DE2247651C3 - Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines Halbleiterstabes - Google Patents
Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines HalbleiterstabesInfo
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- DE2247651C3 DE2247651C3 DE19722247651 DE2247651A DE2247651C3 DE 2247651 C3 DE2247651 C3 DE 2247651C3 DE 19722247651 DE19722247651 DE 19722247651 DE 2247651 A DE2247651 A DE 2247651A DE 2247651 C3 DE2247651 C3 DE 2247651C3
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines Halbleiterstabes beim tiegellosen
Zonenschmelzen entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Solche Vorrichtungen sind dem Stande der Technik gemäß der DE-AS 12 31 671 und der DE-PS 12 31 761
entnehmbar bzw. in der DE-OS l\ 13 720 vorgeschlagen
worden. Sie haben sich 'o€\m Zonenschmelzen dann
bewährt, wenn der Durchmesser v-es Ausgangsstabes
und der des aus der Schmelzzone auskristallisierenden Stabes einander gleich sind bzw. in einem konstanten
Verhältnis zueinander stehen. Ist hingegen in dem auskristallisierenden Stab ein konischer Übergang
zwischen Stabteilen unterschiedlichen Durchmessers vorgesehen, so ist sine solche Vorrichtung im
allgemeinen nicht mehr ausreichend. Vielmehr muß dann auch der konische Übergang zwischen den beiden
Stabteilen, z. B. zwischen dem Keimkristall und einem aus der Schmelzzone wachsenden Dickstab, geregelt
werden.
Deshalb wird erfindungsgemäß die eingangs definierte Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines
Halbleiterstabes beim tiegellosen Zonenschmelzen entsprechend dem Kennzeichen des Anspruchs weiter
ausgestaltet.
Beim Betrieb einer solchen Vorrichtung hat man dann die im folgenden beschriebenen Vorgänge. Den von der
Fernsehkamera gelieferten Impulsen werden Informationen über das Volumen der Schmelzzone, über
ausgezeichnete Winkel an der Schmelz- und der Erstarrungsfront am vertikalen Schmelzzonenprofil
sowie an dessen Wendepunkt und dem Durchmesser des Halbleiterstabes an der Erstarrungsfront entnommen
und als Istwerte mit den von einem Prognimmwerk
gelieferten entsprechenden Sollwerten zur Beaufschlagung der entsprechenden Regelkreise verwendet. Dabei
soll die Abstandsänderung der die Schmelzzone tragenden festen Stabteile über den zwischengeschalteten
Volumenregelkreis, die Korrektur für die zugeführte Heizenergie über den Winkelregelkreis erfolgen.
Dabei wird zur Erfassung des Volumens der das Wachstum des Halbleiterstabes aus der Schmelzzone
jo
sr>
40 bestimmende Teil der Schmelzzone (das von diesem
Teil in der Fernsehkamera projizierte Bild) zeilenweise abgetastet, der Durchmesser der Schmelzzone je Zeile
ermittelt, quadriert und addiert Außerdem werden gleichzeitig aus den Impulsen der zeilenweise abgetasteten
Schmelzzone der Durchmesser an der Erstarrungsfront und die Winkel an den ausgezeichneten Punkten:
Erstarrungsfront, Schmelzfront und Wendepunkt ermittelt
Die geometrische Form des konischen S.abteiles wird durch den jeweiligen Durchmesser und den
zugehörigen Winkel bestimmt, wobei der Durchmesser und der zugehörige Winkel eine Funktion des von der
Erstarrungsfront zurückgelegten Weges ist
Der Durchmesser und die ausgezeichneten Winkel sind dabei in Form einer cos-Funktion von dem von der
Erstarrungsfront zurückgelegten Weg abhängig. Weiterhin wird der jeweilige Sollwinkel zur Regelung der
Energiezufuhr erfindungsgemäß aus der Verknüpfung des Durchmessers und des dazugehörigen Winkels über
die von der Erstarrungsfront zurückgelegte Weglänge als Funktion des Durchmessers ermittelt
Mit den bislang bekanntgewordenen Vorrichtungen wird im Sinne einer automatischen Regelung entweder
das von der Schmelzspule erfaßte Volumen oder die der Schmelzzone zugeführte Energie konstant gehalten.
Insbesondere das Konstanthalten des Volumens ist für einen quasi-stationE.-en Betrieb, bei dem sich weder die
Wanderungsgeschwindigkeit der Schmelzzone noch der Durchmesser bzw. das Durchmesserverhältnis der
beiden Stabteile, noch die radiale oder axiale Wärmeabführungsbedingungen ändern, ausreichend.
Die Vorteile der erfindungsgemäßen Vorrichtung gegenüber den bisher bekanntgewordenen sind, daß
unabhängig von der eben erwähnten Konstanz die Regelung des gesamten Prozesses so geführt werden
kann, daß sowohl die Energiezufuhr, als auch der Abstand der die Schmelzzone begrenzenden Stabenden
den jeweils optimalen Stabilitäts- bzw. Wachstumsbedingungen entsprechen. Ein solche- Fall liegt z. B. vor,
wenn ein Silicium-Einkristall ausgehend von einem dünnen Impfkristall auf einen vorgegebenen Durchmesser
erschmolzen werden soll, wobei sich im wesentlichen die geometrischen Abmessungen ändern und
damit die in der jeweiligen Position der Schmelzspule notwendige Energie.
Zur Verwirklichung des Programms für den Übergang vom Keimkristall zum Solldurchmesser des zu
erschmelzenden Stabes ist auf Grund der Ziehbedingungen, der Anfangs- und Endbedingungen ein stetiger
Verlauf des Durchmessers über der Stablänge vorzusehen. Es wird deshalb mit der beanspruchten Vorrichtung
das Programm auf einer cos-Funktion des Durchmessers und des dazugehörigen Winkels vom durchlaufenen
Weg aufgebaut, die in erster Näherung dem experimentell ermittelten Verlauf des »cos-förmigen« Überganges
entspricht.
Die cos-Funktion, die den experimentell ermittelten Werten am nächsten kommt, ergibt sich zu
d = r„ + R - \(R - r0) · cos —T--
hr> Hierbei ist d der dem jeweiligen Weg zugeordnete
Durchmesser, r0 der Radius des Keimkristalles, R der
Radius des zu erschmelzenden fertigen, zylindrischen Stabes, / der von der Phasengrenze festflüssig
zurückgelegte Weg und Jt die Länge des cos-förmigen Überganges, die vorteilhaft etwa dem Durchmesser des
zu erschmelzenden Stabes entspricht.
22 47 65!
Außerdem hat sich gezeigt, daß für ein zylindrisches
Wachstum ein bestimmter öffnungswinkel der sehmelzflüssigen
Zone an der Erstarrungsfront notwendig ist, wobei dieser wiederum vom Druchmesser der Erstarrungsfront
in gewissen Grenzen abhängt; es läßt sich auch ein Verlauf des öffnungswinkels über die Länge
des Übergangsbereiches festlegen, der z. B. mathematisch
aus der obengenannten Durchmesserfunktion durch Differenzieren abgeleitet werden kann.
Ausgehend von dem z. B. in einer Datenverarbeitungsanlage
11 gespeicherten Programm, das die Abhängigkeit des Stabduchmessers, beginnend am
Impfkristall, wiedergibt, und von dem von der Phasengrenze bzw. der Indukticnsheizspule 12 zurückgelegten
Weg abhängig ist, soll anhand der Figur der Funktionsablauf geschildert werden.
In der Fernsehkamera 1, mit welcher die Schmelzzone 2 des Halbleiterstabes aufgenommen wird, wird das
Abbild der Schmelzzone abgetastet Die elektrischen Impulse werden in der nachfolgenden elektronischen
Einrichtung 3 ausgewertet und dabei das Volumen der Schmelzzone, die ausgezeichneten Winkel an der
Oberfläche der Schmelzzone und der Durchmesser des erstarrenden Stabendes ermittelt Ober einen zwischengeschalteten
Volumenregelkreis mit dem Regelverstärker 4, der dem eigentlichen Durcbmesserregelkreis mit
dem Regelverstärker 10 und dem Verstärker 5 zur Anpassung der Durchmesserabweichung an den Volumen-Sollwert
unterlagert ist, wird der Streck-Stauch-Mechanismus 7, 8, 8a, 9 der Zonenziehanlage betätigt
Mit einem parallelliegenden Winkelregelkreis, mit welchem der zum jeweiligen Durchmesser gehörende
Winkel auf den Sollwert geregelt wird, wird über den
Regelverstärker 6 die Energiezufuhr über die Genera-
is torfrequenz geregelt
Diese beiden Regelkreise werden über einen dritten »Geometrie«-Regelkreis mit dem Programmwerk 11 so
miteinander verknüpft, daß die gewünschte geometrische Form des Überganges entsteht, ohne daß die
Schmelzzone instabil wird, d. h. einfrort oder abtropft.
I.ierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines Halbleiterstabes an der Er&tarrungsfront der ϊ Schmelzzone beim tiegellosen Zonenschmelzen mit einer Fernsehkamera, einem optoelektronischen Bildwandler, einer Auswerteeinrichtung und einem Sollwertgeber für die geometrischen Daten von Schmelzzone und Stabdurchmesser, einem Durch- ι ο messerregelkreis, einem Winkelregelkreis und einem Streck-Stauch-Mechanismus, dadurch gekennzeichnet, daß dem Streck-Stauch-Mechanismus (7, 8, 8a, 9) ein Volumenregelkreis mit dem Regelverstärker (4) vorgeschaltet ist, der dem Durchmesserregelkreis mit dem Regelverstärker (10) unterlagen ist, und daß der Durchmesserregelkreis mit dem parallelliegenden, die Energiezufuhr für die Induktionsheizspule (12) regelnden Winkelregelkreis mi\ dem Regelverstärker (6) über einen weiteren Regelkreis mit dem Programmwerk (11) verknüpft ist
Priority Applications (12)
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DK528873A DK141784C (da) | 1972-09-28 | 1973-09-27 | Fremgangsmaade og apparat til digelfri zonesmeltning af en halvlederstav |
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