DE2444620A1 - Elektrophotographische lichtempfindliche platte - Google Patents

Description

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Dia vorliegende Erfindung betrifft eins elsktraphotogrsphische lichtempfind·= liehe Platte und insbssondere eine verbesserte mehrschichtig slEktraphotographischs lichtsiipfindliche Plstte mit sinsr photassnsibilisisrendtsn Schicht aus glasiges« Selsn und Tellur sowie sinsr Ladungsn rückhaltgnden und Ladungen transportierenden Deckschicht aus organische Material®

Eg Ist bekannt, eIeB sich auf dir Oberfläche bsstiäiater r^ctolsitender Xsolierfiiaterislian durch elektrostatische Mittel Sil^ar formen und entwickeln lassen« Das grundsätzliche elsktrcphatographische Verfahren, wie as Carlson in der US-Patent8Chrift 2o29?_efi91 lehrt_s erfordert^-eine pbotoleitende Isolierschicht gleichmäßig zu laden und sie dann bildmäßig zu belichten, wnbei die Ladung in den belichteten FlMchsnteilen verschwindet«, Das latente elektrostatische Bild auf der Schicht entspricht dabei genau dssn Belichtungsbild. das dann haff gemacht wisdc, indem man auf der Bildechicht ein® fein zerteiltes Ent-

aterial ablagert₉ daa aus sinsm elektroskopischen Markiermaterial, das man Tonisr nennt _s hsstehto Dieses pulverförmige Entuiicklermaterial uiird narsalsESiEise zu dsnjsnigen Teilen der Schicht hin angezogen, die ihre Ladung beibehalten haben, und bildet ao ein dsm latenten elektrostatischen Abbild entsprechendes Pulverbild aus_p das auf Papier oder eine andere Aufnahmefläche übertragen wsrdsn kann» Das Papier trigt denn das Pulverbild, das man danach durch EraIrsBsn und auf sonst geeignete Meise fixieren kann« Dieses Verfahren, das ecgenennte Carlson-Verfahrsn, ist auch in den US-Patentschriften 2»357.8o3, 2o891so11 und 3.079.342 beschrieben.

Beim elektrophotographischen Uerfahren ist es erwünscht_s daß die elektrophotagraphische lichtempfindliche Platts die aufgebrachte Ladung lange beibehält, daß die auf der Platte festgehaltene Ladung sich schnell in ein elektrisch leitendes Substrat ableiten HBt, wenn die Platte mit sichtbarem Licht belichtet wird (d.h. daß sie sine hohe Empfindlichkeit fur sichtbares Licht aufbieist), da3 die Empfindlichkeit for einen breitsn Idellenlängenbereich des Lichtes gilt (deh« daB die Platte panchromatisch ist), und daß des Restpotential (die Restladung) auf der Platte nach schwacher Belichtung niedrig ist. Will man dia Batte auSerdsi in RoIlSn- odsr gebogsner Form vei-tiisnden, muß sie flexibel sein«

Die FR-Patentscteift 72/36769 lehrt eine elektrophotographische lichtempfind-

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liehe Platte aus - von unten nach oben - einer elektrisch leitenden Unterlage, einer photosensibilisierenden Schicht aus einer glasigen Selen-Tellur-Legierung und einer organischen Deckschicht aus einer Substanz der aus Polyvinylcarbazol und dessen Derivaten bestehenden Gruppe. Diese bekannte elektrophotographische Platte ist vorteilhafteruieise flexibsl, panchromatisch und hält Ladungen lange fest. Weiterhin ist diese bekannte Platte- entweder für sichtbares Licht sehr empfindlich oder sie hat ein niedriges Restpotential. Die bekannte Platte kann die letzten beiden Vorteile aber nicht gleichzeitig aufweisen .

Folglich ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine elektrophotographische Platte anzugeben, die sämtliche Vorteile der bekannten elektrophotographischen Platte und gleichzeitig eine hohe Empfindlichkeit für sichtbares Licht und ein niedriges Restpotential hat«,

Diese Aufgabe uiird gelöst, indem man die photosensibilisierende Schicht, aus Selen und Tellur zweischichtig derart herstellt, daß eine erste, o,o5 bis 2,u dicke Lage aus 6o bis 9o Gew.-% Tellur und eine zweite Lage von o,o5 bis 1 #u Dicke eine höhere Selenkonzentration als die erste Schicht aufmeist, wobei die zweite Lage zwischen der ersten Lage der photosensibiliaierenden Schicht und der organischen Deckschicht liegt. Die zureite Lage der photosensibilisierenden Schicht kann auch aus Selen alleine bestehen.

Die Erfindung wird nun anhand einer Zeichnung,die eine schematisierte Schnittansicht einer elektrophotographischen lichtempfindlichen Platte nach der vorliegenden Erfindung darstellt, eingehend beschrieben.

Idie in der Figur gezeigt, besteht eine elektrophotographische lichtempfindliche Platte nach der vorliegenden Erfindung von unten nach oben aus einem elektrisch leitenden Substrat 1, einer dünnen photosensibilisierenden Schicht 2 aus glasigem Selen und Tellur mit einer Dicke von vorzugsweise o,1 bis 3 ,u und einem organischen Material, das Polyvinylcarbazol oder eines von dessen Derivaten enthält. Die photosensibilisierende Schicht 2 setzt sich zusammen aus einer ersten Lage h aus glasiger Selen-Tellurlegierung mit einer Dicke von vorzugsweise o,o5 bis 2 ,u und einer zweiten Lage 5, die nur aus glasigem Selen oder aus glasiger Selen-Tellur-Legierung mit einer Selenkonzentration besteht, die höher ist als I^(Ρ&Λ^ψΨΥ^ψ> wobei die Dicke der zweiten

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Lage vorzugsweise o,o5 bis 1 /U beträgt.

Die Platte uiird durch Aufbringen der dünnen photosensibilisierenden Schicht 2 auf das elektrisch leitende Substrat 1 im Vakuum und Überziehen der Schicht 2 mit einer Lösung eines organischen Materials einschl. Polyvinylcarbazol oder eines Derivats desselben und nachfolgendes Trocknen des Lösungsmittels der Lösung zur Bildung der Deckschicht 3 hergestellt.

Das Polyvinylcarbazol oder dessen Derivat (im folgenden einfach als "Polyvinylcarbazol" bezeichnet) ist ein Polymeres des V/inylcarbazols und/oder ein Derivat desselben oder ein Copolymerisat von N-vinylcarbazol oder ein Derivat desselben und eine uieitere Vinylverbindung wie Vinylacetat oder Methylmethacrylat. Das hier ermähnte Derivat weist anstelle eines Wasserstoffatoms im Carbazolring in der wiederkehrenden Einheit der oben erwähnten Polymeren einen Substituenten wie ein Halogenatom oder einen Nitro-, Alkyl-, Aryl- Alkylaryl-, Amino- oder Alkylaminorest auf, wie in der folgenden Formel gezeigt:

in der X der Substituent ist. Die Anzahl und Lage der Substituenten im Carbazalring und der Polymerisationsgrad des resultierenden Polymerisats sind durch das Herstellungsverfahren bestimmt und nicht auf diejenigen beschränkt, die hier ausdrücklich angegeben sind.

Es ist bekannt, Polyvinylcarbazol auf eine leitende Unterlage zu einer Filmschicht mit einer Trockendicke von etwa o,5 bis 5o ,u aufzubringen, wobei man das Produkt dann als elektrophotographisches lichtempfindliches Material einsetzen kann. Es ist weiterhin bekannt, daß eine derartige Polyvinylcarbazolschicht aus sich heraus für Licht im nahen UV-Bereich (etwa 3oo bis h5a nm) empfindlich ist, wobei dieser Bereich eich in den Bereich sichtbaren Lichtes verlängern IMBt, indem man einer Überzugslösung aus Polyvinylcarbazol einen aktiven Zusatz wie Lewissiure und/oder einen Sensibilisierungsfarbstoff zugibt j uie es die US-Patentschrift 3«,o37.861 lehrt.

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Im Fall der elektrophotographischen lichtempfindlichen Platte nach der vorliegenden Erfindung ist jedoch die Zugabe eines Sensibilisierers zur Deckschicht 3 mit dem Polyvinylcarbazol nicht erforderlich und sogar unerwünscht, da der Sensibilisierer sowohl den Ladungsrückhalt als auch die Lichtabfallgeschwindigkeit etwas verschlechtert. Der Grund hierfür ist noch nicht vollständig klar. Es wird jedoch dafür gehalten, daß die Ursache zum Teil die Tatsache ist, daß ein in der Polyvinylcarbazolschicht 3 dispergiertes Sensibilisierermolekül als Filter, das das aktinische Licht, das die photosensibilisierende Schicht 2 aus glasigem Selen und Tellur durch die Schicht 3 hindurch erreicht, abschwächt, und als Falle wirkt, die den beweglichen Träger in der Schicht 3 mit dem Polyvinylcarbazol auffängt.

Um die Eigenschaften der Polyvinylcarbazolschicht 3 - wie bspw. Ladungsrückhalt, Durchschlagfestigkeit, Felxibilität, mechanische Festigkeit und Abnutzungsfestigkeit - zu verbessern, kann man dem Polyvinylcarbazol Zusätze wie Weichmacher und Binder wahlweise zugeben. Bekannte Weichmacher sind bspw. chloriertes Diphenyl, Epoxyharz, Dioctylphthalat, Tricresylphosphat usw. Bekannte Bindemittel sind bspw. Polycarbonate, Cyanäthylcellulose usw.

Uird die Schicht durch die oben aufgeführten Zusätze verbessert, läßt die wirksame Dicke der Polyvinylcarbazol-Schicht 3 sich auf weniger als etwa ba,u reduzieren. Für den praktischen Einsatz ist eine Dicke von 1o bis 25 ,u vorzuziehen. Eine so zubereitete Schicht 3 verbessert den niedrigen Ladungsrückhalt der dünnen Selen-Tellur-Schicht 2 und führt zu einem normalen Ladungsrückhalt. Indem man weiterhin die Schicht 3 auf der Schicht 2 anordnet, besteht praktisch keine Notwendigkeit mehr, eine elektrische Sperrschicht zwischen dem elektrisch leitenden Substrat 1 und der Schicht 2 anzuordnen, wie man sie vorzugsweise bei der xerographischen tellurdotieiten Selenplatte einsetzt, die die US-Patentschrift 2.962.376 beschreibt.

Idas das elektrisch leitende Substrat 1 anbetrifft, läßt sich hier jede geeignete und verfügbare leitende Unterlage verwenden - bspw. ein flexibles Material wie Papier oder ein Kunststoffbogen aus Polyester, Celluloseacetat usw. mit einer dünnen Auflage aus Aluminium, Kupferiodid usw. Das flexible Substrat kann in Bogen- oder Bahnform vorliegen. Für Anwendungsfälle, in denen Flexi-

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bilität und Transparenz nicht erforderlich sind, kann jede steife und geeignete Unterlage der geeigneten Dicke und Form - Platte, Trommel usw. eingesetzt werden.

Die Schicht 2 aus Selen und Tellur wird wie folgt hergestellt. Zunächst stellt man die Lage k der Schicht 2 durch Aufdampfen der Selen-Tellur-Legierung auf das leitende Substrat 1 im Vakuum (nach dem sogenannten 'Legierungsaufdampfverfahren¹) oder durch gleichzeitiges, gemeinsames Verdampfen von Selen und Tellur aus verschiedenen Quellen her. Es ist auch möglich, das Blitzaufdampfverfahren ('flash evaporation method¹) anzuwenden. Die Selen- (oder Tellur-) Konzentration in der Lage U ist im wesentlichen gleichmäßig· Die Lage 5 auf der Lage k stellt man her, indem man auf die Lage 4(1) eine Selen-Tellur-Legierung mit einer höheren Selenkonzentration als bei der Lage k oder (2) Selen allein auf die gleiche Weise aufdampft, wie sie für die Herstellung der Lage k angewandt wurde.

Alternativ kann man die Schicht 2 bspw. wie folgt herstellen. Die Schicht 1 wird zunächst für eine geeignete Dauer im Vakuum mit einer Selen-Tellur-Legierung aus einer ersten Quelle bedampft. Bevor man das Aufdampfen aus dieser ersten Quelle unterbricht, wird (1) eine Selen-Tellur-Legierung mit einer höheren Selenkonzentration als der der ersten Quelle oder (2) Selen alleine aus einer zweiten Quelle allmählich aufgeheizt. Nachdem man die wärmezufuhr und damit das Verdampfen an der ersten Quelle unterbrochen hat, wird die wärmezufuhr (Verdampfung) der zweiten Quelle eine geeignete Zeitspanne lang weitergeführt. Nach diesem Verfahren erhält man einen zweischichtigen Aufbau (Lage k und 5). In diesem Fall ist die aus der ersten Quelle bis zum Anheizen der zweiten Quelle aufgedampfte Schicht die Lage k, die danach aufgebrachte Schicht die Lage 5. Die derart hergestellte Lage k hat eine im wesentlichen gleichmäßige Selen- (bzw. Tellur-) Konzentration, und in der Lage 5 nimmt die Selenkonzentration von einem Minimum an der Schnittfläche zur Lage h allmählich auf ein Maximum an der Schnittfläche zur Deckschicht hin zu.

In der elektrophotographischen Platte nach der vorliegenden Erfindung hat die Schicht 2 vom Gesichtspunkt der Flexibilität und leichten Herstellbarkeit her vorzugsweise eine Dicke von weniger als 3 ,u. Im Fall der elektrophotographischen Platte nach der vorliegenden Erfindung ist die für das Aufdampfen er-

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forderliche Zeit ujeniger als eine Minute; in der Praxis sind nur wenige Sekunden erforderlich. Infolge der geringen Dicke der Selen-Tellur-Legierungsschicht ist die resultierende Platte billig zu erstellen und hat eine ausgezeichnete Flexibilität.

Vom Gesichtspunkt der sensibilisierenden Funktion der Schicht 2 her beträgt die Dicke der Lage if vorzugsweise mehr als o,o5 ax und insbesondere mehr als o,3 ,u, und die Lage 5 ist vorzugsweise weniger als 1 ,u und insbesondere weniger als o,3 ,u dick. Um das Restpotential der resultierenden elektrophotographischen Platte niedrig zu halten, ist die Dicke der Lage 5 vorzugsweise größer als o,o5 ,u und insbesondere größer als o,1 ,u.

Die Tellurkonzentration der Lage k beträgt vorzugsweise weniger als Uo Gew.-% und insbesondere weniger als 25 Gew.-=, um die elektrophotographischen Eigenschaften der resultierenden Platte wie den Ladungsrückhalt zu verbessern und de Platte leicht herstellbar zu machen. Weiterhin sind unter dem Blickwinkel der sensibilisierenden Funktion der Schicht 2 mehr als 1o Gew.-% und insbesondere mehr als 15 Gew.-% vorzuziehen. Aus diesen Gründen liegt der vorzugsweise Gewichtsprozentbereich für das Selen in der Lage h zwischen 9o und 60 Gew.-% und insbesondere zwischen So und 75 Gew.-%. Die Selen-(Tellur-)Konzentration in der Lage 5 sollte höher (niedriger) ale die der Lage k sein, um die Wirkung des zweilagigen Aufbaus, d.h. die Addition der Lage 5 zur Lage if hinsichtlich des Restpotentials der resultierenden elektrophotographischen Platte zu erhalten. Insbesondere beträgt vorzugsweise die Differenz zwischen der Selenkonzentration der Lage k in Gew.-% und der der Lage 5 mehr als 1o. Beträgt die Selen-(Tellur-)Konzentration in der Lage if weniger als 9o (mehr als 1o) beträgt vom Gesichtspunkt des Restpotentials her die Selen-(Tellur-) Konzentration in der Lage 5 vorzugsweise mehr als 9a (weniger als 1o) Gew.-?£.

Die Lage 5 kann auch aus glasigem Selen allein bestehen. Da weiterhin die Platte nach der vorliegenden Erfindung leicht ein negativ geladenes latentes Bild mit einem Flächenpotential von etwa 1ooo U oder mehr bildet und lange Zeit vorhält, ist es möglich, die Platte nicht nur beim herkömmlichen xerographischen Verfahren zu verwenden, bei dem geladenee Pulver direkt auf die Platte aufgebracht wird, sondern auch für das sogenannte TESI-Verfahren ('transferring an electrostatic image¹ = Verfahren mit Übertragung des elektrostalsehen Ladungsbildes), bei dem das latente elektrostatische Ladunosbild auf ein

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dielektrisches beschichtetes Papier übertragen wird. Die elektraphotographiache Platte nach der vorliegenden hat unter der üblichen negativen Koranaentladungaatmosphäre im Dunkeln ein zunehmendes Ladungspotentiai ähnlich einer getiiShnlichen Xerographieplatte oder einem ElEctrofax-Papier»

!die bereits beschrieben, weist die slektraphotographische Platte nach der vorliegenden Erfindung eine Schicht 3 aus organischem Material einer Dicke von etwa 1o bis ho μ auf, die aus dis photosensibilisisrende Schicht 2 aufgebracht ist. Die elektrophotographischß Platts hat dadurch einen hohen Ladungsrückhalt. Die elektrophotographische Platte nach der Erfindung erfordert keine elektrische Sperrschicht wie tapu» eine dünne Schicht aus Polypyromellitimid Opolypyromellitic imide·), Epoxiharz öder porösem Aluminiusnoxid.

Weiterhin ist die elektraphotegraphische Platte nach der vorliegenden Erfindung über*den Uellenlingenbereinh des sichtbaren Lichtes, d.h. 4ooo bis βοοο S, panchromatisch»

Beispiel 1

Eine Selen-Tellur-Legierung wurde in einem Vakuum von 5 χ 1o~ Torr zu einer dünnen Selen-Tellur-Schicht von o,3 ,u Dicke auf ein elektrisch leitendes Substrat aus einer 75 ,u dicken Polyesterfolie niit sinera 1 μ dicken Aluminiumbelag aufgedampft. Die Tellurmenge in der Selen-Tellur-Schicht umrde in sechs Probepaaren mit 1a, 15, 2a, 25, 3o und ha Geu.-% variiert. Auf diese ideise uurden zwei gleiche Gruppen von je sechs Proben (mit jettseilsia, 15, 2o, 25, 3o und Uo Geu«-% Tellur) hergestellt. Auf eine Gruppe von sechs Proben

—5 wurde nur glasiges Selen unter einem Vakuum von 5 χ 1o Torr zu einer Dicke von o,2 ax aufgedampft. Die fertigen elektrophotographischen Platten, die aus den sechs verschiedenen Proben hergestellt wurden, wurden als Probe Nr. 1 (1o Geu.-% Te) bis Probe Nr. 6 ihn Geui.-% Te) bezeichnet, die fetigen elektrophotographiachen Platten aus der anderen Gruppe von sechs Proben entsprechend als Probe Nr. 7 (1o Getii.-% Te) bis Probe Nr. 12 (4a Geu.-% Te). Die Dicke und die Zusammensetzung der Selen-Tellur-Schicht uurde nach dem Verfahren der photoelektrischen Colarimetrie unter Einsatz von 3,3^!-Diaminobenzidintetrahydrochlorid als Farbstoff für Selen und Kaliumiodid als Farbstoff für Tellur bestimmt.

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Eine Lösung aus 1αα g Poly-N-Vinylcarbazol, 3d g Polycarbonat (Panlite L 125o der Fa. Teijin Gd., Tokio, Japan), 2o g Diphenyl Chlorid (Kanechlor Nr. itoo der Fa. Kanegafuchi Kagaku Gb., Osaka, Japan), 2o g Xyrenharz (Nikanol der Fa. Nippon Gas Kagaku Co., Tokio, Japan), 1o g Diphenylmethan-if.M-Diisocyanat (Millionate MR der Fa. Nippon Polyuerthane Co., Tokio, Japan), 9oo g Monochlorbenzol und 3oo g Dichloräthan wurde zubereitet und auf die zwölf Proben mit den entsprechenden Selen- und Selen-Tellur-Legierungasphichten aufgebracht. Die Schichtdicke betrug bei allen Proben trocken 15 ^u.

Die fertigen Platten Nr. 1 bis Nr. 12 wurden mit einem elektrophotographischen Phatodensitometer mit einem herkömmlichen dynamischen Abfallzeitteater geprüft. Weiterhin uiurden die zwölf Platten unttfr Benutzung eines elektrophotographischen Gitterspektragraphen auf spektrale Empfindlichkeit im sichtbaren Uellenlängenbereich untersucht.

Sämtliche Proben Nr. 1 bis 12 konnten mit -1ooo V/ aufgeladen werden. Un die Lichtempfindlichkeit jeder Probe zu prüfen, uurde der E_g -wert jeder Probe gemessen, uobei der E₅ -Ufert diejenige Belichtung in lux sec. ist, die das Oberflächenpotential der Probe auf die Hälfte des Oberflächenpotentials vor der Belichtung absenkt. Weiterhin uurde das Oberflächenpotential jeder Probe nach einer Belichtung von 3o lux. sec «Is Restpotential der jeweiligen Probe aufgenommen.

Die E_ga-4ferte der Proben Nr. 1 bis Nr. 12 betrugen 6, 3,3 , 2,1 , 1,9 , 1,7 , ■ 1,1 , 6, 3,1,'2,0, 1,8, 1,5 bzw. o,9 lux. sec. Dieses Ergebnis erweist, deS zwischen Proben mit dem gleichen Telluranteil in der Selen-Tellur-Schicht im wesentlichen kein Unterschied zwischen den E_g -UJerten auftritt. .'.

Die Restpotentiale der Proben Nr. 1 - 12 betrugen 7, 7,7, 1o, 2o, 25, 3o, ka, \ 5o, 60, 75 bzw. I00 \1. Dieses Ergebnis erweist, daB zwischen den Proben mit dem gleichen Telluranteil in der Selen-Tellur-Schicht ein erheblicher Unterschied des Restpotentials auftritt.

Es uurde weiterhin gefunden, daB hinsichtlich des Wellenlängenbereich·, in dem die Proben empfindlich waren, im wesentlichen kein Unterschied zwischen den Proben mit dem gleichen Telluranteil in der Se-Te-Schicht auftrat. Bepw. waren die Proben Nr, 3 und Nr, S JpSiSJ!!ipnejhBÜJjißjiJiellBrilanDjsibBialiABa-imiL 4ooo_

DRIGlNAL INSPECTED

bis θααο 8 empfindlich, d.h. eis hatten beide die gleiche panchromatische Empfindlichkeit.

Ale die Proben dem üblichen Kopierverfahren mit Laden, Belichten, Übertrag und Entwickeln ausgesetzt wurden,, wurde gefunden, daß die Proben Wr. 1 bis 46 mehrere tausend Kaie wiederholt benutzt werden konnten und in der Benutzungshäufigkeit den Proben Nr. 7 bis 12 überlegen waren.

Beispiel 2

Entsprechend der Probe Nr«, 3 im Beispiel 1 wurden die Proben Nr. 13 - 16 hergestellt, die der probe RIr · 3 vollständig mit Ausnahme der Dicke der Selen-Tellur-LegiErungsschicht glichen, die hier a,o1 yU, o,o5 ,u, α,5 λχ bzw. 2 ,u betrug. Diese Proben wurden mit -1ooo W geladen und ihr E₅ -üJert gemessen. Für Probe Nr. 13 war E₅₀ » B lux. sec, für Probe Nr. H» war E₅₀ = 2,5 lux.sec, und bei den Proben 15 und 16 war E₅ « 2 lux. sec. Die Probe Nr. 13 war folglich erheblich weniger lichtempfindlich als die anderen.

Beispiel 3

Entsprechend der Probe Nr. 3 des Beispiels 1 wurden die Proben Nr. 17 bis hergestellt, die der Probe Nr. 3 vollständig glichen mit der Ausnahme, daß anstelle der Selenschicht der Probe Nr. 3 eine Selen-Tellur-Schicht von o,2 ,u auf die zunächst auf die elektrisch leitende Unterlage aufgebrachte o,3 as dicke Selen-Tellur-Legierungsschicht aufgebracht wurde. Diese o,2 .u dicke Selen-Tellur-Schicht wurde nach der im Beispiel 1 beschriebenen uakuum-aufdanpftechnik hergestellt. Die o,2 ai dicke Selen-Tellur-Schicht der Proben 17 - 22 wies Tellurkonzentrationen von 3, 7, 1o, 15, 2o bzw. 3a Gew.-X auf. Die Proben wurden mit -1ooo M geladen und die E₅ -Werte und Restpotentiale gemessen. Die Proben Nr. 17 bis 21 hatten einen E₅ -üJert von 2 lux. aec, die Probe Nr. 22 einen Exiliert von 1,6 lux. sec. Dia Proben 17 bia 22 hatten Restpotentiale von jeweils 6, 1o, 13, 35, 5o bzw. 80 V. Die Probe Nr. 22 war also hinsichtlich des E₅ -Uertes etwas besser als die anderen Proben, aber hinsichtlich ihres Restpotentials weit unterlegen. Die Probe Nr. 21 unterschied aich in ihrem Restpotential nicht von der Probe 9. Die Probe Nr. 2o war hinsichtlich dee Restpotentiala etwas, aber nicht viel besser als die Proben 9

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ORIGiW !NSFECTSD

und 21. Andererseits waren die Proben 17 - 19 den Proben 21 oder 9 hinsichtlich des Restpotentials erheblich überlegen. Die Ergebnisse zeigen weiterhin, daß der Tellur-CSelen-O-Anteil in der Selen-Tellur-Schicht von o,2 ^u ωΰπ-schenswerterweise geringer als 1o Gew.-% (mehr als 9o Geuu-%) beträgt.

Beispiel h

Entsprechend der Herstellung der Probe Nr. 2 im Beispiel 1 wurden die Proben 23 - 28 hergestellt, die der Probe 2 völlig entsprachen mit der Ausnahme, daß die Selenschicht dieser Proben Nr. 23 - 28 eine Dicke von o,o1, o,o5, o,1, o,5, 1 bzu. 2 /U hatten. Es wurden der E₅ -üiert und das Restpotentials dieser Proben gemessen. Die Proben Nr. 23 - 25 hatten ein E₅- 3 lux- sec, die Probe Nr. 26 ein E_c = 3,2 lux. sec, die Probe Nr. 27 ein E_c = k lux. sec und

DO DO

die Probe Nr. 28 ein E₅ = 8 lux. sec. Die Proben 23 - 25 hatten Restpotentiale von *»5, 2o bzw. 1o V, die Proben Nr. 26 - 28 ein Restpotential von 7 V. Diese Ergebnisse zeigen, daß die Proben Nr. 23 - 27 gute E_ -liierte aufweisen, während der E_c -Wert der Probe Nr. 28 schlecht war. Weiterhin hatten die Pro-

DQ

ben Nr. Zh - 28 annehmbare Restpotentiale, während die Probe Nr. 23 ein hohes Restpotential aufwies.

Beispiel 5

—5 Eine Selen-Tellur-Legierung mit 25 Gew.-?6 wurde im Vakuum von 5 χ 1o Torr aus einer ersten Quelle 5 see. lang auf eine 1 mm dicke Aluminiumplatte aufgedampft. Sodann wurde mit dem Aufdampfen von Selen aus einer zweiten Quelle in der gleichen Kammer durch allmähliches Aufheizen der zweiten Quelle begonnen. 2 see. nach dem beginnenden Aufdampfen aus der zweiten Quelle hürde die Wärmezufuhr von der ersten Quelle abgenommen, k see. nach dem Beginn des Aufdampfens aus der zweiten Quelle war die erste Quelle auereichend abgekühlt. 3 see. nach dem Beginn des Aufdampfens aus der zweiten Quelle uurde die Wärmezufuhr zur zweiten Quelle abgenommen, und 5 see. nach dem Beginn des Aufdampfens aus der zweiten Quelle hatte sich diese ausreichend abgekühlt. Auf die- ' se lileise entstand eine zweilagige photosenaibilisierende Schicht aus einer ersten o,5 yu dicken Lage mit einer im wesentlichen gleichmäßigen Selen-(Tellur-)-Konzentration und einer zweiten o,5 μ dicken und auf der ersten befindlichen ^; Lage, in der die Selenkonzentration von einem Minimum an der Schnittstelle zur ersten Lage allmählich auf ein Maximum an der gegenüberliegenden Oberfläche

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zunähe® Ein 15 μ dicker, dem dee Beispiele 1 entsprechender organischer Überzog aside Buf die derart hergestellte photosensibilisierende Schicht aufgebracht und die so hergestellte elektrophotographische Platte als Probe Nr. bezeichnet. Auf die gleiche Weise wurde sine Probe Wr. 3o hergestellt - mit der fiusnattme, daB bei der Herstellung dar Probe Wr° 3o für die zweite Quelle anstatt nur Sglsn eine Selen-TellusM-egierung (5 Gebi.°-% Te) verwendet wurde. Dig Probsn Wr· 29 und 3a Kurden den in Beispiel 1 beschriebenen Messungen unteriösrfsn» Dis Proben Us_a 29 und 3a hatten E₅ »Msrte von 1,9 bzw. 1,8 lux. sec und Restpotentiale von 1o bzw*, 12 V.

Beispiel 6

Es wurden vier Proben entsprechend der Probe Wr. 3, aber mit verschiedenen organischen Überzügen hergestellt*, For die organischen Überzüge yurde eine Lösung ähnlich der des Beispiels 1 hergestellt, indem das Poly-N-vinyl-carl3azol durch gleiche Gewichte von bromiertsn Poly-W-vinylcarbazol (Probe Nr. 31), jodiertsm Palv-N-vinylcarbazol (Probe Wr. 32), Poly-S\!-vinyl--3"-aminocaröazol (Probe Wr» 33) und Pbly«»S\i-vinyl-3-nitrocarbazol (Probe Nr. 34) ersetzte und dis LSaung auf die Selen-Tellur-Lsgisrungsschicht aufbrachte. Getrocknet hatten alle vier Überzüge eine Dicke von 2o „u. Das bromisrte Poly-N-vinylcarbazol ist im Detail in den OA-ASn ^2-19751/1967, 42-21867/1957 und 42-2523o/19S7 beschrieben, yeiterhin beschreibt die JA-AS 42-82462/1967 das jodisrts PoIy-W-vinylcarbazol, die 3Ä-AS 42-%39/1%7 das Poly-fy-vinyl-3-aminooarbazol und die OA-AS 4i»145aB/19S6 das Poly-W-vinyl-3-nitrocarbazol·

Die resultierenden Proben Wr» 31 bis 34 hatten faet die gleiche panschromatische Einpfindlichkeit yie die Probe Nr. 3 im Beispiel 1, bei dam Poly-N-vinylcarbazol einge^fczt worden war» Die vier Proben konnten bei dem Kopierverfahren nach Beispiel 1 jeweils mahrere tausend Male eingesetzt werden.

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Claims (1)

1. Patentansprüche

   , 1J Elektrophotographische lichtempfindliche Platte aus - von oben nach unten - einem elektrisch leitenden Substrat, einer photosensibilisirenden Schicht aus glasigem Selen und Tellur mit einer Dicke van o,1 bis 3 ,u und einer Deckschicht aus einem Mitglied der aus Polyvinylcarbazol und dessen Derivaten bestehenden Gruppe, wobei die photosensibilisirende Schicht aus einer ersten, o,o5 bis 2 ,u dicken Lage mit 6o bis 9o Gew.-% Selen und ka bis 1o Gew.-% Tellur und einer zweiten, o,o5 bis 1 yU dicken Lage mit einer höheren Selenkonzentration als der der ersten" Lage besteht, wobei die zweite Lage zwischen der ersten Lage und der Deckschicht angeordnet ist.

   2. Elektraphotagräphische Platte nach Anspruch 1, bei der die

   erste Lage der photosensibilisjffi-enden Schicht aus 75 bis 85 Gew.-*6 Selen und 25 bis 15 Gew.-% Tellur besteht.

   3. ' Elektrophotographische Platte nach Anspruch 1, bei der die zweite Lage der photosensibilisierenden Schicht zu mehr als Sa Geu.-% aus Selen besteht.

   km Elektrophotographische Platte nach Anspruch 1, bei der die

   Differenz zwischen der Selenkonzentratian in Qeu«~% in der ersten Lage der phatosensibilisärenden Schicht und der Salenkanzentration in Geu.-56 in der zweiten Lage der photasensibilisiffenden Schicht mindestens geleich 1o ist.

   5. Elektrophotographische Platte nach Anspruch 1, bei der die zweite Lage nur aus Selen besteht.

   6· . Elektrophotographische Platte nach Anspruch 1, bei der die zweite Lage der photosensibilisirenden Schicht eine im wesentlichen gleichmäßige Selenkonzentration enthMlt.

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   7s> ElEkteophotographische Platte nach Anspruch 1, bei der in der zweiten Lage dar phatoBensibilisierenden Schicht die Selenkonzentratian von einem Minimus en der Schnittfläche zur ersten Lage allmählich auf ein Maximum an der Schnittflächs zur Deckschicht zuniirato

   S«, Elgktrophotographigche Platte nach'Anspruch I₈ bsi der die Deckschicht im iisssentlich@n aus Poly-^vinylcarbazol

   9« - Elekteophatographisehs Platte nach Anspruch 1, bei der die Deckschiene im ttrsssntlichsn aus broraiertEits Poly-W-vinylcarbazDl besteht.

   la«, Elektrophotographisehe Platte nach Anspruch 1, bei Ub¹S die Dsckschieht weiterhin als Zusatz ein Bindsmittel snthMlto

   11« Elsktrophotographische Platte nach Anspruch 1o, bei der das ainögsälttel ein HS^lisd des aus Falycarbonat und Cyanäthylcelluloss bestehenden Gruppe ist«

   12» Elektrophotogyaphische Platte neeh Anspruch 1, bei der die DeckacS'sieht ieiierhin als Zusatz einen Weichmacher enthalt»

   13. Elektrophatogr-aphiecSie Platts naeh Anspruch 12, bai der der Weichmacher ein Mitglied aus der aos chloriertes Diphenyl, Epoxyharz, Dioctylphthalat und Tricresylphoaphat bastshenden Gruppe iat«

   14» Verfahren zur Herstellung eines latignten elektraetratischen Bildes negativer Ladung auf einer elektrophotogrsphischen lichtempfindlichen Platts nEsh Anspruch I₅ indsa man auf die Platte im Dunkeln eins negative slektroatatische Ladyng aufbringt und dia Platte bildrsüBig mit Licht im sichtbaren tellenlingenbsreiGh won teoo bia 8oao R beliolhteto

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