DE19907966C2 - Dielektrische Schaltung - Google Patents
Dielektrische SchaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine dielektri
sche Schaltung und insbesondere auf eine dielek
trische Resonanzvorrichtung zur Anwendung im Mikrowellen-
oder Millimeterwellen-Bereich.
Ein dielektrischer Resonator mit einem niedrigen Phasenrau
schen und einer hohen Stabilität der Resonanzfrequenz wird
als ein Resonator oder in einem Oszillator im Hochfrequenz
bereich, wie z. B. dem Mikrowellen- oder Millimeterwellen-
Bereich, verwendet.
Bei der offengelegten Japanischen Patentanmeldung Nr. 8-
265015 hat die Bevollmächtigte der vorliegenden Anmeldung
ein Modul gezeigt, bei dem Elektroden auf beiden Hauptober
flächen eines dielektrischen Blatts angeordnet sind, um ei
nen dielektrischen Resonator auf einem Teil des Blatts zu
bilden. Die Elektroden, die auf dem dielektrischen Blatt
angeordnet sind, dienen als Massepotentiale, und ein Mikro
streifen, der auf einem weiteren dielektrischen Blatt ange
ordnet ist, ist auf das dielektrische Blatt gestapelt. Diese
Anordnung wird in einem Hochfrequenzmodul, wie z. B. einem
VCO, verwendet.
Zusätzlich wurde ein ähnlicher Typ eines Hochfrequenzmoduls
in der Japanischen Patentanmeldung Nr. 8-294087 gezeigt. Die
Fig. 19 und 20 stellen die Struktur des Hochfrequenzmoduls
dar. Es sei bemerkt, daß dieses Hochfrequenzmodul nicht der
Öffentlichkeit zu dem Zeitpunkt des Einreichens der Japani
schen Anmeldung Nr. 10-42017, auf der die vorliegende Anme
ldung basiert, offengelegt war. Folglich betrachten die Er
finder das Hochfrequenzmodul der Fig. 19 bis 20 als Stand
der Technik hinsichtlich der vorliegenden
Erfindung.
In Fig. 19 bezeichnet die Bezugsziffer 1 ein dielektrisches
Blatt. Eine Elektrode ist auf jeder der zwei Hauptoberflä
chen des dielektrischen Blatts 1 gebildet. Jede Elektrode
weist eine Öffnung auf, die an einer Position gebildet ist,
die der Position der Öffnung der anderen Elektrode (Bezugs
ziffer 4 bezeichnet eine Öffnung) entspricht. Der Teil, der
durch die Elektrodenöffnungen definiert ist, dient als ein
dielektrischer Resonator. Eine Schaltungsplatine 6 auf einer
Oberfläche, aus der eine Schaltung, die Mikrostreifenlei
tungen umfaßt, gebildet ist, ist auf der oberen Oberfläche
des dielektrischen Blatts 1 plaziert. An der Schaltungspla
tine 6 sind ferner Kopplungsleitungen 11 und 12 bei Posi
tionen vorgesehen, die es den Kopplungsleitungen 11 und 12
ermöglichen, mit dem dielektrischen Resonator gekoppelt zu
werden, der in der Elektrodenöffnung 4 gebildet ist.
Bei dem in Fig. 20 gezeigten Beispiel sind Elektroden, die
jeweils eine Öffnung aufweisen, die an Positionen gebildet
sind, die einander entsprechen (die Bezugsziffer 5 be
zeichnet eine Öffnung, die in einer Elektrode gebildet ist),
auf zwei jeweiligen Hauptoberflächen eines dielektrischen
Blatts 1 derart angeordnet, daß der Teil, der durch die
Elektrodenöffnungen definiert ist, als ein dielektrischer
Resonator dient. Das dielektrische Blatt 1 ist auf einer
Schaltungsplatine 6 derart plaziert, daß der dielektrische
Resonator mit einer Übertragungsleitung gekoppelt ist, die
auf der Schaltungsplatine 6 gebildet ist. Ein Beabstandungs
stück ist zwischen dem dielektrischen Blatt 1 und der Schal
tungsplatine 6 derart angeordnet, daß die Elektroden an der
unteren Oberfläche des dielektrischen Blatts 1 in Fig. 20
von den Elektroden an der oberen Oberfläche der Schaltungs
platine 6 isoliert sind.
Bei den dielektrischen Resonatoren des Typs, der oben be
schrieben ist, bei dem Elektroden, die jeweils eine Öffnung
aufweisen, die bei Positionen gebildet sind, die einander
entsprechen, auf zwei jeweiligen Hauptoberflächen eines
dielektrischen Blatts angeordnet sind, ist fast das gesamte
elektromagnetische Feld in dem Teil begrenzt, der durch die
Elektrodenöffnungen definiert ist, und folglich ist die
elektromagnetische Energie in diesem Teil konzentriert. Da
her kann eine starke Kopplung durch Plazieren der Kopplungs
leitung bei einer ordnungsgemäßen Position erreicht werden.
Folglich kann der dielektrische Resonator verwendet werden,
um beispielsweise einen Oszillator mit einer großen Oszil
lationsfrequenzmodulationsbreite und/oder einer großen Aus
gangsleistung zu realisieren.
Bei den Oszillatoren, die in Fig. 19 und 20 gezeigt sind,
variiert die Frequenzmodulation abhängig von dem Äußeren Q
(Qe2) der Resonanzschaltung (Kopplungsleitung 12), wie es in
Fig. 16 gezeigt ist. Es ist aus Fig. 16 sichtbar, daß es
möglich ist, stark die Frequenzmodulationsbreite durch
Reduzieren des Äußeren Q (Qe2) zu erhöhen.
Fig. 17 stellt die Beziehung zwischen dem Reflexionskoeffi
zienten der Resonanzschaltung und dem Äußeren Q (Qe1) des
dielektrischen Resonators und der Kopplungsleitung 11 dar.
Aus Fig. 17 ist sichtbar, daß sich der Reflexionskoeffizient
der Resonanzschaltung erhöht, wenn das Äußere Q (Qe1) redu
ziert wird. Da das Ausgangssignal mit der Erhöhung des Re
flexionskoeffizienten der Resonanzschaltung zunimmt, ist es
möglich, das Ausgangssignal durch Reduzieren des Äußeren Q
(Qe1) zu erhöhen.
Fig. 2 stellt eine elektromagnetische Feldverteilung in ei
nem dielektrischen Resonator des Typs dar, bei dem der Re
sonator auf einem dielektrischen Blatt auf die Art und Weise
gebildet ist, die in Fig. 19 oder 20 definiert ist. In Fig.
2 bezeichnen die Bezugsziffern 2 und 3 Elektroden, die auf
jeweiligen Hauptoberflächen des dielektrischen Blatts 1 ge
bildet sind. Der Teil, der in den kreisförmigen Öffnungen 4
und 5 der jeweiligen Elektroden 2 bzw. 3 definiert ist,
dient als ein dielektrischer TE010-Modus-Resonator. Bei der
herkömmlichen Resonanzschaltung zur Anwendung in einem
Oszillator sind die Kopplungsleitungen 11 und 12 bei Posi
tionen angeordnet, die wenig abseits von den Oberflächen der
Elektrodenöffnungen 4 und 5 (auf die hierin im folgenden als
Elektrodenöffnungsebenen Bezug genommen wird) sind, die den
dielektrischen Resonatorteil bilden. Wenn der Abstand zwi
schen den Kopplungsleitungen und der Elektrodenöffnungsebene
erhöht wird, nimmt das elektromagnetische Feld, das an die
Kopplungsleitungen angelegt ist, stark ab, wie es aus Fig. 1
sichtbar ist. Dies bedeutet, daß der Grad des Koppelns stark
mit der Zunahme des Abstandes zwischen den Kopplungsleitun
gen und der Elektrodenöffnungsebene abnimmt.
Fig. 18 stellt das Oszillationsausgangssignal als eine
Funktion des Abstandes zwischen den Kopplungsleitungen und
der Elektrodenöffnungsebene (wobei der Abstand in einer
Richtung senkrecht zu der Elektrodenöffnungsebene gemessen
ist) dar. Wie es aus Fig. 18 sichtbar ist, nimmt dann, wenn
der Abstand zwischen den Kopplungsleitungen und der Elektro
denöffnungsebene reduziert wird, das Äußere Q ab, und das
Ausgangssignal nimmt zu.
Bei der dielektrischen Resonanzvorrichtung, die in den Fig.
19 oder 20 gezeigt ist, ist es jedoch unmöglich, den Abstand
zwischen den Kopplungsleitungen und der Elektrodenöffnungen
auf einen Wert zu reduzieren, der kleiner ist als eine prak
tische Grenze. Das heißt, daß bei dem Beispiel, das in Fig.
19 gezeigt ist, es erforderlich ist, die Dicke der Schal
tungsplatine 6 zu verringern, um den Abstand von der Elek
trodenöffnungsebene der Elektrodenöffnung 4 zu den Kopp
lungsleitungen 11 und 12 zu verringern, da die Kopplungs
leitungen 11 und 12 auf der oberen Oberfläche der Schal
tungsplatine 6 angeordnet sind. Die Reduktion der Dicke der
Schaltungsplatine 6 ist jedoch auf einen praktisch möglichen
Minimalwert begrenzt. Bei dem in Fig. 20 gezeigten Beispiel
ist es erforderlich, die Dicke des Abstandstücks zu reduzie
ren. Das Abstandsstück weist jedoch ebenfalls eine minimale
mögliche Dicke auf. Außerdem führt die Reduktion der Dicke
des Abstandsstücks zu einem weiteren Problem, durch das es
unmöglich wird, eine gewünschte Charakteristik zu erhalten,
da die Reduktion der Dicke des Abstandsstücks eine große Än
derung der charakteristischen Impedanz der Leitungen 11 und
12 erzeugt.
Ein weiteres Problem ist die Positioniergenauigkeit der
Kopplungsleitungen relativ zu dem Resonator. Im Millimeter
bereich führt eine sehr kleine Änderung der Position der
Kopplungsleitungen relativ zu der Position des Resonators zu
einer großen Änderung der Charakteristik. Daher ist eine ho
he Positioniergenauigkeit erforderlich. Bei der herkömmli
chen dielektrischen Resonanzvorrichtung werden jedoch der
Resonator und die Kopplungsleitung getrennt durch unter
schiedliche Prozesse erzeugt, und daher ist es schwierig,
eine erforderliche hohe Positionsgenauigkeit zu erreichen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine
dielektrische Schaltung mit einem dielektrischen Resonator
zu schaffen, der einen reduzierten äußeren Gütefaktor auf
weist, wobei eine hohe Positionsgenauigkeit zwischen dem di
elektrischen Resonator und einer Kopplungsleitung realisiert
werden kann.
Diese Aufgabe wird durch eine dielektrische Schaltung gemäß
Anspruch 1 gelöst.
Es ist ein Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß dieselbe
eine dielektrische Schaltung schafft, die einen dielektri
schen Resonator mit einem reduzierten äußeren Gütefaktor um
faßt, derart, daß die dielektrische Schaltung beispielsweise
verwendet werden kann, um einen Oszillator mit einer großen
Frequenzmodulationsbreite und einem großen Ausgangssignal zu
realisieren.
Es ist ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß
dieselbe eine dielektrische Schaltung mit einer hohen Posi
tionsgenauigkeit zwischen einem Resonator und einer Kopp
lungsleitung und folglich mit einer kleinen Charakteristik
variationen vorsieht.
Bei dem erfindungsgemäßen Aufbau ist die Kopplungsleitung
direkt in mindestens einer der Öffnungen in den elektrisch
leitenden Schichten des dielektrischen Resonators gebildet,
weshalb es möglich ist, eine starke Kopplung zwischen der
Kopplungsleitung und dem dielektrischen Resonator zu reali
sieren.
Wenn die Übertragungsleitung in der Form einer koplanaren
Leitung unter Verwendung einer der elektrisch leitenden
Schichten, die auf der dielektrischen Schicht gebildet sind,
als eine Masseelektrode aufgebaut ist, ist es möglich,
gleichzeitig die Übertragungsleitung, die Kopplungsleitung
und die elektrisch leitenden Schichten auf der dielektri
schen Schicht zu bilden, derart, daß der dielektrische Reso
nator auf demselben gebildet wird, ohne daß ein zusätzliches
Substrat verwendet werden muß.
Auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht kann eine wei
tere dielektrische Schicht angeordnet sein, auf der eine Mi
krostreifenleitung, die als die Übertragungsleitung dient,
gebildet ist. Bei diesem Aufbau ist es, wenn die Übertra
gungsleitungen anders als die Kopplungsleitung in die Struk
tur von Mikrostreifenleitungen gebildet werden, möglich, ei
ne starke Kopplung zwischen der Kopplungsleitung und dem di
elektrischen Resonator zu erreichen.
Die Verbindung zwischen der Übertragungsleitung und der
Kopplungsleitung kann über einen Leiter realisiert werden,
der auf einem Verbindungsbauglied gebildet ist, das auf der
Oberfläche der dielektrischen Schicht angeordnet ist, wobei
der Leiter, der auf dem Verbindungsbauglied gebildet ist,
von der elektrisch leitenden Schicht auf der Hauptoberfläche
der dielektrischen Schicht isoliert ist. Bei dieser Struktur
kann die Verbindung zwischen der Übertragungsleitung und der
Kopplungsleitung ohne weiteres durch Anbringen des Verbin
dungsbauglieds an der Oberfläche der dielektrischen Schicht
auf eine ähnliche Art und Weise erreicht werden, die verwen
det wird, um andere chipförmige Komponenten anzubringen.
Wenn die Kopplungsleitung und die Übertragungsleitung auf
der dielektrischen Schicht gebildet sind, kann der Mittel
leiter der koplanaren Leitung derart gebildet sein, daß der
Mittelleiter der koplanaren Leitung und die Kopplungsleitung
aus einer einzigen Leitung gebildet sind. Bei dieser Struk
tur ist keine zusätzliche Verbindung für die Verbindung zwi
schen der Kopplungsleitung und der Übertragungsleitung er
forderlich.
Ferner können zwei Masseelektroden, die an beiden Seiten des
Mittelleiters der koplanaren Leitung positioniert sind, mit
einander über einen Leiter verbunden sein, der sich über den
Mittelleiter erstreckt. In diesem Fall ist es möglich, die
Resonanzfrequenz des dielektrischen Resonators durch Ein
stellen der Position des Leiters zu variieren, durch den die
zwei Masseelektroden miteinander verbunden sind.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Hauptteils eines
VCO gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegen
den Erfindung;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel einer
elektromagnetischen Feldverteilung in einem dielek
trischen Resonator zeigt;
Fig. 3 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des VCO;
Fig. 4 eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel ei
nes Aufbaus eines Hauptteils der dielektrischen
Resonanzvorrichtung unter Verwendung einer kopla
naren Übertragungsleitung darstellt;
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres Bei
spiel eines Aufbaus eines Hauptteils einer dielek
trischen Resonanzvorrichtung unter Verwendung einer
koplanaren Übertragungsleitung darstellt;
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres
Beispiel eines Aufbaus eines Hauptteils einer di
elektrischen Resonanzvorrichtung unter Verwendung
einer koplanaren Übertragungsleitung darstellt;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres Bei
spiel eines Aufbaus eines Hauptteils einer dielek
trischen Resonanzvorrichtung unter Verwendung einer
koplanaren Übertragungsleitung darstellt;
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel ei
nes Aufbaus eines Hauptteils eines VCO unter Ver
wendung einer Übertragungsleitung in der Form einer
koplanaren Übertragungsleitung darstellt;
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres Bei
spiel eines Aufbaus eines Hauptteils eines VCO un
ter Verwendung einer Übertragungsleitung in der
Form einer koplanaren Übertragungsleitung dar
stellt;
Fig. 10 eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres
Beispiel eines Aufbaus eines Hauptteils eines VCO
unter Verwendung einer Übertragungsleitung in der
Form einer koplanaren Übertragungsleitung dar
stellt;
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel ei
nes Aufbaus eines VCO unter Verwendung einer Über
tragungsleitung in der Form einer Mikrostreifenlei
tung darstellt;
Fig. 12 eine perspektivische Teilansicht, die die Struktur
eines Verbindungsteils zwischen einer Kopplungs
leitung und einer Mikrostreifenleitung darstellt;
Fig. 13 eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel
des Aufbaus einer Kopplungsleitung darstellt;
Fig. 14 eine perspektivische Ansicht eines Hauptteils einer
dielektrischen Resonanzvorrichtung unter Verwendung
eines dielektrischen PDTL-Modus-Resonators;
Fig. 15 ein Beispiel einer elektromagnetischen Feldvertei
lung in einem PDTL-Modus;
Fig. 16 einen Graph, der die Beziehung zwischen der Fre
quenzmodulationsbreite eines Oszillators und dem
Kopplungsgrad darstellt;
Fig. 17 einen Graph, der die Beziehung zwischen dem Refle
xionskoeffizienten einer Resonanzschaltung und dem
Äußeren Q darstellt;
Fig. 18 ein Graph, der die Abhängigkeit des Ausgangssignals
eines Oszillators von dem Abstand zwischen einer
Elektrodenöffnungsebene und einer Kopplungsleitung
darstellt;
Fig. 19 eine perspektivische Teilansicht, die ein Beispiel
des Aufbaus eines herkömmlichen VCO darstellt; und
Fig. 20 eine perspektivische Teilansicht, die ein weiteres
Beispiel des Aufbaus eines herkömmlichen VCO dar
stellt.
Bezugnehmend auf die Fig. 1 bis 3 ist im folgenden ein er
stes Ausführungsbeispiel eines spannungsgesteuerten Oszil
lators (auf den im folgenden als VCO (= Voltage Controlled
Oscillator) Bezug genommen wird) gemäß der vorliegenden Er
findung beschrieben.
Fig. 1 ist eine perspektivische Teilansicht eines VCO-Mo
duls. In Fig. 1 bezeichnet die Bezugsziffer 1 ein dielek
trisches Blatt. Die Elektroden (elektrisch leitenden Schichten) 2 und 3 sind an den jeweili
gen zwei Hauptoberflächen des dielektrischen Blatts 1 gebil
det. Jede Elektrode 2, 3 weist eine Öffnung auf, die bei ei
ner Position gebildet ist, die der Position der Öffnung der
anderen Elektrode entspricht. In Fig. 1 bezeichnet die Be
zugsziffer 4 eine Öffnung, die in der Elektrode gebildet
ist, die auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Blatts
1 angeordnet ist. Die Bezugsziffer 6 bezeichnet eine Schal
tungsplatine (weitere dielektrische Schicht) in der Form eines dielektrischen Blatts mit
einer Öffnung, die bei einer Position gebildet ist, die der
Elektrodenöffnung 4 entspricht. Verschiedene Schaltungen sind
an der oberen Oberfläche der Schaltungsplatine 6, wie es im
folgenden beschrieben ist, gebildet. Dieselben umfassen eine
Übertragungsleitung 11', die mit einer Kopplungsleitung 11
verbunden ist, die in der Elektrodenöffnung 4 gebildet ist,
und eine Übertragungsleitung 12', die mit einer Kopplungs
leitung 12 verbunden ist, die in der Elektrodenöffnung 4 ge
bildet ist. Ein Abschlußwiderstand 13 ist zwischen der Über
tragungsleitung 11' und einer Masseelektrode 14 vorgesehen.
Auf der anderen Seite ist eine Varaktordiode 16 zwischen der
Übertragungsleitung 12' und einer Masseelektrode 17 ange
ordnet. Ferner ist eine Vorspannschaltung (Bias-Schaltung)
23 mit einem Ende der Übertragungsleitung 12' verbunden.
Es ist ferner eine Serienrückkopplungsleitung 20 vorgesehen,
an der ein FET 15 angebracht ist. Die Bezugsziffer 24 be
zeichnet eine Ausgangsschaltung. Das Gate des FET 15 ist mit
einem Ende der Übertragungsleitung 11' verbunden. Die Drain
und die Source des FET 15 sind mit der Serienrückkopplungs
leitung 20 bzw. der Ausgangsschaltung 24 verbunden. Eine
Vorspannschaltung 22 ist mit der Serienrückkopplungsleitung
20 verbunden, und eine Vorspannschaltung 28 ist mit der Aus
gangsschaltung 24 verbunden. Außerdem ist ein Chipwiderstand
25 zwischen dem Ende der Vorspannschaltung 21 und der Masse
elektrode angeordnet.
Da sich die Rückseitenoberfläche der Schaltungsplatine 6 in
einem Kontakt mit der Masseelektrode befindet, die an der
oberen Oberfläche des dielektrischen Blatts 1 gebildet ist,
sind Mikrostreifenleitungen zwischen den jeweiligen Über
tragungsleitungen, die oben beschrieben sind, und der Masse
elektrode, gebildet. Alternativ kann eine Masseelektrode
über im wesentlichen den gesamten Bereich der Rückseiten
oberfläche (die hin zu dem dielektrischen Blatt 1 gerichtet
ist) der Schaltungsplatine 6 gebildet sein.
Die Kopplungsleitungen 11 und 12 sind an der oberen Oberflä
che des dielektrischen Blatts 1 in einem Bereich, der durch
die Elektrodenöffnung freigelegt ist, gebildet. Die Kopp
lungselektroden 11 und 12 sind über Bonddrähte mit den Elek
troden 11' bzw. 12', die an der Schaltungsplatine 6 gebildet
sind, verbunden.
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht, die eine elektromagne
tische Feldverteilung in dem Resonatorteil darstellt. Wie im
vorhergehenden beschrieben, sind die Elektroden 2 und 3, die
kreisförmige Elektrodenöffnungen 4 und 5 aufweisen, die an
Positionen gebildet sind, die einander entsprechen, auf bei
den Hauptoberflächen des dielektrischen Blatts 1 derart an
geordnet, daß der Teil, der durch die Öffnungen 4 und 5 de
finiert ist, als ein dielektrischer TE010-Modus-Resonator
dient. In dem TE010-Modus ist die Intensität des elektro
magnetischen Feldes größer an Positionen, die näher zu der
Oberfläche des dielektrischen Blatts in der Nähe der Elek
trodenöffnungen 4 und 5 liegen.
Fig. 3 stellt eine äquivalente Schaltung des oben beschrie
benen VCO dar. Bei dieser Figur bezeichnet R den dielektri
schen Resonator. Der FET 15 bildet eine Schaltung mit nega
tivem Widerstand. Die Schaltung mit negativem Widerstand,
die Kopplungsleitung 11 und der dielektrische Resonator R,
der mit der Kopplungsleitung 11 gekoppelt ist, bilden einen
Bandreflexionsoszillator. Die Oszillationsfrequenz ändert
sich gemäß der Kapazität der Varaktordiode 16, die mit der
Kopplungsleitung 12 verbunden ist, die mit dem dielektri
schen Resonator R gekoppelt ist.
Durch Bilden der Kopplungsleitung direkt in der Elektro
denöffnungsebene auf die oben beschriebene Art und Weise ist
es möglich, eine starke Kopplung zwischen dem dielektrischen
Resonator und der Kopplungsleitung zu erreichen. Da die
Elektrodenöffnung, die den dielektrischen Resonator bildet,
und die Kopplungsleitung auf dem gleichen einzigen dielek
trischen Blatt gebildet sind, ist es außerdem bei dieser
Technik möglich, ohne weiteres eine hohe Positionsgenauig
keit zwischen dem dielektrischen Resonator und der Kopp
lungsleitung zu erreichen. Als ein Resultat ist es möglich,
ohne weiteres dielektrische Resonanzvorrichtungen mit ge
ringeren charakteristischen Variationen zu erzeugen.
Obwohl bei dem ersten Ausführungsbeispiel die Übertragungs
leitungen in die Mikrostreifenleitungsstruktur gebildet
sind, können dieselben ferner in die koplanare Leitungs
struktur gebildet sein. Fig. 4 stellt ein Beispiel dar, bei
dem eine koplanare Leitung verwendet wird. In Fig. 4 ist von
den Elektroden, die in der Elektrodenöffnung gebildet sind,
lediglich eine Kopplungsleitung 11 gezeigt. In Fig. 4 ist
eine Elektrode 2, die eine kreisförmige Öffnung 4 aufweist,
und eine koplanare Übertragungsleitung, die einen Mittellei
ter 11' umfaßt, an der oberen Oberfläche des dielektrischen
Blatts 1 gebildet. Der Mittelleiter 11' der koplanaren Über
tragungsleitung und die Kopplungsleitung 11 sind miteinander
durch einen Bonddraht verbunden. Wenn die Übertragungs
leitungen in die Form von koplanaren Übertragungsleitungen
auf die oben beschriebene Art und Weise erzeugt sind, wird
die Schaltungsplatine 6, wie z. B. dieselbe, die in Fig. 1
gezeigt ist, zumindest für die Übertragungsleitungen un
nötig. Da die Masseelektrode, die Übertragungsleitungen und
die Kopplungsleitungen alle auf dem dielektrischen Blatt
gebildet werden können, wird der erforderliche Erzeugungs
prozeß einfacher. Außerdem kann eine hohe Positionsgenauig
keit zwischen dem dielektrischen Resonator und der Kopp
lungsleitung ohne weiteres erreicht werden.
Anstelle des Verwendens des Bonddrahts, der in Fig. 4 ge
zeigt ist, kann die Verbindung ferner unter Verwendung eines
Banddrahts, wie in Fig. 5 gezeigt ist, erreicht werden.
Wie in Fig. 6 gezeigt, kann alternativ ein Verbindungsbau
glied, das einen Leiter 28 umfaßt, zwischen der Kopplungs
leitung 11 und dem Ende der koplaneren Übertragungsleitung
derart angeordnet sein, daß der Mittelleiter 11' der kopla
naren Übertragungsleitung mit der Kopplungsleitung 11 über
den Leiter 28 verbunden ist.
Weiterhin kann, wie in Fig. 7 gezeigt, die Kopplungsleitung
11 alternativ mit dem Mittelleiter 11' der koplanaren Über
tragungsleitung über eine Luftbrücke 26 verbunden sein.
Fig. 8 stellt ein Beispiel eines VCO dar, der unter Verwen
dung der Übertragungsleitungen in der Form von koplanaren
Übertragungsleitungen aufgebaut ist. In Fig. 8 bezeichnet
die Bezugsziffer 30 eine Resonanzschaltungsplatine, die ein
dielektrisches Blatt 1 umfaßt, bei dem die Elektroden 2 und
3, die Öffnungen aufweisen, die an Positionen gebildet sind,
die einander entsprechen, an den jeweiligen zwei Hauptober
flächen des dielektrischen Blatts 1 derart positioniert
sind, um einen dielektrischen TE010-Modus-Resonatorteil zu
bilden. Außerdem sind die Kopplungsleitungen 11 und 12 und
verschiedene Übertragungsleitungen, die die Übertragungslei
tungen 11' und 12' in der Form von koplanaren Übertragungs
leitungen umfassen, auf der oberen Oberfläche des dielek
trischen Blatts 1 gebildet. Die Bezugsziffer 31 bezeichnet
eine Schaltungsplatine mit negativem Widerstand. Eine Masse
elektrode ist über im wesentlichen dem gesamten Bereich der
unteren Oberfläche eines dielektrischen Blatts gebildet. Ei
ne Schaltung mit negativem Widerstand, die einen FET 15 um
faßt, ist an der oberen Oberfläche des dielektrischen Blatts
gebildet. Diese Schaltung mit negativem Widerstand ist auf
eine ähnliche Art und Weise wie die Schaltung mit negativem
Widerstand aufgebaut, die in Fig. 1 gezeigt ist.
Bei der Resonanzschaltungsplatine 30 ist ein Abschlußwider
stand 13 an der oberen Oberfläche des dielektrischen Blatts
1 derart angeordnet, daß die Übertragungsleitung 11' über
den Abschlußwiderstand 13 mit der Elektrode 2 verbunden ist,
die als die Masseelektrode dient. Außerdem ist eine Varak
tordiode 16 zwischen der Übertragungsleitung 12' und der
Masseelektrode angeordnet. Die Übertragungsleitung 12' ist
ferner mit einer Vorspannschaltung 23 verbunden. Wenn sowohl
die koplanaren Leitungen als auch die Mikrostreifenleitungen
verwendet werden, wie es bei diesem Beispiel der Fall ist,
können die Resonanzschaltungsplatinen und die Schaltungspla
tine mit negativem Widerstand getrennt erzeugt werden, und
die Übertragungsleitungen an den zwei Platinen können über
einen Bonddraht verbunden sein.
Fig. 9 stellt ein weiteres Beispiel eines VCO, der unter
Verwendung von Übertragungsleitungen in der Form von kopla
naren Übertragungsleitungen aufgebaut ist, dar. Eine Schal
tungsplatine mit negativem Widerstand 31 ist ähnlich zu der
selben, die in Fig. 8 gezeigt ist. Eine Resonanzschaltungs
platine 30 unterscheidet sich von derselben, die in Fig. 8
gezeigt ist, dahingehend, daß die Kopplungsleitungen 11 und
12 in einen äußeren Bereich von dem Inneren einer Elektro
denöffnung 4 derart ausgedehnt sind, daß die ausgedehnten
Teile als koplanare Übertragungsleitung wirken. Mit anderen
Worten sind die Mittelleiter der koplanaren Übertragungslei
tungen und die Kopplungsleitungen aus den gleichen durch
gehenden Leitungen gebildet. Bei dieser Struktur wird der
Bonddraht für die Verbindung zwischen den Kopplungsleitungen
und den Übertragungsleitungen unnötig. Wie bei der Verbin
dung zwischen der Übertragungsleitung an der Resonanzschal
tungsplatine 30 und derselben an der Schaltungsplatine mit
negativem Widerstand 31 können die Übertragungsleitungen
unter Verwendung von Lot oder dergleichen ohne Verwenden
eines Bonddrahts direkt verbunden sein.
Fig. 10 ist eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres
Beispiel eines VCO darstellt, der unter Verwendung von Über
tragungsleitungen in der Form von koplanaren Übertragungs
leitungen aufgebaut ist. In Fig. 10 bezeichnet die Bezugs
ziffer 26 Luftbrücken, die sich über Mittelleiter von kopla
naren Übertragungsleitungen und von den Kopplungsleitungen
11 und 12 derart ausdehnen, daß zwei Masseelektroden
(Elektroden 2) an beiden Seiten der Mittelelektroden über
die Luftbrücken miteinander verbunden sind. Durch Anordnen
von Luftbrücken 26 um den Umfang der Elektrodenöffnung 4
derart, daß die resultierende Struktur äquivalent zu der
Struktur ist, die in Fig. 8 gezeigt ist, bei der die
Elektrodenöffnung durch einen durchgehenden Masseleiter um
geben ist, wird sichergestellt, daß eine Oszillation bei
einer inhärenten Resonanzfrequenz auftritt. Wenn die Po
sitionen der Luftbrücken 26 weit weg von dem Umfang der
Elektrodenöffnung 4 verschoben werden, ändert sich die
elektromagnetische Feldverteilung nahe dem Umfang der Elek
trodenöffnung und folglich ändert sich die Resonanzfrequenz
(nimmt ab). Dieser Effekt ermöglich es, daß die Resonanz
frequenz eingestellt oder durch die Positionen der Luft
brücken 26 eingestellt wird.
Anstelle der Luftbrücken 26, die in Fig. 10 gezeigt sind,
können Bonddrähte oder Banddrähte verwendet werden, um Ver
bindungen zwischen den Masseelektroden an beiden Seiten der
Mittelleiter der koplanaren Übertragungsleitungen zu bilden.
Alternativ können die Brücken unter Verwendung einer Zwei-
Schicht-Verbindungstechnik gebildet sein.
Obwohl koplanare Übertragungsleitungen bei den Beispielen
verwendet werden, die in den Fig. 8 bis 10 gezeigt sind,
kann die Schaltung ferner in zwei Module aufgeteilt sein, d. h. eine Resonanzschaltungsplatine 30 und eine Schaltungs
platine mit negativem Widerstand 31, wie in Fig. 11 gezeigt,
wenn die Übertragungsleitungen unter Verwendung von Mi
krostreifenleitungen erzeugt werden. In Fig. 11 sind ein di
elektrischer Resonator, der in den Resonanzschaltungselek
trodenöffnungen 4 gebildet ist, Kopplungsleitungen 11 und
12, die mit dem dielektrischen Resonator gekoppelt sind, und
Übertragungsleitungen 11' und 12', die mit den jeweiligen
Kopplungsleitungen 11 und 12 verbunden sind, alle ähnlich zu
denselben, die in Fig. 1 gezeigt sind, obwohl es Unterschie
de bezüglich der Positionen gibt. Eine Schaltungsplatine mit
negativem Widerstand 31 ist ähnlich zu derselben, die in
Fig. 8 gezeigt ist. Durch Teilen der Schaltung in das Reso
nanzschaltungsmodul und das Schaltungsmodul mit negativem
Widerstand, wie oben beschrieben, wird es ermöglicht, ge
trennt diese zwei Module zu erzeugen und einzustellen.
Fig. 12 stellt eine weitere Technik dar, um eine Mikro
streifenleitung, die an einer Schaltungsplatine 6 gebildet
ist, mit einer Kopplungsleitung zu verbinden, die an einem
dielektrischen Blatt in einer Elektrodenöffnung gebildet
ist. Bei diesem Beispiel umfaßt die Schaltungsplatine 6 eine
Öffnung, die an einer Position gebildet ist, die der Elek
trodenöffnung 4 entspricht, die an dem dielektrischen Blatt
gebildet ist, und die Schaltungsplatine 6 steht teilweise in
die Öffnung derart vor, daß das Ende des vorstehenden Teils
ein Ende der Kopplungsleitung 11 erreicht, die in der Elek
trodenöffnung gebildet ist. Die Übertragungsleitung 11' in
der Mikrostreifenleitungsform und die Kopplungsleitung 11
sind miteinander an dem vorstehenden Teil über Lot oder der
gleichen verbunden. Anstelle des Verwendens von Lot kann die
Verbindung ferner über eine Kapazität zwischen der Übertra
gungsleitung 11' und der Kopplungsleitung 11 erreicht wer
den.
Bei den obigen Beispielen sind die Kopplungsleitungen ein
fach an der Oberfläche des dielektrischen Blatts 1 in der
Elektrodenöffnung gebildet. Alternativ kann jede Kopplungs
leitung in eine Grabenstruktur gebildet sein, wie es in Fig.
13 gezeigt ist. Eine derartige Grabenkopplungsleitung kann
durch Bilden eines Grabens bei einer Position, bei der eine
Kopplungsleitung gebildet werden soll, und dann durch Bilden
einer Elektrode an der inneren Oberfläche des Grabens erhal
ten werden. Durch Verwenden einer derartigen Elektroden
struktur ist es möglich, den Leiterverlust zu reduzieren und
folglich das Qo des dielektrischen Resonators zu erhöhen.
Bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen ist eine
kreisförmige Elektrodenöffnung gebildet, um einen dielektri
schen TE010-Modus-Resonator zu bilden. Alternativ kann eine
rechteckige Elektrodenöffnung derart gebildet sein, um einen
rechteckigen Schlitz-Modus-Resonator zu realisieren, wie es
in Fig. 14 gezeigt ist. Bei diesem Modus wirkt eine planare
dielektrische Übertragungsleitung als ein Resonator, und
folglich kann dieser Modus ein PDTL-Modus genannt werden.
Fig. 15 stellt eine elektromagnetische Feldverteilung in dem
dielektrischen PDTL-Modus-Resonator dar. Durch Anordnen der
Kopplungsleitung 11, die in Fig. 14 gezeigt ist, in einer
Richtung, die die Richtung des Magnetfelds in dem PDTL-Modus
kreuzt, ist es möglich, den dielektrischen Resonator mit der
Kopplungsleitung magnetisch zu koppeln.
Claims (6)
1. Dielektrische Schaltung
mit einer dielektrischen Schicht (1), welche an ihren beiden Hauptoberflächen jeweils mit einer elektrisch leitenden Schicht (2, 3) beschichtet ist,
mit einem dielektrischen Resonator, der dadurch gebil det ist, daß jede der elektrisch leitenden Schichten (2, 3) je eine Öffnung (4, 5) aufweist und daß sich die Öffnung (4) der einen leitenden Schicht (2) an dersel ben Position befindet wie die Öffnung (5) der anderen elektrisch leitenden Schicht (3), und
mit mindestens einer Kopplungsleitung (11, 12), die mit dem dielektrischen Resonator dadurch gekoppelt ist, daß sie in mindestens einer der Öffnungen (4, 5) angeordnet ist, und mit mindestens einer Übertragungsleitung (11', 12'), die außerhalb der mindestens einen der Öffnungen (4, 5) isoliert von der elektrisch leitenden Schicht (2, 3) angeordnet und mit der jeweiligen Kopplungslei tung (11, 12) elektrisch leitend verbunden ist.
mit einer dielektrischen Schicht (1), welche an ihren beiden Hauptoberflächen jeweils mit einer elektrisch leitenden Schicht (2, 3) beschichtet ist,
mit einem dielektrischen Resonator, der dadurch gebil det ist, daß jede der elektrisch leitenden Schichten (2, 3) je eine Öffnung (4, 5) aufweist und daß sich die Öffnung (4) der einen leitenden Schicht (2) an dersel ben Position befindet wie die Öffnung (5) der anderen elektrisch leitenden Schicht (3), und
mit mindestens einer Kopplungsleitung (11, 12), die mit dem dielektrischen Resonator dadurch gekoppelt ist, daß sie in mindestens einer der Öffnungen (4, 5) angeordnet ist, und mit mindestens einer Übertragungsleitung (11', 12'), die außerhalb der mindestens einen der Öffnungen (4, 5) isoliert von der elektrisch leitenden Schicht (2, 3) angeordnet und mit der jeweiligen Kopplungslei tung (11, 12) elektrisch leitend verbunden ist.
2. Dielektrische Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der die
Übertragungsleitung (11', 12') in der Form einer kopla
naren Leitung aufgebaut ist, deren Masseelektrode durch
eine der elektrisch leitenden Schichten (2, 3) gebildet
ist.
3. Dielektrische Schaltung gemäß Anspruch 1, bei der
auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht (1) eine weitere dielektrische Schicht (6) angeordnet ist; und
eine Mikrostreifenleitung auf der weiteren dielektri schen Schicht als die Übertragungsleitung (11', 12') gebildet ist.
auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht (1) eine weitere dielektrische Schicht (6) angeordnet ist; und
eine Mikrostreifenleitung auf der weiteren dielektri schen Schicht als die Übertragungsleitung (11', 12') gebildet ist.
4. Dielektrische Schaltung gemäß einem beliebigen der An
sprüche 1 bis 3, bei der die Übertragungsleitung (11',
12') und die Kopplungsleitung (11, 12) über einen Lei
ter (28) miteinander elektrisch verbunden sind, der an
einem Verbindungsbauglied (27) gebildet ist, das auf
der Oberfläche der dielektrischen Schicht (1) angeord
net ist, wobei der Leiter (28) von der elektrisch lei
tenden Schicht (2) auf der Hauptoberfläche der dielek
trischen Schicht (1) isoliert ist.
5. Dielektrische Schaltung gemäß Anspruch 2, bei der der
Mittelleiter der koplanaren Leitung und die Kopplungs
leitung (11, 12) in der Form einer einzigen Leitung
aufgebaut sind.
6. Dielektrische Schaltung gemäß Anspruch 2 oder 5, bei
der jeweils Teile der elektrisch leitenden Schichten (2, 3), die an beiden Sei
ten des Mittelleiters der koplanaren Leitung positio
niert sind, über einen Leiter (26) miteinander verbun
den sind, der sich über den Mittelleiter erstreckt.
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