DE2853736A1

DE2853736A1 - Feldeffektanordnung

Info

Publication number: DE2853736A1
Application number: DE19782853736
Authority: DE
Inventors: David James Coe
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1977-12-15
Filing date: 1978-12-13
Publication date: 1979-06-21
Also published as: JPS5489588A; AU4240378A; GB2011178A; DE2853736C2; US4270137A; FR2412170B1; FR2412170A1; GB2011178B; NL7812026A

Description

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Feldeffektanordnung .

D±e Erfindung bezieht.sich auf eine Feldeffektanordnung, mit einem Halbleiterkörper mit einem Kanalgebiet, einer an das Kanalgebiet grenzenden Drain-Zone, einer Drain-Elektrode, die elektrisch mit der Drain-Zone verbunden ist, einer¹ Gate-Elektrode, die über dem Kanalgebiet liegt" und von diesem Gebiet durch eine Sperrschicht getrennt und mit einem Ansch.lusslei.ter versehen ist, damit die Gate-Elektrode unabhängig von der Drain-Elektrode vorgespannt werden kann, um einen Strom von Ladungsträgern durch das genannte Kanalgebiet zu

VO steuern, und mindestens einer Feldelektrode, die mit der genannten Gate-Elektrode verbunden ist und sich über der Drain-Zone in Richtung der genannten Drain-Elektrode erstreckt, wobei die Drain-Zone eine derart niedrige Dotierung aufweist, dass das elektrostatische Feld, das am Rande der genannten niedrig dotierten Drain-Zone an der Oberfläche in der Nähe des Kanalgebietes auftritt, von der Feldelektrode herabgesetzt werden kann. Die Erfindung bezieht sich insbesondere, aber nicht ausschliesslich auf Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (JGFETs) sowohl in Fox-m diskreter Transistoren (z.B. beim Hochfrequenzbetrieb) als auch als Schaltungselemente einer monolithischen integrierten Schaltung.

Eine Feldeffektanordnung d&r beschriebenen Art ist aus der US-PS 3 845 4 95 bekannt. B.ei dieser Anordnung weist die Feldelektrode-" die Form einer metallenen Feldplatte auf, die

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sich auf einer Isolierschicht über einem Teil der niedrig dotierten Drain-Zone befindet, derart, dass sie praktisch völlig über der in der Drain-Zone gebildeten Erschöpfungszone liegt. Die Feldplatte isb als eine laterale Erweiterung

S der Gate-Elektrode zu der Drain-Elektrode vorgesehen. Die niedrig dotierte Drain-Zone wird durch den Teil des Halbleiterkörpers gebildet, in dem das Source-Gebiet, das Kanalgebiet und ein höher dotiertes Drain-Gebiet durch Diffusion erzeugt sind; diese niedrig dotierte Drain—Zone weist also eine niedrigere Dotierungskonzentration als das Kanalgebiet auf, so dass sich die Erschöpfungszone vielmehr in dieser Drain-Zone als in dem Kanalgebiet ausdehnen \\'ird. Die Feldplatte zerstreut das zugehörige elektrostatische Feld in dieser niedrig dotierten Drain-Zone ein wenig und setzt das elektrostatische Feld an der Oberfläche durch Feldeffektwirkung herab, so dass Durchschlag innerhalb des Halbleiterkörpers bei einer hohen Drainspannung und nicht an der Oberfläche bed. einer niedrigeren Drainspannung auftritt.

Eine derartige bekannte Anordnung kann daher eine hohe Drain-Durchschlagspannung aufweisen. Eine derartige Konstruktion weist aber Nachteile auf. Da die Gate-Elektrodenmetallisierung zu der Drad.n-Elektrode erweitert ist, wird der ganze Potentialunterschied, der beim Betrieb zwischen der Gate— Elektrode und der Drain-Elektrode auftritt, über einem Teil der Isolierschicht, sowohl vertikal zwischen der Gate-Elektrodennietallisierung und der Drain—Zone als auch lateral zwischen der Gate-Elektrodenmetallisierting und der Drain-Elektrode, angelegt; dies kann Durchschlag über die Isolierschicht und für gewisse Anwendungen eine unerwünschte Rück-

^" kopplungskapazität zwischen der Drain- und Gate-Elektrode ergeben.

Um diese Rückkopplungskapazität herabzusetzen und insbesondere Durchschlag über die Dicke der Isolierschicht zu vermeiden, d.st es erforderlich, dass diese Isolierschicht

zwischen der Feldplatte und der Drain-Zone verhältnismässig dick ist. So gibt z.B. die US-PS 3 845 495 einen Wert von 0,8 bis 1,5/um für die Dicke dieser Isolierschicht im Vergleich zu einem Bereich von 0,09 his 0,13/Um für die Dicke

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der Isolierschicht zwischen der Gate-Elektrode, und dem Kanalgebiet der. IGFET-Anordnung an.

Je dicker jedoch die Isolierschicht ist, je weniger effektiv ist die Feldeffektwirkung der Feldplatte auf die' Drain-Zone, so dass die Dotierung der Drain-Zone niedriger sein muss, um eine genügende Streuung der Erschöpfungsschicht in der.Drain-Zone unter der Feldplatte und. eine genügende Verringerung der Grosse des genannten Feldes am Rande der Feldplatte zu erhalten. So gibt die US-PS 3 845 ^!i95 einen Bereich von einigen -0. .cm bis 50 -Q. .cm für den spezifischen Widerstand der Drain—Zone an; dies ist einer Donatorkonzentration von 2.10 bis 10 Atomen/cm³ äquivalent und kann einen unerwünschten Drainreihenwidorstand in jenem Teil des Stromweges ergeben, der beim Betrieb in dem unerschöpften Teil dieser Drain-Zone mit hohem spezifischem Widerstand vorhanden ist.

Durchschlag zwischen der Gate—Elektrode und der Drain-Elektrode über die Oberfläche der Isolierschicht kann dadurch vermieden werden, dass ein genügender Abstand zwischen dem

. Rand der Feldplattenerweiterung der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode eingehalten wird. Eine Vergrösserung dieses Abstandes kann aber die Länge desjenigen Teiles des Stromweges vergrössern, der im Unerschöpften Teil der Drain-Zone mit hohem spezifischem Widerstand vorhanden ist, wodurch

^ia dei- Dralnreihenwiderstand beeinträchtigt wird.

Ein weiterer Nachteil ist der, dass die Steilheit (g ) der Anordnung bei hohen Stromppgeln durch eine derartige Vergrösserung der Dicke der Isolierschicht oder eine derartige Vergrösserung des Abstandes zwischen der Feldplatte

3" und der Drain-Elektrode Herabgesetzt werden kann.

Der vorliegenden Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass durch Kombination einer niedrigdotierten Drain-Zone mit einer darüber liegenden Widerstandsschicht. die elektrisch zwischen einer Gate-Elektrode und einer Drain-Elektrode einer Feldeffektanordnung angeschlossen ist, eine günstige Struktur der Anordnung erhalten werden kann, die eine hohe Durchs chiags spannung aufweisen kann, ohne dass der Drainreihenwiderstand auf unzulässige Weise vergrössert

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oder die Steilheit (g ) auf unzulässige Weise"·"herabgesetzt wird.

Nach der vorliegenden Erfindung ist eine Feldeffektanordnung der¹ eingang beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Feldelektrode eine Widerstandsschicht em.hält, die sich über die niedrig dotierte Drain-Zone erstreckt und sich elektrisch der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode anschliesst.

Die beim Betrieb der Anordnung in der Widerstandsschicht gebildete Potentialverteilung dient dazu, das elektrostatische Feld und die zugehörige Erschöpfungsschicht über die niedrig dotierte Drain-Zone zu streuen Lind die Grosse des Feldes in der Drain-Zone unter dem Rand der Gate-Elektrode herabzusetzen. Im Vergleich zu einer üblichen Feldeffektanordnung kann auf diese Weise das elektrostatische Feld in dem kritischen Gebiet zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode erheblich herabgesetzt werden, wodurch eine wesentliche Erhöhung der Durchschlagsspannung möglich wird. Wegen der niedrigen Dotierung der Drain-Zone ist der Drainreihenwiderstand im Vergleich zu einer üblichen Feldeffektanordnung mit nur einer hoch dotierten Drain—Zone erhöht. Die Erzeugung der Widex-standsschicht auf dieser niedi-ig dotierten Drain-Zone bewirkt aber, dass die Durchschlagspannung bei einem erheblich höheren Wert der Draindotierung als die mit einer üblichen Isolierschicht auf einer niedrig dotierten Drain-Zone festgestellte Dotierung erhöht wird; ausserdem tritt eine gewisse Anhäufung von Ladungsträgern in der niedrig dotierten Drain-Zone unter der Widerstandsschicht wegen Ihrer Potentialverteilung auf; diese beiden Effekte tragen dazu bei, die Zunahme des Drainreihenwiderstandes zu verringern.

Da der Potentialuntex-schied zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode über die Widerstandsschicht verteilt wird, wird nicht dieser ganze Potentialunterschied über die Dicke der Isolierschicht zwischen der Gate-Elektx-ode und der Drain-Zone angelegt; eine dicke Isolierschicht ist also unter der WiderstandsscHicht nicht erforderlich, um Durchschlag über die Isolierschicht oder eine unerwünschte

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Rückkopplungskapazität zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode zu vermeiden; die niedrig dotierte Drain-Zone braucht somit nicht einen so hohen spezifischen Widerstand aufzuweisen wie er für die bekannte Anordnung nach der US-PS 3 8^5 ^95 angegeben ist, um so die Erhöhung des Drainreihenwiderstandes und die Abnahme der Steilheit (g ) bei hohen Strompegeln herabzusetzen. Im Falle einer Widerstandsschicht aus Material mit einem sehr hohen spezifischen Widerstand, z.B. mit Sauerstoff dotiertem polykristallinem Silizium, kann unter Umständen eine Isolierschicht zwischen der Widerstandsschicht und der Drain-Zone überflüssig sein. Da sich die Widerstandsschicht über den Stromweg in der niedrig dotierten Drain-Zone erstreckt, kann die Potentialverteilung über diese Schicht die Leitfähigkeit dieses Stromweges durch Erhöhung der Anzahl freier Ladungsträger in der Nähe der Gate-Elektrode und durch Herabsetzting. der Länge des unerschöpften Teiles der Drain—Zone in der Nähe der Drain-Elektrode beeinflussen. Diese beiden Effekte können sowohl die genannte Herabsetzung der Steilheit (g ) als auch die genannte Zunahme des Reihenwiderstandes in diesem Sti'omweg verringern. Für Anordnungen, die für Betrieb über etwa 100 V entworfen sind, kann die Dotierungskonzentration

17 der niedrig dotierten Drain-Zone weniger als 5·10 und

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sogar weniger als 2.10 Atome/cm betragen; diese kann z.B.

höchstens 10 Atome/cm³ betragen. Diese Dotierungskonzentrationen sind wenigstens eine oder zwei Grössenordnungen niedriger als die der hoch dotierten p+- oder n+-Drain-Zone eines üblichen Feldeffekttransistors und durch die Wahl derartiger niedrigen Dotierungswerte kann die Durchschlagsspannung um etwa eine Grössenordnung im Vergleich zu einer Anordnung mit einer hohen Dotiertmg der Drain-Zone erhöht werden, wie nachstehend beschrieben werden wird.

Die Dotierungskonzentration der niedrig dotierten Drain-Zone braucht aber nicht so niedrig zu sein wie die der Drain-Zo.ne mit hohem spezifischem Widerstand nach der US-PS 3 8^5 kS>5· Um also die von, der niedrig dotierten Drain-Zone eingeführte Zunahme des Drainreibenwiderstandes herabzusetzen, ist ihre Dotierungskonzentration vorzugsweise

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mindestens 10 , z.B. 2.10 , Atome/cm³.

Auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers kann sich eine Isolierschicht befinden, um die Drain-Zone von der darüber liegenden Widerstandsschicht zu trennen; indem die Widerstandsschicht gegen die niedrig dotierte Drain-Zone isoliert wird, werden Leckströme über die Widerstandsschicht zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Zone herabgesetzt; diese Isolierung kann für Anwendungen bei hohen Frequenzen von be-• sonderer Bedeutung sein. Diese Isolierschicht kann sich auch über dem Kanalgebiet erstrecken, um das Kanalgebiet von der Gate-Elektrode in einer Feldeffektanordnung mit isolierter Gate-Elektrode zu trennen; da wegen der Potentialverteilung in der Widerstandsschicht diese Isolierschicht nicht notwendigerweise unter der Widerstandsschicht dicker sein muss, kann diese praktisch die gleiche Dicke sowohl unter der Widerstandsschicht als auch unter der Gate-Elektrode aufweisen. Diese kann also als eine einzige Schicht mit gleichmassiger Dicke gebildet werden, über die eine wesentliche Fcldeffektwirkung der Widerstandsschicht bei höheren Dotierungspegeln für die Drain-Zone als nach der US-PS 3 8^5 4^Q5 erhalten werden kann.

Die niedrig dotierte Drain-Zone kann eine höhere Dotierungskonzentration als das Kanalgebiet aufweisen; diese höher dotierte Drain-Zone kann als eine 0berf3.ächenzone gebildet werden, die z.B. einen Teil des Körpers, der zugleich das benachbarte Kanalgebiet bildet, überdotiert. Dadurch ergibt sich die sehr ungewöhnliche Situation, in der sich wegen der Potentialverteilung in der Widerstandsschicht das elektrostatische Feld vielmehr in der höher dotierten Drain-Zone als in dem niedriger dotierten Kana.lgebiet ausdehnt, während dagegen, wenn die Widerstandsschicht nicht vorhanden wäre, sich die Erschöpfungszone und das zugehörige Feld vielmehr in dem Kanalgebiet als in der höher· dotierten Drain-Zone erstrecken würden.

In gewissen Fällen könnte die Drain-Elektrode in direktem Kontakt mit der niedrig.dotierten Drain-Zone stehen. Um jedoch den Drainkontaktwiderstand herabzusetzen, ist vorzugsweise ein Drain-Gebiet, das höher als die genannte

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Drain-Zone dotiert ist, mit der Drain-Elektrode verbunden. In gewissen Anordnungen nach der Erfindung kann dieses höher dotierte Drain-Gebiet tatsächlich die Drain-Elektrode bilden. In anderen Anordnungen bildet aber das höher dotierte Drain-Gebiet ein Kontaktgebiet und ist es an der Oberfläche des Halbleiterkörpers durch die Drain-Elektrode kontaktiert. Die niedriger dotierte Drain-Zone kann untiefer als das höher dotierte Drain-Gebiet sein und kann sich lateral von diesem Drain-Gebiet zu dem Kanalgebiet erstrecken.

In einer anderen Ausführungsform ist jedoch die genannte niedrig dotierte Drain-Zone ein Teil des Halbleiter— körpers, in dem sich dotierte Gebiete zur Bildung des höher dotierten Drain-Gebietes und des Kanalgebietes befinden. Das auf diese Weise gebildete Kanalgebiet in einer derartigen.

niedrig dotierten Drain-Zone kann sehr kurz sein, wie nachstehend beschrieben werden wird.

Die Widerstandsschieht und die Gate-Elektrode können Teile enthalten, die aneinander grenzen, wobei einer der genannten Teile auf dem anderen liegt. Auf ähnliche Weise können die Widerstandsschicht und die' Drain-Elektrode Teile enthalten, die aneinander grenzen, wobei einer der genannten Teile auf dem anderen liegt. Mit derartigen"Strukturen können auf kompakte Weise und über Kontaktgebiete ziemlich grossen Umfangs gute elektrische Verbindungen zwischen der Widerstandsschicht, der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode hergestellt werden.

Die Anordnung kann ein Feldeffekttransistor, aber auch eine Feldeffektanordnung anderer Art, z.B. eine ladungsge— koppelte Anordnung (CCD), sein, wobei bei einem Ausgang einer solchen Anordnung die Erfindung auf ähnliche Weise und mit ähnlichen Vorteilen wie bei der Drain eines Transistors verwendet werden kann. Anordnungen nach der Erfindung können IGFET-Anordnungen sein, in denen die Gate-Elektrode von dem Kanalgebiet, durch eine Isolierschicht getrennt ist, oder sie können z.B. Schöttky-Feldeffelcttransistoren sein, in denen die Gate-Elektrode von <iem Kanalgebiet durch einen gleichrichtenden Schottky-Ubergang getrennt ist. Die Gate-Elektroden dieser Transistoren sind kapazitiv mit dem unter-

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liegenden Kanalgebiet über die Sperrschicht gekoppelt, die im einen Fall durch die Isolierschicht und im anderen Fall durch den Schottky-Ubergang gebildet wird.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der δ Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Teil des Halbleiterkörpers einer IGFET-AnOrdnung nach der Erfindung,

Fig. 2 einen Querschnitt durch einen Teil des Halbleiterkörpers nach Fig. 1, wobei die Potentialverteilung in der Widerstandsschicht und die Ausdehnung einer Erschöpfungsschicht in dem Halbleitermatez-ial dargestellt sind;

Fig. 3 vergleichsweise einen Querschnitt durch einen Teil eines Halbleiterkörpern nach Fig. 2, jedoch mit einer Isolierschicht statt einer ¥iderstandsschicht;

Fig. h eine graphische Darstellung der Ausdehnung x~ einer Erschöpfungsschicht entlang der Oberfläche einer Drain-Zone als Funktion der Dotierung N der Drain-Zone für die IGFET-Struktur der Fig. 2 sowie der Fig. 3;

^ Fig. 5 eine graphische Darstellung der Drain-Durchsclilags spannung V als Funktion der Dotierung· Ν der Drain-Zone für die IGFET-Struktur der Fig. 2 sowie der Fig. 3,und

Fig. 6 einen Querschnitt durch einen Teil eines Halbleiterkörpers einer anderen IGFET-AnOrdnung nach der Erfindung.

Es sei bemerkt, dass die Fig. 1, 2, 3 und 6 schematisch sind und nicht masstäblich gezeichnet sind; die relativen Abmessungen gewisser Teile dieser Figuren sind der Deutlichkeit halber vergrössert oder verkleinert dargestellt. Entsprechende Teile sind in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Ausserdem sei bemerkt, dass die graphischen Darstellungen nach den Fig. k und 5 auf Berechnungen mit Annahmen in bezug auf die Grosse bestimmter gemeinsamer Parameter basieren und somit nur die relativen Änderungen sowohl der Durchschlagss.pannung V als auch der Ausdehnung x^ der Erschöpfungsschicht in Abhängigkeit von Änderungen der Drain—Dotierung N_n und der Struktur der Anordnung und keine absoluten Grossen der Durchschlags-

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spannung V und der Ausdehnung χ der Erschöpfungsschicht illustrieren.

Fig. 1 zeigt einen diskreten n-Kanal-IGFET vom Anreicherungstyp nach der vorliegenden Erfindung, der sich für Hochfrequenzbetrieb eignet. Der IGFET enthält einen einkristallinen Halbleiterkörper 1, der aus Silizium bestehen kann und in dein hochdotierte (n+) Source- und Drain-Gebiete 2 bzw. 3 erzeugt sind, die zu Source" und Drain-Elektroden 12 bzw* 13 gehören. Der in Fig. 1 gezeigte.Körper 1 enthält

ΙΟ ein Substrat 10 mit einem niedrigen spezifischen Widerstand (p+) vom p-Leitungstyp mit darauf einer p—leitenden epitaktischen Schicht 11 mit einem höheren spezifischen Widerstand. Die h-ieitenden Source- und Drain-Gebiete 2 bzw. 3 befinden sich in der epitaktischen Schicht 11 in der Nähe der Oberfläche 21 und bilden pn-Ubergänge 7 und 8 mit der Schicht 11, Erwünschtenfalls kann das Source-Gebiet 2 mit der epitaktischen Schicht 11 und mit dem Substrat 10 durch die Drain-Elektrodenschicht 12, z_kB. in einer Nut in der Schicht 12, kurzgeschlossen sein, während das Substrat 10 an seiner Oberfläche 22 durch eine Elektrodenschicht 20 kontaktiert sein kann.

Das n+-Source-Gebiet 2 grenzt an ein Kanalgebiet h des Transistors. Eine Gate-Elektrode 5 befindet sich über dem Kanal k und ist von diesem durch eine Sperrschicht in Form einer dünnen Isolierschicht 14 getrennt. Die Gate-Elektrode kann aus polykristallinem Silizium bestehen, das mit z.B. Donatoren dotiert ist, um einen niedrigen spezifischen Widerstand zu erhalten. Die Gate-Elektrode 5 ist durch eine kontaktschicht 15 kontaktiert, die eine Verbindung herstellt, um die Gate-Elektrode 5 unabhängig von der Source und der Drain vorzuspannen.

Eine n-leitende Zone 6 befindet sich in der Nähe des •dem Source-Gebiet 2 gegenüber liegenden Endes des Kanalgebietes Λ. Die Dotierung der Zone 6 ist niedriger als die des Drain-Gebietes 3» aber höher als die Akzeptordotierung des Kanalgebietes k. Die Drain-Elektrode 13 ist mit der Zone 6 über das hochdotierte Drain-Gebiet 3 verbunden, das, wie dargestellt, tiefer als die Zone 6 sein kann. Die Zone

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erstreckt sich von dem Gebiet 3 zu dem Kanalgebiet 4 und bildet daher eine niedriger dotierte verlängerte Drain-Zone des Transistors, die das Drain-Gebiet 3 von dem Kanalgebiet k trennt und den pn-Ubergang 8 mit der Schicht 11 verlängert.

Eine Yiderstandsschicht 16 erstreckt sich über der Drain-Zone 6 und ist elektrisch zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode I3 angeschlossen, um eine Potentialverteilung entlang der Schicht 16 zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 beim Betrieb des Transistors

^ zu bilden. Diese Potentialverteilung ist in Fig. 2 illustriert und folgt aus dem Unterschied zwischen dem Gate-Potential V und dem Drain-Potential V^. Fig. 2 zeigt einen linearen Potentialabfall V entlang der Schicht 16 zwischen dem Anschluss mit der Drain-Elektrode 13 und dem Anschluss mit der Gate-Elektrode 5· Vie in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist, erstreckt sich ein Teil der Widerstandsschicht 16 auf einem Teil der Gate—Elektrode 5 zur Bildung einer guten elektrischen Verbindung zwischen der Schicht 16 und der Elektrode .5· Auf ähnliche Weise erstreckt sich ein Teil der Drain-Elektrode 13 auf einem Teil der Schicht 16.

Die Potentialverteilung in der Schicht 16 wird der Oberfläche eines Teiles der Gate-Isolierschicht lh auferlegt, wo diese die niedrig dotierte Drain-Zone 6 von der Widerstandsschicht 16 trennt. Die Zone 16 weist eine genügend niedrige Dotierungskonzentration auf, damit diese Verteilung, die kapazitiv über den Widerstand Ik gekoppelt ist, das elektrostatische Feld streut, das beim Betrieb des Transistors in der genannten Drain-Zone infolge einer Erschöpfungsschicht 18 auftritt, die an dem in der Sperrrichtung vorgespannten Übergang 8 zwischen dem verlängerten Drain-Gebiet 3> 6 und der Schicht 11 gebildet ist. Auf diese Weise wird die Grosse des elektrostatischen Feldes am Rande der Drain-Zone 6 in der Nähe des Kanalgebietes k herabgesetzt. Da sich die Schicht 16 über den ganzen Abstand der Gate-Elektrode 5 von der Drain-Ε]ektrode 13 erstreckt, kann die Potentialverteilung entlang dieser Schicht 16 die ganze Länge des Stromweges in der Zone 6 von unter dem Rand der Elektrode 5 t>is zu dem Gebiet 3 beeinflussen. Die Ausdehnung

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der Erschöpfungsschicht 18 ist in Fig. 2 durch eine kreuzweise Schraffierung und einen gestrichelt angegebenen Umfang dargestellt. Die Fig. 2 sowie 3 zeigen die Situation, in der das Gate-Potential V- niedriger als die Schwellwertspannung zum Leitendmachen des Kanals k ist.

Fig. 3 zeigt die Situation, die sich bei der Anordnung nach Fig. 2 ergeben würde, wenn die Widerstandsschicht l6· durch eine völlig isolierende Schicht 36, z.B. aus niedergeschlagenem Siliziumoxid, ersetzt werden würde. In diesem Falle gibt es keine Widerstandsverbindung zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 und die zu der Schicht 36 gehörigen elektrostatischen Feldlinien verlaufen zwangsweise praktisch senkrecht zu der Grenzfläche zwischen den Schichten 36 und '\k. Abgesehen von dem Ersatz der Widerstandsschicht 16 durch die Isolierschicht 36» ist angenommen, dass bei dem IGFET nach Fig. 3 dieselben Abmessungen, Materialien und Dotierungskonzentrationen wie beim IGFET nach Fig. verwendet werden. Es sei bemerkt, dass sich die Erschöpfungsschiclit 18 in Fig. 3 nicht so weit wie in Fig. 2 in der Zone 6 erstreckt, so dass in Fig. 3 ein grösserer Teil der Zone 6 unerschöpft ist und somit zu dem Drain-Reihenwiderstand beiträgt. In der Struktur nach Fig. 2 ist die Konzentration freier Ladungsträger an der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator durch die Potentialverteilung der Wlderstandsschicht 16 vergrössert, die als Poteutialteiler zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 3 über die ganze Drain-Zone 6 dient, wodurch der Drainreihenwiderstand in der Zone 6 im Vergleich zu der Struktur nach Fig. 3 herabgesetzt wird.

In einer Abwandlung der Struktur nach Fig. 3 könnte die Erweiterung der Erschöpfungsschicht 18 in dei- niedrig dotierten Drain-Zone 6 dadurch vergrössert werden, dass die Gate-Elelctrode 5 selber über die Isolierschicht 1A zu der Drain-Elektrode 13 erweitert werden würde, um als Feldplatte über/einen Teil der Zone 6 zu dienen. In diesem Falle würde aber der Potentialunterschied zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode direkt über die Dicke der Isolierschicht 1.4 angelegt ,werden, so dass diese

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Schicht 14 unter der Feldplatte dicker als unter der ursprünglichen Gate-Elektrode selber sein müsste, um Durschschlag in dem Isolator oder Halbleiter in der Nähe des Randes der Feldplatte zu vermeiden; der Effekt der Feldplatte würde bei zunehmender Dicke der Isolierschicht 14 abnehmen, es sei denn, dass die Dotierung der Drain-Zone selber auch herabgesetzt werden würde; eine Herabsetzung dieser Drain-Dotierung würde aber den Draiii3?eihenwiderstand, der durch eine unerschöpfte Länge der einen höheren spezifischen Widerstand aufweisenden Drain-Zone 6 gebildet wird, nun erhöhen. Die Steilheit (g ) bei höheren Strompegeln könnte dabei auch herabgesetzt werden.

Fig. 5 zeigt das-Ergebnis von Berechnungen des Effekts eines netto mittleren Dotierungspegels N_ der erweiterten Drain-Zone 6 auf die Ausdehnung χ dex- Erschöpfungsschicht in der Zone 6 xuid auf die Drain-Durchschlagspannung Υχ\_η die IGFET-Strukturen nach den Fig. 2 und 3· Die Berechnungen wurden für Source- und Gate-Potentiale von 0 V durchgeführt und Verbesserung in der Durchschlagspannung der Anordnung wurde für die 1GFET—Strukturen mit den folgenden Spezifikationen gesucht: Länge 5/um für das Kanalgebiet 4, gleichmassige Dicke von 0,1 /um für eine Gate-Isolierschicht 14 aus Siliziumoxid, eine Dicke von 0,5/um und eine Länge von 5/um für die Drain-Zone 6 und eine Netto-Akzeptordotierungs-

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konzentration von 10 Atomen/cm³ für die p-leitende epitaktische Schicht 1 1 ; ausserdepi wurde ein Drain-Potential V von 50 V angewandt, um die Ergebnisse nach Fig. 4 zu erzielen.

Je nachdem die Dotierung der erweiterten Drain-Zone herabgesetzt wird, wird der Spitzenwert des elektrostatischen Feldes aiii Rande der Drain-Zone 6 in der Nähe des Kanalgebietes 4 dementsprechend herabgesetzt; gleichzeitig nimmt die Ausdehnung x^ der Ersch'öpfungsschicht 18 in der Drain-Zone 6 entlang der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator zu, wie in Fig. 4 dargestellt ist. In Fig. 4 ist als Ordinate x_D in /um und als Abszisse in Atomen/cm³ aufgetragen. Die Kurve II trifft für ,die IGFET-Struktur nach Fig.2 zu, während die Kurve III für die vergleichbare IGFET-Struktur nach Fig. 3 zutrifft. Für die Struktur nach Fig. 3 folgt die

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Zunahme der Drain-Erschöpfungsbreite x_ einer umgekehrten Quadratwurzel abhängigkeit dei" Drain-Dotierung N_nJ eine maximale Eindringung von etwa 1 /Um kann für eine N_n von etwa

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5.10 Atomen/cm³ erhalten werden, so dass eine erhebliche Länge der 5 /um langen niedrig dotierten Dx-ain-Zone 6 unerschöpft bleibt und der Drainreihenwiderstand erheblich erhöht wird. Für die Struktur nach Fig. 2 (Kurve II) ist jedoch die Zunahme der Erschöpfungsbreite x_n bei abnehmender Drain-Dotierung N viel grosser als für die Struktur nach Fig. 3 (Kurve III) und wird diese schnell durch die verfügbare Länge der Zone 6 (von 5/um) beschränkt.

Veiter stellt sich heraus, dass, je nachdem die Drain-Dotierung N_n herabgesetzt wird, der Spitzenwert des elektrostatischen Feldes, das zu der Erschöpfungsschicht 18 gehört, sich entlang der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Isolator von dem an das Kanalgebiet k grenzenden Rand der Drain-Zone 6 bis zu dem Rand der Gate-Elektrode 5 iⁿ der Nähe der Widerstandsschicht 16 verschiebt.

Fig. 5 zeigt die Ergebnisse von Berechnungen, bei denen die Drain-Durchschlagspannungen V_n^ bei verschiedenen Dotierungspeg.eln N_ für dieselben zwei IGFET-Strukturen miteinander .,verglichen werden. Die Ordinate V ist in Volt und die Abszisse N_ wieder in Atomen/cm³ aufgetragen und die Kurven II und III stellen wieder die Strukturen nach Fig. 2 bzw. 3 dar.

Vie aus Fig. 5 ersichtlich ist, weisen, wenn die Dotierung der Drain-Zone hoch ist, die Transistorstruktur nach Fig. 2 sowie die nach Fig. 3 praktisch die gleiche niedrige Durchschlagspannung auf und das Vorhandensein der Widerstandsschicht 16, die zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 angeschlossen ist, übt keinen Effekt auf die Durchschlagspannung aus. Eine Drain-Durchschlagspannung V von nur etwa 20 V kann für eine mittlere

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Dotierung N von 10 Atomen/cm³ erhalten werden und für beide Transistorstrukturen kann dies auf etwa 30 V bei einer mittleren Dotierung N_n von. 2.10 Atomen/cm³ ansteigen. Für niedrigere Werte von N- wird die Änderung der Durchschlagspannung V_n für die zwei Strukturen.wesentlich verschieden,

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wie durch die- Kurven II und III in den Fig. k und 5 veranschaulicht ist. Für die Struktur nach Fig. 3 kann die Durchschlagspannung auf z.B. ^O V bei einer mittleren Dotierung von 5.IO Atomen/cm³ ansteigen, während der entsprechende Wert für die Struktur nach Fig. 2 gemäss der Erfindung aber sogar auf z.B. I30 V ansteigen kann. Diese Ergebnisse zeigen, dass es möglich ist, durch Kombination einer niedrig dotierten Drain-Zone mit einer Widerstandsschicht 16, die zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 angeschlossen ist, die maximale Betriebsspannung der IGFET-Anordnung um nahezu eine Grössenordnung im Vergleich zu dem üblichen IGFET mit einer hoch dotierten (p+- oder n+-)Drain-Zone in der Nähe des Kanalgebietes zu erhöhen. Die hoch dotierte (p+- oder n+-) Drain-Zone einer üblichen IGFET-Anordnung weist einen Dotierungspegel von mindestens 10 oder 10 Dotierungsatomen/cm³ und gewöhnlich einen sehr viel höheren Dotierungspegel auf.

Für niedrigere Werte der Drain-Zonendotierung N_ steigt die Durchschlagspannung der Struktur nach Fig. 3 an und kann endgültig Werten nahe kommen, die mit der Struktur nach Fig.2

*" erreicht werden. Bei einer mittleren Dotierung N_ von 2.10 Atomen/cm³ war auf diese Weise die Drain-Durchschlagspannung für die Struktur nach Fig. 2 gerade über I30 V und für die Struktur nach Fig. 3 etwa 115 V. Diese Ergebnisse zeigen, dass durch Kombination der niedrig dotierten Drain-Zone 6

^ mit einer Widerstandsschicht 16, die zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 angeschlossen ist, der Übergang zwischen den niedrigen und hohen Durchschlag— spannungszuständen bei Drain-Zonendotierungen N erhalten werden kann, die etwa fünfmal höher als bei den IGFET-

3" Anordnungen mit einer Isolierschicht 36 über eine niedrig dotierte Drain-Zone 6 sind; dies bedeutet, dass der Reihenwiderstand, der von dem unerschöpften Teil der Drain-Zone 6 beigetragen wird, für eine Anordnung "nach der Erfindung fünfmal niedriger sein kann.

Da für eine genügend niedrige Dotierung der Drain-Zone 6 die Strukturen der Anordnung nach den Fig. 2 und 3 beide dieselbe hohe Durchschlagspannung erreichen, ist es einleuchtend, dass die Zone 6 an sich dazu dient, das Feld

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in dei- Nähe der Oberfläche zu verteilen, um die höchste Durchschlagspannung des pn-Ubergangs 8, der durch die Gebiete 3 und 11 gebildet wird, erreichen zu können« Neben dieser Funktion liefert die Drain-Zone 6 jedoch freie Ladungsträger für Strömtransport bei niedrigen Werten der Drainspannung. Der minimale Dotierungspegel, auf dem die Drain-Zone 6 ihre feldverringernde Funktion 'auszuüben beginnen wird, ist also für die Stromverarbeitungskapazitäten der Anordnung von entscheidender Bedeutung.

Im Falle der Anordnung nach Fig. 3 ist es möglich., den Gate-Kontakt 15 und den Drain-Kontakt I3 über die Isolierschicht 36 über der Drain-Zone 6 zu erweitern, um Feldplatten zu bilden. Durch passende Wahl der Dicke dieser Isolierschicht 36 und der gegenseitigen Lage der Feldplatten ist es möglich, die Struktur¹ nach Fig. 3 zu optimieren, damit die erreichte Durchschiagsspannung für einen bestimmten Wert für die Dotierung der Drain-Zone maximalisiert wird; dies ist durch die Kurve FP in Fig. 5 angegeben. Bevor aber die Dotierung der Drain-Zone 6 auf die Dotierung abnimmt, die

*" dem hohen Durchschiagspannungszustand der unabgeänderten Struktur nach Fig. 3> die keine Feldplatten enthält, entspricht, liegt, wie gefunden wurde, das Lawinendurchschlaggebiet nach wie vor an der Halbleiter-Isolator-Grenzflache, während die vollständige Durchschlagspannungskapazität des pn-Ubergangs 8, der durch die Gebiete 3 und 11 gebildet wird, nicht erreicht wird.

Aus diesen Ergebnissen geht hervor, dass der Dotierungspegel N_n der Drain-Zone 6 der· an Hand der Fig. 1 und 2 be-

17 schriebenen IGFET-AnOrdnung niedriger als 2.10 Atome/cm³

nn - _

^ou sein soll, um eine Erhöhung der Durchschlagspannung bei den für die anderen Dotierungspegel und Abmessungen des Transistors gegebenen Werten zu erhalten, aber dass dieser Dotierungspegel N_n nicht niedriger als etwa 5.10 Atome/cm³ zu sein braucht, um'die Zunahme des Drainreihenwiderstandes ^J und andere Effekte, die durch die niedrige Dotierung der Drain-Zone 6 eingeführt sind, herabzusetzen. Die richtigen bevorzugten Werte werden selbstverständlich für verschiedene Spezifikationen der Anordnung verschieden sein.

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Vie oben erwähnt wurde, wird die endgültige Grosse der Durchschlagspannung, die bei niedrigen Werten der Drain-Zonendotierung N_n in Fig. 5 erreicht wird, durch. Durchschlag des pn-Ubergangs 8 in der Masse des Halbleiters an dem hoch dotierten Drain-Gebiet 3 bestimmt. Durch einen richtigen Entwurf der Geometrie dieses Gebietes 3 wird diese Durchschlagspannung der eines flachen pn-Ubergangs in der Masse des Halbleiters nahe kommen. Dadurch, dass niedrige Dotiez-ungswerte für die epitaktische Schicht 11 gewählt werden und die Drain-Zone 6 passend verlängert wird, können sogar höhere ¥erte der höchstmöglichen Durchschlagspannung erzielt werden.

Der IGFET nach den Fig. 1 und 2 kann unter Verwendung der bekannten Techniken hergestellt werden. Die p-leitende epitaktische Schicht 11 kann eine Netto-Akzeptorkonzentration von z.B. 10 ^J Dotierungsatomen/cm³ aufweisen, was einem spezifischen Widerstand von etwa 10-O*. cm entspricht. Die Source- und Drain-Gebiete 2 bzw. 3 können durch Donatordiffusion, z.B. von Phosphor oder Arsen, gebildet werden und können eine Oberflächenkonzentration von z.B. 10 Donatoratomen/cm³ aufweisen. Die niedrige Dotierungskonzentration der Drain-Zone 6 kann durch Implantation von z.B. Phosphox-- oder Ax-senionen erzeugt werden und erwünschtenfalls kann die implantierte Donatordosis danach etwas in die Schicht 11 eindiffundiert werden, um für die Zone 6 die gewünschte Tiefe und Donatorkonzentration zu erhalten. Vorzugsweise ist die mittlere Donatorkonzentration N der Zone 6 höchstens 10 Dotierungsatome/cm³ und kann diese z.B. etwa 5·10 Atome/cm³ betragen; die Dicke der Zone 6 kann z.B. 0,5/um sein. Die Steuerisolierschicht 1 kann z.B. aus thermisch angewachsenem Siliziumoxid hergestellt werden und kann eine Dicke von z.B. 0,1 /um aufweisen. Die Gate-Elektrode 5 kann z.B. aus polykristallinem Silizium bestehen, das mit Donatoratomen dotiert ist, um eine hohe Leitfähigkeit zu erhalten.

Die Source-, Drain- und Gate-Elektrodenanschlüsse 12, 13 bzw. 15 können z.B. aus Aluminium hergestellt werden.

In der Struktur nach den Fig. 1 und 2 ist die Widerstandsschicht 16 erzeugt, ehe die Aluminiumschichten 12, 13

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und 15 gebildet werden. Die Schicht 16 kann z.B. aus polykristallinem Silizium bestehen. Das polykristalline Silizium • kann mit Sauerstoff, z.B. mindestens 2 At.$ Sauerstoff, dotiert sein und damit einen spezifischen Widerstand von mehr als· 10 -iL-.cm aufweisen. Die Schicht 16 kann aber auch als eine '" polykristalline Siliziumschicht" ausgebildet werden, die entweder undotiert oder sehr niedrig mit Akzeptoren oder Donatoren dotiert ist; auch kann sie aus anderen Widerstandsmaterialien hergestellt werden; in diesem Falle wird ihr spezifischer Widerstand im allgemeinen weniger als 10 JL .cm betragen. Die Schicht 16 soll vorzugsweise einen hohen Widerstandswert über ihre Lange aufweisen, um Leckströme zwischen der Gate-Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 zu verringern. Für eine Widerstandsschicht 16 aus undotiertem polykristallinem Silizium kann die Schicht z.B. eine Dicke von 0,6 /um und einen Widerstand von z.B. mehr als 2.10 M~ zwischen der Gate— Elektrode 5 und der Drain-Elektrode 13 aufweisen. Im Falle eines Materials mit einem hohen spezifischen Widerstand, z.B. bei mit Sauerstoff dotiertem polykristallinem Silizium, kann der Teil der Isolierschicht lh, der die Widerstandsschicht 16 von der Zone 6 trennt, weggelassen wex'den, ohne dass die Leckströme zwischen der Steuerelektrode 5 und der Drain-Elektrode 6 erheblich erhöht werden.

Der auf der Source-Seite der Gate-Elektrode 5 dargestellte Schichtteil 26 kann gleichfalls aus mit Sauerstoff dotiertem polykristallinem Silizium bestehen, das zugleich mit der Widerstandsschicht 16 niedergeschlagen wird, und kann in der endgültigen Struktur der Anordnung sogar eine ununterbrochene Schicht mit dem Teil 16 bilden. Erwünschtenfallskann dieser Schichtteil 26 aber z.B. aus niedergeschlagenem Siliziumoxid bestehen. Der Schichtteil 26 wird · sich im allgemeinen auch über die Feldteile der Obex^fläche jenseits des aktiven Gebietes der Anordnung erstrecken. Es dürfte einleuchten, dass im Rahmen der Erfindung viele Abwandlungen möglich sind. Wenn z.B. die Widerstandsschicht 16 aus polykristallinem Silizium hergestellt wird, das undotiert oder nur schwach mit Donatoren oder Akzeptoren dotiert ist, kann diese als eine einzige ununterbrochene

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Schicht mit der Gate-Elektrode 5 gebildet werden, wobei der Widerstandsschichtteil dieser Schicht während der Dotierting des Gate-Elektrodenteils maskiert wird; eine derartige Abwandlung zeigt Fig. 6.

Statt aus einer Drain-Zone 6, die sich lateral von einem tieferen Drain-Gebiet 3 zu dem Kanalgebiet 4 erstreckt, kann die Drain—Zone 6 aus einem Teil des Halbleiterkörpers mit einem hohen spezifischen Widerstand bestehen, in dem dotierte Gebiete zur Bildung eines höher dotierten Drain-Gebietes 3 und des Kanalgebietes h vorhanden sind. Eine derartige Anordnung ist in Fig. 6 dargestellt. In diesem Falle können das Source-Gebiet 2 und das Gebiet vom entgegengesetzten Leitungstyp, das das Kanalgebiet h bildet, durch Dotierungsdiffusionen über dasselbe Fenster in einer Diffusionsmaske gebildet werden und auf diese Weise wird eine sehr geringe Kanallänge erhalten. Da der Hauptteil des Körpers nun die Drain-Zone 6 bildet, muss er selbstverständlich nicht durch die Elektrode 12 zu dem Source-Gebiet 2 kurzgeschlossen werden, Fig. 6 zeigt auch eine Abwandlung, in der der Gate-Elektrodenanschluss 15 und die Drain-Elektrode 13 über einen kurzen Abstand zueinander hin über die Drain-Zone 6 und in Kontakt mit der Widerstandsschicht 16 erweitert sind. In diesem Falle können sie als kurze Feldplatten an einander gegenüber liegenden Enden der Potentialverteilung in der Widerstandsschicht 16 dienen; die Widerstandsschicht 16 verhindert nun das Auftreten schroffer Unterbrechungen im elektrischen Feld unter dem Rand dieser kurzen Feldplatten sowie eine ähnliche Wirkung wie die .der vorhergehenden Ausführungsform.

Obwohl nur n-Kanal-IGFET-Anordnungen vom Anreicherungstyp dargestellt sind, kann die Erfindung auch bei p-Kanal-Anordnungen und bei Anordnungen vom Verarmungstyp verwendet werden. Der IGFET nach Fig. 1 und 2 kann Abmessungen und Dotierungspegel aufweisen, die für Betrieb bei Hochfrequenzleistungsanwendungen geeignet sind-. Die Erfindung kann auch für IGFET-AnOrdnungen in integrierten Schaltungen angewandt werden.

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Obgleich, sich in den IGFET-Anordnungen nach, den Fig. 1 , 2 und 6 das Kanalgebiet h waagerecht und parallel zu einer Hauptoberflache 21 des Halbleiterkörpers 1 erstreckt, können erwünschtenfalls Feldeffekttransistoren nach der Erfindung durch eine vertikale Source-Kanal-Drain-Konfigtiration in einem Halbleiterkörper und mit dem Kanalgebiet K gebildet werden, das sich parallel zu z.B. einer Seitenwand einer sich in der Oberfläche des Körpers befindenden Nut erstreckt,

Yie oben bereits erwähnt wurde, lässt sich die Erfindung ebenfalls bei anderen Feldeffektänordnungen als Transistoren, z.B. bei ladungsgekoppelten Anordnungen, anwenden.

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE

1 i Feldeffektariordnung mit einem Halbleiterkörper mit einem Kanalgebiet, einer an das Kaiialgebiet grenzenden Drain-Zone, einer Drain-Elektrode, die elektrisch mit der Drain-Zone verbunden ist, einer Gate-Elektrode, die über dorn Kanalgebiet liegt und von diesem Gebiet durch eine Sperrschicht getrennt und mit einem Anschlussleiter versehen ist, damit die Gate-Elektrode unabhängig von der Drain-Elektrode vorgespannt werden kann, um einen Strom von Ladungsträgern durch das genannte Kaualgebiet zu steuern, und mindestens einer Feldelektrode, die mit der genannten Gate-Elektrode verbunden ist und sich über die Drain-Zone in Richtung der genannten Drain-Elektrode erstreckt, wobei die Drain-Zone eine derart niedrige Dotierung aufweist, dass das elektrostatische Feld, das am Rande der genannten

la niedrig dotierten Drain-Zone an der Oberfläche in der Nähe des Kanalgebietes atiftritt, von der Feldelektrode herabgesetzt werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Feldelektrode eine Widerstandsschicht enthält, die sich über die niedrig dotierte Drain-Zone erstreckt und sich elektrisch, der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode anschliesst.
2. Feldefi'ektanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierungskon'zen Lration der niedrig dotierten Drain-Zone weniger als 2.10 Atome/ein³ beträgt.

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3. Feldeffektanordnung nach. Anspruch 1 oder 2, daduz'ch gekennzeichnet, dass die Dotierungskonzentration der niedrig dotierten Drain-Zone mehr als 2.10 Atome/cm³ beträgt. h. Fe.l deff ektanordnung nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Dotierungskonzentration
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höchstens 10 Atome/cm- beträgt.
5. Feldeff'ektanOrdnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Isolierschicht auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers vorhanden ist, um die niedrig dotierte Drain-Zone von der genannten Widerstandsschlcht zu trennen.
6. Feldeffektanordnung nach Anspruch. 5» dadurch gekennzeichnet, dass die genannte Isolierschicht auch das Kanalgebiet von der Gate-Elektrode trennt und unter der Wider-Standsschicht und unter der Gate-Elektrode praktisch, die gleiche Dicke aufweist.
7· Feldeffektanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstar.dsscliicht und die Gate-Elektrode Teile enthalten, die aneinander grenzen, wobei einer der genannten Teile auf dem anderen liegt.
8. Feldeffektanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vfiderstandsschicht und die Drain-Elektrode aneinander grenzende Teile enthalten, wobei einer der gemmnten Teile auf dem anderen Teil liegt.

9. Feldeffektanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die niedrig dotierte Drain-Zone eine höhere Dotierungskonzentration als das Kanalgebiet aufweist.

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