DE3216043A1

DE3216043A1 - Elektrophotographisches, lichtempfindliches material

Info

Publication number: DE3216043A1
Application number: DE3216043A
Authority: DE
Inventors: Akira Hosoya; Atsushi Hitachiota Kakuta; Yasuki Hitachi Mori; Hirosada Hitachi Morishita; Shigeharu Hitachi Onuma; Katsuhito Mito Suzuki; Kunihiro Tamahashi
Original assignee: Hitachi Koki Co Ltd Tokyo; Hitachi Ltd; Hitachi Koki Co Ltd
Current assignee: Hitachi Koki Co Ltd Tokyo; Koki Holdings Co Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 1981-04-30
Filing date: 1982-04-29
Publication date: 1982-11-18
Also published as: US4430404A; DE3216043C2

Description

SCHIFF ν. FUN E R STREHL SCHÜBEL-HOMF EBBiNGHAUS FlNCK

MAR1AHILFPLAT2 Q & 3, MÖNCHEN 9O POSTADRESSE: POSTFACH 95 O1 6O, D-800O MÖNCHEN 95

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DEA-24219

TELEf=ON (Ο89) 48 9O5A

TELEX 5-23666 AURO O

TELEeRAMME AUROMARCPAT MÜNCHEN

Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches, lichtempfindliches Material mit einer auf ein elektrisch leitendes Substrat aufgebrachten photoleitfähigen Schicht, sowie ein Verfahren zur Herstellung .dieses elektrophotographischen Materials.

Als elektrophotographische, lichtempfindliche Materialien werden im allgemeinen lichtempfindliche Materialien, enthaltend ein elektrisch leitendes Substrat, wie z.B. Aluminium, Eisen, deren Legierungen oder dergleichen, und eine darauf aufgebrachte anorganische-, photöleitfähige Schicht aus amorphem Selen, einer Se-Te-Legierung, aus mit Indium lichtempfindlich gemachtem amorphem Selen oder Se-Te-Legierung, oder einer organisch.31 photoleitfähigenSchicht, verwendet. Gewöhnlich wird diese Art von lichtempfindlichem Material für ein Abbildungsverfahren verwendet, bei dem die ' Oberfläche eines lichtempfindlichen Materials geladen, einer Bildbelichtung ausgesetzt, nach dem Karison-Verfahren an seiner Oberfläche entwickelt, sowie gegebenenfalls das beim Entwickeln erhaltene Tonerbild auf Papier oder dergleichen übertragen wird.

Bei einem solchen Verfahren wird der photoleitfähige

Film bei der Übertragung des entwickelten Tonerbildes auf Papier oder dergleichen, oder bei der Entfernung des auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Katerials verbleibenden Toners mittels einer Bürste oder derpleirhen mechanisch beschädigt. Wegen der niedrigen Ilürte des den photoleitfähigen Film bildenden Selens entstehen jedoch bei jeder Wiederholung der obigen Verfahrensschritte Abriebspuren. Als Folge davon tritt an den durch Abnutzung beeinträchtigten Stellen eine Kristallisierung des Selens auf, welche den Aufladungsvorgang erschwert, so daß es unmöglich wird, die für die Elektrophotographie notwendige Potentialdifferenz zu erhalten, und der Abzug unscharf wird.

In JP-OS 87.155/80 .wird ein lichtempfindliches, mit einer photoleitfähigen Schicht aus amorphem Silizium versehenes Material zur Verbesserung der Abriebfestigkeit des photoleitfähigen Materials, wie z.B.

CdS, ZnO, Cd-Te oder dergleichen, vorgeschlagen. In der US-PS 4,225,222 wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Wasserstoff enthaltenden Siliziumschicht auf eine Trommeloberfläche erwähnt. Alle diese bekannten Methoden basieren auf der Verwendung von amorphem Silizium als

²^ photoleitfähige Schicht. Amorphes Silizium ist jedoch nur schwach filmbildend, so daß zur Bildung von photoleitfähigem, amorphem Silizium durch das Verfahren der chemischen Zersetzung, kombiniert mit Ablagerung, oder ein Zerstäubungsverfahren ungefähr 1 Tag benötigt wird.

Überdies weist amorphes Silizium eine geringe Empfindlichkeit gegenüber Strahlen mit langen Wellenlängen, wie z.B. Halbleiter-Laser-Strahlen auf, während es eine hohe Empfindlichkeit gegenüber He-Ne-Gas-Laser oder He-Ce-Laser-Strahlen, die beide kurze Wellenlängen be-

;-5 sitzen, hat.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines elektrophotographischen, lichtempfindlichen Materials mit einer erhöhten Abriebfestigkeit der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials ohne Abänderung der Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht, welches bei wiederholter Verwendung im elektrophotographischen Druck eine höhere Lebensdauer aufweist und eine Steigerung der
Anzahl der druckfähigen Platten ermöglicht.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine dünne
Schicht aus amorphem Silizium gelöst, welche i^m
wesentlichen das Licht nicht zu absorbieren vermag,
das auf die anorganische oder organische - oder eine Kombination davon - photoleitfähige Schicht eines

elektropho.tographischen, lichtempfindlichen Materials aufgebracht wird, das aus einem elektrisch leitenden Substrat besteht, auf dem sich die photoleitfähige
Schicht befindet.

Es hat sich gezeigt, daß die Empfindlichkeitsabnahme des lichtempfindlichen Materials verhindert und eine hohe Abriebfestigkeit erhalten werden kann, wenn die sehr dünne Schicht aus amorphem Silizium keine Lichtabsorptionsfähigkeit aufweist und nicht als photoleitfähiges Material wirkt.

Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Materials im Schnitt

Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Materials im Schnitt

Fig. 3 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Dicke des aus amorphem Silizium bestehenden Films und seiner Oberflächenhärte

Fig. 4 in einem Diagramm die Beziehung zwischen der Dicke des Films aus amorphem Silizium und der Halbwertbelichtung

Fig. 5 in einem Diagramm die Beziehung zwischen dem Te-Anteil in der Se-Te-Legierung und

der Halbwertbelichtung

Fig. 6 in einem Diagramm den Zusammenhang zwischen dem Te-Anteil in der Lichtempfindlichkeit verleihenden Se-Te-Schicht und der spektrometrischen Lichtempfindlichkeit, und

Fig. 7 in einem Diagramm die Beziehung zwischen dem In-Anteil in der Lichtempfindlichkeit verleihenden Se-Te-Schicht und der spektrometrischen Lichtempfindlichkeit.

Das in Fig. 1 gezeigte lichtempfindliche Material hat ein elektrisch leitendes Substrat 1, eine Schicht 2 aus Arsentriselenid, eine Schicht 3 aus amorphem Selen, und eine Schicht 4 aus amorphem Silizium.

Das elektrisch leitende Substrat 1 ist eine Platte aus einem Metall, wie Aluminium, Kupfer, Blei, Eisen oder dergleichen, eine Platte aus Metalloxid, wie etwa SnO_?> In₀O. CrO , CuI und dergleichen, oder ein Kunststofffilm, dessen Oberfläche mit durch Dampfabscheidung oder Zerstäubung aufgebrachtem Metall oder Metalloxid beschichtet ist.

Die Arsentriselenidschicht 2 ist eine Sperrschicht. Die Schicht 3 aus amorphem Selen ist eine photoleitfähige Schicht.

Das in Fig. 2 gezeigte lichtempfindliche Material weist die Schichten 1 bis 4 wie Fig. 1 auf, zusätzlich ist eine Se-Te-Legierungsschicht 5 auf die Schicht 3 aus amorphem Selen aufgebracht. Da die photöleitfähige Schicht 3 aus amorphem Selen keinen lichtempfindlichen Bereich auf der Seite der langen Wellenlängen hat, kann

Il « i * · A

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diese Schicht durch Aufbringen einer Se-Te-Legierungsschicht auf die Schicht aus amorphem Selen lichtempfindlich gemacht werden.. Bei dieser Art von lichtempfindlichem Material ist es gleichfalls möglich, eine Schicht aus amorphem Silizium vorzusehen. Die anorganische, photoleitfähige Schicht enthält außerdem noch eine mit Cadmium dotierte Selenschicht zur Sensibilisierung.

Die dünne, als Oberflächenschutz dienende Schicht aus amorphem Silizium kann nach einem bekannten Verfahren, wie z.B. durch Dampfabscheidung, Glimmentladung, Zerstäubung usw. ausgebildet werden, während das lichtempfindliche, auf Selen basierende Material und das Substrat auf einer die Normaltemperatur nicht übersteigenden Temperatur gehalten werden. Das Aufbringen einer Sperrschicht, z.B. einer Schicht aus Arsentriselenid, richtet sich nach den vom lichtempfindlichen Material geforderten Eigenschaften, d.h., es muß nicht immer erforderlich sein.

Die Erfindung wird anhand eines Versuchsbeispiels weiter erläutert.

Als Material zur Dampfabscheidung wurden Selen und Arsentriselenid mit jeweils einem Reinheitsgrad von 99,99% oder mehr verwendet. Als Material für die Bildung des Films aus amorphem Silizium verwendete man Monosilan (SiHi). Die Dampfabscheidung von Arsentriselenid und amorphem Selen erfolgte unter Anwendung einer mit einer Basisplattenrotationseinrichtung und einer Heiz- und Kühleinrichtung versehenen Mandrelschen Vakuumabscheidevorrichtung. So wurde bei einem Druck von 6,7 x 1Cf*³ Pa ein das
des Schiffchen auf die

6,7 x 10 Pa ein das oben erwähnte Material enthalten-

vorgegebene Temperatur erhitzt , d.h. auf 500-600 °C bei Arsentriselenid und auf 260 ⁰C bei amorphem Selen , und das Material auf der rotierenden Basisplatte abgeschieden. Die Rotationsgeschwindigkeit der Basisplatte betrug 10-30 Umdrehungen/Minute. Die Basisplatte wurde bei der Dampf abscheidung auf 60-70 ⁰C erhitzt.

Nach der Dampfabscheidung wurde zur raschen Abkühlung der Basisplatte kaltes Wasser mit einer Temperatur von -20 C aufgegossen. Nachdem festgestellt worden war, daß die Basisplatte eine Temperatur von 30 ⁰C erreicht hatte, wurde Monosilangas (SiH₄) eingeleitet und ein Film aus amorphem Silizium durch Glimmentladung gebildet, so daß man einen Photoleiter mit der in Fig. 1 aufgezeigten Struktur erhielt. Die Dicke des Arsentriselenids wurde auf 0,1 - 1,0 yum oder weniger eingestellt, und über dem Arsentriselenid wurde eine 58 60 pm dicke Schicht aus amorphem Selen abgeschieden. Daraufhin wurde nach dem Glimmentladungsverfahren amor-Phes Silizium mit den in nachfolgender Tabelle aufgezeigten Filmdicken abgeschieden.

Tabelle

Probe Nr.	Dicke des Films aus amorphem Sili zium in /am
1 2 3 4 5	0,005 0,01 0,05 0,08 0,1

Die Oberflächeneindruckhärte der in der Tabelle aufgezeigten lichtempfindlichen Materialien wurde, mittels Bleistifthärtetest gemessen, der gewöhnlich zur Messung der Härte von elektrophotographischen, photoleitfähigen

ORIGINAL INSPECTED

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Filmen angewendet wird. Die Messung erfolgte, inncm ein Bleistift mit abgestumpfter Kine (wobei die Kiner·- härte variierte) unter einem Winkel von 60 unter Druckanwendung über die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials (Oberfläche des Films aus amorphem Silizium) bewegt wurde, und die Minenhärte, welche erforderlich war, um einen konkaven Eindruck auf der Filmoberfläche zu hinterlassen, festgestellt wurde. Die so festgestellte Härte wurde als Eindruckshärte angenommen. Die Meßergebnisse sind in Fig. 3 zusammengefaßt.

Wie aus Fig. 3 ersichtlich, ist die Eindruckhärte des lichtempfindlichen Materials mit dem gemäß Tabelle 0,005 Aom . dicken Film aus amorphem Silizium nicht wesentlich höher als die des bisher bekannten Films aus amorphem Selen, der keinen Film aus amorphem Silizium aufweist. Die gemäß der Tabelle eine Dicke von 0,01 /im oder mehr aufweisenden Filme aus amorphem Silizium haben eine zwei- oder dreimal so große Härte wie die bisher bekannten Produkte.

Andererseits ist zum Erhalt eines scharfen Abdruckbildes eine Halbwertabklingbelichtung (half decay exposure) einer photoleitfähigen Schicht (eines der

2 elektrophotographischen Merkmale) von 3,0 mJ/m oder weniger erforderlich. In Fig. 4, welche den Zusammenhang zwischen der Dicke des Films aus amorphem Silizium und der Halbwertabklingbelichtung aufzeigt, beträgt die Halbwertabklingbelichtung der photoleitfähigen

2 Schicht bei einer Wellenlänge von 430 mn 3,20 mJ/m , wenn die Dicke des amorphen Siliziums 0,1yum beträgt, wobei die Halbwertabklingbelichtung mit zunehmender Filmdicke auch zunimmt. Es wurde ferner herausgefunden, daß man bei einer Dicke des Films aus amorphem Silizium von 0,08/im eine Halbwertabklingbelichtung von 3,0 mJ/m erhält. Demzufolge liegt der optimale Bereich für die Dicke des Films aus amorphem Silizium zwischen 0,01 und 0,08/um.

Außerdem wurde unter Verwendung der Trommeln r.acl· de:"¹ Frohen 1 bis 5 ein Druckwiderstandstest durchgeführt. Als Vergleichsbeispiel verwendete man ein lichtempfindliches Material mit einer Schicht aus amorphem Selen und einer auf einer elektrisch leitenden Cubstratplatte (Probe Nr. A) aufgebrachten Schicht aus einer Selen-Tellur-Antimon-Legierung. Das Ergebnis des Druckwiderstandstests war, daß auf der Oberfläche der Trommel gemäß Probe Nr. A und Probe Nr. 1 Abnutzungserscheinungen durch das Papier auftraten, nachdem ungefähr 200 000 Blatt Papier bedruckt worden waren, und die Trommel daraufhin unbrauchbar wurde. Bei den Proben 2 bis 4 konnten 1 000 000 Blatt mit einer guten Abdruck qualität bedruckt werden.

-

Die oben erwähnten Testergebnisse beziehen sich auf das in Fig . 1 gezeigte lichtempfindliche Material. Die gleichen Ergebnisse erhält man auch mit dem in Fig. 2 dargestellten lichtempfindlichen Material.

Die erfindungsgemäße Schicht aus amorphem Silizium dient im wesentlichen zum Schütze der'Abriebfestigkeit der photoleitfähigen Schicht und hat gleichzeitig so eine geringe Dicke, daß sie Licht nicht zu absorbieren vermag und deshalb keine wesentliche Veränderung der lichtempfindlichen Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht bewirkt.

Wie oben ausgeführt, kann erfindungsgemäß der Abriebwiderstand der Oberfläche des lichtempfindlichen Materials ohne Beeinträchtigung der elektrophotographischen Eigenschaften verbessert werden, was eine längere Lebensdauer des lichtempfindlichen Materials und eine Erhöhung der Zahl der bedruckbaren Blätter zur Folge hat.

ORIGINAL INSPECTED

Bei einem weiteren Beispiel unter Verwendung des Materials von Fig. 1 wurde auf ein elektrisch leitendes Substrat 1 eine In enthaltende, lichtempfindlich gemachte Schicht 3 aus Se-Te, eine trägertransportierende Schicht 2 aus Se, und eine Schicht 4 aus amorphem Silizium aufgebracht.

In diesem Falle liegt der Anteil des Te in der lichtempfindlich gemachten Se-Te-Schicht vorzugsweise bei ungefähr 15 Gew.-%, bezogen auf das Dunkelheitsabklingverhältnis (dark decay ratio = DDR). Der bevorzugte Gehalt an Te kann aus dem Verhältnis zwischen dem Te-Anteil in der Se-Te-Legierung und dem Dunkelheitsabklingverhältnis, wie in Fig 5 gezeigt, ermittelt werden.

Die Kurve in Fig. 5 erhielt man folgendermaßen:

Selen wurde in einer Dicke von 40 μτα auf eine Basisplatte aus Aluminium bei einer Basisplattentemperatur von 62 C bei einem Vakuum von 1,3 x 10 Pa mit einer Abseheidungsgeschwindigkeit von 1 yum/Minute, und anschließend eine Se-Te-Legierung in einer Dicke von 0,5 yum bei einer Abscheidungsgeschwindigkeit von 0,1 ium/Minute abgeschieden, wobei der Anteil des Te in der Se-Te-Legierung in einem Bereich von bis zu 3O?6 variierte. Unter Verwendung eines Papieranalysators wurde eine Koronaspannung von 5,5 KV an das so erhaltene lichtempfindliche Material angelegt, um eine Oberflächenausgangsspannung von 600 V zu erhalten. Nachdem die Materialien 5 Sekunden unter den erwähnten Bedingungen in der Dunkelheit stehengelassen worden waren, wurde der Spannungsabfall gemessen. Das Dunkelheitsabklingverhältnis (DDR) wurde durch den Spannungsquotienten nach 5 Sekunden mit 600 V ausgedrückt.

Um jedoch ein scharfes Abdruckbild zu erhalten, muß das Dunkelheitsabklingverhältnis gewöhnlich folgende Bedingung erfüllen: DDR^ £. 0,8. In Fig. 5 ist die Veränderung

/ΑΙ des Dunkelheitsabklingverhältnisses DDR₅ relativ gering.

Das Dunkelheitsabklingverhältnis selbst ist größer als 0,6, so lange der Anteil an Te in der Se-Te-Legierung im Bereich zwischen 0 bis 15X> liegt. "Wenn allerdings der Gehalt an Te in der Se-Te-Legierung zu gering ist, sinkt die Lichtempfindlichkeit. Demnach liegt der bevorzugte Te-Gehalt bei ungefähr 15 Gew.-%.

Wenn man die Lichtempfindlichkeit G als Kehrwert der für die Herabsetzung der Oberflächenspannung auf die Hälfte des Ausgangswertes durch Belichtung erforderlichen Ener-•gie definiert, erhält man ein Verhältnis zwischen der Lichtempfindlichkeit G des obigen lichtempfindlichen Materials und seinem Te-Gehalt, wie in Fig . 6 dargestellt. Das bedeutet, daß bei 632,8 nm die Lichtempfindlichkeit einer Legierung mit 15% Te ein Viertel von der einer Legierung mit 23?-o Te beträgt. Zur Erhöhung der Lichtempfindlichkeit des Se-15/ό Te-Systems bei 632,8 nm muß die Bandlücke (E ) im Hinblick auf die Materialeigenschaften verringert werden; der erforderliche E -Wert beträgt 1,0 bis 1,5 eV. Ein in diesen Bereich fallender E -Wert kann durch Addieren eines Elements mit einem kleineren E -Wert erreicht werden. Die Abhän-

g
gigkeit von E von dem spezifischen Widerstand tp einer Legierung ergibt sich aus folgender Gleichung (1):

¹P=F₀^p <-au?-) (¹>

worin R die Boltzmannkonstante und τ die absolute Temperatur sind, während ρ bei einer Absoluttemperatur von 0 ⁰K durch Extrapolation ρ wird.

Das bedeutet, es existiert eine Untergrenze des spezifisehen Widerstandes in der Elektrophotographie, bei der die Oberfläche des lichtempfindlichen Materials statisch

ORIGINAL INSPECTED

geladen werden muß, damit es lichtempfindlich wird,

10 12 wozu ein spezifischer Widerstand von 10 bis 10

-O- *cm oder größer notwendig ist. Venn der E -Wert zwischen 1,0 und 1,5 eV liegt, beträgt der Wert der Te-Se-Legierung ungefähr 10 ΓΙ-cm und fällt unter die Untergrenze des erforderlichen spezifischen Widerstandes. Demnach steht eine Verringerung von E im Widerspruch zu einer Erhöhung von p. Deshalb wird erfindungsgemäß der sensibilisierenden Se-Te-Schicht indium, welches mit Te eine Abscheidungsiegierung zu bilden vermag, zugegeben. Das heißt, daß Indium mit einem E -Wert von 1,0 bis 1,5 eV in der Grundmasse eines Se-Te-Systems mit hohem spezifischen Widerstand, insbesondere eines Systems, das ungefähr 15% Te enthält, dispergiert wird, um einen hohen spezifischen Widerstand aufrechtzuerhalten, ohne dabei die Lichtempfindlichkeit des gesamten lichtempfindlich machenden Se-Te-Systems zu verringern.

Der Anteil des der lichtempfindlich machenden Se-Te-Schicht 3 beigegebenen Indiums wird unter Berücksichtigung des lichtempfindlich machenden Effekts und der Lichtempfindlichkeitseigenschaften gewählt und liegt vorzugsweise in dem nachstehenden Bereich.

Fig. 7 zeigt die Veränderung der spektrometrischen Lichtempfindlichkeit in Abhängigkeit von der der lichtempfindlich machenden, 15% Te enthaltenden Se-Te-Schicht zugegebenen Menge an Indium, wobei sich die Kurven A, B, C,. D und E entsprechend auf 0, 0,05, 0,1, 2 und 5 Gew.-5ό beigegebenem Indium beziehen.

Gemäß Fig. 7 entspricht die spektrometrische Lichtempfindlichkeit in der lichtempfindlich machenden, 0,05 Gew.-% Indium enthaltenden Schicht B ungefähr der lichtempfindlich machenden Schicht A, was bedeutet, daß keine Erhöhung des lichtempfindlich machenden Effekts festzustellen ist. Wenn der Gehalt an zugegebenem

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Indium auf 0,1 und auf 2,0 Gev.-% erhöht wird, erhöht sich auch der lichtempfindlich machende Effekt. Bei Erreichen eines Indiumgehalts von 5,0 Gew.-% nimmt dagegen die spektrometrische Lichtempfindlichkeit ab. Man hat ein lichtempfindliches Material mit einer 6 Gew.-% Indium enthaltenden, lichtempfindlich machenden Se-Te-Schicht hergestellt und eine Koronaspannung von 5,5 KV angelegt. Man stellte ein ungefähres Ladungspotential von 200 V fest. Das Produkt war für die Verwendung als lichtempfindliches Material ungeeignet. Die optimalste Menge des der lichtempfindlich machenden Se-Te-Schicht zugegebenen Indiums liegt deshalb bei 0,1 bis 5,0 Gew.-%.

Die gleiche vorstehend erläuterte Wirkung kann auch dann erzielt werden, wenn die Schichtungsreihenfolge der lichtempfindlich machenden Se-Te-Schicht 3 und der trägertransportierenden Se-Schicht 2 umgestellt wird. Das für die trägertransportierende Schicht verwendete erwähnte Material kann neben Se auch ein organischer Photoleiter, beispielsweise ein Polyvinylcarbazol- oder Trinitrofluorenon-Photoleiter sein.

ORIGINAL INSPECTED

Claims

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1) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material, dadurch gekennzeichnet , daß es ein elektrisch leitendes Substrat, eine auf dieses elektrisch leitende Substrat aufgebrachte photoleitfähige Schicht, sowie eine im wesentlichen kontinuierliche Schicht aus amorphem Silizium, deren Dicke so gewählt ist, daß sie das verwendete Licht im wesentlichen nicht zu absorbieren vermag, enthält.

2) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht aus amorphem SiIizium eine Dicke von 0,01 bis 0,08 ^arn aufweist.

3) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die photoleitfähige Schicht eine anorganische, photoleitfähige, Se. enthaltende Schicht ist.

A) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die anorganische, photoleitfähige Schicht ein Se-Te-System darstellt.

01I) :·." c k :,' ' photc fr a phi p. oh es , lichteiiipi'indliches Katerial . ·. .'■: ο υ τ ■.:. ]. r c- k ο r. η ζ e i c h π e t , dai? er ein e] ek' ri:;ch leitendes Substrat, eine auf dieses Substrat aufgebrachte trägertransportierende, und eine Z- Gbenfa3.1f; auf dieses Substrat aufgebrachte trägererzeugende Schicht, sowie eine im wesentlichen kontinuierliche, als äußerste Schicht aufgebrachte Schicht aus amorphem Silizium, dessen Dicke so gewählt ist, daß sie im Falle ihrer Bestrahlung durch ein Lichtsignal das Licht im wesentlichen nicht zu absorbieren vermag, enthält.

6) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die trägertransportierende Schicht aus einem anorganischen, photoleitfähigen Katerial besteht.

7) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die trägererzeugende Schicht eine Schicht aus einer Se-Te-Legierung mit einer zudotierten, vorgeschriebenen Menge an Indium ist.

8) Elektrophotographisches, lichtempfindliches Material nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht aus amorphem Silizium eine Dicke von 0,01 bis 0,08 yum aufweist.

BAD ORIGINAL