SU566424A1 - Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези - Google Patents
Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цезиInfo
- Publication number
- SU566424A1 SU566424A1 SU7502193956A SU2193956A SU566424A1 SU 566424 A1 SU566424 A1 SU 566424A1 SU 7502193956 A SU7502193956 A SU 7502193956A SU 2193956 A SU2193956 A SU 2193956A SU 566424 A1 SU566424 A1 SU 566424A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal
- temperature
- solution
- day
- seed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
- 1
Изобретение относитс к технологии выращивани монокристаллов, в частности, мо нокристаллов хлорида меди-цези , которые могут найти применение в создании ниакочас тотных резонаторов, а также в оптических 5 и магнитных устройствах.
Известен способ получени кристаллов
CscuCBg cs cucR HCsgCuxeyaHgOj
испарением водных pacTBopoB,CsCE И
Недостатком известного способа вл егс получение несовершенных мелких кристаллов , размером до 10 мм гетерогенного соотава .
Известен также способ получений кристал- 15 ловСзСиСРз водного раствора. Рост|этш1 кристаллов осуществл ют путем испарени раст Ьора 2j .
Этим способом, однако, не получены |крио таллы размером более 10 мм.20
С целью увеличени размеров монокристал ЛОВ процесс выращивани кристалловСзСиСРCs CuCE иСЗдСы- Се Нг
затравку методом понижени температуры от 47 до 18,5С из водных растворов хлорида 25
цези в хлориде меди в весовых соотношени хСбС : CuCBgi 5:1; 3:4 (соатвет - ственно) со скростью снижени температуры 0,05-0,12 град/сутки.
Оптимальные весовые соотношени CsС
приготовлени кристаллизационных растворов и, максимальньш температуры начала кристаллизации бьши найдены ; при изучении тройной системы CQC2-CuQf O &,2,&,QQ и составл ют дл CsCU C-gg 1:2| 47. С;
CSgCuCe Sa, 43, ECS CUgCe 3:4 25,,
Разработанный способ вл етс эффективным , так как позвол ет выращивать крупные кристаллы СЗ Си cf Cs,, С,Ц CF ,С s С и С, 6Н,О вьюокого качесчБЕ,
Claims (3)
- / П РИМ е р 1, Раствор 240гСвСЕ(50С) постепенно при непрерывном перемешивании приливают к раствору 485rCl4CE 2 HgO (70°С). Полученный раствор двух компонен тов (800 мл) быстро фильтруют и заливают в кристаллизационный с- аканв Последний по мещают в термостатированный кристаллизатор при 47 С,.; Затравку кристалла, хорошо ограненную, размером 6мм, предварительно выращенную в растворе указанного состава, укрепленную на нити (либо с различной ориентацией на тефлоновой платформе) помещают в кристаллизационный стакан, раствор которого предварительно перегрет на 4 С выше начальной температуры роста кристалла. После оформлени затравки начинают снижение темпер туры. При скорости снижени температуры по 0,О5 град/сутки вырастает кристалл размером 25х1Ох1Омм в течение 90 суток. Цвет кристалла черный в тонких пластинках гранатово-красного цвета, Процесс выращивани кристалловС&СиС « , aC Cuif -2HiOBeayT на затрав ку методом понижени температуры от 47 до 18,5 С из водных растворов Хлорида цези в хлориде меди в весовых соотнощени х , CsCP CuCEg 1:2; 5:1; 3:4(соответственно ) со скоростью снижени Гтемпературы О,0 0,12 град/сутки. Оптимальные весовые соотношени CeCP-i СцСЕл дл приготовлени кристаллиаационных растворов и максимальные температуры начала кристаллизации были найдены при изучении тройной системыCsCH-CuCBgrHj 18,2 5,5 оЪ и составл ют дп CsCuCU: 2; 4 7 С; ;CSaCuCe 5:l,43,5°CHCSjCu2C 2H20 3:4, 25,5°С. Разработанный способ вл етс эффективным так как позвол ет выращивать крупные кристаллы CsCuCBgjC gCuCE jCS CUgCP 2Н2Р высокого качества. Пример
- 2., Технологические приемы по приготовлению затравки и росту кристалnaCs-CuCEj . аналогичны CavCuCP g Дл приготовлени раствора вз то 70О rCsCE и 720 мл Н,0 120 rCuCP, Рост кристалла провод т от 43,5 до 27,8 С. При снижении температуры по ОД2 град/су- ки в течение 125 суток вырастает прозрачный кристалл желто-оранжевого цвета размером 4Ох20х13мм, Пример
- 3. Дл приготовлени раст вора вз то 125 г CQ С В и 130rCuCE2 2 Н gO , 300 мл Н 2 О k Рост кристалла провод т от 25,5 до 18,5 С. Снижение температуры до 0,08 град/сутки. В течение 84 суток вырастает прозрачный кристалл кори невого цветав размером 28х25х18мМв Формула изобретени Способ выращивани монокристаллов хлоридовмед -цези из водного раствора С &GP иСиСР2 , отличающийс тем, что, с целью увеличени размеров мо;нокристаллова процесс ведут на затравке понижени температуры в интервале 47,018 , со скоростью t,q5-0,12 град/сутки Источники информации, прин тыево внимание при экспертизе: . l.J.CryfetaiH CKowtH №4, 346, 11970. 2,Act . В, 27, 1528, 1971
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7502193956A SU566424A1 (ru) | 1975-10-09 | 1975-10-09 | Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7502193956A SU566424A1 (ru) | 1975-10-09 | 1975-10-09 | Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU566424A1 true SU566424A1 (ru) | 1977-12-25 |
Family
ID=20638740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU7502193956A SU566424A1 (ru) | 1975-10-09 | 1975-10-09 | Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU566424A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115108575A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-27 | 郑州大学 | 零维Cs2CuCl4纳米晶、绿光LED及其制备方法 |
-
1975
- 1975-10-09 SU SU7502193956A patent/SU566424A1/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115108575A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-27 | 郑州大学 | 零维Cs2CuCl4纳米晶、绿光LED及其制备方法 |
| CN115108575B (zh) * | 2021-03-22 | 2023-08-18 | 郑州大学 | 零维Cs2CuCl4纳米晶、绿光LED及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR860001821A (ko) | 결정형태의 이나트륨 3-아미노-1-하이드록시프로판-1,1-디포스포네이트의 제조방법 | |
| KR880002847A (ko) | 형태학적으로 균일한 형태를 갖는 티아졸 유도체의 제조방법 | |
| SU566424A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов хлоридов меди цези | |
| US4347230A (en) | Process for the preparation of alpha mercuric iodide monocrystals | |
| Almeida et al. | Growth of large single crystals of triethylammonium BIS-tetracyanoquinodimethane-TEA (TCNQ) 2 | |
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| Irvine et al. | CLXXIV.—The constitution of glucose derivatives. Part II. Condensation derivatives of glucose with aromatic amino-compounds | |
| JPWO2003011886A1 (ja) | ５’−グアニル酸ジナトリウム・５’−イノシン酸ジナトリウム混晶の製造法 | |
| JPS62100409A (ja) | 高純度苛性カリの製造法 | |
| RU94041196A (ru) | Способ непрерывного получения сульфата калия из сульфата натрия | |
| SU1684357A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов гидрофталата кали | |
| SU611591A3 (ru) | Способ получени стабильной полиморфной формы 1-окси-3(1,1-диметилгептил)-6,6-деметил-6,6,7,8,10,10а-гексагидро-9н-дибензо (в, )-пиран-9-она | |
| SU823272A1 (ru) | Способ очистки иодида серебра | |
| SU1386571A1 (ru) | Способ получени пентафторвисмутатов ( @ ) щелочных металлов | |
| EP0239146B1 (en) | Method of producing crystals of l-arginine phosphate monohydrate | |
| SU644733A1 (ru) | Способ выделени кристаллогидрата нитрата кальци | |
| SU823291A1 (ru) | Способ получени хиолита | |
| RU1775362C (ru) | Способ получени дес тиводного сульфата натри | |
| RU2224763C2 (ru) | Способ получения бис (1-гидроксиэтан-1,1-дифосфоната(1-)) меди (II) | |
| JPH07115861B2 (ja) | 単結晶育成原料の製造方法 | |
| RU1412383C (ru) | Способ выращивани монокристаллов иодистого цези | |
| RU1535077C (ru) | Способ получения кристаллов | |
| RU1808887C (ru) | Способ получени кристаллов Z @ SO @ @ 6ОС (NH @ ) @ @ Н @ О | |
| JPH0699239B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
| SU1624067A1 (ru) | Способ выращивани пленок теллурида цинка |