DE10165046B4 - Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte unter Anwendung einer Zusammensetzung zum Mikroätzen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte unter Anwendung einer Zusammensetzung zum Mikroätzen Download PDFInfo
- Publication number
- DE10165046B4 DE10165046B4 DE10165046A DE10165046A DE10165046B4 DE 10165046 B4 DE10165046 B4 DE 10165046B4 DE 10165046 A DE10165046 A DE 10165046A DE 10165046 A DE10165046 A DE 10165046A DE 10165046 B4 DE10165046 B4 DE 10165046B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- acid
- copper
- phenyltetrazole
- concentration
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 50
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 66
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims abstract description 5
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 claims abstract description 4
- CHZLVSBMXZSPNN-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C(C)=C1 CHZLVSBMXZSPNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 2-[[6-[4-(2-hydroxyethyl)piperazin-1-yl]-2-methylpyrimidin-4-yl]amino]-n-(2-methyl-6-sulfanylphenyl)-1,3-thiazole-5-carboxamide;hydrate Chemical compound O.C=1C(N2CCN(CCO)CC2)=NC(C)=NC=1NC(S1)=NC=C1C(=O)NC1=C(C)C=CC=C1S WXHLLJAMBQLULT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1S(O)(=O)=O BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- ONMOULMPIIOVTQ-UHFFFAOYSA-N 98-47-5 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 ONMOULMPIIOVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 claims abstract description 4
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 claims abstract description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- IYPXPGSELZFFMI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyltetrazole Chemical group C1=NN=NN1C1=CC=CC=C1 IYPXPGSELZFFMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- -1 azole compound Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077239 chlorous acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
Abstract
Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte, umfassend: Mikroätzen einer Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung durch in Kontakt bringen der Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer wässerigen Lösung, umfassend einen Hauptbestandteil und einen Hilfsbestandteil, wobei der Hauptbestandteil als wirksame Verbindung Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid und der Hilfsbestandteil als wirksame Verbindung ein Phenyltetrazol, eine Chloridionenquelle und eine oder mehrere Verbindungen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Benzolsulfonsäure, Toluolsulfonsäure, m-Xylolsulfonsäure, Phenolsulfonsäure, Cresolsulfonsäure, Sulfosalicylsäure, m-Nitrobenzolsulfonsäure und p-Aminobenzolsulfonsäure enthält, wodurch die Oberfläche bis zu einem Ätzausmaß von 0,5–3 µm aufgerauht wird, und Laminieren isolierender Harzschichten.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schaltungsplatten und Ähnlichem unter Anwendung einer Zusammensetzung zum Mikroätzen.
- Eine mehrschichtige Schaltungsplatte ist eine laminierte Platte mit mehreren leitenden Schichten, die jeweils durch eine isolierende Schicht voneinander getrennt sind.
- Durchgehende Löcher, deren Innenseite mit Kupfer plattiert ist, werden durch die mehrschichtige Schaltungsplatte hindurch gebildet. Die leitenden Schichten in der mehrschichtigen Schaltungsplatte sind elektrisch durch die durchgehenden Löcher verbunden.
- Die leitenden Schichten sind aus Kupfer und die isolierenden Schichten aus einem Harz hergestellt. Sowohl das Kupfer als auch die Harze weisen eine dürftige Adhäsion auf. Um die Adhäsion des Kupfers an den Harzen zu verbessern, wird die Oberfläche des Kupfers mit einer stark alkalischen wässrigen Lösung bei einer hohen Temperatur behandelt, um feines nadelartiges Kupferoxid auf der Oberfläche des Kupfers zu erzeugen. Diese Behandlung wird als ”Oxid-Behandlung” bezeichnet.
- Das auf der Kupferoberfläche gebildete nadelartige Kupferoxid wird jedoch leicht in einer sauren Plattierungslösung gelöst, die bei dem Plattierungs-Verfahren für die durch-gehenden Löcher benutzt wird. Die Erscheinung der Kupferoxid-Auflösung wird als ”Lichthofbildung” (”haloing”) bezeichnet. Darüber hinaus weist die Oxid-Behandlung nicht nur eine dürftige Leistungsfähigkeit auf, sondern erfordert außerdem eine lange Zeit. Um diese Probleme zu überwinden, wurde ein Verfahren zum Reduzieren des nadelartigen Kupferoxids zu Kupfer unter Beibehaltung der nadelartigen Konfiguration benutzt, durch des die Oberfläche in einer sauren Plattierungs-Lösung weniger löslich gemacht wurde. Dieses Verfahren ist jedoch wegen einer großen Anzahl von Verfahrensstufen nicht bevorzugt.
- Als ein Verfahren mit einer geringeren Anzahl von Verfahrensstufen und einer besseren Produktivität wurde ein Verfahren zum Verbessern der Haftung von Kupfer an einem Harz durch Aufrauhen der Kupfer-Oberfläche unter Benutzung einer Mikroätz-Zusammensetzung untersucht, die Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid als einen Hauptbestandteil umfasst.
- So beschreibt, z. B., die
JP-PS 2740768 B2 JP 10-96088/AA JP 11-21517/AA JP 11-29883/AA JP 11-315381/AA JP 11-140669/AA - Das Verfahren zum Benutzen dieser Mikroätz-Zusammensetzungen hat jedoch auch Nachteile, wie eine ungenügende Haftung an Harzen und die Produktion einer braunen oder schwarzen Abscheidung während der Kupfer-Behandlung mit diesen Zusammensetzungen. Eine weitere Verbesserung dieser Zusammensetzungen zum Mikroätzen und damit zur Herstellung von Schaltungsplatten war erwünscht.
- Die
US 5 800 859 A beschreibt die Kupferbeschichtung von Schaltplatten. Dazu wird die Metalloberfläche zur Adhäsionsverbesserung mit einem Mikroätzmittel behandelt. Das Ätzmittel enthält Schwefelsäure, Wasserstoffperoxid, ein Tetrazol, eine Chloridionenquelle und ein Sulfonat. - Aus der
EP 0 890 660 A1 ist ein Mittel zum Mikroätzen von Kupfer und Kupferlegierungen bekannt, das eine wässrige Lösung aus 1–50 Gew.-% Schwefelsäure, 0,1–20 Gew.-% Wasserstoffperoxid und 0,0001–3 Gew.-% Tetrazol und/oder Tetrazolderivate umfasst. Es können Wasserstoffperoxid stabilisierende Additive, wie Sulfonsäure oder Methanol, zugesetzt werden. - Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zum Herstellen von Schaltungsplatten anzugeben, bei dem durch die Anwendung einer verbesserten Zusammensetzung zum Mikroätzen die Haftung zwischen Kupfer bzw. Kupferlegierung und Harz verbessert wird.
- Als ein Ergebnis ausgedehnter Untersuchungen haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung festgestellt, dass die Oberflächen von Kupfer und Kupferlegierungen genügend aufgerauht werden können, ohne eine braune oder schwarze Abscheidung zu erzeugen, wenn solche Oberflächen kontinuierlich unter Einsatz einer Zusammensetzung zum Mikroätzen behandelt werden, die Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid sowie einen unterstützenden Bestandteil mit einer neuen Kombination enthält.
- Spezifisch wird die obige Aufgabe der vorliegenden Erfindung durch ein Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte gelöst, welches des Mikroätzen einer Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung durch in Kontakt bringen der Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer wässrigen Lösung, umfassend einen Hauptbestandteil und einen Hilfsbestandteil, wobei der Hauptbestandteil als wirksame Verbindung Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid und der Hilfsbestandteil als wirksame Verbindung ein Phenyltetrazol, eine Chloridionenquelle und eine oder mehrere Verbindungen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Benzolsulfonsäure, Toluolsulfonsäure, m-Xylolsulfonsäure, Phenolsulfonsäure, Cresolsulfonsäure, Sulfosalicylsäure, m-Nitrobenzolsulfonsäure und p-Aminobenzolfulfonsäure enthält, wodurch die Oberfläche bis zu einem Ätzausmaß von 0,5–3 µm aufgerauht wird, und Laminieren isolierender Harzschichten umfasst. Eine solche wässrige Lösung wird im Folgenden als ”Zusammensetzung zum Mikroätzen” bzw. ”Mikroätz-Zusammensetzung” bezeichnet.
- In der obigen Mikroätz-Zusammensetzung beträgt die Konzentration an Schwefelsäure vorzugsweise 60–220 g/l.
- In der obigen Mikroätz-Zusammensetzung beträgt die Konzentration an Wasserstoffperoxid vorzugsweise 5–70 g/l.
- In der obigen Mikroätz-Zusammensetzung sind bevorzugte Beispiele des Phenyltetrazols 1-Phenyltetrazol oder 5-Phenyltetrazol.
- In der obigen Mikroätz-Zusammensetzung beträgt die Konzentration des Phenyltetrazols vorzugsweise 0,01–0,4 g/l.
- In der obigen Mikroätz-Zusammensetzung ist die Chloridionen-Quelle eine oder mehrere Verbindungen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Natriumchlorid, Kaliumchlorid, Ammonium-chlorid und Chlorwasserstoffsäure.
- In der obigen Mikroätz-Zusammensetzung beträgt die Konzentration der Chloridionen-Quelle vorzugsweise 1–60 ppm.
- Die wässrige Lösung umfasst weitere Additive, wie Entschäumungsmittel und oberflächenaktive Mittel.
- Andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung deutlicher.
- Obwohl die Konzentration der Schwefelsäure in der Mikroätz-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung gemäß der Ätzrate und der Löslichkeit von Kupfer in der Ätzlösung geeignet eingestellt wird, beträgt eine solche Konzentration gewöhnlich 60–220 g/l und vorzugsweise 90–220 g/l. Ist die Konzentration geringer als 60 g/l, dann wird die Ätzrate langsam. Beträgt die Konzentration mehr als 220 g/l, dann ist nicht nur keine Zunahme entsprechend der Zunahme der Konzentration ersichtlich, sondern es neigen Kupfersulfat-Kristalle zur Abscheidung.
- Obwohl die Konzentration des Wasserstoffperoxids in der Mikroätz-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung gemäß der Ätzrate und der erwünschten Fähigkeit zum Aufrauhen der Oberfläche geeignet eingestellt wird, beträgt eine solche Konzentration üblicherweise 5–70 g/l und vorzugsweise 7–56 g/l. Ist die Konzentration an Wasserstoffperoxid geringer als 5 g/l, dann ist die Ätzrate gering und die Mikroätz-Zusammensetzung kann die Kupferoberfläche nicht angemessen aufrauhen; beträgt sie andererseits mehr als 70 g/l, dann wird die Ätzrate zu rasch, um ein gleichmäßiges Ätzen zu bewirken, was zu einem ungenügenden Aufrauhen der Kupferoberfläche führt.
- Zusätzlich zum Hauptbestandteil, der aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid besteht, umfasst die Mikroätz-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung einen unterstützenden Bestandteil, der aus einem Phenyltetrazol und einer Quelle für Chloridionen besteht, um die Zersetzung von Wasserstoffperoxid zu unterdrücken und die Oberfläche des Kupfers oder der Kupferlegierung angemessen aufzurauhen. In der vorliegenden Erfindung stellt der Einsatz eines Phenyltetrazols unter verschiedenen Azolverbindungen, wie Imidazol, Triazol, Tetrazol und Ähnliche, ein genügendes Aufrauhen der Oberfläche des Kupfers oder der Kupferlegierungen sicher und unterdrückt die Zersetzung von Wasserstoffperoxid.
- Als Beispiele des Phenyltetrazols können 1-Phenyltetrazol, 5-Phenyltetrazol und Ähnliche angegeben werden. Von diesen ist 5-Phenyltetrazol in Anbetracht der hohen Löslichkeit in Wasser besonders bevorzugt. Soweit die Wirkung der vorliegenden Erfindung angemessen gezeigt werden kann, kann das Phenyltetrazol einen Substituenten, wie -NH2, -SH usw., enthalten oder es kann ein Metallsalz, wie ein Salz von Calcium, Kupfer, Natrium oder Ähnlichen, sein.
- Obwohl die Konzentration des Phenyltetrazols gemäß der Aufrauhungskonfiguration, der Löslichkeit von Kupfer in der Ätzlösung und Ähnlichem geeignet eingestellt werden kann, beträgt die Konzentration vorzugsweise 0,01–0,4 g/l und bevorzugter 0,03–0,35 g/l. Ist die Konzentration an Phenyltetrazol geringer als 0,01 g/l, dann ist die Ätzrate zu gering, um die Kupferoberfläche angemessen aufzurauhen; beträgt sie mehr als 0,4 g/l, dann ist es schwierig, das Phenyltetrazol in der Lösung in einer stabilen Weise aufzulösen.
- Als Beispiele der Quelle für Chloridionen können Natriumchlorid, Kaliumchlorid, Ammoniumchlorid, Chlorwasserstoffsäure und Ähnliche angegeben werden.
- Obwohl die Konzentration der Chloridionen-Quelle gemäß der erwünschten Aufrauhungskonfiguration und der Ätzrate geeignet eingestellt werden kann, beträgt eine solche Konzentration vorzugsweise 1–60 ppm und bevorzugter 2–10 ppm. Ist die Konzentration der Chloridionen-Quelle geringer als 1 ppm, dann kann die Kupferoberfläche nicht angemessen aufgerauht werden; beträgt sie mehr als 60 ppm, dann wird die Ätzrate zu langsam, um die Kupferoberfläche angemessen aufzurauhen.
- Um die Zersetzung von Wasserstoffperoxid weiter zu kontrollieren, gibt man eine aromatische Sulfonsäure zu. Es war bekannt, dass eine aromatische Sulfonsäure durch Wasserstoffperoxid in einer Mikroätz-Zusammensetzung oxidiert wird und einen braunen oder schwarzen Niederschlag erzeugt (
JP-0S 140669/1999 - Obwohl die Konzentration der aromatischen Sulfonsäure gemäß dem Grad der Stabilität des Wasserstoffperoxids in der Lösung geeignet eingestellt werden kann, ist die Konzentration vorzugsweise 10 g/l oder weniger, bevorzugter 2–4 g/l. Übersteigt die Konzentration der Benzolsulfonsäure 10 g/l, dann führt dies nicht zu einer Wasserstoffperoxid-Stabilisierung gemäß der Erhöhung der Konzentration.
- Die angewendeten Mikroätz-Zusammensetzungen können verschiedene andere Zusätze, wie ein Entschäumungsmittel und oberflächenaktives Mittel, enthalten.
- Die Mikroätz-Zusammensetzung kann leicht hergestellt werden durch Auflösen der oben beschriebenen Komponenten in Wasser. Ionenausgetauschtes Wasser wird vorzugsweise als Wasser für diesen Zweck benutzt.
- Die Mikroätz-Zusammensetzung wird durch Besprühen des Kupfers oder der Kupferlegierung oder Eintauchen des Kupfers oder der Kupferlegierung mit dem Kupfer bzw. der Kupferlegierung in Kontakt gebracht.
- Obwohl das Ausmaß des Ätzens gemäß der Art des auf die Kupferoberfläche aufgebrachten Harzes und anderer Bedingungen geeignet bestimmt werden kann, ist erfindungsgemäß eine Ätzmenge von 0,5–3 µm vorgesehen, wobei ein bevorzugteres Ausmaß des Ätzens 1–2,5 µm beträgt. Ist die Ätzmenge geringer als 0,5 µm, dann kann die Kupferoberfläche nicht genügend aufgerauht werden. Ein Ätzausmaß von mehr als 3 µm verbessert die Haftung der Kupferoberfläche an den Harzen nicht. Das Ausmaß des Ätzens in der vorliegenden Erfindung zeigt die Ätztiefe, errechnet. aus der Gewichtsänderung der Probe vor und nach dem Ätzen, der Oberfläche des Kupfers und der Dichte des Kupfers. Das Ätzausmaß kann durch Ändern der Zusammensetzung der Mikroätz-Zusammensetzung oder durch Kontrollieren der Temperatur oder der Ätzzeit eingestellt werden. Die Temperatur der Mikroätz-Operation unter Einsatz der Mikroätz-Zusammensetzung liegt üblicherweise im Bereich von 20–40°C, und die Ätzzeit beträgt gewöhnlich von 10–120 Sekunden.
- Die Oberfläche des Kupfers oder der Kupferlegierung, die mit der Mikroätz-Zusammensetzung behandelt worden ist, ist angemessen aufgerauht und weist tiefe mikroskopische Grub- bzw. Löchelchen auf, die gleichmäßig gebildet sind. Die Oberfläche zeigt eine hervorragende Haftung an Harzen. Zur Herstellung mehrschichtiger Schaltungsplatten wird das Kupfersubstrat der inneren Schicht zuerst entfettet, mit Wasser gewaschen und durch Aufsprühen der Mikroätz-Zusammensetzung in dem Ausmaß von 0,5–3 µm geätzt, wodurch die Kupferoberfläche aufgerauht wird. Das Kupfersubstrat wird dann mit Wasser gewaschen und getrocknet. Wird das so erhaltene Innenschicht-substrat mit einem Prepreg laminiert und gepresst, dann ist das Substrat durch die Verankerungswirkung der mikroskopischen Löchelchen auf der Kupferoberfläche fest mit dem Prepreg verbunden. Dies verhindert ein Ablösen des Kupfers vom Prepreg an der Grenzfläche, selbst wenn während der Lötoperation eine Wärmespannung auf die Schaltungsplatte ausgeübt wird.
- Die Mikroätz-Zusammensetzung kann in weitem Rahmen für verschiedene Zwecke benutzt werden. So kann, z. B., die Mikroätz-Zusammensetzung zusätzlich zur Laminierung mit Prepregs zum Verbessern der Haftung von einer Kupferoberfläche an Harzen, wie einem Lötmittel-Resist, einem Trockenfilm-Resist, einem Elektroüberzug-Resist. Klebstoff und Ähnlichem, benutzt werden. Die Mikroätz-Zusammensetzung ist aber besonders wirksam für die Verbesserung der Haftung zwischen einem Schaltungsmuster und einem Zwischenschicht-Isolationsharz einer aufgebauten Schaltungsplatte. Die Mikroätz-Zusammensetzung kann auch für eine Oberflächen-Behandlung von Leiterplatten benutzt werden, wodurch die Haftung eines Dichtungsharzes an einer Leiterplatte verbessert werden kann.
- Die für diese Zwecke benutzten Harze schließen Phenolharz, Epoxyharz, wärmebeständiges Epoxyharz, Polyimid, Bismaleimid-Triazinharz und Polyphenylenether ein, doch sind sie darauf nicht beschränkt.
- Weil die Oberfläche des Kupfers oder der Kupferlegierung, die mit der Mikroätz-Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung aufgerauht wurde, eine ausgezeichnete Löt- und Plattierungsmetall-Haftung zeigt, ist die Mikroätz-Zusammensetzung brauchbar für die Vorbehandlung von Lotüberzügen, elektrolytisches Plattieren und stromloses Plattieren von Schaltungsplatten.
- Weiter kann die Mikroätz-Zusammensetzung den Glanz oder Farbton von Kupfer oder Kupferlegierung nach der Ätzbehandlung durch Kontrollieren des Ätzausmaßes regeln. Ist, z. B., der Glanz verringert, dann kann die Auflösung verbessert werden, wenn die Oberfläche von Kupfer oder Kupferlegierung als eine Grundtextur für ein fotoempfindliches Harz benutzt wird, wodurch Fehlfunktionen einer automatischen optischen Inspektionsvorrichtung (AOI) von Schaltungsplatten vermindert werden können und die Reflexion eines Laserstrahles von der Kupferoberfläche verringert werden kann, wenn die durchgehenden Löcher in einer Schaltungsplatte durch einen Laserstrahl erzeugt werden.
- Andere Merkmale der Erfindung werden im Verlauf der folgenden Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen deutlich, die zur Veranschaulichung der Erfindung angegeben sind.
- Beispiele
- Beispiele 1–6 und Vergleichsbeispiele 1–4
- Lötmittel-Wärmebeständigkeit
- Die Mikroätz-Zusammensetzungen, die jeweils die in Tabelle 1 gezeigten Formulierungen aufweisen, wurden auf laminierte Platten aus mit Epoxyharz imprägniertem Glasgewebe, die mit Kupfer kaschiert waren (FR-4-Qualität), gesprüht, wobei beide Seiten mit einer Kupferfolie mit einer Dicke von 18 µm kaschiert waren und 30 Sekunden bei 25°C besprüht wurden, wodurch die Kupferoberfläche geätzt wurde. Das Ätzausmaß betrug 2 µm (Beispiel 1). Die resultierende Oberfläche wurde unter einem Elektronenmikroskop in einer Vergrößerung von 3.500 beobachtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Ein Prepreg aus mit Epoxyharz imprägniertem Glasgewebe (FR-4-Qualität) wurde auf jede Seite der kupferkaschierten laminierten Platte aufgebracht, gepresst und die Peripherie abgeschnitten, wodurch ein Teststück geschaffen wurde. Als Nächstes wurde das Teststück 4 Stunden bei 121°C und 100% 20 relativer Feuchte unter Benutzung eines Druckkochers mit 2 Atmosphären Druck belastet. Das Teststück wurde dann in ein geschmolzenes Lötmittelbad für eine Minute bei 270°C eingetaucht, um die Lötmittel-Wärmebeständigkeit gemäß JIS C6481 zu bewerten. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Abziehfestigkeit
- Die Mikroätz-Zusammensetzungen, die jeweils die in Tabelle 1 gezeigten Formulierungen aufwiesen, wurden auf die glänzende Seite elektrolytischer Kupferfolien einer Dicke von 70 µm 30 Sekunden bei 25°C aufgesprüht, wodurch die Kupferoberfläche geätzt wurde. Das obige Prepreg wurde auf die behandelte Oberfläche der Kupferfolie gelegt und gepresst. Um die Abziehfestigkeit zu messen, wurde die Kupferfolie mit Ausnahme der Fläche eines Streifens mit einer Breite von 1 cm gemäß JIS 06481 entfernt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Lichthofbildung
- Die Mikroätz-Zusammensetzungen, die jeweils die in Tabelle 1 gezeigten Formulierungen aufwiesen, wurden bei 25°C 30 Sekunden lang auf laminierte Platten aus mit Epoxyharz imprägniertem Glasgewebe (FR-4-Qualität), bei dem beide Seiten mit einer Kupferfolie einer Dicke von 35 µm kaschiert waren, gesprüht, wodurch die Kupferoberfläche geätzt wurde. Eine Kupferfolie mit einer Dicke von 18 µm wurde auf jede Seite der resultierenden laminierten Platte unter Zwischenlage der obigen Prepregs gelegt.
- Bei einer Bohrrotation von 7.000 U/min wurden Löcher mit einem Durchmesser von 0,4 mm durch die erhaltenen Vierschichten-Substrate gebohrt. Die Vierschichten-Platte wurde in eine 4N-Chlorwasserstoffsäure-Lösung 2 Stunden eingetaucht, aus der Chlorwasserstoffsäure-Lösung herausgenommen und die Oberflächen horizontal geschliffen, um die innere Schicht der Kupferfolie zu beobachten. Die innere Schicht wurde auf die Anwesenheit von Lichthöfen unter Benutzung eines Mikroskops mit einer 100-fachen Vergrößerung inspiziert. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Niederschlag
- Kupfer wurde in den in Tabelle 1 gezeigten Mikroätz-Zusammensetzungen in einer Menge von 30 g/l gelöst. Man ließ die Lösung 168 Stunden bei 25°C stehen, um die Erzeugung eines Niederschlages zu untersuchen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Vergleichsbeispiel 5
- Das gleiche Experiment wie in Beispiel 1 wurde unter Benutzung einer wässrigen Lösung, enthaltend 180 g/l chlorige Säure, 62 g/l Natriumhydroxid und 10 g/l Natriumphosphat (eine Oxid-Behandlung) anstelle der Mikroätz-Zusammensetzung ausgeführt. Ein durch Eintauchen der Probe für 5 Minuten bei 70°C auf der Kupferoberfläche erzeugter schwarzer Oxidfilm wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Wie in Tabelle 1 gezeigt, kann eine Kupferoberfläche mit tiefen mikroskopischen Löchelchen, die eine hervorragende Haftung an Harzen zeigt, unter Anwendung der Mikroätz-Zusammensetzung erhalten werden.
- Im Gegensatz dazu waren die mikroskopischen Löchelchen, die auf der Kupferoberfläche unter Anwendung der Zusammensetzungen der Vergleichsbeipiele 1, 2 und 3, enthaltend eine andere Azolverbindung als Phenyltetrazol, gebildet wurden, flach und wiesen eine schlechtere Haftung an Prepregs auf.
- Feine und flache mikroskopische Löchelchen wurden auf der Kupferoberfläche des Vergleichsbeispiels 4 gebildet. Das Probenprodukt wies trotz guter Lötmittel-Wärmebeständigkeit nur eine dürftige Abziehfestigkeit auf. Dies ist der Verwendung von Benzotriazol als einer Azolverbindung zuzuschreiben. Zusätzlich war ein Niederschlag zu sehen, von dem angenommen wird, dass er das Reaktionsprodukt von Benzotriazol und Wasserstoffperoxid ist.
- 30 g Kupfer wurden in 1 l der Mikroätz-Zusammensetzungen von Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 4 gelöst. Jede Lösung ließ man 168 Stunden bei 25°C stehen, um die Stabilität von Wasserstoffperoxid zu untersuchen. Als ein Ergebnis betrugen die Restmengen von Wasserstoffperoxid in den Mikroätz-Zusammensetzungen von Beispiel 1 bzw. Vergleichsbeispiel 4 95% bzw. 70%, was eine ungenügende Wirkung der Mikroätz-Zusammensetzung von Vergleichsbeispiel 4 zeigt, die Wasserstoffperoxid-Zersetzung zu unterdrücken.
- Die Mikroätz-Zusammensetzung, die als Grundmaterialien Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid benutzt, stellt bei Herstellungsverfahren für Schaltungsplatten eine einfache Verfahrens-Kontrolle und einen kontinuierlichen Betrieb sicher.
- Die erfindungsgemäß erzeugte Schaltungsplatte der vorliegenden Erfindung stellt eine ausgezeichnete Haftung zwischen Schaltungsmustern innerer Schichten und Isolations-Harzschichten sicher und ist somit frei von Lichthofbildung.
Claims (8)
- Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte, umfassend: Mikroätzen einer Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung durch in Kontakt bringen der Oberfläche von Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer wässerigen Lösung, umfassend einen Hauptbestandteil und einen Hilfsbestandteil, wobei der Hauptbestandteil als wirksame Verbindung Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid und der Hilfsbestandteil als wirksame Verbindung ein Phenyltetrazol, eine Chloridionenquelle und eine oder mehrere Verbindungen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Benzolsulfonsäure, Toluolsulfonsäure, m-Xylolsulfonsäure, Phenolsulfonsäure, Cresolsulfonsäure, Sulfosalicylsäure, m-Nitrobenzolsulfonsäure und p-Aminobenzolsulfonsäure enthält, wodurch die Oberfläche bis zu einem Ätzausmaß von 0,5–3 µm aufgerauht wird, und Laminieren isolierender Harzschichten.
- Verfahren nach Anspruch 1, worin die Konzentration der Schwefelsäure 60–220 g/l beträgt.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Konzentration von Wasserstoffperoxid 5–70 g/l beträgt.
- Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 3, worin das Phenyltetrazol 1-Phenyltetrazol oder 5-Phenyltetrazol ist.
- Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 4, worin die Konzentration des Phenyltetrazols 0,01–0,04 g/l beträgt.
- Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 5, worin die Chloridionen-Quelle eine oder mehrere Verbindungen sind, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Natriumchlorid, Kaliumchlorid, Ammoniumchlorid und Chlorwasserstoffsäure.
- Verfahren nach jedem der Ansprüche 1 bis 6, worin die Konzentration der Chloridionen-Quelle 1–60 ppm beträgt.
- Verfahren nach jedem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 7, worin die wässrige Lösung weitere Additive, wie Entschäumungsmittel und oberflächenaktive Mittel umfasst.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10136078A DE10136078B4 (de) | 2000-07-28 | 2001-07-25 | Wässrige Lösung zum kontinuierlichen Mikroätzen von Kupfer oder Kupferlegierung |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP229472/2000 | 2000-07-28 | ||
JP2000229472A JP4033611B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10165046B4 true DE10165046B4 (de) | 2012-06-21 |
Family
ID=18722591
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10136078A Expired - Lifetime DE10136078B4 (de) | 2000-07-28 | 2001-07-25 | Wässrige Lösung zum kontinuierlichen Mikroätzen von Kupfer oder Kupferlegierung |
DE10165046A Expired - Lifetime DE10165046B4 (de) | 2000-07-28 | 2001-07-25 | Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte unter Anwendung einer Zusammensetzung zum Mikroätzen |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10136078A Expired - Lifetime DE10136078B4 (de) | 2000-07-28 | 2001-07-25 | Wässrige Lösung zum kontinuierlichen Mikroätzen von Kupfer oder Kupferlegierung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6746621B2 (de) |
JP (1) | JP4033611B2 (de) |
CN (1) | CN1177954C (de) |
DE (2) | DE10136078B4 (de) |
TW (1) | TWI240016B (de) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6141870A (en) | 1997-08-04 | 2000-11-07 | Peter K. Trzyna | Method for making electrical device |
US7351353B1 (en) | 2000-01-07 | 2008-04-01 | Electrochemicals, Inc. | Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates |
JP2004068068A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Nippon Parkerizing Co Ltd | 複合材、その製造方法 |
DE10313517B4 (de) * | 2003-03-25 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Lösung zum Ätzen von Kupfer, Verfahren zum Vorbehandeln einer Schicht aus Kupfer sowie Anwendung des Verfahrens |
US7232478B2 (en) | 2003-07-14 | 2007-06-19 | Enthone Inc. | Adhesion promotion in printed circuit boards |
JP2005285946A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nippon Mektron Ltd | 回路基板の製造方法 |
JP4857594B2 (ja) | 2005-04-26 | 2012-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 回路部材、及び回路部材の製造方法 |
CN100368598C (zh) * | 2005-08-09 | 2008-02-13 | 广东省石油化工研究院 | 一种铜或铜合金的表面平滑微蚀处理液 |
JP2007129193A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-05-24 | Mec Kk | プリント配線板の製造方法 |
CN101381872B (zh) * | 2007-09-04 | 2010-08-25 | 广东省石油化工研究院 | 一种干膜粘贴促进剂及其使用方法 |
JP4472006B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2010-06-02 | メック株式会社 | エッチング液及び導体パターンの形成方法 |
WO2009041292A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 印刷回路用銅箔及び銅張積層板 |
JP4278705B1 (ja) | 2008-01-16 | 2009-06-17 | メック株式会社 | エッチング液 |
WO2012005722A1 (en) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Zettacore, Inc. | Methods of treating metal surfaces and devices formed thereby |
JP5636367B2 (ja) | 2009-07-24 | 2014-12-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂複合電解銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
KR20110121121A (ko) * | 2010-04-30 | 2011-11-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
CN107072072B (zh) | 2010-07-06 | 2019-10-25 | 纳美仕有限公司 | 处理铜表面以增强对印刷电路板中使用的有机衬底的粘着力的方法 |
CN101967634A (zh) * | 2010-10-26 | 2011-02-09 | 广东多正化工科技有限公司 | 印刷线路板棕化处理剂 |
WO2013004624A1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for providing organic resist adhesion to a copper or copper alloy surface |
CN103510089B (zh) * | 2012-06-29 | 2017-04-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 蚀刻用液体组合物和使用其的多层印刷电路板的制造方法 |
US9301399B2 (en) * | 2013-04-23 | 2016-03-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of treating wiring substrate and wiring substrate manufactured by the same |
EP2803756A1 (de) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Atotech Deutschland GmbH | Verfahren zur Ablagerung dicker Kupferschichten auf gesinterten Materialien |
KR101527117B1 (ko) | 2013-06-27 | 2015-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 배선 제조 방법 및 박막 트랜지스터 기판 제조방법 |
JP5497949B1 (ja) * | 2013-07-03 | 2014-05-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル |
JP5887305B2 (ja) | 2013-07-04 | 2016-03-16 | Jx金属株式会社 | 電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材、及びシールドケーブル |
JP6424559B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-11-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング用組成物及びそれを用いたプリント配線板の製造方法 |
US10221487B2 (en) | 2014-05-30 | 2019-03-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metal foil for electromagnetic shielding, electromagnetic shielding material and shielded cable |
EP3159432B1 (de) | 2015-10-23 | 2020-08-05 | ATOTECH Deutschland GmbH | Oberflächenbehandlungsmittel für kupfer und kupferlegierungsoberflächen |
WO2017141799A1 (ja) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | メック株式会社 | 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法 |
JP6218000B2 (ja) | 2016-02-19 | 2017-10-25 | メック株式会社 | 銅のマイクロエッチング剤および配線基板の製造方法 |
CN109112540A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-01 | 苏州纳勒电子科技有限公司 | 一种闪蚀液添加剂及包含该添加剂的闪蚀液的制备方法 |
US11678433B2 (en) | 2018-09-06 | 2023-06-13 | D-Wave Systems Inc. | Printed circuit board assembly for edge-coupling to an integrated circuit |
US11647590B2 (en) | 2019-06-18 | 2023-05-09 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for etching of metals |
CN111349937B (zh) * | 2020-03-20 | 2022-03-22 | 盐城维信电子有限公司 | 一种铜或铜合金表面微蚀液及其处理方法 |
CN113170585B (zh) * | 2020-06-02 | 2023-04-04 | Mec股份有限公司 | 微蚀刻剂和配线基板的制造方法 |
CN115233205A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-25 | 深圳市众望丽华微电子材料有限公司 | 一种线路板颜色改善剂及其制备方法 |
CN115458413B (zh) * | 2022-09-21 | 2023-05-02 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种集成电路引线框架表面处理工艺 |
JP7436070B1 (ja) | 2022-11-22 | 2024-02-21 | メック株式会社 | 銅のエッチング剤 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5800859A (en) * | 1994-12-12 | 1998-09-01 | Price; Andrew David | Copper coating of printed circuit boards |
EP0890660A1 (de) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | MEC CO., Ltd. | Zusammenssetzung zum Mikroätzen von Kupfer und Kupferlegierungen |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE425007B (sv) * | 1976-01-05 | 1982-08-23 | Shipley Co | Stabil etslosning omfattande svavelsyra och veteperoxid samt anvendning av densamma |
US4636282A (en) * | 1985-06-20 | 1987-01-13 | Great Lakes Chemical Corporation | Method for etching copper and composition useful therein |
JP2909743B2 (ja) * | 1989-03-08 | 1999-06-23 | 富山日本電気株式会社 | 銅または銅合金の化学研磨方法 |
TW374802B (en) * | 1996-07-29 | 1999-11-21 | Ebara Densan Ltd | Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board |
JPH1096088A (ja) | 1996-07-29 | 1998-04-14 | Ebara Densan:Kk | エッチング液および銅表面の粗化処理方法 |
KR100219806B1 (ko) * | 1997-05-27 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체장치의 플립 칩 실장형 솔더 범프의 제조방법, 이에 따라 제조되는 솔더범프 및 그 분석방법 |
US5869130A (en) | 1997-06-12 | 1999-02-09 | Mac Dermid, Incorporated | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
JPH11140669A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-25 | Ebara Densan Ltd | エッチング液 |
US6261466B1 (en) | 1997-12-11 | 2001-07-17 | Shipley Company, L.L.C. | Composition for circuit board manufacture |
JP2000064067A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-02-29 | Ebara Densan Ltd | エッチング液および銅表面の粗化処理方法 |
US6117250A (en) * | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Morton International Inc. | Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions |
US6506314B1 (en) * | 2000-07-27 | 2003-01-14 | Atotech Deutschland Gmbh | Adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000229472A patent/JP4033611B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-19 TW TW090117655A patent/TWI240016B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-25 DE DE10136078A patent/DE10136078B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-25 DE DE10165046A patent/DE10165046B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-26 US US09/912,318 patent/US6746621B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-27 CN CNB011243937A patent/CN1177954C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5800859A (en) * | 1994-12-12 | 1998-09-01 | Price; Andrew David | Copper coating of printed circuit boards |
EP0890660A1 (de) * | 1997-07-08 | 1999-01-13 | MEC CO., Ltd. | Zusammenssetzung zum Mikroätzen von Kupfer und Kupferlegierungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10136078A1 (de) | 2002-04-04 |
DE10136078B4 (de) | 2011-06-16 |
US6746621B2 (en) | 2004-06-08 |
CN1336449A (zh) | 2002-02-20 |
US20020038790A1 (en) | 2002-04-04 |
JP2002047583A (ja) | 2002-02-15 |
JP4033611B2 (ja) | 2008-01-16 |
TWI240016B (en) | 2005-09-21 |
CN1177954C (zh) | 2004-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10165046B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schaltungsplatte unter Anwendung einer Zusammensetzung zum Mikroätzen | |
DE102009037855B4 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Aluminium oder Aluminiumlegierungen | |
DE69534804T2 (de) | Beschichtung von Kupfer | |
DE10313517B4 (de) | Lösung zum Ätzen von Kupfer, Verfahren zum Vorbehandeln einer Schicht aus Kupfer sowie Anwendung des Verfahrens | |
DE60105305T2 (de) | Bad und verfahren zur stromlosen plattierung von silber auf metallischen oberflächen | |
DE3341431C2 (de) | ||
DE2610470C3 (de) | Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Kupferschichten | |
DE3016132C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von gegen Hitzeschockeinwirkung widerstandsfähigen gedruckten Schaltungen | |
DE19732419A1 (de) | Ätzmittel, Verfahren zum Aufrauhen von Kupferoberflächen und Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten | |
DE10055506A1 (de) | Ätzmittel für Kupfer oder Kupferlegierungen | |
DE2810523A1 (de) | Leiterplatten fuer gedruckte schaltkreise und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE102009005691A1 (de) | Elektrisch leitfähige Schicht, Laminat, welches diese verwendet und Herstellungsverfahren dafür | |
DE4140171C2 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kupferfolien für Leiterplatten | |
DE112015005823T5 (de) | Waschlösung für die oberfläche eines stromlosen zinnplattierungsüberzugs, ergänzungslösung für die waschlösung und verfahren für die erzeugung einer zinnplattierungsschicht | |
DE19740431C1 (de) | Verfahren zum Metallisieren eines elektrisch nichtleitende Oberflächenbereiche aufweisenden Substrats | |
DE60100834T2 (de) | Zusammensetzung für die Leiterplattenherstellung | |
DE60220723T2 (de) | Verfahren zum aussenstromlosen abscheiden von silber | |
DE10302596A1 (de) | Behandlung von Metalloberflächen mit einer modifizierten Oxidaustauschmasse | |
EP1055355B1 (de) | Verfahren zum vorbehandeln von kupferoberflächen | |
EP1082471A1 (de) | Verfahren zum überziehen von oberflächen auf kupfer oder einer kupferlegierung mit einer zinn- oder zinnlegierungsschicht | |
DE10226328B3 (de) | Saure Lösung zur Silberabscheidung und Verfahren zum Abscheiden von Silberschichten auf Metalloberflächen | |
DE102009031015A1 (de) | Klebstoffschicht bildende Flüssigkeit | |
US4520052A (en) | Method for electroless copper-plating and a bath for carrying out the method | |
EP1630252A1 (de) | Verfahren zur beschichtung von Substraten enthaltend Antimonverbindungen mit Zinn und Zinnlegierungen | |
DE3543615C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
Q172 | Divided out of (supplement): |
Ref document number: 10136078 Country of ref document: DE Kind code of ref document: P |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120922 |
|
R071 | Expiry of right |