SU823272A1 - Способ очистки иодида серебра - Google Patents
Способ очистки иодида серебра Download PDFInfo
- Publication number
- SU823272A1 SU823272A1 SU792782587A SU2782587A SU823272A1 SU 823272 A1 SU823272 A1 SU 823272A1 SU 792782587 A SU792782587 A SU 792782587A SU 2782587 A SU2782587 A SU 2782587A SU 823272 A1 SU823272 A1 SU 823272A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silver iodide
- zone melting
- impurities
- iodide
- agj
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к технологии получени особочистого.йодида серебра , .используемого дл получени особочистого материала, а также дл получени и изучени свойств большого класса соединений твердых электролитов на основе AgJ, используемых в качестве химических источников тока ,
Известен способ получени чистого йодида серебра осаждением его из раствора азотнокислого серебра 1
Недостатком известного способа вл етс высокое содержание примесей в продукте 5 % .
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату вл етс способ очистки, йодида серебра от примесей зонной плавкой при 558.С. Исходный йодид серебра получают осаждением из раствора AgNO раствором йодистого кали / сушат при 70С, выдерживают в атмосфере HJ 4 ч и фильтруют в ампулу. Зонную плавку полученного AgJ провод т сначгша со скоростью 30 мм/ч (10 проходов), затем со скоростью 10 мм/ч (30 проходов). Получают продукт с содержанием примесей , масс.%: Ni 1-10-4, мд 3-10 Д,
.-4
Ю
Fe 2-10
АВ 1- 10
Мп 1
-1-4 Рв I-IQ-, Si 5-10-, CL. 2. -4
Недостатком этого способа вл етс высокое содержание примесей в продукте.
Цель изобретени - снижен ие содержани примесей до 1 -10 .. %.
Поставленна цель достигаетс предлагаемым способом очистки йодида
0 серебра от примесей зонной плавкой, причем зонную плавку ведут в присутствии йодида рубиди или йодида кали в атмосфере инертного газа.
П,р и м е р 1. Дл проведени
5 зонной плавки берут эвтектическую смесь Ад Э (70,0 модЛ) - RbJ. Сме .шивают 33,6 г RbJ ч и 86,4 г AgJ ч, перетирают в ступке и загружают во фторопластовую лодочку 0 длиной 400 мм. Лодочку помещают в кварцевый реактор, который эвакуируют до pi.ст. Смэсь плав т при 240.+ 20 С, затем реактор заполн ют аргоном (РОСТ 5 0,5 атм) и провод т зонную плавку эвтектической смеси на горизонтальной установке. Ширина расплавленной зонА 40 мм, скорость ее двйже.ни 30 мм/ч, количество проходов. 15. По 0 данным спектрального анализа примеси после зонной плавки концентрируютс в конце слитка (20% от длины).
После зонной плавки слиток дел т на несколько равных частей, oTNtJBaют от RbJ деионизированной водой и сушат иодид серебра при в течение 2 ч. Результаты спектральноiro анализа иодида серебра приведены в таблице.
П р .и м е р 2. Берут эвтектическую смесь AgJ (70,5 мол.%) - KJ, дл этого смешивают 27,9 г KJ ч и 92,1 г AgJ ч и провод т все операции , по примеру 1.
Результаты спектрального анализа иодида серебра, полученного из 0,8 доли слитка эвтектической смеси AgJ - KJ после зонной плавки приведены в таблице.
Дл сравнени эффективности предлагаемого способа с известным провод т зонную плавку 120 г AgJ ч в вакууме, н кварцевой лодочке, так как температура плавлени иодида серебра - 558°С. Услови проведени зонной плавки аналогичны услови м примеца 1. Результаты спектрального анализа иодида серебра в 0,8 доле слитка после зонной плавки приведены в таблице. .
Проведение зонной плавки в инертной атмосфере уменьшает степень , термодиссоциации иодида серебра, .следовательно исключаетс возмож,ность по влени микрофаз коллолдног серебра. Низкие температуры плавлени эвтектических смесей позвол ют использовать в качестве материала контейнера фторрпласт-4, что исключает возможность загр знени иодида серебра из материала контейнера, особенно кремнием. :
I
Таким образом, предлагаемый способ позвол ет получить иодид серебра особой чистоты с содержанием примесей Ni, Mg, Mn, Al, Fe, Pb, Si 1-10 масс.% в 80% слитка, снизить температуру проведени процесса от 560°С до 200-250°С (интервал плавлени эвтектических смесей) а также использовать очищенные эвтектические смеси дл синтеза твердых электролитов особой чистоты (Rb и ) без отделени AgJ от RbJ И KJ..
5-10 7-10 IlO ИСХОДНЫЙ AgJ ч после зонной I-IO З-Ю I-IO плавки 3-10 7-10 5-10 5-10 5-10 1-10 2-10 Ilo 5-10 5-10
Claims (1)
- Формула изобретенияСпособ очистки иодида серебра от примесей зонной плавкой, от л и-, чающийся тем, что, с целью снижения содержания примесей, зонную плавку ведут в присутствии иодида рубидия или иодида калия в атмосфере инертного газа.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792782587A SU823272A1 (ru) | 1979-05-25 | 1979-05-25 | Способ очистки иодида серебра |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792782587A SU823272A1 (ru) | 1979-05-25 | 1979-05-25 | Способ очистки иодида серебра |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU823272A1 true SU823272A1 (ru) | 1981-04-23 |
Family
ID=20834821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792782587A SU823272A1 (ru) | 1979-05-25 | 1979-05-25 | Способ очистки иодида серебра |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU823272A1 (ru) |
-
1979
- 1979-05-25 SU SU792782587A patent/SU823272A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4539194A (en) | Method for production of pure silicon | |
US4241037A (en) | Process for purifying silicon | |
Gumaste et al. | Solvent refining of metallurgical grade silicon | |
SU823272A1 (ru) | Способ очистки иодида серебра | |
JPS61178495A (ja) | 単結晶の成長方法 | |
JP2962795B2 (ja) | アルミナ系高融点酸化物単結晶の製造方法 | |
Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
US2741877A (en) | Method of producing synthetic mica | |
SU1587000A1 (ru) | Способ получени кластеров полиэдрических углеводородов | |
Miyazawa et al. | Preparation of paratellurite TeO2 | |
JP2684432B2 (ja) | 超電導酸化物の単結晶及びその製造方法 | |
US3932292A (en) | Process for the manufacture of doped silver halides | |
SU650354A1 (ru) | Способ очистки серебра | |
JPH0214315B2 (ru) | ||
US3685985A (en) | Method for the removal of impurities from metallic zinc | |
GB1461146A (en) | Method for the preparation of -semi-insulating- cadmium telluride | |
JPH0361605B2 (ru) | ||
Down et al. | Low temperature method for the growth of lithium nitride single crystals | |
RU2220217C1 (ru) | Монокристаллический материал на основе сплава платины и родия | |
Yip et al. | Growth of GaAs, GaxIn1− xSb and GaxAl1− xAs by the travelling heater method | |
SU922074A1 (ru) | Способ получени полуторных сульфидов редкоземельных элементов | |
JPS6222960B2 (ru) | ||
JPH0512316B2 (ru) | ||
Storozhenko | Electrolytic aluminum powder and its properties | |
SU346371A1 (ru) | СССОЮЗНАЯ Н. Ф. Аношкин, А. Г. Павлов, В. Н. Усов и В. И. Ал бьев UJiTivT. О- *i,.4tCKA'^бёблиотека МЬА |