DE2621854A1 - Abbildungselement - Google Patents

Abbildungselement

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DE2621854A1
DE2621854A1 DE19762621854 DE2621854A DE2621854A1 DE 2621854 A1 DE2621854 A1 DE 2621854A1 DE 19762621854 DE19762621854 DE 19762621854 DE 2621854 A DE2621854 A DE 2621854A DE 2621854 A1 DE2621854 A1 DE 2621854A1
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DE
Germany
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poly
layer
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selenium
tellurium
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DE19762621854
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Daniel O Roll
Philip O Sliva
Donald J Teney
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Xerox Corp
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Xerox Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0436Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers

Description

HOFFMANN & EITLE · PATENTANWÄLTE
D-8000 MÖNCHEN 81 · ARABELLASTRASSE 4 (STERNHAUS) ■ TELEFON (089) 9Π087 . TELEX 05-29619 (PATH E)
28 o23
XEROX CORPORATION, Rochester, N. Y. / USA
Abbildungselement
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf die Xerografie und insbesondere auf ein neuartiges Abbildungselement und dessen Verwendung.
Auf dem Gebiet der Xerografie ist die Verwendung glasartigen Selens gut bekannt, wie beispielsweise durch die US-PS 2 9 7o 9o6 veranschaulicht ist. Darüber hinaus ist auch die Zugabe von Tellur zu Selen für die xerografische Verwendung bekannt, beispielsweise aus der US-PS 2 745 327.
Die ebenfalls anhängige US-Patentanmeldung, Aktenzeichen 371 eingereicht am 2o. Juni 1973, beschreibt ein fotoempfindliches Element, das zumindest zwei elektrisch wirksame Schichten aufweist. Die erste Schicht umfasst eine leitfähige Schicht, die
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zur Fotoerzeugung und Injektion von durch Fotoanregung erzeugten Löchern (photo-excited holes) in eine angrenzende aktive Schicht fähig ist. Die aktive Schicht umfasst ein transparentes organisches Material, das in dem Spektralgebiet der gewünschten Verwendung im wesentlichen nicht absorbierend ist, welches jedoch dadurch "aktiv" ist, dass es die Injektion von durch Fotoanregung geschaffenen Löchern aus der fotoleitfähigen Schicht gestattet und den Transport dieser Löcher durch die aktive Schicht erlaubt. Diese Struktur kann in üblicher xerografischer Weise mit einem Bild versehen werden, was normalerweise Aufladung, Belichtung und Entwicklung umfasst. Die fotoleitfähige Schicht kann typische anorganische, fotoleitfähige Gläser unter Einschluss von amorphem Selen und Selenlegierungen, wie Selen-Tellur und Selen-Arsen, umfassen.
Es ist kürzlich gefunden worden, dass, wenn die Ladungserzeugungsschicht im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % des Atomgewichtes an Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen besteht, die Dicke der Schicht zum Erhalt ausgezeichneter elektrischer Eigenschaften kritisch ist. Die kritische Dicke der Erzeugungsschicht beträgt o,o5 bis o,5 Mikron. Wenn die Dicke der Erzeugungsschicht höher als der vorstehend angeführte kritische Bereich ist und die Erzeugungsschicht im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % des Atomgewichtes an Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen besteht, besitzt das Abbildungselement äusserst hohe und unerwünschte Dunkelentladungseigenschaften. Es ist jedoch gefunden worden, dass, wenn die Erzeugungsschicht der vorstehend angeführten Zusammensetzung innerhalb diese kritischen Dickenbereiches, d.h. von o,o5 bis o,5 Mikron liegt,dass ein Abbildungselement unter Ausnutzung dieser Schicht in Verbindung mit einer aktiven
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ORIGINAL INSPECTED
Transportschicht ausgezeichnete Dunkelentladungseigenschaften und Spektralreaktion aufweist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neuartige fotoempfindliche Vorrichtung zu schaffen, die für die zyklische Abbildung geeignet ist, wodurch die vorstehend angeführten Nachteile vermieden werden.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung wird in der Schaffung eines fotoempfindlichen Elementes gesehen, das eine wirksame Lochfotoerzeugung und den Transport von Löchern aufweist.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung liegt in der Bereitstellung einer neuartigen fotoempfindlichen, geschichteten Vorrichtung.
Der Erfindung liegt die weitere Aufgabe zugrunde, eine neuartige fotoempfindliche Vorrichtung zu schaffen, die fähig ist, überragende Dnnkelladungszurückhaltungseigenschaften, d.h. eine niedrige Dunkelladungszerfallsrate zu zeigen,und eine hohe Spektralreaktion aufrechterhält.
Diese und andere Aufgaben werden erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass ein Abbildungselement mit zumindest zwei wirksamen bzw. arbeitsfähigen Schichten geschaffen wird. Die erste Schicht umfasst eine Erzeügungsschicht, die die Fähigkeit der Erzeugung fotoerregter Löcher besitzt. Die Dicke der Erzeugungsschicht stellt eine kritische Dicke von o,o5 bis o,5 Mikron dar, wenn die Erzeugungsschicht im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % des Atomgewichtes an Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen besteht. Die erste Schicht ist zur Fotoerzeugung und Injektion fotoerregter Löcher in einen angrenzenden oder benachbarten aktiven überzug
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fähig.
Es wird darauf hingewiesen, dass die Schicht aus aktivem organischen Material nicht als Fotoleiter in dem Wellenlängenbereich der Verwendung arbeitet. Wie vorstehend angeführt worden ist, werden Loch-Elektronenpaare in der fotoleitfähigen Schicht fotoerzeugt, und die Löcher werden sodann in die aktive Schicht injiziert, wobei der Lochtransport durch die aktive Schicht erfolgt.
Eine typische Anwendungsweise der Erfindung umfasst eine geschichtete Konfiguration, in der eine Ausführungsform ein Trägersubstrat, wie einen Leiter, umfasst, der die Erzeugungsschicht hierauf enthält. Die Erzeugungsschicht weist die Fähigkeit der Erzeugung fotoerregter Löcher auf und besitzt eine Dicke bzw. Stärke von o,o5 bis o,5 Mikron. Die Erzeugungsschicht besteht im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % des Atomgewichtes an Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen. Eine polymere Transportschicht, d.h. eine Schicht aus aktivem organischen Material, die fähig ist, die Injektion und den Transport der fotoerregten Löcher zu unterstützen, ist über die Tellur-Selen-Erzeugungsschicht geschichtet. Im allgemeinen ist eine dünne Zwischenschicht zwischen der Erzeugungsschicht und dem Substrat "sandwichartig" eingeschlossen. Diese Schicht kann ein beliebiges geeignetes elektrisch isolierendes Material, wie ein Metalloxid oder organisches Harz, umfassen, um als elektrische Blockierungsschicht zu dienen, die die Trägerinjektion aus dem Substrat verhindert. Die Grenzflächenschicht kann auch dazu dienen, eine bessere mechanische Adhäsion zwischen der Erzeugungsschicht und dem Substrat zu schaffen. Diese Struktur kann sodann in herkömmlicher xerografischer Weise mit einem Bild versehen werden, was die Aufladung, optische Projektion, Belichtung und Entwicklung umfasst.
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Im allgemeinen ergeben sich die Vorteile der verbesserten Struktur und des Abbildungsverfahrens aus der folgenden Beschreibung der Erfindung, insbesondere in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen.
Fig. 1 zeigt eine Auftragung der Fotoempfindlichkeit gegenüber dem angewandten Feld für eine Erzeugungsschicht aus 1o % des Atomgewichtes an Tellur und 9o % des Atomgewichtes an Selen, die eine Dicke von o,1 Mikron besitzt und mit einer Schicht aus aktivem organischen Material, d.h. Polyvinylcarbazol in einer Dicke von etwa 12 Mikron überzogen ist.
Fig. 2 zeigt eine Auftragung der Spektralreaktion für amorphes Selen, trigonales Selen, eine Legierung aus 1o % des Atomgewichtes an Tellur und 9o % des Atomgewichtes an Selen und eine Legierung aus 25 % des Atomgewichtes an Tellur und 75 % des Atomgewichtes an Selen. Diese Legierungsschichten und die trigonale Selenschicht besitzen eine Dicke von o,1 Mikron. Die amorphe Selenschicht besitzt eine Dicke von etwa 1,o Mikron. Die polymeren Überzüge sind etwa 12 Mikron dick.
Fig. 3 gibt den Dunkelzerfall in Volt pro Mikron pro Sekunde einer Reihe von Fotorezeptoren als Funktion der Dicke der Erzeugungsschicht bei einem Feld von 1o Volt/Mikron wieder.
Fig. 4 zeigt, dass, wenn die Erzeugungsschicht äusserst dünn wird, der Fotorezeptor seine Reaktion verliert, d.h. wenn die Erzeugungsschicht äusserst dünn ist, verliert
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sie ihre Fähigkeit, Licht bei den längeren Wellenbereichen zu absorbieren, wodurch die Panchromatizität des Fotorezeptors verringert wird.
dV Fig. 1 gibt die xerografische Reaktion dt (normalisiert für die Fotorezeptordicke) für einen Erzeugungsschicht-Fotorezeptor aus 9o % Atomgewicht Selen/1 ο % Atomgewicht Tellur für drei verschiedene Intensitäten an. Die zwei tieferen Intensitätsreaktions-Feld-Kurven zeigen eine deutliche Veränderung der Neigung mit dem Feld. Das Ende dieser Kurven bei höherem Feld zeigt die Emissionsbegrenzung dieses Pigmentes, aus dem die Quantumswirksamkeit zu o,47 Computer-berechnet wird.
Fig. 2 gibt die xerografische Reaktion der Selen-Tellur-Legierungserzeugungsschichten aus 9o % Atomgewicht zu Io I Atomgewicht und 75 % Atomgewicht zu 25 % Atomgewicht Selen-Tellur-Legierung als Funktion der Anregungswellenlänge bei den Emissions-Grenz-Betriebsbedingungen ( z.B. ist das Feld etwa 5o Volt/Mikron) an und vergleicht diese Reaktion mit der von amorphem und trigonalem Selen bei den gleichen Feldern.
Fig. 3 gibt den Dunkelzerfall in Volt pro Mikron pro Sekunde einer Reihe von Fotorezeptoren als Funktion der Dicke der Erzeugungsschicht bei Feldern von 1o Volt/Mikron an. Da es im allgemeinen wünschenswert ist, den Dunkelzerfall auf 2 bis 3 Volt pro Mikron pro Sekunde beschränkt zu haben, würde dies eine obere Grenze der Dicke von etwa o,5 Mikron für eine 9o % des Atomgewichtes zu Io I des Atomgewichtes Selen-Tellur-Schicht bedeuten. Fig. 3 zeigt weiter, dass mit der Abnahme der Erzeugungsschichtdicke der Dunkelzerfall abnimmt.. Auch ist die Tatsache gezeigt, dass,sofern die Dicke der Erzeugungsschicht
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konstant bleibt und der Tellurgehalt zunimmt, bei einer Abnahme des Selengehaltes, der Dunkelzerfall zunimmt. Dies ist durch die X1S in Fig. 3 gezeigt. Diese Messangabm (X1s) geben den Durchschnitt von sechs Proben für jede Legierungskonzentration bei Feldern von 1o Volt / Mikron an. Daher ist für Selenlegierungen mit hohem Tellurgehalt, z.B. 75 % Atomgewicht Selen und 25 % Atomgewicht Tellur,die maximale Dicke des Elementes, d.h. der Erzeugungsschicht, zur Aufrechterhaltung des Dunkelzerfalls auf dem gewünschten Niveau, d.h. unter 2 bis 3 Volt pro Mikron, etwa o,5 Mikron. Dies bedeutet, dass die o,5 Mikron Dicke die kritische obere Grenze der Dicke für die Erzeugungsschicht gemäss der Erfindung darstellt.
Fig. 4 zeigt, dass an dem niedrigeren Ende der Erzeugungsschichtdicke der Reaktionsverlust zu ungenügender Lichtabsorption bei den längeren Wellenlängen die Panchromatizität des Fotorezeptors verringert. Die Panchromatizität bedeutet in diesem Fall, dass der Fotorezeptor gegenüber längeren Wellenlängen reagiert. Ein Beispiel dieser Wirkung ist in Fig. 4 gezeigt, wo die Reaktion -j j ^r j (Volt/Mikron/Sekunden), d.h. die Geschwindigkeit der Spannungsentladung pro Dickeneinheit, als eine Funktion der Anregungswellenlängen für drei Erzeugungsschichten von Selen/ Tellur-Legierung bei einer Konzentration von 75 % Atomgewicht Selen und 25 % Atomgewicht Tellur dargestellt ist. Diese Schichten waren 1,o Mikron, o,5 Mikron und o,o5 Mikron dick. Der Reaktionsverlust bei den längeren Wellenlängen ist offensichtlich. Daher tritt unterhalb o,o5 Mikron Dicke ein unannehmbarer Verlust an Wellenlängenreaktion auf, das bedeutet, dass o,o5 Mikron die kritische untere Grenze der Dicke für die Erzeugungsschicht gemäss der Erfindung darstellen. In der Formel -j |7r+r
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die die Geschwindigkeit der Entladung pro Dickeneinheit wiedergibt, bedeuten d = Dicke (Mikron) „ ~J = Volt und t = Zeit (Sekunden) .
ITschstehend //erden bevorzugte Ausführungsfcrmen der Erfindung beschrieben. ~"Jie hier angegeben worden ist, besitzt die Erzeugungsschicht ,die die Fähigkeit der Erzeugung fotoerregter Löcher besitzt, eine kritische Dicke von ofo5 bis of5 Mikron, wenn die Erz-sugungsschicht im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % Atomgewicht Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen besteht. Vorzugsi-zeise liegen Tellur und Selen in einer Konzentration von 1o bis 2o % Atomgewicht Tellur und 8o bis 9o % Atomgewicht Selen und insbesondere bevorzugt in einer Konzentration von etwa 15 % Atomgewicht Tellur und 35 % Atomgewicht Selen vor. Wie erwähnt worden ist, liegt die Dicke der Erzeugungsschicht innerhalb des kritischen Dickenbereiches von o,o5 bis o,5 Mikron. Vorzugsweise liegt dieser kritische Dickenbereich der Erzeugungsschicht bei einer Dicke von o,1 bis o,4 Mikron.
Die Schicht aus aktivem, organischen Transportmaterial stellt ein im wesentlichen nicht fotoleitfähiges Material dar, welche eine Injektionswirksamkeit der fotoerregten Löcher aus der Erzeugungsschicht von zumindest etwa 1o % bei Feldern von etwa 2 χ 1o Volt/cm trägt, bzw. unterstützt. Dieses Material ist weiter durch die Fähigkeit gekennzeichnet, den Träger bei zumindest 1o cm bei einem Feld von nicht mehr als etwa 1o ° Volt/cm zu transportieren. Darüber hinaus ist die Schicht aus aktivem, organischen Transportmaterial in dem Wellenlängenbereich, in dem die Vorrichtung verwendet werden soll, im wesentlichen transparent.
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Das aktive organische Transportmaterial, das in Verbindung mit der Erzeugungsschicht gemäss der Erfindung verwendet wird, stellt ein Material dar, welches ein Isolator bis zu dem Ausmass ist, dass eine elektrostatische Ladung, die auf dem aktiven organischen Transportmaterial aufgebracht ist, in Abwesenheit einer Beleuchtung in einem Ausmass nicht leitfähig ist, das ausreicht, um die Bildung und Zurückhaltung eines elektrostatischen, latenten Bildes hierauf zu verhindern.
Der Grund für das Erfordernis, dass die aktiven organischen Transportmaterialien transparent sein müssen, liegt in der Tatsache, dass unter allen praktischen Bedingungen, die Wirksamkeit der Fotoinjektion aus der Erzeugungsschicht in die aktiven organischen Transportmaterialien für sichtbare Strahlung, die durch die Erzeugungsschicht absorbiert wird, bei weitem die Eigenfotosensibilität des aktiven organischen Transportmaiterials in einem beliebigen Wellenbereichsgebiet - sichtbar oder in anderer Weise - übertrifft. Eine detaillierte Beschreibung dieser aktiven organischen Transportmaterialien ist in der US-Patentanmeldung Ser.Nr. 371 647,vom 2o.6.1973 (CI.P.-Anmeldung zu US-SN 94139, zu der die deutsche Patentanmeldung P 21 08 938.3-51 korrespondiert, worauf ausdrücklich Bezug genommen wird). Die offensichtliche Verbesserung des Verhaltens, die aus der Verwendung des Zweiphasensystems resultiert, kann am besten erkannt werden, wenn das aktive organische Transportmaterial gegenüber Strahlung in einem Bereich im wesentlichen transparent ist, in dem die Erzeugungsschicht verwendet werden soll, denn jegliche Absorption der gewünschten Strahlung durch das aktive organische Transportmaterial wird verhindern, dass diese Strahlung die Erzeugungsschicht erreicht, wo sie in viel wirksamerer Weise ausgenützt wird. Hieraus folgt daher, dass es vorteilhaft ist, aktive organische Transportmaterialien zu verwenden, die in dem
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Wellenbereich,in dem die Erzeugungsschicht ihre Hauptreaktion zeigt, und insbesondere in dem Wellenlängenbereich, in dem die Erzeugungsschicht verwendet werden soll, transparent sind.
Gemäss der Erfindung besteht keine Absicht, die Wahl der aktiven organischen Transportmaterialien auf diejenigen zu beschränken, die in dem gesamten sichtbaren Bereich transparent sind. Beispielsweise kann bei Verwendung mit einem transparenten Substrat die bildweise Belichtung durch das Substrat erreicht werden, ohne dass Licht durch die Schicht des aktiven organischen Transportmaterials hindurchtritt. In diesem Fall ist es nicht erforderlich, dass das aktive organische Transportmaterial in dem Wellenlängenbereich der Verwendung nicht absorbierend ist. Andere Anwendungen, bei denen eine vollständige Transparenz für die aktiven organischen Transportmaterialien in dem sichtbaren Bereich nicht erforderlich ist, umfassen die selektive Aufnahme von Strahlung mit engem Bandbereich (narrow-bandradiation) , v;ie sie aus Lasern, Spektralmusterkennlicht und möglicher funktionaler Farbxerografie, wie z.B. der sogenannten farbkodierten Formvervielfältigung, emittiert werden.
Das Abbildungselement kann ein Trägersubstrat enthalten. Das Substrat ist vorzugsweise aus einem beliebigen, geeigneten, leitfähigen Material hergestellt. Typische Leiter umfassen Aluminium, Stahl, Messing oder dergleichen. Die Substrate können starr oder flexibel sein und eine beliebige bequeme Dicke aufweisen. Typische Substrate umfassen flexible Bänder oder Manschetten, Blätter bzw. Folien, Gewebe, Platten, Zylinder und Trommeln. Das Substrat oder der Träger kann auch eine Verbundstruktur umfassen, wie beispielsweise einen dünnen leitfähigen Überzug, der auf einem Papierträger enthalten ist, einen
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Kunststoff, der mit einer dünnen leitfähigen Schicht, wie Aluminium oder Kupferjodid beschichtet ist, oder Glas, beschichtet mit einem dünnen, leitfähigen Überzug aus Chrom oder Zinnoxid.
Das organische Transportmaterial kann jedes beliebige transparente organische Polymer- oder Nichtpolymermaterial oder Gemische hiervon umfassen, die fähig sind, die Injektion fotoerregter Löcher aus der Erzeugungsschicht zu unterstützen bzw. zu tragen und den Transport dieser Löcher durch die Schicht des aktiven oganischen Transportmaterials zur selektiven Entladung einer Oberflächenladung gestatten. Es ist gefunden worden, dass Polymere, die diese Eigenschaften besitzen, wiederkehrende Einheiten eines polynuklearen aromatischen Kohlenwasserstoffes enthalten, der auch Heteroatome,wie beispielsweise Stickstoff, Sauerstoff oder Schwefel, enthalten kann. Typische Polymere umfassen Poly-N-vinylcarbazol (PVK), Poly-1-vinylpyren (PVP),Poly-9-vinylanthrazen, . Pblyacenaphthalin, Poly-9-(4-pentenyl)-carbazol, Poly-9-(5-hexyl)-carbazol, Polymethylenpyren, Poly-1-(x^pyrenyl)-butadien und N-substituierte polymere Acrylsäureamine von Pyren. Auch eingeschlossen sind Derivate solcher Polymeren, die alkyl-, nitro-, amino-, halogen- und hydroxy-substituierte Polymere umfassen. Typische Beispiele sind Poly-3-aminocarbazol, 1,3-Dibrom-poly-N-vinylcarbazol und 3,6-Dibrom-poly-N-vinylcarbazol und insbesondere Derivate der Formel
.2
VW
N
ζ
worin X und Y Substituenten darstellen und N eine ganze Zahl
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bedeutet. Auch umfasst sind strukturelle Isomeren dieser Polymeren. Typische Beispiele umfassen Poly-N-Vinylcarbazol, Poly-2-vinylcarbazol und Poly-3-vinylcarbazol. Auch eingeschlossen sind Copolymere; typische Beispiele sind N-Vinylcarbazol/ Methylacrylat-Copolymere und 1-Vinylpyren/Butadien ABA7 und AB-Blockpolymere. Typische nicht polymere Materialien umfassen Carbazol, N-Äthylcarbazol, N-Isopropylcarbazol, N-Phenylcarbazol, Pyren, Tetraphen, 1-Acetylpyren, N-Benzochrysen7 2,3-Benzochrysen, 6,7-Benzopyren, 1-Brompyren, 1-Äthylpyren, 1-Methylpyren, Perylen, 2-Phenylindol, Tetracen, Picen, 1,3,6,8-Tetraphenylpyren, Chrysen, Fluoren, Eluorenon, Phenanthren, Triphenylen, 1,2,5,6-Dibenzanthrazen, 1,2,3,4-Dibenzanthrazen, 2,3-Benzopyren, Anthrachinon, Dibenzothiophen, bis-(4-Diäthylamino-2-methylphenyl)phenylmethan, Naphthalin und 1-Phenylnaphthalin. Wegen der schlechten mechanischen Eigenschaften der nicht polymeren Materialien werden sie vorzugsweise in Verbindung mit entweder einem aktiven polymeren Material oder einem nicht aktiven Polymerbindemittel verwendet. Typische Beispiele umfassen geeignete Gemische aus Carbazol in Poly-N-Vinylcarbazol als aktivem Polymeren und Carbazol in einem nicht aktiven Bindemittel. Typische nicht aktive Bindematerialien umfassen Polycarbonate, Acrylatpolymere, Polyamide, Polyester, Polyurethane und Cellulosepolymere.
Die Schicht aus aktivem organischen Transportmaterial dient nicht nur zum Lochtransport, sondern schützt auch die Erzeugungsschicht vor einem Reibungs- oder chemischen Angriff, weshalb sie die Betriebs- bzw. Lebensdauer des Abbildungselementes verlängert.
Darüber hinaus können geeignete Gemische von aktiven Polymeren
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mit nicht aktiven Polymeren oder nicht polymeren Materialien angewandt werden. Eine Wirkung gewisser nicht aktiver Materialien besteht darin, dass sie als Weichmacher unter Verbesserung der mechanischen Eigenschaften der aktiven Polymerschicht wirken. Typische Weichmacher umfassen Epoxyharze, Polyesterharze, PoIycarbonatharze, Phenylnaphthalin und chloriertes Diphenyl.
Im allgemeinen sollte die Dicke der Schicht des aktiven organischen Transportmaterials etwa 5 bis 1oo Mikron betragen, wenngleich auch Dicken ausserhalb dieses Bereiches verwendet werden können.
Eine andere Modifizierung der Schichtkonfigurationen schliesst die Verwendung einer Blockierungsschicht an der Substrat-Erzeugungsschichtgrenzfläche ein. Die Blockierungsschicht wirkt zur Verhinderung der Injektion von Ladungsträgern aus dem Substrat in die Erzeugungsschicht. Jegliches geeignete Blockierungsmaterial kann Anwendung finden. Typische Materialien sind Polyamide oder Polyurethane oder können Aluminiumoxid einschliessen. Normalerweise ist der auf einem leitfähigen Aluminiumsubstrat befindliche Aluminiumoxidfilm eine geeignete Grenzschicht.
Wie vorstehend erwähnt wurde, liegt die kritische Dicke der Erzeugungsschicht, die im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % des Atomgewichtes an Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen besteht, im Bereich von o,o5 bis o,5 Mikron. Es ist bevorzugt, dass dieser kritische Dickenbereich etwa o,1 bis o,4 Mikron beträgt. Die Verwendung diese kritischen Dickenbereiches mit diesen spezifischen Erzeugungsschichtzusammensetzungen in dem vorstehend beschriebenen Abbildungselement verhindert die Entwicklung eines Grenzflächenladungsaufbaus an der Grenzfläche von aktivem organischen Transportmaterial/Erzeugungsschicht infolge der
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hohen, thermisch erzeugten inneren Dunkelströme in der Erzeugungsschicht. Die kritische Dicke führt zu überragenden Ladungszurückhaltungseigenschaften im Dunkeln, d.h. einer niedrigen Dunkelzerfallsrate in der vorstehend beschriebenen Erzeugungsschicht, während in dieser Schicht ausgezeichnete Absorptionseigenschaften aufrechterhalten werden.
Die Vorteile dieser bestimmten Erzeugungsschicht sind in Fig. wiedergegeben, wo die Spektralreaktion durch die Menge des zugefügten Tellurs, z.B. durch Erhöhung des Tellurgehaltes nimmt die Spektralreaktion zu, geändert werden kann. Wenn jedoch der Tellurgehalt über die vorstehend angeführte Grenze hinaus erhöht wird, dann werden die Ladungszurückhaltungseigenschaften im Dunkeln unannehmbar.
Das folgende Beispiel definiert die Erfindung in spezifischer Weise im Hinblick auf ein Verfahren der Herstellung eines Abbildungselementes, das eine Erzeugungsschicht mit einer kritischen Dicke von o,o5 bis o,5 Mikron enthält, die im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25% des Atomgewichtes Tellur und 75 bis 95 % des Atomgewichtes an Selen besteht, die mit einer Schicht aus aktivem organischen Transportmaterial überzogen ist. Die Prozentsätze sind in Gewichten bezeichnet, sofern dies nicht anders angegeben ist. Das Beispiel soll verschiedenartige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung veranschaulichen.
Beispiel I
Eine Platte, die 1o % an Atomgewicht Tellur und 9o % an Atomgewicht Selen enthielt, einer Dicke von o,1 Mikron wird auf
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einem Aluminiumsubstrat erzeugt und verarbeitet. Die Legierung wird mit einer 22 Mikron Schicht aus Polyvinylcarbazol (PVK) (Luvican M17o Poly-N-vinylcarbazol, vertrieben von der BASF) überzogen.
Der Fotorezeptor wird wie folgt hergestellt:
Die Legierung wird durch Herstellung einer Probe aus 1o % des Atomgewichtes an Tellur und 9o % des Atomgewichtes an Selen erzeugt. Das Te und Se werden vermischt und in eine Quarzarapulle einer Grosse für 2oo g zum Schmelzen eingebracht. Die Ampulle wird evakuiert, versiegelt und sodann in einen sich hin- und herbewegenden Ofen eingebracht. Die Temperatur im Ofen wird auf 5oo C erhöht und der Ofen auf einen schnellen Bewegungszyklus gebracht und während etwa 16 Stunden bewegt. Nach der Erhitzung und dem Bewegungszyklus wird die die Legierung enthaltende Ampulle in Eiswasser abgeschreckt. Die Legierung wird aus der Ampulle entfernt, gemahlen und gesiebt. Teilchen einer Grosse von o,59 bis o,149 mm (3o bis 1oo Mesh) werden für die Filmbildung verwendet. Es wird ein dünner Film durch Blitzverdampfung gebildet. Die Legierung wird in das Schnell-(Verdampf ungs-) Gefäss in einer Menge von 3 g/Mikron gebracht. Aluminiumsubstrate werden in einen Glassturz bzw. eine Tauchglocke gebracht und von der Quelle abgeschlossen. Die Glocke wird auf 5 χ Ιο" Torr evakuiert. Der Film wird bei einer Temperatur des Substrates von 25 C und der Quelle von 5oo°C erzeugt. Die Zuführung der Legierung wird begonnen und die Schleusen sind geöffnet. Ein Film der Legierung einer Dicke von etwa o,1 Mikron wird gebildet. Es wird eine 22 Mikron PVK-Schicht auf der Legierungsschicht durch Rakelmesser ausgeformt, die das PVK auf die Legierung beschichten. Diese Platte ist fähig, eine elektrostatische Ladung im Dunkeln aufrechtzuerhalten und die Ladung bei Belichtung mit aktivierender Strahlung zu verzehren.
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Claims (5)

  1. Patentansprüche
    ί1·) Abbildungselement mit einem leitfähigen Substrat, einer Schicht eines aktiven organischen Transportmaterials, das fähig ist, die Injektion fotoerregter Löcher zu tragen bzw. zu unterstützen, welche·"- über einer Erzeugungsschicht liegt, die die Fähigkeit der Erzeugung fotoerregter Löcher besitzt, dadurch gekennzeichnet , dass die Erzeugungsschicht im wesentlichen aus Tellur und Selen in einer Konzentration von etwa 5 bis 25 % Atomgewicht Tellur und 75 bis 95 % Atomgewicht Selen besteht und die Erzeugungsschicht eine Dicke von o,o5 bis o,5 Mikron aufweist.
  2. 2. Abbildungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass die Erzeugungsschicht etwa 1o bis 2o % des Atomgewichts an Tellur und 8o bis 9o % des Atomgewichts an Selen aufweist.
  3. 3. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , dass die Erzeugungsschicht 15 % des Atomgewichts Tellur und 85 % des Atomgewichts an Selen aufweist.
  4. 4. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1,2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , dass die Erzeugungsschicht eine Dicke von o,1 bis o,4 Mikron besitzt.
  5. 5. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , dass die Schicht aus aktivem organischen Transportmaterial zumindest ein Material umfasst, das unter Poly-N-Vinylcarbazol, Poly-1-vinylpyren,
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    Poly-9-vinylanthrazen, Polyacenaphthalin, Poly-9-(4-pentenyl)-carbazol, Poly-9-(5-hexyl)carbazol, Polymethylenpyren, Poly-1-(adpyrenyl)-butadien, N-substituierten polymeren Acrylsäueamiden von Pyren, Poly-3-aininocarbazol, 1 ,3-Dibrom-poly-N-vinylcarbazol, 3,6-Dibroin-poly-N-vinylcarbazol, Poly-2-vinylcarbazol, Poly-3-vinylcarbazol, N-Vinylcarbazol/Methylacrylat-Copolymeren, 1-Vinylpyren/Butadien ABA, und AB-Blockpolymeren, Carbazol, N-Äthylcarbazol, Isopropylcarbazol, N-Phenylcarbazol, Pyren, Tetraphen, 1-Acetylpyren, N-Benzochrysen, 2,3-Benzochrysen, 6,7-Benzopyren, 1-Brompyren, 1-Äthylpyren, 1-Methylpyren, Perylen, 2-Phenylindol, Tetracen, Picen, 1,3,6,8-Tetraphenylpyren, Chrysen, Pluoren, Fluorenon, Phenanthren, Triphenylen, 1,2,5,6-Dibenzanthrazen, 1,2,3,4-Dibenzanthrazen, 2,3-Benzopyren, Anthrachinon, Dibenzothiophen, NaphthAin und 1-Pheny!naphthalin ausgewählt ist.
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