DE2107797C3 - Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumoxidkeramiksubstrates durch Gießen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumoxidkeramiksubstrates durch GießenInfo
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Description
Eigenschaften erzeugt werden. vnrrirhtunn nach F i g. 1 mit einem Vorratsbehälter
Aus der DT-AS 1 170850 ist eine Vorrichtung ^°Γ"^1^|5^ΗΐΓαύ£ und einer Abstreichvorrich-
zum Überschichten verschieden gefärbter Massen bei 50 fur den MassescniicKer u
der Herstellung ebener Keramikkörper bekannt- tung, ne perspektivische Darstellung eines gegeworden.
Dabei werden verschiedenfarbige Pasten JjflA^amScnstandes und
fn Schichten übereinander aufgetragen, wobei die goss«κη ^^g?!Äung|behpiel einer Ab-Werkstoffe
für die Schichten mit Ausnahme der Färb- F.l&Z?Thtline
gebun, gleich sind Danach werden die verschiede^ 55 ^^^ί'Χ,,,,Β,η,^Μ,ρω wird ein erster
farbig Schichtstoffe untereinander vermischt so Nach ^cmen ^inen Aluminiumoxids mit
daß der Körper ein marmorartiges Aussehen erhalt M a^CXKrSwachstums-Inhibitor hergestellt,
ersten ist. Diese Zusammensetzung aus mehreren
Schichten wird dann getrocknet und weiter in einem Duichiaufofen auf die Sintertemperatur der Massen
«bracht, die bei ungefähr 1500° C liegt. Das so erfgjteae
Produkt ist ein dichtes, vielschichtiges Geyide,
dessen Kristallgröße im inneren Bereich ungefähr doppelt so groß ist wie diejenige im äußeren
Semen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird somit nicht nur durch Anwendung eines Kristalrwachsioms-Inhibitors
die Oberflächenbeschaffenbeit des gesinterten
Tonenkfeußkörpers verbessert und eine bei der
Verwendung als Unterlage für Dünnscbicht-SchaltjOTJse
erwünschte glatte Oberfläche geschaffen, sonders wird vielmehr öle Kristallgröße in allen Querscanittsbereichen
des Keramikkörpers den Erfordergissen in weiten Grenzen angepaßt.
Die im Masseschlicker enthaltene Tonerde sollte veigteicbsweise hochrein und fein sein. Ein auf dem
Markt erhältliches Erzeugnis enthält mehr als 99,9«Ό ao
AIgO, und hat eine Kornoberfläche von J1 m2/g.
Die Tonerde wird dann noch feiner gemahlen, um die Kornoberfläche soweit wie möglich zu erhöhen.
Der Höchstwert liegt bei ungefähr 15 m2/g.
Der zweite Masseschlicker enthält einen Kristallwachstums-Aktivator
in einem Anteil von 0,5 Gewichtsprozent der Tonerde. Der erste Masseschlicker enthält einen Kristallwachstums-Inhibitor in Anteilen
zwischen 0,2 und 0,5 Gewichtsprozent der Tonerde im Gemisch.
Talkum (HjMgJSi4O1.,) ist ein guter Inhibitor, weil
er ohne weiteres zu beschaffen, billig und als sehr ferner Puder erhältlich ist. Ebenso ist Manganoxid
(MnO) aus ähnlichen Gründen ein vorteilhafter Kristallwachstumsaktivator. Zudem scheint MnO mehr
als andere in gleichen Mengen zugegebene Aktivatoren das Kristallwachstum zu fördern. Die Menge des
dem Gemisch beigegebenen Kristallwachstumssteuermittels sollte entsprechend der gewünschten Wirkung
auf ein Mindestmaß beschränkt werden. Andere Inhibitoren,
die sich als zufriedenstellend erwiesen haben, sind Magnesiumoxid (MgO) und Yttriumoxid
(Y .,O3); weitere brauchbare Aktivatoren sind Titan-.
vid CTiO2) und Nioboxid (NbO5).
Das Mahlen erfolgt in Gegenwart einer Flüssigkeit. Geeignete Flüssigkeiten sind Trichlorethylen, Äthylalkohol
und Gemische daraus. Das Verhältnis von Tonerde zur beigegebenen Flüssigkeit für den Mahlvorgang
ist unkritisch, solange das Gemisch eine wäßrige oder milchähnliche Konsistenz hat.
Während des Mahlvorganges kann ein Entflokkungsmittel verwendet werden, damit uie Tonerde
gleichmäßig in der Flüssigkeit dispergiert bleibt, d. h., um ein Agglomerieren der Tonerde zu vermeiden.
Fettsäuren und oberflächenaktive Substanzen wie z.B. Benzolsulfonsäuren sind geeignet« Entflockungsmittel.
Natürliche Fischöle eignen sich ebenfalls sehr gut. Eine Beimengung an Menhadenöl (ein aus Fischen
mit der wissenschaftlichen Bezeichnung »clupea menhaden« und »alosa menhaden« gewonnenes öl 6Ό
mit einer Dichte von etwa 0,93 g/cm:') von insgesamt
1,5 bis 2,0 Gewichtsprozent der Tonerde hat sich als ausreichend erwiesen.
Beispielsweise werden die obengenannten Bestandteile
in geeigneten Mühlen für jeden Masseschlicker einzeln vermählen. Zum Beispiel kann eine Kugelmühle
mit einer Füllung aus kugel- oder zylinderförmigen Mahlkörnern aus hartem Werkstoff auf der
Basis von Tonerde oder eine Labonnühle für hochprozentige Tonerde (99,9°/«) mit einer Füllung aus
Tonerdekugeln als Mahlmittel verwendet werden. Auch sind größere und bessere Geräte für die kommeizielle
Nutzung auf dem Markt erhaltlich, wodurch das Mahlen schneller und in größeren Mengen erfolgen
kann. Das Mahlmittel soll keine schädlichen Fremdkörper enthalten, da ein gewisser Abrieb vom
Mahlmittel unvermeidlich ist.
Das Material wird so fein gemahlen, »'aß seine
Kornoberfläche mindestens 12 m2'g und vorzugsweise
ungefähr 15 m2/g beträgt. Bei Verwendung von
Tonerde mit einer Kornoberfläche von ungefähr
11 m2/g als Ausgangsmaterial werden etwa 120 Stunden
benötigt, um mit einer Labonnühle ein Material mit einer Kornoberfläche von 15 m*/g zu erhalten.
Nach dem Mahlen werden ein Bindemittel und ein oder mehrere Weichmacher jedem Masseschlicker beigegeben.
Die Zusammensetzungen werden ferner in den Mühlen so lange durchgearbeitet, bis eine vollkommene
Vermischung eingetreten ist. Dieser Zeitraum beträgt gewöhnlich ungefähr 8 Stunden. Aufgabe
des Bindemittels ist es, die Tonerdepartikeln unverändert in ihrer Lage zu halten, nachdem die
organische Flüssigkeit verdunstet ist. Gemäß vorliegender Erfindung bestehen di«. Gieß- und Formflächen
vorzugsweise aus Celluloseacetat oder aus einem Film aus Kunstharzpolymerisat mit Fluor-Chlor-Gruppen.
Ein verchromtes, rostfreies Stahlband kann ebenfalls ah Gießfläche benutzt werden.
Zum Gießen auf diese Flächen werden als Bindemittel vorzugsweise Polyvinylbutyralharze verwendet.
Andere zufriedenstellend arbeitende Bindemittel sind Polymethylmethacrylsäure-Ester (Polymethylmethacryl-Harze)
und Celluloseacetatbutyral-Harze.
Aufgabe der Weichmacher ist es, die Flexibilität und Bearbeitbarkeit des gegossenen Keramikartikels
nach dem Trocknen zu verbessern. Als ausgezeichnete Weichmacher für Polyvinylbutyralharz-Bindemittel
haben sich Gemische aus ungefähr einem Teil Glykol und ungefähr einem Teil eines gemischten
Phthalsäure-Esters aus normalem Hexyl-, Octyl- oder Decylalkohol erwiesen.
Das Bindemittel wird in einer Menge von ungefähr 5 Gewichtsprozent der Tonerde und das Gemisch der
Weichmacher gewöhnlich in einer Menge von ungefähr 13 Gewichtsprozent der Tonerde beigegeben.
Die gemahlenen Masseschlicker werden dann für kurze Zeit (z. B. 3 Minuten) in einer Vakuumtrokkenanlage
zum Trocknen gebracht und sind dann fertig zum Gießen. Die gebrauchsfertigen Masseschlikker
haben das Aussehen und die Zähflüssigkeit von schwerflüssiger Creme und sind vollkommen glatt.
Die Zeichnungen und insbesondere die Fig. 1
und 2 zeigen eine bevorzugte Ausführungsform einer Vorrichtung zum Gießen der obengenannten Masseschlicker.
Eine Fläche 11 dient als Unterlage für ein endloses, längliches, bewegliches Kunststoffgießband
12 (?.. B. aus Celluloseacetat). Unmittelbar über dem Band 12 und mit ihm fluchtend ist ein Vorratsbehälter
13 stationär angeordnet, dessen offene Kammern 14, 16 und 17 zum Gießen der Masseschlicker nach
dem unten beschriebenen Verfahren nebeneinander liegen. Die Kammern 14, 16 und 17 werden von den
feststehenden Seitenwänden 18 und 19, einer feststehenden äußeren Stirnwand 21 und vertikal verschiebbaren
Zwischenwänden 22, 23 und 24 gebildet, die im Abstand voneinander im Vorratsbehälter 13
angeordnet sind und parallel zu der Stirnwand 21 liegen.
Wie am besten aus F i g. 2 ersichtlich ist, haben die verschiebbaren Zwischenwände 22, 23 und 24 abgeschrägte Unterkanten 22a, 23a und 24a, die
zweckmäßigerweise, als Abstreicher während des Gießvorganges des Masseschlickers in den Kammern
Ϊ4. 16 und17 dienen. Der Abstand zwischen dem
Abstreicher 22 α der Zwischenwand 22 und dem Gießband 12 ist kleber als der Abstand zwischen
dem Abstreicher 23 a der Zwischenwand 23 und dem Gießband. Entsprechend ist der Abstand zwischen
dem Abstreicher 23 α der Zwischenwand 23 und dem Gießband 12 kleiner als der Abstand zwischen
dem Abstreicher 24a der Zwischenwand 24 und dem Band. Diese Abstände können durch in der Höhe
verstellbare Zwischenwände 22, 23 und 24 entsprechend der gewünschten Dicke der jeweils zu gießenden Schicht eingestellt werden.
Im folgenden wird nun ein bestimmter Gießvorgang näher erläutert: Zuerst werden die Zwischenwände 22, 23 und 24 derart eingestellt, daß jede zu
gießende Schicht die gewünschte Dicke hat. Wenn die beiden äußeren Schichten eines aus drei Schichten bestehenden Guß-Substrats eine Dicke von
0,125 mm aufweisen und die innere Schicht eine Dicke von 0,5 mm haben soll, dann ist der Abstreieher 22a der Zwischenwand 22 im Abstand von
0,125 mm zum Gießband einzustellen. Der Abstreicher 23 a der Zwischenwand 23 ist dann im Abstand
von 0,625 mm zum Gießband und der Abstreicher 24 a der Zwischenwand 24 im Abstand von 0,75 mm
zum Band 12 einzustellen. Dann wird das Band 12 durch mittels einer nicht dargestellten Trommel-Antriebsvorrichtung in Bewegung gesetzt und in Riehtung des Pfeils 26 aufgewickelt. Die Masseschlicker
werden als nächstes in die Kammern 14, 16 und 17 gepumpi, wobei die zugeführte Menge mindestens
der auf das jetzt sich bewegende Gießband 12a aufzubringenden Menge entspricht. In die Kammern 14
und 17 wird nur der den Inhibitorzusatz enthaltende Masseschlicker eingefüllt, während in Kammer 16
nur der den Aktivatorzusatz enthaltende MasseschlickereingefüUtwird
Da die Kammern 14, 16 und 17 offen sind, wird
der erste Masseschhcker auf das endlose sich bewegende Gießband aufgebracht, während die Kaminer 14 gefüllt wird. Der auf das sich unter der Kammer fortbewegende Gießband aufgebrachte^Massescübcker wud von demAbstreicher22a der Zwi-
offene Kammer 16 wat
des
g
Darcalaafc rater der Kammer 16 wird der zweite
dem Gießband 12 in Richtung der Gießfläche 11 bewegt. Währenddessen erfolgt eine schnelle Verdunstung der organischen Flüssigkeit in den Schichten
mit entsprechender Hältung der Struktur 31. Die or-
s ganische Flüssigkeit verdunstet bei Raumtemperatur vollständig. Nach einigen Stunden Lufttrocknung
mittels Gebläse hat die Struktur 31 die Konsistenz eines lederartigen, harten Bandes, aus dem Substrate
in der gewünschten Größe ausgestanzt werden könn
nen. Wie am besten aus Fig. 3 ersichtlich ist, besteht
jedes dieser mit 31 α bezeichneten Substrate aus zwei gegossenen äußeren Schichten 27 und 29, die einen
Kristallwachstumsinhibitor aufweisen, und einer inneren Schicht 28, die einen Kristallwachstumsaktivator
aufweist. Das Substrat wird dann ungefähr 3 Stunden bei einer Temperatur zwischen 1450 und 15000C
gebrannt.
ao 1. durch eine glatte Oberflächenbeschaffenheit, die
mit derjenigen von Substraten vergleichbar ist, wie sie nur unter Verwendung eines KristallWachstumsinhibitors an der Substratoberfläche
erzielt werden;
as 2. durch eine innere Kristallgröße, die zweimal so
groß wie die äußere Kristallgröße ist, und
3 durch Festigkeitseigenschaften, die 30 bis 40 °/o
über denen der bisher bekannten Substrate liegen.
Wie bereits oben gesagt, ist die Menge der dem Masseschlicker zugefügten Flüssigkeit nicht kritisch.
Wenn jedoch die Masse zu zähflüssig ist kann die untere Schicht 27 der gegossenen Struktur durch den
Druck beim Aufbringen der entsprechenden oberen
die gegossenen Schichten 27,28 und 29 untereinander
während des Gießens der Struktur 31 vermischen.
Abstreicheranordnung, welche die Gefahr des Zusammendrückens oder Vermischung, wie oben beschrieben, auf ein Mindestmaß senkt Für die mit
den in Fig. 1 und 2 übereinstimmenden TeUe werden hierin dieselben Bezugszeichen verwendet.
Eine erste Platte 32 wird in der Kammer 16 in einem Winkel zu der verstellbaren Zwischenwand 23
derart angeordnet, daß in der Kammer 16 ein Trich^. 33 g^,^ ^ Entsprechend ^ ^6 ^16
Platte 34 in gleicher Weise in Kammer 17 angeords· net, so daß die Zwischenwand24 and die Platten34 ^T *·"**" Trichter * -■«»* *r Kammer 17
iädea -D* W**32 ia Kammer 16 ist fa bmmdiendem Abstand zein Gießband 12 angeordnet, so daß
dk unter der davoriieeeaden K*! b
* tretende, lSw ^
* tretende, lSw ^
aier 17 in h.nreichendem Abstand vom Gießband 12
der darm enthaltene erste Schichten 27 und 28, «am sie unter der
angebracht. Bei der Wegbewegung von Kammer 17 werden können
wird der zuletzt aufgebrachte Masseschlicker durch Bei der in
tntt outer dem Vorratsbenalter hervor und wird auf
**&*****>
d. h. in hinreicheadem Abstand
Gießband 12, mn die gewünschte Schichtdicke ? Ä! 8egosseoe "«erschicatl? zu erfealten. Die
Zwischenwände 23 und 24 sind in der Höhe versteH-bar angeordnet, so daß öffnuneea 32a nad 34a zwi-
7 8
sehen den Abstreichern 23α und 24α und den ent- Volumens der Mühle war mit Füllungen aus hochsprechenden
unteren Enden 326 und 346 der Platten reinen Tonerdekugeln als Mahlmittel angefüllt. Das
32 und 34 entstehen, wodurch die Schichten 28 und Mahlen erfolgte über einen Zeitraum von 120 Stunden.
29 in der gewünschten Dicke gegossen werden kön- Nach Beendigung des Mahlvorganges wurde jeder
nen. Das Gießband 12 wird, wie in Fig. 2 ange- 5 Mischung als Bindemittel ein Butyralharz in Mengen
deutet, in Richtung 26 bewegt. Der betreffende Masse- von 5,5 g pro 100 g Oxidmischung beigegeben,
schlicker wird zuerst in die Kammer 14 gepumpt. Der gemahlenen Mischung wurde ebenfalls ein
Als nächstes werden die Masseschlicker für die Gemisch aus Polyalkylenglykol- und Phthalsäure-Schichten28
und 29 nacheinander in die entspre- Ester-Weichmacher in Mengen von 11g pro 100 g
chenden Trichter 33 und 34 gepumpt. Die Trichter io Oxidmischung beigefügt, wovon 5 g Glykolweich-
33 und 36 bilden Vorrichtungen zum Ablenken der macher und 6 g Phthalsäure-Ester waren.
Masseschlicker beim Gießen der Schichten 28 und 29. Jede Mischung wurde für weitere 8 Stunden ge-So
wird die unter dem Abstreicher 22 a hervortre- mahlen, um eine gründliche Verteilung aller Bestandtende
untere Schicht 27 erst bis ganz unter die Kam- teile zu erzielen. Die fertigen Masseschlicker wurden
mer 16 geführt, bevor der Masseschlicker für die 15 von den Mühlen in getrennte, geschlossene Behälter
innere Schicht 28 aufgebracht wird. Entsprechend gebracht und dort bei einem Unterdruck von ungewird
die unter dem Abstreicher 23 α hervortretende fähr 100 mm Quecksilbersäule 3 Minuten lang geinnere
Schicht 28 erst ganz unter die Kammer 17 trocknet.
geführt, bevor der Masseschlicker für die obere Die Masseschlicker wurden in Schichten auf eine
Schicht 29 aufgebracht wird. Dadurch wird jede der 20 Glasuntcrlage mit einer Celluloseacetatoberfläche ge-Schichten
27 und 28 für kurze Zeit der Luft in dem gössen, wobei die in F i g. 2 gezeigte Abstreichernicht
gefüllten Teil der Vorratsbehälter 16 und 17 anordnung verwendet wurde. Die Masseschlicker aus
ausgesetzt. Dadurch kann jede Schicht zum Teil ab- der Mischung Nr. 1 bildeten die äußeren Schichten,
binden, bevor die nachfolgende Schicht aufgebracht während die aus der Mischung Nr. 2 hergestellten
wird. Wenn also Massen etwas zu zähflüssig sind, 25 Masseschlicker die innere Schicht bildeten. Die Vorkann
die zusätzliche Zeit zu einem teilweisen Ab- richtung war derart eingestellt, daß das geschichtete
binden führen, so daß die unteren Schichten 27 und Endprodukt nach dem Brennen eine Dicke von unge-
28 fester und somit gegen übermäßiges Breitdrücken fähr 0,625 mm hatte, wobei die äußeren Schichten
geschützt sind, wenn die jeweils oberen Schichten 28 eine Dicke von ungefähr 0,125 mm und die innere
und 29 aufgebracht werden. Wenn die Masseschlicker 30 Schicht eine Dicke von ungefähr 0,375 mm hatten,
zu dünnflüssig sind, wird durch die zusätzlich zum Nach dem Gießen wurde das erhaltene, geschichtete
teilweisen Abbinden verfügbare Zeit die untere Band mittels Gebläse luftgetrocknet. Dann wurde das
Schicht 27 bzw. 28 formfest genug, um ein Mischen Gießband vom Celluloseacetatband abgezogen und
untereinander zu verhindern, wenn die oberen die Substrate aus dem Gießband ausgestanzt.
Schichten aufgegossen werden. 35 Die Substrate wurden anschließend zur Vorberei-
Es folgen noch einige spezielle Ausführungsbei- tung des Brennens auf flache, gebrannte Keramikspiele:
unterlagen gelegt. Jedes Substrat wurde mit einem
vorher gebrannten Substrat mit im wesentlichen glei-
Beispiel 1 cnen Ausmaßen abgedeckt, um ein Verwerfen wäh-
40 rend des Brennens zu verhindern. Das Brennen er-
Die folgenden Mischungen aus den unten in An- folgte in einem Brennofen zwischen 1450 und
teilen angegebenen Bestandteilen wurden in ver- 1515 C bei einer Brenndauer zwischen IV* und
schiedene hochreine Tonerdemühlen für hochpro- 3 Stunden. Einige der Substrate wurden in einem,
zentige Tonerde — Labormühlen — gegeben: andere in zwei Durchgängen gebrannt.
45 Die so hergestellten Substrate waren flach, hatten
Mischung Nr. 1 an der Oberfläche oder der äußeren Zone eine durch-
■ htsor ent schnittliche Kristallgröße von 0.78 Mikron und
ewic tsp ο ejne durchschnittliche Biegefestigkeit von ungefähr
Tonerde 99,9 8350 kp/cm2. Zum Vergleich wurde eine zweite
ν«™
viA
rv c\\
0 1 5° Gruppe von homogenen Grundplatten aus der Mi-
innumona »W ' schung Nr. 1 in einer Dicke nach dem Brennen vor
Magnesiumoxid (MgO) 0,1 0,625 mm gegossen. Sie worden dann aach dem oben
angegebenen Verfahren getrocknet und gebrannt Dk dann gemessene Biegefestigkeit betrag weniger al«
Mischung Nr. 2 ^ etwa 7000 kp/cm*.
' Brennen von 0,625 mm gegossen. Das Trocknen am
60 benen Verfahren. Wiederum wurde die Biegefestig
keit eines jeden Substrates gemessen, die hier dam
Jeder Mischung wurde als Flüssigkeit ein Gemisch nur noch ungefähr 5000 kp/cm* betrug,
aus 72·/« Trichtorätayien und 28·/· Äthylalkohol
beigegeben. Die Flüssigkeit wurde m Mengen von Beispiel 2
als Entflockungsmjttel beigegeben, und zwar in Men- mischten Bestandteile wurden m zwei gesondert
gen von 1,8 g pro 100 g MBscaang. Die Hälfte des Labonnühlen gefüüt:
Mischung Nr. 3 wie im Beispiel 1 angegeben, aufgegossen, wobei da-
Gewichtsprozent bei die ia Fi8·4 gezeigte Abstreicberanordnung
verwendet wurde. Das Gießen, Trocknen und Bren-
Tonerde 99,5 nen wurde ebenfalls, wie bereits im wesentlichen im
Talkum 0,5 5 Beispiel 1 beschrieben, ausgeführt. Die so erhaltenen
Substrate hatten im äußeren Bereich eine durch-
MischungNr. 4 schnittliche Kristallgröße von 0,82 Mikron, im inneren
Gewichtsprozent Bereich eine durchschnittliche Knstallgröße von
1,93 Mikron und eine durchschnittliche Biegefestig-
Tonerde 99,5 10 keit von ungefähr 8300 kp/cm2. Zum Vergleich wurde
Manganoxid (MnO) 0,5 euie zweite Gruppe von homogenen Substraten nur
aus der Mischung Nr. 3 — wie im wesentlichen in
Eine Füllung aus zylindrischen Tonerde-Körpern Fig. 4 gezeigt und oben beschrieben — hergestellt,
wurde als Mahlmittel für jede Mühle verwendet. Diese Substrate hatten im äußeren Bereich eine
Jeder Masseschlicker wurde wie im Beispiel 1 be- 15 durchschnittliche Kristallgröße von 0,73 Mikron, im
schrieben zubereitet. inneren Bereich eine durchschnittliche Kristallgröße
Die so hergestellten Masseschlicker wurden in von 0,97 Mikron und eine durchschnittliche Biege-Schichten
auf eine ähnliche Celluloseacetatunterlage. festigkeit von nur etwa 6100 kp/cm*.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1 ρ« te bereüs die Theorie vertreten worden, daß
durch Erhöbung der Festigkeit von dünnen kerami-
Pateatanspriiche: *£J iubstraien fee Bruchneigung verringert wer-
SfkMOLb der Zeitschrift »Ceramic Age«, Bd. 84,
1 Verfahren zur Herstellung ein» Aluminium- JfiTja bis 24, ist das Problem erörtert, dünne
ridk^nSSteslas^ Festigkeit**^ ££ώ»Κ*Ρ« 1^ der paSSendeD **?? "T
oridk^nSStes.las^ Festigei^ ££ώ»Κ*Ρ« 1^ der paSSe ?? T
rang ia dea Oberflächenschicht«! one fernere ^EDabei wrd die Tbeone vertreten, daß poly-SaBstruktur
aufweist als in den inneren JgJJ* Keramikkörper maximale Festigkemeigen-ScMctoen,
dadurch gekennzeichnet, ^™^^ wean ihr äußerer Bereich femknstaldaß
zunächst ein Masseschlicker dem em d* **%£■& ^«γ Bereich grobkristallin ist Dieser
KristaUwachstum hemmender Inhibitor zur Er- » ^^BS^mg von KristaUgroßenverteilung und
zielung einer sehr femkristallinen ersten Schicht g^keSS^^11 konnte in Untersuchungen
zugesetzt ist, auf eine oeutrale Unterlage aufge- *^^^3£βΓΖβγ Erzielung der !einkristallen
gössen wird, worauf ein zweiter Schlicker, dem *»F"* Bereidie wurde ein KristaUwachstumsinhibidn
KristaUwachstumsaktivator zur Erzielung J"™~«~iet, so daß die Kristallgröße des inneren
einer grobkristallinen zweiten Schicht zugeteilt .5 ^S des hergestellten Substrats etwa l'/oud
ist, aufgegossen wird und danach zur Erzielung "rrrV ^ KristaUgröße des äußeren Bereiches
einer dritten Schicht ein Schlicker aufgegossen ®?~7 ^^ i5ne Verwendung solcher Inhibitowird,
der der Zusammensetzung des ersten Zn^Reaelmg der Kristallisation von Aluminium-Schückers
entspricht Sidkeramlmassen ist im übrigen beispielsweise aus
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge· «. oxiokc■ ,journal of the American Ceramic
kennzeichnet, daß ein Tonerdemasseschlicker zur der «h* 39 1956 s. 337 bis 344, allgemein be-Herstellung
der ersten und dritten Schicht auf- Socie >«, öa.
gegossen wird, der als Kornwachstumsuüabitor &diLul\ &c Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Yttriumoxid (Y2O,) ώ xfinem ^"^mXΓι „ Verfahren zu schaffen, mit dem zur Verbesserung der
wichtsprozent sowie Magnesiumoxid (MgO) f a5 p^keitseioenschaften die Knstallgroßenverte.lung
einem Anteil von 0,1 Gewichtsprozent oder lal- rcsug■ * eines dünnen ΚεΓ3πϋΚΚοφαΓ5 in weikum
in einem Anteil von 0,5 Gewichtsprozent ^^iT, ma ^l großer Genauigkeit gesteuert
enthält, und ein Tonerdemasseschlicker zur Her- *« ^"JJjn
stellung der zweiten Schicht aufgegossen wird, dei « Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im
als Kornwachstumsaktivator Manganoxid (MnU) 30 w«; e Anspruchs 1 angegebenen Nierk-
in eineva Anteil von 0,5 Gewichtsprozent enthalt. KejnMicnen α
Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens
nach Anspruch 1 ist im Anspruch 2 gekennzeichnet.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die
Herstellung von als Tragkörper fur elektrische Schal-
Herstellung von als Tragkörper fur elekt
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Hente,- ^3^^
lung eines Aluminiumoxidkeramiksubstrates der im jenuuer βea | ermöglichen die besseren
Oberbegriff des Anspruchs 1 näher bezeichneten Art lSeSeigenschaften eine dünnere Ausbildung der
Ein solches Verfahren ist zur Herstellung von ♦» ™ζ«™*«!™ Verbesserung wird durch eine stär-Keramikröhren
aas der GB-PS 788918 bekannt- S^^SSS^S^air gesteuerte Kristallgeworden.
Dabei werden die Schichten m einer ker dlf^n o^™chnitt |es Kerarnikkörpers erhalten.
Gießform hergestellt, wonach der halbfertige Körper strukturen Qm*^d« chfQ, d JJ Hand der
SS S:t£äf ^~S ^ i
SeS f ^S ^ellug einer
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