DE1004880B - Saures Bad zur Herstellung galvanischer Kupferueberzuege - Google Patents

Saures Bad zur Herstellung galvanischer Kupferueberzuege

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DE1004880B
DE1004880B DEU2202A DEU0002202A DE1004880B DE 1004880 B DE1004880 B DE 1004880B DE U2202 A DEU2202 A DE U2202A DE U0002202 A DEU0002202 A DE U0002202A DE 1004880 B DE1004880 B DE 1004880B
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copper
thiourea
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janus
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Richard A Fellows
Edwing Wellington
Henry Brown
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Udylite Corp
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Udylite Corp
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    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
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  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft die elektrolytische Abscheidung von Kupfer aus einem wäßrigen sauren Bad und insbesondere die Anwendung bestimmter Zusatzmittel für die wäßrigen sauren Bäder.
Hauptgegenstand der Erfindung ist die Erzeugung von elektrolytischen Kupferabscheidungen mit hohem Metallglanz und großer Leuchtkraft unmittelbar aus dem galvanischen Bad, ohne daß Polieren notwendig wäre.
Ein weiterer Gegenstand ist die Erzeugung von elektrolytischen Kupferniederschlägen, die gute Nivelliereigenschaften besitzen, d. h. die eine glatte Oberfläche auch dann ergeben, wenn sie auf Gegenstände aufgebracht werden, die vom Polieren her Schrammen oder Kratzer aufweisen.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer vorgeschlagen, bei dem eine wäßrige Lösung elektrolysiert wird, die ein oder mehrere Kupfersalze, z. B. Kupfersulfat und Kupfernitrat, und ferner Zusatzmittel enthält, die den Glanz und die Leuchtkraft des galvanisch gefällten Kupfers zu verbessern vermögen, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß die Elektrolyse bei gleichzeitiger Anwesenheit von Thioharnstoff und/oder einem stubstituierten Thioharnstoff und einem oder mehreren Safraninen, z. B. Phenosafranin, Tolusafranin, Mauvein usw. und/oder einer oder mehrerer Safraninderivate der Formel A
in der R1 und R2 Wasserstoff, Methyl oder Äthyl, X ein Anion, wie Chlorid, Bromid, Jodid, Fluorid, Sulfat, Bisulfat oder Nitrat, und Z ein aromatischer Rest bedeuten, der Phenyl, Naphthyl oder ein durch aminoalkylsubstituierte Amino-, Oxy- oder Alkoxygruppen substituierter Phenyl- oder Naphthylrest sein kann, durchgeführt wird.
In der obigen Formel A ist das dort angegebene Anion X verhältnismäßig unwichtig; außer den im vorigen Absatz genannten Anionen könnte es auch ein organisches Anion, ζ. B. Formiat, Acetat, Propionat usw., sein. Die Verbindungen der obigen Formel sind, wenn sie einem sauren Kupferbad zugesetzt werden, hochionisierte Verbindungen; dabei liegt dann das Anion X im Gemisch mit den anderen Anionen des Bades, z. B. dem Sulfat-, dem Nitration usw., vor.
Saures Bad zur Herstellung galvanischer Kupferüberzüge
Anmelder:
The Udylite Corporation, Detroit,
Mich. (V. St. A.)
ίο Vertreter: Dr.-Ing. H. Ruschke, Berlin-Friedenau,
und Dipl.-Ing. K. Grentzenberg, München 13,
Ainmillerstr. 26, Patentanwälte
Beanspruchte Priorität:
1S V. St. v. Amerika vom 26. Mai 1952
Richard A. Fellows, Grosse Pointe, Mich.,
Edwing Wellington, Hoover,
und Henry Brown, Huntington Woods, Mich. (V. St. A.), sind als Erfinder genannt worden
Bei alleiniger Anwendung von Thioharnstoff treten zahlreiche Nachteile auf, zu denen Sprödewerden der Platte selbst bei niedrigen Konzentrationen, verhältnismäßig enger Bereich der Stromdichten, innerhalb dessen Metallglanz erreicht wird, die Notwendigkeit einer niedrigen Arbeitstemperatur usw. gehören. Wenn man die durch Formel A dargestellten Verbindungen allein anwendet, kann man keinen glänzenden bzw. leuchtenden Niederschlag erzeugen. So bringt die alleinige Anwendung des alsDiäthyltolusafraninazodimethylanilin bezeichneten Farbstoffes in einem sauren Kupfersulfatbad bei optimaler Konzentration über einen weiten Bereich der Stromdichte einen feinkörnigen Niederschlag hervor, bei dem jedoch Metallglanz und Leuchtkraft nicht die besten sind. Elektrolytniederschläge aus Kupfersulfatbädern, die Thioharnstoff enthalten, sind in allen Gebieten matt, in denen die Stromdichte niedrig oder mittelmäßig war. Sie sind in ähnlicher Weise matt, wenn sie aus Bädern hergestellt werden, die bei Temperaturen über etwa 24° arbeiten. Es wurde nun überraschenderweise entdeckt, daß die Verwendung beider genannter Mittel gemeinsam bessere Elektrolytniederschläge sowohl hinsichtlich Aussehen als auch hinsichtlich der Nivelliereigenschaften ergibt, wobei die Bedeutung der Arbeitsbedingungen des Bades obendrein noch geringer wird, als wenn man jedes Mittel allein verwendet.
Wenn bei der praktischen Durchführung diese beiden Verbindungen zusammen angewandt werden, wird ein glänzenderer Überzug über einen weiten Stromdichte-
609 840/373
bereich erhalten, der eine Dicke von ungefähr 0,015 bis 0,025 mm hat. Außerdem ist die Konzentration der Thioharnstoffe weniger wichtig, und es können Badtemperaturen von 30 bis 35° C angewandt werden, um einen wirklich hochglänzenden Niederschlag zu erzeugen, der nicht poliert zu werden braucht, wie das bei der Herstellung von Glanzchromüberzügen notwendig ist. Die gemäß der Erfindung erhaltenen galvanischen Niederschläge sind genau mit solchen verglichen worden, die aus Bädern mit Thioharnstoff und anderen Zusatzmitteln, wie z. B. Melassen, Dextrin und gewissen Netzmitteln hergestellt werden. Die Wirkung, die durch diese Zusatzmittel erreicht wird, ist der erfindungsgemäßen weit unterlegen. Es werden Kupferniederschläge erhalten, die den hohen Glanzgrad aufweisen, der zur Erzeugung eines Glanzchromüberzuges unmittelbar auf der Kupferschicht notwendig ist. Noch bessere Ergebnisse werden jedoch erhalten, wenn man einen Glanznickelüberzug direkt auf der Kupferschicht in ihrer unbehandelten und unpolierten Form, niederschlägt und dann diese Glanznickelschicht mit Chrom überzieht. Selbst sehr dünne Glanznickelniederschläge mit Dicken im Bereich von ungefähr 0,0025 bis 0,005 mm, die direkt auf dem unpolierten Kupfer, das gewöhnlich eine Dicke von 0,015 bis 0,018 mm hat, aufgebracht werden, haben einen Glanz, der dem ähnelt, den dicke Schichten von Glanznickel von z. B. 0,025 bis 0,037 mm, die direkt auf Stahl oder andere Metalloberflächen aufgebracht wurden, bei vergleichbaren anfänglichen Oberflächenbedingungen aufweisen.
Beispiele für die Zusatzmittel obiger Formel A, die erfindungsgemäß und in den angegebenen Mengenverhältnissen angewandt werden können, sind in Tabelle 1 zusammengestellt.
Tabelle
Konzentration
g/l
Bevorzugte
Konzentration
g/l
H3C
N(CH3),
Diäthyltolusafraninazodimethylanilin — Janusgrün B
•χ κ\ s—^
Diäthyltolusafraninazophenol — Janusschwarz
H,C
H2N
OH
Tolusafraninazonaphthol — Janusblau Janusgrau (Schultz, Nr. 284)
Dimethyltolusafraninazodimethylanüin
0,0015 bis 0,05
0,0015 bis 0,05
0,0015 bis 0,05
0,0015 bis 0,05
0,0015 bis 0,05
0,015
0,015
0,015
0,015
0,015
Mit Erfolg können auch Mischungen der in Tabelle 1
genannten Farbstoffe angewandt werden. Dabei muß
jedoch beachtet werden, daß die Gesamtkonzentration
der Farbstoffmischung in dem wäßrigen sauren Bad ungefähr etwa der Konzentration der in Tabelle 1 angegebenen Einzelkomponente entspricht. Im allgemeinen
genügen Farbstoffkonzentrationen im Bereich von 0,005
bis 0,04 g/l.
Schwefelverbindungen, die zusammen mit einer Verbindung der Formel A oder Mischungen solcher in den
angegebenen allgemeinen Bereichen benutzt werden
können, sind in Tabelle 2 zusammengestellt.
TabeUe 2
H2N
^C = S
H2IT
Thioharnstoff
Konzentration
Bevorzugte
Konzentration
1. O H
Il I
0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
CH3C-N
^)C = S
H2N
N-Acetylthioharnstoff
2. O H 0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
CH3CH2C-N
> = s
N-Propionylthioharnstoff
3. O H
Il I
0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
Il I
CF3-C-N
^C = S
H2N^
N-Trifluoracetylthioharnstoff
4. O H
Il I
0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
C2F8C-N
^)C-S
H2N^
N-Pentafluorpropionylthioharnstoff
5. HC CH O H
!I Il Il
0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
Il Il Il
HC C —C—N.
V )c = s
H2N
N-Furfuroylthioharnstoff
6. H 0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
CH3-N
^C = S
CH3-N^
7. H
DimethylthioharnstofE
0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
HOH
I Il I
I Il I
NC —C—C-N
/C = S
H H2N X
Cyanacetylthioharnstofi
8. 0,001 bis 0,05 0,002 bis 0,015
Mischungen der Schwefelverbindungen in Tabelle 2 können zusammen mit einer oder mehreren Verbindungen in Tabelle 1 angewandt werden. Bei Benutzung derartiger Gemische soll die Gesamtmenge der Mischung im Bereich von etwa 0,001 bis 0,05 g/l liegen.
An Stelle der durch Formel A dargestellten Verbindungen ist es möglich, Safranine in Verbindung mit den Thioharnstoffen zu verwenden, um erhöhten Glanz bei den Kupferniederschlägen zu erhalten. Der Glanzgrad und die Nivellierwirkung sind jedoch nicht so hoch wie diejenigen, die bei Anwendung der durch Formel A dargestellten Verbindungen zusammen mit den Harnstoffen aus Tabelle 2 erhalten werden. Gemische der Safranine mit den durch Formel A dargestellten Verbindungen geben bei Anwendung zusammen mit den Thioharnstoffen ebenfalls Kupferniederschläge von hoher Leuchtkraft. Beispiele für Safranine, die die Leuchtkraft von Kupferniederschlägen erhöhen, wenn man sie in Verbindung mit den Thioharnstoffen der Tabelle 2 oder in Mischung mit einer der durch Formel A dargestellten Verbindungen und den Thioharnstoffen der Tabelle 2 benutzt, sind in Tabelle 3 genannt. Wenn ein Safranin oder ein Safraningemisch in Verbindung mit einer Verbindung der Tabelle 2 angewandt wird, soll die Konzentration des Safranine bzw. der Safranine zwischen etwa 0,002 bis 0,03 g/l und vorzugsweise zwischen 0,003 und 0,01 g/l liegen. Bei der Mischung mit den Verbindungen der Formel A und den Verbindungen der Tabelle 2 werden die Safranine vorzugsweise in geringerer Menge angewandt, z. B. 0,003 g/l Safranin in Mischungen mit 0,012 g/l Janusgrün B und 0,003 g/l N-Propionylthioharnstoff.
HN
NH5,
er
Mauvein
(C2H5)2N
Diäthyltolusafranin
CH3
NH5
er
(CH3)
Dimethyltolusafranin
er
TabeUe 3
NH,
er
Phenosafranin
CH,
NH9
er
Tolusafranin
(CH3)
Fuchsia
NH,
er
Eine etwas höhere Lebensdauer des Bades wird erreicht, wenn man N-Trinuoracetylthioharnstoff und N-Propionylthioharnstoff in Konzentrationen zwischen 0,006 und 0,015 g/l anwendet. Aus diesem Grunde sind diese Verbindungen bevorzugt. Außergewöhnliche Ergebnisse sind mit der Kombination von Janusgrün B in Konzentrationen von 0,006 bis 0,015 g/l und N-Trifluoracetylthioharnstoff und N-Propionylthioharnstoff in Konzentrationen von 0,006 bis 0,015 g/l erhalten worden.
Bevorzugt wird eine Konzentration an Chlorid bzw. Bromid oder Jodid von etwa 0,003 bis 0,020 g/l in der Lösung aufrechterhalten. Wenn X ein Fluor-, Sulfat-, Bisulfat- oder Nitration ist, müssen Chlorid-, Bromid- oder Jodidionen vorzugsweise in einer etwa 0,003 bis 0,020 g/l Chlorid äquivalenten Menge zusätzlich anwesend sein. Wie anfänglich ausgeführt, enthält die Lösung, die eine Verbindung enthält, in der X ein anderes Halogen als Fluor ist, wenigstens die bevorzugte minimale Halogenidkonzentration; gewöhnlich zieht man es aber vor, das Halogenid während der Anwendung zu ergänzen, um die Mindestkonzentration von etwa 0,003 g/l aufrechtzuerhalten.
Die Zusammensetzung des sauren Kupferbades kann in ziemlich weiten Grenzen variieren, obwohl das beste Feinstkorn, die größte Leuchtkraft usw. durch die folgende Zusammensetzung erhalten wird.
(C2H5)2N
Amethystviolett
N(C2H6)2
er
6ο CuSO4-5H2O ..
H2SO4
Konzentration
g/i
Bevorzugte
Konzentration
150 bis 250 g/l
10 bis 30 g/l
170 bis 200 g/l
15 g/l
6g Zu den bevorzugten Arbeitsbedingungen für Bäder mit den in Tabelle 1 genannten Zusatzmitteln in den jeweiligen Mengen gehören kontrollierte Temperaturen, Badbewegungen und Kathodenstromdichten. Die Badtemperaturen können z. B. zwischen 17 und 40° C Hegen.
Temperaturen über 40° C neigen dazu, den Glanz des
9 10
Niederschlages herabzusetzen. Bewegung der Kathode Beispiel III
und vorzugsweise eine gleichförmige Luftbewegung sind CuSO4 · 5 H2O 200,0 g/l
erwünscht. Kathodenstromdichten von ungefähr 1 bis NH4NO3 20,0 bis 30,0 g/l
10 Amp./qdm können mit Erfolg benutzt werden, wobei H2SO4 15,0 g/l
die spezielle Stromdichte in erster Linie von der Be- 5 Janusgrün B 0,015 g/l
wegung des Kathodenfilms und der Gestalt des zu N-Propionylthioharnstoff 0,001 g/l
galvanisierenden Gegenstandes abhängt. Im allgemeinen Temperatur 21 bis 35° C
wird eine mittlere Kathodenstromdichte von ungefähr Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm
3 bis 5 Amp./qdm angewandt. Luftbewegung
An Stelle der Schwefelsäure können Salpeter- oder io .
Phosphorsäure in ungefähr gleichen Mengen angewandt Beispiel IV
werden. Außerdem können weitere Ionen aufgenommen Cu(NOg)2 200,0 g/l
werden, die die Leitfähigkeit der Lösung erhöhen, z. B. HNO3 10,0 g/l
Natrium-, Kalium- oder Ammoniumionen. Diese Ionen Janusschwarz 0,010 g/l
sind gewöhnlich nur in geringen Konzentrationen vor- 15 N-(Furfuroyl)-thioharnstoff.... 0,015 g/l
handen. Außerdem kann das Kupfersulfat durch Kupfer- Natriumsalz des sulfatierten
nitrat in ungefähr äquivalenten Mengen ersetzt werden; Monoäthylenglykoläthers des
und beim Ansäuern mit kleinen Mengen Phosphor-, Decylalkohols 0,01 bis 0,03 g/l
Salpeter- oder Schwefelsäure ist klar die Wirkung einer Temperatur 21 bis 35° C
Kornverkleinerung und Glanzerhöhung des Niederschlages 20 Kathodenstromdichte etwa 3 bis 5 Amp./qdm
durch Zusätze kleiner Mengen der in Tabelle 1 genannten Luftbewegung
Verbindungen zu erkennen. Jedoch ist der Grad der
Korngröße, der Verringerung bzw. der Erhöhung des Beispiel V
Glanzes etwas weniger deutlich, als er bei Anwendung CuSO4 · 5 H2O 200,0 g/l
von sauren Bädern hervorgebracht wird, die von Anfang 25 H2SO4 15,0 g/l
an mit Kupfersulfat hergestellt wurden. Im allgemeinen Janusgrün B 0,006 bis 0,015 g/l
kann die Kupfersulfat- oder Kupfernitratkonzentration N-Pentafluorpropionylthioharn-
in dem Bad zwischen der sehr geringen Konzentration stoff 0,02 g/l
von 100 g/l bis hinauf zur Sättigung schwanken. Säure- Natriumsalz des sulfatierten
konzentrationen von mehr als 80 bis 100 g H2SO4 je Liter 30 Monoäthylenglykoläthers des
oder Mengen anderer Säuren, die in der Azidität 80 bis Decylalkohols 0,01 bis 0,03 g/l
100 g H2SO4 je Liter entsprechen, setzen die Glanz- Temperatur 21 bis 35° C
wirkung, die durch Zusatzmittel der Formel A hervor- Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm
gebracht wird, herab und sind deshalb zu vermeiden. Luftbewegung
In den Bädern dieser Erfindung können Netzmittel 35
mit Vorteil in kleinen Mengen angewandt werden. So Beispiel VI
sind z.B. oberflächenaktive Verbindungen, Natrium- CuSO4-5H2O 200,0 g/l
decylsulfat und das Natriumsalz des sulfatierten Mono- H2SO4 15,0 g/l
äthylenglykoläthers des Decylalkohols in kleinen Kon- Janusgrün B 0,05 g/l
zentrationen von etwa 0,01 bis 0,06 g/l insofern wirksam, 40 Dimethylthioharnstoff 0,03 g/l
als sie die Flecken- und Streifenbildung im Metallnieder- Temperatur 21 bis 35° C
schlag, die auf Grund vorhandener schädlicher organischer Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm
Verbindungen oder übermäßiger Mengen der Glanz- Luftbewegung
erzeuger entstehen, herabsetzen. Diese Netzmittel be- Beispiel VII
wirken unter normalen Bedingungen bei Luftbewegung 45 CuSO4 · 5 H2O 200,0 g/l
heftige Schäume. In Gegenwart der Zusatzmittel der H2SO4 15,0 g/l
Tabelle 1 wird diese Schaumbildung jedoch auf ein Diäthyltolusafranin 0,002 g/l
Mindestmaß herabgesetzt. Temperatur 21 bis 35° C
Die folgenden galvanischen Bäder werden zur ein- Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm
gehenden Erläuterung der Erfindung beschrieben. 50 Luftbewegung
Beispiel VIII
Rei,Diel τ CuSO4-5H2O 200,0g/l
ßeispiel l H2SO1 15,0 g/l
CuSO4-5 H2O 200,0 g/l Tolusafranin 0,008 g/l
H2SO4 15,0 g/l 55 Temperatur 21 bis 35° C
Janusgrün B 0,015 g/l Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm
Thioharnstoff 0,010 g/l Natriumdecylsulfat 0,03 g/l
Temperatur 21 bis 35° C Luftbewegung
Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm Aus dem Vorangehenden geht hervor, daß man mit
Luftbewegung 60 Hilfe der Verbindungen, die durch Formel A dargestellt
. · 1 TT werden, insbesondere Janusgrün B, stark glänzende
Ple Kupfer überzüge aus sauren Kupfersulfatbädern bei
CuSO4-5H2O 200,0 g/l Anwendung niedriger Konzentrationen der Thioharn-
H2SO4 15,0 g/l Stoffverbindung erzielen kann, wobei das Sprödewerden
Janusgrün B 0,010 g/l 65 und die durch übermäßige Konzentrationen von Thio-
N-Trifluoracetylthioharnstoff .. 0,006 g/l harnstoffverbindungen verursachte Bildung von Streifen
Natrium-N-decylsulfat 0,01 bis 0,03 g/l und Maserungen verringert wird. Ferner wird auch die
Temperatur 21 bis 35° C Abscheidungsgeschwindigkeit bzw. die Erschöpfung der
Kathodenstromdichte etwa 3 bis 4 Amp./qdm Thioharnstoffverbindungen während der Elektrolyse
Luftbewegung 70 weitgehend verringert, so daß weniger häufige und kleinere
Zusätze an ThiohamstofEverbindungen notwendig sind, um den hohen Metallglanz der Kupferabscheidung beizubehalten.

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Bad zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer, bestehend aus einer sauren wäßrigen Lösung mit einem oder mehreren Kupfersalzen, z. B. Kupfersulfat und Kupfernitrat, und Glanzzusätzen, dadurch gekennzeichnet, daß es einerseits Thioharnstoff und/ oder einen substituierten Thioharnstoff und andererseits ein oder mehrere Safranine, z. B. Phenosafranin, Tolusafranin, Mauvein usw. und/oder ein oder mehrere Safraninderivate der Formel
R,
enthält, in der R1 und R2 Wasserstoff, Methyl oder Äthyl, X ein Anion, wie Chlorid, Bromid, Jodid, Fluorid, Sulfat, Bisulfat oder Nitrat, und Z ein aromatischer Rest bedeuten, der ein Phenyl-, Naphthyl- oder ein durch aminoalkylsubstituierte Amino-, Oxy- oder Alkoxygruppen substituierter Phenyl- oder Naphthylrest sein kann.
2. Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung einerseits 0,001 bis 0,05 g/l Thioharnstoff und/oder substituierten Thioharnstoff und andererseits entweder 0,002 bis 0,03 g/l Safranin oder 0,0015 bis 0,05 g/l einer Verbindung der Formel A oder etwa 0,003 g/l Safranin und 0,0015 bis 0,05 g/l einer Verbindung der Formel A enthält.
3. Bad nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß es als substituierten Thioharnstoff N-Acetyl-, N-Propionyl-, N-Trifiuoracetyl-, N-Pentafluorpropionyl-, N-Furfuroyl-, Dimethyl- oder Cyanacetylthioharnstoff enthält.
4. Bad nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß es als Verbindung der Formel A Janusgrün B, Janusschwarz, Janusgrau, Janusblau oder Dimethyltolusafraninazodimethylanilin enthält.
© 609 840/373 3.57
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NL (2) NL75967C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1214069B (de) * 1957-04-16 1966-04-07 Dehydag Gmbh Galvanische Kupferbaeder
US7872130B2 (en) 2002-12-20 2011-01-18 Atotech Deutschland Gmbh Mixture of oligomeric phenazinium compounds and acid bath for electrolytically depositing a copper deposit

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2805194A (en) * 1955-07-18 1957-09-03 Dayton Bright Copper Company Bright copper plating
US2805193A (en) * 1955-07-18 1957-09-03 John F Beaver Bright copper plating
US3288690A (en) * 1962-04-16 1966-11-29 Udylite Corp Electrodeposition of copper from acidic baths
US3328273A (en) * 1966-08-15 1967-06-27 Udylite Corp Electro-deposition of copper from acidic baths
DE2028803C3 (de) * 1970-06-06 1980-08-14 Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen Polymere Phenazoniumverbindungen
US4376685A (en) * 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
AU554236B2 (en) * 1983-06-10 1986-08-14 Omi International Corp. Electrolyte composition and process for electrodepositing copper
US6709568B2 (en) 2002-06-13 2004-03-23 Advanced Technology Materials, Inc. Method for determining concentrations of additives in acid copper electrochemical deposition baths
US20050067304A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 King Mackenzie E. Electrode assembly for analysis of metal electroplating solution, comprising self-cleaning mechanism, plating optimization mechanism, and/or voltage limiting mechanism
US20050109624A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Mackenzie King On-wafer electrochemical deposition plating metrology process and apparatus
US20050224370A1 (en) * 2004-04-07 2005-10-13 Jun Liu Electrochemical deposition analysis system including high-stability electrode
US6984299B2 (en) * 2004-04-27 2006-01-10 Advanced Technology Material, Inc. Methods for determining organic component concentrations in an electrolytic solution
US7435320B2 (en) 2004-04-30 2008-10-14 Advanced Technology Materials, Inc. Methods and apparatuses for monitoring organic additives in electrochemical deposition solutions
US7427346B2 (en) * 2004-05-04 2008-09-23 Advanced Technology Materials, Inc. Electrochemical drive circuitry and method
US20070261963A1 (en) * 2006-02-02 2007-11-15 Advanced Technology Materials, Inc. Simultaneous inorganic, organic and byproduct analysis in electrochemical deposition solutions
US8691987B2 (en) * 2010-09-24 2014-04-08 Andrew M. Krol Method of producing polymeric phenazonium compounds
CN111074306B (zh) * 2020-01-02 2020-10-27 江苏矽智半导体科技有限公司 用于适合超大电流密度的电镀铜柱溶液及电镀方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2326999A (en) * 1940-03-11 1943-08-17 Harshaw Chem Corp Nickel plating
US2291590A (en) * 1940-03-11 1942-07-28 Harshaw Chem Corp Electrodeposition of metals
USRE24253E (en) * 1948-05-11 1956-12-11 Method of producing a composite liquid

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1214069B (de) * 1957-04-16 1966-04-07 Dehydag Gmbh Galvanische Kupferbaeder
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