DE2534752C3 - - Google Patents
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- Publication number
- DE2534752C3 DE2534752C3 DE19752534752 DE2534752A DE2534752C3 DE 2534752 C3 DE2534752 C3 DE 2534752C3 DE 19752534752 DE19752534752 DE 19752534752 DE 2534752 A DE2534752 A DE 2534752A DE 2534752 C3 DE2534752 C3 DE 2534752C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melting
- zone
- rod
- television camera
- solidification front
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
20
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines
Halbleitermaterialstabes bei der der Stab lotrecht zwischen zwei Halterungen in einem Rezipienten
angeordnet ist, mit einer, den Stab ringförmig umschließenden Induktionsheizspule und einer Fernsehkamera
zur optischen Überwachung der Erstarrungsfront der Schmelzzone.
Eine solche Vorrichtung ist aus der DE-PS 12 31 671 Μ
zu entnehmen. Bei dieser Vorrichtung wird zur Steuerung des Durchmessers der Erstarrungsfront der
Schmelzzone eine Fernsehkamera ve-: wendet, in welcher das Bild der Umgebung de. Erstarrungsfront mit
einem Elektronenstrahl zeilenweise abgt astet wird und zwischen der Fernsehkamera und einer an sich
bekannten Einrichtung, die zur Durchmesser-Sollwertsregelung eine Streck-Stauch-Bewegung der Stabenden
hervorruft, ein Regelkreis geschaltet ist. Ober den die
Streck-Stauch-Bewegung, abhängig von dem Ergebnis der Abtastung, herbeigeführt wird.
Für die normale Beobachtung und Messung von geometrischen Formen an der Schmelzzone ist es
angebracht, die Blickrichtung und die Höhe der Kamera so zu wählen, daß die Erstarrungsfront oder die 4S
Phasengrenze genau senkrecht beobachtet wird. Dabei soll sie sich etwas unterhalb der Bildmitte befinden.
Während des Anschmelzvorgangs von Keimkristall und Haibleiterstab und auch noch im konischen Stabteil
(nach dem Anschmelzen) wird die Phasengrenze durch so die die Schmelzzone erzeugende HF-Induktionsheizspule
abgedeckt Es muß dann ein anderer Blickwinkel gewählt werden, auch wenn die Beobachtungsbedingungen
nicht mehr optimal sind. Die Abbildungsbedingungen wie Schärfe und Maßstab dürfen sich jedoch nicht
ändern.
ohne Lageveränderung der Fernsehkamera eine Änderung der Betrachtungsrichtung auf die Erstarrungsfront
der Schmelzzone zu ermöglichen.
Die vorliegende Patentanmeldung löst diese Aufgabe Hadurch, daß zwischen Fernsehkamera und zu beobachtender
Erstarrungsfront der Schmelzzone zwei fest justierte Spiegel und ein Schwenkspiegel so angeordnet
sind, daß die Strahlen gleich sind. Dadurch, daß bei Änderung der Blickrichtung der Objektabstand *.ur
K amera konstant bleibt, wird gewährleistet, daß sich die
Abbildungsbedingungen nicht ändern und der Automatisierungsvorgang nicht gestört wird.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, daß der Schwenkspiegel durch einen Elektromagneten betätigbar
i$t
Zur näheren Erläuterung der Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels soll nunmehr auf die in der
Zeichnung befindliche Figur Bezug genommen werden.
In der Figur bezeichnet 1 den Halbleiterkristallstab
aus Silicium, der nach dem Zonenschmelzverfahren behandelt werden soll. Durch eine einwindige Induktionsheizspule
2 wird in ihm eine Schmelzzone 3 erzeugt, welche während -des Zonenschmelzen von
unten nach oben über den Siliciumstab hinweggeführt wird (s. Pfeil 4). Die Erstarrungsfront 13 der
Schmelzzone 3 liegt deshalb an der unteren Grenze der Zone. Mittels der Fernsehkamera 5 wird ein Abbild der
Übergangsstelle von der Schmelzzone 3 zum unteren Teil 6 des Halbleiterstabes auf das Fotozellensystem der
Kamera übernommen. Weitere Einzelheiten der Bildabtastung und der daraus erfolgenden Steuerung des
Zonenschmelzvorgangs sind in der eingangs erwähnten DE-PS 12 31 671 genau beschrieben. Auf diese Vorgänge
soll hier nicht näher eingegangen werden, vielmehr soll die Betätigung des Spiegelsystems beschrieben
werden.
Wie aus der Figur zu ersehen ist, wird der von der unteren Grenze 13 der Schmelzzone 3 ausgehende
Strahl [104] an einen fest justierten Spiegel 7 reflektiert [26] und auf den Spiegel 8 geworfen, wo er nach der
Reflexion [45] auf die Fernsehkamera trifft Der durch die geänderte Blickrichtung entstandene Strahl [100]
(gestrichelt gezeichnet) wird auf den fest justierten Spiegel 9 geworfen und trifft ebenfalls nach Reflexion
[30] auf den Spiegel 8. Der Spiegel 8 muß um einen solchen Betrag geschwenkt werden, daß er die
Blickrichtung der Kamera trifft. Die Lageänderung des Spiegels 8 ist strichpunktiert dargestellt und wird durch
einen Elektromagneten 10 bewirkt Der Spiegel 9 muß so justiert sein, daß der Abstand Objekt—Kamera
konstant bleibt.
Die an den Strahlen in eckigen Klammern eingezeichneten
Bezugszeichen sind gleichzeitig ein MaB für die entsprechenden Abstände. Wie sich daraus leicht
berechnen läßt, sind die Abstände der beiden Blickrichtungen gleich (104 + 26 + 45== 175 und
100+30+45-175).
Claims (2)
1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleitermaterialstabes, bei der der Stab
lotrecht zwischen zwei Halterungen in einem
Rezipienten angeordnet ist, mit einer, den Stab
ringförmig umschließenden Induktionsheizspule und einer Fernsehkamera zur optischen Überwachung
der Erstarrungsfront der Schmelzzone, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Fernsehkamera
und zu beobachtender Erstarrungsfront der Schmelzzone zwei fest justierte Spiegel (7; 9) und ein
Schwenkspiegel (8) so angeordnet sind, daß die Strahlen (104; 26;45) und(100;30; 45) gleich sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß Schwenkspiegel (8) durch einen Elektromagneten (10) betätigbar ist
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752534752 DE2534752B2 (de) | 1975-08-04 | 1975-08-04 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleitermaterialstabes mit einer fernsehkamera zur optischen ueberwachung der erstarrungsfront |
DK249676A DK249676A (da) | 1975-08-04 | 1976-06-04 | Apparat til digelfri zonesmeltning af en halvlederkrystalstav, hvor der til automatisering af zonesmeltningen benyttes et fjernsynskamera |
JP9088576A JPS5220306A (en) | 1975-08-04 | 1976-07-29 | Apparatus for zone melting of semiconductor rod without crucible |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752534752 DE2534752B2 (de) | 1975-08-04 | 1975-08-04 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleitermaterialstabes mit einer fernsehkamera zur optischen ueberwachung der erstarrungsfront |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2534752A1 DE2534752A1 (de) | 1977-02-10 |
DE2534752B2 DE2534752B2 (de) | 1978-02-02 |
DE2534752C3 true DE2534752C3 (de) | 1978-10-05 |
Family
ID=5953176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752534752 Granted DE2534752B2 (de) | 1975-08-04 | 1975-08-04 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines halbleitermaterialstabes mit einer fernsehkamera zur optischen ueberwachung der erstarrungsfront |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5220306A (de) |
DE (1) | DE2534752B2 (de) |
DK (1) | DK249676A (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2166884B (en) * | 1984-11-09 | 1988-07-13 | Ferranti Plc | Radiation path axis directing system |
-
1975
- 1975-08-04 DE DE19752534752 patent/DE2534752B2/de active Granted
-
1976
- 1976-06-04 DK DK249676A patent/DK249676A/da unknown
- 1976-07-29 JP JP9088576A patent/JPS5220306A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK249676A (da) | 1977-02-05 |
DE2534752B2 (de) | 1978-02-02 |
DE2534752A1 (de) | 1977-02-10 |
JPS5220306A (en) | 1977-02-16 |
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Legal Events
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