DE2610705B2 - Saure galvanische kupferbaeder - Google Patents
Saure galvanische kupferbaederInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
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Description
(Vc1H2-N- CH2—CH2)2 — NH -C — NH
S=C-S-(CH2),-SO1II S
oder II
/ X-NH-C-NH-CH2-CH2
= N —C—S-(CH2)j—SQ,H
S
S
in Mengen von 2 bis 20 mg/1 und weiterhin einen
Zusatz von 1 bis 20 mg/1 von Thioharnstoffderivateii
der Formel III
^-N-C-NHR3
wobei
R1 = H1-OII1-NO2;
R2=H1-CH11-C2H5;
Rj=H1-CHj1-C2H,
oder Phenylrest bedeuten, enthalten.
2. Saure galvanische Kupferbäder gemäß An
2·> spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daü sie al:
nichlionogenes Netzmittel Umsetzungsproduktc von 5 bis 20 Mol Propylenoxid mit Polyalkoholei
oder Alkanolaniinen mit mindestens 3 Hydroxyl gruppen im Molekül, die einen Trübungspunkt über
55°C aufweisen, enthalten.
Aus der deutschen Patenischrift 11 46 322 sind saure J5
galvanische Kupferbäder üblicher Zusammensetzung mit einem Gehalt an organischen Sulfonsäuren oder
deren wasserlöslichen Salzen, die im Molekül wenigstens einen Thioharnstoffrest und wenigstens einen
Dithiocarbaminsäurerest besitzen sowie nichtionogene Netzmittel enthalten, bekannt.
Gegenstand der Erfindung ist eine Verbesserung der sauren galvanischen Kupferbäder gemäß Patent
11 46 322, die den Vorteil haben, daü die Ansatzkonzentrationen erheblich verringert werden können und die
sonstigen Badeigenschaften noch weiter verbessert werden.
Die verbesserten sauren galvanischen Kupferbäder gemäß Patent 11 46 322 sind dadurch gekennzeichnet,
daß sie als Sulfonsäuren eine Verbindung der Formel I
* ^-CH2-N-CH2-CH2J2-NH-C-NH-^
S=C-S-(CH2J3-SQjH S
oder 11
NH-C-NH-CH2-CH2
= N—C—S — (CH2)j—SO3H
in Mengen von 2 bis 20 mg/I sowie einen weiteren Zusatz von I bis 20 mg/1 an Thiohamsloffderivaten der
Formel III
-C-NHR3
Rl
R,
R1 = H1-OH1-NO2;
R1=H1-CHj1-C2H5;
Rj=H1-CH31-C2H5
oder Phenylrest bedeuten, enthalten.
b5 Die Herstellung der verwendeten Sulfonsäuren bzw. Sulfonate und Thioharnstoffderivate erfolgt nach
bekannten Methoden. Die genannten Sulfonsäuren der Formel I und Il werden entweder in Form ihrer Säuren
oder wasserlöslichen Salze vorzugsweise in Mengen von 3 bis 10 mg/1 als Zusatz zu den galvanischen
Kupferbädern üblicher Zusammensetzung verwendet. Der Zusatz an den Thioharnstoffderivaten der vorgenannten
Formel Hl, wobei vorzugsweise N-Methyl-N-Phenylthioharnstoff
eingesetzt wird, beträgt vorzugsweise 2 bis 6 mg/1. Dies stellt einen außerordentlich
geringen Zusatz insgesamt dar, wenn man berücksichtigt, daß nach dem DBP 11 46 322 vorzugsweise 100 bis
300 mg Sulfonsäure in 1 1 Badflüssigkeit enthalten sind.
Eine vorzugsweise Ausführungsform der neuen,
sauren galvanischen Kupferbäder mit den obengenannten Zusätzen besteht darin, daß sie als nichtionogencs
Netzmittel Umsetzungsprodukte von 5 bis 20, vorzugsweise 10 bis 15 Mol Propylenoxid mit Polyalkoholen
oder Alkanolamine^ mit mindestens 3 Hydroxylgruppen im Molekül, die einen Trübur.gspunkt iiher 55°
aufweisen, enthalten. Die Menge an den genannten Net/.mitteln beträgt im allgemeinen 0,5 bis 5 g/l. Für die
obengenannten Zwecke geeignete Netzmittel sind
beispielsweise
Polyglycerin -i-10 Mol Propylenoxid
Polyglycerin + 5 Mol Äthylenoxid
Polyglycerin + 5 Mol Äthylenoxid
sowie 10 Mol Propylenoxid
Dipentaerythrit + 15MoI Propylenoxid
Glycerin + 15MoI Propylenoxid
Glycerin + 10 Mol Äthylenoxid
Dipentaerythrit + 15MoI Propylenoxid
Glycerin + 15MoI Propylenoxid
Glycerin + 10 Mol Äthylenoxid
sowie 10 Mol Propylenoxid
Triälhanolamin -f 10 Mol Propylenoxid 2i>
Triälhanolamin -f 10 Mol Propylenoxid 2i>
Da der Trübungspunkt hauptsächlich von der Konstitution des Netzmittels und seiner Konzentration
und weniger von der Badzusammensetzung abhängt, wird er dahingehend definiert, daß unter den Badbedin- 2r>
gungen bei einer Badtemperatur unterhalb von 55°C keine Ausfällungen des Netzmittel erfolgen.
Die auf die beschriebene Weise hergestellten sauren Kupferglanzbäder ergeben auch im Dauerbetrieb bei
50"C einwandfrei glänzende und eingeebnete Kupferniederschhige.
Neben der breiten Temperaturtoleranz zeichnet sich die neue Badzusammensetzung durch eine
sehr geringe Ansatzkonzentration des Glänzers und Einebners sowie durch ihren geringen Verbrauch aus.
Die angewendeten organischen Zusätze liefern keine störenden Abbauprodukte, so daß eine für übliche saure
Glanzelektrolyte notwendige Aktivkohlereinigung entfällt. Der Verbrauch an Zusätzen steigt nicht im Laufe
der Alterung des Bades an. Die Eigenschaften des Elektrolyten bleiben konstant. Das saure Kupferbad
kann ferner mit oder ohne Luftbewegung betrieben werden, was sonst mir bei Verwendung verschiedener
Tenside möglich ist.
Beispiel 1
Zu einem sauren Vcrkupferungsbad, enthaltend
Zu einem sauren Vcrkupferungsbad, enthaltend
210 g/l Kupfersulfat krist.
90 g/l konz. Schwefelsäure
100 mg/1 Cl
90 g/l konz. Schwefelsäure
100 mg/1 Cl
1 g/l Anlageriingsprodukt von 15MoI
Propylenoxid an üipentaerythrii,
Propylenoxid an üipentaerythrii,
werden 6 mg/l der Verbindung der Formel I sowie 2 mg/1 Phenylthioharnsloff hinzugefügt.
Man erreicht in diesem Elektrolyten glänzende Haue
Kupferüberzüge auch im Stromdichtebereich von 1 bis 8 A/dm- und Temperaturen bis 45"C. Das Einebnungsvermögen
betrug bei Anhngsrauhtiefe von ca. 0.8 μιη
und einer ca. 22 μιη dicken Kiipfcrauflagc etwa 601Mi.
Zu einem sauren Verkupfcrungsbad enthaltend
220 g/l Kupfersulfat krist.
80 g/l kon/. Schwefelsäure
80 mg/ICl -
1,5 g/l Anla^erungsprodukt von 5 Mol Äthylcn-
und 10 Mol Propylenoxid an Glycerin
und 10 Mol Propylenoxid an Glycerin
werden 4 mg/1 der Verbindung der Formel Il in Form
des Natriutnsalzes sowie 2 mg/1 N-Methyl-N-Phcnylthioharnstoff
hinzugefügt.
Diese Zusammensetzung ergibt bei Stromdichten von 1 bis 8 A/dm2 und Temperaturen bis 50"C ebenfalls
glatte, glänzende Kupferüber/.üge mit 85% Einebnung bei Anfangsrauhtiefe von 0,8 μΐπ und 25 μπι Kiipferauflage.
Der Verbrauch an Zusätzen steigt nicht im Laufe der Alterung des Bades an. Die für übliche saure
Glanzelektrolyte erforderliche Aktivkohlcrcinigiipe
entfällt.
Claims (1)
1. Saure galvanische Kupferbäder üblicher Zusammensetzung
mit einem Gehalt an organischen 'uronsäuren oder deren wasserlöslichen Salzen, die
im Molekül wenigstens einen Thioharnstoffrest und wenigstens einen Dilhiocarbaminsäurerest besitze
sowie nichtionogenen Netzmitteln nach Pater 11 46 322, dadurch gekennzeichnet, da
sie als Sulfonsäure eine Verbindung der Formel I
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762610705 DE2610705C3 (de) | 1976-03-13 | 1976-03-13 | Saure galvanische Kupferbäder |
FR7707251A FR2343828A1 (fr) | 1976-03-13 | 1977-03-11 | Bains galvaniques acides de cuivrage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762610705 DE2610705C3 (de) | 1976-03-13 | 1976-03-13 | Saure galvanische Kupferbäder |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2610705A1 DE2610705A1 (de) | 1977-09-22 |
DE2610705B2 true DE2610705B2 (de) | 1978-02-02 |
DE2610705C3 DE2610705C3 (de) | 1978-10-19 |
Family
ID=5972410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762610705 Expired DE2610705C3 (de) | 1976-03-13 | 1976-03-13 | Saure galvanische Kupferbäder |
Country Status (2)
Country | Link |
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US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
EP2507824A4 (de) | 2009-11-30 | 2013-09-25 | Basf Se | Verfahren zur entfernung einer materialmasseschicht von einem substrat und chemisch-mechanisches reinigungsmittel für dieses verfahren |
US9028708B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-05-12 | Basf Se | Process for removing a bulk material layer from a substrate and a chemical mechanical polishing agent suitable for this process |
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WO2012032469A1 (en) | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrate materials for electrical, mechanical and optical devices |
CN103080256B (zh) | 2010-09-08 | 2015-06-24 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的衬底的含水抛光组合物和方法 |
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EP2684213A4 (de) | 2011-03-11 | 2014-11-26 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von basiskontaktlöchern für wafer |
-
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- 1976-03-13 DE DE19762610705 patent/DE2610705C3/de not_active Expired
-
1977
- 1977-03-11 FR FR7707251A patent/FR2343828A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
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FR2343828A1 (fr) | 1977-10-07 |
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