DE19926117A1 - Flüssiges Ätzmittel und Verfahren zum Aufrauhen von Kupferoberflächen - Google Patents
Flüssiges Ätzmittel und Verfahren zum Aufrauhen von KupferoberflächenInfo
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Abstract
Es werden ein flüssiges Ätzmittel und ein Verfahren zum Aufrauhen einer Kupferoberfläche offenbart. Das Ätzmittel und das Verfahren erzeugen bei der Fertigung von Leiterplatten auf dem Kupfer innerhalb von kurzer Zeit und unbeeinflußt von Chlorionen eine aufgerauhte Oberfläche mit besserer Säurebeständigkeit und stellen eine feste Bindung zwischen Kupferleiterbahnen und einem äußeren Schichtmaterial her, was dazu führt, daß die Herstellung äußerst vereinfacht wird. Das flüssige Ätzmittel enthält eine Hauptkomponente, enthaltend eine Oxosäure, wie z. B. Schwefelsäure, und ein Peroxid, wie z. B. Wasserstoffperoxid. Daneben enthält das flüssige Ätzmittel eine Hilfskomponente, enthaltend ein Tetrazol, wie z. B. 5-Aminotetrazol oder dgl., oder ein 1,2,3-Azol. Das flüssige Ätzmittel führt zu einem nadelförmigen Aufrauhen der Kupferoberfläche.
Description
Die Erfindung betrifft ein flüssiges Ätzmittel, welches zum Ätzen einer Kupferfolie
oder Kupferplatte eingesetzt wird, und ein Verfahren zum Aufrauhen einer
Kupferoberfläche; sie betrifft insbesondere ein flüssiges Ätzmittel zum nadelförmi
gen Aufrauhen einer Kupferoberfläche und ein Verfahren zum Ätzen einer
Kupferoberfläche, um die Oberfläche aufzurauhen.
Vielschichtleiterplatten sind typischerweise so aufgebaut, daß ein inneres Schicht
material, ein äußeres Schichtmaterial und Prepregs aufeinanderlaminiert sind. Im
allgemeinen erfolgt die Herstellung einer so aufgebauten Vielschichtleiterplatte
indem die Oberfläche einer Schicht aus Kupferleiterbahnen des inneren Schicht
materials aufgerauht und dann das äußere Schichtmaterial - welches aus Harz, aus
einem Film, aus Druckfarbe oder dgl. aufgebaut ist - auf die aufgerauhten
Leiterbahnen des inneren Schichtmaterials auflaminiert werden, um ein Laminat
herzustellen. Das Laminat wird dann mit Durchgangslöchern versehen und
elektroplattiert.
Das Aufrauhen der Schicht aus Kupferleiterbahnen wird herkömmlicherweise mit
einem von drei Verfahren durchgeführt. Ein erstes Verfahren besteht darin, auf der
Oberfläche der Schicht aus Kupferleiterbahnen eine Oxidschicht aus Kupfer(I)oxid
oder Kupfer(II)oxid zu bilden. Ein zweites Verfahren besteht darin, eine solche
Oxidschicht zu Kupfermetall zu reduzieren, wobei die Gestalt der Oxidschicht
unverändert bleibt. Ein drittes Verfahren besteht darin, auf der Oberfläche der
Schicht aus Kupferleiterbahnen durch stromloses Kupferplattieren eine Schicht aus
metallischem Kupfer mit vergrößertem Teilchendurchmesser auszubilden.
Wenn beim ersten Verfahren an der inneren Oberfläche der Durchgangslöcher
freigelegtes Kupferoxid in eine saure Lösung wie beispielsweise eine Plattierungs
lösung eingebracht oder eingetaucht wird, führt dies bedauerlicherweise dazu, daß
sich das freigelegte Kupferoxid in der sauren Lösung löst, was zu einem Fehler
führt, der als rosafarbener Ring bezeichnet wird. Beim zweiten Verfahren ist es
erforderlich, nach der Bildung des Oxids ein teures Reduktionsmittel einzusetzen,
um dadurch nicht nur eine Zunahme der Fertigungsschritte, sondern auch höhere
Fertigungskosten zu verhindern. Das dritte Verfahren führt ebenfalls zu einer
Zunahme der Fertigungsschritte.
Angesichts der vorstehenden Schwierigkeiten hat die Patentanmelderin Ätzver
fahren vorgeschlagen, bei denen eine Oberfläche aus Kupfer geätzt wird, wobei ein
flüssiges Ätzmittel eingesetzt wird, welches eine Oxosäure, ein Azol (insbesondere
Benzotriazol) und ein Halogenid enthält, wie es in der Japanischen Offenlegungs
schrift 96 088/1998 offenbart ist. Die vorgeschlagenen Verfahren erlauben es,
Kupferleiterbahnen mit einer aufgerauhten Oberfläche mit besserer Säurebe
ständigkeit zu versehen, wobei die Anzahl der Fertigungsschritte nicht zunimmt und
wodurch die Probleme gelöst werden, die beim beschriebenen ersten bis dritten
Verfahren anzutreffen sind.
Die vorgeschlagenen Verfahren erfordern jedoch notwendigerweise die Kombination
von Benzotriazol mit einem Halogenid. Das Halogenid muß auch in einer Menge von
etwa 100 mg/l, zugesetzt werden, um dadurch die Lösungsgeschwindigkeit oder
Ätzgeschwindigkeit von Kupfer zu stabilisieren. Dies führt zu einer Herabsetzung
der Ätzgeschwindigkeit auf Werte bis zu 0,5 µm/min. Die vorgeschlagenen
Verfahren haben deshalb zur Bildung der aufgerauhten Oberfläche einen beträcht
lichen Zeitbedarf von bis hin zu etwa 4 bis 6 Minuten, was dazu führt, daß sie
keine bessere Produktivität zeigen.
Insbesondere führen die vorgeschlagenen Verfahren dazu, daß die Ätzgeschwindig
keit im Hinblick auf die Chlorionenkonzentration das in Fig. 5 dargestellte Verhalten
zeigt. Wenn die Chlorionenkonzentration auf Werte kleiner 40 mg/l abnimmt, wird
die Ätzgeschwindigkeit beträchtlich heraufgesetzt oder variiert, so daß es äußerst
schwierig ist, die Ätzgeschwindigkeit bei einem konstanten Wert zu halten. Die
vorgeschlagenen Verfahren erfordern deshalb ein Einstellen der Chlorionenkonzen
tration auf einen Wert von etwa 100 mg/l, damit die Ätzgeschwindigkeit stabilisiert
wird. Dies führt bedauerlicherweise zu einer Abnahme der Ätzgeschwindigkeit.
Die vorliegende Erfindung möchte die vorstehenden Nachteile des Standes der
Technik überwinden.
Es ist deshalb eine Aufgabe der Erfindung, ein flüssiges Ätzmittel zur Verfügung zu
stellen, mit dem in kürzerer Zeit eine Schicht aus Kupferleiterbahnen oder dgl. mit
einer aufgerauhten Oberfläche versehen werden können, die eine bessere
Säurebeständigkeit hat.
Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Aufrauhen einer
Kupferoberfläche zur Herstellung einer Leiterbahn zur Verfügung zu stellen, bei dem
ein solches flüssiges Ätzmittel eingesetzt wird und die Anzahl der Fertigungs
schritte nicht erhöht werden.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein flüssiges Ätzmittel zur Verfügung
gestellt. Das flüssige Ätzmittel enthält eine Hauptkomponente, die mindestens eine
Säure enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der
folgenden chemischen Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n),
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet
und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine
Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon.
Das Zentralatom X kann S, P, N und dgl. sein. Das flüssige Ätzmittel enthält auch
eine Hilfskomponente, die mindestens ein Tetrazol enthält.
Gemäß diesem Aspekt der Erfindung wird auch ein flüssiges Ätzmittel zur
Verfügung gestellt. Das flüssige Ätzmittel enthält eine Hauptkomponente, die
mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Oxosäuren, die
durch eine der folgenden chemischen Formeln dargestellt werden, und Derivaten
davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n),
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet
und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine
Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon.
Das Zentralatom X kann S, P, N und dgl. sein. Das flüssige Ätzmittel enthält auch
eine Hilfskomponente, die mindestens ein Azol enthält, ausgewählt aus der Gruppe
der 1,2,3-Azole mit drei oder mehr Stickstoffatomen, die aufeinanderfolgend in
einem 5-gliedrigen N-Heterocyclus angeordnet sind.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die 1,2,3-Azole
durch eine der folgenden chemischen Formeln wiedergegeben:
und
wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe der Wasserstoff-, Methyl-, Amino-,
Carboxyl-, Mercaptoreste und dgl.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die Hilfskomponente
mindestens einen Rest ausgewählt aus der Gruppe der Chloride, Fluoride und
Bromide. Das Halogenid kann ein Chlorid sein, welches in dem flüssigen Ätzmittel
enthalten ist, so daß die Chlorionenkonzentration 50 mg/l oder kleiner ist. Alternativ
kann das Halogenid ein Fluorid sein, welches in dem flüssigen Ätzmittel enthalten
ist, so daß die Fluorionenkonzentration 50 g/l oder kleiner ist. Das Halogenid kann
auch ein Bromid sein, welches in dem flüssigen Ätzmittel enthalten ist, so daß die
Bromionenkonzentration 0,1 g/l, oder kleiner ist. Bei einer bevorzugten Ausführungs
form der Erfindung enthält die Hilfskomponente außerdem ein zweites Azol.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist m in den chemischen
Formeln - die die Oxosäuren darstellen - 2 oder größer.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist (m + n) in den chemischen
Formeln - die die Oxosäuren darstellen - 4 oder größer.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Aufrauhen
einer Kupferoberfläche zur Verfügung gestellt. Das Verfahren umfaßt die Schritte,
daß man die Kupferoberfläche unter Verwendung einer der vorstehend be
schriebenen flüssigen Ätzmittel ätzt, so daß die Kupferoberfläche mit nadelförmigen
Erhebungen versehen wird.
Bei der vorliegenden Erfindung werden die Oxosäuren und ihre Derivate typischer
weise durch Schwefelsäure (H2SO4) repräsentiert. Sie sind jedoch nicht auf
Schwefelsäure beschränkt. Sie können Salpetersäure (HNO3), Borsäure (H3BO3),
Perchlorsäure (HClO4), Chlorsäure (HClO3), Phosphorsäure (H3PO4), 2-Hydroxyet
han-1-sulfonsäure (HOC2H4SO3H), Hydroxybenzolsulfonsäure (HOC6H4SO3H),
Methansulfonsäure (CH3SO3H), Nitrobenzolsulfonsäure (NO2C6H4SO3H), Aminosul
fonsäure (NH2SO3H) und dgl. umfassen.
Die Peroxide werden typischerweise repräsentiert durch Wasserstoffperoxid (H2O2),
wobei Peroxidderivate Peroxosäuren und deren Salze umfassen können. Wasser
stoffperoxid, Peroxomonosäure oder ihre Salze sind für diesen Zweck geeignet.
Insbesondere umfassen die Peroxomonosäuren Peroxomonoschwefelsäure (H2SO5),
Peroxochromsäure (H3CrO8), Peroxosalpetersäure (HNO4), Peroxoborsäuren (HBO3,
HBO4, HBO5), Peroxomonophosphorsäure (H3PO5) und dgl. Salze solcher Peroxosäu
ren umfassen auch Kaliumperoxomonosulfat (K2SO5), Kaliumhydrogenperoxosulfat
(KHSO5), Natriumperoxochromat (Na3CrO8), Kaliumperoxonitrat (KNO4), Natriumper
borat (NaBO3, NaBO4, NaBO5), Natriumperoxomonophosphat (Na3PO5) und dgl.
Die Tetrazole umfassen typischerweise 1H-Tetrazol wie auch Derivate davon, wie
z. B. 5-Aminotetrazol, 5-Methyltetrazol und dgl.
Die 1,2,3-Azole umfassen typischerweise 1H-Tetrazol wie auch Derivate davon,
wie z. B. 5-Amino-1H-tetrazol, 5-Methyl-1H-tetrazol und dgl. Alternativ umfassen
sie typischerweise 1H-Triazol wie auch Derivate davon wie z. B. 5-Amino-1H-Triazol,
5-Mercapto-1H-triazol, 5-Methyl-1H-triazol und dgl.
Die eingesetzten Azole können Oxazol, Diazol, Imidazol, Pyrazol, Benzotriazol,
Triazol, Tetrazol und dgl. umfassen.
Die Halogenide können typischerweise Fluorid, Chlorid und Bromid umfassen. Je
nach Bedarf können dem flüssigen Ätzmittel Fluorwasserstoffsäure, Chlorwasser
stoffsäure, Bromwasserstoffsäure und Salze davon in Spurenmengen zugesetzt
werden.
Wenn das flüssige Ätzmittel Schwefelsäure als Oxosäure einsetzt, kann bei einer
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung diese im flüssigen Ätzmittel mit einer
Konzentration von 20 bis 300 g/l - wünschenswerter 40 bis 200 g/l - enthalten
oder zugemischt sein. Wenn als Oxosäurederivat im flüssigen Ätzmittel 2-
Hydroxyethan-1-sulfonsäure eingesetzt wird, kann das flüssige Ätzmittel 2-
Hydroxyethan-1-sulfonsäure mit einer Konzentration von 30 bis 300 g/l -
wünschenswerter 50 bis 250 g/l - enthalten. Wenn schließlich im flüssigen
Ätzmittel Wasserstoffperoxid als Peroxid eingesetzt wird, kann es mit einer
Konzentration von 10 bis 200 g/l - wünschenswerter 20 bis 80 g/l - enthalten sein.
Wenn als Peroxid Kaliumperoxomonosulfat eingesetzt wird, kann es mit einer
Konzentration von 20 bis 300 g/l, - wünschenswerter 50 bis 250 g/l - enthalten
sein. Zusätzlich können das Tetrazol mit einer Konzentration von 0,1 bis 20 g/l
wünschenswerter 1 bis 20 g/l - und die 1,2,3-Azole in einer Konzentration von 0,1
bis 20 g/l - wünschenswerter 1 bis 20 g/l - enthalten sein.
Das Halogenid kann dem flüssigen Ätzmittel nach Bedarf zugesetzt werden, wenn
bekannt ist oder erwartet wird, daß dieser Zusatz die Variation der Ätzge
schwindigkeit des flüssigen Ätzmittels verhindert. Die Halogenide umfassen
Natriumfluorid, Natriumchlorid, Kaliumbromid und dgl. Die Ätzgeschwindigkeit des
flüssigen Ätzmittels wird wesentlich herabgesetzt, wenn ein Fluorion in einer
Konzentration von <50 g/l, ein Chlorion in einer Konzentration von <50 mg/l, oder
ein Bromion in einer Konzentration von <0,1 g/l vorhanden ist; die Ätzge
schwindigkeit wird beträchtlich herabgesetzt. Der Zusatz der Halogenide zum
erfindungsgemäßen flüssigen Ätzmittel wird deshalb durchgeführt, um sicherzustel
len, daß die Konzentrationen des Fluorions, Chlorions bzw. Bromions 50 g/l, oder
kleiner - wünschenswerter 25 g/l oder kleiner -, 50 mg/l oder kleiner - wünschens
werter 20 mg/l oder kleiner - bzw. 0,1 g/l oder kleiner - wünschenswerter 0,05 g/l
oder kleiner - sind.
Neben den Tetrazolen und 1,2,3-Azolen kann die Hilfskomponente andere Azole
umfassen, was beispielsweise zu einer Kombination von mehreren Tetrazolen, einer
Kombination von Tetrazol mit Triazol, einer Kombination von mehreren 1,2,3-
Azolen, einer Kombination von 1,2,3-Azolen mit anderen Azolen und dgl. führen
kann. Die erste Kombination kann repräsentiert werden durch eine Kombination aus
5-Aminotetrazol mit 5-Methyltetrazol oder dgl. Die zweite Kombination kann
repräsentiert werden durch eine Kombination aus 5-Aminotetrazol mit Benzotriazol
oder Tolyltriazol oder dgl.
Ohne den Wunsch einer Beschränkung des vorstehend beschriebenen erfindungs
gemäßen flüssigen Ätzmittels durch eine spezielle Theorie wird davon ausgegan
gen, daß es die folgende Wirkung zeigt:
Das wie beschrieben aufgebaute flüssige Ätzmittel der Erfindung erlaubt es dem
Tetrazol oder dem 1,2,3-Azol, als Hilfskomponente zu fungieren, wobei beim
Eintauchen des Kupfers in das flüssige Ätzmittel auf der Oberfläche des Kupfers
eine elektronenübertragende Trägerschicht gebildet wird. Durch das flüssige
Ätzmittel können auch Kupferionen selektiv aus den auf der Kupferoberfläche
gebildeten Kristallfehlstellen in das flüssige Ätzmittel eluiert werden, was dazu
führt, daß Elektronen im flüssigen Ätzmittel entladen werden. Die so entladenen
Elektronen werden durch die Trägerschicht an das Peroxid weitergeleitet, so daß
an der Grenzschicht der Trägerschicht, die dem flüssigen Ätzmittel gegenübersteht,
das Peroxid reduziert wird und sich Wasser bildet. Dadurch kann sich an beiden
Seiten der Trägerschicht ein Konzentrationsgradient des Kupferions ausbilden,
wobei die Konzentration an der Seite der Trägerschicht, die dem Kupfer gegenüber
steht, erhöht und auf der Seite, die dem flüssigen Ätzmittel gegenübersteht,
erniedrigt ist. Dies führt dazu, daß die Wirkung der lokalen Zelle erhöht wird, so daß
Kupfer selektiv aus dem tiefsten Teil der Kupferoberfläche eluiert wird, wo die
Kupferionenkonzentration am größten ist, so daß sich dadurch auf der Kupferober
fläche Unregelmäßigkeiten bilden können.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben
sich aus der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen
zusammen mit den Zeichnungen; es zeigen:
Fig. 1: eine schematische Ansicht, die durch eine Ausführungsform
des erfindungsgemäßen flüssigen Ätzmittels den Ätzmecha
nismus darstellt;
Fig. 2: ein Flußdiagramm, welches die Fertigungsschritte bei der
Herstellung einer Leiterplatte mit dem flüssigen Ätzmittel
zeigt;
Fig. 3: ein Flußdiagramm bei einer anderen Fertigung einer Leiter
platte, wobei das flüssige Ätzmittel zweimal eingesetzt wird;
Fig. 4: eine graphische Darstellung des Verhaltens der Ätzge
schwindigkeit eines gemäß Beispiel 1 hergestellten erfin
dungsgemäßen flüssigen Ätzmittels im Hinblick auf die
Chlorionenkonzentration bei Vergleich des Verhaltens mit
dem eines beim Vergleichsbeispiel erhaltenen flüssigen
Ätzmittels;
Fig. 5: eine graphische Darstellung des Verhaltens der Ätzge
schwindigkeit des beim Vergleichsbeispiel erhaltenen
flüssigen Ätzmittels im Hinblick auf die Chloridionenkonzen
tration; und
Fig. 6 bis 28: Rasterelektronenmikroskopaufnahmen (REM) mit 2000facher
Vergrößerung, die die jeweilige Oberfläche von Lamina
ten aus Kupferplattierungen zeigt, die mit dem bei den
Beispielen 1 bis 23 hergestellten erfindungsgemäßen
flüssigen Ätzmittel geätzt wurden.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
näher beschrieben.
Fig. 1 zeigt schematisch das Untertauchen oder Eintauchen von Kupfer in eine
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen flüssigen Ätzmittels. Das flüssige
Ätzmittel der dargestellten Ausführungsform wird hergestellt durch Mischen von
Schwefelsäure (H2SO4), die als Oxosäure wirkt, Wasserstoffperoxid (H2O2), welches
als Peroxid wirkt, und von 5-Aminotetrazol, welches als Tetrazol für die Hilfskom
ponente wirkt.
Das flüssige Ätzmittel enthält 5-Aminotetrazol, damit das Ätzen von Kupfer ohne
Halogenid durchgeführt werden kann, so daß die Ätzgeschwindigkeit stabil bei
einem Wert von etwa 1 µm/min oder größer bleibt, ohne von einer Chlorionenkon
zentration beeinträchtigt zu werden, wie es in Fig. 4 gezeigt ist. Dadurch erreicht
man das Ätzen in kürzerer Zeit und das Ausbilden von Kupfer darauf, welches eine
aufgerauhte Oberfläche mit besserer Säurebeständigkeit hat.
Der Ätzmechanismus der Kupferoberfläche durch das flüssige Ätzmittel wird wie
folgt angenommen.
Wie insbesondere in Fig. 1 gezeigt ist, kann 5-Aminotetrazol beim Eintauchen von
Kupfer Cu in das flüssige Ätzmittel E auf der Oberfläche von Kupfer Cu eine
Trägerschicht L ausbilden. Daneben wird Schwefelsäure (H2SO4) durch das
Wasserstoffperoxid (H2O2) im flüssigen Ätzmittel E oxidiert, was zur Bildung von
Peroxomonoschwefelsäure (H2SO5) gemäß der folgenden Reaktionsgleichung (1)
führt:
H2SO4 + H2O2 → H2SO5 + H2O (1)
Gemäß Reaktionsgleichung (2) verursacht Kupfer Cu das selektive Eluieren von
Kupferionen aus einer Anzahl von auf dessen Oberfläche gebildeter oder vorhande
ner Kristallfehlstellen in das flüssige Ätzmittel E, was zur Abgabe von Elektronen
führt, die dann durch die Trägerschicht L der Peroxomonoschwefelsäure zugeführt
werden.
Cu → Cu2+ + 2e⁻ (2)
Dies führt zur Reduktion der Peroxomonoschwefelsäure gemäß folgender
Reaktionsgleichung (3):
H2SO5 + 2e- → SO4 2- + H2O (3)
Dies führt dazu, daß an der Grenzschicht zwischen der Trägerschicht L und dem
flüssigen Ätzmittel E Wasser gebildet wird. Die Trägerschicht L hält damit die
Oberfläche des Kupfers Cu in statischer Hinsicht stabil und fungiert als Über
tragungsschicht für die Elektronen, so daß die direkte Reaktion zwischen Kupfer Cu
und Peroxomonoschwefelsäure reguliert werden kann.
Das so an der Grenzschicht zwischen der Trägerschicht L und dem flüssigen
Ätzmittel E gebildete Wasser führt in der Trägerschicht L zur Bildung eines
Konzentrationsgradienten der Kupferionen, wobei die Konzentration in der Nähe des
Kupfers Cu erhöht und in der Nähe des flüssigen Ätzmittels E erniedrigt ist.
Daneben wird der Fluß des flüssigen Ätzmittels E im tiefsten Teil einer jeden
Kristallfehlstelle minimiert, so daß die Wirkung einer lokalen Zelle im tiefsten Teil
A der Kristallfehlstelle erhöht wird, um das Ätzen von Kupfer Cu im tiefsten Teil A
zu unterstützen, was dazu führt, daß auf der Oberfläche des Kupfers Cu Unregel
mäßigkeiten mit größerer Tiefe gebildet werden, d. h. die Oberfläche des Kupfers
Cu aufgerauht wird.
Nachfolgend wird eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen flüssigen
Ätzmittels beschrieben, die hergestellt wird durch Mischen von Schwefelsäure
(H2SO4), die als Oxosäure wirkt, Wasserstoffperoxid (H2O2), welches als Peroxid
wirkt und 1,2,3-Azol, welches als Hilfskomponente wirkt.
Wie oben beschrieben, enthält das flüssige Ätzmittel dieser Ausführungsform
1,2,3-Azol, damit das Ätzen von Kupfer ohne Einsatz eines Halogenids durch
geführt werden kann, so daß die Ätzgeschwindigkeit stabil bei einem Wert von bis
zu etwa 3 µm/min oder größer gehalten werden kann. Damit kann das Ätzen in
kürzerer Zeit erreicht werden, und das darauf gebildete Kupfer hat eine aufgerauhte
Oberfläche mit besserer Säurebeständigkeit. Es wird davon ausgegangen, daß das
Ätzen im wesentlichen auf die gleiche Art durchgeführt wird, wie es im Zu
sammenhang mit Fig. 1 beschrieben wurde.
Nachfolgend wird die Herstellung einer Leiterplatte unter Verwendung der
vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen flüssigen Ätzmittel beschrieben,
wobei beispielhaft auf Fig. 2 Bezug genommen wird.
Bei der in Fig. 2 gezeigten Herstellung der Leiterplatte wird ein inneres Schicht
material hergestellt durch Laminieren einer Kupferfolie auf eine Oberfläche einer
Harzplatte, die aus Epoxyharz oder dgl. hergestellt ist. Vor der Bildung der
Schaltung unterwirft man das so gebildete innere Schichtmaterial einer Vor
behandlung, einem Arbeitsgang zum Herstellen des Schaltmusters wie Patterning
und dgl., einem Arbeitsgang zum Auflaminieren eines äußeren Schichtmaterials,
einem Arbeitsgang zur Bildung der Durchgangslöcher (nicht dargestellt) und dgl.,
wodurch man die Leiterplatte erhält. Bei der vor dem Herstellen des Schaltmusters
durchgeführten Vorbehandlung wird das innere Schichtmaterial einer Reihe von
Behandlungsschritten unterworfen, wie z. B. nacheinander alkalischen Entfetten,
Waschen mit Wasser, saurem Entfetten, Waschen mit Wasser, Vortauchen, Ätzen,
Waschen mit Wasser, Waschen mit Säuren, Waschen mit Wasser, Rostverhinde
rung, Waschen mit Wasser und Trocknen. Es sind nicht notwendigerweise alle
Behandlungsschritte vom alkalischen Entfetten bis zum Vortauchen und von der
Rostverhinderung bis zum nachfolgenden Waschen mit Wasser erforderlich; sie
werden nach Bedarf durchgeführt, wobei dies von den Oberflächenbedingungen des
zu ätzenden Kupfers abhängt.
Bei der dargestellten Ausführungsform werden der Arbeitsgang der Schaltungsher
stellung, des Laminierens und der Bildung der Durchgangslöcher so durchgeführt,
wie es im Stand der Technik genügend bekannt ist. Ebenfalls können das alkalische
Entfetten, das saure Entfetten, das Vortauchen, das Waschen mit Säure, das
Rostverhindern und das Trocknen, die bei der Vorbehandlung durchgeführt werden,
ebenfalls so durchgeführt werden, wie es im Stand der Technik genügend bekannt
ist.
Für die Ätzbehandlung, die im Zuge der Vorbehandlung vor der Herstellung des
Schaltmusters erfolgt, kann verwendet werden entweder das flüssige Ätzmittel,
welches man erhält durch Mischen von Schwefelsäure (H2SO4) als Oxosäure,
Wasserstoffperoxid (H2O2) als Peroxid und 5-Aminotetrazol als Tetrazol für die
Hilfskomponente, oder das flüssige Ätzmittel, welches man erhält durch Mischen
von Schwefelsäure (H2SO4) als Oxosäure, Wasserstoffperoxid (H2O2) als Peroxid
und 1,2,3-Azol als Hilfskomponente, wobei das innere Schichtmaterial in dieses
flüssige Ätzmittel eingetaucht wird, was dazu führt, daß die Kupferfolie des inneren
Schichtmaterials geätzt wird.
Das mit dem vorstehend beschriebenen flüssigen Ätzmittel durchgeführte Ätzen
führt dazu, daß die Kupferfolie mit einer aufgerauhten Oberfläche gebildet wird,
deren Unregelmäßigkeiten vertieft sind und die säureunlöslich ist. Dadurch kann
beim anschließenden Laminieren das aus einem Harz oder dgl. hergestellte äußere
Schichtmaterial fest an dem Muster aus Kupferleiterbahnen verbunden werden.
Daneben verhindert dies beim Elektroplattieren nach der Bildung der Durchgangs
löchern in wirksamer Weise die Bildung von Kupferoxid und dgl. wie auch die
Bildung von Fehlern, die als rosafarbener Ring bezeichnet werden. Weiterhin ist das
flüssige Ätzmittel frei von Halogenionen, so daß eine Verminderung der Ätzge
schwindigkeit aufgrund von Halogenionen nicht erfolgt, was dazu führt, daß die
aufgerauhte Oberfläche in kurzer Zeit hergestellt werden kann.
Wie vorstehend beschrieben wurde, ist die erläuterte Ausführungsform so angelegt,
daß Halogenionen nicht erforderlich sind. Daneben ist die erläuterte Ausführungs
form so angelegt, daß das Ätzen mit einem flüssigen Ätzmittel durchgeführt wird,
dessen Ätzgeschwindigkeit durch die Halogenionenkonzentration nicht beeinflußt
wird, was dazu führt, daß die Kupferfolie mit einer säureunlöslichen aufgerauhten
Oberfläche gebildet wird. Damit erhält man bei der Herstellung der Leiterplatte die
aufgerauhte Oberfläche in kurzer Zeit. Die erläuterte Ausführungsform beseitigt
auch die Notwendigkeit von Behandlungsschritten wie beispielsweise Weichätzen
und dgl. und vermindert dadurch die Zeit, die für die Herstellung der Leiterplatte
erforderlich ist, sowie die Anzahl der Arbeitsgänge, so daß die Leiterplatte, bei der
das Schaltmuster aus Kupferleiterbahnen und das aus Harz oder dgl. hergestellte
äußere Schichtmaterial fest miteinander verbunden sind, mit verbesserter
Effektivität hergestellt werden kann.
Die Leiterplatte kann hergestellt werden, indem man eine der vorstehend
beschriebenen erfindungsgemäßen flüssigen Ätzmittel zweimal einsetzt oder das
Ätzen mit dem flüssigen Ätzmittel zweimal durchführt, wie es in Fig. 3 gezeigt ist.
Insbesondere - wie in Fig. 3 gezeigt - wird das erste Ätzen durchgeführt, indem
man eine der oben beschriebenen flüssigen Ätzmittel vor dem Aufkleben eines
trockenen Films einsetzt, damit die Oberfläche der Kupferfolie aufgerauht wird
(erstes Ätzen). Das erste Ätzen wird so durchgeführt, daß die aufgerauhte
Oberfläche mit Unregelmäßigkeiten gebildet wird, die eine Tiefe zwischen 0,25 und
2 µm haben. Dann wird der trockene Film auf die aufgerauhte Oberfläche der
Kupferfolie auflaminiert (Auflaminieren des trockenen Films). Durch das Laminieren
kann man den trockenen Film fest mit der Oberfläche der Kupferfolie verbinden,
weil die Oberfläche wirksam aufgerauht ist.
Dann werden Arbeitsgänge durchgeführt, bei denen belichtet/entwickelt und das
Schaltmuster hergestellt wird. Wenn das Schaltmuster durch Plattieren hergestellt
wird, wird alternativ zwischen dem Belichten/Entwickeln und dem Herstellen des
Schaltmusters ein Arbeitsgang des Plattierens durchgeführt, der zur Bildung der
Kupferleiterbahnen führt. Dann wird das zweite Ätzen durchgeführt, wobei eine der
vorstehend beschriebenen flüssigen Ätzmittel eingesetzt werden, was dazu führt,
daß die Oberfläche der Kupferleiterbahnen mit einer Tiefe zwischen 1 und 3 µm
geätzt werden. Beim ersten und zweiten Ätzen wird jeweils eine der obigen
flüssigen Ätzmittel eingesetzt, womit es in kurzer Zeit durchgeführt werden kann,
ohne daß das Vorhandensein von Chlor eine Rolle spielt. Das zweimal durch
geführte Ätzen versieht die Oberfläche der Kupferleiterbahnen bevorzugt mit
Unregelmäßigkeiten mit einer Tiefe von insgesamt 2 bis 5 µm.
Dann wird auf die Oberfläche der Kupferleiterbahnen ein aus Harz hergestelltes
äußeres Schichtmaterial auflaminiert (Laminieren), wie bei dem in Fig. 2 gezeigten
Verfahren. Das vorstehend beschriebene Aufrauhen der Oberfläche der Kupferleiter
bahnen gestattet es, das äußere Schichtmaterial sicher mit den Kupferleiterbahnen
zu verbinden.
Wie der vorausgegangenen Beschreibung entnommen werden kann, zeigt das
erfindungsgemäße flüssige Ätzmittel eine höhere Ätzgeschwindigkeit, ohne daß
Halogenide eingesetzt werden und ohne daß sie im wesentlichen Umfang durch die
Konzentration von Halogen beeinträchtigt wird, weil als Hilfskomponente Tetrazol
oder 1,2,3-Azol verwendet wird, so daß darauf Kupfer mit einer aufgerauhten
Oberfläche erhalten werden kann, die eine bessere Säurebeständigkeit hat. Eine
solche aufgerauhte Oberfläche aus Kupfer stellt beim Herstellen einer Leiterplatte
eine feste Bindung zwischen den Kupferleiterbahnen oder dgl. und einem aus Harz
oder dgl. hergestellten äußeren Schichtmaterial sicher und gestattet eine äußerst
einfache Herstellung.
Die nachfolgenden Beispiele dienen zum weiteren Verständnis der Erfindung; die
Beispiele dienen jedoch nur zum Erläutern der Erfindung und sind nicht als
Beschränkung des Schutzbereichs der Erfindung aufzufassen.
Ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten
Epoxyharz hergestellt war, wurde zum Ätzen 3 Minuten lang in eine flüssige
Ätzlösung oder flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 1 gezeigt ist, so daß
die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige
Ätzmittel zeigt Eigenschaften, die es erlauben, daß seine Ätzgeschwindigkeit im
Hinblick auf die Konzentration von Chlorionen stabilisiert werden kann, wie es in
Fig. 4 gezeigt ist, oder die es erlauben, daß die Ätzgeschwindigkeit unabhängig von
einer Variation der Konzentration der Chlorionen konstant gehalten werden kann.
Die Ätzgeschwindigkeit hat einen Wert von etwa 1 µm/min oder größer. Bei Beispiel
1 wurde die Konzentration von Wasserstoffperoxid auf 40 g/l, eingestellt, so daß
die Ätzgeschwindigkeit den Wert annahm, der in Fig. 4 für eine Konzentration von
Wasserstoffperoxid von 80 g/l, angegeben ist.
H2O2 | 40 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
5-Aminotetrazol | 4 g/l |
Die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats wurde mit einem Rasterelek
tronenmikroskop (REM) betrachtet. Als Ergebnis wurde gefunden, daß die
Kupferoberfläche darauf mit nadelförmigen Erhebungen ausgebildet ist, wie es in
Fig. 6 gezeigt ist. Für Beispiel 1 und das Vergleichsbeispiel wurde die für das Ätzen
benötigte Zeit verglichen, wobei sich beim Vergleichsbeispiel eine Ätzgeschwindig
keit von nur etwa 0,5 µm/min ergab, wogegen Beispiel 1 ein stabiler Wert von
immerhin 1 µm erreicht wurde. Deshalb wurde gefunden, daß Beispiel 1 die für das
Ätzen benötigte Zeit beachtlich herabsetzt.
Ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten
Epoxyharz hergestellt war, wurde einer Behandlung ähnlich der unterworfen, die
vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Dabei wurde das Laminat zum Ätzen
3 Minuten lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 2 gezeigt ist,
so daß die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei
dem in Fig. 2 gezeigten flüssigen Ätzmittel wurde die in Tabelle 1 angegebene
Schwefelsäure (H2SO4) durch Perchlorsäure (HClO4) ersetzt. Außerdem wurde dem
flüssigen Ätzmittel Benzotriazol zugesetzt. Bei Beispiel 2 zeigt das flüssige Ätzmittel
eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die in Fig. 4 für
Beispiel 1 angegeben ist. Die Untersuchung der Oberfläche des Kupfers mit einem
REM zeigte, daß diese mit Erhebungen ausgebildet wird, wie es in Fig. 7 gezeigt ist,
was dazu führt, daß die Oberfläche wirksam aufgerauht ist.
H2O2 | 40 g/l |
HClO4 | 150 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 4 g/l |
Ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten
Epoxyharz hergestellt war, wurde einer Behandlung ähnlich der unterworfen, die
vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Dabei wurde das Laminat zum Ätzen
3 Minuten lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 3 gezeigt ist,
so daß die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei
dem in Tabelle 3 angegebenen flüssigen Ätzmittel wurde Phosphorsäure als
Oxosäure eingesetzt. Bei Beispiel 3 zeigt das flüssige Ätzmittel eine Ätzge
schwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die in Fig. 4 für Beispiel 1
angegeben ist. Die Untersuchung der Oberfläche des Kupfers durch ein REM ergab,
daß sie mit den in Fig. 8 gezeigten Vorstößen ausgebildet ist, was dazu führt, daß
die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht ist.
H2O2 | 40 g/l |
H3PO4 | 150 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 4 g/l |
Ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten
Epoxyharz hergestellt war, wurde einer Behandlung ähnlich der unterworfen, die
vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Dabei wurde das Laminat 3 Minuten
lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 4 gezeigt ist und bei dem
als Derivat der Oxosäure 2-Hydroxyethan-1-sulfonsäure verwendet wurde, so daß
die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei Beispiel
4 zeigt das flüssige Ätzmittel eine Ätzgeschwindigkeit, die ein ähnliches Verhalten
aufweist wie die des flüssigen Ätzmittels, welches in Beispiel 1 verwendet und in
Fig. 4 gezeigt ist. Die Untersuchung der Oberfläche des Kupfers mit einem REM
ergab, daß sie mit den in Fig. 9 gezeigten Erhebungen ausgebildet wurde, was dazu
führt, daß die Oberfläche genügend aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
HOC2H4SO3H | 130 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten
Epoxyharz hergestellt war, wurde einer Behandlung ähnlich der unterworfen, die
vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Dabei wurde das Laminat 3 Minuten
lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 5 gezeigt ist und bei dem
als Derivat der Oxosäure Methansulfonsäure verwendet wurde, so daß die
Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei Beispiel 5
zeigt das flüssige Ätzmittel eine Ätzgeschwindigkeit, die etwa gleich der ist, die
vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 10 gezeigten Erhebungen
ausgebildet ist, was dazu führte, daß die Oberfläche in signifikanter Weise
aufgerauht war.
H2O2 | 40 g/l |
CH3SO3H | 100 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 8 g/l |
Wie bei den vorstehenden Beispielen beschrieben, wurde ein kupferplattiertes
Laminat 3 Minuten lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 6
gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht
wurde. Bei Beispiel 6 zeigt das flüssige Ätzmittel, bei dem als Oxosäure Salpeter
säure eingesetzt wurde, eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der
ist, die vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Die Untersuchung der
Oberfläche des Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 11 gezeigten
Erhebungen gebildet wurde, was dazu führt, daß die Oberfläche zufriedenstellend
aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
HNO3 | 50 g/l |
5-Aminotetrazol | 4 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Wie bei den vorstehenden Beispielen beschrieben, wurde ein kupferplattiertes
Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten Epoxyharz hergestellt
war, 3 Minuten lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 7 gezeigt
ist, so daß die Kupferoberfläche des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde.
Bei Beispiel 7 zeigt das flüssige Ätzmittel, bei dem als Oxosäure Schwefelsäure, als
Peroxid Wasserstoffperoxid, als Azol 5-Aminotetrazol und als Halogenid Natrium
chlorid verwendet werden, eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der
ist, die vorstehend für Beispiel 1 beschrieben wurde. Die Untersuchung der
Oberfläche des Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 12 gezeigten
Erhebungen ausgebildet war, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend
aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Natriumchlorid (Cl) | 16 (10) mg/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen be
schrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz hergestellt war, 3 Minuten lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 8 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche des
kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 8 wurden als Oxosäure Schwefelsäure, als Peroxid Wasserstoffperoxid und
als Azol 5-Aminotetrazol und Benzotriazol verwendet. Das flüssige Ätzmittel zeigte
eine Ätzgeschwindigkeit mit einem Verhalten ähnlich dem in Fig. 4 gezeigten, was
dazu führte, daß das Aufrauhen der Oberfläche in kurzer Zeit durchgeführt werden
konnte. Die Untersuchung der Oberfläche des Kupfers mit einem REM ergab, daß
sie mit den in Fig. 13 gezeigten Erhebungen gebildet wird, was dazu führte, daß die
Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 4 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 3 Minuten lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 9 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche des
kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 9 wurden als Oxosäure Schwefelsäure, als Peroxid Wasserstoffperoxid und
als Azol 5-Aminotetrazol und Tolyltriazol verwendet. Das flüssige Ätzmittel zeigt
eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die vorstehend für
Beispiel 1 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit
einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 14 gezeigten Vorstößen gebildet wird,
das dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Tolyltriazol | 2 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 3 Minuten lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 10 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 10 wurden als Oxosäure Schwefelsäure, als Peroxid Wasserstoffperoxid
und als Azol 5-Aminotetrazol und 3-Aminotriazol verwendet. Das flüssige Ätzmittel
zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die vorstehend
für Beispiel 1 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit
einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 15 gezeigten Vorstößen gebildet wird,
was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
3-Aminotriazol | 1 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz hergestellt war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 11 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 11 wurden als Oxosäure Schwefelsäure, als Peroxid Wasserstoffperoxid
und als Azol eine Kombination von 5-Aminotetrazol und Benzotriazol verwendet.
Die Untersuchung der Oberfläche des Kupfers mit einem REM zeigte, daß sie mit
den in Fig. 16 gezeigten feinen nadelförmigen oder nadelartigen Erhebungen
gebildet wurde, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde. Bezüglich der für das Ätzen benötigten Zeit wurde ein Vergleich zwischen
Beispiel 11 und dem Vergleichsbeispiel durchgeführt. Als Ergebnis wurde gefunden,
daß das Vergleichsbeispiel eine Ätzgeschwindigkeit von nur etwa 0,5 µm/min
ergab, wogegen Beispiel 11 eine stabile Ätzgeschwindigkeit zeigt, die größer war
als 3 µm/min, so daß mit Beispiel 11 die Zeit erheblich verringert werden kann. Das
in Beispiel 11 eingesetzte Peroxid hatte eine Konzentration von der Hälfte der
Konzentration des Vergleichsbeispiels. Dies zeigt, daß die Ätzgeschwindigkeit in
Beispiel 11 etwa zehnmal größer (oder mehr) als die des Vergleichsbeispiels ist.
H2O2 | 40 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 12 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 12 wurden als Oxosäure 2-Hydroxyethan-1-sulfonsäure, als Peroxid
Wasserstoffperoxid und als Azol eine Kombination von 5-Aminotetrazol und
Tolyltriazol verwendet. Das flüssige Ätzmittel zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im
wesentlichen gleich der ist, die vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die
Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in
Fig. 17 gezeigten Vorstößen gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche
zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
HOC2H4SO3H | 130 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Tolyltriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 13 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 13 wurde die in Tabelle 11 angegebene Schwefelsäure durch Methansul
fonsäure ersetzt. Das flüssige Ätzmittel zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im
wesentlichen gleich der ist, die vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die
Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in
Fig. 18 gezeigten Vorstößen gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche
zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 40 g/l |
CH3SO3H | 100 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 8 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 2 Minuten lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 14 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Bei dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 14 wurden als Oxosäure Schwefelsäure und Phosphorsäure und als Azol
eine Kombination von Benzotriazol und Tetrazol verwendet. Das flüssige Ätzmittel
von Beispiel 14 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die etwa halb so groß ist wie die,
die vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche
des Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 19 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
Tetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 15 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige Ätzmittel von
Beispiel 15 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die
vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 20 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 16 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige Ätzmittel von
Beispiel 16 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die
vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 21 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Methyltetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 17 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige Ätzmittel von
Beispiel 17 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die
vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 22 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
Triazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 18 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige Ätzmittel von
Beispiel 18 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die
vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 23 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Mercaptotriazol | 1,5 g/l |
Tolyltriazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 19 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige Ätzmittel von
Beispiel 19 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die halb so groß ist wie die, die
vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 24 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
Triazol | 3 g/l |
5-Methyltetrazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 20 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Das flüssige Ätzmittel von
Beispiel 20 zeigt eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die
vorstehend für Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des
Kupfers mit einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 25 gezeigten Vorstößen
gebildet wird, was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht
wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Mercaptotriazol | 3 g/l |
5-Methyltetrazol | 6 g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 21 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 21 war als Halogen Natriumfluorid zugesetzt. Das flüssige Ätzmittel zeigte
eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die vorstehend für
Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit
einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 26 gezeigten Vorstößen gebildet wird,
was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Natriumfluorid (F) | 4,4 (2) g/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 22 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 22 war als Halogen Natriumchlorid zugesetzt. Das flüssige Ätzmittel zeigte
eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die vorstehend für
Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit
einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 27 gezeigten Vorstößen gebildet wird,
was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Methyltetrazol | 3 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Natriumchlorid (Cl) | 16 (10) mg/l |
Im wesentlichen auf die gleiche Art, wie bei den vorstehenden Beispielen
beschrieben, wurde ein kupferplattiertes Laminat, welches aus einem mit einem
Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut war, 1 Minute lang in ein flüssiges
Ätzmittel eingetaucht, das in Tabelle 23 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche
des kupferplattierten Laminats aufgerauht wurde. Dem flüssigen Ätzmittel von
Beispiel 23 war als Halogen Natriumbromid zugesetzt. Das flüssige Ätzmittel zeigte
eine Ätzgeschwindigkeit, die im wesentlichen gleich der ist, die vorstehend für
Beispiel 11 beschrieben wurde. Die Betrachtung der Oberfläche des Kupfers mit
einem REM ergab, daß sie mit den in Fig. 28 gezeigten Vorstößen gebildet wird,
was dazu führte, daß die Oberfläche zufriedenstellend aufgerauht wurde.
H2O2 | 34 g/l |
H2SO4 | 80 g/l |
H3PO4 | 20 g/l |
5-Aminotetrazol | 3 g/l |
Tolyltriazol | 6 g/l |
Natriumbromid (Br) | 0,03 (0,02) g/l |
Es wurde ein herkömmliches flüssiges Ätzmittel gemäß der in Tabelle 24
angegebenen Zusammensetzung hergestellt. Dann wurde ein kupferplattiertes
Laminat, welches aus einem mit einem Glasgewebe gefüllten Epoxyharz aufgebaut
war, 3 Minuten lang und 5 Minuten lang in ein flüssiges Ätzmittel eingetaucht, das
in Tabelle 24 gezeigt ist, so daß die Kupferoberfläche des kupferplattierten
Laminats aufgerauht wurde.
H2O2 | 80 g/l |
H2SO4 | 90 g/l |
Benzotriazol | 6 g/l |
Natriumchlorid (Cl) | 200 (120) mg/l |
Es ergab sich, daß das kupferplattierte Laminat der Beispiele 1 bis 23 und des
Vergleichsbeispiels jeweils nicht zur Entfärbung der aufgerauhten Oberfläche oder
zu deren Auflösen führte, obwohl sie nach dem Aufrauhen der Oberfläche in Chlor
wasserstoffsäure (1 : 1) eingetaucht wurde. Jedoch ergab sich beim dreiminütigen
Eintauchen des kupferplattierten Laminats in das flüssige Ätzmittel des Vergleichs
beispiels kein zufriedenstellendes Aufrauhen der Oberfläche, und die erforderliche
Eintauchzeit betrug 5 Minuten, um die Oberfläche im wesentlichen im gleichen
Ausmaß wie bei den erfindungsgemäßen Beispielen aufzurauhen. Die erfindungs
gemäßen Beispiele dagegen gestatten ein Absenken der zum zufriedenstellenden
Ätzen benötigten Zeit auf etwa die Hälfte bis zu etwa einem Fünftel der Zeit, die
beim Vergleichsbeispiel benötigt wird. Auch beträgt die bei den erfindungsgemäßen
Beispielen eingesetzte Menge an Wasserstoffperoxid die Hälfte der Menge des
Vergleichsbeispiels; es folgt daraus, daß die erfindungsgemäßen Beispiele
tatsächlich in der Lage sind, die Zeitspanne auf einen Wert von etwa einem Viertel
bis etwa einem Zehntel der Zeit abzusenken, die beim Vergleichsbeispiel erforder
lich ist.
Die Erfindung wurde vorstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen und die
Beispiele im Hinblick auf einige Besonderheiten beschrieben; im Hinblick auf die
obige technische Lehre sind jedoch offensichtliche Modifikationen und Variationen
möglich. Es versteht sich deshalb, daß die Erfindung im Bereich des Schutz
bereiches der beigefügten Patentansprüche anders durchgeführt werden kann, als
es speziell beschrieben wurde.
Claims (20)
1. Flüssiges Ätzmittel, enthaltend
eine Hauptkomponente, die mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus
der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der folgenden chemischen
Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Tetrazol.
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Tetrazol.
2. Flüssiges Ätzmittel, enthaltend
eine Hauptkomponente, die mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus
der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der folgenden chemischen
Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Azol, ausgewählt aus der Gruppe der 1,2,3-Azole mit drei oder mehr Stickstoffatomen, die aufeinand erfolgend in einem 5-gliedrigen N-Heterocyclus angeordnet sind.
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Azol, ausgewählt aus der Gruppe der 1,2,3-Azole mit drei oder mehr Stickstoffatomen, die aufeinand erfolgend in einem 5-gliedrigen N-Heterocyclus angeordnet sind.
3. Flüssiges Ätzmitt~k nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
1,2,3-Azole durch eine der folgenden chemischen Formeln wiedergegeben
werden:
und
wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe Wasserstoff-, Methyl-, Amino-, Carboxyl- und Mercaptoreste.
und
wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe Wasserstoff-, Methyl-, Amino-, Carboxyl- und Mercaptoreste.
4. Flüssiges Ätzmittel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Hilfskomponente mindestens ein Halogenid enthält,
ausgewählt aus der Gruppe der Chloride, Fluoride und Bromide.
5. Flüssiges Ätzmittel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
mindestens eine Halogenid ein Chlorid ist, welches im flüssigen Ätzmittel so
enthalten ist, daß die Chlorionenkonzentration 50 mg/l oder kleiner ist.
6. Flüssiges Ätzmittel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
mindestens eine Halogenid ein Fluorid ist, welches im flüssigen Ätzmittel so
enthalten ist, daß die Fluorionenkonzentration 50 g/l oder kleiner ist.
7. Flüssiges Ätzmittel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
mindestens eine Halogenid ein Bromid ist, welches im flüssigen Ätzmittel so
enthalten ist, daß die Bromionenkonzentration 0,1 g/l, oder kleiner ist.
8. Flüssiges Ätzmittel nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Hilfskomponente außerdem ein zweites Azol enthält.
9. Flüssiges Ätzmittel nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß m in der die Oxosäuren wiedergebenden chemischen Formel 2
oder größer ist.
10. Flüssiges Ätzmittel nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß (m + n) in der die Oxosäuren wiedergebenden chemischen
Formel 4 oder größer ist.
11. Verfahren zum Aufrauhen einer Kupferoberfläche, aufweisend den Schritt,
daß man die Kupferoberfläche mit einem flüssigen Ätzmittel ätzt, um sie mit
nadelförmigen Erhebungen zu versehen,
dadurch gekennzeichnet, daß
das flüssige Ätzmittel enthält:
eine Hauptkomponente, die mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der folgenden chemischen Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Tetrazol.
eine Hauptkomponente, die mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der folgenden chemischen Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Tetrazol.
12. Verfahren zum Aufrauhen einer Kupferoberfläche, aufweisend den Schritt,
daß man die Kupferoberfläche mit einem flüssigen Ätzmittel ätzt, um sie mit
nadelförmigen Erhebungen zu versehen,
dadurch gekennzeichnet,daß
das flüssige Ätzmittel enthält:
eine Hauptkomponente, die mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der folgenden chemischen Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Azol, ausgewählt aus der Gruppe der 1,2,3-Azole mit drei oder mehr Stickstoffatomen, die aufeinand erfolgend in einem 5-gliedrigen N-Heterocyclus angeordnet sind.
eine Hauptkomponente, die mindestens eine Säure enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Oxosäuren, die durch eine der folgenden chemischen Formeln dargestellt werden, und Derivaten davon,
XOm(OH)n und HnXO(m+n)
wobei X ein Zentralatom bedeutet, m eine ganze Zahl von 0 oder größer bedeutet und n eine ganze Zahl von 1 oder größer bedeutet, und die mindestens eine Verbindung enthält, ausgewählt aus der Gruppe der Peroxide und Derivaten davon; und
eine Hilfskomponente, enthaltend mindestens ein Azol, ausgewählt aus der Gruppe der 1,2,3-Azole mit drei oder mehr Stickstoffatomen, die aufeinand erfolgend in einem 5-gliedrigen N-Heterocyclus angeordnet sind.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die 1,2,3-Azole
durch eine der folgenden chemischen Formeln wiedergegeben werden:
und
wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe Wasserstoff-, Methyl-, Amino-, Carboxyl- und Mercaptoreste.
und
wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe Wasserstoff-, Methyl-, Amino-, Carboxyl- und Mercaptoreste.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß
die Hilfskomponente mindestens ein Halogenid enthält, ausgewählt aus der
Gruppe der Chloride, Fluoride und Bromide.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens
eine Halogenid ein Chlorid ist, welches im flüssigen Ätzmittel so enthalten ist,
daß die Chlorionenkonzentration 50 mg/l oder kleiner ist.
16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens
eine Halogenid ein Fluorid ist, welches im flüssigen Ätzmittel so enthalten ist,
daß die Fluorionenkonzentration 50 g/l oder kleiner ist.
17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das mindestens
eine Halogenid ein Bromid ist, welches im flüssigen Ätzmittel so enthalten ist,
daß die Bromionenkonzentration 0,1 g/l, oder kleiner ist.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß
die Hilfskomponente außerdem ein zweites Azol enthält.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß
m in der die Oxosäuren wiedergebenden chemischen Formel 2 oder größer ist.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß
(m + n) in der die Oxosäuren wiedergebenden chemischen Formel 4 oder
größer ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16013698 | 1998-06-09 | ||
JP11096194A JP2000064067A (ja) | 1998-06-09 | 1999-04-02 | エッチング液および銅表面の粗化処理方法 |
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---|---|
DE19926117A1 true DE19926117A1 (de) | 1999-12-16 |
Family
ID=26437402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19926117A Ceased DE19926117A1 (de) | 1998-06-09 | 1999-06-08 | Flüssiges Ätzmittel und Verfahren zum Aufrauhen von Kupferoberflächen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6666987B1 (de) |
JP (1) | JP2000064067A (de) |
KR (1) | KR100463696B1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |