NL169121C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.

Info

Publication number
NL169121C
NL169121C NLAANVRAGE7010207,A NL7010207A NL169121C NL 169121 C NL169121 C NL 169121C NL 7010207 A NL7010207 A NL 7010207A NL 169121 C NL169121 C NL 169121C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor body
seminated
manufacturing
semiconductor
oxidized oxygen
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7010207,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7010207A (nl
NL169121B (nl
Inventor
Johannes Arnoldus Ing Appels
Maria Magdalena Nijdam-Paffen
Petrus Johannes Philipp Simons
Else Dr Kooi
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NLAANVRAGE7010207,A priority Critical patent/NL169121C/nl
Priority to SE08802/71A priority patent/SE367512B/xx
Priority to GB3184271A priority patent/GB1352779A/en
Priority to CH1001171A priority patent/CH528821A/de
Priority to CA117586A priority patent/CA938032A/en
Priority to AT594071A priority patent/AT329116B/de
Priority to DE2133979A priority patent/DE2133979C3/de
Priority to BE769732A priority patent/BE769732A/xx
Priority to ES393038A priority patent/ES393038A1/es
Priority to US00160652A priority patent/US3755014A/en
Priority to FR7125296A priority patent/FR2098322B1/fr
Priority to JP46050735A priority patent/JPS517551B1/ja
Publication of NL7010207A publication Critical patent/NL7010207A/xx
Publication of NL169121B publication Critical patent/NL169121B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL169121C publication Critical patent/NL169121C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/32—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H01L21/743—Making of internal connections, substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76213—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose
    • H01L21/76216—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/113—Nitrides of boron or aluminum or gallium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/114—Nitrides of silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/117—Oxidation, selective
NLAANVRAGE7010207,A 1970-07-10 1970-07-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon. NL169121C (nl)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7010207,A NL169121C (nl) 1970-07-10 1970-07-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.
GB3184271A GB1352779A (en) 1970-07-10 1971-07-07 Method of manufacturing semiconductor devices
CH1001171A CH528821A (de) 1970-07-10 1971-07-07 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
CA117586A CA938032A (en) 1970-07-10 1971-07-07 Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by using the method
SE08802/71A SE367512B (nl) 1970-07-10 1971-07-07
DE2133979A DE2133979C3 (de) 1970-07-10 1971-07-08 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT594071A AT329116B (de) 1970-07-10 1971-07-08 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
BE769732A BE769732A (fr) 1970-07-10 1971-07-08 Procede permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur, et dispositif semiconducteur ainsi obtenu
ES393038A ES393038A1 (es) 1970-07-10 1971-07-08 Un metodo de fabricar un dispositivo semiconductor.
US00160652A US3755014A (en) 1970-07-10 1971-07-08 Method of manufacturing a semiconductor device employing selective doping and selective oxidation
FR7125296A FR2098322B1 (nl) 1970-07-10 1971-07-09
JP46050735A JPS517551B1 (nl) 1970-07-10 1971-07-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7010207,A NL169121C (nl) 1970-07-10 1970-07-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7010207A NL7010207A (nl) 1972-01-12
NL169121B NL169121B (nl) 1982-01-04
NL169121C true NL169121C (nl) 1982-06-01

Family

ID=19810547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7010207,A NL169121C (nl) 1970-07-10 1970-07-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.

Country Status (12)

Country Link
US (1) US3755014A (nl)
JP (1) JPS517551B1 (nl)
AT (1) AT329116B (nl)
BE (1) BE769732A (nl)
CA (1) CA938032A (nl)
CH (1) CH528821A (nl)
DE (1) DE2133979C3 (nl)
ES (1) ES393038A1 (nl)
FR (1) FR2098322B1 (nl)
GB (1) GB1352779A (nl)
NL (1) NL169121C (nl)
SE (1) SE367512B (nl)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1388926A (en) * 1972-03-04 1975-03-26 Ferranti Ltd Manufacture of silicon semiconductor devices
NL7204741A (nl) * 1972-04-08 1973-10-10
US3999213A (en) * 1972-04-14 1976-12-21 U.S. Philips Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the device
US3810796A (en) * 1972-08-31 1974-05-14 Texas Instruments Inc Method of forming dielectrically isolated silicon diode array vidicon target
JPS5228550B2 (nl) * 1972-10-04 1977-07-27
NL161301C (nl) * 1972-12-29 1980-01-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
JPS5242634B2 (nl) * 1973-09-03 1977-10-25
JPS604590B2 (ja) * 1973-10-30 1985-02-05 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
DE2409910C3 (de) * 1974-03-01 1979-03-15 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
NL7506594A (nl) * 1975-06-04 1976-12-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
FR2341201A1 (fr) * 1976-02-16 1977-09-09 Radiotechnique Compelec Procede d'isolement entre regions d'un dispositif semiconducteur et dispositif ainsi obtenu
JPS6028397B2 (ja) * 1978-10-26 1985-07-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US4381956A (en) * 1981-04-06 1983-05-03 Motorola, Inc. Self-aligned buried channel fabrication process
JPH01214136A (ja) * 1988-02-23 1989-08-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積装置
US6693308B2 (en) * 2002-02-22 2004-02-17 Semisouth Laboratories, Llc Power SiC devices having raised guard rings

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA826343A (en) * 1969-10-28 Kooi Else Methods of producing a semiconductor device and a semiconductor device produced by said method
US3386865A (en) * 1965-05-10 1968-06-04 Ibm Process of making planar semiconductor devices isolated by encapsulating oxide filled channels
NL152707B (nl) * 1967-06-08 1977-03-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.

Also Published As

Publication number Publication date
BE769732A (fr) 1972-01-10
DE2133979C3 (de) 1979-08-23
DE2133979B2 (de) 1978-12-21
JPS517551B1 (nl) 1976-03-09
NL7010207A (nl) 1972-01-12
US3755014A (en) 1973-08-28
ATA594071A (de) 1975-07-15
CH528821A (de) 1972-09-30
ES393038A1 (es) 1973-08-16
JPS472520A (nl) 1972-02-07
CA938032A (en) 1973-12-04
FR2098322A1 (nl) 1972-03-10
FR2098322B1 (nl) 1974-10-11
GB1352779A (en) 1974-05-08
DE2133979A1 (de) 1972-01-13
NL169121B (nl) 1982-01-04
SE367512B (nl) 1974-05-27
AT329116B (de) 1976-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL169121C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL163370C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
NL179631C (nl) Poreuze microbolletjes met een oppervlak van een moeilijk smeltbaar metaaloxyde, alsmede werkwijze voor het bereiden daarvan.
NL170348C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een tegen dotering en tegen thermische oxydatie maskerend masker wordt aangebracht, de door de vensters in het masker vrijgelaten delen van het oppervlak worden onderworpen aan een etsbehandeling voor het vormen van verdiepingen en het halfgeleiderlichaam met het masker wordt onderworpen aan een thermische oxydatiebehandeling voor het vormen van een oxydepatroon dat de verdiepingen althans ten dele opvult.
NL7612913A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een schijf met integrale schoepen.
NL7503550A (nl) Halfgeleiderstructuur met bovenliggende collector en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke structuur.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL7511940A (nl) Ritssluiting met een orgaan voor het openen in geval van nood.
NL7507970A (nl) Werkwijze voor het bedrijven van een inrichting voor het vervaardigen van een kunststofprofiel- streng en voor de werkwijze uitgevoerde inrich- ting.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL180727C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een borgmoer.
NL172803C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een primair trefelement op basis van uraanmateriaal, dat aan uraan-235 is verrijkt.
NL173296B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een spoorstaaf.
NL180466C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
NL7416907A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen itssluitingen.
NL166389C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een met een kaartje uitgeruste ritssluiting.
NL169936C (nl) Halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken oxydepatroon.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent