SU550958A3 - Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки - Google Patents

Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки

Info

Publication number
SU550958A3
SU550958A3 SU2027959A SU2027959A SU550958A3 SU 550958 A3 SU550958 A3 SU 550958A3 SU 2027959 A SU2027959 A SU 2027959A SU 2027959 A SU2027959 A SU 2027959A SU 550958 A3 SU550958 A3 SU 550958A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melting zone
diameter
zone
melting
crystals
Prior art date
Application number
SU2027959A
Other languages
English (en)
Inventor
Штут Ханс
Original Assignee
Сименс Аг (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Аг (Фирма) filed Critical Сименс Аг (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU550958A3 publication Critical patent/SU550958A3/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating
    • C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

/о - радиус затравочного кристалла, R - радиус выращиваемого кристалла, / - путь, пройденный фронтом кристаллизации при соответствующем значении d, К - длина конусообразного перехода.

Claims (2)

1. Способ автоматического управлени  процессом выращивани  кристаллов методом бестигельной зонной плавки путем определени  значени  диаметра зоны плавлени  на фронте кристаллизации с помощью телевизионной камеры и воздействи  сигнала диаметра зоны плавлени  на механизм «раст жени -сжати  зоны, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества выращиваемых кристаллов, по совокупности сигналов телевизионной камеры и значению диаметра зоны плавлени  онредел ют угол раскрыти  зоны плавлени , по величине которого регулируют энергию, подводимую к зоне плавлени .
2. Способ по п. 1, отличающийс  ТеМ, что при выполнении конусообразного neijexoда между затравочным и вырапишаемым кр)1сталлами диаметр зоны плавлени  на фронте кристаллизации измен ют согласно следующей функции
+ ()с08.
где d - диаметр зоны плавлени .
Го - радиус затравочного кристалла, R - радиус выращиваемого кристалла, / - путь, пройденный фронтом кристаллизации при соответствующем значени) d, К- длина конусообразного перехода.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:
1.Авт. св. № 210844, М. Кл. В 01J 17/10, 1967.
2.Авт. св. № 347073, М. Кл. В 01J 17/10, 1968.
SU2027959A 1972-09-28 1974-05-30 Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки SU550958A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19722247651 DE2247651C3 (de) 1972-09-28 1972-09-28 Vorrichtung zur Steuerung des Durchmessers eines Halbleiterstabes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU550958A3 true SU550958A3 (ru) 1977-03-15

Family

ID=5857653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2027959A SU550958A3 (ru) 1972-09-28 1974-05-30 Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS548356B2 (ru)
BE (1) BE795488A (ru)
DE (1) DE2247651C3 (ru)
NL (1) NL7306684A (ru)
SU (1) SU550958A3 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2529329C3 (de) * 1975-07-01 1982-06-16 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen
JPH0651599B2 (ja) * 1987-12-05 1994-07-06 信越半導体株式会社 浮遊帯域制御方法
JP4677882B2 (ja) * 2005-11-10 2011-04-27 信越半導体株式会社 半導体結晶の製造方法及び半導体結晶の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE2247651A1 (de) 1974-04-04
JPS548356B2 (ru) 1979-04-14
JPS4972181A (ru) 1974-07-12
DE2247651C3 (de) 1979-07-12
BE795488A (fr) 1973-05-29
NL7306684A (ru) 1974-04-01
DE2247651B2 (de) 1978-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU550958A3 (ru) Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки
NO115002B (ru)
GB1303309A (ru)
AU4716772A (en) Apparatus for manufacturing single crystals by crystallization froma melt, method of growing single crystals while using said apparatus, and single crystals manufactured by said method
GB1389856A (en) Crystallisation of fructose
FR2669510B1 (fr) Procede discontinu de cristalisation d'un sirop et appareil pour la mise en óoeuvre de ce procede.
SU649299A3 (ru) Устройство дл автоматического управлени процессом выращивани кристаллов при бестигельной зонной плавке
JPS55140795A (en) Automatic crystal growing device
GB1493550A (en) Method and apparatus for growing hgi2 crystals
FR2457843A1 (fr) Procede de reglage de la largeur d'un ruban de verre fabrique par flottage
JPS5421972A (en) Method of producing single crystals
SU566424A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези
Turovskii et al. Growth and Properties of Si Crystals with Automatic Diameter Control
JPS52152220A (en) Exposure display device for single lens reflex camera of automatic exposure control type
DE19738438A1 (de) Einrichtung für die Bestimmung des Durchmessers eines Kristalls
GB1094878A (en) A process for continuously obtaining crystals suitable for centrifuging, from organicc salts
GB1147947A (en) Continuous crystallization apparatus for even grains
BE860862A (fr) Procede de cristallisation progressive par zones, sans creuset et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
GB1461836A (en) Process for optical resolution of racemic lysine sulphanilate
Ovsienko et al. INFLUENCE OF THE GROWTH RATE ON THE PERFECTION OF TIN SINGLE CRYSTALS
JPS6437494A (en) Single crystal producing apparatus
JPS5228258A (en) Method for growth of crystals from liquid phase
SU931205A1 (ru) Устройство дл тренировки спортсменов
BE805907A (fr) Dispositif de controle pour la commande combinee du tube d'evacuation et de l'embrayage devis d'archimede de moissonneuses-batteuses
Shenderovich et al. Controlling the Diameter of Silicon Single Crystals Grown by the Czochralski Method