DE10040142A1 - Schaltungsbauteil und Leiterplattenmodul - Google Patents

Abstract

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein billiges, miniaturisiertes und dünnes Schaltungsbauteil mit gewünschter Frequenzcharakteristik zu schaffen. DOLLAR A Bei einem erfindungsgemäßen Schaltungsbauteil ist ein leitendes Muster (17), das das Verhalten desselben bestimmt, in einer Innenschicht eines dielektrischen Trägers (11) ausgebildet, und in einer Außenschicht desselben ist ein Masseleiter (12) ausgebildet. In einem Bereich (15) ohne den Masseleiter sind leitende Teile mit gitterförmigem Muster ausgebildet. Wenn die Fläche und die Anzahl der Masseleiter geändert werden, ändern sich die Fläche und die Position des genannten Bereichs, und es ändert die Verteilung eines elektromagnetischen Feldes, wodurch das Schaltungsbauteil eine gewünschte Frequenzcharakteristik erhalten kann.

Description

Die Erfindung betrifft ein Schaltungsbauteil und ein Leiter­ plattenmodul.

In jüngerer Zeit tragen Einrichtungen für mobile Kommunika­ tion, ISDN- und Computereinrichtungen Schaltungsblöcke zum Übertragen von Daten mit hoher Geschwindigkeit unter Verwen­ dung von Funkwellen oder speziellen Leitungen.

Wenn derartige Schaltungsblöcke an Maschinen enthalten sind, können nicht nur Daten mit hoher Geschwindigkeit übertragen werden, sondern es können auch Störsignale besser vermieden werden. Ferner wird versucht, Teile zu miniaturisieren, kom­ plexer auszubilden und mit mehr Funktionen zu versehen, wenn Schaltungsblöcke für mobile Einrichtungen verwendet werden.

Z. B. ist es nicht mehr hinnehmbar, Tiefpass-, Hochpass- und Bandpassfilter sowie Koppler mit Schaltkreisen mit konzen­ trierten Parametern unter Verwendung von Chipteilen, wie Kondensatoren und Spulen, bei Hochfrequenzanwendungen zu verwenden, die Träger im Mikrowellen- und im Millimeterwel­ lenband verwenden, wie bei Funk-LANs (Local Area Network) und bei verschiedenen Terminals von Kommunikationseinrich­ tungen. So werden derartige Filter und Koppler unter Verwen­ dung von Schaltkreisen mit verteilten Parametern wie bei Mikrostreifenleitungen und anderen Streifenleitungen reali­ siert.

Als Hochfunktions-Bandpassfilter wird ein Koppler verwendet, der so aufgebaut ist, dass er ein leitendes Resonatormuster von ungefähr λ/4 (λ: Wellenlänge) verwendet. Fig. 1 zeigt einen Koppler mit leitenden Resonatormustern 202, die kas­ kadenförmig auf der Oberfläche eines dielektrischen Trägers 200 angeordnet sind, um die Oberflächenmuster zu kombinie­ ren, wobei benachbarte Muster eine Teilüberlappung von unge­ fähr λ/4 aufweisen. Jedoch ist es schwierig, derartige Band­ passfilter zu minimieren, da die erforderlichen leitenden Resonatormuster teilweise nur eine Länge von ungefähr λ/4 aufweisen. Um noch eine weitere Miniaturisierung zu erzie­ len, werden derartige Muster nicht nur an der Oberfläche ei­ nes Trägers, sondern auch in einer inneren Schicht herge­ stellt, anders gesagt, wird Miniaturisierung durch eine Struktur in drei Ebenen realisiert. Fig. 2 zeigt eine per­ spektivische Ansicht eines bekannten Bandpassfilters mit ei­ ner derartigen Struktur. Zu beiden Seiten eines dielektri­ schen Trägers (isolierender Träger) 301 sind Masseleiter 302 und 303 ausgebildet, und als Fortsetzung zwischen diesen sind leitende Resonatormuster 304a und 304b vorhanden, um ein Bandpassfilter aufzubauen. Diese leitenden Resonatormus­ ter 304a, 304b bilden einen Fortsatz mit einer Länge von ungefähr λ/4, wobei ein Rand des Musters durch einen Masse­ leiter 302 kurzgeschlossen ist. Darüber hinaus schirmen die kontaktierten Masseleiter 302 und 303 die leitenden Resona­ tormuster 304a und 304b ab.

Wenn Bandpassfilter unter Verwendung von Schaltkreisen mit verteilten Parametern aufgebaut werden, wie in Fig. 3A dar­ gestellt, hängen die Eigenschaften des Durchlassbands und der Abschirmung vom elektromagnetischen Feld zwischen den leitenden Resonatormustern 401a und 401b, die auf dem di­ elektrischen Träger 400 ausgebildet sind, und diesen und den Masseleitern 402 und 403 ab. Wie es in Fig. 3B dargestellt ist, ändert sich bei einem ungeradzahligen Erregungsmodus die Stärke des elektrischen Felds entsprechend dem Abstand d zwischen den leitenden Resonatormustern 401a und 401b. Dar­ über hinaus ändert sich, wie es in Fig. 3C dargestellt ist, bei einem geradzahligen Erregungsmodus die Stärke des elek­ trischen Felds entsprechend dem Abstand der leitenden Reso­ natormuster 401a, 401b und der Masseleiter 402 und 403, an­ ders gesagt, abhängig von der Dicke K des dielektrischen Trägers. Die elektrische Feldstärke ändert sich auch ent­ sprechend der Breite des leitenden Resonatormusters. Wenn im ungeradzahligen und geradzahligen Erregungsmodus die elek­ trische Feldstärke derartige Änderungen erfährt, ändert sich auch das Ausmaß der Kombination der leitenden Resonatormus­ ter, womit sich auch die Passbandeigenschaften ändern. Daher müssen, wenn Bandpassfilter konzipiert werden, die Dicke des leitenden Resonatormusters und des dielektrischen Trägers festgelegt werden, um gewünschte Eigenschaften zu erzielen.

Wenn jedoch die Dicken des leitenden Resonatormusters und des dielektrischen Trägers so konzipiert werden, dass ge­ wünschte Eigenschaften erzielt werden, gelingt dies manchmal wegen Streuungen im Herstellprozess nicht. In diesem Fall werden Eigenschaften dadurch realisiert, dass zusätzliche Prozesse ausgeführt werden, bei denen die Position und die Fläche des leitenden Resonatormusters geändert werden. Bei einem Bandpassfilter mit einer Struktur in drei Ebenen ist das leitende Resonatormuster zwischen Masseleitern angeord­ net, so dass es unmöglich ist, das Muster umzuarbeiten. Da­ her müssen die Größe des leitenden Resonatormusters, die Dicke des dielektrischen Trägers und die Dielektrizitätskon­ stante während der Fertigung genau kontrolliert werden, was zu einer Verringerung der Ausbeute und einer Kostenerhöhung führt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Schaltungsbau­ teil und ein Leiterplattenmodul zu schaffen, die bei minia­ turisierter, dünner Ausbildung gewünschte Frequenzeigen­ schaften ohne Kostenerhöhung aufweisen.

Diese Aufgabe ist durch das Schaltungsbauteil gemäß dem bei­ gefügten Anspruch 1 und das Leiterplattenmodul gemäß dem beigefügten Anspruch 8 gelöst.

Das Schaltungsbauteil verfügt über ein leitendes Muster, das in einer inneren Schicht eines dielektrischen Trägers aus­ gebildet ist, und einen Masseleiter, der in einer Außen­ schicht des Trägers ausgebildet ist, wobei die Frequenzei­ genschaften durch das leitende Muster vorgegeben sind und in gewünschter Weise durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters eingestellt werden.

Das Leiterplattenmodul verfügt über ein leitendes Muster, das in einem ersten Bereich in einer Innenschicht eines di­ elektrischen Trägers ausgebildet ist, und einen Masseleiter, der außerhalb dieses ersten Bereichs im Träger ausgebildet ist. Die Frequenzeigenschaften sind durch das leitende Mus­ ter vorgegeben und durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters einstellbar. Ferner verfügt das Modul über montierte Schaltungselemente mit einer Signalverarbeitungs­ schaltung zum Verarbeiten von Signalen (mit gewünschter Fre­ quenzcharakteristik) in einem Bereich, der nicht der erste Bereich des dielektrischen Trägers ist.

Gemäß der Erfindung ist das leitende Muster in einer Innen­ schicht des dielektrischen Trägers ausgebildet, um Schalt­ kreise mit verteilten Parametern und Muster mit einem oder mehreren rechteckigen Bereichen, ohne den Masseleiter, fest­ zulegen, oder ein gitterförmiger Masseleiter ist an einer oder mehreren Seiten außerhalb des dielektrischen Trägers ausgebildet, wodurch sich die Fläche und die Position des Masseleiters leicht ändern lassen.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren ver­ anschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt ein bekanntes Bandpassfilter;

Fig. 2 zeigt ein bekanntes Bandpassfilter mit einer Struktur in drei Ebenen;

Fig. 3A bis 3C veranschaulichen das Verhalten eines bekann­ ten Bandpassfilters in einem Modus mit ungeradzahliger und einem solchen mit geradzahliger Erregung;

Fig. 4 zeigt ein Schaltungsbauteil mit einem Schaltkreis mit verteilten Parametern;

Fig. 5A und 5B veranschaulichen das Verhalten des Bauteils der Fig. 4 in einem ungeradzahligen bzw. einem geradzahligen Erregungsmodus;

Fig. 6A bis 6C zeigen die Struktur eines ersten Bandpassfil­ ters 20;

Fig. 7 zeigt die Frequenzcharakteristik des ersten Bandpass­ filters 20;

Fig. 8A und 88 zeigen ein zweites Bandpassfilter 30;

Fig. 9 zeigt die Frequenzcharakteristik des zweiten Band­ passfilters 30;

Fig. 10A und 108 zeigen ein drittes Bandpassfilter 40;

Fig. 11 zeigt die Frequenzcharakteristik des dritten Band­ passfilters 40;

Fig. 12A und 12B zeigen eine Variante des ersten Bandpass­ filters 20;

Fig. 13A bis 13C zeigen ein Bandpassfilter mit Mehrschicht­ struktur;

Fig. 14 zeigt ein Leiterplattenmodul;

Fig. 15 ist eine perspektivische Ansicht eines Tiefpassfil­ ters;

Fig. 16 ist eine perspektivische Ansicht eines Hochpassfil­ ters;

Fig. 17 ist eine perspektivische Ansicht eines Kopplers;

Fig. 18 ist eine perspektivische Ansicht eines Richtungs­ kopplers;

Fig. 19 zeigt eine Oberflächenantenne und

Fig. 20 ist eine perspektivische Ansicht eines Bauteils mit einer Schaltung mit konzentrierten Parametern.

Wie es Fig. 4 dargestellt ist, sind auf einem dielektrischen Träger leitende Muster ausgebildet, um die Eigenschaften von Schaltungsbauteilen zu kontrollieren, und außerdem ist auf dem Träger ein Masseleiter vorhanden. Z. B. liegt ein Schal­ tungsbauteil 10 mit verteilten Parametern mit einer Struktur in drei Ebenen vor, wobei auf dem dielektrischen Träger 11 ein gitterförmiger Masseleiter 12 ausgebildet ist, dessen Fläche und Position sich ändern lassen. Der Masseleiter 12 ist durch ein Durchgangsloch 13 mit einem Masseleiter (nicht dargestellt) auf der anderen Seite verbunden. Daher ist das leitende Muster, das das Schaltungsbauteil im Träger bildet, durch die Masseleiter und das Durchgangsloch abgeschirmt.

Wenn das außerhalb des dielektrischen Trägers ausgebildete Muster 12 einen Bereich 15 ohne Masseleiter bildet, kann die Frequenzcharakteristik geändert werden, wie es in Fig. 5A für einen ungeradzahligen und in Fig. 5B für einen geradzah­ ligen Erregungsmodus veranschaulicht ist, da die Verteilung des elektromagnetischen Felds zwischen leitenden Mustern 17 und dem Masseleiter, die die Funktion des Schaltungsbauteils bestimmen, geändert werden kann. Daher kann durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters die Frequenzcharak­ teristik des Schaltungsbauteils mit verteilten Parametern mit einer Struktur in drei Ebenen auf eine gewünschte Cha­ rakteristik eingestellt werden. Z. B. bestehen die Maßnahmen darin, leitende Teile im Bereich 15 ohne den Masseleiter herzustellen, die Position und den Umfang der leitenden Mus­ ter zu ändern und den Masseleiter zwischen den Bereichen ohne denselben wegzuschneiden.

Die Fig. 6A bis 6C zeigen die Struktur eines Bandpassfilters mit einer Struktur in drei Ebenen. Dieses Bandpassfilter ist vom Typ mit Impedanzstufe, d. h., dass es über einen Fort­ satz und eine Überlappung benachbarter leitender Resonator­ muster mit einer Länge unter λ/4 verfügt.

Fig. 6A ist dabei eine perspektivische Ansicht, Fig. 6B ist eine Draufsicht, und Fig. 6C ist eine Schnittansicht entlang einer Linie I-I' in Fig. 6B. Gemäß diesen Fig. 6A bis 6C verfügt das Bandpassfilter über Masseleiter 22a und 22b zu beiden Seiten eines dielektrischen Trägers (isolierender Träger) 21. Darüber hinaus verfügt das Bandpassfilter über zwei leitende Resonatormuster 23a und 23b zwischen den Mas­ seleitern 22a und 22b. Jeweilige Ränder der leitenden Reso­ natormuster 23a und 23b sind über ein Durchgangsloch 24 mit den Masseleitern 22a und 22b kurzgeschlossen. Wenn die Brei­ te des Musters am anderen Rand (offene Seite) der leitenden Resonatormuster 23a und 23b vergrößert wird, wird die Über­ lappungslänge benachbarter leitender Resonatormuster dadurch verkürzt, dass die charakteristische Impedanz auf der Kurz­ schlussseite erhöht wird und sie an der offenen Seite ver­ ringert wird.

Der Masseleiter 22a ist durch das Durchgangsloch 24 mit dem Masseleiter 22b verbunden, und die leitenden Resonatormuster 23a und 23b sind dadurch abgeschirmt, dass die Durchgangslö­ cher 24 um sie herum eine Schicht bilden.

Z. B. ist auf der Seite des Masseleiters 22a ein Muster mit einer leitenden Schicht 26 den leitenden Resonatormustern 23a und 23b gegenüberstehend ausgebildet, das in einem Be­ reich 25 vorhanden ist, der vom Masseleiter umgeben wird.

Fig. 7 zeigt die Frequenzcharakteristik eines ersten Band­ passfilters 20, die (wie durch die durchgezogene Linie ver­ anschaulicht) dann, wenn die leitende Schicht 26 im Bereich 25 ohne Masseleiter vorhanden ist, in einem breiteren Fre­ quenzband angehoben ist als dann (wie durch die gestrichelte Linie veranschaulicht), wenn der Bereich 25 ohne den Masse­ leiter nicht ausgebildet ist.

Durch Konzipieren des leitenden Resonatormusters und des di­ elektrischen Trägers und durch Herstellen der leitenden Schicht 26 im Bereich 25 ohne Masseleiter wird ein gewünsch­ tes Frequenzband mit gewünschter Frequenzcharakteristik er­ halten. Wenn die Frequenzcharakteristik breiter als das ge­ wünschte Frequenzband ist, sind nur leitende Teile aus z. B. Kupferfolie, leitender Paste oder Lötmittel im Bereich 25 ohne Masseleiter herzustellen, wodurch das Frequenzband schmaler wird und ein gewünschtes Bandpassfilter mit ge­ wünschter Frequenzcharakteristik erhalten werden kann. Wenn dagegen die Frequenzcharakteristik schmaler als das ge­ wünschte Frequenzband ist, ist nur der Masseleiter 22a zu beschneiden, um es breiter zu machen, wodurch wiederum ein gewünschtes Bandpassfilter mit gewünschter Frequenzcharakte­ ristik erzielbar ist.

Die Fig. 8A und 8B veranschaulichen, wie ein zweites Band­ passfilter 30 herzustellen ist, das auf einem Masseleiter 32 ein Muster trägt, das aus rechteckigen, nicht geerdeten lei­ tenden Bereichen 35 besteht, die auf einem leitenden Resona­ tormuster oder zwischen solchen ausgebildet sind. Die Fläche und die Position des Masseleiters werden dadurch geändert, dass der Bereich ohne Masseleiter auf dem dielektrischen Träger ausgebildet wird, wie in Fig. 8A dargestellt. Auch können die Fläche und die Position des Masseleiters dadurch geändert werden, dass leitende Teile 38 in einem rechtecki­ gen Bereich 35 ohne Masseleiter hergestellt werden, wie es in Fig. 8B dargestellt ist.

Fig. 9 zeigt die Frequenzcharakteristik des Bandpassfilters 30, wenn die leitenden Teile 38 im rechteckigen Bereich 35 ohne Masseleiter auf der Kurzschlussseite ausgebildet sind.

Dabei ist die Frequenzcharakteristik (durchgezogene Linie in Fig. 9) zur Bandseite hoher Frequenzen hin breiter als die Frequenzcharakteristik (gestrichelte Linie in Fig. 9), wenn leitende Teile nicht ausgebildet sind.

Daher ermöglichen es die Herstellung der leitenden Teile 38 auf dem rechteckigen Bereich 35 ohne Masseleiter das Ändern der Position und das Ändern des Umfangs der leitenden Teile 38 oder das Ändern der Fläche und der Position des Masselei­ ters durch Beschneiden desselben, eine gewünschte Frequenz­ charakteristik zu erzielen. Wenn z. B. die Frequenzcharakte­ ristik auf der Hochpassseite schmaler ist als es einem ge­ wünschten Frequenzband entspricht, müssen nur die leitenden Teile 38 im rechteckigen Bereich 35 ohne Masseleiter herge­ stellt werden, wodurch das Frequenzband auf der Hochpasssei­ te schmaler wird, wodurch ein Bandpassfilter mit gewünschter Frequenzcharakteristik erhalten werden kann. Wenn dagegen die Frequenzcharakteristik auf der Hochpassseite breiter ist als es dem gewünschten Frequenzband entspricht, muss nur der Masseleiter zwischen den rechteckigen Bereichen 35 beschnit­ ten werden, um das Frequenzband auf der Hochpassseite breit zu machen, wodurch ein Bandpassfilter mit gewünschter Fre­ quenzcharakteristik erhalten werden kann.

Es existiert ein weiteres Verfahren, gemäß dem die Länge in der Richtung der Signaleingabe und -ausgabe betreffend den rechteckigen Bereich 35 ohne Masseleiter, wie in den Fig. 8A und 8B dargestellt, vergrößert wird, um ein drittes Band­ passfilter 40 dadurch zu schaffen, dass ein rechteckiger Be­ reich 45 ohne Masseleiter hergestellt wird, wie in Fig. 10A dargestellt. In diesem Fall ist das Frequenzband (durchgezo­ gene Linie in Fig. 11) beim Herstellen der leitenden Teile 48 in der Mitte jedes rechteckigen Bereichs 45 ohne Masse­ leiter breiter als die Frequenzcharakteristik (gestrichelte Linie in Fig. 11) beim Verformen der leitenden Teile 48, wie in Fig. 10B dargestellt.

Daher kann eine gewünschte Frequenzcharakteristik dadurch geschaffen werden, dass die leitenden Teile 48 in der Mitte des rechteckigen Bereichs 45 ohne Masseleiter hergestellt werden, die Position der leitenden Teile 48 geändert wird oder der Masseleiter 42 beschnitten wird, um seine Fläche und Position zu ändern. Wenn z. B. die Frequenzcharakteris­ tik schmaler als erwünscht ist, müssen nur die leitenden Teile 48 auf dem rechteckigen Bereich 45 ohne Masseleiter hergestellt werden, um das Frequenzband breit zu machen, wo­ durch ein Bandpassfilter mit gewünschter Frequenzcharakte­ ristik erhalten werden kann. Wenn dagegen die Frequenzcha­ rakteristik breiter ist als es dem gewünschten Frequenzband entspricht, ist nur der Masseleiter 42 zu beschneiden, wo­ durch das Frequenzband schmal wird, so dass ein Bandpassfil­ ter mit gewünschter Frequenzcharakteristik erhalten werden kann.

Darüber hinaus kann beim in den Fig. 6A bis 6C dargestellten Bandpassfilter der Bereich 25 ohne Masseleiter durch eine in den Fig. 12A und 12B dargestellte leitende Dünnschicht 27 ersetzt werden, die einfach beschneidbar und verarbeitbar ist, um die Frequenzcharakteristik durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters auf einfache Weise einzu­ stellen.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird ein Bereich ohne Mas­ seleiter auf einer Seite desselben hergestellt, wobei dieser Bereich auch auf der anderen Seite herstellbar ist. Auch können Muster auf beiden Seiten mit gleicher oder verschie­ denen Ausgestaltungen hergestellt werden.

Die Frequenzcharakteristik kann unter Verwendung dieses Ver­ fahrens auch dann eingestellt werden, wenn ein Bandpassfil­ ter über Mehrschichtstruktur verfügt, wie es durch die Fig. 13A bis 13C veranschaulicht ist. Selbst wenn eine Leitungs­ musterschicht 53 zwischen einem leitenden Resonatormuster 51 und einem Masseleiter 52 ausgebildet ist, wie es in Fig. 13A dargestellt ist, ist es möglich, die Charakteristik des Bandpassfilters dadurch zu ändern, dass ein Bereich 54 ohne Masseleiter hergestellt wird. Jedoch ist in diesem Fall we­ gen der Ausbildung der Leitungsmusterschicht 53 zwischen dem leitenden Resonatormuster 51 und dem Masseleiter 52 das Aus­ maß der Einstellung der Frequenzcharakteristik kleiner als im Fall einer nicht mehrschichtigen Struktur. Wenn zwei Bandpassfilter 55a und 55b über eine Laminatstruktur mit einheitlichem Masseleiter 56 verfügen, kann die Frequenzcha­ rakteristik durch Herstellen eines Bereichs 57 ohne Masse­ leiter auf der Außenschicht eingestellt werden, wodurch die Frequenzcharakteristik des Bandpassfilters entsprechend ge­ ändert wird, und es werden die Fläche und die Position des Masseleiters geändert, wie es in Fig. 13B dargestellt ist. Darüber hinaus ist es, wenn der Abstand der Seite des Trä­ gers mit dem Bandpassfilter und dem leitenden Resonatormus­ ter kurz ist, durch Herstellen des Masseleiters 58 auf der Seitenfläche und durch Herstellen des Bereichs 59 ohne Mas­ seleiter auf der Seitenfläche des Trägers und durch Ändern des Bereichs und der Position des Masseleiters möglich, die Frequenzcharakteristik zu ändern, wie es in Fig. 13C darge­ stellt ist.

In der obigen Beschreibung ist ein Ausführungsbeispiel als Bandpassfilter mit verteilten Parametern beschrieben. Wenn ein Leiterplattenmodul 60, wie in Fig. 14 dargestellt, vor­ liegt, bei dem eine Signalverarbeitungsschaltung 62, z. B. eine MMIC, auf einem Träger eines Schaltungsbauteils 61 mit verteilten Konstanten montiert ist, ist es möglich, die Flä­ che und die Position des Masseleiters entsprechend der Posi­ tion des leitenden Musters zu ändern, um das Schaltungsbau­ teil 61 einzustellen, das mittels eines Durchgangslochs 63 mit der Signalverarbeitungsschaltung verbunden ist und das ein Muster auf dem Masseleiter 64 trägt.

Gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann durch Ausbilden des Resonatormusters für das Bandpassfilter als Bauteil mit ver­ teilten Parametern durch Ändern des Musters ein Tiefpassfil­ ter und ein Hochpassfilter aufgebaut werden.

Fig. 15 ist eine perspektivische Ansicht eines Tiefpassfil­ ters 70. Ein Muster 72a für eine serielle Induktivität und ein Muster 72b für eine parallele Kapazität sind aufeinan­ derfolgend auf einer Seite eines dielektrischen Trägers 71 ausgebildet. Darüber hinaus ist ein Masseleiter 73 auf der anderen Seite des Trägers ausgebildet. Durch Zusammenkleben des mit den Mustern 72a und 72b versehenen dielektrischen Trägers 71 mit einem dielektrischen Träger 75 mit einem Mas­ seleiter 76 wird ein Bandpassfilter 70 mit einer Struktur in drei Ebenen gebildet. Durch Ändern der Fläche und der Posi­ tion des Masseleiters durch Ausbilden des Bereichs ohne Mas­ seleiter auf der Seite mit dem Masseleiter wird die ge­ wünschte Frequenzcharakteristik eines Bandpassfilters er­ zielt.

Fig. 16 ist eine perspektivische Ansicht eines Hochpassfil­ ters. Muster 82a und 82b für eine parallele Induktivität sind auf einer Seite eines dielektrischen Trägers 81 ausge­ bildet, und auf dessen anderer Seite ist ein Masseleiter 83 ausgebildet. Die Ränder der Muster 82a und 82b sind durch den Masseleiter 83 kurzgeschlossen. Den Mustern 82a und 82b gegenüberstehend wird eine serielle Kapazität ausgebildet, und die Muster werden mit dem Masseleiter verbunden, wobei Muster 86a, 86b und 86c für die parallele Induktivität auf einer Seite eines dielektrischen Trägers 85 ausgebildet wer­ den. Der Masseleiter wird auf derjenigen Seite ausgebildet, die nicht zur Ein- und Ausgabe von Signalen dient. Darüber hinaus wird ein Masseleiter 89 auf einer Seite eines dielek­ trischen Trägers 88 hergestellt.

Der dielektrische Träger 85 wird auf die Muster 82a und 82b auf dem dielektrischen Träger 81 geklebt, und der dielektri­ sche Träger 88 wird auf das Muster 86 auf dem dielektrischen Träger 85 geklebt. Wenn der dielektrische Träger 81 auf den dielektrischen Träger 85 geklebt ist, liegt der letztere zwischen den Mustern 82a und 82b sowie 86a und 86b. Wenn der dielektrische Träger 85 auf den dielektrischen Träger 88 ge­ klebt ist, liegt der dielektrische Träger 88 zwischen dem Muster 86 und dem Masseleiter 89. In diesem Fall ist der di­ elektrische Träger 81 auf den dielektrischen Träger 85 ge­ klebt, und dieser ist auf den dielektrischen Träger 88 ge­ klebt, und gleichzeitig ist der Masseleiter 83 mit dem Mas­ seleiter 87 verbunden, und dieser ist mit dem Masseleiter 89 verbunden, so dass ein Hochpassfilter mit einer Struktur in drei Ebenen gebildet ist. In diesem Fall wird für die ge­ wünschte Frequenzcharakteristik dadurch gesorgt, dass die Fläche und die Position des Masseleiters dadurch geändert werden, dass eine Fläche ohne Masseleiter auf derjenigen Seite hergestellt wird, die mit dem Masseleiter 89 versehen ist.

Für ein erfindungsgemäßes Schaltungsbauteil besteht keine Beschränkung auf ein solches mit verteilten Konstanten. Beim Einstellen der Eigenschaften eines Kopplers, einer Antenne und einer Kombination zwischen Schichten eines Bauteils mit verteilten Parametern wird durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters für die gewünschte Frequenzcharak­ teristik gesorgt. Fig. 17 zeigt eine Schrägansicht eines Kopplers 90 mit Schnitt eines direkten, korrekten Teils. Der Koppler verfügt über einen Teil eines Fortsatzes mit einer Länge von ungefähr 1/4 λ eines auf einem dielektrischen Trä­ ger 91 ausgebildeten leitenden Musters 92a und mit einem leitenden Muster 92b. Wenn die Fläche und die Position eines außerhalb der leitenden Muster 92a und 92b hergestellten Masseleiters 93 einfach änderbar sind, kann der gewünschte Koppler erzielt werden.

Fig. 18 ist eine perspektivische Ansicht eines Richtungs­ kopplers 95, bei dem, wenn die Fläche und die Position eines außen ausgebildeten Masseleiters 96 einfach änderbar sind, der gewünschte Richtungskoppler erhalten werden kann.

Fig. 19 zeigt eine Oberflächenantenne. Ein Kontaktfleck 101 zum Empfangen und Aussenden einer elektromagnetischen Welle ist mit einer elektrischen Versorgungsleitung 102 verbunden. Wenn eine Schutzschicht auf der Seite hergestellt wird, auf der der Kontaktfleck 101 vorhanden ist, und wenn die Fläche und die Position eines Masseleiters 105 auf der Rückseite einfach änderbar sind, kann die gewünschte Oberflächenanten­ ne hergestellt werden.

Fig. 20 ist eine perspektivische Ansicht eines Schaltungs­ bauteils mit konzentrierten Parametern mit einem Kondensator und einer Spule, die durch ein leitendes Muster gebildet sind. Die gewünschte Charakteristik wird z. B. durch Ändern der Fläche und der Position eines Masseleiters 112 erhalten, der der Spule 110 gegenüberstehend ausgebildet ist, um die Kapazität der Spule 110 und des Masseleiters 112 zu ändern.

In den Fig. 14 bis 20 sind gitterförmige Masseleiter darge­ stellt, jedoch ist es möglich, die Masseleiter so herzustel­ len, wie sie in den Fig. 6A bis 6C, 8A und 8B sowie 10A und 10B dargestellt sind. Darüber hinaus besteht keine Beschrän­ kung auf diese Form, solange die Fläche und die Position des Masseleiters leicht änderbar sind.

Gemäß der Erfindung wird eine gewünschte Frequenzcharakte­ ristik dadurch erzielt, dass die Fläche und die Position ei­ nes Masseleiters geändert werden, wobei ein leitendes Muster in einer Innenschicht eines dielektrischen Trägers herge­ stellt wird und der Masseleiter in einer äußeren Schicht des Trägers hergestellt wird. Daher kann die gewünschte Fre­ quenzcharakteristik erhalten werden, obwohl es unmöglich ist, die Form des leitenden Musters in der Innenschicht we­ gen der Laminatunterstruktur zu ändern. Darüber hinaus müs­ sen nur die Fläche und die Position des Masseleiters geän­ dert werden, wenn Genauigkeiten im Material und der Verar­ beitung nur schwer einzuhalten sind, wodurch die Frequenz- charakteristik trotzdem genau eingestellt werden kann.

Außerdem ist es wegen der Herstellung des Musters, bei dem die Fläche und die Position des Masseleiters einfach änder­ bar sind, möglich, auf einfache Weise die gewünschte Fre­ quenzcharakteristik unter Verwendung des Musters zu erzie­ len. Wenn ein Muster auf einer Seite oder mehreren Seiten des dielektrischen Trägers hergestellt wird, kann der Ein­ stellbereich für die Frequenzcharakteristik erweitert werden und die Einstellgenauigkeit kann dadurch verbessert werden, dass dasselbe oder verschiedene Muster hergestellt werden.

Bei einem Schaltungsbauteil mit einem leitenden Muster in einer Innenschicht eines ersten Bereichs eines dielektri­ schen Trägers und einem Masseleiter außerhalb dieses ersten Bereichs des dielektrischen Trägers kann für die gewünschte Frequenzcharakteristik dadurch gesorgt werden, dass diese unter Verwendung des leitenden Musters und durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters eingestellt wird. Darüber hinaus ist es möglich, ein Signal ohne Störsignale oder den Einfluss von Signalübertragungsleitungen zu verar­ beiten, wenn ein Leiterplattenmodul mit einem montierten Schaltungselement mit einer Signalverarbeitungsschaltung verwendet wird, wobei das Schaltungselement in einem Bereich angebracht ist, der kein Bereich mit Komponenten des Schal­ tungsbauteils ist und der nicht der erste Bereich des di­ elektrischen Trägers ist, wobei die Signalverarbeitungs­ schaltung das Signal mit gewünschter Frequenzcharakteristik verarbeitet.

Claims (8)

1. Schaltungsbauteil mit einem leitenden Muster (17), das in einer Innenschicht eines dielektrischen Trägers (11) aus­ gebildet ist, und einem Masseleiter (12), der in einer Au­ ßenschicht des dielektrischen Trägers ausgebildet ist, wobei das leitende Muster die Frequenzcharakteristik bestimmt und wobei diese durch Ändern der Fläche und der Position des Masseleiters änderbar ist.

2. Schaltungsbauteil nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein auf dem Masseleiter (32) ausgebildetes Muster (35), das es ermöglicht, die Fläche und die Position des Masseleiters zu ändern.

3. Schaltungsbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, dass das Muster auf mindestens einer Seite der Außen­ schicht des dielektrischen Trägers ausgebildet ist.

4. Schaltungsbauteil nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch das dasselbe oder verschiedene Muster, die auf mindestens einer Seite der Außenschicht des dielektrischen Trägers aus­ gebildet sind.

5. Schaltungsbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, dass der Masseleiter aufgrund des Musters gitterförmig ist.

6. Schaltungsbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, dass das Muster (35) rechteckig ist und mindestens ei­ nen nicht geerdeten Leiterbereich auf dem geerdeten Leiter bildet.

7. Schaltungsbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, dass das Muster dünner als der Masseleiter ist und ei­ nen nicht geerdeten Masseleiter (27) bildet, der in ihn ein­ schneidet.

8. Leiterplattenmodul (60), mit:

• - einem Schaltungsbauteil (61) mit einem leitenden Muster, das in einer Innenschicht eines ersten Bereichs eines di­ elektrischen Trägers ausgebildet ist, und einem Masseleiter (64), der in einer Außenschicht dieses ersten Bereichs aus­ gebildet ist, wobei das Schaltungsbauteil dadurch für eine gewünschte Frequenzcharakteristik sorgt, dass dieselbe durch das leitende Muster dem Grunde nach vorgegeben ist und durch die Fläche und Position des Masseleiters änderbar ist; und
• - einem montierten Schaltungselement (62) mit einer Signal­ verarbeitungsschaltung zum Verarbeiten eines Signals mit ge­ wünschter Frequenzcharakteristik, wobei dieses Schaltungs­ element auf einem anderen als dem ersten Bereich des dielek­ trischen Trägers montiert ist.