JP6646258B2 - 積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 - Google Patents
積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6646258B2 JP6646258B2 JP2016036409A JP2016036409A JP6646258B2 JP 6646258 B2 JP6646258 B2 JP 6646258B2 JP 2016036409 A JP2016036409 A JP 2016036409A JP 2016036409 A JP2016036409 A JP 2016036409A JP 6646258 B2 JP6646258 B2 JP 6646258B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- metal layer
- film
- layer
- oxidizing agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0145—Polyester, e.g. polyethylene terephthalate [PET], polyethylene naphthalate [PEN]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
Description
より詳しくは、プリント配線基板の製造方法のうちセミアディティブ法での銅配線形成において、所定のエッチングを施すことにより、安価でかつ簡単な工程で、銅層のサイドエッチングなしに配線間の金属残りを除去でき、微細配線加工品でも十分な絶縁信頼性を有するパターン形成できるプリント配線基板の製造方法および該製造方法により得られたプリント配線基板に関するものである。
近年の電子機器の高密度化に伴い、配線幅も狭ピッチ化した配線板が求められるようになってきており、この場合において、上記3層フレキシブル基板の製造にあっては、サブトラクティブ法による銅配線形成が用いられる。その製法は基板である絶縁体フィルム上に形成した銅被膜層に所望の配線パターンに従って塩化第2鉄溶液又は塩酸を含む塩化第2銅溶液によりエッチングして配線部の形成を行って配線板を製造するもので、その配線部のエッチングにより製造する場合に、配線部の側面がエッチングされるといういわゆるサイドエッチングが生ずるために配線部の断面形状が裾広がりの台形になり易いという点が問題となっていた。
2層フレキシブル基板を作製するには、絶縁体フィルム上に均一な厚さの銅被覆層を形成する手段として、通常、電気銅めっき法が採用される。そして、電気銅めっきを行うために、電気銅めっき被膜を施す絶縁体フィルムの上に薄膜の金属層を形成して表面全面に導電性を付与し、その上に電気銅めっき処理を行うのが一般的である(例えば、特許文献2参照)。また、絶縁体フィルム上に薄膜の金属層を得るためには、真空蒸着法、イオンプレーティング法などの乾式めっき法を使用するのが一般的である。
また塩酸と硫酸を含む市販の酸性エッチング液で処理した場合、Crを完全に除去することが困難であり、Crの除去に適した過マンガン酸カリウム溶液等のアルカリ性エッチング液と併用する必要がある。この過マンガン酸溶液等のアルカリ性エッチング液で処理することはCrの除去に有効であるが、そのエッチング液を使用するには、アルカリ専用の処理施設が必要であり、容易に工程を増やすことは困難であった。また、強アルカリの溶液であるがゆえに溶解したCrが有毒である六価クロムの形態となる可能性が高いことから、廃液処分に十分な注意とコストをかける必要があった。
しかしながら、パターンをエッチングで形成した後、リードとリードの間スペース部分には、エッチングやその後の洗浄工程を通しても、絶縁体フィルムと直接結合している極微量の下層金属層の金属成分が絶縁体フィルムの表層部に残留してしまうものと考えられている。
本発明者らは、絶縁信頼性を評価する恒温恒湿バイアス試験(HHBT:High Temperature High Humidity Bias Test)を行った場合に、この表層に残留する金属成分が、マイグレーションを起こす原因の一つであると推定している。
a.絶縁体フィルム
本発明においては、絶縁基板に絶縁体フィルムを用いた場合に2層フレキシブル基板とすることができる。
用いる絶縁体フィルムは、耐熱性の観点から、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれる少なくとも1種以上の熱硬化性樹脂フィルムが好ましい。その中でも、ポリイミド系のフィルム及びポリアミド系のフィルムは、はんだリフロー等において高温の接続が必要な用途に適している点で特に好ましいフィルムである。
絶縁基板(絶縁体フィルム)上に形成される下地金属層の材質としては、ニッケル、クロムから選択される1種以上の金属を含む合金である。下地金属層にはさらにMo,Ta,Ti,V,Co,Wから選ばれる少なくとも1種の金属を加えた合金としてもよい。
また下地金属層は、クロムを7質量%以上25質量%以下含むことがの望ましく、クロムを15質量%以上25質量%含むことがさらに望ましい。下地金属層の合金は高耐食性を有するとともに、密着性が高く、耐熱性を有するため好ましい。
さらに、上記下地金属層上には、その下地金属層の金属の酸化物が積層されていても良い。下地金属層の組成は、2層フレキシブル基板およびプリント配線基板のHHBT試験での絶縁信頼性や絶縁基板への密着性を考慮して適宜選択が可能である。
下地金属層が3nmよりも薄いと、配線加工を行う時のエッチング液が染み込み配線部が浮いてしまう等により配線ピール強度が著しく低下するなどの問題が発生するため、好ましくない。また、その膜厚が50nmよりも厚くなると、エッチングを行うことが難しくなるため、好ましくない。
銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着したスパッタリング装置を用い、銅被膜層を成膜する。この時、下地金属層と銅被膜層は同一真空室内で連続して形成することが好ましい。下地金属層を形成後、フィルムを大気中に取り出し、他のスパッタリング装置を用いて銅被膜層を形成する場合は、成膜以前に脱水分を十分に行っておく必要がある。
なお、この銅被膜層の層厚は、通常10nm〜500nmの範囲内であることがより好ましい。この銅被膜層の厚みが10nm以上であれば、基板面におけるピンホールによる欠陥修復が可能である。10nmよりも薄い場合、パターンレジストを形成し、さらに電気銅めっき処理を施す際に給電がし辛くなるため好ましくない。一方、フラッシュエッチングによる除去工程の効率を考慮すると、銅被膜層の厚みは500nm以下であることがよい。
次に配線パターンの形成を図1を参照しながら説明する。
図1は、本発明に係るフレキシブル配線基板の製造工程を示す一連の断面図で、(a)は2層フレキシブル基板、(b)はレジストパターン形成工程、(c)は配線パターン形成工程、(d)はレジスト除去工程、(e)はフラッシュエッチング工程、(f)は下地金属層除去工程である。
図1において、1は絶縁体フィルム、2は下地金属層、3は銅被膜層、4はレジストパターン、5は配線パターン、6はレジストパターン除去領域である。
その配線パターン5は電解銅めっき層で構成される。
フラッシュエッチングにより銅被膜層3が除去された領域6には下地金属層2が露出する(図1(e))。
ここで、2層フレキシブル基板を、(A)アミノ基を有する水溶性の有機溶媒または、その有機溶媒の水溶液に浸漬するのは、露出した下地金属層の過マンガン酸塩を含む酸性の酸化剤液に対する濡れ性が改善されるためである。
水溶性アルカノールアミン水溶液としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン等があげられる。さらに、エチレンジアミンまたはジエチレントリアミンのエチレンオキシドまたは/およびプロピレンオキシド付加物があげられる。
生産性の観点から、アミノ基を有する水溶性の有機溶媒又は、その有機溶媒の水溶液に浸漬する時間は、長くても1分以内、より望ましくは30秒以内である。
過マンガン酸塩濃度が低濃度になるとエッチング時間が遅くなり、高濃度にしても効果が変わらないため過マンガン酸塩濃度は0.1〜5重量%がより好ましい。また、塩酸濃度が高濃度になると銅配線を溶解しやすくなってしまい、低濃度ではエッチング速度が遅くエッチング時間が増加するため、塩酸濃度は0.01〜0.5重量%とするのがより好ましい。
塩酸を含む過マンガン酸塩エッチング液の処理時間は20秒から3分が好ましい。
その時間が20秒よりも短いと、下地金属層の溶け残りを除去するのに不十分であり、3分よりも長いと、銅の溶解量が増加するためである。
このマンガン残渣除去液でマンガン化合物を除去した後、配線間の下地金属層起因の残渣が完全に除去できていなかった場合は、再度過マンガン酸塩を含む酸性の酸化剤で処理を行うことが好ましい。
ポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製、フィルム厚み50μm)上にスパッタリング法により20重量%Cr−Ni合金を、厚み20〜30nmの範囲で下地金属層に形成する。次いで、その下地金属層上に銅被膜層を200〜350nmの範囲で形成して作製した2層フレキシブル基板上に、フォトリソグラフィによりパターンレジストの形成、さらに電気銅めっきを施した後、レジストを剥離した。
得られた試験基板の配線間に露出した下地金属層を除去するため、その前処理として、50℃に加熱した5.0wt%モノエタノールアミン水溶液に10秒浸漬の(A)処理を行い、水洗後、1.0wt%過マンガン酸カリウムおよび0.3wt%塩酸を含む水溶液中で、60秒間浸漬の(B)処理を行った。
得られた試験基板を、光学顕微鏡で観察して配線間の下地金属層の溶解を確認した。また、銅配線の再度エッチングの有無も光学顕微鏡で確認した。
その試験結果を表1に示す。
実施例1において、過マンガン酸塩を含む酸性の酸化剤での処理方法の前に水溶性アルカノールアミン処理を実施しないこととした以外は、実施例1と同様にして、試験基板を作製し、実施例1と同様にして試験基板の評価を行った。
その結果を下記表1に示す。
実施例1において、露出した下地金属層を除去する(A)、(B)処理を、市販の酸性エッチング液CH−1920(メック株式会社製 塩酸と硫酸を含むエッチング液)での処理に変えた以外は、実施例1と同様にして、試験基板を作製し、試験基板の評価を行った。
その結果を下記表1に示す。
フラッシュエッチング後に露出した下地金属層の除去を、過マンガン酸カリウム1wt%、塩酸5wt%、残り水のエッチング液を用いた以外は、実施例1と同様にして試験基板を作製して評価した。
その結果を表1に示す。
フラッシュエッチング後に露出した下地金属層の除去を、過マンガン酸カリウム0.1wt%、塩酸0.3wt%、残り水のエッチング液を用いた以外は、実施例1と同様にして試験基板を作製して評価した。
その結果を表1に示す。
実施例1において、露出した下地金属層を除去するため、市販の酸性エッチング液CH−1920(メック株式会社製)で処理し、さらに5wt.%過マンガン酸カリウムと5wt.%水酸化カリウムを含むアルカリ性の過マンガン酸溶液で処理したことに変えた以外は、実施例1と同様にして、試験基板を作製して評価を行った。
その結果を下記表1に示す。
また、HHBTの結果については、1000時間以上短絡がなかったものを「○」、1000時間以内に短絡したものについては「×」と示した。
2 下地金属層
3 銅被膜層
4 レジストパターン
5 配線パターン
6 レジストパターン除去領域
Claims (7)
- 絶縁基板の少なくとも片面に接着剤を介することなくニッケル、クロムから選択される1種以上の金属を含む合金で形成された下地金属層と前記下地金属層の表面に銅被膜層を形成した積層体のエッチング方法であって、
前記銅被膜層をエッチング除去した後の露出した下地金属層を、
アルカノールアミンで処理を行った後に、過マンガン酸塩を含む酸性の酸化剤によるエッチングを行い、除去することを特徴とする積層体のエッチング方法。 - 前記酸性の酸化剤による処理工程後、更にマンガン残渣除去液によりマンガン化合物を除去する工程を加えたことを特徴とする請求項1に記載の積層体のエッチング方法。
- 前記酸化剤が、0.01〜10重量%の過マンガン酸塩と0.005〜2重量%の塩酸を含有する溶液であることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層体のエッチング方法。
- 絶縁基板の少なくとも片面に接着剤を介することなくニッケル、クロムから選択される1種以上の金属を含む合金で形成された下地金属層と、前記下地金属層の表面に銅被膜層を形成した積層体の表面に、セミアディティブ法によりパターン形成するプリント配線基板の製造方法において、
前記銅被膜層をエッチング除去した後の露出した下地金属層を、アルカノールアミンで処理を行った後に、過マンガン酸塩を含む酸性の酸化剤によるエッチングを行い、除去することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。 - 前記酸性の酸化剤による処理工程後、更にマンガン残渣除去液によりマンガン化合物を除去する工程を加えたことを特徴とする請求項4記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記酸性の酸化剤が0.01〜10重量%の過マンガン酸塩と0.005〜2重量%の塩酸を含有する溶液であることを特徴とする請求項4又は5に記載のプリント配線基板の製造方法。
- 前記絶縁基板が、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれた少なくとも1種以上の樹脂フィルムであることを特徴とする請求項4に記載のプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036409A JP6646258B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 |
TW105142053A TWI630855B (zh) | 2016-02-26 | 2016-12-19 | 積層體之蝕刻方法及使用其之印刷佈線基板之製造方法 |
KR1020170011013A KR101917018B1 (ko) | 2016-02-26 | 2017-01-24 | 적층체의 에칭 방법과 그것을 이용한 프린트 배선 기판의 제조 방법 |
CN201710101154.3A CN107135608B (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-24 | 叠层体的蚀刻方法和使用了其的印刷配线基板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016036409A JP6646258B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017152659A JP2017152659A (ja) | 2017-08-31 |
JP6646258B2 true JP6646258B2 (ja) | 2020-02-14 |
Family
ID=59721830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016036409A Active JP6646258B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6646258B2 (ja) |
KR (1) | KR101917018B1 (ja) |
CN (1) | CN107135608B (ja) |
TW (1) | TWI630855B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108365096B (zh) * | 2018-02-02 | 2021-11-12 | 合肥工业大学 | 螺旋结构的嵌段共聚物半导体纳米线制备方法及其用途 |
KR20210023828A (ko) * | 2018-06-26 | 2021-03-04 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 프린트 배선판의 제조 방법 |
CN111499915A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-08-07 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 一种lcp薄膜的表面处理方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4556449A (en) * | 1984-10-15 | 1985-12-03 | Psi Star | Nickel etching process and solution |
JP4063475B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2008-03-19 | メック株式会社 | 銅または銅合金のエッチング剤 |
JP4394477B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-01-06 | Dowaホールディングス株式会社 | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 |
JP2007165816A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント配線基板、その製造方法およびその使用方法 |
CN101310571A (zh) * | 2005-11-15 | 2008-11-19 | 三井金属矿业株式会社 | 印刷线路板及其制造方法和使用方法 |
WO2009008273A1 (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | プリント配線基板の製造方法および該製造方法により得られたプリント配線基板 |
JP5573429B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2014-08-20 | 住友ベークライト株式会社 | 無電解ニッケル−パラジウム−金めっき方法、めっき処理物、プリント配線板、インターポーザ、および半導体装置 |
JP2011166028A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Cof基板の製造方法 |
JP5855459B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2016-02-09 | 日立化成株式会社 | 回路部材の接続構造体 |
CN103002663B (zh) * | 2011-09-09 | 2015-07-15 | 深南电路有限公司 | 一种印制电路板加工方法 |
CN102573315B (zh) * | 2012-01-31 | 2015-05-13 | 云南云天化股份有限公司 | 环氧树脂电路板的电路形成工艺 |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016036409A patent/JP6646258B2/ja active Active
- 2016-12-19 TW TW105142053A patent/TWI630855B/zh active
-
2017
- 2017-01-24 KR KR1020170011013A patent/KR101917018B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-24 CN CN201710101154.3A patent/CN107135608B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107135608A (zh) | 2017-09-05 |
JP2017152659A (ja) | 2017-08-31 |
TW201731356A (zh) | 2017-09-01 |
TWI630855B (zh) | 2018-07-21 |
CN107135608B (zh) | 2021-01-01 |
KR20170101108A (ko) | 2017-09-05 |
KR101917018B1 (ko) | 2018-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI439364B (zh) | A conductive layer and a base layer using the same, and a method of manufacturing the same | |
JP2005191525A (ja) | プリント配線基板、その製造法および回路装置 | |
JP4986082B2 (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
JP5983825B2 (ja) | フレキシブルプリント基板の製法 | |
JP6646258B2 (ja) | 積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 | |
JP2006229031A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4924843B2 (ja) | 2層フレキシブル基板及びその製造方法、並びに、該2層フレキシブル基板を用いたプリント配線基板及びその製造方法 | |
JP4986081B2 (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
JP2008028150A (ja) | プリント配線基板の製造方法及び得られるプリント配線基板 | |
WO2010018790A1 (ja) | マルチ導通部を有する多層積層回路基板 | |
JP5317099B2 (ja) | 接着層形成液 | |
JP5190780B2 (ja) | エッチング液、選択的エッチング方法及びこれを用いた配線板の製造方法 | |
JP2018115373A (ja) | 積層体のエッチング方法とそれを用いたプリント配線基板の製造方法 | |
JP5311070B2 (ja) | 金属化ポリイミドフィルム、およびその評価方法 | |
WO2020171051A1 (ja) | 銀用エッチング液、及びそれを用いたプリント配線板の製造方法 | |
JP4709813B2 (ja) | プリント配線基板、回路装置およびプリント配線基板の製造方法 | |
JP4877022B2 (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
JP5190779B2 (ja) | エッチング液、選択的エッチング方法及びこれを用いた配線板の製造方法 | |
JP2010050116A (ja) | 多層積層回路基板 | |
JP2012230996A (ja) | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191008 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191211 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6646258 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |