer transistor | |
| DE69031610T2 (de) | Monolitisch integrierte Halbleitervorrichtung, die eine Kontrollschaltung und einen Leistungsteil mit vertikalem Stromfluss umfasst, und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3235467A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE68928763T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von isolierten vertikalbipolaren und JFET-Transistoren und entsprechender IC | |
| DE2101279C2 (de) | Integrierter, lateraler Transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PRINZ, E., DIPL.-ING. LEISER, G., DIPL.-ING., PAT. |
|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 29/72 |
|
| 8131 | Rejection |