DE2444620C3 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2444620C3 DE2444620C3 DE19742444620 DE2444620A DE2444620C3 DE 2444620 C3 DE2444620 C3 DE 2444620C3 DE 19742444620 DE19742444620 DE 19742444620 DE 2444620 A DE2444620 A DE 2444620A DE 2444620 C3 DE2444620 C3 DE 2444620C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- recording material
- tellurium
- percent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 42
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 35
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 description 8
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 6
- 230000003334 potential Effects 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9H-carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M Potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 231100000489 sensitizer Toxicity 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000011068 load Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained Effects 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing Effects 0.000 description 2
- 231100000202 sensitizing Toxicity 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAXBNTIAOJWAOP-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LAXBNTIAOJWAOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-propenoic acid methyl ester Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYNHZTIMNJKVLK-UHFFFAOYSA-N 3-nitro-9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC([N+](=O)[O-])=CC=C3NC2=C1 ZYNHZTIMNJKVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K Aluminium iodide Chemical compound I[Al](I)I CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N Bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate dianion Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002301 Cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N Chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004035 Cryptotaenia japonica Nutrition 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N N-Vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001721 Polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015724 Trifolium pratense Nutrition 0.000 description 1
- 240000002913 Trifolium pratense Species 0.000 description 1
- -1 Vinyl compound Chemical class 0.000 description 1
- LNWBFIVSTXCJJG-UHFFFAOYSA-N [diisocyanato(phenyl)methyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N=C=O)(N=C=O)C1=CC=CC=C1 LNWBFIVSTXCJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive Effects 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004737 colorimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000013601 eggs Nutrition 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- HYJBTSSKSKRUBH-UHFFFAOYSA-N iodo selenohypoiodite Chemical compound I[Se]I HYJBTSSKSKRUBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Description
10. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht einen
Weichmacher enthält.
11. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht als Weichmacher chloriertes Diphenyl, ein Epoxydharz,
Diocktylphthalat oder Trikresylphosphat enthält.
55
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden
Schichtträger. t>o
Es ist bekannt, daß sich auf der Oberfläche
bestimmter photoleitender Isoliermaterialicn durch elektrostatische Mittel Bilder formen und entwickeln
lassen. Das grundsätzliche elektrophutographische Verfahren (US-Patentschrift 22 97 691) erfordert eine
photoleitcnde Isolierschicht gleichmäßig zu laden und sie dann bildmäßig zu belichten, wobei die Ladung in
den belichteten Flächenteilen verschwindet. Das latente elektrostatische Bild auf der Schicht entspricht dabei
genau dem Belichtungsbild, das dann mit einem
Tonerpulver sichtbar gemacht wird. Das Tonerpulver wird normalerweise von denjenigen Teilen der Schicht
angezogen, die ihre Ladung beibehalten haben, und
bnaeTso ;in dem latenten elektrostatischen Abbild
entsprechendes Pulverbild aus, das auf Papier oder eine andere Aufnahmefläche übertragen werden kana Das
Panier trägt dann das Pulverbild, da man danach durch Erwärmen und auf sonst geeignete Weise fixieren kann.
Das Verfahren, das sogenannte Carlson-Verfahren, .st
auch in den US-Patentschriften 23 57 809,28 91 011 und
30 79 342 beschrieben.
Beim elektrophotographischen Verfahren ist es
erwünscht, daß das elektrophotograph.sche Aufzeichnungsmaterial die aufgebrachte Ladung lange beibehalt,
daß die auf dem Aufzeichnungsmaterial festgehaltene Ladung sich schnell in einen elektrisch leitenden
Schichtträger ableiten läßt, wenn das Aufzeichnungsma terial mit sichtbarem Licht belichtet wird (d. h., daß es
eine hohe Empfindlichkeit für sichtbares Licht aufweist),
daß die Empfindlichkeit für einen breiten Wellenlangenbereich des Lichtes gilt (d. h., daß das Aufzeichnungsmaterial panchromatisch ist), und d?ß das Restpotential
(die Restladung) auf dem Aufzeichnungsmaterial nach schwacher Belichtung niedrig ist. Will man das
Aufzeichnungsmaterial außerdem in Rollen- oder
treboeener Form verwenden, muß es flexibel sein.
Es ist ferner bekannt. Polyvinylcarbazol auf einen elektrisch leitenden Schichtträger als Schicht mit einer
Trockendicke von etwa 0,5 bis 50 μπι aufzubringen und
das erhaltene Material claim als elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial einzusetzen. Es ist weiterhin bekannt, daß eine derartige Polyv.nylcarbazolschiebt aus sich heraus für Licht im nahen UV-Bereich
(etwa 300 bis ~ 30 ΐημηι) empfindlich ist, wobei dieser
Bereich sich in den Bereich sichtbaren Lichtes verlängern läßt, indem man der für die Bildung der
Pclyvinylcarbazolschicht verwendeten Lösung einen aktiven Zusatz wie Lewissäurc und/oder einen Sensibilisierungsfarbstoff zugibt (US-Patentschrift 30 37 861).
Die französische Patentschrift 72/36769 beschreibt ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmatena
aus (von unten nach oben) einem elektrisch leitender Schichtträger, einer photosensibilisierenden Schicht au:
einer glasigen Selen-Tellur-Legierung und einer organi
sehen Deckschicht aus Polyvinylcarbazol oder Deriva ten davon Dieses bekannte elektrophotographisch<
Aufzeichnungsmaterial ist vorteilhafterweise flexibel panchromatisch und hält Ladungen lange fest. Weiter
hin ist dieses bekannte Aufzeichnungsmaterial entwede für sichtbares Licht sehr emnfindlich oder hat eil
niedriges Restpotential. Das bekannte Aufzeichnungs material kann die letzten beiden Vorteile aber nich
gleichzeitig aufweisen. ,„,„,·
Aus der deutschen Offenlegungsschnft 19 32 105 is
ferner ein für elektrophotographische Zwecke geeigne tes Aufzeichnungsmaterial bekannt, das eine erst
Schicht aus erstem lichtempfindlichem Material m relativ geringem Dunkel widerstand, das eine Sc-Te-Li.
gierung oder CdS sein kann, eine zweite Schicht at: zweitem lichtempfindlichem Material, das ein selenre
dies Material sein kann sowie eine dritte Schicht ai
/weitem lichtempfindlichem Material, cmc auf de dritten Schicht befindliche isolierende Deckschicht un
einen elektrisch leitenden Schichtträger unter der erste Schicht enthält. Nachteilig an diesem Aufzeichnungsm;
terial ist, daß es nicht fi'r ein übliches elektrophotogn
phisches Verfahren geeignet ist (es ist ein spezieller Aufladungsprozeß zur positiven und negativen Aufladung erforderlich), nicht flexibel ist, weil es eine große
Dicke erfordert, und kostspielig ist, weil die erforderliche große Dicke des Aufzeichnungsmaterials eine große
Menge Se und/oder Te erforderlich macht und das Aufdampfen der dicken Se- und/oder Te-Schicht im
Vakuum viel Zeit erfordert
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 21 65 295 ist ferner ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial bekannt das von oben nach unten eine erste
Schicht aus oder mit organischem photoleitfähigem isolierendem Material, eine zweite Schicht aus oder mit
amorphem Selen, eine dritte Schicht aus oder mit einem Polyimid und eine vierte Schich* aus einem elektrisch
leitenden Schichtträger enthält Nachteilig an diesem Aufzeichnungsmaterial ist das relativ hohe Restpotential.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrophotcgraphisches Aufzeichnungsmaterial zur
Verfügung zu stellen, das die Vorteile der bekannten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien
hat, gleichzeitig aber eine hohe Empfindlichkeit für sichtbares Licht und ein niedriges Restpotential besitzt.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit
einem elektrisch leitenden Schichtträger vor, das gekennzeichnet ist durch die Kombination einer ersten,
0,05 - 2 μηι dicken Schicht aus 60-90 Gewichtsprozent
Selen und 40-10 Gewichtsprozent Tellur, einer darauf sich befindenden zweiten, 0,05-1 pm dicken Schicht
mit einer höheren Selenkonzentration als die erste Schicht und einer auf der zweiten Schicht sich
befindenden Deckschicht aus oder mit einem Polymerisat mit Vinylcarbazol-Einheiten.
Durch die Erfindung wird erreicht, daß ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial zur Verfügung steht, das für ein übliches elektrophotographischcs
Verfahren geeignet ist, relativ billig herstellbar ist, eine hohe Empfindlichkeit für sichtbares Licht hat, eine gute
Flexibilität besitzt und ein niedriges Restpotential hat und bei Verwendung nach dem üblichen Kopierverfahren
mehrere tausendmal wiederholt benutzt werden kann.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung, die einen schematisierten Querschnitt eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials der Erfindung
darstellt, ausführlicher beschrieben.
Wie in der Figur gezeigt ist, besteht das elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial der Erfindung von unten nach oben aus einem elektrisch leitenden
Schichtträger 1, einer dünnen photosensibilisierenden Schicht 2 aus glasigem Selen und Tellur mit einer Dicke
von vorzugsweise 0,1 bis 3 (im und einem organischen Material, das Polyvinylcarbazol oder e<n Derivat davon
enthält. Die photosensibilisierende Schicht 2 setzt sich zusammen aus einer ersten Schicht 4 aus glasiger
Selen-Tellurlegierung mit einer Dicke von 0,05 bis 2 μπι
und einer /weiten Schicht 5, die nur als glasigem Selen oder aus glasiger Selen-Tellur-Legierung mit einer
Sclenkonzentration besteht, die höher ist als die der ersten Lage, wobei die Dicke der /weiten Lage 0,<>5 his
I μΐη beträgt.
Die Platte wird durch Aufbringen der diinnen
photosensibilisierenden Schicht 2 auf den elektrisch leitenden Schichtträger 1 im Vakuum und Uhe.v.iehcn
der Schicht 2 mit einer Lösung eines organischen Materials aus oder mit Polyvinylcarbazol oder einem
Derivat davon und nachfolgendes Trocknen des Lösungsmittels der Lösung zur Bildung der Deckschicht
3 hergestellt.
Das Polyvinylcarbazol oder ein Derivat davon (im folgenden einfach als »Polyvinylcarbazol« bezeichnet)
ist ein Polymerisat des Vinylcarbazol und/oder eines Derivats davon oder ein Copolymerisat von N-Vinylcarbazol oder eines Derivats davon und einer weiteren
Vinylverbindung wie Vinylacetat oder Methylmethacrylat. Das hier erwähnte Derivat weist anstelle eines
Wasserstoffatoms im Carbazolring in der wiederkehrenden Einheit des Polymerisats einen Substituenten
wie ein Halogenatom oder einen Nitro-, Alkyl-, Aryl-, Alkylaryl-, Amino- oder Alkylaminorest auf, wie in der
folgenden Formel
-CH-CH,-
gezeigt ist, in der X ein Substituent ist. Die Anzahl und Lage der Substituenten im Carbazolring und der
Polymerisationsgrad des resultierenden Polymerisats sind durch das Herstellungsverfahren bestimmt und
nicht auf diejenigen beschränkt, die hier ausdrücklich angegeben sind.
Gemäß einer Ausgestaltung oer Erfindung besteht die erste Schicht aus 75 —85 Gewichtsprozent Selen und
25-15 Gewichtsprozent Tellur. Durch diese Ausgestaltung wird erreicht, daß elektrophotographische Eigenschaften
des Aufzeichnungsmaterial wie der Ladungsrückhalt verbessert sind und das Aufzeichnungsmaterial
leicht herstellbar ist.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung enthält die zweite Schicht mehr als 90 Gewichtsprozent
Selen. Die Selenkonzentration in der zweiten Schicht sollte höher und die Tellurkonzentration in der zweiten
Schicht sollte niedriger sein als in der ersten Schicht, um
die Wirkung des zweischichtigen Aufbaus (aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht) hinsichtlich des
Restpotentials des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials zu erhalten.
Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung besteht die zweite Schicht aus Selen allein.
Nach einer Ausgestaltung der Erfindung beträgt die Differenz der Selenkonzentration in Gewichtsprozent
zwischen der ersten und der zweiten Schicht mindestens 10. Beträgt die Sele.ikonzentration in der ersten Schicht
weniger als 90 Gewichtsprozent und die Tellurkonzentration in der ersten Schicht mehr als 10 Gewichtsprozent,
beträgt die Selenkonzentration in der zweiten Schicht vorzugsweise mehr als 90 Gewichtsprozent und
die Tellurkonzentration in der zweiten Schicht weniger als 10 Gewichtsprozent
Nach einer Ausgestaltung der Erfindung steigt die Selenkonzentration in der /weiten Schicht von cnem
Minimum an der Grenzschicht zur ersten Schicht allmählich auf ein Maximum an der Grenzschicht zur
Deckschicht an.
Die Deckschicht des elektropholograpliischcn AuI-zekhnungsniaterials
der Erfindung besteht vorzugsweise aus Polyvinylcarbazol oder bromiertem Polyvinylcarbazol.
Die Zugabe eines Sensibilisators zur Deckschicht 3 ist nicht erforderlich und sogar unerwünscht, da der
Sensibilisator sowohl den Ladungsrückhalt als auch die
Lichtabfallgeschwindigkeit etwas verschlechtert. Der Grund hierfür ist noch nicht vollständig klar. Es wird
jedoch angenommen, daß ein in der Deckschicht 3 dispergiertes Sensibilisatormolekül als Filter wirkt, das
das aktinische Licht, das die photosensibilisierende Schicht 2 aus glasigem Selen und Tellur durch die
Schicht 3 hindurch erreicht, abschwächt, und als Falle wirkt, die den beweglichen Träger in der Deckschicht 3
auffängt.
Um die Eigenschaften der Polyvinylcarbazolschicht 3 — wie z. B. Ladungsrückhalt, Durchschlagfestigkeit,
Flexibilität, mechanische Festigkeit und Abnutzungsfestigkeit — zu verbessern, kann man dem Polyvinylcarbazol
Zusätze wie Weichmacher und Bindemittel zugeben. Bekannte geeignete Bindemittel sind z. B. ein
Polyvinylcarbonat und Cyanäthylcellulose. Bekannte geeignete Weichmacher sind z. B. chloriertes Diphenyl,
ein Epoxyharz, Dioctylphthalat und Trikresylphosphat.
Wird die Deckschicht durch die oben aufgeführten Zusätze verbessert, läßt die wirksame Dicke der
Deckschicht sich auf weniger als etwa 40 μιτι reduzieren.
Für den praktischen Einsatz ist eine Dicke von 10 bis 25 μίτι vorzuziehen. Eine so zubereitete Deckschicht
verbessert den niedrigen Ladungsrückhalt der dünnen Selen-Tellur-Schicht 2 und führt zu einem normalen
Ladungsrückhalt. Indem man weiterhin die Deckschicht 3 auf der Schicht 2 anordnet, besteht praktisch keine
Notwendigkeit mehr, eine elektrische Sperrschicht zwischen dem elektrisch leitenden Schichtträger 1 und
der Schicht 2 anzuordnen, wie man sie vorzugsweise bei der xerographischen tellurdotierten Selenplatte einsetzt,
die die US-Patentschrift 29 62 376 beschreibt.
Als elektrisch leitender Schichtträger 1 läßt sich jeder geeignete und verfügbare leitende Schichtträger verwenden
— z. B. ein flexibles Material wie Papier oder ein Kunststoffbogen aus Polyester, Celluloseacetat usw.
mit einer dünnen Auflage aus z. B. Aluminium oder Kupferiodid. Der flexible Schichtträger kann in Bogen-
oder Bahnform vorliegen. Für Anwendungsfälle, in denen Flexibilität und Transparenz nicht erforderlich
sind, kann jeder steife und geeignete Schichtträger mit geeigneter Dicke und Form (Platte, Trommel usw.)
eingesetzt werden.
Die Schicht 2 aus Selen und Tellur wird wie folgt hergestellt. Zunächst stellt man die erste Schicht 4 der
Schicht 2 durch Aufdampfen der Selen-Tellur-Legierung auf den leitenden Schichtträger 1 im Vakuum (nach
dem sogenannten »Legierungsaufdampfverfahren«) oder durch gleichzeitiges, gemeinsames Aufdampfen
von Selen und Tellur aus verschiedenen Quellen her. Es ist auch möglich, die Methode des Aufdampfens durch
Entspannen anzuwenden. Die Selen- (oder Tellur-)Konzentration in der Schicht 4 ist im wesentlichen
gleichmäßig. Die zweite Schicht 5 auf der Schicht 4 stellt man her, indem man auf die Schicht 4 (1) eine
Selen-Tellur-Legierung mit einer höheren Selenkonzentration als bei der Schicht 4 oder (2) Selen allein auf die
gleiche Weise aufdampft, wie sie für die Herstellung der Schicht 4 angewandt wurde.
Alternativ kann man die Schicht 2 z. B. wie folgt herstellen. Der Schichtträger 1 wird zunächst für eine
geeignete Dauer im Vakuum mit einer Selen-Tellur-Legierung aus einer ersten Quelle bedampft. Bevor man
das Aufdampfen aus dieser Quelle unterbricht, wird (1) eine Selen-Tellur-Legierung mit einer höheren Selenkonzentration
als der der ersten Quelle oder (2) Selen alleine aus einer zweiten Quelle allmählich aufgeheizt.
Nachdem man die Wärmezufuhr und damit das Verdampfen an der ersten Quelle unterbrochen hat
wird die Wärmezufuhr (Verdampfung) der zweiter Quelle eine geeignete Zeitspanne lang weitergeführt
Nach diesem Verfahren erhält man einen zweischichtigen Aufbau (Schichten 4 und 5). In diesem Fall ist die aus
der ersten Quelle bis zum Anheizen der zweiten Quelle aufgedampfte erste Schicht die Schicht 4, die danach
aufgebrachte zweite Schicht die Schicht 5. Die derart hergestellte Schicht 4 hat eine im wesentlichen
ίο gleichmäßige Selen- (bzw. Tellur-)Konzentration, und in
der Schicht 5 nimmt die Selenkonzentration von einem Minimum an der Schnittfläche zur Schicht 4 allmählich
auf ein Maximum an der Schnittfläche zur Deckschicht hinzu.
In dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial der Erfindung hat die Schicht 2 vom Gesichtspunkt
der Flexibilität und leichten Herstellbarkeit her vorzugsweise eine Dicke von weniger als 3 μπι. Die für
das Aufdampfen erforderliche Zeit zur Herstellung des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials der
Erfindung beträgt weniger als eine Minute; in der Praxis sind uur wenige Sekunden erforderlich. Infolge der
geringen Dicke der Selen-Tellur-Legierungsschicht ist das Aufzeichnungsmaterial billig zu erstellen und hat
eine ausgezeichnete Flexibilität
Vom Gesichtspunkt der sensibilisierenden Funktion der Schicht 2 her beträgt die Dicke der ersten Schicht
vorzugsweise mehr als 0,05 μπι und insbesondere mehr
als 0,3 μιτι, und die zweite Schicht ist vorzugsweise
weniger als 1 μιη und insbesondere weniger als 0,3 μπι
dick. Um das Restpotential des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials niedrig zu halten, ist die
Dicke der zweiten Schicht vorzugsweise größer als 0,05 μίτι und insbesondere größer als 0,1 μηι.
Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial der Erfindung kann leicht ein negativ geladenes Bild mit
einem Flächenpotential von etwa 1000 V oder mehr bilden und lange enthalten. Es ist daher möglich, das
Aufzeichnungsmaterial nicht nur beim herkömmlichen xerographischen Verfahren zu verwenden, bei dem
aufgeladenes Pulver direkt auf die Platte aufgebracht wird, sondern auch für das sogenannte TESI-Verfahren,
bei dem das latente elektrostatische Ladungsbild auf ein dielektrisches beschichtetes Papier übertragen wird.
Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial der Erfindung hat unter der üblichen negativen
Koronaentladungsatmosphäre im Dunkeln ein zunehmendes Ladungspotential ähnlich einer gewöhnlichen
Xerographieplatte oder einem Electrofax-Papier.
Wie bereits angegeben ist, weist das elektrophotographische
Aufzeichnungsmaterial der Erfindung eine Deckschicht 3 aus oder mit einem Polymerisat mit
Vinylcarbazol-Einheiten mit einer Dicke von etwa 10 bis 40 μιη auf, die auf die photosensibilisierende Schicht 2
aufgebracht ist. Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial hat dadurch einen hohen Ladungsrückhalt
Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial der Erfindung erfordert keine elektrische Sperrschicht
wie z. B. eine dünne Schicht aus Poiypyromellit-
säureimid, Epoxyharz oder porösem Aluminiumoxid.
Weiterhin ist das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial der Erfindung über den Wellenlängenbereich
des sichtbaren Lichtes, d.h. 4000 bis 8000A
panchromatisch.
Eine Selen-Tellur-Legierung wurde in einem Vakuum von 5 χ 10-5Torr zu einer dünnen Selen-Tellur-
Schicht von 0,3 μηι Dicke auf einen elektrisch leitenden
Schichtträger aus einer 75 μπι dicken Polyesterfolie mit
einem 1 μηι dicken Aluminiumbelag aufgedampft. Die Tellurmengc in der Selen-Tellur-Schicht wurde in sechs
Probepaaren mit 10, 15, 20, 25, 30 und 40 Gewichtsprozent
variiert. Auf diese Weise wurden zwei gleiche Gruppen von je sechs Proben (mit jeweils 10. 15,20.25.
30 und 40 Gewichtsprozent Tellur) hergestellt. Auf eine Gruppe von sechs Proben wurde nur glasiges Selen
unter einem Vakuum von 5 χ 10~5 Torr mit einer Dicke
von 0,2 μίτι aufgedampft. Die fertigen elektrophotographischen
Aufzeichnungsmaterialien, die aus den sechs verschiedenen Proben hergestellt wurden, wurden als
Probe Nr. 1 (10 Gew.-% Te) bis Probe Nr. 6 (40 Gew.-%
Te) bezeichnet, die fertigen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien aus der anderen Gruppe von
sechs Proben entsprechend als Probe Nr. 7 (10 Gew.-% Te) bis Probe Nr. 12 (40 Gew.-% Te). Die Dicke und die
Zusammensetzung der Selen-Tellur-Schicht wurde nach den Verfahren der photoelektrischen Colorimetric
unter Einsatz von S.B'-Diaminobenzidintetrahydrochlorid
als Farbstoff für Selen und Kaliumjodid als Farbstoff für Tellur bestimmt.
Eine Lösung aus 100 g Poly-N-Vinylcarbazol, 30 g
Polycarbonat, 20 g Diphenylchlorid, 20 g Xyrenharz. 10 g Diphenylmethan^'-diisocyanat, 900 g Monochlorbenzol
und 300 g Dichloräthan wurde zubereitet und auf die zwölf Proben mit den entsprechenden Selen-
und Selen-Tellur-Legierungsschichten aufgebracht. Die Schichtdicke betrug bei allen Proben trocken 15 μιη.
Die fertigen Aufzeichnungsmaterialien Nr. 1 bis Nr. 12 wurden mit einem elektrophotographischen
Photodensitometer mit einem herkömmlichen dynamischen Abfallzeittester geprüft. Weiterhin wurden die
zwölf Aufzeichnungsmaterialien unter Benutzung eines clcktrophotographischen Gitterspektographen auf
spektrale Empfindlichkeit im sichtbaren Wellenlängenbereich untersucht.
Sämtliche Proben Nr. 1 bis 12 konnten mit -1000 V aufgeladen werden. Um die Lichtempfindlichkeit jeder
Probe zu prüfen, wurde der E5o-Wert jeder Probe
gemessen, wobei der E50-Wert diejenige Belichtung in
lux sec ist, die das Oberflächenpotential der Probe auf
die Hälfte des Oberflächenpotentials vor der Belichtung absenkt. Weiterhin wurde das Oberflächenpotential
jeder Probe nach einer Belichtung von 30 lux sec als
Restpotential der jeweiligen Probe aufgenommen.
Die Ε-,,,-Werte der Proben Nr. 1 bis Nr. 12 betrugen 6.
3.3. 2.1. 1.9. 1,7, 1.1. 6, 3,1, 2,0. 1,8,. 1,5 bzw. 0,9 lux sec.
Dieses Ergebnis zeigt, daß zwischen Proben mit dem gleichen Telluranteil in der Selen-Tellur-Schicht im
wesentlichen kein Unterschied zwischen den Eyi-Werten auftritt.
Die Restpotentiale der Proben Nr. 1 - 12 betrugen 7. 7.7. 10. 20. 25. 30, 40. 50, 60, 75 bzw. 100 V. Dieses
Ergebnis zeigt, daß zwischen den Proben mit dem gleichen Telluranteil in der Selen-Tellur-Schicht ein
erheblicher Unterschied des Restpotentials auftritt.
Es wurde weiterhin festgestellt, daß hinsichtlich des Wellenlängenbereichs, in dem die Proben empfindlich
waren, im wesentlichen kein Unterschied zwischen den Proben mit dem gleichen Telluranteil in der Se-Te-Schicht
auftrat. Zum Beispiel waren die Proben Nr. 3 und Nr. 9 beide innerhalb des Wellenlängenbereiches
von 4000 bis 8000 Ä empfindlich, d. h. sie hatten beide
die gleiche panchro'^.i-iche Empfindlichkeit.
AK die Proben dem üblichen Kopierverfahren mit Laden. Belichten. Übertrag und Entwickeln ausgesetzt
(Mi. wurde gefunden, daß die Proben Nr. I bis b mehrere tausendmal benutz! werden konnten und in der
Benut/ungshäufigkeit den Proben Nr. 7 bis 12 überlegen
waren.
Entsprechend der Probe Nr. 3 im Beispiel 1 wurden die Proben Nr. 13-16 hergestellt, die der Probe Nr. 3
ίο vollständig mit Ausnahme der Dicke der Selen-Tellur-Legierungsschicht
glichen, die hier 0,01 μηι, 0,05 μπι,
0,5 μιη bzw. 2 μιη betrug. Diese Proben wurden mit
— 1000 V geladen und ihr Eso-Wert gemessen. Für Probe
Nr. 13 war E5o-Wert = 8 lux sec, für Probe Nr. 14 war
is E50 = 2,5 lux sec, und bei den Proben 15 und 16 war Es1,
= 2 lux sec. Die Probe Nr. 13 war folglich erheblich weniger lichtempfindlich als die anderen.
Entsprechend der Probe Nr. 3 des Beispiels 1 wurden die Proben Nr. 17 bis 22 hergestellt, die der Probe Nr. 3
vollständig glichen mit der Ausnahme, daß anstelle der Selenschicht der Probe Nr. 3 eine Selen-Tellur-Schicht
von 0.2 μιη auf die zunächst auf den elektrisch leitenden
Schichtträger aufgebrachte 0,3 μΐη dicke Selen-Tellur-Legierungsschicht
aufgebracht wurde. Diese 0.2 μπι dicke Selen-Tellur-Schicht wurde nach der im Beispiel 1
beschriebenen Vakuumaufdampftechnik hergestellt.
Die 0.2 μιη dicke Selen-Tellur-Schicht der Proben
17-22 wies Tellurkonzentrationen vo;i 3, 7, 10, 15, 20
bzw. 30 Gewichtsprozent auf. Die Proben wurden mit
- 1000 V geladen und die E50-W erte und Restpotentiale
gemessen. Die Proben Nr. 17 bis 21 hatten ei.ien
^ E^n-Wert von 2 lux sec, die Probe Nr. 22 einen E5n-Wert
von 1.6 lux sec. Die Proben 17 bis 22 hatten Restpotenüaie von jeweils 8.10,13, 35, 50 bzw. 80 V. Die
Probe Nr. 22 war also hinsichtlich des Eso-Wertes etwas besser als die anderen Proben, aber hinsichtlich ihres
Rcstpotentials weit unterlegen. Die Probe Nr. 21 unterschied sich in ihrem Restpotential nicht von der
Probe 9. Die Probe Nr. 20 war hinsichtlich des Restpotentials etwas aber nicht viel besser als die
Proben 9 und 21. Andererseits waren die Proben 17 — 19 den Proben 21 oder 9 hinsichtlich des Restpotentials
erheblich überlegen. Die Ergebnisse zeigen weiterhin, daß der Tellur-(Selen-)Anteil in der Selen-Tellur-Schicht
von 0,2 μιη wünschenswerterweise geringer als 10 Gew.-°/o (mehr als 90 Gew.-%) beträgt.
Entsprechend der Herstellung der Probe Nr. 2 im Beispiel 1 wurden die Proben 23 — 28 hergestellt, die der
ss Probe 2 völlig entsprachen mit der Ausnahme, daß die
Selenschicht dieser Proben Nr. 23-28 eine Dicke von 0,01. 0,05. 0,1. 0.5. 1 bzw. 2 μΐη hatten. Es wurden der
Ε-,ο-Wert und das Restpotential dieser Proben gemessen. Die Proben Nr. 23-25 hatten ein E50 = 3 lux sec.
die Probe Nr. 26 ein E50 = 3.2 lux sec, die Probe Nr. 27
ein E-,u = 4 lux sec und die Probe Nr. 28 ein Ew = 8 lux
sec. Die Proben 23 - 25 hatten Restpotentiale von 45. 20 bzw. 10 v, die Proben Nr. 26-28 ein Restpotential von
7 V. Diese Ergebnisse zeigen, daß die Proben Nr. 23 — 27 gute Ew-Werte aufweisen, während der Eso-Wert der
Probe Nr. 28 schlecht war. Weiterhin hatten die Proben Nr. 24-28 annehmbare Restpotentiale, während die
Probe Nr. 23 ein hohes Restpotential aufwies.
7Π9 Bl 7 'TF,1
ίο
Eine Selen-Tellur-Legierung mi; 25Gew.-°/o wurde
im Vakuum von 5 χ 10 "'Torr aus einer ersten Quelle 5 see lang auf eine 1 mm dicke Aluminiumplatte
aufgedampft. Sodann wurde mit dem Aufdampfen von Selen aus einer zweiten Quelle in der gleichen Kammer
durch allmähliches Aufheizen der zweiten Quelle begonnen. 2 Sekunden nach dem Beginn des Aufdampfens
aus aus der zweiten Quelle wurde die Wärmezufuhr von der ersten Quelle abgenommen. 4 Sekunden nach
dem Beginn des Aufdampfens aus der zweiten Quelle war die erste Quelle ausreichend abgekühlt. 3 Sekunden
nach dem Beginn des Aufdampfens aus der zweiten Quelle wurde die Wärmezufuhr zur zweiten Quelle
abgenommen, und 5 Sekunden nach dem Beginn des Aufdampfens aus der zweiten Quelle hatte sich diese
ausreichend abgekühlt. Auf diese Weise entstand eine zweischichtige photosensibilisierende Schicht aus einer
ersten 0,5 μΐη dicken Schicht mit einer im wesentlichen
gleichmäßigen Selen-(Tellur-)Konzentration und einer zweiten 0,5 μίτι dicken und auf der ersten befindlichen
Schicht, in der die Selenkonzeniration von einem Minimum an der Schnittstelle zur ersten Schicht
allmählich auf ein Maximum an der gegenüberliegenden Oberfläche zunahm. Eine 15 μίτι dicke, dem des Beispiels
1 entsprechende organische Deckschicht wurde auf die derart hergestellte photosensibilisierende Schicht aufgebracht
und das so hergestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial als Probe Nr. 29 bezeichnet.
Auf die gleiche Weise wurde eine Probe Nr 30 hergestellt — mit der Ausnahme, daß bei der
Herstellung der Probe Nr. 30 für die zweite Quelle
anstatt nur Selen eine Selen-Tellur-Legierung (5 Gew.-1Vo Te) verwendet wurde. Die Proben Nr. 29 unci
30 wurden den im Beispiel 1 beschriebenen Messunger unterworfen. Die Proben Nr. 29 und 30 halter
E-,. ι -Werte von 1,9 bzw. 1,8 lux sec und Restpotcntialc
von 10 bzw. 12 V.
Es wurden vier Proben entsprechend der Probe Nr. 3 aber mit verschiedenen organischen Deckschichter
hergestellt. Für die organischen Deckschichten wurde eine Lösung ähnlich der des Beispiels 1 hergestellt
indem das Poly-N-vinylcarbazol durch gleiche Gewichte \on bromiertem Poly-N-vinylcarba?.ol (Probe Nr. 31)
jodiertem Poly-N-vinylcarbazol (Probe Nr. 32), PoIy-N-vinyl-3-aminocarbazol
(Probe Nr. 33) und Poly-N-vi λ I
3-nitrocarbazol (Probe Nr. 34) ersetzte und die Lösung
auf die Selen-Tellur-Legierungsschicht aufbrachte. Getrocknet hatten alle vier Überzuge eine Dicke vor
20 μΐη. Das bromierte Poly-N-vinylcarbazol is: ausführ
lieh in den japanischen Patentschriften 42-19751/1967 42-21867/1967 und 42-25230/1967 beschrieben. Weiterhin
beschreibt die japanische Patentschrift 42-82462/ 1967 das jodierte Poly-N-vinylcarbazol. die japanische
Patentschrift 42-9639/1967 das Poly-N-vinyl-3-amino
carbazol und die japanische Patentschrift 41 -14508/196t
das Poly-N-vinyl-S-nitrocarbazol.
Die erhaltenen Proben Nr. 31 bis 34 hatten fast die gleiche panchromatische Empfindlichkeit wie die Probt
Nr. 3 im Beispiel 1, bei dem Poly-N-vinylcarbazo eingesetzt worden war. Die vier Proben konnten be
Jem Kopierverfahren' nach Beispiel 1 jeweils mehrere
tausendmal eingesetzt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden Schichtträger,
gekennzeichnet durch die Kombination einer ersten, 0,05 — 2 μπι dicken Schicht aus
60-90 Gewichtsprozent Selen und 40-10 Gewichtsprozent Tellur, einer darauf sich befindenden
zweiten, 0,05-1 μπι dicken Schicht mit einer ι ο
höheren Selenkonzentration als die der ersten Schicht und einer auf der zweiten Schicht sich
befindenden Deckschicht aus oder mit einem Polymerisat mit Vinylcarb&zol-Einheiten.
2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht aus
75-85 Gewichtsprozent Selen und 25-15 Gewichtsprozent Tellur besteht.
3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht
mehr als 90 Gewichtsprozent Selen enthält.
4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht aus
Selen besteht.
5. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der
Selenkonzentrationen in Gewichtsprozent zwischen der ersten und der zweiten Schicht mindestens 10
beträgt.
6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Seienkonzentration in der zweiten Schicht von einem Minimum an
der Grenzschicht zur ersten Schicht allmählich auf ein Maximum an der Grenzschicht zur Deckschicht
ansteigt.
7. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht aus
Polyvinylcarbazol oder bromiertem Polyvinylcarbazol besteht.
8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht ein
Bindemittel enthält.
9. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 8 dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht als
Bindemittel ein Polycarbonat oder Cyanäthylcellulose enthält.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10526973 | 1973-09-17 | ||
JP10526973A JPS537811B2 (de) | 1973-09-17 | 1973-09-17 | |
JP11820073A JPS5416414B2 (de) | 1973-10-19 | 1973-10-19 | |
JP11820073 | 1973-10-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2444620A1 DE2444620A1 (de) | 1975-03-20 |
DE2444620B2 DE2444620B2 (de) | 1976-09-02 |
DE2444620C3 true DE2444620C3 (de) | 1977-04-28 |
Family
ID=26445588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742444620 Granted DE2444620B2 (de) | 1973-09-17 | 1974-09-16 | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4001014A (de) |
CA (1) | CA1036860A (de) |
DE (1) | DE2444620B2 (de) |
GB (1) | GB1450344A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2621854A1 (de) * | 1975-07-01 | 1977-01-27 | Xerox Corp | Abbildungselement |
US4121981A (en) * | 1977-09-23 | 1978-10-24 | Xerox Corporation | Electrochemical method for forming a selenium-tellurium layer in a photoreceptor |
JPS5470838A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-07 | Canon Inc | Photosensitive element for zerography |
US4292385A (en) * | 1979-09-04 | 1981-09-29 | A. B. Dick Company | Bi-modal photoreceptor and method |
DE2938113C2 (de) * | 1979-09-20 | 1982-10-28 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
JPS60170859A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Canon Inc | 電子写真感光体およびその製造方法 |
US4983482A (en) * | 1989-04-03 | 1991-01-08 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with polyurethane hole transporting layers |
CN108457669B (zh) * | 2018-04-25 | 2024-04-12 | 南京大学 | 一种螺线形走向盾构隧道衬砌管片及其施工方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2803541A (en) * | 1953-05-29 | 1957-08-20 | Haloid Co | Xerographic plate |
US3041166A (en) * | 1958-02-12 | 1962-06-26 | Xerox Corp | Xerographic plate and method |
US3355289A (en) * | 1962-05-02 | 1967-11-28 | Xerox Corp | Cyclical xerographic process utilizing a selenium-tellurium xerographic plate |
US3350595A (en) * | 1965-11-15 | 1967-10-31 | Rca Corp | Low dark current photoconductive device |
JPS4827699B1 (de) * | 1968-06-27 | 1973-08-24 | ||
US3904408A (en) * | 1969-11-14 | 1975-09-09 | Canon Kk | Electrophotographic member with graded tellurium content |
US3725058A (en) * | 1969-12-30 | 1973-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dual layered photoreceptor employing selenium sensitizer |
US3881923A (en) * | 1970-06-15 | 1975-05-06 | Minolta Camera Kk | Electrophotographic sensitive plate |
JPS4930329B1 (de) * | 1970-09-19 | 1974-08-12 | ||
JPS5036983B1 (de) * | 1970-12-30 | 1975-11-28 | ||
US3787207A (en) * | 1971-12-16 | 1974-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic photosensitive plate having a polyimide intermediate layer |
US3861913A (en) * | 1972-03-31 | 1975-01-21 | Ibm | Electrophotographic charge generation layer |
-
1974
- 1974-09-12 US US05/505,497 patent/US4001014A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-09-16 DE DE19742444620 patent/DE2444620B2/de active Granted
- 1974-09-16 CA CA209,298A patent/CA1036860A/en not_active Expired
- 1974-09-17 GB GB4044174A patent/GB1450344A/en not_active Expired
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2929518C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3046240C2 (de) | ||
DE1622364C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2734990A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und aufzeichnungsverfahren | |
DE1908343A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2712556A1 (de) | Aufzeichnungsverfahren und -vorrichtung | |
DE3004339A1 (de) | Aufzeichnungsvorrichtung | |
DE2737516B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2444620C3 (de) | ||
DE2251312B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3022545A1 (de) | Elektrophotographisches element | |
DE2631629A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE3249395C2 (de) | ||
DE2654873A1 (de) | Mehrschichtige elektrophotographische platte | |
DE2551306A1 (de) | Lichtempfindliches elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE2444620B2 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE2041064A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE1943386B2 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE3338204C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2059540C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer photoleitfähigen Schicht | |
DE1797137A1 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3200961C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und dessen Verwendung | |
DE1572339A1 (de) | Elektrophoto-graphisches Material | |
DE19807760A1 (de) | Elektrofotografischer Fotoleiter | |
DE4232242A1 (de) | Elektrophotographischer photorezeptor |