DE2037450A1 - Lichtempfindliches Element - Google Patents
Lichtempfindliches ElementInfo
- Publication number
- DE2037450A1 DE2037450A1 DE19702037450 DE2037450A DE2037450A1 DE 2037450 A1 DE2037450 A1 DE 2037450A1 DE 19702037450 DE19702037450 DE 19702037450 DE 2037450 A DE2037450 A DE 2037450A DE 2037450 A1 DE2037450 A1 DE 2037450A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photosensitive
- element according
- photosensitive element
- photosensitive film
- hydrazone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
27. Juli 1970
Canon Kabushiki Kaisha
30-2, 3-chome, Shimomaruko, Ohta-ku, Tokyo, Japan
"Lichtempfindliches Element"
Die Erfindung betrifft ein neues lichtempfindliches Element
und insbesondere ein lichtempfindliches Element, das für die Elektrophotographie zu verwenden ist und einen mindestens ein
organisches lichtempfindliches Material enthaltenden lichtempfindlichen Film besitzt bzw, aus einem solchen Film besteht.
Es aind 'bereits verschieden organische photoleitenda Materialise,
bekannt, z.£« m«hrkernige kondensierte aromatische Verbindungen,
v»ie Anthraeeii, Phren, und Perylen, heterocycliache Verbindungen,
wie Triphenylpyrazolinderivate, Acylhydrasonderivate
und' hochpolymere Verbindungen, wie Pöly-i^vinylcarba-iol. Die
Liohtempfindlichke-lt organischer photoleitender Stoffe ist jedoch
so gering, daß organisch« photoleitende Materialien sich
ira iäilgöffloinen nicht als elektrophotographischee lichteapiinä-.Iiones
Material verwenden lassen. Eg wurdsn vor kurzem organi--Hohf;
Vztüindungen aufgefunden, deren Liehtempfindj ichkoit öben-
«'■* /«och i«"!., wie d-iejenigö ancr^nniacher Stofr'e, v-if; Zinkoxyü
und Selen. Beispiele solcher hoch lichtempfindlicher organi-:
scher Stoffe sind beispielsweise bromiertes .Poly-ü-vinylcarbazol
(vgl. japanische Patentanmeldung 25 23O/lj67)V PoIy-J,6-"
dijod-9-vinylcarbazol (vgl. japanische Patentveröffentlichung
, Kr. 7592/1968), Poly-K-vinyl-3-asiinocarbazol (vgl. japanische
Patentveröffentlichung iir. 9639/1967).und Polyvinylanthracen
(vgl. japanische Patentveroffentlichung Kr, 2629/1968). Diese
organischen photoleitenden Stoffe werden jedoch durch spezielle
" und komplizierte Synth'esen hergestellt, so daß sie aus wirtschaftlichen
und praktischen Gesichtspunkten keine bevorzugte Anwendung finden.
Organische photoleitende Stoffe werden gewöhnlich als- elektrophotographisches
lichtempfindliches Material verwendet, wobei man das Material wie es ist, d.h. ohne es mit anderen Bestandteilen
zu mischen, verwenden oder mit einem Bindemittel unter
Bildung einer Dispersion oder einer festen Lösung vermischt ) verwenden kann,
In derartigen lichtempfindlichen Schichten "bilden sich im La~uie
der Zeit spontan grobe Kristalle die in Äfchsjagigkeii; von dem
äußeren Bedingungen weiter wachsen, V7otei sich grobe Kristalle
mit einer breiten Korngrößenverteilung bilden. Dadurch nimmt nicht nur die Transparenz, die einen wichtigen Vorteil organischer
photcleitender Materialien darsteij-t, ab, sondern ez verringert
»sich auch die mechanische- Festigkeit der lichternpfijid-Iieben
Schicht, sowie in erheblichem Aassiaß deren lichtempfinci-
llcilkeit· 10984S-/1S9.-1
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein lichtempfindliches
Element mit hervorragender Lichtempfindlichkeit, Stabilität
und einem Auflösungsvermögen zu schaffen, das ebenso
hoch ist, wie das herkömmlicher lichtempfindlicher Elemente auf
der Basis von Zinkoxyd oder Selen, das ausgezeichnete physikalische
Eigenschaften besitzt und entsprechend seiner Form oder
dem erforderlichen Auflösungsvermögen einen ausgezeichneten-Funktmustereffekt
aufweist, sowie mit einfachen Mitteln leicht hergestellt werden kaxm.
Weitere Aufgaben, ■ Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben
sich für den Fachmann aus der nachstehenden Beschreibung.
Die nachstehend angegebene Lösung der der Erfindung zugrunde
liegenden Aufgabe wurde im Zuge einer eingehenden Untersuchung der Xristallisationserscheinungen gefunden, durch die die
praktische Verwendbarkeit organischer photoleitender Materialien beeinträchtigt wird, wobei gefunden wurde, daß man ein ausgezeichnetes
lichtempfindliches Material erhalten kann, indsm. man
den Eristaliisationesustand organischer photoieitender Stoffe
alt niedriges Molekulargewicht regelt.
.G--eftonsta.no der Eriiiidur«g ist somit ein lichtempfindliehe-e Element» 'laa dadurch gekennzeichnet ist, -«3εώ es einen znx Regel-inc;
des K rl stal j isationszust ands behandelten lichtempfindlichen
yilr« fiufweiat, -1er isixidesttiiis ein pho^oleitf-nde-s cr#i'Ui.i schye
Criteria"! rrit iü«^'Jer>?ai Xole>:vilarge-/,-icht' unu a: j nc] a ;j t. er, ^ ein.'bc-c'h-
Durch die lichtempfindlichen Elemente der Erfindung werden verschiedene
Nachteile herkömmlicher organischer photoleitender Materialien, wie geringe Lichtempfindlichkeit, schlechte Wirtschaftlichkeit
und grobkristalline Struktur, überwunden bzw. beseitigt.
Durch die Behandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes
erhält man ein Kristallgefüge mit ausgeprägteren photoleitenden Eigenschaften, als das ursprüngliche Kristallgefüge.
Die zur Regelung des Kristallisationszustandes angewandte Be-.handlung
und die dadurch erzielte Erhöhung der Photoleitfähigkeit hängen vom Kristallisationszustand bzw» Kristallgefüge vor
und nach der Behandlung ab. Bislang hat man sich auf verschiedene Y/eise bemüht, die Kristallisation in organischen lichtempfindlichen
Filmen zu verhindern, a*B. durch Zusetzen von Kristallisaticnsinhibitoren,
wie Weichmachern^ Polymerisationsin-) hibitoren und Brweichungsmitteln,, da durch die spontane Kristallisation
in einem organischen lichtempfindlichen Film verschiedene
gute Eigenschaften des Films herabgemindert werden. Ba jedoch die Kristallisation organischer photoleitender Materialien
auf ' einer dem Material innewohnenden Eigenschaft beruht, lassen sich nur sehr schwer zweckmäßige und praktisch
wirksame Mittel zur Verhinderung der Kristallisation auffinden. Ee i°t deshalb noch nicht gelungen, die durch Kristallisation
verursachte Beeinträchtigung der Photoleitfähigkeit und der physikalischen
Ejgenochaften restlos zu beseitigen. Ik allgemeinen
",-^t+. 'Uo y.-'-.i'.-tftllisutioii nicht cloichmauitf über die Gesamt-
gloichmaöjtf
109846/1591
BAO
fläche des Materials verteilt auf, sondern setzt zunächst an bestimmten
Punkten ein, an welchen Kristallisation leicht auftritt
(nachstehend als "spezifische bzw.- spezielle Punkte" bezeichnet), worauf die auf diese Weise gebildeten Kristalle
wachsen und zu der Kristallisationserseheinung führen, durch die d.er lichtempfindliche Film verschlechtert wird. Unter natürlichen
Bedingungen schreitet die Kristallisation von den spezifischen Punkten, die bei der Herstellung dee Films vorab gebildet
wurden, ausgehend 'fort. Diese spezifischen Punkte sind nicht gleichmäßig verteilt und liegen relativ weit 'auseinander,
ao daß sich vrirklich örtlich Kristalle bilden. Demzufolge weist
der auf diese Weise hergestellte Film einen Kristallisations-'zustand
bzw. ein Gefüge auf,'das der Verteilung dieser Verunreinigungen
gleicht, d.h. daß in dem Film grobe Kristalle ungleichmäßig verteilt sind. Anders gesagt,unterscheidet sich
eine Stelle, an der eine solche Verunreinigung vorhanden ist,
▼on dem sie umgebenden Teil des lichtempfindlichen Films bezüglich
der Photoleitfähigkeit, wodurch Schleierbildung und eine unregelmäßige Aufladung auftreten. Weiterhin sind die physikalischen Eigenschaften an den Verunreinigungen enthaltenden
Stellen anders als bei den sie umgebenden Teilen des lichtempfindlichen
Films, so daß Unterschiede bezüglich des Brechungsindex
und Entglasung auftreten, sowie die mechanische Festigkeit vermindert wird.
ErfindungBg'emäß wird die vorstehend erwähnte Kristallisation
positiv ausgenützt indem man eine Behandlung zur Regelung und
Sinatellung, dea Kristallieationszustarides anwendet, duroh die
die PhotcXeitf&higkeit verb-essei't, gleichzeitig jedoch die inecV.a-
' in<58£.571 5>1
nische Festigkeit unverändert erhalten und keine der
nen Eigenschaften des lichtempfindlichen Films nachteilig be einflußt wird.
In einem lichtempfindlichen Film, der aus einem organischen photoleitenden
Material mit niederem Molekulargewicht besteht, das in Form einer festen Lösung in einem hochpolymere*! Bindemittelharz
dispergiert ist, kristallisiert das organische photoleitende
Material mit niederem Molekulargewicht unter normalen Ver~
^ hältnissen bzw. Bedingungen unter Bildung grober Kristalle im
ρ ■·■■■■■
Bindemittelharz, wohingegen sich bei der Anwendung einer Behandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes sieh im Bindemittelharz
dicht beisammen liegende einheitliche und einheitlich
verteilte Mikrokristalle des organischen photoleitenden Materials ausbilden und somit ein Kristallisationszustand entsteht bzw.
sich ein Gefüge ausbildet, der bzw. das eine iioiie Photoleitfähigkeit
aufweist. Bei der Behandlung sur Regelung des Kristall» zustands wird dem lichtempfindlichen Film von außen Energie zugeführt,
wobei durch die Anregung auf dem gesamten Film spezi-►
fische Punkte erzeugt werden, so- daß"die Kristallisation nicht
allein von den von vornherein vorhandenen spezifischen Punkten abhängt. Weiterhin ermöglicht es die Behandlung.zur' Regelung
des Kristallisationszustandes den Molekülen des organischen photoleitenden Materials mit niederem Molekulargewicht sich
leicht zu bewegen und erleichtert dadurch die Bildung von Mikrokristallan.
Insbesondere wird diese Behandlung durchgeführt„
indem nan das Bindemittelharz, durch Anwendung von Hitze oder
Lösungsmitteln weich macht bzw. plastifiziert, uaa dadurch die
109845/1691
molekulare Anordnung des organischen photoleitenden Materials.
mit niederem Molekulargewicht zur Kristallisation zu erleichtern bzw. zu begünstigen. Selbst ohne die Anregung durch von
außen zugοführte Energie führt die erhöhte Beweglichkeit der
Moleküle häufig zu einer Regelung des Kristallisationszustandes. In gewisser Hinsicht gleicht dieses System einem System, bei
dem Cadmiumsulfitpulver, das als hervorragendes photoleitende3
Material bekannt ist, in einem Bindemittelharz dispergiert wird, jedoch besteht Insofern ein Unterschied, als das Cadmiumsulfitpulver in einem isolierenden Bindemittelharz dispergiert wird,
um die Isolationseigenschaften an einem dunklen Ort zu erhalten,
so daß sich diese beiden Methoden bezüglich des angestrebten
Zwecke voneinander unterscheiden.
Die theoretische Grundlage bzw. theoretische Wirkungsmechanismue
des durch die Behandlung zur Regelung des Sristallisations-Euetandes
erzielten Effekts ist noch nicht völlig . geklärt, ist
jedoch vermutlich in folgendem zu sehens Die herkömmliche Bildung
grober Kristalle von organischen photoleitenden Materialien unter natürlichen Bedingungen führt zu uneinheitlichen Kristallen
mit einer breiten Korngrößenverteilung durch die die physikalischen Eigenschaften, die Lichtempfindlichkeit und das Auflösungsvermögen
verschlechtert werden, während bei dem durch die Behandlung zur Regelung de3 Kristallisationszustand3 erzielten
Gefüge bzw. Kristallisationszustand einheitliche Kristalle
mit einer eng begrenzten Kristallkorngrößenverteilung vorliegen. Somit hängen die hohe Lichtempfindlichkeit und das"hohe Auflöder
lichtempfindlichen Elemente der Erfindung
109845/1681
->■*■
hauptBächlich von der Einheiiilichkeit der Kristalle und dem
engen Kristallkorngrößenverteilungsspektrum ab,*
Erfindungsgemaße lichtempfindliche Elemente erhalt man in der
, Regel durch Beschichten eines Trägers, mit einem organischen
photoleitenden Material mit niederem Molekulargewioht in Kombination
mit einem hochmolekularen Harz, worauf die aufgetragene Schicht gewünschtenfallsgetrocknet und/oder gehärtet und dann
einer Behandlung zur Tiegelung des Kristallisationszustandes
unterworfen wird. Die Behandlung zur Regelung des Kriatallisar
tionszustandes kann auf verschiedene Weise durchgeführt werden,
z.B. durch eine Wärmebehandlung oder durchEinwirkenlassen
einer bestimmten Atmosphäre. Diese beiden Behandlungen können für sich allein oder in Kombination zur Regelung des Kristallisationszustands
angewandt werden.
Eine Standardbehandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes
läßt sich durch ein, in der beiliegenden Zeichnung wiedergegebenes
Temperatur-Kristallbildungsgeschwindigkeits-Diagramm
und Temperatur-Kristallwachstumsgeschwindigkeits-Diagramia veranschaulichen,
das die. Beziehung zwischen der !Temperatur und der Änderung des Kristalllsationsisustands erläutert. Bei dom in der
beiliegenden Zeichnung wiedergegebenett Diagramm ist auf der Ordinate jeweils eine Geschwindigkeit und auf der Abszisse eine
Temperatur aufgetragen» Bei den Kurven 1„ 2 und 3 ist auf der
Ordinate die* Kristallbildungsgeschwindigkeitt. die Kristall-.
wachstumisgeschwindigkeit bzw-· die Schmelzgeschwindigkeit aufgetragen. Das Symbol "Tm" bezeichnet die Schmelztemperatur. Diesem
109846/1601.
~9 ~ 2057450
Diagramm aind verschiedene Hinweise bezüglich der Regelung des
Kristallisationszustandes zu entnehmen. Wenn die Behandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes bei einer relativ niedrigen
Temperatur lange Zeit durchgeführt wird, so übersteigt die
EriStallbildungsgeschwindigkeit die Kristallwachstumsgeachwindigkeit,
so daß sich Mikrokristalle bilden. Wenn hingegen die
Behandlung bei einer hohen Temperatur durchgeführt wird, so erhält man verhältnismäßig große Kristalle. Bei mittleren Tempera tursn, insbesondere, „einer Temperatur die zwischen dem Maximum
der Kristallbildungsgeschwindigkeit und dem Maximum der Kristallwachstumsgeschwindigkeit
liegt, kann man in Abhängigkeit von der Temperatur verschiedene Kristallisationszustände erzeugen.
Es sei angemerkt, daß die Behandlungstemperatur unter der
Schmelztemperatur gehalten werden sollte.
Außerdem muß man bei der Wärmebehandlung die Behandlungsbedin» gungen in Abhängigkeit vom jeweiligen organischen photoleitenden
Material mit niederem Molekulargewicht entsprechend einst eilen bzw. wählen. Nach den vorliegenden Versuchsergebnissen
nimmt die Stabilität eines organischen photoleitenden Materials
mit niederem Molekulargewicht mit steigender Symmetrie, Regelmäßigkeit und Polarität der Molekularetruktur zu. Die optimalen
Bedingungen für die Wärmebebandliang können daher innerhalb eines
weiten Bereiches schwanken.
Wenn die Wärmebehandlung bei einer in der Nähe iej· Umwandlungstemperatur
aweiter Ordnung bzw. Glasübergangstemperatur Tg dea
BinderoittelharaGS durchgeführt wirdr so wird die Kriatalliga-
109I4-S/1501-
tion wirksam beschleunigt. Wenn die Wärmebehandlung bei einer
über dem Schmelzpunkt des lichtempfindlichen Films liegenden
Temperatur durchgeführt wird, so wird äer lichtempfindliche
Film in der Regel amorph. Aus dem Vorstehenden ist zu ersehen,
daß .die Tg und der Schmelzpunkt einen großen Siaflu.ß auf die
handlung zur Regelung des Kristallisationszustandes besitzen.
Die Wärmebehandlungsbedingungen sollten daher in Abhängigkeit
vom jeweiligen organischen photoleitenden Material, vom Bindemi ttelharz, vom Weichmacher und unter Berücksichtigung der Men-
gen bzw. lÄengenanteile dieser Stoffe usw. entsprechend ausgewählt werden.
Die Wärmebehandlung wird gewöhnlich mittels"direkter Erhitzung,,"
z.B. Erhitzen in einem Ofen, HochfrequenzerhitgwBg und Infraroterhitzen,
durchgeführt, jedoch können auch"sekundäre bzw. indirekt© Heizmethoden, wie Ioneneinstrahlung oder Elektronenstrahlungeinetrahlung
angewandt werden. Weiterhin fearai mangeWUnschtenfalls
zu diesem Zweck auch Kühlen. .
Eine andere Art der Behandlung zur Regelung des JEristallisations-Äuatandes
ist die Behandlung mit bestimmten Atmosphären« Der
durch eine AtmoSphärenbehandlung, d.h. durch die Einwirkung bestimmter
Atmosphären, erzielte Kri3tallisatiqne.zustand gleicht
bis su einem gewiesen Grad der Beziehung zwischen-der Temperatur
und dem Kristallisationszustand bei der wärmebehandlung, jedoch treten hierbei gewisse Unsicherheitsfaktoresi auf"-und "man kann
nicht immer den Kristallisationszustand bestiaiaejs,- wie dies be.lv.
der Wärmebehandlung üblich bzw. möglich 1st.
10984S/1S91
Als Beispiel einer Atniosphärenbehandlung sei die Behandlung
mit einer LGsungsmittelatinosphäre genannt. Die Regelung bzw.
Einstellung des Kristallisationszustandes durch eine Lösungsmittelatmosphärenbehandlung
gleicht der bei einer Wärmebehandlung. Unter Bezugnahme auf die Zeichnung sei darauf hingewiesen,
daß, wie in Klammern angegeben, dabei auf der Abszisse die Konzentration
an in der Atmosphäre über der Oberfläche des
lichtempfindlichen Films befindlichem Lösungsmittel (ein Lösungsmittel, das den*lichtempfindlichen Film erweichen
kann) aufgetragen ist. Die Regelung des Kristallisationszustandes unter Anwendung von Dampf konzentrat ionen ist ausreichend
wirksam- In der I>raxis arbeitet man dabei wie folgt:
Eine ein organisches, "photoleitendes Material mit niederem Molekulargewicht
und ein aoehpolymeres Bindemittelharz enthaltende
!lösung wird zu einem Beschichtungsfilm verarbeitet., den man
dann zur Regelung des Kristallisationszustandes
einer einen Lösungsmitteldampf in einer bestimmten
Konzentration enthaltenden Atmosphäre eine bestimmte Zeit aussetzt. Ii ab ei" wird der Kristallisationszustand von der Stärke
der aufgetragenen Schicht-beträchtlich beeinflußt. Wenn die Überzugsschieht dick ist, z.B. mehr als 25/im dick, so verdampft
das darin enthaltene Lösungsmittel so langsam, daß während einer beträchtlich langen Zeit eine verhältnismäßig große
Lösungsmittelmenge in der Überzugsschicht zurückbleibt und die
Kristallwachstumsgeschwindigkeit daher, wie aus der beiliegenden
Zeichnung zu ersehen ist, die Kristallbildungsgeschwindigkeit Übersteigt, so daß sich aus der Anfangsstufe der Kristallisation
verhältnismäßig große Kristalle bilden/ Wenn jedoch die
10.t04S/16.3.1
Überzugssehicht dünn ist, sehe int sich dieser Effekt
Die IiQsuiifsmittelataosphareiibehandlurig verringert die !Eg des
lichtempfindlichen Films und erlelohtert dadurch die Kristallin
sation,
Durch die Behandlung in einer oxydationehemmenden Atmosphäre,.
z.B. einer reduzierenden Atmosphäre oder einer Inertgasatmc-Sphäre
"wird die sonst,, insbesondere bei einer Hochtemperaturbehandlung.
auf tretende Oxydation verhindert. Als "osiydationshemmende
Atmosphären können verschiedene Gase, wie Stickstoff,
Wasserstoff und Edelgase verwendet werden.
Bei der Anwendung dieser Behandlungen zur Regelung des ErI-stallisationszustandes
sollten die Form und die stoffspezifischen Eigenschaften des zu behandelnden organischen photoleitenden
Materials sowie außerdem dsusi erforderliche Auflösungsverlnögen
berücksichtigt werden. Besonders wichtig Ist es, die Kristallkorngröße
so zu regeln bzw. einzustellen, da3 man eine
hohe Lichtempfindlichkeit, und ein hohes Auflösungsvermögen erhält. Ia Hinblick auf di© zwischen 4er Kristallkorngröße, der
Kristal!orientierung und dem Auf!ösuiiggvermögen des lichtemp- *
findlichen Films beatehenden BeziehuBgesi sollten die Kriatallkorngröße
und die Krietallorientieruiig in eiitspreohender Weise
ao ausgewählt werden, daß man das erforderliche.Auflösungsver·*
rnÜJgen erzielt. Wenn als Träger für das lichtempfindliche Element
Papier verwendet wird und ein Auflösungsvermögen von etwa 10 Linien pro mm angestrebt wird, ao ist eine Kristalikorngröae
108846/1 δti
- .13 -
'von etwa 20 Teilchen pro mm, entsprechend einem Durchmesser von
etwa 0,05 mm zweckmäßig. Der Regelungsbereich der Kristallkorngröße
liegt zwischen etwa 0,1 und 100 ,um, wobei Kristallkörnehen
mit einem Durchmesser von mehr als 1 ^m im Mikroskop beobachtet
, werden können. Bezüglich der Schichtdicke des lichtempfindlichen
Pilms und des Kristallisationsgrades sei angemerkt, daß eine
dicke Schicht zu einer leichten Kristallisation und der Bildung grober Kristalle führt. Wenn im Anfangsstadium der Filmbildung
grobe Kristal-Xe vorhanden sind, so wird das kristalline
Gefüge bzw. der kristalline Zustand vorzugsweise einmal in
einen amorphen 'Zustand zurückgeführt, worauf man den Film zur
Erzeugung eines mikrokristallinen Zustande bzw. Gefüges erneut einer Behandlung zur Regelung, des Kristallisationszustandes
unterwirft. ■■"".■
Gemäß einer weiteren Ausführungaform der Erfindung ist eine
Anregungsbehandlung, z.B· eine mechanische, physikalische und/ oder chemische Anregungsbehandlung in Kombination mit der vorstehend
erwähnten Behandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes
vorgesehen, um. ein lichtempfindliches Element zu erhalten,
Ale Anregungsbehandlung kann man beispielsweise eine mechanische Anregung z.B« durch Berührung, Druckberührung, Nadeldruck
und Reibung, eine physikalische Anregung, z.B. die Bestrahlung
mit verschiedenen Strahlungsarten und eine Bestrahlung mit'
Ionen- oder Elektronenstrahlen und/oder eine chemischeAnregungsbehandlung,
z.B. durch Ätzen, Oxydation oder Reduktion, anwen-
10884S/1S91
20374ΙΘ
den. Durch eine solche AnregungsLchandlung wird nicht nur dio
Bildung spezifischer Punkte erleichtert, sondern auch,andererseits, die Kristallisation unterdrückt. Die T/irku-iig.' der Anregungsbehandlung
ist. somit, wie vorstehend erwilhnt, .in. Abhängigkeit
von den Behandlungsbedingungen, sehr weit. Die'" Wirkunr
der Anregungsbehandlung läßt sich wie folgt erklären:
In der Regel beginnt die Kristallisation an der'.O"berflache das
lichtempfindlichen Films. Durch die Anregungsbehändlung wird
die Pilnioberfläche angeregt, so daß man auf einem Teil der Oberfläche oder auf der gesamten Oberfläche spezifische Punkte erzeugt.
Ein Beispiel aines solchen spezifischen Punktes ist
eine Stelle, die einen Kristallkeim bilden kann, von dem aus
eine Kristallisation einsetzt, und nur die Umgebung der spezifischen
Punkte wird der Behandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes unterworfen, so daß man, wenn die Behandlung
örtlich begrenzt angewandt wird, ein lichtempfindliches Element
mit Punktmustereffekt (Rasterwirkung) erhält. Diese Behandlung
zur Erzeugung eines Punktmustereffekts kann
mittels einer der vorstehend erwähnten Anregungobehandlungen,
d.h. einer Druckberührungsbehandlung, durchgeführt vierden. Durch
geeignete Auswahl einer in Kombination damit durchzuführenden Wärmebehandlung oder Atmosphärenbehandlung läSt sich eine Regelung
der Kristallkorngröße von amorphen oder kristallinen lichtempfindlichen Filmen und eine Regelung der Kristallorientieruns;
zur -I?HTp.teilung eines lichtempfindlichen" Elements mit ausgezeichneter
Lichtempfindlichkeit, hervorragendem Aaflosungsvernögen
und ausgezeichneter Stabilität noch wirksamer durchführen. Der
Punkt muot er effekt kann^ejr.z.j.ej.iiwsrjlgn« indem laan eine . Ur. ti ich
BM
begrenzte, partielle - Wärmebehandlung oder atmosphärische Behänd*
lung anwendet.
Durch die erfindungsgemäß angewandte Wärmebehandlung und Atraoaphärenbsharidluiig
cov/ie zusätzlich der erfindungsgemäß vorgesehenen Anregungsbehandlung kann man eine lachtempfindlichkeit
erzielen, die mehrfach bis etwa 10-fach größer ist, als diejenige
eines lichtempfindlichen Elements, das keiner Behandlung zur Regelung des Kristall>satlons£ustandes unterworfen wurde. Außerdem werden das Auflösungsvermögen und die Stabilität lichtempfindlicher
Elemente durch die Regelung dor Kristallkorngröße und der Kristallorientierung erhöht. Mittels mechanischer, physikalischer
oder chemischer Anregung kann man einen ausgezeichneten Punktmustereffekt erzielen und die Eigenschaften dor lichtempfindlichen- Elemente verbessern.
Die günstigen Effekte der Erfindung, wie Sensibilisierung, Verbesserung
des Auflösungsvermögens, Punktmustereffekt und Verbesserung der mechanischen und physikalischen Eigenschaften,
lassen sich auf einfache Weise erzielen, indem man bei einer
Stufe der Herstellung des lichtempfindlichen Films eine .Wärme-
^behandlung, eine Atmosphärenbehandlung, sowie gewünschtenfalls
zusätzlich eine Anregungsbehandlung ,anwendet. Außerdem besitzen
die elektrophotographisehen lichtempfindlichen Elemente der Erfindung
verschiedene wünschenswerte Eigenschaften, die von herkömmlichen lichtempfindlichen Materialien meist vergeblich gefordert
werden, zum Beispiel hohe Zuverlässigkeit, hohe Stabilität, einfache Handhabung und hohe lichtempfindlichkeit. Nach-
109345/1591
stehend werden einige für die Zwecke der Erfindimg verwendbare
Stoffe und Geraische aufgeführt. -
A) Als Beispiele organischer lichtempfindlicher Stoffe mit niederem Molekulargewicht, die für die Zwecke der Erfindung verwendet werden können, sind folgende. Verbindungen zu nennen:
1) Geeignete Verbindungen mit heterocyclischen Ringen und aromatischen Eingen sind beispielsweise 2f5-Bis-(4'-aininophenyl-1
♦ )-l, 3,4-oxadiazole,, wie' 2,5-Bis-(4''-aminophenyl-ll )*!*3*4-
" oxadiazol, 2,5-BiS-(^'-monoalkylaminophenyl-r1),-l,3V4-QxadiazQ]4
2,5-Bis~(4'-dialkylaminophenyl-1')-l,3,4-oxadiazole und 2,5-Bis-(4'
-acylaminophenyl-1') -1,3,4-oxadiazo3e; Diphenylenhydrazone
aliphatischer, aromatischer oder heterocyclischer Aldehyde oder Ketone (vgl.' japanische Patentveröffentlichung Nr, 4298/1964),
wie Acetaldehyd-t Benzaldehyd-, o- oder p-Chlorbenzaldehyd-,
2,4-Piehlorbenzaldehyd-, p-Dimethylaminozimtaldehyd-, 2-Pyridinaldehyd-
und p-Dimethylarainobenzaldehyddiphenylenhydrazon,
Benzaldehyd-3-chlor-diphenylenhydrazon, Benzaldehyd-3-broia-diphenylenhydrazon,
p-Dim'ethylaminol)enzal-5-chlor--dipheiiylenliydrazon,
p-Dimethylaminobenzäl-3-brom-diphenyleahydrazon, Benzaldehyd-3,6-dichlor-diphenylenhydrason,
Benzaldehyd*-3,6-dibromdiphenyleiihydrazon,
Benzaldehyd-3-chlor-6-'brom-diphenylenhydrazon,
p-Aminodiniethylbenzaldehyd-Jiß-dichlordiphenylenhydrazon,
p-AminodiInethylbenzaldehyd-3,6-dibromdiρhenylenhydräzpn und
p-AIninoclinlethylbenzaldehyd-3-chlor-6-bromdiphenylenhydrazΌnj
1,3.» 5-Triphenylpyrazolin, S-Atninothiazolderivate, 4 »1,2-Triazol«-
derivate, ImidaKolonderivate, Oxazolderivate, Iniidazolderivate,
Pyrazoliiiderivate, Tiaidasolidinderivate, Polyphenylenthiazol-
1098AS/1691
derivate und 1,6-Methoxyphenazinderivate.
2) Geeignete Verbindungen mit kondensierten Ringen sind beispielsweise
verschiedene Berzthiazol-, r.enzimidazol-, Benzoxazol·,
Aminoacridin- und Chinoxalinderivate.
3) Geeignete Verbindungen mit Doppelbindungen sind beispielsweise
Acylhydrazonderivate und 1,1,6,6-Tetraphenylhexatrien.
4) Als Beispiele geeigneter Verbindungen mit Amino- oder IJitrilgruppen
sind aminierte Biphenyle, Allyliaenazine, N,H,N1,N1-.
Tetrabenzyl-p-phenylendiamin, Triphenylamin und p-Dimethylaminostyrylketon
zu nennen.
5) Als Beispiele geeigneter Kondensationsprodukte seien Eondensationsprodukte
von Aldehyden mit aromaticchen Aminen und Eeaktionsprodukte
aromatischer Amine und aromatischer Halogenide genannt.
6) Als Beispiele geeigneter Polykondensationsprodukte sind mittlere Kondensationsprodukte aus Carbonsaurehalogeniden und
Triphenylamin zu nennen.
B) Al3 hochpolymere Bindemittelharze eignen sich für die Zwecke
der Erfindung beispielsweise Polystyrol-, Polyvinylchlorid-, Phenol-, Polyvinylacetat-, Polyvinylacetal-, Epoxy-, Xylol-,
Alkyd-, Polycarbonate Polymethylmethacrylat- und Polyviriylbutyralharze.
1098AS/1S91
C) Beispiele geeigneter Weichmacher sind Dioctylphthalat, Tricresylphosphat,
Diphenylchlarid, Methylnaphthalin, p-T^erphenyl
und Diphenyl. ..
D) Als Lösungsmittel für die Zv/ecke der Eründiing sind
weise Benzol, Chlorbenzol, Toluol," Aceton, Methanol, Äthanol, .
Äthylacetat, Kethyläthylketon, Trichlorathylen, Tetrachlorkohlenstoff,
Methylcellusolve, Tetrahydrofuran, Dioxan und Dimethylformaldehyd
zu y-erw'enden. ' . ■ . - . ■
Das für die lichtempfindlichen Elemente der Erfindung verwendete
organische photoleitende Material mit niederem Molekulargev/icht
besitzt ein Molekulargewicht von etwa 100 - 2000, vorzugsweise
250 - 1000.
Bevorzugte Stoffe mit hoher Lichtempfindlichkeit sind 2,-5-Bis-(4'-aminophenyl)-1,3,4-oxadiazol,
Diphenylenhydrazone, 1,3,5-Triphenylpyrazolin,
Ν,Ν,Ν',N'-Tetrabenzyl-p-piienylendiamin,
p-Dimethylaminophenylstyrylketon und Triphenylamin.
Die verwendete Menge an Bindemittelharz ist nicht kritisch. Vorzugsweise verwendet man, bezogen auf organisches photoleitsndes
Material mit niederem Molekulargewicht, 30 - 50 Gew.~5ö. Zur
weiteren Verbesserung der Eigenschaften des Films kann ein
Weichmacher in einer Menge von etwa 5 - 80 Gew.-^, bezogen auf
die Menge an organischem photoleitendem Material mit niederem
Molekulargewicht, verwendet werden.
109846/TS91
Die Beschichtung kann nach beliebigen herkömmlichen Methoden,
z.B, Walzbeschiehten, Drahtrakelbeschichten, Fließbeschichten
und Luftrakelbeschichten, vorgenommen werden, wobei man die Schichtdicke ,je nach dem Anwendungszweck, auf einige pm bis
zu einigen zig pn einstellen kann.
Als Träger kann man eine Metallplatte bzw. ein Metallblech, z.B.
Aluminium-, Kupfer-, Zink- und Silberbleche, ein lösungsmittelfestes
Papier, aluainlumlaminiertes Papier, ein Netzmittel
enthaltende Kunstharzfilme bzw. -folien und Glas-, Papier- und. Kunstharzfolien verwenden, die mit einem Metall, einem Metalloxyd
oder einem Metallhalogenide beispielsweise durch Bedampfen,
beschichtet sind. Im allgemeinen kann man ein beliebiges Material verwenden, dessen Oberflächenwiderstand geringer ist, als
8 ."V ' derjenige der photoleitenden Schicht, d.h. kleiner als 10 >L
und vorzugsweise kleiner als 10 JTl,.
Die elektrophotographischen lichtempfindlichen Elemente der Erfindung
können zur Herstellung elektrophotographiseher Bilder nach herkömmlichen elektrophotographischen Verfahren verwendet
werden. Beispielsweise kann man ein elektrophotographisches lichtempfindliches Element der Erfindung im Dunkeln mehrmals
unter einer Coronaentladungsvorrichtung mit einem Potential von +6 KV durchführen, um es mit einem positiven Potential von
150 - 600 V aufzuladen. Dann wird das lichtempfindliche Element mit einer geeigneten Lichtquelle, z.B. einer Wolframlampe, durch
ein Positivbild belichtet, wobei die Ladung an den belichteten
Stellen verschwindet. Hierauf trägt man mittels der L'iagnetbürstenniethode,
der Kaukadeiiinethode oder der Pelzbürsterurethodc
109845/1591
ein negatives Bildpulver auf, wodurch man Poaitivbilder erhält.
Diese Bilder können fixiert werden, indem man sie erhitzt oder
durch eine geeignete Löaurigsinitteldampfatmosphäre führt. Weiter
hin kann auch ein flüssiger Entwickler verwendet werden. Die
Polarität der Aufladung.mittels Coronaentladung kann positiv
oder negativ
Die Beispiele erläutern die Erfindung, sind jedoch nicht als
Beschränkung der Erfindung zu verstehen.
2, 5--Bi s- fr'-n-propylaxinophenyl-il)] - 1,0 g
1,3,4-oxadiazol (Snp. 98 C)
Maleinsäureharz (Eeohacite 1111, Handelsname,
Produkt der Japan Reichhold Co.) (Tg:'60-650C) ' 1,0 g
Methylenchlorid . 20 ml
Methylenblau 10 mg ,
Aus den vorstehend genannten Bestandteilen wird eine homogene
Lösung hergestellt, mit der man ein einseitiges, 80 /im starkes
Kunstdruckpapier gleichmäßig 5 jum stark beschichtet, worauf man
die aufgetragene Lösung- unter natürlichen Bedingungen zu einer
lichtempfindlichen Schicht trocknen läßt, die anschließend 30 iiinuten einer Wärmebehandlung bei 900C unterworfen wird. Die
auf diese Weise wärmebehandelte lichtempfindliche Schicht wird dann mittels einer Coronaentladungsvorrichtung von + 6 KV mit
einer positiven Aufladung von etwa 400 V versehen, mit einer HochdrackqueckBilLerlampe belichtet und zur Erzeugung eines
klaren nichtbaren Bildes in einen im Handel■erhältlichen negati
109846/1591
ven flüssigen Entwickler eingeweicht.
Die Belichtungsdauer beträgt bei der auf diese V/eise ■wärmebehandelten
und orientierten lichtempfindlichen Schicht nur etwa den fünften Teil der ohne die Wärmebehandlung erforderlichen
Zeit.
Beispiel 2 ■
p-Dimethylaminobenzaldehyddiphenylenhydrazon
(Smp. 175 - 177 0G) V 1,0 g
Alkydharz (Bechosol - 786, Handelsname,
Produkt der Japan Reichhold Co.) 2g
Kobaltnaphthenat 0,02 g
Methylenchlorid 20 ml
·■( Durch Kondensation von p-Dimethylaminöbenzaldehyd mit
N-Aminocarbazol in Alkohol erhaltene Verbindung)
Ein 80^um.starkes Barytpapier wird beidseitig mit einer etwa 5 /ι
starken Schicht einer aus den vorstehenden Bestandteilen bestehenden lösung beschichtet, worauf man das Papier in einem
" ο
mit Stiek3toffgas gespülten Raum 60 Minuten bei 140 C wärmebehandelt.
Das dabei erhaltene lichtempfindliche Element liefert
bei dem elektrophotographischen Verfahren nach Beispiel 1 klare
sichtbare Bilder. Die Lichtempfindlichkeit ist ungefähr auf das 4-fache erhöht.
man anstelle des p-Diraethylaminobenzaldehyddiphenylenhydrazons
Benzaldehyddiphenylenhydrazorx verwendet, so erhält man ein ähnliches Ergebnis.
109846/1591
Beispiel _3_
p-Diatliylarainobeniiylidenn: !rotinsüurehydrazid
(Snip. 153 - 1540C) , .1,0 g
Xylolharz (ilikar,ol S-ICl9 Handelsname ,
erhältlich von l.'ippön Gas Ohe-Eical) Ig
Methylcellosolv 50 ml
Aus einem Gemisch der vorstehenden Bestandteile wird analog
Beispiel 1 ein lichtempfinaliches Element hergestellt, wobei
man jedoch eine Wiirraebehandlungstemperatur von 80 C. anwendet.
Das auf diese Weise erhaltene lichtempfindliche Element wird
analog Beispiel 1 "behandelt und entwickelt, wobei man ein klares
sichtbares Bild erhält. Die Lichtempfindlichkeit wird durch die Wärmebehandlung ungefähr auf das 4-fache erhöht.
1,3,5-Triphenylpyrazolin
(Smp. 1390C) . 1,0 g
Acrylnitril-Styrolcopolymeres
(Tg: 72 - 75°C) . 1 g
Diphenylchlorid (Kanechlor ^-4CO, Handelsname,
erhältlich von Kanegafuchi Chemical) 0,5 g
Methylenchlorid " 20 ml
Eine 30 pm starke Aluminiumfolie wird gleichmäßig mit einem'Gemisch
der vorstenencl genannten. Bestandteile beschichtet, um eine
etwa 10 /,im starke Schicht aufzubringen. Die auf diese Weise erhaltene
Schicht Ast eine vollkonanen amorphe feste Lösung, Die
Schicht wird hierauf 30 Llinut&n einer V.'ärmebehandlung bei 7Q0C
unterworfen, v.'odirch man ein lichtempfindliches Element mit einer
109845/1591
Mikrokristallite enthaltenden Schicht erhält.
Das auf diese V/eise erhaltene, negativ aufgeladene, lichtempfindliche
El ein ent αν 2 1,5 Sekunden mit. einer vrolframlamp-e mit
einer OberfUlchenlichtintensität von 2CO lux belichtet werden,
um einen Kontrast von 200 V zu erzielen, während unter den
gleichen Bedingungen bei einen nicht-v/ärmebehandeHten lichtempfindlichen
Element eine Belichtungszeit von 10 Sekunden erforderlich ist, um denselben Kontrast zu erzielen, d.h., daß
durch die '.Yärmebehandlung die Lichtempfindlichkeit auf das 6,5-fache
gesteigert wird, ·
In diesem Beispiel wird der Effekt einer Änderung der 7/ärmebehandlungsdaaer
bezüglich der Lichtempfindlichkeit ermittelt.
Eine Wärmebehandlung von 10 Minuten bei 70 "G führt zu einer
schwachen Trübung der lichtempfindlichen Schicht, wobei au:Be-rdem
Kristallwachstum zu beobachten ist, jedoch kann keine Änderung der Lichtempfindlichkeit gemessen werden. Verlängert man
die Dauer der Wärmebehandlung auf 20 Minuten, so trübt sich die lichtempfindliche Schicht beträchtlich und die Lichtempfindlichkeit
steigt auf ungefähr den 2-fachen Wert an» Eine/weiter■
auf 30 Minuten verlängerte Wärmebehandlung führt dazu, daß die
lichtempfindliche Schicht durchwegs opak bzw. undurchsichtig wird, und erhüht, wie vorstehend gezeigt, die Lichtempfindlichkeit
gegenüber derjenigen einer unbehandelten lichtempfindlichen Schicht auf das 6,5-fache.
Wenn man die Dau~r der i,:.lriiiobe:iarjdl-.ug bei 7G0C auf 50 Minuten
109845/1591
Ö'ORIGINAL
Ö'ORIGINAL
~u~ 203745Q
erhöht, so ist keine weitere·"Veränderung; des Aussehens der
lichtempfindlichen Schicht zu bemerken, jedoch eine Erhöhung
der Lichtempfindlichkeit auf ungefähr den 4-fachen Wert des unbehandelten
Films festzustellen, d.h., daß der Effekt bezüglich
der Lichtempfindlichkeit etwas geringer ist* als bei einer
Wärmebehandlungsdauer von nur 30 Minuten,
Beispiel 5 ■
Ein gemäß Beispiel 4 hergestelltes lichtempfindliches Element
wird einer Atmosphärenbehandlung unterworfen, indem* man es 60
Minuten einer mit Methylenehloriddarnpf gesättigten Atmosphäre
aussetzt, wobei man ein mikrokristallines lichtempfindliches Element erhält. Durch eine gemäß Beispiel 4 durchgefühi-te Prüfung
stellt man fest, daß die Lichtempfindlichkeit durch die Atmosphärenbehandlung auf das 5-fache erhöht wird.
Eine lichtempfindliche Schicht mit der in Beispiel 4 angegebenen
Zusammensetzung wird 20 Minuten bei 125 C wärmebehandelt,
wobei man eine Schicht im Zustand einer festen Lösung erhält. Diese Schicht wird dann analog Beispiel 4 30Minuten bei 7O0C
wärmebehandelt, wodurch man eine Erhöhung der Lichtempfindlichkeit auf das etwa 4-fache erzielt. Im Cregensatz zu &en lichtempfindlichen
Elementen der Beispiele 4 und 5 bleibt auf der
auf diese Weice hergestellten lichtempfindlichen Schicht nach
dem Aufladen und anschließenden Entladen, durch Belichten eine
beträchtliche Restladung zurück. Die Eignung dieser lichtempfindlichen
Schicht als elektrpphotographlsches lieiitempfindlicheo
10 9 Θ 4 5 / 1 5 θ 1
"Material ist daher geringer als diejenige der lichtempfindlichen
Elemente nach den Beispielen 4 und 5. Das Wachstum von Mikrokristalliten
wird mit einem Mikroskop mit 500-facher Vergrößerung
untersacht, wobei man beobachtet, daß der Anteil der amorphen Stellen auf der Oberfläche der einer 20 minütigen Y.'ärmebehandlung
bei 125°C unterworfenen Schicht größer ist, als bei
einer gemäß Beispiel 4 erhaltenen lichtempfindlichen Schicht.
Beispiel 7
^. '
Auf die Schicht eines lichtempfindlichen Elements g'emäß Beispiel
4 wird ein Metalldrahtnetz mit einer lichten Maschenweite 'von
0,1 mm aufgepreßt, worauf man das lichtempfindliche Element 15 Minuten bei 700G wärmebeharidelt. Die auf diese Weise behandelte
lichtempfindliche Schicht wird unter einem Mikroskop 500-facher
Vergrößerung untersucht, wobei man feststellt, daß stellenweise ein Kristallitwachstum erfolgt ist, das durch die
kristallkeimwirkenden Berührungstellen des Metalldrahtnetzes
mit der Schichtoberfläche ausgelöst wurde. Die auf diese V/eise
erhaltene lichtempfindliche Schicht wird mit einer lichtleistung von 200 lux 2 Sekunden belichtet, um ein Bild zu erzeugen.
Man erhält ein klares sichtbares Bild mit Punktmastereffekt.
Dies ist bei der Herstellung von Halbtonbildern yorteilhaft.
Das in Beispiel 4 verwendete Gemisch wird so auf eine 30^
starke Aluminiumfolie aufgetragen, daß man eine etwa 50 um starke
Schicht erhält, die dann durch Verdampfen des verwendeten Lösungsmittels in eine grobe Kristalle enthaltende Schicht umge-
109846/1591
wandelt wird. Die auf diese Weise erhaltene lichtempfindliche
Schicht besitzt eine hervorragende Lichtempfindlichkeit, ist jedoch bezüglich der Bildqualität schlecht. Die lichtempfindliche
Schicht wird hierauf in einem mit Stickstoffgas gefüllter.
Raum 20 Minuten bei 15O0C v'ärraebehändelt, wodurch die Schicht-_
masse amorph wird, d.h. sich in eine feste Lösung umwandelt.
Hierdurch steigt die Bildqualität, wird jedoch die Lichtempfindlichkeit
verringert.
Diese Schicht wird weiterhin 30 Minuten bei 7O0C viäriaebehahdelt,
was zu einem Wachstum von Mikrokristalliten führt. Gleichzeitig erzielt man durch diese Behandlung bezüglich der Bildqualität
und der Lichtempfindlichkeit befriedigende Eigenschaften.
Das lichtempfindliche Gemisch von Beispiel 4 wird auf eine 30 /im
starke Aluminiumfolie in einer etwa 70 ^un starken Schicht aufgetragen.
Die auf diese Weise erhaltene lichtempfindliche Schicht wird dann 30 Minuten bei 700C wärmebehandelt, wodurch man eine
Mikrokristallite enthaltende lichtempfindliche Schicht erhält. Auf diese lichtempfindliche Schicht wird dann unter Verwendung
eines Epoxyharzes als Klebstoff bzw. Bindemittel ein etwa 25 /im
starker Polyesterfilm aufgeklebt, so daß man ein lichtempfindliches
Element mit 3 Schichten erhält. -Dieses lichtempfindliche Element wird dann gleichmäßig auf der gesaraten Oberfläche des
Polyesterfilras unter gleichzeitiger ganaflächiger Belichtung..
mit einer 7/olframlampe positiv mittels einer Coronaentladun^s-"
vorrichtung von + 6 KV aufgeladen. Dann wird auf die Oberfläche
101845/1691
des Polyesterfilms mittels einer Wolfram!anipemit einer Leistung von etwa 1000 lux ein Original "bild projiziert, wobei man.
gleichzeitig "eine negative Ladung mittels einer Coronaentladungs
vorrichtung von - 6 KV einwirken läßt. Dann "belichtet man
etwa 2 Sekunden mit einer 100 W V/olframlampe,, wodurch man ein
elektrostatisches Bild erhält, das dem Kontrastmuster des Ori—
ginalbildes entspricht» Dieses latente Bild wird nach der Magnet
bür st cnmet ho de entwickelt, wobei man ein ausgezeichnetes
sichtbares Bild erhält'. ·
Benzaldehyd-3»6-dichlordiphenylenhyärazon
(Snip. 1650C)
2,4,7-Trinitrofluorenon
Diphenylaminblau
5 mg 20 mg
C umar on-Iiiaolhar s
(Tg: 6O-65°C)
Methyläthy!keton
10964S/1591
1,5 g 5 ml
(+ Diese Verbindung läßt sich herstellen, indem man 3*6-Dichlorcarbazol
(Smp. 2010C) in Eisessig.mit Iiatriumnitrit
zu 3,6-Dichlor-9-nitrosocarbazol (Smp. HO0C) umsetzt, das
in Äther it;it Zinkstaub und Salzsäure reduziert und sofort'
mit Benzaldehyd kondensiert wird.)
Ein Gemisch der vorstehend genannten Komponenten wird auf eine
mit einem leitenden Polymeren vorbeschichtete Polyesterfolie aufgetragen und die aufgetragene Schicht 3 Minuten bei 50 C getrocknet,
wobei man eine lichtempfindliche Schicht erhält. Anhand
des Röntgenstrahlbeugungsspektrüms einer Probe dieser
Schicht wird festgestellt, daß die auf diese Weise hergestellte lichtempfindliche Schicht amorph ist« Der auf diese Weise erhaltene
Film wird dann bei jeweils 8O0O während der in der nachstehenden
Tabelle angegebenen Zeiten in einem Trockenschrank aufbewahrt und dann abgekühlt, Die Lichtdurchlässigkeitswerte
und brauchbaren Belichtungswerte der auf diese Weise behandelten Folien sind in der nachstehenden Tabelle aufgeführt. -Die angegebenen
Belichtungswerte beziehen sich auf positive Aufladung» Belichten mit einer Wolframlampe und Elektrophoreseentwicklung*
Probe Dauer Lichtdurchlässig- angemessener
keit Belichtungs-
. r. \ wert -
(Minuten) $ lux · sec
1 5 80 150
2 10 73 125
3 30 50 300 unhehar.diilt 0 85 1000
10984S71591
Die Lichtdurchlässigkeit wird unter Verwendung von weißen Licht gemessen und berechnet, indem man die Lichtdurchlässigkeit des
verwendeten Grundfilms gleich 100 $>
setzt.
Die Proben 1 und 2 weisen eine erhöhte Lichtempfindlichkeit-auf,
während die Probe 5 eine geringere Lichtempfindlichkeit als das
nicht behandelte Material aufweist. Das Kristallmuster bzw. -gefüge wird bei der Probe 3 mittels des Röntgenbeugungsspektrum
festgestellt. Das dabe-i erhaltene Ergebnis zeigt, daß für eine
Erhöhung der Lichtempfindlichkeit ein aasreichender Grad an
Kristallwachstum erforderlich ist, oder eine 'Erhöhung der Mikrokristallitmeng'e.
'
Wenn man das in dem vorstehenden Beispiel verwendete Benzaldehyd-3,6-dichlordiphenylenhydrazon
durch. BerLzaldehyd-J-frrom-diphenylenhydrazon
(I), Benzaldehyd-3-chlor-diphenylenhydrazon (II), .
p-Dimethylaminoben£aldehyd-3,6-dichlordiphenylenhydrazon (III),
Dimethylaraino-3,6-dibromdiphenylenhydrazon (IV) bzw.p-Dirnethylamino-3-chlordiphenylenhydrazon
(V) ersetzt und ansonsten das Beispiel wiederholt, so erhält man durch eine Wärmebehandlung
von 10 Minuten lichtempfindliche Elemente, für die die geeigneten Belichtung3werte in der nachstehenden Tabelle angegeben sind.
Verbindung | I | II | III | IV | V |
Angemessene Belichtung lux · sec |
190 | 230 | 115 | 125 | 170 |
109845/1691
N,N,N1,M'-Totrabenzyl-p-phenylendiamin 1,0 g
Polyvinylbutyralharz
(erhältlich unter dem. Handelsnanien S-lec BLS
von Sekisui Chemical) 1,0 g
Kristallviolett . 10 mg
Chloroform 10 ml
Die vorstehend aufgeführten Bestandteile werden homogen miteinander
vermischt, worauf man ein 80 pm starkes einseitiges K^nstdruckpapier
mit einer etwa 5 jum starken Schicht des Gemisches
versieht, die man unter natürlichen Bedingungen'zu einer lichtempfindlichen
Schicht trocknen läßt. Diese lichtempfindliche
Schicht wird dann 20 Minuten bei 95 C wärmebehandelt, worauf
• man das auf diese Weise behandelte lichtempfindliche Papier
mittels einer Coronaentladungsvorrichtung von 5 KV mit einem positiven Potential von etwa 350 V auflädt, dann mit einer lOOW
Wolframlampe mit einer Lichtmenge von 250 lux · sec. belichtet und schließlich in einem flüssigen Entwickler entwickelt, wobei
man ein sichtbares Bild erhält. Wenn man ein identisches lichtempfindliches Papier, das jedoch nicht der vorstehend geschilderten Wärmebehandlung unterworfen wurde auf analoge Weise zur
Herstellung einer elektrophotographischen Reproduktion verwendet, so ist eine Beliclrtungglichtmenge von etwa 1000 lux · sec.
erforderlich, um ein klares sichtbares Bild zu erhalten.
P-Diiiiethylaminophenylstyrylketon .!„0 g
Polyatyrolhars 1 0 984W^fS 81
(Piccolaatic D-IOO von ESSO) Ig
Methylenblau 10 mg
Methylethylketon 10 ml
Aas den vorstehenden Bestandteilen wird eine Lüsung hergestellt,
rait dor nan eine Aluminiumfolie etwa 5 /^n stark beschichtet,
worauf die aufgetragene Schicht 5 Minuten durch Blasen mit
50° C heizer Luft zu einer lichtempfindlichen Schicht getrocknet
wird. Die auf diese Weise erhaltene lichtempfindliche Platte
wird dann 30 Minuten bei 80 C wärmebehandelt. Die auf diese
Weise erhaltene Platte wird dann zur Durchführung eines elektrophotographischen
Reproduktionsverfahrens gemäß Beispiel verwendet. Zur Erzeugung eines klaren sichtbaren Bildes muß mit
einer Lichtaenge von etwa 200 lux · sec. belichtet werden.
Triphenylamin 1,0 g
Acrylnitril-Styrol-Copolymerharz
(»Estyleno AS-61JiT" von.Yahata. Chemical) 1,0 g
Malachitgrün 10 mg
Benzol 20 ml
Aus den vorstehend aufgeführten Bestandteilen wird eine Lösung
hergestellt, die man auf einen 90 pn starken Polyäthylenterephthalatfilu,
dessen Oberfläche durch Beschichten mit einer
mit 30 ml einer 5 ^igen Polyvinylforrr.allösung versetzten Lösung von \ g Kupfer-I-Jodid in 150 ml Acetonitril elektrischleitend
gemacht ist, aufträgt und unt-.ii· natürlichen 2<-dhigunßen
:su einer pho toi oil ·..·!.den Gchicht trocK.ier; laßt. Der auf uie^e
.V098A5/1S-91
BAOORfQiNAL
Weise erhaltene lichtempfindliche Film wird 30 iiinuten bei 7O?C
warmebehandelt, worauf man ihn -für einen elektrophotographischen
VervielfaltigungsprozeB verwendet. Zur Erzeugung eines.
klaren sichtbaren Bildes ist eine Belichtung mit etwa 250 lux * sec. erforderlich. Bei einem gleich zusammengesetzten lichtempfindlichen
Film, der jedoch nicht der vorstehenden Wärmebehandlung unterworfen wurde, ist zur Erzeugung eines klaren
sichtbaren Bildes eine Belichtung mit einer Lichtmenge von
1200 lux . aec. erforderlieh.
In Fig. 2 der Zeichnung ist ein fceversugtee, «rfindungsgemäßes,
lichtempfindliches Material schemÄtieeli dargestellt,
das aus einem elektrisch leitenden Träger 1 und einer «ia
halogensubstituiertes Polymeres enthaltenden oder daraus bestehenden lichtempfindlichen Schicht besteht.
109B4 5/1591
Claims (32)
- Hi 34-15 ' ' 28. Juli 1970Paten tans ρ rucheElektrophotographisches, lichtempfindliches Element, dadurch gekennzeichnet, daß es einen zur Regelung des Kristallisationszustandes behandelten lichtempfindlichen Film aufweist, der mindestens ein photoleitendes organisches Material mit niederem Molekulargewicht und mindestens ein hochpolymeres Bindemittelharz enthält. .
- 2. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film zur Regelung des Kristallisationszustandes einer Wärmebehandlung unterworfen ist.
- 3. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film bei einer nicht unter der Umwandlungstemperatur der zweiten Ordnung (Tg) des hochpolymeren Bindemittelharzes liegenden Temperatur wärmebehandelt iat.
- 4·. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film in einer oxydationshemmenden Atmosphäre wärm»behandelt ist,
- 5. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 4, dadurch gekenn™ zeicnnat, daß der llchtsnpfindliche Film in einer Inertgas-» atmosphäre wärmebehandelt ist«.10984SV1591
- 6. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es einen lichtempfindlichen Film besitzt, der zur Regelung des Kristallisationszustandes mittels einer Atmosphärenbehandlung behandelt ist, bei der er einer Atmosphäre!ausgesetzt wurde, die die Kristallisation des organischen photoleitenden Materials mit niederem Molekulargewicht beschleunigt.
- 7. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film mit einem Lösungsmitteldampf behandelt ist, der den. lichtempfindlichen Film erweichen kann.
- 8. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das in lichtempfindlichmFilm enthaltene photoleitende Material mit niederem Molekulargewicht ein Molekulargewicht zwischen 100 und 2000 besitzt.
- 9. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das im lichtempfindlichen Film enthaltene photoleitende Material ein Molekulargewicht im Bereich zwischen 250 und 1000 besitzt.
- 10. Lichtempfindliches Element nach mindestens einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet g daß ®e einen zur Einstellung des Kristallisationszustandes sowohl einer Wärmebehandlung als auch einer Atmosphärenbehandlung unterworfenen lichtempfindlichen Film besitzt»
- 11. Lichtempfindliches Element nach mindestens .einem der Ansprüche 1 - 10, dadurch gekennzeichnet, daß es einen lichtempfindlichen Film besitzt, der vor der Behandlung zur Regelung des KristalliDationszustandes durch Erhitzen auf eine nicht unter der Uavvaivdlungsteinperatur der zweiten Ordnimg liegende Temperatur in einem amorphen Zustand überführt worden war.
- 12. Lichtempfindliches Element nach mindestens einem der Ansprüche 1 - 11, dadur.oii gekennzeichnet, daß es einen zusätzlich aur Behandlung zur Regelung des Kristallisationszustandes einer Anregungsbehandlung unterworfenen lichtempfindlichen Film besitzt. .
- 13. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß es einen einer Druckberührungsbehandlung als Anregungsbehandlung unterworfenen lichtempfindlichen Film besitzt.
- 14. Lichtempfindlichea Element nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß es einen einer Druckberührungsbehandlung zur Erzeugung eines Punktmusters unterworfenen lichtempfindlichen ■ PiIm besitzt.
- 15. Lichtempfindliches Element nach mindestens einem der Ansprüche 1 - 14, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film al3 lichtempfindliches Material mit niederem Molekulargewicht mindestens ein Diphenylenhydrazon enthält.
- 16. Lichtempfindliches Elcnent nach Anspruch 15, dadurch gekenn-10984571591zeichnet, daß der lichtempfindliche Film mindestens ein Diphenylenhydrason einos aliphatischen Aldehyds enthält.
- 17. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daS der lichtempfindliche Film mindestens ein Diphenylenhydrazon eines aromatischen Aldehyds enthält.
- 18. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der'lichtempfindliche Film mindestens ein Diphenylenfaydrazon eines heterocyclischen Aldehyds enthält»
- 19. Lichtempfindliches Element nach Anspruch l?y dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film Benzaldehyd- und/oder p-Dimethylaminobenzaldehyddiphenylenhydrazon enthält.
- 20. Lichtempfindliches Element nach Anspruch IS9 dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film mindestens ein halogensubstituiertes Diphenylenhydra&on eines aliphatischen Aldehyds enthält.
- 21. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche film mindestens ein halogensubstituiertes Diphenylenhydrazon ©ines aromatischen Aldehyds enthält.
- 22. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film mindestens ein halogensubstituiertes Diphenylenhydrazon eines heterocyclischen10S84S/1591■ORIGINAL'INSPECTEDAldehyds enthält.
- 23* Lichtempfindliches Element nach Ansprach 21, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film mindestens ein Banzaldehyd-3-halogendiphenylenhydrazon, p-Dimethylaminobenzaldehyd-3-halogen-diphenylenhydrazon, Benzaldehyd·-^,6-dihalogendiphenylenhydrazon und/oder p-Dimethylaminobenzaldehyd-3,6-dihalogendiphenylenhydrazon enthält.
- 24. Lichtempfindliches Element nach Anspruch ^3, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film als Benzaldehyd-3-halogendiphenylenhydrazon Benzaldehyd-3-"Chlordiphenylen3:iydrazon und/oder Benzaldehyd-3-bromdiphenylenhydrazon enthält.
- 25. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 23r dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film als p-Dimethylaminobenzaldehyd-3-halogendiphenylenhydrazon ρ-Dimethy!aminobenzaldehyd-3-chlordiphenylenhydrazon und/oder p-Dimethylaminobenzaldehydr-3-bromdiphenylenhydrazon enthält«
- 26. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film als Benzaldehyd-3 *6-dihalogendiphenylenhydrazon Benzaldehyd-3»6-dichlordiphenylenhydrazon, Benzaldehyd-3,6-dibromdiphenylenhydrazon und/oder Benzaldehyd-i-chlor-e-brom-iiiphenylenhydrazon enthält.
- 27. Lichtempfindliches Element nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film als p-Dimethylami«-108145/1591ORlGiNAL INSPECTEDnobenzaldehyd-3,6-dihalO£endiph3nylenhydrazon p^Dimethylaminobenzaldehyd-Oje-dichlordiphenylenhydrazon, p-Dimethylaminobensaldehyd-39 6-dibromdiphenylenhydrazon und/oder p-Dimethy1-aminobenzaldehyd-3-chlor-6-bromdiphenylenhydfazon enthält.
- 28. Lichtempfindliches Element nach mindestens einen der Ansprüche 1 - 27, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film 2,5-Bis-[4t-aminophenyl^-lf3,4-oxadiazoI enthält.
- 29. Lichtempfindliches Element nach mindestens einem der Ansprüche 1 - 28, dadurch gekennzeichnet, da3 der lichtempfindliche Film. 1,3,5-Triphenylpyrazolin enthält.
- 30. Lichtempfindliches Element na'ch mindestens einem der Ansprüche 1-29, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film p-Dimethylaminostyrylketon enthält.
- 31. Lichtempfindliches Element nach mindestens einem der Ansprüche 1 - 30, dadurch gekennzeichnet, daß der lichtempfindliche Film N,N,K1,N'-Tetrabenzyl-p-phenylendiamin enthält»
- 32. Lichtempfindliches Element nach mindestens einem der Ansprüche 1-31, dadurch gekennzeichnet 9 daß der lichtempfindliche Film Triphenylamin enthält,33· Lichtempfindliches Material nach mindestens einem der Ansprüche 1 Ms 32, gekennzeichnet durch eine auf einem elek-ORIGINAL INSPECTED2037A50trisch leitenden Träger (1) "befindliche lichtempfindliche Schicht (2), die mindestens ein halogensubstituiertes Polymeres enthält bzw. daraus besteht.'1098-4-5/1591
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5949169 | 1969-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2037450A1 true DE2037450A1 (de) | 1971-11-04 |
DE2037450B2 DE2037450B2 (de) | 1974-03-07 |
Family
ID=13114799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2037450A Pending DE2037450B2 (de) | 1969-07-28 | 1970-07-28 | Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3717462A (de) |
DE (1) | DE2037450B2 (de) |
GB (1) | GB1324684A (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2231990A1 (de) * | 1973-06-04 | 1974-12-27 | Xerox Corp | |
US4536461A (en) * | 1983-06-15 | 1985-08-20 | Mita Industrial Co., Ltd. | Laminated photosensitive material and process for production thereof |
WO1991017485A1 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Spectrum Sciences B.V. | Organic photoconductor |
US5376491A (en) * | 1990-05-08 | 1994-12-27 | Indigo N.V. | Organic photoconductor |
EP0791860A2 (de) * | 1989-08-14 | 1997-08-27 | Indigo N.V. | Organischer Photoleiter |
Families Citing this family (145)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5235300B2 (de) * | 1971-08-12 | 1977-09-08 | ||
US4150987A (en) * | 1977-10-17 | 1979-04-24 | International Business Machines Corporation | Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same |
JPS54150128A (en) * | 1978-05-17 | 1979-11-26 | Mitsubishi Chem Ind | Electrophotographic photosensitive member |
JPS5546760A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-02 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
JPS5552063A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
JPS55157550A (en) | 1979-05-25 | 1980-12-08 | Ricoh Co Ltd | Novel hydrazone compound and its preparation |
JPS6034099B2 (ja) * | 1980-06-24 | 1985-08-07 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子写真感光体 |
JPS5767940A (en) | 1980-10-15 | 1982-04-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
JPS6034101B2 (ja) * | 1980-10-23 | 1985-08-07 | コニカ株式会社 | 電子写真感光体 |
JPS5942352A (ja) | 1982-09-01 | 1984-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ジスアゾ化合物、それを含む光導電性組成物及び電子写真感光体 |
DE69021234T2 (de) * | 1989-03-14 | 1996-01-04 | Canon Kk | Auflade-Element und elektrofotografisches Gerät mit einem solchen Element. |
US5130603A (en) | 1989-03-20 | 1992-07-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
US5443922A (en) * | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
WO1994003032A1 (en) * | 1992-07-23 | 1994-02-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el device |
US5585213A (en) | 1994-06-10 | 1996-12-17 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Hole-transporting material and its use |
US5681664A (en) | 1994-08-04 | 1997-10-28 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Hole-transporting material and use thereof |
JPH09222741A (ja) | 1995-12-11 | 1997-08-26 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 正孔輸送材料およびその用途 |
KR100461474B1 (ko) | 1998-12-28 | 2004-12-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
TW463528B (en) | 1999-04-05 | 2001-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element and their preparation |
KR101164687B1 (ko) | 2003-07-02 | 2012-07-11 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치 |
EP1707550B1 (de) | 2003-12-01 | 2016-08-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Asymmetrisches monoanthracenderivat, material für ein organisches elektrolumineszentes gerät und organisches elektrolumineszentes gerät, bei dem dieses verwendet wird |
WO2005061656A1 (ja) | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料、それを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 |
WO2005101915A1 (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 電極基板及びその製造方法 |
EP2371810A1 (de) | 2005-01-05 | 2011-10-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatisches Aminderivat und organische elektrolumineszente Vorrichtung damit |
EP1903020B1 (de) | 2005-07-14 | 2014-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Biphenylderivate, organische elektrolumineszente materialien und daraus hergestellte organische elektrolumineszente vorrichtungen |
JP4848152B2 (ja) | 2005-08-08 | 2011-12-28 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007073814A (ja) | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリアリールアミンを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP1926159A1 (de) | 2005-09-15 | 2008-05-28 | Idemitsu Kosan Company Limited | Asymmetrisches fluorenderivat und dieses enthaltendes organisches elektrolumineszenzelement |
WO2007032162A1 (ja) | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | ピレン系誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20070104977A1 (en) | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2007137784A (ja) | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2007058127A1 (ja) | 2005-11-16 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP1950817A1 (de) | 2005-11-17 | 2008-07-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organische elektrolumineszenzvorrichtung |
KR20080080099A (ko) | 2005-11-28 | 2008-09-02 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 아민계 화합물 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
JP2007149941A (ja) | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007153778A (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101308341B1 (ko) | 2005-12-27 | 2013-09-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자용 재료 및 유기 전계발광 소자 |
JP2007186461A (ja) | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP1995291A4 (de) | 2006-02-23 | 2013-04-17 | Idemitsu Kosan Co | Material für organische elektrolumineszenzvorrichtung, herstellungsverfahren dafür und organische elektrolumineszenzvorrichtung |
WO2007105448A1 (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | ナフタセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US9214636B2 (en) | 2006-02-28 | 2015-12-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
TW200740290A (en) | 2006-02-28 | 2007-10-16 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent device using fluoranthene derivative and indenoperylene derivative |
CN101395126A (zh) | 2006-03-07 | 2009-03-25 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物及使用其的有机电致发光元件 |
CN101410380A (zh) | 2006-03-27 | 2009-04-15 | 出光兴产株式会社 | 含氮杂环衍生物及使用其的有机电致发光元件 |
CN101410382A (zh) | 2006-03-27 | 2009-04-15 | 出光兴产株式会社 | 含氮杂环衍生物及使用其的有机电致发光元件 |
CN101410364A (zh) | 2006-03-30 | 2009-04-15 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件 |
KR20080114784A (ko) | 2006-04-03 | 2008-12-31 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 비스안트라센 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
JP4995475B2 (ja) | 2006-04-03 | 2012-08-08 | 出光興産株式会社 | ベンズアントラセン誘導体、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2011790B1 (de) | 2006-04-26 | 2016-06-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatisches aminderivat und organisches elektrolumineszentes element, bei dem dieses verwendet wird |
CN101444141A (zh) | 2006-05-11 | 2009-05-27 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
EP2018090A4 (de) | 2006-05-11 | 2010-12-01 | Idemitsu Kosan Co | Organisches elektrolumineszenzbauelement |
EP1933397A4 (de) | 2006-05-25 | 2008-12-17 | Idemitsu Kosan Co | Organische elektrolumineszenzvorrichtung und licht emittierende vorrichtung aller farben |
TW200815446A (en) * | 2006-06-05 | 2008-04-01 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device |
CN101473464B (zh) | 2006-06-22 | 2014-04-23 | 出光兴产株式会社 | 应用含有杂环的芳胺衍生物的有机电致发光元件 |
CN101484412A (zh) | 2006-06-27 | 2009-07-15 | 出光兴产株式会社 | 芳香族胺衍生物及使用它们的有机电致发光元件 |
US20090243473A1 (en) | 2006-08-04 | 2009-10-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
US20080049413A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
KR20090040896A (ko) | 2006-08-23 | 2009-04-27 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 이들을 이용한 유기 전기발광 소자 |
JP2008124156A (ja) | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el材料含有溶液、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子 |
WO2008056652A1 (fr) | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Solution contenant un matériau el organique, procédé de synthèse d'un matériau el organique, composé synthétisé par le procédé de synthèse, procédé de formation d'un film mince de matériau el organique, film mince de matériau el organ |
JP2008124157A (ja) | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el材料含有溶液、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子 |
EP2085371B1 (de) | 2006-11-15 | 2015-10-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Fluoranthenverbindung, organisches elektrolumineszierendes gerät, bei dem die fluoranthenverbindung verwendet wird, und eine ein organisches elektrolumineszierendes material enthaltende lösung |
KR101370183B1 (ko) | 2006-11-24 | 2014-03-05 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자 |
JP2008166629A (ja) | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el材料含有溶液、有機el材料の合成法、この合成法による合成された化合物、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子 |
WO2008102740A1 (ja) | 2007-02-19 | 2008-08-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8278819B2 (en) | 2007-03-09 | 2012-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and display |
EP2133932A4 (de) | 2007-03-23 | 2011-06-22 | Idemitsu Kosan Co | Organische el-einrichtung |
KR101441144B1 (ko) | 2007-04-06 | 2014-09-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
JP5289979B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-09-11 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2177516A4 (de) | 2007-08-06 | 2013-03-27 | Idemitsu Kosan Co | Aromatisches aminderivat und organische elektrolumineszenzvorrichtung damit |
EP2221897A4 (de) | 2007-11-22 | 2012-08-08 | Idemitsu Kosan Co | Organisches el-element und ein organisches el-material enthaltende lösung |
EP2213662B1 (de) | 2007-11-30 | 2012-04-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Azaindenofluorendionderivat, material für ein organisches elektrolumineszierendes gerät und organisches lumineszierendes gerät |
US9174938B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-11-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
JP5193295B2 (ja) | 2008-05-29 | 2013-05-08 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20110114547A (ko) | 2008-12-26 | 2011-10-19 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 화합물 |
US8940412B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-01-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Material for organic electroluminescent element, and organic electroluminescent element |
US9126887B2 (en) | 2009-01-05 | 2015-09-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element comprising same |
US8039127B2 (en) | 2009-04-06 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
EP2462203B1 (de) | 2009-08-04 | 2016-03-02 | Merck Patent GmbH | Elektronische vorrichtungen mit multizyklischen kohlenwasserstoffen |
EP2477999B1 (de) | 2009-09-16 | 2019-01-23 | Merck Patent GmbH | Formulierungen zur herstellung von elektronischen vorrichtungen |
EP2517278B1 (de) | 2009-12-22 | 2019-07-17 | Merck Patent GmbH | Elektrolumineszenzformulierungen |
WO2011076326A1 (en) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Merck Patent Gmbh | Electroluminescent functional surfactants |
WO2011076323A1 (en) | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Merck Patent Gmbh | Formulations comprising phase-separated functional materials |
DE102010006280A1 (de) | 2010-01-30 | 2011-08-04 | Merck Patent GmbH, 64293 | Farbkonvertierung |
WO2011110277A1 (en) | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Merck Patent Gmbh | Fibers in therapy and cosmetics |
EP2545600A2 (de) | 2010-03-11 | 2013-01-16 | Merck Patent GmbH | Strahlungsfasern |
KR101778825B1 (ko) | 2010-05-03 | 2017-09-14 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 제형물 및 전자 소자 |
WO2011147522A1 (en) | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Merck Patent Gmbh | Compositions comprising quantum dots |
EP2599141B1 (de) | 2010-07-26 | 2019-12-11 | Merck Patent GmbH | Quantenpunkte und hosts |
JP2012028634A (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5882318B2 (ja) | 2010-07-26 | 2016-03-09 | メルク パテント ゲーエムベーハー | デバイスにおけるナノ結晶 |
DE102010055901A1 (de) | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
WO2012110178A1 (en) | 2011-02-14 | 2012-08-23 | Merck Patent Gmbh | Device and method for treatment of cells and cell tissue |
WO2012126566A1 (en) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Merck Patent Gmbh | Organic ionic functional materials |
WO2012152366A1 (en) | 2011-05-12 | 2012-11-15 | Merck Patent Gmbh | Organic ionic compounds, compositions and electronic devices |
CN103534833B (zh) | 2011-05-13 | 2016-07-20 | 索尼株式会社 | 有机电致发光多色发光装置 |
KR20140036279A (ko) | 2011-06-01 | 2014-03-25 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 하이브리드 양극성 tft들 |
JP6174024B2 (ja) | 2011-07-25 | 2017-08-02 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 機能性側鎖を有するコポリマー |
KR102048688B1 (ko) | 2011-09-09 | 2019-11-26 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 질소 함유 헤테로 방향족환 화합물 |
KR20140068883A (ko) | 2011-09-28 | 2014-06-09 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자용 재료 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자 |
DE102011117422A1 (de) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Merck Patent Gmbh | Hyperverzweigte Polymere, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung in elektronischen Vorrichtungen |
KR20140090133A (ko) | 2011-11-07 | 2014-07-16 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전계 발광 소자 |
JP6567519B2 (ja) | 2013-07-29 | 2019-08-28 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | エレクトロルミネッセンス素子 |
EP3028318A1 (de) | 2013-07-29 | 2016-06-08 | Merck Patent GmbH | Elektrooptische vorrichtung und deren verwendung |
JP6695863B2 (ja) | 2014-09-05 | 2020-05-20 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 調合物と電子素子 |
EP3241248A1 (de) | 2014-12-30 | 2017-11-08 | Merck Patent GmbH | Formulierungen und elektronische vorrichtungen |
WO2016155866A1 (en) | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Merck Patent Gmbh | Formulation of an organic functional material comprising a siloxane solvent |
US10376956B2 (en) | 2015-05-05 | 2019-08-13 | The Virtual Foundry, Llc | Extrudable mixture for use in 3D printing systems to produce metal, glass and ceramic articles of high purity and detail |
US10808170B2 (en) | 2015-06-12 | 2020-10-20 | Merck Patent Gmbh | Esters containing non-aromatic cycles as solvents for OLED formulations |
WO2017036572A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Merck Patent Gmbh | Formulation of an organic functional material comprising an epoxy group containing solvent |
EP3387077B1 (de) | 2015-12-10 | 2023-10-18 | Merck Patent GmbH | Formulierungen mit ketonen mit nichtaromatischen zyklen |
CN108369997B (zh) | 2015-12-15 | 2020-03-24 | 默克专利有限公司 | 作为用于有机电子制剂的溶剂的含芳族基团的酯 |
WO2017102052A1 (en) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Merck Patent Gmbh | Formulations containing a solid solvent |
WO2017102049A1 (en) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Merck Patent Gmbh | Formulations containing a mixture of at least two different solvents |
KR20180110125A (ko) | 2016-02-17 | 2018-10-08 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 기능성 재료의 제형 |
DE102016003104A1 (de) | 2016-03-15 | 2017-09-21 | Merck Patent Gmbh | Behälter umfassend eine Formulierung enthaltend mindestens einen organischen Halbleiter |
CN109153871A (zh) | 2016-06-16 | 2019-01-04 | 默克专利有限公司 | 有机功能材料的制剂 |
JP2019523998A (ja) | 2016-06-17 | 2019-08-29 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機機能材料の調合物 |
TW201815998A (zh) | 2016-06-28 | 2018-05-01 | 德商麥克專利有限公司 | 有機功能材料之調配物 |
KR102427363B1 (ko) | 2016-08-04 | 2022-07-29 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 기능성 재료의 제형 |
CN109890939B (zh) | 2016-10-31 | 2023-07-11 | 默克专利有限公司 | 有机功能材料的制剂 |
EP3532565B1 (de) | 2016-10-31 | 2021-04-21 | Merck Patent GmbH | Formulierung aus einem organischen funktionellen material |
EP3552252B1 (de) | 2016-12-06 | 2023-05-17 | Merck Patent GmbH | Herstellungsverfahren für eine elektronische vorrichtung |
KR102486614B1 (ko) | 2016-12-13 | 2023-01-09 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 기능성 재료의 제형 |
US20200098996A1 (en) | 2016-12-22 | 2020-03-26 | Merck Patent Gmbh | Mixtures comprising at least two organofunctional compounds |
TWI763772B (zh) | 2017-01-30 | 2022-05-11 | 德商麥克專利有限公司 | 電子裝置之有機元件的形成方法 |
TWI791481B (zh) | 2017-01-30 | 2023-02-11 | 德商麥克專利有限公司 | 形成有機電致發光(el)元件之方法 |
JP7123967B2 (ja) | 2017-03-31 | 2022-08-23 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機発光ダイオード(oled)のための印刷方法 |
KR102632027B1 (ko) | 2017-04-10 | 2024-01-31 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 기능성 재료의 제형 |
JP7330898B2 (ja) | 2017-05-03 | 2023-08-22 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機機能材料の調合物 |
WO2019016184A1 (en) | 2017-07-18 | 2019-01-24 | Merck Patent Gmbh | FORMULATION OF AN ORGANIC FUNCTIONAL MATERIAL |
CN111418081B (zh) | 2017-12-15 | 2024-09-13 | 默克专利有限公司 | 有机功能材料的制剂 |
WO2019162483A1 (en) | 2018-02-26 | 2019-08-29 | Merck Patent Gmbh | Formulation of an organic functional material |
JP7379389B2 (ja) | 2018-06-15 | 2023-11-14 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機機能材料の調合物 |
JP2022502829A (ja) | 2018-09-24 | 2022-01-11 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 粒状材料を製造するための方法 |
EP3878022A1 (de) | 2018-11-06 | 2021-09-15 | Merck Patent GmbH | Verfahren zur bildung eines organischen elements einer elektronischen vorrichtung |
EP4139971A1 (de) | 2020-04-21 | 2023-03-01 | Merck Patent GmbH | Emulsionen mit organischen funktionellen materialien |
CN115867426A (zh) | 2020-06-23 | 2023-03-28 | 默克专利有限公司 | 生产混合物的方法 |
WO2022122607A1 (en) | 2020-12-08 | 2022-06-16 | Merck Patent Gmbh | An ink system and a method for inkjet printing |
CN117355364A (zh) | 2021-05-21 | 2024-01-05 | 默克专利有限公司 | 用于连续纯化至少一种功能材料的方法和用于连续纯化至少一种功能材料的装置 |
CN117730638A (zh) | 2021-08-02 | 2024-03-19 | 默克专利有限公司 | 通过组合油墨进行的印刷方法 |
CN117881716A (zh) | 2021-08-31 | 2024-04-12 | 默克专利有限公司 | 组合物 |
TW202349760A (zh) | 2021-10-05 | 2023-12-16 | 德商麥克專利有限公司 | 電子裝置之有機元件的形成方法 |
TW202411366A (zh) | 2022-06-07 | 2024-03-16 | 德商麥克專利有限公司 | 藉由組合油墨來印刷電子裝置功能層之方法 |
WO2024126635A1 (en) | 2022-12-16 | 2024-06-20 | Merck Patent Gmbh | Formulation of an organic functional material |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3287121A (en) * | 1961-07-24 | 1966-11-22 | Azoplate Corp | Process for the sensitization of photoconductors |
US3238041A (en) * | 1962-05-08 | 1966-03-01 | Rank Xerox Ltd | Relief imaging of photoresponsive member and product |
US3508961A (en) * | 1964-12-19 | 1970-04-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | Process for the production of a light sensitive body having an insulating photoconductive layer |
US3478064A (en) * | 1965-06-28 | 1969-11-11 | Xerox Corp | 1,5-bis-(substituted alkylamino)-anthraquinones |
GB1148537A (en) * | 1965-10-30 | 1969-04-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Improvements in and relating to photoconductive insulating material |
US3482970A (en) * | 1966-01-21 | 1969-12-09 | Xerox Corp | Electrophotographic plate and process using naphthylazo compounds as the primary photoconductor |
US3485624A (en) * | 1966-06-07 | 1969-12-23 | Eastman Kodak Co | Photoconductive properties of poly-n-vinyl carbazole |
US3533783A (en) * | 1967-07-31 | 1970-10-13 | Eastman Kodak Co | Light adapted photoconductive elements |
-
1970
- 1970-07-22 US US00057094A patent/US3717462A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-07-27 GB GB3631470A patent/GB1324684A/en not_active Expired
- 1970-07-28 DE DE2037450A patent/DE2037450B2/de active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2231990A1 (de) * | 1973-06-04 | 1974-12-27 | Xerox Corp | |
US4536461A (en) * | 1983-06-15 | 1985-08-20 | Mita Industrial Co., Ltd. | Laminated photosensitive material and process for production thereof |
EP0791860A2 (de) * | 1989-08-14 | 1997-08-27 | Indigo N.V. | Organischer Photoleiter |
EP0791860A3 (de) * | 1989-08-14 | 1997-12-03 | Indigo N.V. | Organischer Photoleiter |
WO1991017485A1 (en) * | 1990-05-08 | 1991-11-14 | Spectrum Sciences B.V. | Organic photoconductor |
US5376491A (en) * | 1990-05-08 | 1994-12-27 | Indigo N.V. | Organic photoconductor |
US5527652A (en) * | 1990-05-08 | 1996-06-18 | Indigo N.V. | Organic photoconductor |
EP0690350A3 (de) * | 1990-05-08 | 1996-07-03 | Indigo N.V. | Organischer Photoleiter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3717462A (en) | 1973-02-20 |
GB1324684A (en) | 1973-07-25 |
DE2037450B2 (de) | 1974-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2037450A1 (de) | Lichtempfindliches Element | |
DE2924865C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3124396A1 (de) | Elektrophotographischer photorezeptor | |
DE2622327C3 (de) | Verfahren zum elektrostatischen Drucken | |
DE1908343A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3303830A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE2256327A1 (de) | Elektrofotografisches geraet mit einem lichtempfindlichen teil mit einer elektrisch stark isolierenden schicht | |
DE1804475B2 (de) | Abbildungsverfahren unter Benutzung eines erweichbaren Materials | |
CH620697A5 (de) | ||
DE2631629A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE2251312B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2615624A1 (de) | Mehrschicht-fotorezeptorelemente | |
DE2825276C2 (de) | ||
DE1912589A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2557430C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2301060C3 (de) | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2444620C3 (de) | ||
DE2041064A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3216043A1 (de) | Elektrophotographisches, lichtempfindliches material | |
DE1797137C3 (de) | ||
DE2444620A1 (de) | Elektrophotographische lichtempfindliche platte | |
DE2059540C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht | |
DE2601822C2 (de) | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2505900C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2149293C3 (de) | Eletrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |