DE2361319A1

DE2361319A1 - Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung

Info

Publication number: DE2361319A1
Application number: DE2361319A
Authority: DE
Inventors: Johannes Antonius Andreas Gils; Else Kooi
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1972-12-29
Filing date: 1973-12-08
Publication date: 1974-07-04
Also published as: NL7217783A; US3911471A; JPS524433B2; JPS4999286A; FR2271666A1; FR2271666B1; DE2361319C2; AT356178B; SE390852B; CA1003577A; ATA1085073A; GB1456376A; CH566079A5; IT1000635B; NL161301B; AU6389573A; NL161301C

Description

vm.6686. 12.11.73.

Va/EVIT.

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Anmeldung vomr —

Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit mindestens einem Halbleiterschaltungselement, die enthalt! ein an eine Oberfläche grenzendes erstes Gebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp_t das an ein darunter liegendes zveites Gebiet vom zweiten Leitfähigkeit β typ grenzt, sowie eine Isolieraione vom zweiten Leitfähigkeitetyp, die sich bis zu dem zweiten Gebiet erstreckt und zusammen mit dem zweiten Gebiet innerhalb des Halbleiterkörpers einen inself5rmig«n Teil des ersten Gebietes völlig umgibt, wobei der pn-üebergang zwischen der Isolier-ίοηβ und dem inseiförmigen Gebiet sich einem wenigstens teilweise unter der genannten Oberfläche in den Halbleiterkörper versenkten Muster aus elektrisch isolierendem Material.

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anschliesst, das den inseiförmigen Teil an der Oberfläche umgibt, und wobei sich das genannte Schaltungselement völlig innerhalb des inseiförmigen Teiles befindet.

Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung,

Anordnungen der obenbeschriebenen Art sind bekannt und wurden z.B. in "Philips Research Reports", Band 26,Juni 1971 S. 166—130 beschrieben. Für Anwendungen in monolithischen Halb— leiterschaltungen sind derartige Strukturen besonders gut geeignet, u.a. wegen der erzielbaren hohen Packungsdichte und der Möglichkeit, mittels einer einzigen Maske die Abmessungen und die Lage einer Vielzahl von Zonen der endgültig zu erhaltenden Schaltung festzulegen (Selbstregistrierung).

Die bisher bekannten Anordnungen weisen aber einige Nachteile auf, die unter Umständen zu unerwünschten Beschrän-

kungen in ihrer Anwendung führen können.

So wird z.B. bei bekannten Strukturen der beschriebenen Art die Isolierzone im allgemeinen durch eine Zone vom zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet, die sich dem zweiten Gebiet (das z.B. das Substrat sein kann) anschliesst und auf der Seite der Oberfläche völlig von dem versenkten Isoliermuster bedeckt wird. Eine derartige Struktur wird meistens dadurch hergestellt, dass zunächst der Dotierungsstoff zur Bildung der Isolierzone in der Oberfläche angebracht und dann durch örtliche Oxydation der dotierten Halbleiteroberfläche auf der hochdotierten Oberflächenzone das Isoliermuster

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angebracht wird. Beim Versenken des Oxydmusters verschiebt sich die dotierte Zone tiefer in den Halbleiterkörper. Unter Umständen kann dabei aber ein nicht unbedeutender Teil des Dotierungsstoffes in das Oxyd gelangen, insbesondere wenn der Dotierungsstoff ein Akzeptor, z.B. Bor, ist. Durch die so erhaltene Konzentrationsverringerung wird es schwierig sein, wenigstens bei zulässigen Werten der Oxydationszeit unter dem versenkten Oxyd eine Isolierzone zu erhalten, deren Dicke erheblich grosser als z.B. die Dicke des Oxydmusters selber ist. Da die Eindringtiefe des Oxydmusters bei Anwendung brauchbarer Oxydationszeiten im allgemeinen nicht grosser als 1 bis 2 /um ist, wird die Gesamtdicke des Oxydmusters und der Isolierzone unter der Oberfläche daher bei diesem Verfahren nicht mehr als k bis 5/um betragen können. Daraus folgt z.B., dass eine epitaktische Schicht, die durch das Oxydmuster und die sich darunter erstreckende Isolierzone in Inseln unterteilt werden muss, bei den bekannten Strukturen nicht dicker als höchstens etwa 5/u.m sein soll, "welche Beschränkung oft ungünstig ist.

Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass es in denjenigen Fällen, in denen die Isolierzone kontaktiert werden soll, bei den beschriebenen bekannten Strukturen notwendig ist, ein Kontaktfenster über die ganze Dicke des Oxydmusters in dem Oxydtnuster anzubringen. Dies ergibt in der Praxis infolge der dazu benötigten langen Aetzzeiteri z.B. Probleme in bezug auf Maskierung und Unterätzung, wodurch es besonders

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schwierig ist, Kontaktfenster kleiner und genau definierter Abmessungen in dem Oxydrauster anzubringen.

Die Erfindung bezweckt u.a., die genannten bei bekannten Anordnungen auftretenden Nachteile z\i beseitigen oder -wenigstens in erheblichem Masse zu verringern,

. Der Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass durch eine neue geeignet gewählte Konfiguration des versenkten Musters und der Isolierzone die obenbeschriebenen Nachteile vermieden werden können und dass durch Anwendung der Erfindung ausserdem weitere Vorteile erhalten werden, u.a. die Möglichkeit·zur Erzielung verschiedener interessanter Halbleiterstrukturen, die sich auf anderem Wege schwer erzielen lassen, wie nachstehend näher beschrieben wird.

Nach der Erfindung ist eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art dadurch gekennzeichnet, dass sich die Isolierzone durch das versenkte Muster bis zu einem Teil der genannten Oberfläche erstreckt, der völlig von dem versenkten isolierenden !»luster begrenzt wird.

Obschon für die Anwendung als Inselisolierung die übliche obenbeschriebene Struktur häufig besonders gut geeignet ist und sich sehr einfach erzielen lässt, stellt sich in der Praxis heraus, dass die augenscheinlich unnötig komplizierte Struktur nach der Erfindung eine Anzahl grosser Vorteile bietet»

So kann dadurch, dass bei der Anordnung nach der Erfindung die Isolierzone nicht völlig von dem versenkten

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Isoliermuster bedockt ist, sondern sich durch, eine Oeffmmg in diesem Muster bis zu der urspx-ünglichen Halbleiteroberfläche erstreckt, die Isolierzone an der Stelle dieser» Oeffnimg leicht leontaktiert werden. Oberhalb der genannten Oeffnung befindet sich nämlich höchstens nur eine dünne Isolierschicht, Z₀B₀ eine Oxydschicht _e

Ein weiterer wichtiger Vorteil der erfindungsgcmässen Anordnung ist der, dass, weil bei der Herstellung diese}.-neuen Struktur die Isolierzone ohne Bedenken nach dem versenkten Isolieriiuister angebracht werden kann, die Dotierungskonzentration der Isolierzorie von den Schritten zur Herstellung des versenkten Musters (z.B. durch örtliche Oxydation) unabhängig sein kann* Dadurch kann eine Isolierzone mit höher Dotierung verwendet werden, die von der Oberfläche hes? durch Z₁B₁₁ eine epitaktische Schicht verhältnisraässig grosser Dicke (nach einer bevorzugten Ausführungsform einer Dicke von. mindestens 5/^unO hindurchdringen kann«

Obgleich das erste Gebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp völlig durch das genannte inselförmige Gebiet gebildet werden kann, wobei sich die Isolierzone bis zum Rand des Ilalblexterkörpers erstreckt, wird vorzugsweise eine Struktur verwendet, bei der die Isolierzone den irtselförmigen Teil von dem übrigen Teil des ersten Gebietes trennt. Dabei kann das elaste Gebiet eine epitaktische Schicht sein, die durch die Isolierzone in zwei oder mehr Teile untesrteilt wird_? von denen mehrere inseiförmig sein können.

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Der genannte Oberflächenteil, an dem die Isolierzone die¹ Halbleiteroberfläche erreicht., braucht grundsätzlich nicht kontaktiert zu sein. Vorteilhaft wird die Anordnung aber oft derart ausgebildet}, dass der genannte Oberflächenteil wenigstens teilweise mit einer· als AnschlusseLektrode dienenden leitenden Schicht bedeckt ist.

Unter Umständen} z_£B. wenn die Isolierzons nicht durch, eine dicke Halbleiterschicht hindurchzudringen br-aucht, braixcht die Isolierzone nur stellenweise die Oberfläche zu erreichen, z.B. lediglich.: fur Kontaktierungszwecke. Oft, und insbesondere wenn die Isolierzone mit dem versenkten Isoliermuster von der Oberfläche her durch eine dicke Halbleiterschicht hindurchdringen muss, wird jedoch vorzugsweise dafür gesorgt, dass der genannte Oberflächenteil den inseiförmigen Teil praktisch völlig umgibt.

Die Isolierzone kann sich von dex· Oberfläche her nach unten erstrecken und sich z.B. unmittelbar einem Substrat vom zweiten Leitfähigkeitstyp anschliessen, auf dem das erste Gebiet in Form einer epitalctischen Schicht vom ersten Leit — fähigkeitstyp angebracht ist. Unter Umständen v;ird aber vor-= zugsweise eine andere Struktur gewählt, bei der sich die Isolierzone einer zu dem zweiten Gebiet gehörigen vergrabenen Schicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp anschliesst, die sich zwischen, dem ersten Gebiet und einem Substrat vom ersten Leitfähigkeitstyp erstreckt, auf dem das erste Gebiet epi» taktisch angewachsen ist, Vielehe vergrabene Schicht zusammen

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mit der Isolierzone den. inseiförmigen Teil des ersten Gebietes innerhalb des Halbleiterklirpers völlig umgibt. Dies ergibt u..,a, den Vorteil _t dass in ein und demselben Halbleiterlcristall mehrere "Teilsubstrate" angebracht werden können, die je ein oder mehr Schaltungselemente enthalten und je für sich kontaktiert werden können.

In vielen Fällen kann' es günstig sein, dass das inselförmige Gebiet keine homogene Dotierung aufweist₉ sondern dass der inselförmige Teil eine vergrabene Schicht vom ersten LeitfShigkeitst3'-p enthält_s öTie häufig vorteilhaft derart angebracht ist, dass sie auf der bereits genannten vergrabenen Schicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp liegt \md an diese Schicht grenzt. Auf diese Weise ist der Aufbau wichtiger Halbleiterstrukturen möglich.

Eine "weitere wichtige bevorzugte Ausführungsform. nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet j dass die Isolierzone mit dem .". ins eiförmigen Teil einen pn-Uebergang· bildet, der an einen Teil des versenkten Musters grenzt, der innerhalb des inseiförmigen Gebietes eine Oeffnung aufweist, wobei das inselförmige Gebiet innerhalb der Oeffnung an der Oberfläche eine kanalunterbrechende Zone enthält, die derart hoch dotiert ist, dass die Bildung eines Inversionskanals an der Stelle der Oeffnung verhindert wird. Eine derartige Struktur weist den. Vorteil auf, dass mittels einer einzigen Maske die Lage mindestens des versenkten Musters, der Isolierzone und der genanntcsn Oeffnung definiert werden, kann. Diese

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Oeffnung, die sehr schmal sein, kann, kann als selbstregistrierender Kanalunterbrecher verwendet werden, indem in den Oeffnungen, z.B. durch eine oberflächliche Diffusion, die Oberflächendotierung erhöht wird. Die so erhaltene kanaltmterbrechende Zone umgibt vorzugsweise praktisch völlig die aktiven Zonen eines in dem inseifSrmigen Gebiet vorhandenen Halbleiterschaltungselements» Wenn innerhalb der Insel, wie oben beschrieben, eine zweite vergrabene Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, z.B. als vergrabener Kollektor, angebracht ist, kann über die betreffende Oeffnung vorteilhaft eine hochdotierte Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp sich von der Oeffnung praktisch bis zu der vergrabenen Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp erstrecken, um auf diese Weise die Kontaktierung dieser vergrabenen Schicht zu erleichtern.

Die Erfindung ist weiter von besonderem Interesse in dein Falle, in dem in dem inseiförmigen Gebiet eine an die Oberfläche grenzende Zone vom zweiten Leitfähigkeitstyp angebracht ist, die völlig vom versenkten Muster begrenzt wird und in der eine an die Oberfläche grenzende Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp angebracht ist, wobei die Zone vom zweiten Leitfähigkeitstyp die Basiszone eines vertikalen Bipolartransistors bildet, dessen Emitter— und Kollektorzonen durch, das inselfSrmige Gebiet bzw. d5.e genannte Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp gebildet werden. Ein derartiger Transistor, der erwünschtenfalls mit einer kanalunterbrechenden Zone der obenbeschriebenen Art versehen ist, kann nahezu völlig

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selbstregistrierend hergestellt werden.

Die Erfindung bezieht sich, ausserdein auf ein sehr geeignetes Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung der obenbeschriebenen Art, bei dem in einem an die Oberfläche grenzenden ersten Gebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp durch örtliche Oxydation ein wenigstens teilweise in die Oberfläche versenktes Oxydmuster gebildet wird, wobei eine sich daran anschliessende Isolierzone vom zweiten Leitfähigkeit styp angebracht wird.

Nach der Erfindung ist dieses Verfahren dadurch gekennzeichnet, dass während der örtlichen Oxydation an der Stelle der zu erzeugenden Isolierzone ein Teil der Halbleiteroberfläche gegen Oxydation maskiert wird, so dass an dieser · Stelle eine Unterbrechung in dem Oxydmuster erhalten wird, und" dass durch Einführung eines den zweiten Leitfähigkeitstyp bestimmenden Dotierungsstöffes über die genannte Unter- · brechung unter Maskierung durch das versenkte Isolierrnuster wenigstens ein Teil der Isolierzone vom zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet wird, welche -Isolierzone sich dem zweiten Gebiet anschliesst» .

Einige Ausführungsformen der Ei-findung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.« Es zeigen:" „, " . ".,,,'-. ,

Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine Anordnung nach der Erfindung,

Fig.'2 schematised einen Querschnitt durch die Anordnung· nach Fig» 1 längs der Linie H-II,

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Fig. 3-9 schematisch im Querschnitt die Anordnung nach den Fig. 1 und 2 in aufeinanderfolgenden Herstellungsstufen, und

Fig. 10, 11, 12 und 13 schematisch im Querschnitt andere Ausführungsformen von Anordnungen nach der Erfindung,

Die Figuren sind schematisch. und nicht masstäblich gezeichnet, wobei namentlich die Abmessungen in der Diclcenrichtung übertrieben gross dargestellt sind. Entsprechende Teile sind in den verschiedenen Beispielen im allgemeinen mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Halbleitergebiete vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind im allgemeinen in der gleichen Richtung schraffiert. In der Draufsicht nach Fig, ist das versenkte Oxydmuster schraffiert und die Grenzen von Metallschichten sind mit gestrichelten Linien angedeutet,

Fig. 1 zeigt schematisch eine Draufsicht auf Und Fig. 2 schematisch einen Querschnitt längs der Linie II—II der Fig. Λ durch eine Halbleiteranordnung nach der Erfindung. Die Fig. 1 und 2 zeigen einen Teil einer integrierten Schaltung mit einem Schaltungselement, in diesem Falle einem Bipolartransistor (3,8,9), der einen Halbleiterkörper 1 aus Silicium mit einem an eine Oberfläche 2 grenzenden n~leitenden ersten Gebiet 3 enthält, das an ein darunter liegendes p-leitendes zweites Gebiet h grenzt, das durch, ein Substrat gebildet wird, auf dem das Gebiet 3 in Form einer epitaktischen Schicht angebracht ist. Das Gebiet 3 enthält weiter eine hochdotierte η-leit ende vergrabene Schicht 3B«

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Ein durch, örtliche Oxydation angebrachtes Muster 5 aus Siliciumoxyd 1st in diesem Beispiel praktisch völlig bis unterhalb der Oberfläche 2 in den Körper versenkt. Ein insel— förmiger Teil 3A>B des. Gebietes 3» der die vergrabene Schicht '3B enthält» ist innerhalb des Körpers völlig· von einer p~leitenden Isolierzone 6 umgeben, die sich bis zu dem zweiten Gebiet (in diesem Falle dem Substrat) k erstreckt» Der pn-Uebergang 7 zwischen der Isolierzone 6 und der Insel 3A schliesst sich dem versenkten Isoliermuster 5 an. Das Gebiet 3A,B bildet die Kollektorzone des Transistors. Eine an die Oberfläche 2 grenzende und von dem versenkten Muster 5 begrenzte p-leitende Zone 8 bildet die Basiszone des Transistors, während eine η-leitende Oberflächenzone 9» die in der Basiszone 8 angebracht ist, die Emitterzone des Transistors bildet. Der Transistor befindet sich also völlig innerhalb des inselförmigen Gebietes (3A,b). Die Emitter- und Basiszonen 9 bzw. 8 sind durch Metallschichten 15 bzw. 14 kontaktiert.

Bei bekannten Ausführungen einer Anordnung mit einem Bipolartransistor nach Fig.. 2 erstreckt sich die Isolierzone 6 völlig über die ganze Dicke des versenkten Musters 5, Dies kann unter Umständen grosse Nachteile ergeben, wie oben beschrieben wurde, insbesonder in bezug auf die Kontaktierung der'Zone(n) 6 und in bezug auf die Dotierungskonzentration derselben, die hoch sein muss, wenn die Schicht 3 verhältnismässig dick ist.

Nach der Erfindung erstreckt sich aber die Isolierzone

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durch das versenkte Muster 5 bis zu einem Teil 2A der Oberfläche 2, welcher Teil 2A völlig- von dem versenkten Muster 5 begrenzt wird. Dies ergibt den. grossen Vorteil, dass die Zone 6 leicht, z.B. über die Metallschicht 1O, kontaktiert werden kann, ohne dass dazu ein Kontaktfenster durch die ganze Dicke des Musters 5 geätzt zu werden braucht.

Ein weiterer wesentlicher Vorteil ist der, dass die Zone 6 erwünschtenfalls nach dem Anbringen des versenkten Musters 5» z.B. durch Diffusion, angebracht werden kann, wodurch die Dotierung und die Tiefe der Isolierzone 6 von den zur Anbringung des versenkten Musters 5 durchgeführten Herstel— lungsschritten völlig unabhängig sind»

Der Oberflächenteil 2A umgibt den inseiförmigen Teil des ersten Gebietes 3 iⁿ diesem Beispiel vollständig, so dass die Zone 6 über ihre ganze Ausdehnung nach der Bildung des Musters 5 angebracht werden kann. In Fällen, in denen die Schicht 3 nicht zu dick ist, ist dies nicht unbedingt notwendig und die Isolierzone 6 kann erwünschtenfalls nur örtlich über eine Oeffnung in dem Muster 5 die Oberfläche erreichen, z.B. für Kontaktierungszwecke.

In dem hier beschriebenen Beispiel grenzt der pn-Uebergang 7 an einen Teil des Isoliermusters 5, der innerhalb des inseiförmigen Gebietes 3A eine Oeffnung 11 aufweist, die die Basiszone 8 völlig umgibt, wobei das Gebiet 3A innerhalb der Oeffnung 11 an der Oberfläche eine hochdotierte n-leitende Zone 12 enthält, wodurch die Bildung eines Inversionskanals -

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an der Oberfläche an der Stelle der Öeffnung 11 vermieden wird. Die Zone 12 ist völlig von dem versenkten Oxyd 5 begrenzt, bildet eine kanalunterbrechende Zone zwischen der Basiszone und der Isolierzone 6 und umgibt die aktiven Teile der Transistorzonen 9» 8 und 3-Ä. vollständig, Ausserdem ist diese Zone mittels einer Metallschicht 13 kontaktiert, die den Kollejctoranschluss des Transistors bildet» Nach einer Abwandlung

dieser Struktur kann sich die Zone 12 auch Über die ganze Dicke des Gebietes 3A bis zu der vergrabenen Schicht 3B erstrecken. Die kanalunterbrechende Zone 12 kann bei dieser Struktur sehr schmal gehalten werden und weist im vorliegenden Beispiel eine Breite von etwa 3·/um auf* Weiter sei darauf hingewiesen, dass die Lage des

Oberflächenteiles 2A in bezug auf das umgebende Isoliermuster ganz beliebig; gewählt .werden kann» Dadurch kann z.B. ,' wenn die Gefahr eines Durchschlages zwischen der Isolierzone 6 und einer auf: einer Seite dieser Zone, z.B. in der Insel, liegenden Halbleiterzone besteht, auf dieser Seite die Breite des versenkten Oxyds 5» das den Öberflächenteil 2A begrenzt, grosser als an anderen Stellen gewählt werden,'.wodurch der genannte Durchschlag vermieden wird. Dies ist von besonderer Bedeutung, wenn in der monolithischen Schaltung Elemente vorhanden sind-, die bei hoher Spannung betrieben werden.

Die Anordnung nach den Fig. ΐ und 2 kann nach der ^: Erfindung z.B. auf folgende Weise hergestellt werden. Es . ^r wird (siehe Fig. $) von einer p-£eitenden Siliciumscheibe h

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rait einer Dicke von. z»B. 200 /um und einem spezifischen Widerstand von z.B. 10 n.cm ausgegangen. Darauf wird durch Anwendung allgemein üblichex* Maskierungs- und Diffusionstechniken. örtlich eine Arsenschicht zur Bildung der vergrabenen Schicht 3Έ abgelagert, wonach die Oberfläche für epitaktisches Anwachsen vorbereitet und auf dem Substrat h eine η-leitende Siliciuraschicht 3 mit einer· Dicke von 6 /um und einem spezifischen Widerstand von z.B. 0,5 ü.cm epitaktisch angewachsen wird, wobei ebenfalls allgemein übliche Verfahren angewendet werden. Dabei wird die Struktur nach Pig. 3 erhalten, wobei während des epitaktischen Anwachsens die genannte Arsenschicht teilweise in das Substrat 4 und teilweise in die epitaktische Schicht 3 eindiffundiert zur Bildung einer hochdotierten η-leitenden vergrabenen Schicht 3B.

Auf der Oberfläche wird dann eine gegen Oxydation maskierende Schicht, z.B. eine 0,15/um dicke Siliciumnitridschicht 20, angebracht. Erwünschtenfalls kann unter der Schicht 20 noch eine dünne Oxydschicht angebracht werden« Auf der Nitridschicht 20 wird eine 0,1 /um dicke Schicht 21 aus Siliciumoxyd abgelagert. Diese Schicht kann erwünschten~ falls auch, durch, thermische Oxydation des Siliciumnitrids erhalten werden, aber wird dann im allgemeinen beträchtlich dünner sein. Die Oxydschicht 21 wird danach durch ein bekanntes photοlithograph!βches Aetzverfahren in die gewünschte Form gebracht, wonach diese Schicht 21 als Maske beim Wegätzen

mit z«B_t Phosphorsaure der von der Schicht 21 nicht bedeckten Teile der Schicht 20 dient. Für alle .Einzelheiten der Anbringung

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und Aetzung von Siliciumnitridschichten sei auf "Philips Research Reports", April 197^> S. 118-132 verwiesen, wo alle für den Fachmann nötige Auskunft über Techniken bezüglich örtlicher Oxydation von Siliciumoberflachen erteilt wird.

Auf diese Weise ist die Struktur nach Fig. 4 erhalten. Nun, wird der nicht von der Antioxydationsmaske 20 bedeckte Teil der Siliciumoberflache bis zvl einer Tiefe von etwa 1 /um abgeätzt, wobei unter den Rändern des Nitrids 20 auch ein Teil des Siliciums weggeätzt wird (siehe Fig. 5)· Dieser Aetzschritt dient dazu, nach dem Anbringen des versenktes Tsolierrausters eine nahezu ebene Oberfläche zu erhalten, aber er kann erwünschtenfalls weggelassen werden.

Anschliessend wird das Silicium bei 1000°C in feuchtem Sauerstoff während etwa 16 Stunden thermisch oxydiert, wobei die durch die Aetzung erhaltenen Hohlräume infolge der Tatsache, dass das"Oxyd ein grösseres Volumen als das Silicium , aus dem es gebildet ist, einnimmt, völlig mit Oxyd ausgefüllt werden. Das so erhaltene Oxydmuster 5 weist eine Dicke von etwa 2 ,um auf und erstreckt sich bis zu der ursprünglichen Siliciumoberflache 2, wodurch die Oberfläche des ganzen Körpers nahezu eben wird. Nach Entfernung des Nitrids wird nun auf dem Ganzen in bekannter Weise pyrolitisch eine Siliciumoxydschicht 22 abgelagert, die an der.Stelle der anzubringenden Isolierzonen unter Anwendung einer Maskierung mit grosser Toleranz entfernt wird. So wird die Struktur nach Fig. 6 erhalten.

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In einem nächsten Schritt wird nun eine tiefe Bordiffusion durchgeführt, wobei das versenkte Oxydmuster 5 und die Oxydschicht 22 als Maskierung dienen. So wird die Isolierzone 6 erhalten (siehe Fig.7), durch die ein inseiförmiger Teil 3A,B von dem übrigen Teil der Schicht 3 getrennt wird. Wahrend dieser Bordiffusion werden die Zonen 6 mit Oxyd
überzogen; die Dickenunterschiede der Oxydschicht sind in

der Figur der Deutlichkeit halber vernachlässigt.

Nun wird, ebenfalls unter Anwendung eines Maskierungsschrittes mit grosser Toleranz, ein Teil der Oxydschicht oberhalb der anzubringenden Basiszone entfernt, wonach die Basiszone 8 des Transistors mittels z.B. einer 2/tun tiefen Bordiffusion angebracht wird, wobei die Schicht 22 und das Oxydmuster 5 als Maske dienen. Die Zone 6 braucht dabei nicht maskiert zu sein. So wird die Struktur nach Fig. 8 erhalten, wobei während der Diffusion auf den Zonen 6 und 8 eine dünne Oxydschicht gebildet wird; auch hier wird der Deutlichkeit halber die Oxydschicht in der Figur mit einer konstanten
Dicke dargestellt.

In das Oxyd werden anschliessend durch einen Photoätzschritt Oeffnungen an den Stellen der zu bildenden Zonen 9 und 12 geätzt (siehe Fig. 9). Durch eine Phosphordiffusion werden die z.B. 1 /um dicke. Emitterzone. 9 und die hochdotierte η-leitende Oberflächenzone 12 angebracht. Nach einer Abwandlung kann die Emitterzone auf einer Seite an dem versenkten Muster 5 anliegen, wodurch auch die Maskentoleranz für das Emitterdiffusionsfenster gross ist.

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Danach, werden auf übliche Weise Kontakt fenster angebracht und werden durch Aufdampfen und Aetzen einer Metallschicht, z. B; aus Aluminium, die Emitterköntaktschicht 2^» die Basiskontakt schicht 25, die Kollelctorkontaktschieht 13 und die Kontaktschicht 10, die über die Zone 6 das Substrat h kontaktiert, angebracht, wodurch die Struktur nach"Fig. 1 und 2 erhalten wird.

Nach dem obenbeschriebenen HersteXlungsver.fahren ist ein wesentlicher Vorteil der Erfindung der, dass die Lage der meisten Zonen, in diesem Beispiel, der Zonen 8, 12 und 6, völlig von einer Maske, und zwar der Antioxydationsmaske 20, bestimmt wird, so dass eine beträchtliche Selbstregistrierung und eine möglichst grosse Beschränkung von Maskierungsschritten mit enger Toleranz erzielt werden. In dem Falle, in dem die Emitterzone an dem versenkten Oxydmuster anliegt, kann die Halble.iterstruktur,die in der epitaktischen Schicht angebracht wird,»sogar völlig dadurch hergestellt werden, dass ausser der Nitridmaske 20 nur Maskierungsschritte mit grosser Toleranz angewendet werden.

Dies trifft auch für die nachstehenden Beispiele zu. So zeigt Fig. 10 schematisch im Querschnitt "eine Anordnung nach der Erfindung mit einem Bipolartransistor mit einer η-leitenden Emitterzone 9 und einer p-leitefiden Basiszone 8, die völlig von einem teilweise in den Körper versenkten Oxydmuster 5 begrenzt wird. In diesem Beispiel ist der über die Siliciumoberflache 2 hinausragende Teil des Oxydmusters praktisch gleich dem unterhalb dieser Oberfläche versenkten

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Teil dieses Musters, indem beim Anbringen dieses Musters ein Aetzschritt nach Fig, 5 im vorhergehenden Beispiel "weggelassen ist« Das erste Gebiet besteht hier aus zwei nacheinander angebrachten n~leitenden epitaktischen Schichten 3T:und. 32, von denen die Teile 31-A. und 32A ein von der Isolierzone umgebenes inseiförmiges Gebiet bilden. An der Grenzfläche zwischen den Schichten 31 und 32 enthält dieses inseiförmige Gebiet eine hochdotierte η-leitende vergrabene Schicht 33. Die Schichten 31 und 32 sind auf einem n^-leitenden Substrat 40 angebracht. Die beiden epitaktischen Schichten 31 und 32 weisen z.B. eine Dicke von etwa 3/¹¹W auf.

Das p-leitende zweite Gebiet wird in diesem Beispiel nicht durch das Substrat ^O₁ sondern durch eine p—leitende vergrabene Schicht 41 gebildet, die an der Grenzfläche zwischen dem Substrat 40 und der epitaktischen Schicht 31 liegt. Die Isolierzone 6 schliesst sich der vergrabenen. Schicht 41 an und erreicht über eine Oeffnung in dem versenkten Isoliermuster 5 die Oberfläche, an der sie mittels einer Metallschicht 43 kontaktiert wird. Die Kollektorzone (31A,32A,33) wird an der Oberfläche mittels einer Metallschicht 44 und einer hochdotierten n-leitenden Kontaktzone 42 kontaktiert. Das Substrat 40 wird über die Schichten 31 und 32 mittels einer Metallschicht 45 kontaktiert, die über eine hochdotierte η-leitende Kontaktzone 46 die Schicht 32 kontaktiert.

Ein wesentlicher Vorteil dieser Struktur besteht u.a. darin, dass die Sperrspaiimmg zwischen dem Teilsubstrat (41,6) und der Kollektorzone (3IA,32A,33) von der zwischen..desi

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,Substrat HO und dem Gebiet (41,6) angelegten Spannung unabhängig ist. Da die Kapazität des pn-Uebergangs, der die Insel begrenzt, schalttechnisch Probleme ergeben kann und diese Kapazität u.a. durch die über dem pn-Uebergang auftretende Spannung bestimmt wird, bietet die Anwendung von Teilsubtraten, wie obenbeschrieben, die Möglichkeit, diese Inselisolierungskapazität unabhängig von der an das Substrat 4θ angelegten Spannung zu beeinflussen.

Die Anordnung nach Fig. 10 kann unter Verwendung derselben Techniken wie im vorhergehenden Beispiel hergestellt werden, wobei jedoch von einem η-leitenden Substrat 4θ ausgegangen wird, auf dem dann auf übliche Weise örtlich eine Schicht eines vorzugsweise verhältnismässig langsam diffundierenden Akzeptors, z.B. Bor, angebracht wird zur Bildung der vergrabenen Schicht 41, wonach eine erste n-leitende epitaktische Schicht 31 angewachsen -wird-. Anschliessend wird auf der Schicht 31 örtlich eine Schicht eines verhältnismässig langsam diffundierenden Donators, z.B. Arsen, angebracht zur Bildung der vergrabenen Schicht 33i wonach die , η-leitende Schicht 32 angewachsen wird. Danach können das Oxydmuster 5 t die Isolierzone 6 und die Zonen 8, 9, ^2 und h6 auf die im vorhergehenden Beispiel an Hand der Fig. 3-9 beschriebene Weise angebracht werden, wobei aber in diesem Falle vor der örtlichen Oxydation zur Herstellung des Oxydmusters 5 keinνSilicium weggeätzt wird, so dass das Oxyd 5 teilweise über die Oberfläche 2 hinausragt. Das Oxydmuster ragt z.B. etwa t /um über die Oberfläche 2 hinaus und ist

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etwa 1 /um unterhalb der Oberfläche 2 versenkt.

Es lcönixen mehrere vergi-atierie Schibhten 4i und auch mehrere Isolierzonen 6 angebracht v/erden zur Bildung mehrerer Inseln und Teilsubstrate, wie z.B. auf der rechten Seite der Fig, 10 dargestellt ist. Die Schaltung kann naturgemäss auch Elemente enthalten, die nicht innerhalb eines derartigen Teilsubtrats liegen.

In dein vorliegenden Beispiel werden zwei epitaktische Schichten 31 und 32 angebracht, zwischen denen sich die vergrabene Schicht 33 befindet. Es .ist jedoch einleuchtend, dass erv/ünschtenfalls die vergrabene Schicht 33 derart angebracht werden kann, dass sie auf der vergrabenen Schicht 41 liegt und an diese Schicht grenzt, in welchem Falle nach dem Anbringen dieser beiden vergrabenen Schichten nur eine einzige epitaktische Schicht 31 angewachsen zu werden braucht» Dies ist in Fig. 11 dargestellt, die eine Anordnung zeigt, die weiter grundsätzlich den gleichen Aufbau wie die Anordnung nach Fig. 10 aufweist, jedoch mit der Ausnahme, dass in Pig. 11 das Oxydmuster, wie in den Pig. T und 2, nahezu völlig unterhalb der Oberfläche 2 versenkt ist, dass die hochdotierte η-leitende Zone 42 sich bis zu der vergrabenen Schicht 33 erstreckt (und also nicht, wie in Fig. 10, zugleich mit dem -Emitter 9 angebracht werden kann), und dass die Emitterzone auf einer Seite an dem Oxydmuster 5 anliegt. Die Zonen 9» 8, 42, 6 und 31 sind mittels Metall schicht en 43-47 Icontalctiert; die Dicke der Schicht 31 beträgt z.B. 10 /um.

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Auch die Anordnimg nach. Pig. 11 kann auf völlig gleiche "Weise \vie dj.e Anordnungen nach Pig* 1 und 2 und nach. Fig. 10 hergestellt werden, wobei der Fachmann naturgemäßes noch viele Abwandlungen aus den ihm zur Verfügung stehenden. Möglichkeiten wählen kann» Insbesondere sei darauf hingewiesen, dass sowohl in den bereits beschriebenea als auch in den noch zu beschreibenden Beispielen die verschiedenen in dein Körper anzubringenden Halbleiterzonen statt durch Diffusion auch auf andere Weise, z.B« durch Ionenimplantation, angebracht werden können,· und dass auch die Diffusion auf verschiedene Weise durchgeführt werden kann, wobei z.B", von einer dotierten Oxydsehicht ausgegangen wird. ■

Ein weiteres Beispiel einer erfindungsgemässen Anordnung ist schematisch im Querschnitt in Fig. 12 gezeigt. Der Aufbau dieser Anordnung entspricht zu einem wesentlichen Teil dem der Anordnung nach Pig. TO, sof&vii es das. n-leitende Substrat kO, die n—leitenden epitaktisehen Schichten 31 und 32, die p-leitende vergrabene Schicht 4i und die n~leitende vergrabene Schicht 33 anbelangt. Das in dem inselförmigen Gebiet (31A,32A) angebrachte Schaltungselement ist in diesem Falle jedoch ein lateraler pnp-Transistor mit einer p—leitenden Emitterzone 51 und einer diese Emitterzone umgebenden p-leitenden Kollelctorzone 52 ,.die an dem Oxydmuster 5 anliegt. Die Basiszone 32A ist über eine η-leitende Diffusion kZ und eine He tails chi cat. 53 kqntalctiert ϊ die Emitter- und Kollektorzonen 51 bzw, 52 sind mittels Hetalls'chichten $h bzw, 55 lcontalctiert, Die Emitterzone· 51 erstreckt sich bis auf die -

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ΐ 2»11.73. ■

hoclidotierte vergrabenft Schicht 33» so dass Emission praktisch völlig in laterale?.- Richtung: stattfindet, während, die Zone 5-1 erwünschtenfalls zugleich mit der Isolier zone 6 angebracht werden kann. Geg-ebenenfalls kann sich auch die Kollektorsone bis auf* die vergrabene Schicht 33 erstrecken.

Obgleich im Beispiel nach Fig. 12 zwei n—leitende epitaktische Schichten 31 und 32 vei'wendet wurden, kann erw~unsch« tenfalls auch hier die vergrabene Schicht 33 direkt auf der vergrabenen Schicht ^1 angebracht werden, wie dies irt Fig. 11· der Fall ist, - ·

Schliesslicb zeigt Fig. 13 schematisch einen Querschnitt durch, eine Anordnung, die zwei verschiedene Halbleiterschaltung selemente enthält, die in je einem inselformigenGebiet (61A,61B) angebracht sind, das sich völlig innerhalb eines p-leitenden Teilsubstrates (6A,62A; 6B,62B) befindet, wobei diese Teilsubstrate je für sich mittels Metallschichten 72 und 73» die in diesem Beispiel die Inseln 61A und 61B völlig umgeben, leontaktiert werden.

In der ersten η-leitenden Insel 61A befindet sich ein lateraler Bipolartransistor mit einer p-leitenden Emitterzone 6h und einer p-leitenden Kollektorzone 65· Diese Zonen 6h und 65 liegen an dem versenkten Oxydrauster 5 an, so dass die Emitterzone 6h praktisch nur über eine Seite emittieren kann. Dies ergibt einen besseren Wirkungsgrad als bei der üblichen planaren Technologie, bei der der Emitter eines solchen lateralen Transistors in praktisch allen Richtungen emittieren kann. Die Emission senkrecht zu der Oberflache 2

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der Siliciumsche:i.be kann.noch weiter dadurch beschränkt werden, dass die Zone; 6k--und gegebonenfal-ls auch die Zone 65 derart tief diffundiert werden, dass sie sich der hochdotierten vergrabenen Schicht 63A anschliessen. Die Basis 61A des Transistors (64,'61A,65) ist über eine im Oxydmuster5 ausgesparter Oeffnung und eine hochdotierte η-leitende Kontaktdiffusion mittels' einer Met3.11 schicht 66 kontaktiert. Es sei. bemerkt, dass ein lateraler Transistor, wie der Transistor (64,61A,65)» auch beim Fehlen des Teilsubstrates (6A,62ä) eine neue und sehr zweckmässige Struktur eines lateralen Bipolartransistors, unter Anwendung eines versenkten Isoliermusters darstellt.

Das. Teilsubstrat (6B,62B) umgibt eine n-leitende' : Insel 61B, die einen bipolaren vertikalen Transistor enthält, der den Bipolartransistoren nach den Fig., -10 und 11 praktisch · gleich ist. Es ist einleuchtend, dass innerhalb mehrerer Teilsubstrate (6,62) eine Anzahl verschiedener Halbleiterschaltungselemente .angebracht sein kann, während auch eine Insel unter Umständen mehr als ein SchaItungselement enthalten kann, ..

Alle beschriebenen Beispiele weisen die vorerwähnten Vorteile auf ,..die der Tatsache . zu zu schreib en sind , dass, sich die Isolierzonen 6 durch, eine Oeffnung im Oxyämuster 5 bis "zu e,iaem völlig von'dem Muster 5-.begrenzten Teil-der.ursprünglichen Siliciumoberflache 2 erstrecken. ■ ... .

In -b e zug auf die Her st el lung-· d er yers c hi ed enen be - . schx-ieberien' Anordnungen -kcsiiii. ιαοοίί boritotpkt; v/ei'deii, dass sie alle eine Vielzahl-,Gebiete.- der $tr-ukiur enthalten, die durch

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12.11.73.

eine einzige Maskierung, Und zwar die für die Herstellung des versenkten isolierenden Musters 5 angewandte Maskierung, ^: festgelegt werden, so dass ein beträchtliches Mass von Selbstregistrierung erreicht wird, . '

Es ist einleuchtend, dass,sich die Erfindung nicht auf die nur beispielsweise beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, sondern, dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abarten möglich sind. So können innerhalb eines inseiförmigen Gebietes statt der beschriebenen Bipolartransistoren oder neben diesen Transistoren andere Halbleitersch&ltungs elemente, wie Dioden, Widerstände,- Uebergangsfeldeffekttransistoren ("junctions FETs"), Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode, planare Thyristoren u.dgl., angebracht sein. Die Isolierzone kann wenigstens' zum Teil statt von der Oberflache her von der Substratseite her z.B. aus einer vergrabenen Schicht diffundiert werden. Ferner kann der Halbleiterkörper statt aus Silicium aus einem anderen Halbleitermaterial, vorzugsweise aus einem Material bestehen, aus dem auch durch örtliche Oxydation ein isolierendes Muster gebildet werden kann, wie z.B. Siliciumcarbid, Das Isoliermuster kann statt aus Siliciumoxyd auch aus einem anderen Isoliermaterial bestehen. Wenn das Muster aus einem Oxyd des Halbleiterkörpers besteht, kann es statt durch thermische Oxydation auch durch andere Oxydationsverfahren, z.B. durch anodische Oxydation., gebildet werden, Die Metallschichten können völlig oder teilweise durch andere gut leitende Schichten z,B. aus dotiertem polykristallinen! Silicium, ersetzt werden.

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In allen. Beispielen können die genannten -Leitfähigkeitstypen alle.gleichseitig durch die entgegengesetzten Leitfähigkeit s-.. typen ersetzt werden, während auch die Abmesstingen, insbesondere die Dicken, und die Dotierungen der vorhandenen Halbleiterschichten innerhalb weiter* Grenzen geändert werden können» Weiter können auch andere Materialien als Siliciumnitrid für die Maskierung gegen Oxydation verwendet werden. Auch kann unterhalb des Oxydmüsters örtlich die Inseldotierung erhöht werden, um Inversion zu vermeiden, ■ · "--■■_

Eine derartige erhöhte Konzentration an Dotierungsatomen unter dem versenkten Oxyd kann ζ,Βγ mittels Diffusion oder Ionenimplantation,vor, während oder nach dem Erzielen des Oxydmusters erzeugt werden, wie beschrieben .in der belgischen, Patentschrift 768076. Eine derartige, örtliche erhöhte Konzentration (in diesem Beispiel von Donatoratomen) ist in den Fig. 2 und 10 mit der gestrichelten Linie 80 angegeben» Es wird bemerkt, dass infolge der Anwendung der Erfindung dabei nicht die Gefahr der Bildung eines n—Kanales Über die ganze p-Typ Isolierzone 6 besteht, sogar dann nicht, wenn, die n-Schicht 80 höher dotiert ist als die p-Zone 6, da die .-.. Zone 80 an der Stelle der Unterbrechung im Oxydmuster 5 der· Zone 6 ebenfalls unterbrochen ist.

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Claims

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_ 12.1i.73*

PATENTANSPRUSCHE; " _. . . . _;

(i «/ Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper- mit mindestens einem Halbleiterschaltungselement, die enthält: ein an eine Oberfläche, grenzendes erstes Gebiet von einem ersten Leitfähigkeitstyp, das an ein darunter liegendes zv/eites Gebiet vom zweiten Leitfähigkeitstyp grenzt, und eine Isolierzone vom zvfoiten Leitfähigkeitstyp, die sich bis zu dem zitfeiten Gebiet erstreckt und zusammen mit dem zweiten Gebiet innerhalb des Halbleiterkörpers einen inseiförmigen Teil des ersten Gebietes völlig umgibt, wobei der pn-Uebergang zwischen der Isolierzone und dem inseiförmigen Gebiet sich einem wenigstens teilweise unterhalb der genannten Oberfläche in den Halbleiterkörper versenkten Muster aus einem elektrisch isolierenden Material anschliesst, das den inseiförmigen Teil an der Oberfläche umgibt, und wobei sich das genannte - Schaltungselement völlig innerhalb des inseiförmigen Teiles befindet, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Isolierzone durch das versenkte Muster bis zu einem Teil der genannten Oberfläche erstreckt, der völlig von dem versenkten isolierenden Muster begrenzt wird,

2, Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierzone den inseifÖrmigen Teil von dem übrigen Teil des ersten Gebietes trennt.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der genannte Oberf lächeiiteil wenigstens teilweise mit einer als Anschlusselektrode dienenden leitendε-π. Schicht üboraοgen ist₉

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' 12,11.73.

4, Halbleiteranordnung, nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche', dad.urch gekennzeichnet, dass der ν . genannte iOb.erflächenteil den inselförraigen Teil praktisch , völlig umschliessfc. . . ,.-..": -..,-· ■,:■;,,-

5» Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der . - ';-.. vorstehenden Ansprüche,- dadurch gekennzeichnet, dass: sich die IsoTLierzone einer".-.^zum zweiten Gebiet ^gehörigen, vergrabenen Schicht vom. zweiten Leitfähigkeitstypanschliesst, die .sich zwischen dem ersten. Gebiet und einein Substrat¹ vom ersten_; .--. Leitfähigkeitstyp erstreckt, auf dem, das erste Gebiet epitak—■:. tisch angewachsen ist, welche vergrabene¹ Schicht zusammen mit. der Isolierzone den inseiförmigen Teil des ersten Gebietes '. innerhalb des. Halbleiterkörpe-rs .völlig^ umgibt... - .,.-.- ". .·'- ,-

6, ' Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der inseiförmige Teil eine vergrabene Schicht vom ersten Leitfähigkeit s.typ enthält» . V- . ""Γ""--

7, Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen .5 und 6, ' v. dadurch gekennzeichnet_t dass die vergrabene .Schicht vonr . ersten Leitfähigkeitstyp derart angebracht; ist, dass· sie auf der vergrabenen Schicht vom zweiten 'Leitfahigkeitstyp -. :' liegt und an diese Schicht grenzt*. ,. -; ;

8, Halbleiteranordnung .nach einem oder mehereren der -. ' vorstehenden Ansprüche, dadurch ,gekennzei.clxnet;, dass die Isolierzone. mit -dem. in^elförmigim Teil reinen pn--Uebergang ■ bildet, aeT an einen -TeIl des T.erserJiueD. Küsters gr:enzt, ' der irin.e:irlis.lb des ±iiseli*ör-mig.en Gebietes eine 0effnung; ani'weist,

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12.11.73.

wobei das inseiförmige Gebiet innerhalb der Oeffnung an der Oberfläche eine kanalunterbrechende Zone enthält, die derart hoch dotiert ist, dass die Bildung eines Inversionskanals an der Stelle der Oeffnung verhindert wird.

9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekenn- ■ zeichnet, dass die kanalunterbrechende Zone praktisch völlig die aktiven Zonen eines in dem inselförmigen Gebiet vorhandenen 'Halbleiterschaltungselement umgibt.

10. Halbleiteranordnung nach den Ansprüchen 6 und 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine hochdotierte Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp von der Oeffnung praktisch bis zu der vergrabenen Schicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, die sich im inseifSrmigen Gebiet befindet, reicht.

11» Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche,.dadurch gekennzeichnet, dass in dem inselfSrmigen Gebiet eine an die Oberfläche grenzende Zone vom zweiten Leitfähigkeitstyp angebracht ist, die völlig •von dem versenkten Muster begrenzt wird, und in der eine an die Oberfläche grenzende Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp angebracht ist, wobei die Zone vom zweiten Leitfähigkeitstyp die Basiszone eines vertikalen Bipolartransistors bildet, dessen Emitter- und Kollektorzonen durch das inselfBrmige Gebiet bzw. durch die genannte" Zone vom ersten Leitfähigkeitstyp gebildet werden.

12. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste. Gebiet ein epitaktisch angewachsenes senichtförmiges Gebiet mit einer Dicke von mindestens 5/am ist.

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13. Yerfähreä. zur¹ Herstfellung einer HalbieiteranordrLtiiig nach, einem öder mehreren der vorstehenden Ansprüche _f "bei dem iii feinem äii die Oberfläche grenzenden ersten Gebiet vöia ersten Leitfähigkeitstyp dureh örtliche Oxydation ein wenigstens teilweise in die Oberfläche versenktes Oxydmuster gebildet wird, wobei eine sich daran anschliessende isolier« zone vom zweiten. Leitfähigkeitstyp angebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass während der örtlichen ,Oxydation an der Stelle der anzubringenden Isolierzone ein Teil der Halbleiteroberfläche gegen Oxydation maskiert wird, so dass an dieser Stelle eine Unterbrechung im Oxydmuster* erhalten wird, und dass durch Einführung eines den zweiten Leitfähigkeitstyp bestimmenden Dptierungsstoffes über die genannte Unterbrechung unter Maskierung durch das versenkte Isoliefmuster wenigstens ein Teil der Isolierzone vom zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet wirdi welches Isolier zone sich dein zweiten Gebiet an*- schliesst.

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