DE60131212T2

DE60131212T2 - Verfahren zur Abstimmung der Frequenz des Dämpfungspoles eines Zweimoden-Bandpassfilters

Info

Publication number: DE60131212T2
Application number: DE60131212T
Authority: DE
Inventors: Noaki Nagaokakyo-shi Mizoguchi; Seiji Nagaokakyo-shi Kanba; Hisatake Nagaokakyo-shi Okamura
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-03-13
Filing date: 2001-03-02
Publication date: 2008-08-28
Anticipated expiration: 2021-03-03
Also published as: DE60131212D1; US20010024151A1; KR20010091980A; KR100394802B1; JP3575378B2; EP1134833A3; US6812813B2; EP1134833A2; JP2001257506A; EP1134833B1

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Zweimoden-Bandpassfilter, das als ein Bandfilter beinhaltet ist, z. B. in einer Kommunikationsvorrichtung, die in einem Bereich eines Mikrowellenbandes bis zu einem Millimeterwellenband verwendet wird.
2. Beschreibung der verwandten Technik
Es gibt verschiedene bekannte Arten von Zweimoden-Bandpassfiltern (Miniature Dual Mode Microstrip Filters, J. A. Curtis und S. J. Fiedziuszko, 1991 IEEE MTT-S Digest, usw.) als herkömmliche Bandpassfilter, die für Hochfrequenzbänder verwendet werden.
Die 12 und 13 zeigen jeweils eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines herkömmlichen Zweimoden-Bandpassfilters.
Bei einem Bandpassfilter 200, das in 12 gezeigt ist, ist ein kreisförmig geformter leitfähiger Film 201 auf einem dielektrischen Substrat (nicht gezeigt) gebildet. Der leitfähige Film 201 ist mit Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 202 und 203 gekoppelt, die in einem Winkel von 90 Grad angeordnet sind. Zusätzlich ist eine obere offene Stichleitung 204 an einer Position gebildet, die einen Winkel von 45 Grad in Bezug auf den Teil bildet, an dem die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 203 angeordnet ist. Bei dieser Anordnung wirkt, da zwei Resonanzmoden mit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen miteinander gekoppelt sind, das Bandpassfilter 200 wie ein Zweimoden-Bandpassfilter.
Zusätzlich ist in einem Zweimoden-Bandpassfilter 210, das in 13 gezeigt ist, ein im Wesentlichen quadratischer leitfähiger Film 211 auf einem dielektrischen Substrat gebildet. Der leitfähige Film 211 ist mit Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 212 und 213 gekoppelt, die in einem Winkel von 90 Grad angeordnet sind. Ferner ist eine Ecke, die in einem Winkel von 135 Grad in Bezug auf die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 213 positioniert ist, weg geschnitten, um einen weggeschnittenen Teil 211a zu bilden. Mit dieser Anordnung werden die Resonanzfrequenzen zweier Resonanzmoden unterschiedlich gemacht. Folglich wirkt, da die beiden Resonanzmoden miteinander gekoppelt sind, das Bandpassfilter 210 wie ein Zweimoden-Bandpassfilter.
Andererseits ist als eine Alternative zu dem kreisförmig geformten leitfähigen Film 201, der in 12 gezeigt ist, ein Zweimodenfilter unter Verwendung eines schleifenförmigen leitfähigen Films bereitgestellt. Dies bedeutet, dass es sowohl in der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Veröffentlichungsnummer 9-139612 als auch der japanischen ungeprüften Patentanmeldung Veröffentlichungsnummer 9-162610 ein Zweimodenfilter gibt. Dieses Zweimodenfilter beinhaltet eine schleifenförmige Ringübertragungsleitung. Zusätzlich sind, wie in dem Fall des in 12 gezeigten Zweimoden-Bandpassfilters, Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen in einem Mittenwinkel von 90 Grad zwischen sich angeordnet und eine obere offene Stichleitung ist an einem Teil der Ringübertragungsleitung angeordnet.
In dem herkömmlichen Zweimoden-Bandpassfilter, das in sowohl 12 als auch 13 gezeigt ist, kann ein Zweistufen-Bandpassfilter, das bei den beiden unterschiedlichen Resonanzfrequenzen in Resonanz ist, gebildet werden. Folglich kann ein miniaturisiertes Bandpassfilter erhalten werden.
In jedem der obigen Zweimoden-Bandpassfilter jedoch weist die kreisförmige oder quadratische Struktur des leitfähigen Films eine Struktur auf, die die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen in jedem der oben angegebenen Winkel koppelt, und die Kopplungsstärke zwischen den beiden Resonanzmoden kann nicht erhöht werden. So besteht dahingehend ein Problem, dass das Durchlassband für das Filter nicht verbreitert werden kann.
Bei dem in 12 gezeigten Bandpassfilter ist der leitfähige Film 201 kreisförmig. Bei dem in 13 gezeigten Bandpassfilter ist der leitfähige Film 211 im Wesentlichen quadratisch. Dies bedeutet, dass beide leitfähigen Filme 201 und 211 begrenzte Konfigurationen aufweisen. Folglich kann bei jedem der obigen Bandpassfilter, da das Frequenzband durch die Abmessungen des kreisförmigen oder quadratischen leitfähigen Films bestimmt wird, insbesondere die Position eines Dämpfungspols (die Frequenz) nicht ohne weiteres eingestellt werden.
Ein Verfahren zum Steuern der Frequenz von Dämpfungspolen eines Ringresonators durch Drehen der Anregungspunkte ist bekannt aus I. AWAI U. A.: „TWO-STAGE BANDPASS FILTERS BASED ON ROTATED EXCITATION OF CIRCULAR DUAL-MODE RESONATORS" IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVE LEITERS, IEEE INC, NEW YORK, US, Bd. 7, Nr. 8, 1. August 1997 (1997-08-01), Seiten 212–213, XP000658622 ISSN: 1051–8207.
Ein Zweimoden-Bandpassfilter, wie es durch ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 erhalten wird, ist bekannt aus L. ZHU U. A.: „NEW PLANAR DUAL-MODE FILTER USING CROSS-SLOTTED PATCH RESONATOR FOR SIMULTANEOUS SIZE AND LÖSS REDUCTION" IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, IEEE INC. NEW YORK, US, Bd. 47, Nr. 5, Mai 1999, (1999-05), Seiten 650–654, XP000827467 ISSN: 0018-9480.
Zusammenfassung der Erfindung
Entsprechend besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters bereitzustellen. Mit diesem Bandpassfilter können die oben beschriebenen Probleme der herkömmlichen Technik gelöst werden und die Größe des Filters kann reduziert werden. Zusätzlich kann die Kopplungsstärke zwischen zwei Resonanzmoden erhöht werden. Ferner kann das Zweimoden-Bandpassfilter der Erfindung ein großes Maß an Entwurfsfreiheit besitzen.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters bereitgestellt. Das Verfahren umfasst einen Schritt eines Bildens eines Metallfilms auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrates oder in dem dielektrischen Substrat, einen Schritt eines Anordnens einer Masseelektrode in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode den Metallfilm in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats überlagert, einen Schritt eines Bildens zumindest einer Öffnung in dem Metallfilm, um zwei Resonanzmoden zu koppeln, einen Schritt eines Koppelns einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung mit dem Metallfilm, einen Schritt eines Bildens eines Kopplungsabschnitts, der kapazitiv über einen Zwischenraum mit einem Umfang des Metallfilms gekoppelt ist, und einen Schritt eines Bildens eines Eingangs-/Ausgangsabschnitts, der mit dem Kopplungsabschnitt gekoppelt ist, wobei die Eingangs-/Ausgangsschaltung den Kopplungsabschnitt und den Eingangs-/Ausgangsabschnitt umfasst. Bei diesem Verfahren wird zumindest entweder der Kopplungsabschnitt oder der Eingangs-/Ausgangsabschnitt in einer Richtung entlang des Umfangs des Metallfilms bewegt.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters bereitgestellt. Das Verfahren umfasst einen Schritt eines Bildens eines Metallfilms auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats oder in dem dielektrischen Substrat, einen Schritt eines Anordnens einer Masseelektrode in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode den Metallfilm in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats überlagert, einen Schritt eines Bildens zumindest einer Öffnung in dem Metallfilm, um zwei Resonanzmoden zu koppeln, und einen Schritt eines Bildens einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung, die mit dem Metallfilm gekoppelt ist. Bei diesem Verfahren ist die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung durch entweder eine Streifenleitung oder eine Mikrostreifenleitung gebildet. Ein Ende der Streifenleitung oder der Mikrostreifenleitung ist direkt und elektrisch mit dem Metallfilm verbunden. Ein Punkt zum Koppeln der Streifenleitung oder der Mikrostreifenleitung mit dem Metallfilm wird an dem Umfang des Metallfilms bewegt.
Gemäß einem dritten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters bereitgestellt. Das Verfahren umfasst einen Schritt eines Bildens eines Metallfilms auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats oder in dem dielektrischen Substrat, einen Schritt eines Anordnens einer Masseelektrode in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode den Metallfilm in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats überlagert, einen Schritt eines Bildens zumindest einer Öffnung in dem Metallfilm, um zwei Resonanzmoden zu koppeln, und einen Schritt eines Bildens einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung, die mit dem Metallfilm gekoppelt ist. Bei diesem Verfahren sind der Metallfilm und die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung auf unterschiedlichen Schichten des dielektrischen Substrats gebildet. Die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung überlagert den Metallfilm über die dielektrische Schicht, so dass die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung kapazitiv mit dem Metallfilm gekoppelt ist. Ein Punkt zum Koppeln der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung mit dem Metallfilm wird entlang des Umfangs des Metallfilms auf der dielektrischen Schicht bewegt.
Gemäß einem vierten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters bereitgestellt. Das Verfahren umfasst einen Schritt eines Bildens eines Metallfilms auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats oder in dem dielektrischen Substrat, einen Schritt eines Anordnens einer Masseelektrode in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode den Metallfilm in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats überlagert, einen Schritt eines Bildens zumindest einer Öffnung in dem Metallfilm, um zwei Resonanzmoden zu koppeln, einen Schritt eines Bildens einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung, die mit dem Metallfilm gekoppelt ist, und einen Schritt eines Bildens einer isolierenden Schicht mit einer Durchgangslochelektrode zwischen der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung und dem Metallfilm. Bei diesem Verfahren ist ein Ende der Durchgangslochelektrode elektrisch mit der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung verbunden und das andere Ende derselben ist elektrisch mit dem Metallfilm verbunden. Positionen zum Verbinden der Durchgangslochelektrode mit der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung und dem Metallfilm werden entlang des Umfangs des Metallfilms bewegt.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
2 ist eine perspektivische Ansicht des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel;
3 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigt;
4 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die erhalten werden, wenn die Positionen von Eingangs-/Ausgangsabschnitten abgelenkt werden, zeigt;
5 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die erhalten werden, wenn die Positionen von Punkten, die die Eingangs-/Ausgangsabschnitte mit Kopplungsabschnitten koppeln, stärker abgelenkt werden, zeigt;
6 ist eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
7 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel zeigt;
8 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel, die erhalten werden, wenn die Positionen von Eingangs-/Ausgangsabschnitten abgelenkt werden, zeigt;
9 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristika des Zweimoden-Bandpassfilters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel, die erhalten werden, wenn die Positionen von Punkten, die die Eingangs-/Ausgangsabschnitte mit Kopplungsabschnitten koppeln, stärker abgelenkt werden, zeigt;
10A und 10B zeigen eine schematische Draufsicht und eine Teilwegschnitt-Vorderschnittansicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
11A und 11B zeigen eine schematische Draufsicht und eine Teilwegschnitt-Vorderschnittansicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
12 ist eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines herkömmlichen Zweimoden-Bandpassfilters; und
13 ist eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines weiteren herkömmlichen Zweimoden-Bandpassfilters.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
Die vorliegende Erfindung wird unter Darstellung der Details eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert werden.
1 ist eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. 2 ist eine perspektivische Ansicht derselben.
Ein Zweimoden-Bandpassfilter 1 weist ein dielektrisches Substrat 2 mit einer Konfiguration einer rechteckigen Platte auf. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das dielektrische Substrat 2 aus einem Fluoroharz mit einer Permeabilität εr von 2,58 hergestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel und anderen Ausführungsbeispielen ist jedoch ein dielektrisches Material, das ein dielektrisches Substrat bildet, nicht auf das Fluoroharz beschränkt. Ein dielektrisches Material, wie z. B. BaO-Al₂O₃-SiO₂-Keramik, kann z. B. als ein geeignetes Material verwendet werden.
Die Dicke des dielektrischen Substrats 2 ist nicht spezifisch bestimmt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Dicke desselben auf 350 μm gesetzt.
Ein Metallfilm 3 zum Bilden eines Resonators ist auf einer oberen Oberfläche 2a des dielektrischen Substrats 2 angeordnet. Der Metallfilm 3 ist teilweise auf dem dielektrischen Substrat 2 angeordnet. Der Metallfilm 3 besitzt eine rhombische Form. Zusätzlich ist eine Öffnung 3a in dem Metallfilm 3 gebildet. Die Öffnung 3a weist eine rechteckig-planare Form auf, deren Längenrichtung parallel zu der Richtung einer längeren diagonalen Linie des Metallfilms 3 ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel besitzt jede Seitenlinie der rhombischen Form des Metallfilms 3 eine Länge von 15 mm, die längere diagonale Linie desselben ist 24 mm lang und die kürzere diagonale Linie desselben ist 18 mm lang. Die längere Seitenlinie der Öffnung 3a ist 9 mm lang und die kürzere Seitenlinie derselben ist 0,2 mm lang. Die Öffnung 3a ist in einer derartigen Weise gebildet, dass die Mitte der Öffnung 3a mit der Mitte des Metallfilms 3 zusammenfällt. Die Abmessungen des Metallfilms 3 und der Öffnung 3a und die Position der Öffnung 3a sind nicht auf diejenigen, die in dem obigen Fall gezeigt sind, beschränkt und können gemäß einer wünschenswerten Mittenfrequenz und einer wünschenswerten Bandbreite, falls nötig, geeignet verändert werden.
Unterdessen ist eine Masseelektrode 4 auf der gesamten unteren Oberfläche des dielektrischen Substrats 2 angeordnet.
Auf dem Metallfilm 3 ist jede von Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 5 und 6 um einen vorbestimmten Zwischenraum von jedem eines Paars von Seitenlinien 3b und 3c mit einem großen Innenwinkel zwischen sich getrennt. Die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 5 und 6 sind durch Anordnen von Metallfilmen, die aus dem gleichen Material wie demjenigen des Metallfilms 3 auf dem dielektrischen Substrat 2 gebildet sind, angeordnet. Die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 5 weist einen Kopplungsabschnitt 5a und einen Eingangs-/Ausgangsabschnitt 5b auf und die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 6 weist einen Kopplungsabschnitt 6a und einen Eingangs-/Ausgangsabschnitt 6b auf. Die Kopplungsabschnitte 5a und 6a weisen in 1 Parallelogrammformen auf. Andere geeignete Formen können jedoch ebenso angewendet werden, wenn nur der Kopplungsabschnitt 5a eine Kante 5c parallel zu der Seitenlinie 3b des Metallfilms 3 aufweist und der Kopplungsabschnitt 6a eine Kante 6c parallel zu der Seitenlinie 3c desselben aufweist. Die Seitenlinie 5c des Kopplungsabschnitts 5a ist der Seitenlinie 3b des Metallfilms 3 über jeweilige vorbestimmte Zwischenräume g zugewandt und die Seitenlinie 6c des Kopplungsabschnitts 6a ist der Seitenlinie 3c desselben zuge wandt. Mit dieser Anordnung sind die Kopplungsabschnitte 5a und 6a kapazitiv mit dem Metallfilm 3 gekoppelt.
Der Eingangs-/Ausgangsabschnitt 5b ist mit dem Kopplungsabschnitt 5a gekoppelt und der Eingangs-/Ausgangsabschnitt 6b ist mit dem Kopplungsabschnitt 6a gekoppelt und die Eingangs-/Ausgangsabschnitte 5b und 6b sind elektrisch mit externen Schaltungen verbunden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist z. B. eine Eingangsspannung zwischen die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 5 und die Masseelektrode 4 angelegt, mit dem Ergebnis, dass eine Ausgangsspannung zwischen der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 6 und der Masseelektrode 4 extrahiert wird. In diesem Fall werden, da der Metallfilm 3 rhombisch ist und die Öffnung 3a in demselben gebildet ist, zwei auftretende Resonanzmoden so miteinander gekoppelt, dass das Filter des ersten Ausführungsbeispiels wie ein Zweimoden-Bandpassfilter wirken kann.
In anderen Worten, in dem Zweimoden-Bandpassfilter 1 werden die Resonanzmode, die in der Richtung einer virtuellen geraden Linie auftritt, die die Mitte des Kopplungsabschnitts 5a der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 5 und die Mitte des Kopplungsabschnitts 6a der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung 6 verbindet, und die Resonanzmode, die in einer Richtung, die orthogonal zu der virtuellen geraden Linie ist, auftritt, erhalten. Der Resonanzstrom in der Richtung, die orthogonal zu der virtuellen geraden Linie ist, wird durch die Öffnung 3a gestoppt. Dann bewegt sich mit einem Induktivitätsladeeffekt die Resonanzfrequenz in der Richtung orthogonal zu der virtuellen geraden Linie zu der niederfrequenten Seite. Die Größe der Öffnung 3a ist so eingestellt, dass die Menge einer Bewegung zu der niederfrequenten Seite gesteuert wird. Folglich können die beiden Resonanzmoden miteinander gekoppelt werden.
3 zeigt ein Beispiel der Frequenzcharakteristika des Bandpassfilters gemäß dem Ausführungsbeispiel. In 3 zeigt eine durchgezogene Linie A Reflexionscharakteristika an und eine unterbrochene Linie B zeigt Durchlasscharakteristika an. Zusätzlich sind bezüglich der Frequenzcharakteristika von Zweimoden-Bandpassfiltern, die in 4 und den anderen Figuren gezeigt sind, ähnlich die Reflexionscharakteristika durch durchgezogene Linien A angezeigt und die Durchlasscharakteristika durch unterbrochene Linien B angezeigt.
Wie in 3 gezeigt ist, liegt ein Bandpassfilter vor, in dem ein Band, das durch einen Pfeil C angezeigt ist, das Durchlassband ist. Dies bedeutet, dass in dem Zweimoden-Bandpassfilter 1 des Ausführungsbeispiels durch Bilden der Öffnung 3a in dem Metallfilm 3 die beiden Resonanzmoden so miteinander gekoppelt sind, dass die Frequenzcharakteristika zum Dienen als Zweimoden-Bandpassfilter erhalten werden können.
Bei dem Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols gemäß dem Ausführungsbeispiel wird bei dem obigen Zweimoden-Bandpassfilter 1 die Dämpfungspolfrequenz durch Bewegen der Positionen, an denen der Eingangs-/Ausgangsabschnitt 5b mit dem Kopplungsabschnitt 5a gekoppelt ist und der Eingangs-/Ausgangsabschnitt 6b mit dem Kopplungsabschnitt 6a gekoppelt ist, entlang der Seitenlinien 3b bzw. 3c des Metallfilms 3 eingestellt. Dies ist unter Bezugnahme auf die 4 und 5 dargestellt.
Bei dem Zweimoden-Bandpassfilter mit den Frequenzcharakteristika, die in den 3 bis 5 gezeigt sind, sind die Kopplungsabschnitte 5a und 6a in der gleichen Weise gebildet. Insbesondere weist der Kopplungsabschnitt 5a die Kante 5c auf und der Kopplungsabschnitt 6a weist die Kante 6c auf und jede der Kanten 5c und 6c ist von jeder der Seitenlinien 3b und 3c um einen Zwischenraum g mit einer Länge von 0,1 mm getrennt. Jede der Kanten 5c und 6c besitzt parallel zu jeder der Seitenlinien 3b und 3c von jedem der Enden 5c₁ und 6c₁ , die um den Zwischenraum g von einem oberen Ende 3d getrennt sind, eine Länge von 13 mm. Zusätzlich werden ein Kopplungspunkt Y₁ des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 5b und des Kopplungsabschnitts 5a und ein Kopplungspunkt Y₂ des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 6b und des Kopplungsabschnitts 6a in einer derartigen Weise bestimmt, dass jede der Positionen X₁ und X₂, an denen die virtuelle gerade Linie X, die die Eingangs-/Ausgangsabschnitte 5b und 6b verbindet, die Seitenlinien 3b und 3c kreuzt, auf eine Entfernung von 5 mm von dem oberen Ende 3d gesetzt ist.
Bezüglich der in den 4 und 5 gezeigten Frequenzcharakteristika werden der Kopplungspunkt des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 5b und des Kopplungsabschnitts 5a und der Kopplungspunkt des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 6b und des Kopplungsabschnitts 6a in einer derartigen Weise bestimmt, dass die virtuellen Linien an Positionen in Entfernungen von 7 mm und 9 mm von dem oberen Ende 3d entlang der Seitenlinien 3b und 3c gesetzt sind.
Wie bei einem Vergleich unter den 3 und 5 klar zu sehen ist, kann, wenn die Positionen der Eingangs-/Ausgangsabschnitte 5b und 6b abgelenkt werden, wie oben beschrieben wurde, insbesondere sogar in einem Fall, in dem der Kopplungspunkt des Kopplungsabschnitts 5a und des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 5b und der Kopplungspunkt des Kopplungsabschnitts 6a und des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 6b in den Richtungen der Seitenlinien 3b und 3c des rhombischen Metallfilms 3 bewegt werden, das Filter 1 wie ein Zweimoden-Bandpassfilter wirken. Zusätzlich stellt sich heraus, dass die Dämpfungspolfrequenz durch Bewegen der Positionen der Kopplungspunkte verändert werden kann.
Dies bedeutet, dass bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel, wie oben beschrieben, die Einstellung der Dämpfungspolfrequenz des Zweimoden-Bandpassfilters 1 durch Verändern der Positionen des Kopplungspunkts des Eingangs- /Ausgangsabschnitts 5b und des Kopplungsabschnitts 5a und des Kopplungspunkts des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 6b und des Kopplungsabschnitts 6a durchgeführt werden kann.
So wird zuerst der rhombische Metallfilm 3 mit der gleichen Größe auf dem dielektrischen Substrat gebildet und die Öffnung 3a wird in dem dielektrischen Substrat gebildet. Dann werden die Kopplungsabschnitte 5a und 6a und die Eingangs-/Ausgangsabschnitte 5b und 6b in einer derartigen Weise angeordnet, dass die Position des Kopplungspunkts Y₁ des Kopplungsabschnitts 5a und des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 5b und die Position des Kopplungspunkts Y₂ des Kopplungsabschnitts 6a und des Eingangs-/Ausgangsabschnitts 6b von den vorherigen Positionen abgelenkt werden. Mit dieser Anordnung kann das Zweimoden-Bandpassfilter 1 klar eine erwünschte Dämpfungspolfrequenz aufweisen. Folglich kann dieses Ausführungsbeispiel die Einstellung der Dämpfungspolfrequenz des Zweimoden-Bandpassfilters erleichtern.
6 ist eine schematische Draufsicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 6 zeigt nur einen Metallfilm und Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen, die auf einem dielektrischen Substrat (nicht gezeigt) angeordnet sind, in dem Zweimoden-Bandpassfilter. Dies ist äquivalent zu 1, die bei dem ersten Ausführungsbeispiel gezeigt ist.
Das dielektrische Substrat und eine Masseelektrode, die auf einer unteren Oberfläche des dielektrischen Substrats gebildet ist, sind in der gleichen Weise wie denjenigen des Zweimoden-Bandpassfilters 1 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel gebildet. So trifft die Erläuterung desselben bei dem ersten Ausführungsbeispiel auch auf das zweite Ausführungsbeispiel zu.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel sind der Metallfilm 3 und die Öffnung 3a in der gleichen Weise wie denjenigen, die bei dem ersten Ausführungsbeispiel verwendet werden, angeordnet. Im Gegensatz zu dem ersten Ausführungsbeispiel jedoch sind die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen des zweiten Ausführungsbeispiels durch Streifenleitungen 15 und 16 gebildet, die direkt und elektrisch mit den Seitenlinien 3b und 3c des Metallfilms 3 verbunden sind.
Das dielektrische Substrat, der Metallfilm 3 und die Öffnung 3a sind aus dem gleichen Material in den gleichen Abmessungen gebildet wie die Materialien und Abmessungen, die bei dem ersten Ausführungsbeispiel verwendet werden. Als nächstes werden Punkte, die die Streifenleitungen 15 und 16 mit den Seitenlinien 3b und 3c des Metallfilms 3 verbinden, d. h. Kopplungspunkte, an Positionen von 5 mm, 7 mm und 9 mm von dem oberen Ende 3d gesetzt, um drei Arten von Zweimoden-Bandpassfiltern 1 zu ergeben. Die 7 bis 9 zeigen die Frequenzcharakteristika dieser Zweimoden-Bandpassfilter.
Wie in den 7 bis 9 gezeigt ist, stellt sich, wenn die Streifenleitungen 15 und 16 als die Eingangs-/Ausgangskopplungschaltungen direkt mit den Seitenlinien 3b und 3c des Metallfilms 3 zur Kopplung verbunden sind, heraus, dass jedes Filter auch wie ein Zweimoden-Bandpassfilter wirken kann. Zusätzlich stellt sich, wenn die Positionen der Kopplungspunkte der Streifenleitungen 15 und 16 und des Metallfilms 3 entlang der Seitenlinien 3b und 3c bewegt werden, ebenso heraus, dass die Dämpfungspolfrequenz verändert werden kann, wodurch die Einstellung der Dämpfungspolfrequenz erleichtert wird. Als eine Alternative zu der Streifenleitungsstruktur kann das Ausführungsbeispiel auch auf eine Mikrostreifenleitungsstruktur angewendet werden.
Bei dem ersten Ausführungsbeispiel sind, um die Dämpfungspolfrequenz einzustellen, die Positionen der Kopplungsabschnitte 5a und 6a fest und die Positionen der Eingangs- /Ausgangsabschnitte 5b und 6b werden verändert. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel sind die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 15 und 16, die durch Induktivitätsspulen gebildet sind, direkt mit den Seitenlinien 3b und 3c des Metallfilms 3 gekoppelt und die Positionen der Kopplungspunkte werden verändert, um die Dämpfungspolfrequenz einzustellen.
Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf das erste und das zweite Ausführungsbeispiel beschränkt und kann gemäß der Struktur und Kopplungsweise der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen verschiedentlich modifiziert werden.
Die 10A und 10B sind eine schematische Draufsicht und eine Teilwegschnitt-Vorderschnittansicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Bei einem Zweimoden-Bandpassfilter 21 ist ein Metallfilm 3 in ein dielektrisches Substrat 22 eingebettet. Auf einer oberen Oberfläche 22a des dielektrischen Substrats 22 sind Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 25 und 26 gebildet. Kopplungsabschnitte 25a und 26a der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 25 und 26 sind in einer derartigen Weise angeordnet, dass die Abschnitte 25a und 26a den Metallfilm 3 über eine Schicht des dielektrischen Substrats überlagern. In anderen Worten, bei dem ersten Ausführungsbeispiel sind die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen bündig mit dem Metallfilm 3 und die Kopplungsabschnitte 5a und 6a sind kapazitiv mit dem Metallfilm 3 gekoppelt. Wie in den 10A und 10B gezeigt ist, können die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 25 und 26 jedoch an anderen Positionen als derjenigen des Metallfilms 3 gebildet sein. In diesem Fall weist das dielektrische Substrat 22 eine Mehrschichtstruktur auf, die durch Stapeln einer Mehrzahl dielektrischer Schichten gebildet ist, und die Kopplungsabschnitte 25a und 26a sind kapazitiv über die Schicht des dielektrischen Substrats mit dem Metallfilm 3 gekoppelt.
Bei dem dritten Ausführungsbeispiel kann durch Verändern der Kopplungspunkte der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 25 und 26 und des Metallfilms 3, wie in dem Fall des ersten Ausführungsbeispiels gezeigt ist, die Dämpfungspolfrequenz verändert werden.
Bei dem ersten Ausführungsbeispiel sin die Kopplungsabschnitte 5a und 6a fest und die Positionen der Eingangs-/Ausgangsabschnitte 5b und 6b werden abgelenkt. Alternativ kann durch Bewegen der Positionen der Kopplungsabschnitte 5a und 6a entlang der Seitenlinien 3b und 3c die Frequenz des Dämpfungspols eingestellt werden. Zusätzlich können beide der obigen zwei Weisen gemeinsam verwendet werden. Ähnlich kann bei dem dritten Ausführungsbeispiel die Frequenz des Dämpfungspols durch Verändern der Positionen der Kopplungsabschnitte 25a und 26a der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 25 und 26 und/oder durch Ablenken von Positionen, an denen die Eingangs-/Ausgangsabschnitte 25b und 26b mit den Kopplungsabschnitten 25a und 26a gekoppelt sind, eingestellt werden.
Ferner kann, wie in dem dritten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, in einem Zweimoden-Bandpassfilter, das das Verfahren der vorliegenden Erfindung einsetzen kann, der Metallfilm in dem dielektrischen Substrat eingebettet sein. Zusätzlich ist es bezüglich der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen nicht nötig, die Schaltungen auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Substrats zu bilden. Die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen können in dem dielektrischen Substrat gebildet sein. Zusätzlich ist es nicht nötig, die Masseelektrode 4, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, auf der unteren Oberfläche des dielektrischen Substrats zu bilden. Die Masseelektrode 4 kann in dem dielektrischen Substrat gebildet sein.
Die 11A und 11B sind eine schematische Draufsicht und eine Teilwegschnitt-Vorderschnittansicht zur Darstellung eines Verfahrens zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein Metallfilm 3 in ein dielektrisches Substrat 2 eingebettet und Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 35 und 36, die durch Induktivitätsspulen gebildet sind, sind auf dem dielektrischen Substrat 2 angeordnet. Die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 35 und 36 sind direkt und elektrisch über die Durchgangslochelektroden 35a und 36a mit dem Metallfilm 3 verbunden.
In anderen Worten, bei dem zweiten Ausführungsbeispiel sind die Streifenleitungen 15 und 16 als die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen mit dem Metallfilm 3 in einer derartigen Weise verbunden, dass die Streifenleitungen 15 und 16 bündig mit dem Metallfilm 3 sind. Wie in dem vierten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, können die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 35 und 36 jedoch in einer Höhe positioniert sein, die sich von der Höhe unterscheidet, in der der Metallfilm 3 positioniert ist. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel kann, wie in dem Fall des zweiten Ausführungsbeispiels, die Frequenz des Dämpfungspols verändert werden, indem die Positionen der Durchgangslochelektroden 35a und 36a verändert werden, d. h. indem die Positionen von Punkten verändert werden, an denen die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen 35 und 36 mit dem Metallfilm 3 gekoppelt sind. Zusätzlich können die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen in das Substrat eingebettet sein.
Bei jedem des ersten bis vierten Ausführungsbeispiels weist der Metallfilm 3 eine rhombische Form auf. Die planare Form des Metallfilms 3 jedoch, die bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist nicht auf einen Rhombus beschränkt und ein beliebiges anderer Vielecke, wie z. B. ein Quadrat, ein Rechteck und ein Dreieck, oder eine beliebige Form mit einem zufälligen Umfang könnte nach Belieben verwendet werden.
Wie oben beschrieben wurde, ist gemäß dem ersten bis vierten Aspekt der Erfindung der Metallfilm zum Bilden eines Resonators auf dem dielektrischen Substrat angeordnet und zumindest eine Öffnung ist in dem Metallfilm gebildet, um zwei Resonanzmoden zu koppeln. So sind die Positionen der Punkte, an denen die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen mit dem Metallfilm gekoppelt sind, nicht besonders eingeschränkt. Folglich können durch Koppeln der beiden Resonanzmoden Bandcharakteristika erhalten werden, die für ein Zweimoden-Bandpassfilter erforderlich sind.
Bei dem ersten Aspekt der Erfindung weisen die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen die Kopplungsabschnitte, die kapazitiv mit dem Metallfilm gekoppelt sind, und die Eingangs-/Ausgangsabschnitte auf. Da zumindest entweder die Kopplungsabschnitte oder die Eingangs-/Ausgangsabschnitte in einer Richtung entlang des Umfangs des Metallfilms bewegt werden, der über den Zwischenraum gegenüberliegt, kann die Frequenz des Dämpfungspols ohne weiteres eingestellt werden.
Bei dem Verfahren gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung sind die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen durch Induktoren gebildet. Ein Ende jeder der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen ist direkt und elektrisch mit dem Metallfilm verbunden und die Punkte, an denen die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen mit dem Metallfilm gekoppelt sind, werden entlang des Umfangs des Metallfilms bewegt. Mit dieser Anordnung kann die Frequenz des Dämpfungspols des Zweimoden-Bandpassfilters ohne weiteres eingestellt werden.
Bei dem dritten Aspekt der Erfindung ist eine dielektrische Mehrschichtstruktur zwischen dem Metallfilm und den Ein gangs-/Ausgangskopplungsschaltungen vorgesehen. Die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen überlagern den Metallfilm über die dielektrische Mehrschichtstruktur, um kapazitiv mit dem Metallfilm gekoppelt zu sein. Bei dieser Anordnung kann die Frequenz eines Dämpfungspols des Zweimoden-Bandpassfilters ohne weiteres durch Bewegen der Positionen der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen entlang des Umfangs des Metallfilms auf der dielektrischen Mehrschichtstruktur eingestellt werden.
Bei dem vierten Aspekt der Erfindung ist die isolierende Schicht mit Durchgangslochelektroden zwischen den Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen und dem Metallfilm angeordnet. Enden auf einer Seite der Durchgangslochelektroden sind elektrisch mit den Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen verbunden und die anderen Enden derselben sind elektrisch mit dem Metallfilm verbunden. So kann die Frequenz des Dämpfungspols des Zweimoden-Bandpassfilters ohne weiteres durch Bewegen der Positionen, die die Durchgangslochelektroden mit den Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen und dem Metallfilm verbinden, eingestellt werden.
Bei dem herkömmlichen Zweimoden-Bandpassfilter gibt es Einschränkungen für die Form des Metallfilms, der einen Resonator bildet, und die Positionen der Punkte, an denen die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen mit dem Metallfilm gekoppelt sind. Es bestehen jedoch keine derartigen Einschränkungen für das Zweimoden-Bandpassfilter gemäß jedem des ersten bis vierten Aspekts der Erfindung. So kann die Freiheit eines Entwerfens des Zweimoden-Bandpassfilters stark vergrößert werden. Ferner kann die Frequenz des Dämpfungspols ohne weiteres nicht nur durch Verändern der Abmessungen des Metallfilms und der Öffnung, sondern auch durch Verändern der Positionen der Punkte, die die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltungen mit dem Metallfilm koppeln, eingestellt werden, wie in der vorliegenden Erfindung gezeigt ist.
Während die Erfindung in den obigen bevorzugten Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist für Fachleute offensichtlich, dass Modifizierungen und Variationen durchgeführt werden können, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung, wie in den Ansprüchen definiert, abzuweichen.

Claims

Ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters (1), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden eines Metallfilms (3) auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats (2) oder in dem dielektrischen Substrat (2); Anordnen einer Masseelektrode (4) in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode (4) den Metallfilm (3) in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats (2) über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats (2) überlagert; Bilden zumindest einer Öffnung (3a) in dem Metallfilm (3), um zwei Resonanzmoden zu koppeln; Bilden einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (5, 6), die mit dem Metallfilm (3) gekoppelt ist; Bilden eines Kopplungsabschnitts (5a, 6a), der kapazitiv über einen Zwischenraum (g) mit einem Umfang des Metallfilms (3) gekoppelt ist; und Bilden eines Eingangs-/Ausgangsabschnitts (5b, 6b), der mit dem Kopplungsabschnitt (5a, 6a) gekoppelt ist, wobei die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (5, 6) den Kopplungsabschnitt (5a, 6a) und den Eingangs-/Ausgangsabschnitt (5b, 6b) aufweist; dadurch gekennzeichnet, dass zumindest entweder der Kopplungsabschnitt (5a, 6a) oder der Eingangs-/Ausgangsabschnitt (5b, 6b) zum Ein stellen der Frequenz des Dämpfungspols in einer Richtung entlang des Umfangs des Metallfilms (3) bewegt wird.
Ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden eines Metallfilms (3) auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats (2) oder in dem dielektrischen Substrat (2); Anordnen einer Masseelektrode (4) in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode (4) den Metallfilm (3) in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats (2) über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats (2) überlagert; Bilden zumindest einer Öffnung (3a) in dem Metallfilm (3), um zwei Resonanzmoden zu koppeln; und Bilden einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (5, 6), die mit dem Metallfilm (3) gekoppelt ist; wobei die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung durch entweder eine Streifenleitung (15, 16) oder eine Mikrostreifenleitung gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ende der Streifenleitung (15, 16) oder der Mikrostreifenleitung direkt und elektrisch mit dem Metallfilm (3) verbunden ist und ein Kopplungspunkt, an dem die Streifenleitung (15, 16) oder die Mikrostreifenleistung mit dem Metallfilm (3) verbunden ist, zum Einstellen der Frequenz des Dämpfungspols an dem Umfang des Metallfilms (3) bewegt wird.
Ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters (21), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden eines Metallfilms (3) auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats (22) mit einer Mehrschichtstruktur oder in dem dielektrischen Substrat (22); Anordnen einer Masseelektrode (4) in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode (4) den Metallfilm (3) in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats (22) über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats (22) überlagert; Bilden zumindest einer Öffnung (3a) in dem Metallfilm (3), um zwei Resonanzmoden zu koppeln; und Bilden einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (25, 26), die mit dem Metallfilm (3) gekoppelt ist; wobei der Metallfilm (3) und die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (25, 26) auf unterschiedlichen Schichten des dielektrischen Substrats (22) gebildet sind, wobei die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (25, 26) den Metallfilm (3) über die dielektrische Schicht überlagert, so dass die Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (25, 26) kapazitiv mit dem Metallfilm (3) gekoppelt ist, und ein Punkt zum Koppeln der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (25, 26) mit dem Metallfilm (3) zum Einstellen der Frequenz des Dämpfungspols entlang des Umfangs des Metallfilms (3) auf der dielektrischen Schicht bewegt wird.
Ein Verfahren zum Einstellen der Frequenz eines Dämpfungspols eines Zweimoden-Bandpassfilters, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bilden eines Metallfilms (3) auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats (2) oder in dem dielektrischen Substrat (2); Anordnen einer Masseelektrode (4) in einer derartigen Weise, dass die Masseelektrode (4) den Metallfilm (3) in einer Dickenrichtung des dielektrischen Substrats (2) über zumindest einen Teil des dielektrischen Substrats (2) überlagert; Bilden zumindest einer Öffnung (3a) in dem Metallfilm (3), um zwei Resonanzmoden zu koppeln; und Bilden einer Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (35, 36), die mit dem Metallfilm (3) gekoppelt ist; gekennzeichnet durch Bilden einer isolierenden Schicht mit einer Durchgangslochelektrode (35a, 36a) zwischen der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (35, 36) und dem Metallfilm (3); wobei ein Ende der Durchgangslochelektrode (35a, 36a) elektrisch mit der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (35, 36) verbunden ist und das andere Ende derselben elektrisch mit dem Metallfilm (3) verbunden ist, wobei Positionen zum Verbinden der Durchgangslochelektrode (35a, 36a) mit der Eingangs-/Ausgangskopplungsschaltung (35, 36) und dem Metallfilm (3) zum Einstellen der Frequenz des Dämpfungspols entlang des Umfangs des Metallfilms (3) bewegt werden.