DE10055506A1 - Ätzmittel für Kupfer oder Kupferlegierungen - Google Patents
Ätzmittel für Kupfer oder KupferlegierungenInfo
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Abstract
Ätzmittel für Kupfer oder Kupferlegierungen, umfassend 5-50 Gew.-% eines Alkanolamins, eine Kupferionen-Quelle in der Menge von 0,2-10 Gew.-% als Kupfer, eine Halogenidionen-Quelle in der Menge von 0,005-10 Gew.-% als Halogen, 0,1-30 Gew.-% einer aliphatischen Carbonsäure, Rest Wasser, worin das molare Verhältnis des Alkanolamins zu einem Mol der aliphatischen Carbonsäure zwei oder mehr beträgt. Das Ätzmittel ist frei von Problemen, wie Instabilität der flüssigen Zusammensetzung und einem unerfreulichen Geruch, es hat eine hohe Ätzrate, zeigt nur sehr geringe Korrosion, selbst wenn eine geringe Menge des Restes auf der Oberfläche zurückbleibt, und es ist in der Lage, eine aufgerauhte Oberfläche zu erzeugen, wenn es zum Mikroätzen benutzt wird.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Ätzmit
tel für Kupfer oder Kupferlegierungen, die bei der Herstel
lung gedruckter Schaltungen und Ähnlichem brauchbar sind.
Mikroätzen wird bei der Herstellung gedruckter Schal
tungen zur Entfernung von Verunreinigung und Oxiden von der
Oberfläche des Kupfers und zum Erhalten einer aktiven Kup
feroberfläche ausgeführt. Mikroätzen ist eine Operation des
leichten Ätzens einer Oberfläche, üblicherweise weniger als
5 µm in der Tiefe. Mikroätzen wird als eine Vorbehandlung
zum Laminieren oder Überziehen mit Harzen, wie eines Ätz-
Abdecklackes, Lötmittel-Abdecklackes, einer isolierenden
Schicht, einer Vorbehandlung für stromloses Plattieren oder
Elektroplattieren, einer Vorbehandlung zum Löten und Ähnli
chem ausgeführt.
Insbesondere wenn Harze laminiert oder durch Überzie
hen aufgebracht werden, wird das Mikroätzen zur Erzeugung
einer aufgerauhten Oberfläche ausgeführt, an der die Harze
eine verbesserte Haftung zeigen.
Konventionell werden Mikroätz-Zusammensetzungen auf
Persulfat-Grundlage, Mikroätz-Zusammensetzungen mit Schwe
felsäure und Wasserstoffperoxid und Ähnliche als Mikroätz-
Zusammensetzungen benutzt.
Konventionelle Mikroätz-Zusammensetzungen auf Persul
fat-Grundlage haben jedoch Nachteile, wie eine geringe Ätz
rate und eine Fluktuation der Ätzrate aufgrund instabiler
Eigenschaften der Ätzlösungen, die durch Zersetzung von
Persulfat-Verbindungen verursacht werden. Ein anderes Pro
blem bezieht sich auf andere Metalle als Kupfer, wie eine
Zinn-Blei-Legierung (Lötmittel), Nickel und Gold, die in
gedruckten Schaltungen eingesetzt werden. Führt man ein
Mikroätzen an einer solchen gedruckten Schaltung aus, dann
kann auch die Zinn-Blei-Legierung oder Nickel geätzt oder
verfärbt werden.
Mikroätz-Zusammensetzungen mit Schwefelsäure und Was
serstoffperoxid haben auch solche Probleme, wie Instabili
tät der Ätzlösungen aufgrund der Zersetzung von Wasser
stoffperoxid, die zu einer Fluktuation der Ätzrate, Verfär
bung von anderen Metallen als Kupfer und Ähnlichem führt.
Es wird ein alkalisches Ätzmittel, enthaltend Kupfer
ammonium-Komplexionen als eine Hauptkomponente, bei der
Stufe der Musterung einer Schaltung in dem Verfahren des
Fotoätzens benutzt. Dieses alkalische Ätzmittel zeigt auch
eine Instabilität in der flüssigen Zusammensetzung, so dass
die Ätzrate zur Fluktuation neigt. Ein zusätzliches Problem
mit diesem Ätzmittel ist ein starker Ammoniakgeruch, der
die Arbeitsumgebungs-Bedingungen beeinträchtigt.
Die japanische Patentveröffentlichung 55-15512 offen
bart ein neutrales Ätzmittel, enthaltend eine Kupfer(II)
ionenquelle, wie Kupfer(II)chlorid, und ein Komplexbil
dungsmittel, wie Monoethanolamin, sowie ein alkalisches
Ätzmittel, das durch die weitere Zugabe eines Ammoniumsal
zes, wie Amoniumchlorid, hergestellt wird. Dieses neutrale
Ätzmittel zeigt jedoch eine geringe Ätzrate und das alka
lische Ätzmittel verleiht einen Ammoniakgeruch.
Die offen gelegte japanische Patentanmeldung 6-17266
offenbart eine Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung, ent
haltend eine Kupfer(II)ionenquelle, wie Kupfer(II)chlorid,
und ein Alkanolamin, das die Anmelderin als zur Entfernung
grauer oder schwarzer Filme brauchbar beansprucht, die auf
einer Bleirahmen-Oberfläche gebildet werden, die unter
Einsatz einer wässerigen Lösung von Eisen(II)chlorid oder
Ähnlichem geätzt wird. Diese Oberflächenbehandlungs-Zusam
mensetzung kann jedoch wegen einer geringen Kupfer-Ätzrate
nicht als ein Ätzmittel benutzt werden.
Die offen gelegte japanische Patentanmeldung 7-292483
offenbart eine Oberflächenbehandlungs-Zusammensetzung, die
eine wässerige Lösung ist, enthaltend einen Kupfer(II)kom
plex einer Azolverbindung, eine organische Säure und ein
Halogenidion sowie gegebenenfalls Alkanolamin. Die Menge
des Alkanolamins in dieser Oberflächenbehandlungs-Zusammen
setzung darf jedoch nicht im Überschuss zu der äquivalenten
Menge der organischen Säure vorhanden sein. Wird Alkanol
amin im Überschuss zur Menge der organischen Säure hinzuge
geben, dann wird die Kupfer-Ätzrate verzögert.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Ätzmittel zu schaffen, bei dem die obigen Probleme in
konventionellen Ätzmitteln überwunden sind, so dass die
vorliegende Erfindung ein Ätzmittel frei von Problemen, wie
Instabilität der flüssigen Zusammensetzung und unerfreuli
chem Geruch, schafft, das eine hohe Ätzrate zeigt.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die
Schaffung eines Ätzmittels, das nur sehr geringe Korrosion
zeigt, selbst wenn eine geringe Restmenge auf der Oberflä
che zurückbleibt, und das zur Erzeugung einer aufgerauhten
Oberfläche in der Lage ist, wenn es zum Mikroätzen benutzt
wird.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben ausge
dehnte Untersuchungen ausgeführt, und sie waren erfolgreich
bei der Lösung der oben beschriebenen Probleme des Standes
der Technik durch Einsatz des folgenden Ätzmittels.
Spezifisch wurde die obige Aufgabe in der vorliegenden
Erfindung durch ein Ätzmittel für Kupfer oder Kupferlegie
rungen gelöst, umfassend 5-50 Gew.-% (im Folgenden einfach
als "%" angegeben) eines Alkanolamins, eine Kupferionen-
Quelle in der Menge von 0,2-10% als Kupfer, eine Halogenid
ionen-Quelle in der Menge von 0,005-10% als Halogen, 0,1-
30% einer aliphatischen Carbonsäure, Rest Wasser, worin das
molare Verhältnis des Alkanolamins zu einem Mol der alipha
tischen Carbonsäure zwei oder mehr beträgt.
In einer bevorzugten Ausführungsform des obigen Ätz
mittels ist die Kupferionen-Quelle eine Kupfer(II)ionen-
Quelle, die Menge der Halogenidionen-Quelle beträgt 0,005-5 Gew.-%
als ein Halogen, die Menge der aliphatischen Carbon
säure ist 2-30 Gew.-% und das Ätzmittel hat einen pH im Be
reich von 7,5-11,5.
Andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung
werden aus der folgenden Beschreibung deutlicher.
Das Alkanolamin ist eine Komponente, die als ein Kom
plexbildungsmittel zum Auflösen von Kupfer wirkt. Ein Alka
nolamin geringen Molekulargewichtes von 500 oder weniger
ist bevorzugt, weil ein solches Alkanolamin geringen Mole
kulargewichtes eine Ätzlösung geringer Viskosität erzeugt,
die ein gleichmäßiges Ätzen sicherstellt und zum Ätzen zur
Bildung feiner Schaltungsmuster geeignet ist.
Als spezifische Beispiele eines solchen Alkanolamins
können Monoethanolamin und seine Derivate, wie N-Methyl
ethanolamin, N-Ethylethanolamin, N-Butylethanolamin, N,N-
Dimethylethanolamin, N,N-Diethylethanolamin, N,N-Dibutyl
ethanolamin, 2-(2-Hydroxy)ethoxyethanolamin; Diethanolamin
und seine Derivate, wie N-Methyldiethanolamin und N-Butyl
diethanolamin; Triethanolamin, Propanolamin, Isopropanol
amin und Hydroxyethylpiperazin sowie Derivate von diesen,
angegeben werden.
Die Konzentration der Alkanolamine beträgt 5-50% und
vorzugsweise 10-30%. Ist die Konzentration der Alkanolamine
geringer als 5%, dann wird die Ätzrate gering; bei mehr als
50% nimmt die Viskosität des Ätzmittels zu. Wird ein Kup
ferkomplex von Alkanolamin, der im Folgenden diskutiert
wird, als eine Kupferionen-Quelle benutzt, dann wird ein
Alkanolamin in der Menge von 5% oder mehr zusätzlich zu dem
den Kupferkomplex bildenden Alkanolamin hinzugegeben. In
diesem Falle muss die obere Grenze von 50% für die Alkanol
amine im Ätzmittel beachtet werden.
Zusätzlich beträgt das Verhältnis des Alkanolamins zu
einem Mol der aliphatischen Carbonsäure, die später disku
tiert wird, zwei Mole oder mehr. Ist dieses Verhältnis ge
ringer als zwei Mole, dann wird die Ätzrate verzögert.
Die Kupferionen-Quelle ist eine Komponente, die einen
Komplex mit dem oben beschriebenen Alkanolamin bildet, und
als ein Oxidationsmittel von Kupfer wirkt. Als die Kupfer
ionen-Quelle können die oben erwähnten Kupferkomplexe von
Alkanolamin, Kupferhydroxid, Kupferkomplexe aliphatischer
Carbonsäure, die später diskutiert werden, Kupferhalogeni
de, wie Kupferchlorid und Kupferbromid, Kupfercarbonat,
Kupfersulfat, Kupferoxid und Ähnliche angegeben werden. Die
Kupferionen-Quellen können entweder die Verbindungen sein,
die das Kupfer(I)ion erzeugen, oder die Verbindungen, die
das Kupfer(II)ion erzeugen. Ist die Konzentration des spä
ter beschriebenen Halogenidions geringer als 5%, dann sind
aufgrund ihrer Fähigkeit zum Auflösen von Kupfer in einer
stabilen Weise, die Verbindungen, die das Kupfer(II)ion
erzeugen, bevorzugt.
Die Konzentration der Kupferionen-Quellen beträgt 0,2-
10% als Kupfer und vorzugsweise 1-6% als Kupfer. Ist die
Konzentration geringer als 0,2%, dann wird die Ätzrate ge
ring. Die Ätzrate wird auch gering, wenn die Konzentration
größer als 10% ist. Wird ein Kupferhalogenid als die Kup
ferionen-Quelle eingesetzt, dann sollte das Kupferhalogenid
in einer solchen Menge hinzugegeben werden, dass die Kon
zentration des Halogenidions 10% nicht übersteigt.
Die Halogenidionen-Quellen vergrößern die Kupfer-Lös
lichkeit im Ätzmittel, die Kupfer-Auflösungsstabilität und
die Ätzrate. Zusätzlich zeigen die Halogenidion-Quellen ei
ne Wirkung des Aufrauhens von Kupferoberflächen. Als spezi
fische Beispiele der Halogenidionen-Quellen können anorga
nische Säuren, wie Chlorwasserstoffsäure, Bromwasserstoff
säure und Iodwasserstoffsäure, und anorganische Salze, wie
Kupferchlorid, Kupferbromid, Eisenchlorid, Natriumchlorid,
Natriumiodid, Ammoniumchlorid und Ähnliche, angegeben wer
den. Von diesen sind die Verbindungen, die ein Bromidion
erzeugen, bevorzugt, wenn das Ätzmittel der vorliegenden
Erfindung wegen seiner großen Fähigkeit, solche Oberflächen
aufzurauhen, zum Mikroätzen solcher Oberflächen von Kupfer
oder Kupferlegierungen benutzt wird, die aufgerauht werden
müssen.
Die Konzentration der Halogenidionen-Quellen beträgt
0,005-10% als Halogenidion. Ist diese Konzentration gerin
ger als 0,005%, dann wird die Ätzrate verzögert. Anderer
seits kann eine Wirkung proportional zur Zugabemenge nicht
erwartet werden, wenn mehr als 10% der Halogenidionen-Quel
len hinzugegeben werden. Beim Einsatz zum Mikroätzen sol
cher Oberflächen von Kupfer oder Kupferlegierungen, die
aufgerauht werden, kann eine solche überschüssige Zugabe
die Fähigkeit des Ätzmittels zum Aufrauhen solcher Oberflä
chen beeinträchtigen. Die obige Konzentration beträgt vor
zugsweise 5% oder weniger in dem Falle, bei dem Reste des
Ätzmittels zum Zurückbleiben auf den behandelten Oberflä
chen neigen. Bei mehr als 5% korrodieren die zurückbleiben
den Reste des Ätzmittels die behandelten Oberflächen.
Eine aliphatische Carbonsäure wird zu dem Ätzmittel
der vorliegenden Erfindung hinzugegeben, um die Lösungssta
bilität des Kupfers zu erhöhen und den pH einzustellen.
Als spezifische Beispiele aliphatischer Carbonsäuren
seien aliphatische gesättigte Monocarbonsäuren, wie Amei
sensäure, Essigsäure, Propionsäure, Buttersäure, Valerian
säure und Capronsäure; aliphatische ungesättigte Monocar
bonsäuren, wie Acrylsäure, Crotonsäure und Isocrotonsäure;
aliphatische gesättigte Dicarbonsäuren, wie Oxalsäure, Ma
lonsäure, Bernsteinsäure, Glutarsäure, Adipinsäure und Pi
melinsäure; aliphatische ungesättigte Dicarbonsäuren, wie
Maleinsäure; aliphatische Oxycarbonsäuren, wie Glykolsäure,
Milchsäure, Äpfelsäure und Zitronensäure; aliphatische Car
bonsäuren mit Substituenten, wie β-Chlorpropionsäure, Hy
droxypivalinsäure und Levulinsäure und Derivate dieser ali
phatischen Carbonsäuren, angegeben.
Von diesen sind aliphatische Monocarbonsäuren wegen
ihrer Eigenschaften bevorzugt, dass sie nicht die Kupfer
oxidierende Aktivität der Alkanolamin-Komplexe beeinträchtigen
und wegen der geringen Viskosität der resultierenden
Ätzlösung.
Die Konzentration der aliphatischen Carbonsäuren be
trägt 0,1-30% und vorzugsweise 0,1-15%. Ist die Konzentra
tion der aliphatischen Carbonsäuren geringer als 0,1%, dann
ist die Wirkung der Zugabe ungenügend. Die Zugabe von mehr
als 30% der aliphatischen Carbonsäuren vermindert den pH,
was zu einer geringen Ätzrate führt. Ist die Konzentration
des Halogenidions geringer als 5%, dann ist die Konzentra
tion der aliphatischen Carbonsäure im Bereich von 2-30% und
insbesondere 7-15% in Anbetracht der Ätzrate bevorzugt.
Wird ein Kupferkomplex einer aliphatischen Carbonsäure als
Kupferionen-Quelle eingesetzt, dann beträgt die Konzentra
tion der aliphatischen Carbonsäuren, einschließlich der den
Komplex bildenden aliphatischen Carbonsäure, 0,1-30%.
Zusätzlich zu den obigen Komponenten können ein Rost
verhinderungsmittel, wie Benzotriazol, ein oberflächenakti
ves Mittel zum Sicherstellen eines gleichmäßigen Ätzens,
wie Polyalkylenglykol und Polyalkylenglykol-Derivate und
Ähnliches, zu dem Ätzmittel der vorliegenden Erfindung hin
zugegeben werden. Zusätzlich kann ein Salz der oben erwähn
ten aliphatischen Carbonsäure, ein Salz des oben erwähnten
Alkanolamins, ein Salz anorganischer Säure und Ähnliches
zur Verbesserung der Eigenschaften der Lösung und zum Sta
bilisieren der Oberflächen-Konfiguration hinzugegeben wer
den, wenn das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung zum Auf
rauhen von Oberflächen benutzt wird.
Obwohl das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung sauer,
neutral oder alkalisch gemäß der Art und Konzentration des
Alkanolamins und der aliphatischen Carbonsäure sein kann,
ist es erwünscht, den pH im Bereich von 7,5-11,5 und bevor
zugter von 8,2-10,8 zu regeln, um eine hohe Ätzrate auf
rechtzuerhalten, wenn die Halogen-Konzentration geringer
als 5% ist.
Das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung kann leicht
hergestellt werden durch Auflösen der oben beschriebenen
Komponenten in Wasser. Ionenaustausch-Wasser wird vorzugs
weise als das Wasser für diesen Zweck eingesetzt. Es gibt
keine besondere Einschränkung hinsichtlich des Verfahrens
der Aufbringung des Ätzmittels der vorliegenden Erfindung.
So seien, z. B., ein Verfahren des Sprühens des Ätzmittels
auf Kupfer oder eine Kupferlegierung, ein Verfahren des
Eintauchens des Kupfers oder der Kupferlegierung in das
Ätzmittel und Ähnliches, angegeben. Die Temperatur des Ätz
mittels beträgt vorzugsweise von 10 bis 50°C und die Be
handlungszeit vorzugsweise 10 bis 120 Sekunden und beson
ders bevorzugt 10 bis 60 Sekunden im Falle des Mikroätzens.
Beim Einsatz zum Mikroätzen von Kupfer oder Kupferle
gierung kann das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung nicht
nur Flecke und Oxide von der Oberfläche entfernen und da
durch eine aktive Oberfläche erzeugen, sondern es kann auch
eine irreguläre Oberfläche erzeugen, die eine hervorragende
Haftung an Harzen zeigt. Das Ätzmittel der vorliegenden Er
findung ist daher brauchbar für eine Vorbehandlung zur La
minierung oder zum Aufbringen eines Ätz-Abdecklackes oder
eines Lötmittel-Abdecklackes, zur Vorbehandlung für die La
minierung oder das Aufbringen eines Zwischenschicht-Isola
tionsharzes, einer Vorbehandlung zum stromlosen Plattieren
oder Elektroplattieren, einer Vorbehandlung zum Bilden ei
nes Rost verhindernden Films, wie eines Vorflussmittels für
gedruckte Schaltungen und Ähnliches.
Weil die resultierende Oberfläche eine ausgezeichnete
Lötbarkeit aufweist, ist das Ätzmittel der vorliegenden Er
findung auch brauchbar bei einer Vorbehandlung für ein
Heißluft-Nivellierugsverfahren und zum Löten elektronischer
Teile. Für das für das oben erwähnte Löten eingesetzte Löt
mittel können zusätzlich zu eutektischem Zinn-Blei-Lötmit
tel bleifreie Lötmittel, wie Lötmittel auf Zinn-Kupfer-Wis
mut-Grundlage, Lötmittel auf Zinn-Silber-Kupfer-Grundlage,
Lötmittel auf Zinn-Silber-Wismut-Grundlage und Lötmittel
auf Zinn-Zink-Grundlage benutzt werden. Das Ätzmittel der
vorliegenden Erfindung kann auch vorzugsweise zur Oberflä
chen-Endbehandlung von Bleirahmen und Ähnlichem benutzt
werden. Weil das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung eine
Zinn-Blei-Legierung-, Nickel oder Gold nicht korrodiert,
ist das Ätzmittel brauchbar zum Behandeln gedruckter Verdrahtungsplatten
und Halbleiterteile, in denen diese Metal
le zusammen mit Kupfer vorhanden sind.
Da das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung die Sprüh
düsen gegenüberliegende Oberfläche rascher als die anderen
Oberflächen ätzen kann, wenn man ein Sprühverfahren be
nutzt, kann das Ätzmittel vorzugsweise zum Ätzen eines gro
ßen Aspekt-Verhältnisses beim Fotoätz-Verfahren zur Bildung
von Schaltungsmustern auf Schaltungsplatten benutzt werden.
Die Regelung der Ätzrate ist auch sehr einfach. Obwohl
Zinn, Zinn-Blei-Legierungen, laminierte Nickel/Gold-Schich
ten und Ähnliches zusätzlich zu wärmehärtenden Harzen und
fotoempfindlichen Harzen als Ätz-Abdeckmaterialien angege
ben werden können, können Zinn, Zinn-Blei-Legierungen,
Nickel und Gold, die durch das Ätzmittel der vorliegenden
Erfindung nicht korrodiert werden, ebenfalls als Ätz-Ab
deckmaterialien eingesetzt werden.
Ein halb-additives Verfahren, das ein Verfahren zum
Herstellen von gedruckten Schaltungen ist, schließt ein
Verfahren zum Bilden eines Schaltungsmusters, umfassend
Stufen zum Bilden einer leitenden Grundschicht aus stromlos
plattiertem Kupferfilm, einen Kupfersprühfilm oder eine
Kupferfolie, das Bilden eines plattierten Abdeckmaterials
darauf, das Bilden eines elektroplattierten Kupferfilms auf
einer isolierenden Materialoberfläche, das Entfernen des
Abdeckmaterials, dann das Entfernen der leitenden Grund
schicht, auf der der elektroplattierte Kupferfilm nicht ge
bildet worden ist, durch Ätzen ein. Das Verfahren hat eine
zusätzliche Stufe des Aufrauhens der Oberfläche des Schal
tungsmusters durch Mikroätzen zum Verbessern der Haftung an
einem Lötmittel-Abdecklack oder einem Zwischenschicht-Iso
lationsharz. Diese Mikroätzstufe kann weggelassen werden,
wenn das Ätzmittel der vorliegenden Erfindung zum Entfernen
der leitenden Grundschicht benutzt wird, weil das Ätzmittel
beim Entfernen der leitenden Grundschicht gleichzeitig die
Schaltungsoberfläche aufrauhen kann. Es kann daher ein Pro
blem des Herstellens einer schmalen Schaltung durch Mikro
ätzen im Falle einer feinen Schaltung überwunden werden.
Ist die leitende Grundschicht ein stromlos plattierter Kupferfilm,
dann entfernt das Ätzmittel der vorliegenden Er
findung nicht nur die leitende Grundschicht und rauht die
Schaltungsoberflächen auf, sondern kann auch den Palladium-
Katalysator für das stromlose Plattieren auflösen und ent
fernen, der auf der isolierenden Materialoberfläche in den
Räumen zwischen den Schaltungen vorhanden ist, wodurch eine
Kupfer-Wanderung zwischen den Schaltungen verhindert werden
kann.
In dem obigen halb-additiven Verfahren wird die elek
trolysierte Kupfer-Plattierungsschicht gelegentlich mit ei
nem Ätz-Abdeckmaterial bedeckt, wenn man die leitende
Grundschicht entfernt, um die Auflösung der elektroplat
tierten Kupferschicht zu verhindern, die dann ein Schal
tungsmuster wird. In diesem Falle können das vorerwähnte
Zinn, Zinn-Blei-Legierungen, Nickel oder Gold als das Ätz-
Abdeckmaterial benutzt werden.
Wie oben beschrieben, schafft die vorliegende Erfin
dung ein Ätzmittel frei von Problemen, wie Instabilität der
flüssigen Zusammensetzung und einem unerfreulichen Geruch,
und es zeigt eine hohe Ätzrate.
Zusätzlich schafft die vorliegende Erfindung ein Ätz
mittel, das nicht nur eine sehr geringe Korrosion zeigt,
selbst wenn eine geringe Restmenge auf der Oberfläche zu
rückbleibt, und das zum Herstellen einer aufgerauhten
Oberfläche in der Lage ist, wenn es zum Mikroätzen benutzt
wird.
Andere Merkmale der Erfindung werden im Zuge der fol
genden Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen deut
lich, die zur Veranschaulichung der Erfindung angegeben
werden, und die diese nicht einschränken sollen.
Zusammensetzungen der in den Beispielen und Ver
gleichsbeispielen eingesetzten Ätzmittel sind in Tabelle 1
gezeigt.
Ätzmittel, die jeweils die in Tabelle 1 gezeigte Zu
sammensetzung aufwiesen, wurden auf beidseitig mit Kupfer
kaschierung laminierte Platten für gedruckte Schaltungen
(FR-4 Qualität) mit Abmessungen von 50 mm × 1,6 mm unter
den Bedingungen einer Flüssigkeits-Temperatur von 25°C und
einem Sprühdruck von 0,07 MPa 20 Sekunden lang gesprüht.
Die Platten wurden dann mit Wasser gewaschen und getrock
net. Nach der Behandlung wurde die Ätzmenge (Tiefe) aus der
Gewichtsänderung der mit Kupferkaschierung laminierten
Platte errechnet und die Kupferoberfläche wurde mit dem
bloßen Auge beobachtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2
gezeigt.
Nach dem Aufbringen einer Zinn-Blei-Legierung (Lötmit
tel) oben auf die beidseitig mit Kupferkaschierung lami
nierten Platten für gedruckte Schaltungen wurde das Ätz
mittel mit in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzungen unter
den gleichen Sprühbedingungen, wie sie oben erwähnt sind,
aufgesprüht. Die Platten wurden dann mit Wasser gewaschen
und getrocknet. Die Oberfläche der Zinn-Blei-Legierung nach
der Behandlung wurde mit dem bloßen Auge beobachtet. Die
Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
Eine beidseitig mit Kupferkaschierung laminierte Plat
te für gedruckte Schaltungen (FR-4 Qualität) mit Abmessun
gen von 150 mm × 70 mm × 1,6 mm mit 1.000 durchgehenden Lö
chern mit einem Durchmesser von 0,3 mm wurde in ein Ätzmit
tel mit der in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung bei 25°C
eine Minute lang eingetaucht. Die Platte wurde aus dem Ätz
mittel entfernt. Die Platte wurde ohne Waschen 3 Minuten
auf 230°C erhitzt und in einem Thermostaten hoher Feuchte
bei 60°C und 90% relativer Feuchte 30 Tage belassen, um das
Auftreten von Schaltungs-Brüchen in den durchgehenden Lö
chern durch Messen des elektrischen Widerstandes in den
durchgehenden Löchern zu untersuchen. Die Ergebnisse sind
in Tabelle 2 gezeigt, wobei die folgenden Bemerkungen gel
ten.
A: Die Kupferoberfläche war gleichmäßig geätzt.
B: Die Kupferoberfläche war nicht gleichmäßig und einige Flächen auf der Kupferoberfläche waren rot.
C: Keine Farbänderung.
D: Die Farbe änderte sich zu schwarz.
A: Die Kupferoberfläche war gleichmäßig geätzt.
B: Die Kupferoberfläche war nicht gleichmäßig und einige Flächen auf der Kupferoberfläche waren rot.
C: Keine Farbänderung.
D: Die Farbe änderte sich zu schwarz.
Wie in Tabelle 2 gezeigt, erzeugten die Ätzmittel der
Beispiele ein gleichmäßiges Ätzen von 0,6 µm oder mehr wäh
rend des 20-sekündigen Sprühens. Zusätzlich trat kein Bruch
auf, obwohl die Proben nach der Behandlung nicht mit Wasser
gewaschen wurden. Wurde dagegen ein Schwefelsäure-Wasser
stoffperoxid-Ätzmittel (Vergleichsbeispiel 1) benutzt, dann
war die Zinn-Blei-Legierung korrodiert und die Farbe änder
te sich zu schwarz und es trat ein Bruch der Schaltung auf.
Wurde ein Persulfat-Ätzmittel (Vergleichsbeispiel 2) be
nutzt, dann war das Ätzausmaß so gering wie 0,3 µm und das
Ätzen war nicht gleichmäßig. Die Zinn-Blei-Legierung war
korrodiert, die Farbe wurde schwarz und es trat ein Bruch
der Schaltung auf. Wurde Ätzmittel mit geringer Alkanol
amin-Konzentration (Vergleichsbeispiel 3) benutzt, dann war
die Ätzrate gering und das Ätzen nicht gleichmäßig.
Ätzmittel wurden durch Vermischen der in Tabelle 3
aufgeführten Komponenten hergestellt. Die Oberfläche einer
beidseitig mit Kupferkaschierung laminierten Platte für ge
druckte Schaltungen (FR-4 Qualität) mit Abmessungen von 50 mm
× 50 mm × 1,6 mm wurde elektrolytisch mit Kupfer plat
tiert und mit den oben beschriebenen Ätzmitteln unter den
Bedingungen einer Flüssigkeits-Temperatur von 30°C und ei
nem Sprühdruck von 0,14 MPa 60 Sekunden zum Aufrauhen der
Oberfläche besprüht. Das Ausmaß des Ätzens zu dieser Zeit
ist in Tabelle 3 gezeigt. Ein Lötmittel-Abdecklack (PSR-
4000, hergestellt durch Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.)
wurde auf die Oberfläche aufgebracht, bestrahlt, entwickelt
und gehärtet.
Nach dem Härten wurden quadratische 1 mm × 1 mm-Kreuz
schnitte gemäß JIS K5400.8.5.2 auf dem Lötmittel-Abdecklack
erzeugt. Die Proben wurden in eine wässerige 3,5%-ige
Chlorwasserstoffsäure-Lösung bei Raumtemperatur (etwa 20°C)
10 Minuten lang eingetaucht, mit Wasser gewaschen und ge
trocknet. Dann wurde der Kreuzschnitt-Abziehtest unter Be
nutzung eines Cellophanbandes gemäß JIS K5400.8.5.2 ausge
führt. Die Anzahl der Quadrate des Lötmittel-Abdecklackes,
die am Cellophanband hafteten und vom Substrat abgezogen
wurden, wurde mit dem bloßen Auge untersucht. Die Haftei
genschaften wurden gemäß den folgenden Standards beurteilt.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt.
AAA: Es hafteten keine Quadrate des Lötmittel-Abdeck lackes am Cellophanband.
BBB: Es haftete eine geringe Anzahl Quadrate des Löt mittel-Abdecklackes am Cellophanband.
CCC: Die meisten Quadrate des Lötmittel-Abdecklackes hafteten am Cellophanband.
AAA: Es hafteten keine Quadrate des Lötmittel-Abdeck lackes am Cellophanband.
BBB: Es haftete eine geringe Anzahl Quadrate des Löt mittel-Abdecklackes am Cellophanband.
CCC: Die meisten Quadrate des Lötmittel-Abdecklackes hafteten am Cellophanband.
Ein Lötmittel-Abdecklack (PSR-4000, hergestellt durch
Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.) wurde auf die Oberfläche
der obigen beidseitig mit Kupferkaschierung laminierten
Platten für gedruckte Schaltungen (FR-4 Qualität), auf die
Kupfer elektrolytisch plattiert worden war, aufgebracht.
Der Überzug wurde bestrahlt, entwickelt und gehärtet zur
Bildung von 560 Löchern mit jeweils einem Durchmesser von
1,5 mm zur Bewertung der Lötbarkeit. Die Testprobe wurde
durch Sprühen des obigen Ätzmittels bei einer Flüssigkeits-
Temperatur von 30°C und einem Sprühdruck von 0,14 MPa 20
Sekunden aufgesprüht, um die Oberfläche aufzurauhen.
Ein Lötmittel-Verlaufsflussmittel (W-221, hergestellt
durch MEC Co., Ltd.) wurde auf die Oberfläche der resultie
renden Testprobe aufgebracht, gefolgt vom Löten unter Be
nutzung eines vertikalen Lötmittel-Verlaufgerätes bei einer
Lötmittel-Temperatur von 240°C, einer Eintauchzeit von 4
Sekunden, einer Lufttemperatur von 220°C, einem Quetsch
druck von 0,3 MPa, um den Anteil der Fläche zu untersuchen,
an dem Lötmittel haftete. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3
gezeigt.
Wie aus Tabelle 3 deutlich wird, zeigt die mit dem
Ätzmittel der vorliegenden Erfindung behandelte Kupferober
fläche eine hervorragende Haftung an einem Lötmittel-Ab
decklack und eine ausgezeichnete Lötbarkeit. Im Gegensatz
dazu wurde bei Einsatz eines Persulfat-Ätzmittels (Ver
gleichsbeispiel 4) oder eines Schwefelsäure-Hydrogenwasser
stoff-Ätzmittels (Vergleichsbeispiel 5) der Lötmittel-Ab
decklack leicht entfernt und es gab eine vergleichsweise
große Fläche, an der Lötmittel nicht haftete.
Im Lichte der obigen Lehren sind offensichtlich zahl
reiche Modifikationen und Variationen der vorliegenden Er
findung möglich. Es sollte daher klar sein, dass die Erfin
dung im Rahmen der beigefügten Ansprüche anders ausgeführt
werden kann, als hier spezifisch beschrieben.
Claims (7)
1. Ätzmittel für Kupfer oder Kupferlegierungen, umfas
send 5-50 Gew.-% eines Alkanolamins, eine Kupferionen-Quel
le in der Menge von 0,2-10 Gew.-% als Kupfer, eine Haloge
nidionen-Quelle in der Menge von 0,005-10 Gew.-% als Halo
gen, 0,1-30 Gew.-% einer aliphatischen Carbonsäure, Rest
Wasser, worin das molare Verhältnis des Alkanolamins zu ei
nem Mol der aliphatischen Carbonsäure zwei oder mehr be
trägt.
2. Ätzmittel nach Anspruch 1, worin das Halogen Brom
ist.
3. Ätzmittel nach Anspruch 1, worin die Menge der ali
phatischen Carbonsäure 0,1-15 Gew.-% beträgt.
4. Ätzmittel nach Anspruch 1, worin die aliphatische
Carbonsäure eine aliphatische Monocarbonsäure ist.
5. Ätzmittel nach Anspruch 1, worin die Kupferionen-
Quelle eine Kupfer(II)ionen-Quelle ist, die Menge der Halo
genidionen-Quelle 0,005-5 Gew.-% als Halogen beträgt, die
Menge der aliphatischen Carbonsäure 2-30 Gew.-% ist und das
Ätzmittel einen pH im Bereich von 7,5-11,5 hat.
6. Ätzmittel nach Anspruch 5, worin das Halogen Brom
ist.
7. Ätzmittel nach Anspruch 5, worin die aliphatische
Carbonsäure eine aliphatische Monocarbonsäure ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31991899 | 1999-11-10 | ||
JP2000122947A JP4063475B2 (ja) | 1999-11-10 | 2000-04-24 | 銅または銅合金のエッチング剤 |
Publications (1)
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---|---|
DE10055506A1 true DE10055506A1 (de) | 2001-05-23 |
Family
ID=26569877
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Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6426020B1 (de) |
JP (1) | JP4063475B2 (de) |
DE (1) | DE10055506A1 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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