CN117083765A - 介质谐振器、以及使用该介质谐振器的介质滤波器和多路复用器 - Google Patents

Abstract

滤波器装置(100)具备层叠体(110)、平板电极(130、135)、多个谐振器(140)、屏蔽导体(121、122)和连接导体(150)。层叠体具备多个介质层。平板电极在层叠体内在层叠方向上分离地配置。谐振器配置于平板电极之间，在与层叠方向正交的第一方向上延伸。屏蔽导体分别配置于层叠体中的侧面(115、116)，与平板电极连接。连接导体将谐振器连接于平板电极(130、135)。谐振器在层叠体的内部在第二方向上排列配置。各个谐振器的第一端部与屏蔽导体(121)连接，第二端部与屏蔽导体(122)分离。

Description

介质谐振器、以及使用该介质谐振器的介质滤波器和多路复 用器

技术领域

本公开涉及介质谐振器、以及使用该介质谐振器的介质滤波器和多路复用器，更特别涉及使介质滤波器的特性提高的技术。

背景技术

在日本特开平4-43703号公报(专利文献1)中公开了一种带状线谐振器(stripline resonator，介质谐振器)。日本特开平4-43703号公报中的带状线谐振器具有在介质内相对配置的接地导体之间配置有多个带状导体的结构。通过该结构，无需实质性扩大带状导体的宽度就能够有利地确保有效截面积，能够降低导体损耗，因此，能够实现小型且高Q值的谐振器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平4-43703号公报

发明内容

发明要解决的课题

介质谐振器的谐振频率是根据带状导体的长度而确定的。在上述的日本特开平4-43703号公报(专利文献1)所公开的介质谐振器中，具有在接地导体之间配置多个带状导体的结构。在各带状导体的长度存在不均的情况下，有可能导致所制造的介质谐振器的谐振频率产生波动，结果无法实现所期望的滤波器特性。

本公开就是为了解决这种课题而实现的，其目的在于在介质谐振器、以及使用该介质谐振器的介质滤波器和多路复用器中降低谐振频率和通频带的波动。

用于解决课题的手段

本公开的第一方面所涉及的滤波器具备具有长方体的形状的层叠体、第一平板电极和第二平板电极、多个谐振器、第一屏蔽导体和第二屏蔽导体、第一连接导体。层叠体具备多个介质层。第一平板电极和第二平板电极在层叠体的内部在层叠方向上分离地配置。多个谐振器配置于第一平板电极与第二平板电极之间，在与层叠方向正交的第一方向上延伸。第一屏蔽导体和第二屏蔽导体在层叠体中分别配置于垂直于第一方向的第一侧面和第二侧面，与第一平板电极和第二平板电极连接。第一连接导体将多个谐振器中所包含的第一谐振器与第一平板电极和第二平板电极连接。多个谐振器在层叠体的内部在与层叠方向和第一方向这两个方向正交的第二方向上排列配置。多个谐振器的每一个谐振器的第一端部与第一屏蔽导体连接，第二端部与第二屏蔽导体分离。

本公开的第二方面所涉及的介质谐振器具备具有长方体的形状的层叠体、第一平板电极和第二平板电极、分布参数元件、第一屏蔽导体和第二屏蔽导体、连接导体。第一平板电极和第二平板电极在层叠体的内部在层叠方向上分离地配置。分布参数元件配置于第一平板电极与第二平板电极之间，在与层叠方向正交的第一方向上延伸。第一屏蔽导体和第二屏蔽导体在层叠体中分别配置于垂直于第一方向的第一侧面和第二侧面，与第一平板电极和第二平板电极连接。连接导体将分布参数元件与第一平板电极和第二平板电极连接。分布参数元件的第一端部与第一屏蔽导体连接，第二端部与第二屏蔽导体分离。

发明的效果

在本公开所涉及的介质谐振器和介质滤波器中具有下述结构：形成介质滤波器的谐振器(分布参数元件)的一侧端部与设置于层叠体的侧面的第一屏蔽导体连接，并且，谐振器通过连接导体(第一连接导体)与第一平板电极和第二平板电极连接。由此，由于能够降低制造时的加工波动，所以能够降低介质谐振器的谐振频率和介质滤波器中的通频带的波动。

附图说明

图1是具有应用了实施方式1的滤波器装置的高频前端电路的通信装置的框图。

图2是实施方式1的滤波器装置的外观立体图。

图3是表示实施方式1的滤波器装置的内部构造的透视立体图。

图4是实施方式1的滤波器装置的截面图。

图5是表示对比例的滤波器装置的内部构造的立体图。

图6是用于说明实施方式1的滤波器装置和对比例的滤波器装置中的通过特性的波动的图。

图7是表示对比例中的连接导体的构成的截面图。

图8是表示实施方式1的滤波器装置中的连接导体的构成的第一例和第二例的截面图。

图9是表示实施方式1的滤波器装置中的连接导体的构成的第三例的截面图。

图10是表示谐振器的变形例的图。

图11是表示实施方式2的滤波器装置的内部构造的立体图。

图12是用于说明实施方式2的滤波器装置中的通过特性的波动的图。

图13是表示变形例1的滤波器装置的内部构造的立体图。

图14是实施方式3的滤波器装置的截面图。

图15是用于说明实施方式3的滤波器装置中的通过特性的频率波动的图。

图16是实施方式4的滤波器装置的截面图。

图17是变形例2的滤波器装置的截面图。

图18是变形例3的滤波器装置的截面图。

图19是表示实施方式5的多路复用器的内部构造的立体图。

图20是表示实施方式6的滤波器装置的内部构造的立体图。

图21是图20中的平板电极的截面图。

图22是用于说明平板电极的开口率对损耗的影响的图。

图23是实施方式7的第一例的滤波器装置的等效电路图。

图24是图23的滤波器装置的截面图。

图25是变形例4的滤波器装置的截面图。

图26是实施方式7的第二例的滤波器装置的等效电路图。

图27是图26的滤波器装置的截面图。

图28是变形例5的滤波器装置的截面图。

图29是用于说明实施方式7的第一例及第二例的滤波器装置中的通过特性的图。

图30是实施方式7的第三例的滤波器装置的等效电路图。

图31是表示图30的滤波器装置的内部构造的立体图。

图32是用于说明图30的滤波器装置中的通过特性的图。

图33是实施方式8的滤波器装置的外观立体图。

图34是表示图33的滤波器装置的内部构造的立体图。

图35是表示对比例的滤波器装置的内部构造的立体图。

图36是变形例6的滤波器装置的外观立体图。

图37是表示变形例6的滤波器装置的内部构造的立体图。

图38是表示实施方式9的滤波器装置的内部构造的立体图。

图39是用于说明电极数量对滤波器特性的影响的第一图。

图40是用于说明电极数量对滤波器特性的影响的第二图。

图41是表示实施方式10的滤波器装置的内部构造的立体图。

图42是图41的滤波器装置的俯视图。

图43是用于说明图41的滤波器装置中的通过特性的图。

图44是表示实施方式11的滤波器装置的内部构造的立体图。

图45是表示变形例7的滤波器装置的内部构造的立体图。

图46是表示变形例8的滤波器装置的内部构造的立体图。

图47是表示变形例9的滤波器装置的内部构造的立体图。

图48是实施方式12的谐振器的截面图。

图49是变形例10的谐振器的截面图。

图50是变形例11的谐振器的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式详细地进行说明。此外，对图中相同或相当的部分标注相同标号，相关说明不再重复。

[实施方式1]

(通信装置的基本构成)

图1是具有应用了实施方式1的滤波器装置的高频前端电路20的通信装置10的框图。通信装置10例如是以智能手机为代表的移动终端、或者是移动电话基站。

参照图1，通信装置10具备天线12、高频前端电路20、混频器30、本地振荡器32、D/A转换器(DAC)40和RF电路50。另外，高频前端电路20包含带通滤波器22、28、放大器24和衰减器26。此外，在图1中，针对高频前端电路20包含从天线12发送高频信号的发送电路的情况进行说明，但高频前端电路20也可以包含经由天线12接收高频信号的接收电路。

通信装置10将从RF电路50传输来的信号上变频为高频信号并从天线12发射。从RF电路50输出的调制完毕的数字信号通过D/A转换器40转换为模拟信号。混频器30将已通过D/A转换器40转换为模拟信号的信号与来自本地振荡器32的振荡信号混合后，上变频为高频信号。带通滤波器28去除通过上变频产生的不需要的波，仅提取所期望的频带的信号。衰减器26调整信号的强度。放大器24将通过衰减器26后的信号进行功率放大至规定的级别。带通滤波器22去除在放大过程中产生的不需要的波，并且仅使由通信标准规定的频带的信号成分通过。通过带通滤波器22后的信号作为发送信号从天线12被发射。

作为上述的通信装置10中的带通滤波器22、28，可以采用对应于本公开的滤波器装置。

(滤波器装置的构成)

接下来，使用图2～图4，说明实施方式的滤波器装置100的详细构成。滤波器装置100是由作为分布参数元件的多个谐振器构成的介质滤波器。

图2是滤波器装置100的外观立体图。在图2中，仅示出了从滤波器装置100的外表面能够观察到的构成，省略了内部的构成。图3是表示滤波器装置100的内部构造的透视立体图。另外，图4是滤波器装置100的截面图。图4是构成滤波器装置100的谐振器沿Y轴方向的截面图。

参照图2，滤波器装置100具备将多个介质层沿层叠方向堆叠而形成的、长方体或大致长方体的层叠体110。层叠体110具有上表面111、下表面112、侧面113、侧面114、侧面115和侧面116。侧面113是X轴的正向的侧面，侧面114是X轴的负向的侧面。侧面115、116是垂直于Y轴方向的侧面。

层叠体110的各介质层例如由低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-firedCeramics)等陶瓷、或者树脂形成。在层叠体110的内部，通过设置于各介质层的多个平板导体、和设置于介质层间的多个通路，构成用于构成谐振器的分布参数元件、以及用于将该分布参数元件间耦合的电容器和电感器。本说明书中的“通路”是表示为了连接设置于不同介质层的电极的、在层叠方向上延伸的导体。通路通过例如导电浆料、镀覆、及/或金属引脚(metal pin)等形成。

此外，在以下的说明中，将层叠体110的层叠方向作为“Z轴方向”，将垂直于Z轴方向且沿层叠体110的长边的方向作为“X轴方向”(第二方向)，将沿层叠体110的短边的方向作为“Y轴方向”(第一方向)。另外，以下有时将各图中的Z轴的正向称为上侧，将负向称为下侧。

如图2所示，滤波器装置100具备覆盖层叠体110的侧面115、116的屏蔽导体121、122。屏蔽导体121、122在从层叠体110的X轴方向观察时具有大致C字形状。即，屏蔽导体121、122覆盖层叠体110的上表面111和下表面112的一部分。在屏蔽导体121、122中，配置于层叠体110的下表面112的部分通过焊料凸块等连接构件与未图示的安装基板上的接地电极连接。即，屏蔽导体121、122还作为接地端子起作用。

另外，滤波器装置100具备配置于层叠体110的下表面112的输入端子T1和输出端子T2。输入端子T1配置于下表面112中接近X轴的正向的侧面113的位置。另一方面，输出端子T2配置于下表面112中接近X轴的负向的侧面114的位置。输入端子T1和输出端子T2通过焊料凸块等连接构件与安装基板上的对应的电极连接。

接下来，参照图3说明滤波器装置100的内部构造。滤波器装置100在图2所示的构成之外，还具备平板电极130、135、多个谐振器141～145、连接导体151～155、连接导体171～175、电容器电极161～165。此外，在此后的说明中，有时将谐振器141～145、连接导体151～155、连接导体171～175分别概括性地称为“谐振器140”、“连接导体150”、“连接导体170”。

平板电极130、135在层叠体110的内部在层叠方向(Z轴方向)上分离的位置处彼此相对地配置。平板电极130设置于接近上表面111的介质层，在沿着X轴的端部处与屏蔽导体121、122连接。平板电极130具有在从层叠方向俯视观察的情况下几乎覆盖介质层的形状。

平板电极135设置于接近下表面112的介质层。平板电极135具有大致H型的形状，在从层叠方向俯视观察的情况下，与输入端子T1和输出端子T2相对的部分形成了切去部。平板电极135在沿着X轴的端部处与屏蔽导体121、122连接。

在层叠体110中，在平板电极130与平板电极135之间配置有谐振器141～145。谐振器141～145各自在Y轴方向上延伸。谐振器141～145各自的Y轴的正向的端部(第一端部)与屏蔽导体121连接。另一方面，谐振器141～145各自的Y轴的负向的端部(第二端部)与屏蔽导体122分离。

在滤波器装置100中，谐振器141～145在层叠体110的内部沿X轴方向排列配置。更具体地说，从X轴的正向朝向负向依次配置有谐振器141、142、143、144、145。

谐振器141～145各自由沿层叠方向配置的多个导体构成。在各谐振器的与ZX平面平行的截面上，多个导体整体具有大致椭圆形状。换言之，多个导体中配置于最上层和最下层的导体的X轴方向的尺寸(第一宽度)小于配置于中央附近的层的导体的X轴方向的尺寸(第二宽度)。已知通常高频电流由于边缘效应而主要在导体的端部附近流动。因此，在多个导体的整体截面形状为矩形形状的情况下，导致电流集中于角部(即最上层和最下层的电极的端部)。如上述所示，通过使多个导体的截面为大致椭圆形状，能够缓和电流的集中。

参照图4，谐振器140在接近第一端部的位置处，经由连接导体150与平板电极130、135连接。在滤波器装置100中，连接导体150从平板电极130起贯穿对应的谐振器140的多个导体而延伸至平板电极135。各连接导体将构成对应的谐振器的多个导体电连接。

另外，在谐振器140中，构成各谐振器的多个导体在接近第二端部的位置处通过连接导体170电连接。各谐振器设计为，如果将传递的高频信号的波长设为λ，则各谐振器的第二端部与连接导体150之间的距离成为大约λ/4。

谐振器140作为以多个导体为中心导体、以平板电极130、135为外导体的分布参数型的TEM模式谐振器起作用。

谐振器141经由通路V10、V11和平板电极PL1与输入端子T1连接。此外，在图3中，虽然被谐振器遮挡而无法观察到，但谐振器145经由通路和平板电极与输出端子T2连接。谐振器141～145彼此磁耦合，将输入至输入端子T1的高频信号通过谐振器141～145传递，从输出端子T2输出。此时，根据各谐振器间的耦合程度，滤波器装置100作为带通滤波器起作用。

谐振器140的第二端部侧设有在与相邻的谐振器之间凸出的电容器电极。电容器电极成为构成谐振器的多个导体的一部分外伸而成的构造。能够通过电容器电极的Y轴方向的长度、与相邻的谐振器之间的距离、以及/或者构成电容器电极的导体的数量而调整谐振器间的电容耦合的程度。

在滤波器装置100中，如图3所示，从谐振器141朝向谐振器142凸出设置有电容器电极C10，从谐振器142朝向谐振器141凸出设置有电容器电极C20。另外，从谐振器143朝向谐振器142凸出设置有电容器电极C30，从谐振器144朝向谐振器143凸出设置有电容器电极C40。此外，从谐振器145朝向谐振器144凸出设置有电容器电极C50。

此外，电容器电极C10～C50并不是必需的构成，只要能够实现谐振器间的所期望的耦合程度，可以不设置部分电容器电极或所有的电容器电极。另外，滤波器装置也可以在图3的构成之外，还具备从谐振器142朝向谐振器143凸出设置的电容器电极，从谐振器143朝向谐振器144凸出设置的电容器电极，从谐振器144朝向谐振器145凸出设置的电容器电极。

另外，在滤波器装置100中，与谐振器140的第二端部相对地配置有电容器电极160。电容器电极160的与ZX平面平行的截面具有与谐振器140相同的截面。电容器电极160与屏蔽导体122连接。由此，由谐振器140和对应的电容器电极160构成电容器。通过调整图4中的谐振器与电容器电极之间的间隙(Y轴方向的距离)GP，能够调整由谐振器140和对应的电容器电极160构成的电容器的电容。

在由如上述那样的分布参数元件构成的谐振器中，各谐振器的谐振频率通常由谐振器的长度(Y轴方向的尺寸)规定。在这里，在如图3所示由沿层叠方向配置的多个导体构成谐振器的情况下，制作各导体时的尺寸精度和导体之间的配置精度会对谐振器的谐振频率产生影响。

构成谐振器的多个导体如下所述制作：在将薄膜的导电片或者粘贴有该导电片的介质片层叠的状态下，通过切片机或激光等切割手段切割为芯片尺寸。此时，有时会产生导电片和介质片的层叠时的层叠偏差、或者切割工序中的切断偏差。例如在将6GHz左右作为频带的滤波器装置中，如果上述那样的尺寸偏差存在40μm左右，则会产生大约100MHz的频率变动。

与此相对，在实施方式1的滤波器装置100中，构成各谐振器的导体的屏蔽导体121侧的端部附近连接有连接导体150，该连接导体150与平板电极130、135连接。通过形成这样的构成，接近连接导体150的位置成为各谐振器的电性短路端面(接地电位)。因此，与不存在该连接导体150的情况相比，能够抑制谐振器的谐振频率的波动。

此外，在实施方式1的滤波器装置100中，在谐振器的屏蔽导体122侧的开路端附近设置连接导体170，通过该连接导体170将谐振器的各导体相互连接。由此，谐振器141～145的相位一致而作为一个谐振器进行动作。

接下来，使用图5和图6，对有无连接导体150产生的滤波器装置的通过特性的波动进行说明。图5是表示对比例的滤波器装置100X的内部构造的立体图。在滤波器装置100X中，成为去除了图3的滤波器装置100中的连接导体151～155的构成，其它的构成与滤波器装置100相同。在滤波器装置100X中，与滤波器装置100重复的要素的说明不再重复。

图6表示对于谐振器的电极的长度施加了不均的三个滤波器装置(第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器)采用了实施方式1的构成的情况(左图)和采用了对比例的构成(右图)的通过特性的模拟结果。即，图6是用于说明实施方式1的滤波器装置100和对比例的滤波器装置100X中的通过特性的波动的图。在图6中，第一滤波器的情况下的插入损耗以实线LN10、LN20表示，回波损耗以实线LN15、LN25表示。另外，第二滤波器的情况下的插入损耗以虚线LN11、LN21表示，回波损耗以虚线LN16、LN26表示。此外，第三滤波器的情况下的插入损耗以点划线LN12、LN22表示，回波损耗以点划线LN17、LN27表示。

如图6所示，采用了具备连接导体150的实施方式1的滤波器装置100的构成的情况与采用了对比例的构成的情况相比，三个滤波器装置之间的通过特性的波动被降低。

如以上所述，在实施方式1的滤波器装置100中，针对构成各谐振器的分布参数元件，通过在屏蔽导体121所连接的端部侧连接有与平板电极130、135连接的连接导体150，从而能够降低各谐振器的谐振频率和滤波器装置的通频带的波动。

此外，实施方式1中的“平板电极130”和“平板电极135”分别对应于本公开中的“第一平板电极”和“第二平板电极”。实施方式1中的“侧面115”和“侧面116”分别对应于本公开中的“第一侧面”和“第二侧面”。实施方式1中的“屏蔽导体121”和“屏蔽导体122”分别对应于本公开中的“第一屏蔽导体”和“第二屏蔽导体”。实施方式1中的“Y轴方向”和“X轴方向”分别对应于本公开中的“第一方向”和“第二方向”。实施方式1中的“连接导体150(151～155)”对应于本公开中的“第一连接导体”。实施方式1中的“连接导体170(171～175)”对应于本公开中的“第二连接导体”。

(连接导体的变形例)

使用图7～图9说明连接导体150、170的详细构成。值得注意的是，图7～图9中以连接导体150为例进行说明。

图7是表示对比例中的连接导体150X的构成的截面图。图8是表示实施方式1的滤波器装置100中的连接导体的构成的第一例(图8的(A))和第二例(图8的(B))的截面图。图9是表示实施方式1的滤波器装置100中的连接导体的构成的第三例的截面图。

参照图7，对比例中的连接导体150X具有在Z轴的负向上具有底面的圆台形状的多个通路导体210X沿层叠方向连接的构成。在图7和后述的图8、图9中，电极220是构成谐振器的分布参数元件的多个导体。在构成电极220的介质层中，在层叠方向上相邻的通路导体210X经由电极220串联连接。在不构成电极220的介质层中，相邻的通路导体210X经由片状电极230X串联连接。

如果构成连接导体的导体为圆柱形状，则有可能连接导体的纵横比变大，形成连接导体的导电浆料很难适当地填充在过孔内。因此，通常在层叠体内形成通路的情况下，形成图7中所示那样的构成。

然而，在图7所示的对比例的连接导体150X的构成中，连接导体150X的截面成为锯齿状。已知通常高频电流由于边缘效应而主要在导体的端部附近流动。因此，在对比例的连接导体150X这样的形状的情况下，与截面为圆柱形状的导体相比，高频电流的通过路径变长，与电流通过相伴的损耗会增加。

另外，在将多个通路导体210X在层叠方向上连续地连接的情况下，层叠体的成型过程中，通路导体210X周围的介质的收缩被阻碍，并且由于热膨胀系数之差而层叠体的表面上通路导体210X的部分比周围的介质的部分更加隆起。由此，容易产生介质与导体之间的裂纹、以及/或者层叠体表面的平坦性的恶化等构造缺陷。特别地，在图7所示的构成中，由于在电极220和片状电极230X的下表面侧，通路导体210X锐角连接，容易发生应力集中而产生裂纹等。

另一方面，在实施方式1中的连接导体中，如图8所示，连接导体由两种不同的导电材料形成，并且相邻的导体的锥形方向成为彼此相反的方向。

更具体而言，在图8(A)的第一例的连接导体150A中成为如下构成：以与电极220相同的材料形成的通路导体210A和与通路导体210A相比杨氏模量较小而容易变形的通路导体215A交替串联连接。

另外，通路导体210A是在Z轴的正向上直径变小的锥形形状(正锥形)，通路导体215A是在Z轴的负向上直径变小的锥形形状(倒锥形)。并且，通路导体210A与通路导体215A之间的连接部分中，通路导体210A的尺寸小于通路导体215A的尺寸。

像这样，通过将正锥形的通路导体210A和倒锥形的通路导体215A交替配置，能够减小导体之间的连接部分中的阶梯差。由此，能够缩短连接导体150A的表面中的电流通过路径的长度，能够降低与电流通过相伴的损耗。另外，由于能够减少导体之间处的应力集中，所以能够抑制导体与介质之间裂纹的产生。

此外，由于通路导体215A的杨氏模量小于通路导体210A的杨氏模量，通路导体215A部分变形而实现缓冲的效果，因此，与整体仅由通路导体210A构成的情况相比，能够减少与周围的介质在层叠方向上的尺寸差。因此，还能够降低对层叠体的表面的平坦性的影响。特别地，由于在导体之间的连接部分处，杨氏模量较高的通路导体210A的尺寸小于通路导体215A的尺寸，所以能够使通路导体210A易于插入通路导体215A内，减少层叠方向的尺寸变动。因此，能够减少与周围的介质在层叠方向上的尺寸差。

在图8(B)的第二例的连接导体150B中，与连接导体150A同样地，构成为杨氏模量不同的通路导体210B和通路导体215B以锥形方向彼此相反的方式交替连接。但不同点在于，在导体之间的连接部分处，杨氏模量较大的通路导体210B的尺寸比通路导体215B大。在此情况下，与连接导体150A相比，通路导体210B插入通路导体215B的插入程度变小，从而与周围的介质在层叠方向上的尺寸差略微变大，但由于导体之间的接触面积变大，所以能够降低导体间的应力以及接触电阻。因此，能够抑制裂纹等构造缺陷的产生并且抑制Q值的降低。

在图9中的第三例的连接导体150C中，构成连接导体150C的多个通路导体210在层叠方向以锯齿形配置。设置于相邻的介质层的通路导体210通过电极220或片状电极230C电连接。

在连接导体150C的构成中，由于电流路径略微变长，所以与电流通过相伴的损耗略微增加，但由于在层叠方向上，在通路导体210之间配置有介质，所以能够降低制造过程中的层叠方向的变形，能够抑制构造缺陷的产生。

此外，图8和图9的构成也能够适用于连接导体170。

(谐振器的变形例)

图10是表示谐振器的变形例的图。在图10中，示出变形例的谐振器140A中的与ZX平面平行的截面。

参照图10，谐振器140A的截面作为整体成为大致椭圆形状，但在层叠方向(Z轴方向)的中央附近处，在电极220的中央部设置有开口部，形成有空间250。

如上述那样，高频电流由于边缘效应而具有在导体的端部附近流动的趋势，因此，即使电极220的中央附近没有导体，与电流通过相伴的损耗也不会增加。因此，能够维持Q值。

另一方面，由于能够降低配置谐振器140的部分中的层叠方向的导体密度，所以能够减少制造过程中与周围的介质的变形差。由此，能够抑制裂纹等构造缺陷的产生。

[实施方式2]

在实施方式2中，针对通过增强各谐振器间的电感耦合而降低谐振频率和通频带的波动的构成进行说明。

图11是表示实施方式2的滤波器装置100A的内部构造的立体图。在滤波器装置100A中构成为，在实施方式1的滤波器装置100的构成的基础上还设置有将谐振器140相互连接的连接导体180、181。此外，在图11中，与图3重复的构成的说明不再重复。

参照图11，连接导体180、181在谐振器140与连接导体150连接的位置处将相邻的谐振器相互连接。连接导体180将各谐振器中接近上表面111的位置处配置的至少一个导体相互连接。另一方面，连接导体181将各谐振器中接近下表面112的位置处配置的至少一个导体相互连接。

即，连接导体180、181作为连接于谐振器间的电感器起作用，因此，通过连接导体180、181而谐振器间的电感耦合被增强。在这里，由于连接导体180、181配置于接近与接地电位连接的屏蔽导体121的位置处，所以通过连接导体180、181而相邻的谐振器之间的电位稳定化。由此，频率稳定化。

图12是用于说明实施方式2的滤波器装置100A中的通过特性的波动的图。图12与实施方式1中的图6同样地，表示对于谐振器的电极的长度施加了不均的三个滤波器装置(第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器)采用了实施方式2的构成的情况下的通过特性的模拟结果。更具体而言，在图12中，第一滤波器的情况下的插入损耗以实线LN30表示，回波损耗以实线LN35表示。另外，第二滤波器的情况下的插入损耗以虚线LN31表示，回波损耗以虚线LN36表示。此外，第三滤波器的情况下的插入损耗以点划线LN32表示，回波损耗以点划线LN37表示。

如图12所示，在滤波器装置100A中，与图6所示的实施方式1的滤波器装置100的通过特性相比，三个滤波器装置间的通过特性的波动被进一步降低。

像这样，在实施方式2的滤波器装置100A中，通过在各谐振器中接近与屏蔽导体连接的连接端的位置处，通过连接导体180、181将谐振器相互连接，从而能够使相邻的谐振器的电位稳定化，因此，能够降低各谐振器的谐振频率和滤波器装置的通频带的波动。

此外，实施方式2中的“连接导体180、181”对应于本公开中的“第三连接导体”。

(变形例1)

在变形例1中，对将谐振器140与平板电极130、135连接的连接导体150的一部分被省略的构成进行说明。

图13是表示变形例1的滤波器装置100B的内部构造的立体图。在滤波器装置100B中，成为图11的滤波器装置100A中的连接导体152、154被去除的构成。在滤波器装置100B中，连接导体152、154之外的构成与滤波器装置100A相同。因此，在图13中，与滤波器装置100A重复的要素的说明不再重复。

在滤波器装置100B中，与滤波器装置100A同样地，通过连接导体180、181将谐振器之间相互连接。由此，即使去除了连接导体152、154，连接导体180、181与各谐振器140之间的连接部分处的电位也为大致相同的电位。因此，即使在变形例1的滤波器装置100B中，也能够降低各谐振器的谐振频率和滤波器装置的通频带的波动。在变形例1的滤波器装置100B中，通过成为连接导体152、154被去除的构成，能够与实施方式2的滤波器装置100A相比降低制造成本。

此外，在通过连接导体180、181将谐振器之间相互连接的情况下，只要配置连接导体150中的至少一个连接导体即可，例如也可以为进一步去除了图13中的连接导体151、155的构成。

[实施方式3]

在实施方式1、2中，连接导体150构成为，将谐振器140与平板电极130、135之间连接，并且将构成谐振器140的导体相互连接。在实施方式3中，对连接导体仅将谐振器140与平板电极130、135之间连接的构成进行说明。

图14是实施方式3的滤波器装置100C的截面图。图14是滤波器装置100C中的Y轴方向的截面图。在滤波器装置100C中，各谐振器140在屏蔽导体121侧的端部附近，通过连接构件190与平板电极130、135连接。不过连接构件190仅配置于谐振器140与平板电极130、135之间，不形成将构成谐振器140的各导体相互连接的构成。此外，虽然在图14中未示出，但在滤波器装置100C中也与滤波器装置100B同样地，设有将各谐振器之间连接的连接导体180、181。

图15是用于说明实施方式3的滤波器装置100C中的通过特性的频率波动的图。图15与实施方式1中的图6同样地，表示对于谐振器的电极的长度施加了不均的三个滤波器装置(第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器)采用了实施方式3的构成的情况下的通过特性的模拟结果。更具体而言，在图15中，第一滤波器的情况下的插入损耗以实线LN40表示，回波损耗以实线LN45表示。另外，第二滤波器的情况下的插入损耗以虚线LN41表示，回波损耗以虚线LN46表示。此外，第三滤波器的情况下的插入损耗以点划线LN42表示，回波损耗以点划线LN47表示。

如图15所示，在滤波器装置100C中，构成各谐振器的导体之间没有通过连接导体连接，电位并未稳定化，因此与实施方式2的滤波器装置100A(图12)相比，波动略微变大。然而，由于通过配置连接导体180、181而谐振器间的电位稳定，因此与实施方式1的滤波器装置100(图6)相比，改善了波动。

在实施方式3的滤波器装置100C中，通过形成将平板电极130、135与谐振器140连接的连接导体中的将谐振器的导体之间连接的通路导体被去除的构成，从而能够在一定程度上改善各谐振器的谐振频率和滤波器装置的通频带的波动的同时削减制造成本。

[实施方式4]

在实施方式1～实施方式3中，针对层叠体110由单一介质形成的构成进行了说明。在实施方式4中，对层叠体110由具有不同介电常数的多个介质形成的构成进行说明。

图16是实施方式4的滤波器装置100D的截面图。图16是滤波器装置100D中的Y轴方向的截面图。在滤波器装置100D中，具有图3所示的实施方式1的滤波器装置100中的层叠体110由介电常数不同的介质基板110A、110B形成的构成。滤波器装置100D中的其它构成与滤波器装置100相同。在图16中，与图3重复的要素的说明不再重复。

参照图16，成为下述构成：在滤波器装置100D的层叠体110中，在上表面111侧和下表面112侧配置介电常数ε1的介质基板110A，在两个介质基板110A之间配置具有比介质基板110A高的介电常数ε2的介质基板110B(ε1＜ε2)。并且，谐振器140和电容器电极160配置于介质基板110B的局部。

在配置有谐振器140的介质基板110B中，通过提高介电常数，从而电感耦合被减弱且电容耦合被增强。由此，能够调整谐振器140的谐振频率。另外，由于谐振器之间的电容耦合也变强，所以能够调整衰减特性。

另外，已知在这样的滤波器装置中，在层叠体110的上表面111和下表面112附近产生围绕层叠体110的周围这样的TE模式的高次谐波。通过如滤波器装置100D那样使层叠体110的上表面111附近和下表面112附近的介质基板110A的介电常数ε1变低，从而能够降低TE模式下的有效介电常数，由此，TE模式导致的高次谐波的频率与通频带相比向高频侧移动。因此，能够降低由于TE模式的高次谐波带来的影响。

(变形例2)

图17是变形例2的滤波器装置100E的截面图。图17是滤波器装置100E中的Y轴方向的截面图。滤波器装置100E基本上与实施方式4的滤波器装置100D同样地，成为在低介电常数的介质基板110A之间配置高介电常数的介质基板110B的构成，但与滤波器装置100D相比，层叠体110中的介质基板110B的比例变大。像这样，通过调整低介电常数层与高介电常数层的比例而调整有效介电常数，能够调整谐振器140的谐振频率、以及谐振器之间的耦合程度。

此外，介质基板110A与介质基板110B的比例对应于所期望的滤波器特性而适当地决定。

(变形例3)

图18是变形例3的滤波器装置100F的截面图。图18是滤波器装置100F中的Y轴方向的截面图。在滤波器装置100F中，层叠体110以5层构造构成。更详细而言，在滤波器装置100F中，与上述的滤波器装置100D、100E不同，谐振器140和电容器电极160配置于低介电常数的介质基板110A。并且，在该介质基板110A的上表面111侧和下表面112侧配置高介电常数的介质基板110B，然后在这些介质基板110B的外表面侧配置有低介电常数的介质基板110A。

像这样，通过将谐振器140和电容器电极160配置于低介电常数层，从而谐振器140和谐振器之间的电容耦合被减弱且电感耦合被增强。由此，能够调整谐振器140的谐振频率和滤波器装置100F的衰减特性。

此外，实施方式4和变形例2、3中的“介质基板110A”和“介质基板110B”分别对应于本公开中的“第一基板”和“第二基板”。

[实施方式5]

在实施方式5中，对包含多个滤波器装置的多路复用器中应用了本公开的构成的构成进行说明。

图19是表示实施方式5的多路复用器200的内部构造的立体图。多路复用器200是包含具有实施方式2中所说明的图11的构成的两个滤波器装置100-1、100-2的双工器。滤波器装置100-1、100-2具有彼此不同的通频带。此外，滤波器装置100-1、100-2的构成基本上与图11的滤波器装置100A相同，因此，各滤波器装置中的各要素的说明不再重复。

参照图19，在多路复用器200中，具有滤波器装置100-1、100-2在X轴方向上并列配置的构成。在多路复用器200的情况下，在滤波器装置100-1中，X轴正向的外部端子成为输入端子，X轴负向的外部端子成为输出端子。另一方面，在滤波器装置100-2中，X轴负向的外部端子成为输入端子，X轴正向的外部端子成为输出端子。换言之，在滤波器装置100-1中，输入的高频信号向X轴的负向传递，在滤波器装置100-2中，输入的高频信号向X轴的正向传递。

即使在这种多路复用器200中，也在滤波器装置100-1中，各谐振器通过连接导体150-1与平板电极130连接，通过连接导体170-1而各谐振器的导体相互连接。另外，通过连接导体180-1、181-1而谐振器相互连接。此外，在滤波器装置100-2中，各谐振器通过连接导体150-2与平板电极130连接，通过连接导体170-2而各谐振器的导体相互连接。另外，通过连接导体180-2、181-2而谐振器相互连接。因此，在滤波器装置100-1、100-2的每一个滤波器装置中，能够降低谐振频率和通频带的波动。

[实施方式6]

在实施方式6中，对接近层叠体110的上表面111和下表面112配置的平板电极成为网状构造的构成进行说明。

图20是表示实施方式6的滤波器装置100G的内部构造的立体图。在滤波器装置100G中，成为图3所示的实施方式1的滤波器装置100中的平板电极130、135被分别替换为平板电极130G、135G的构成。此外，在图20中，与图3重复的构成的说明不再重复。

参照图20，平板电极130G、135G是在滤波器装置100中的平板电极130、135上形成了多个开口部的网状构造的导电体。开口部为大致正方形的形状，在X轴方向和Y轴方向上以规定的间隔排列。

在以如图3的滤波器装置100的平板电极130、135那样没有开口部的平板形状覆盖介质层的大致整个面的情况下，配置于该平板电极的上侧和下侧的介质层之间仅通过层叠体110的端部的一部分连接。由于通常介质与金属导体之间的结合力弱于介质之间的结合力，所以在平板电极以没有开口的平板形状构成的情况下，有可能由于低结合力的影响而在介质与平板电极之间发生剥离。

在实施方式6的滤波器装置100G中，平板电极130G、135G成为具有开口部的网状构造，因此，如图21的截面图所示，开口部被介质填充而平板电极130G、135G的上下层的介质相互接合。由此，由于介质之间的密合强度增加，所以能够抑制平板电极部分中的介质层的剥离。

另一方面，平板电极130G、135G还需要作为接地电极即基准电位起作用。因此，如果开口部相对于电极面积的比例过大，则作为基准电位的功能降低。此外，由于电极整体的电阻增加，所以会产生由于流过平板电极130G、135G的接地电流导致的损耗。因此，需要适当地设定形成于平板电极130G、135G上的开口部的面积。

图22是用于说明平板电极130G、135G的开口率对损耗的影响的图。在图22中，左图表示插入损耗相对于开口率的变化，右图表示损耗相对于开口率的恶化率。在这里，“开口率”是在从Z轴方向俯视层叠体110时平板电极130G、135G各自不具有导电构件的区域的面积相对于整个介质层的面积的比例。即，作为开口率，不仅要考虑形成于平板电极130G、135G的开口部，还要考虑形成于端部的切去部。另外，“损耗恶化率”是以开口率为0％的插入损耗为基准时的插入损耗的变化率。

如图22所示，可知随着开口率增加而插入损耗不断恶化，与此同时损耗恶化率也不断恶化。在想要将损耗恶化率抑制为6％左右的情况下，需要使开口率为20％以内。

如以上所述，通过使接近层叠体的上表面和下表面而配置的平板电极形成为开口率20％以内的网状构造，从而能够在抑制滤波器特性降低的同时抑制平板电极部分中的介质层剥离。

[实施方式7]

在上述各实施方式那样的滤波器装置中，由于使用TEM模式谐振器，所以在由TEM模式产生的主谐振之外，还由TE模式和TM模式等而物理上产生高频谐振，或者由于滤波器装置中的长方体的外形尺寸导致产生不需要的谐振模式，由此，通常会产生通频带的二次谐波以及/或者三次谐波等相当高频的寄生分量。

在实施方式7中，对追加了用于去除在特定频率中产生的寄生分量的电路的滤波器装置的变形进行说明。

＜第一例＞

在第一例中，针对在图3所示那样的滤波器装置100中的一个以上的谐振器中追加具有与作为去除对象的寄生分量的频率对应的谐振频率的谐振电路的情况进行说明。

图23是实施方式7的第一例的滤波器装置100H的等效电路图。在图23中，为了简化说明，对滤波器装置100H由两个谐振器141Y、142Y构成的情况进行说明。此外，在实施方式7中，也存在将谐振器141Y、142Y概括称为“谐振器140”的情况。

参照图23，在滤波器装置100H中，谐振器141Y经由电容器C1与输入端子T1连接。另外，谐振器142Y经由电容器C2与输出端子T2连接。谐振器141Y和谐振器142Y经由电容器C3相互连接。

并且，在滤波器装置100H中，在谐振器141Y与接地电位之间配置有电容器C31和电感器L31串联连接而成的谐振电路300。在谐振电路300中，电容器C31的电容值和电感器L31的电感值设定成与作为去除对象的寄生分量的频率对应的谐振频率。通过追加这种谐振电路300，能够去除在滤波器装置中产生的寄生分量。

图24是从X轴的正向观察图23的滤波器装置100H时的包含谐振器140(谐振器141Y)的部分的截面图。此外，在图24中，与实施方式1的图4重复的要素的说明不再重复。

参照图24，在滤波器装置100H中，在Y轴方向上延伸的谐振器141Y也通过连接导体150H1与平板电极130、135连接。构成谐振器141Y的多个导体在接近Y轴的正向的(第一端部)的位置处通过连接导体150H2连接，在接近Y轴的负向的端部(第二端部)的位置处通过连接导体170H连接。连接导体150H2和连接导体170H构成为，多个通路导体在层叠方向(Z轴方向)上锯齿形地配置。

谐振器140中的输入端子T1侧的谐振器141Y与经由通路V10、V11和平板电极PL1与输入端子T1连接的平板电极PL11隔开间隔相对。通过平板电极PL11和谐振器141Y构成图23中的电容器C1。此外，虽然未图示，但在输出端子T2侧，也在与输出端子T2连接的平板电极和谐振器142Y之间构成图23的电容器C2。电容器C3是谐振器141Y与谐振器142Y之间的电容耦合。

在谐振器141Y的最上层的导体中，经由通路320连接有在Y轴方向上延伸的平板电极310。另外，在谐振器141Y的最下层的导体中，经由通路321连接有在Y轴方向上延伸的平板电极311。通路320、321配置为比连接导体170H更靠屏蔽导体121侧。

平板电极310、311与谐振器141Y的开路端侧(Y轴的负向侧)的端部电容耦合，并且经由通路320、321和连接导体150H1与屏蔽导体121连接。通过平板电极310、311与谐振器141Y之间的电容耦合形成电容器C31，通过平板电极310、311和通路320、321形成电感器L31。即，通过平板电极310和通路320构成LC串联谐振电路300，通过平板电极311和通路321构成LC串联谐振电路301。在谐振电路300、310中，通过使平板电极310、311的长度变化，从而调整电感值和电容值，实现与作为去除对象的寄生分量的频率相匹配的谐振频率。

此外，在图23和图24中，针对谐振器141Y连接了谐振电路300的情况进行了说明，但也可以替代该情况而使谐振器142Y与谐振电路连接，或者在该情况的基础上还使谐振器142Y与谐振电路连接。在如图3所示滤波器装置具有五个谐振器的情况下，可以在任意的谐振器中配置谐振电路。

通过配置具有相同谐振频率的多个谐振电路，使由谐振电路产生的衰减极的衰减量变大，从而能够使特定频率的寄生分量大幅降低。另外，通过配置具有不同频率的多个谐振电路，从而能够降低较宽频率范围的寄生分量。

(变形例4)

在图23和图24的滤波器装置中，作为寄生分量去除用的谐振电路，以谐振器侧连接电容器、接地电位侧连接电感器的LC串联谐振电路为例进行了说明，但也可以使用电容器和电感器的连接顺序相反的LC串联谐振电路。

图25是变形例4的滤波器装置100H1的截面图。在滤波器装置100H1中，与图24的滤波器装置100H相比，构成谐振电路的平板电极310、311与谐振器141Y之间的连接方式不同。更具体而言，构成谐振器141Y的多个导体与图4的滤波器装置100相同地，在接近谐振器141Y的Y轴的负向的端部的位置处通过连接导体170相互连接。并且，平板电极310、311与该连接导体170连接。

在此情况下，由在谐振器141Y的开路端经由连接导体170连接的平板电极310、311形成电感器L31，在与开路端相比接近屏蔽导体121的位置处通过平板电极310、311与谐振器141Y电容耦合而形成电容器C31。

在以上那样的构成中，也能够将寄生分量去除用的LC串联谐振电路追加于滤波器装置的谐振器。

＜第二例＞

在第一例的滤波器装置中，针对将寄生分量去除用的谐振电路连接于谐振器的构成例进行了说明。在第二例的滤波器装置中，针对将寄生分量去除用的谐振电路配置于输入端子以及/或者输出端子的构成例进行说明。

图26是实施方式7的第二例的滤波器装置100J的等效电路图。在图26中，为了简化说明，也针对滤波器装置100J由两个谐振器141Y、142Y构成的情况进行说明。

参照图26，在滤波器装置100J中，也与第一例的滤波器装置100H同样地，谐振器141Y经由电容器C1连接于输入端子T1。另外，谐振器142Y经由电容器C2连接于输出端子T2。谐振器141Y和谐振器142Y经由电容器C3相互连接。

并且，输入端子T1连接有电感器L41和电容器C41串联连接而成的LC串联谐振电路410。另外，输出端子T2连接有电感器L42和电容器C42串联连接而成的LC串联谐振电路420。此外，也可以是仅设置谐振电路410、420的任意其中之一的构成。谐振电路410、420的谐振频率被调整为与作为去除对象的寄生分量的频率相匹配的频率。

图27是从X轴的正向观察图26的滤波器装置100J时的包含谐振器140(谐振器141Y)的部分的截面图。在滤波器装置100J中，谐振器140基本上除平板电极310、311之外，形成与图25的滤波器装置100H1相同的连接方式。

滤波器装置100J包含构成与输入端子T1连接的谐振电路410的平板电极411和通路412。平板电极411的一侧端部通过通路412与平板电极135连接。平板电极411的至少一部分与经由通路V10连接于输入端子T1的平板电极PL1相对。

通过平板电极PL1与平板电极411之间的电容耦合，构成图26的电容器C41。另外，通过平板电极411和通路412构成图26的电感器L41。因此，通过平板电极PL1和平板电极411构成图26的谐振电路410。并且，通过调整平板电极411的尺寸、以及/或者平板电极PL1与平板电极411之间的距离及重叠程度，从而能够将谐振电路410的谐振频率调整至与作为去除对象的寄生分量的频率相匹配的频率。此外，虽然未图示，但对于与输出端子T2连接的谐振电路420也可以形成与图27相同的构成。

如以上所述，通过在输入端子以及/或者输出端子中配置寄生分量去除用的谐振电路，从而能够降低滤波器装置产生的寄生分量。

(变形例5)

在变形例5中，针对通过图26的等效电路示出的LC串联谐振电路中的电容器和电感器的连接顺序变为相反顺序的构成进行说明。即，在变形例5的LC串联谐振电路中，输入端子T1和输出端子T2与电感器连接，在该电感器与接地电位之间连接电容器。

图28是变形例5的滤波器装置100J1的截面图。在滤波器装置100J1中，成为图27的滤波器装置100J中的谐振电路410被替换为谐振电路410A而成的构成。

谐振电路410A包含平板电极411A和通路412A。平板电极411A经由通路412A与平板电极PL1连接，并且与平板电极135相对。通过通路412A和平板电极411A构成电感器L41，通过平板电极411A和平板电极135构成电容器C41。通过通路412A和平板电极411A的长度调整电感值，通过平板电极411A与平板电极135之间的距离和相对面积(即平板电极411A的面积)调整电容值，从而实现所期望的谐振频率。

图29是用于说明第一例及第二例中的滤波器装置中的通过特性的图。在图29中，配置了谐振电路的实施方式7的情况下的插入损耗以实线LN50表示，未配置谐振电路的对比例的插入损耗以虚线LN51表示。此外，图29的滤波器装置作为对象的通频带为6GHz频带。

参照图29，在对比例的曲线(虚线LN51)中，在对应于通频带的二次谐波的12～13GHz附近的频率中产生寄生分量。另一方面，在实施方式7的情况下，通频带(6GHz附近)中的插入损耗没有大幅变化，通过追加的谐振电路而去除了12～13GHz附近的寄生分量。

如以上所述，通过在谐振器以及/或者输入输出端子中配置与寄生分量相匹配的谐振频率的LC串联谐振电路，从而能够不使通频带的特性降低而排除寄生分量的影响。

此外，在第一例和第二例中，作为寄生分量去除用的谐振电路而以LC串联谐振电路为例进行了说明，但也可以替代该方式而使用LC并联谐振电路等其它方式的谐振电路。

＜第三例＞

在第三例的滤波器装置中，对通过在输入端子T1以及/或者输出端子T2与谐振器之间的信号路径中追加低通滤波器(LPF)而去除寄生分量的影响的构成进行说明。

图30是实施方式7的第三例的滤波器装置100K的等效电路图。在滤波器装置100K中，为了简化说明，也针对滤波器装置100K由两个谐振器141Y、142Y构成的情况进行说明。

参照图30，在滤波器装置100K中，输入端子T1与LPF 510连接，谐振器141Y经由电容器C1与该LPF 510连接。另外，输出端子T2与LPF 520连接，谐振器142Y经由电容器C2与该LPF 520连接。并且，谐振器141Y和谐振器142Y经由电容器C3相互连接。

LPF 510包含电感器L51和电容器C511、C512。电感器L51连接于输入端子T1与电容器C1之间。电容器C511连接于输入端子T1与接地电位之间。电容器C512连接于电感器L51和电容器C1之间的连接节点与接地电位之间。即，LPF 510构成π型的低通滤波器。

LPF 520包含电感器L52和电容器C521、C522。电感器L52连接于输出端子T2与电容器C2之间。电容器C521连接于输出端子T2与接地电位之间。电容器C522连接于电感器L52和电容器C2之间的连接节点与接地电位之间。即，LPF 520构成π型的低通滤波器。

LPF 510、520以使得频率比作为去除对象的寄生分量的频率低的信号通过的方式设定谐振频率。由此，由于能够去除像二次谐波或三次谐波这样的频率比作为通过对象的信号的频率高的信号，所以能够排除由寄生分量产生的影响。

此外，无需设置LPF 510、520这两个，只要配置至少其中一个即可。另外，LPF 510、520的构成并不限于上述那样的π型的构成，例如也可以是具有由串联连接的两个电感器、和连接于该两个电感器的连接节点与接地电位之间的电容器构成的T型构成的低通滤波器。另外，也可以含有多个π型或T型的构成的多级型的低通滤波器。

图31是表示图30的滤波器装置100K的内部构造的立体图。滤波器装置100K包含一侧端部与屏蔽导体121连接并在Y轴方向上延伸的谐振器141Y、142Y。谐振器141Y、142Y通过连接导体151H1、152H1与平板电极130、135连接。另外，构成谐振器141Y的多个导体在接近Y轴正向的端部的位置处通过连接导体151H2相互连接，在接近Y轴负向的端部的位置处通过连接导体171相互连接。

输入端子T1经由通路V10、电感器L51和通路V11与平板电极PL11连接。平板电极PL11与谐振器141Y的最下层的导体相对，将供给至输入端子T1的信号通过电容耦合向谐振器141Y传递。

电感器L51是由多个平板电极和多个通路构成的线圈。电感器L51包含与通路V10连接的第一线圈和与通路V11连接的第二线圈。第一线圈和第二线圈各自为将层叠方向(Z轴方向)作为卷绕轴的螺旋线圈。第一线圈和第二线圈在Y轴方向上相邻地配置，与上表面111侧的平板电极130相对。通过第一线圈与平板电极130之间的寄生电容构成图30中的电容器C511。另外，通过第二线圈与平板电极130之间的寄生电容构成图30中的电容器C512。即，通过电感器L51和平板电极130构成LPF 510。

此外，在图31中谐振器142Y被遮挡而无法观察到，但对于与输出端子T2连接的LPF520也成为与上述LPF 510相同的构成。

图32是用于说明图30的滤波器装置100K中的通过特性的图。在图32中，配置了LPF510、520的第三例的滤波器装置100K的情况下的插入损耗以实线LN60表示，未配置LPF510、520的对比例的滤波器装置的情况下的插入损耗以虚线LN61表示。此外，滤波器装置100K作为对象的通频带为5GHz频带，LPF 510、520的通频带设定为10GHz以下。

参照图32，在作为通频带的5GHz附近，滤波器装置100K和对比例成为大致相同的插入损耗。另一方面，在滤波器装置100K中，超过10GHz的信号被LPF 510、520阻断。特别地，可知虚线LN61的对比例中的12GHz附近和16～20GHz附近的波峰被抑制。

如以上所述，通过在输入输出端子与谐振器之间配置使低于寄生分量的频率通过的低通滤波器，从而能够在抑制通频带的特性的降低的同时排除寄生分量的影响。

[实施方式8]

在上述实施方式中，形成输入端子和输出端子配置于层叠体的下表面侧的构成。然而在层叠体的侧面进行与外部设备之间的连接这一要求设计的情况下，有时会成为输入端子和输出端子延伸至层叠体的侧面和上表面为止的构成。在这种构成中，由于输入输出用的端子的电感值的增加和寄生电容对电容值增加的影响，从而导致该端子成为谐振电路，产生不必要的模式谐振，特别在作为通过对象的信号为高频信号的情况下，有可能使通频带的特性降低。

在实施方式8中，针对在输入输出端子延伸至侧面为止地配置的滤波器装置中抑制输入输出端子导致的不必要谐振的构成进行说明。

图33是实施方式8的滤波器装置100L的外观立体图。在滤波器装置100L中成为下述构成：在图2所说明的滤波器装置100中配置于层叠体110的下表面112的输入端子T1和输出端子T2被替换为输入端子T1A和输出端子T2A。其它构成与滤波器装置100相同，重复的要素的说明不再重复。

在滤波器装置100L中，输入端子T1A整体具有大致C字形状，从层叠体110的下表面112经过侧面113而延伸至上表面111为止。同样地，输出端子T2A也具有大致C字形状，从层叠体110的下表面112经过侧面114延伸至上表面111为止。

图34是表示图33的滤波器装置100L的内部构造的立体图。在图34中，与图3的滤波器装置100相比，伴随着输入端子T1和输出端子T2的变更，从输入输出端子至谐振器为止的路径的构成也不同。

更具体而言，谐振器141经由与谐振器141的最下层的导体连接的通路V11和平板电极PL1A1，与输入端子T1A的侧面113上的电极连接。另外，谐振器141经由与谐振器141的最上层的导体连接的通路V12和平板电极PL1A2，与输入端子T1A的侧面113上的电极连接。即，谐振器141通过两个路径与输入端子T1A连接。

同样地，对于输出侧的谐振器145，也通过经由与最下层的导体连接的通路V21和平板电极PL2A1的路径、和经由与最上层的导体连接的通路V22和平板电极PL2A2的路径与输出端子T2A连接。

图35是表示对比例的滤波器装置100XZ的内部构造的立体图。在滤波器装置100XZ中，与滤波器装置100L相同地，输入输出端子延伸至侧面和上表面为止，但输入输出端子和谐振器通过一个路径连接。

如滤波器装置100L、100XZ所示，如果输入输出端子变长，则这些端子自身的电感值增加，并且与相邻的屏蔽导体121、122之间生成的寄生电容增加，与实施方式1的滤波器装置100的情况相比，有可能通过输入输出端子形成的谐振电路的谐振频率变低，由于该谐振电路的不必要谐振而产生的极点与滤波器装置的通频带重叠。这样一来，可能在滤波器装置的通频带的一部分产生不必要的衰减，导致滤波器特性降低。

在图35的对比例的滤波器装置100XZ的情况下，在谐振器141与输入端子T1A之间、和谐振器145与输出端子T2A之间分别通过一条路径PL1X、PL2X连接，因此，该路径的电感器与输入输出端子串联连接。另一方面，在实施方式8的滤波器装置100L的情况下，在谐振器141与输入端子T1A之间、和谐振器145与输出端子T2A之间分别通过两条路径并联连接，因此，与对比例的滤波器装置100XZ相比，能够减少输入输出端子产生的电感值。由此，由于能够使通过输入输出端子形成的谐振电路的不必要谐振模式的频率相比于对比例的情况变高，所以能够降低该不必要谐振模式的极点与滤波器装置的通频带重叠的可能性。

如以上所述，在以使输入输出端子从层叠体的下表面延伸至侧面和上表面为止的方式构成的滤波器装置中，通过将输入输出端子与谐振器之间利用两条以上的路径连接，从而能够提高由于输入输出端子所形成的谐振电路而产生的不必要谐振的频率，因此能够抑制由于该不必要谐振导致的滤波器特性的降低。

(变形例6)

在层叠体的侧面与外部设备连接的情况下，无需使输入输出端子必须延伸至上表面为止。因此，在变形例6中，针对通过使输入输出端子整体的长度缩短以减少不必要谐振电路的电感值、从而抑制不必要谐振电路的谐振频率与通频带的重复的构成进行说明。

图36和图37分别是表示变形例6的滤波器装置100M的外观立体图和内部构造的立体图。在滤波器装置100M中，作为输入输出端子包含从层叠体110的下表面112延伸至侧面113的中途的输入端子T1B、和从层叠体110的下表面112延伸至侧面114的中途的输入端子T2B。并且，谐振器141经由通路V11和平板电极PL1A与输入端子T1B中的侧面113的部分连接。另外，谐振器145经由通路V21和平板电极PL2A与输入端子T2B中的侧面114的部分连接。

像这样，与图35的对比例的滤波器装置100XZ相比，通过将输入端子和输出端子的长度缩短至最低必要限度的长度，从而能够提高由输入输出端子构成的谐振电路的不必要谐振模式的频率，抑制由该不必要谐振导致的滤波器特性的降低。

[实施方式9]

在实施方式9中，对通过降低将输入输出端子与谐振器连接的路径的电阻分量而使滤波器特性提高的构成进行说明。

图38是表示实施方式9的滤波器装置100N的内部构造的立体图。在滤波器装置100N中成为下述构成：图3的滤波器装置100中将输入端子T1与谐振器141连接的路径中的平板电极PL1被替换为平板电极PL1B，将输出端子T2与谐振器141连接的路径中的平板电极PL2被替换为平板电极PL2B。其它构成与滤波器装置100相同，与图3重复的要素的说明不再重复。

具体而言，对于滤波器装置100的平板电极PL1、PL2由1层电极构成的方式，在平板电极PL1B、PL2B中由多个电极构成。在图38的例子中，平板电极PL1B、PL2B分别由3层电极构成。

像这样，通过由多个电极构成将输入输出端子与谐振器连接的路径的平板电极，从而与1层电极的情况相比能够降低电阻分量，因此，能够改善滤波器装置的插入损耗。

接下来，使用图39和图40，表示针对平板电极PL1B、PL2B的电极数量对插入损耗的影响进行模拟而得到的结果。此外，图39和图40中，为了易于说明，示出了使用由两个谐振器141Y、142Y构成的滤波器装置的模型进行模拟而得到的结果。

在图39和图40中，在上部的图(A)中示出用于模拟的模型的示意图，在下部的图(B)中示出插入损耗相对于电极数量的改善率的曲线。此外，图39是针对用于调整谐振器间的耦合的电容器电极C10、C20配置于谐振器的开路端侧(电容器电极161Y、162Y侧)的情况下的模拟结果。图40是针对电容器电极C11、C21配置于谐振器的接地端侧(屏蔽导体121侧)的情况下的模拟结果。

图39和图40中，都随着电极数量增加而插入损耗的改善率变大。像这样，通过形成实施方式9的滤波器装置100N这样的构成，能够与实施方式1的滤波器装置100相比使滤波器特性进一步提高。

[实施方式10]

在实施方式10中，针对用于抑制制造工序中的屏蔽电极的制造不均的影响的构成进行说明。

图41是表示实施方式10的滤波器装置100P的内部构造的立体图。另外，图42是从层叠方向观察滤波器装置100P的俯视图。在滤波器装置100P中，在图3的实施方式1的滤波器装置100的构成的基础上，还配置有与层叠体110的侧面113、114接近且从屏蔽导体122在Y轴的正向上延伸的平板电极350、351。在滤波器装置100P中，其它构成与滤波器装置100相同，重复的要素的说明不再重复。

上述那样的滤波器装置通常是在较大的介质的层叠体内以矩阵状形成相同构成的多个滤波器装置的要素，将它们切断而单片化，从而作为最终的滤波器装置完成。因此，配置于层叠体外部的外部连接用的电极通过对单片化后的层叠体进行印刷或浸渍而形成。此时，如图41所示，屏蔽导体121、122有时不仅形成于侧面115、116，也会部分地形成于侧面113、114。在此情况下，对于输入侧的谐振器141和输出侧的谐振器145，特别是在开路端侧有可能与配置于侧面113、114的屏蔽导体122之间产生电容耦合。如果这样，则有可能谐振器141、145的谐振频率偏离设计时的谐振频率，对滤波器装置的特性产生影响。

在滤波器装置100P中，接近层叠体110的侧面113而配置平板电极350，接近侧面114而配置平板电极351。平板电极350、351在层叠体110的侧面116与屏蔽导体122连接。另外，平板电极350、351的Y轴方向的尺寸比形成于侧面113、114的屏蔽导体122更长。

通过配置这种平板电极350、351，即使在屏蔽导体122扩展绕至侧面113、114而形成的情况下，也优先产生该平板电极350与谐振器141之间的电容耦合和平板电极351与谐振器145之间的电容耦合。因此，即使在侧面113、114中的屏蔽导体122的位置产生了波动的情况下，也能够实现谐振器141、145的稳定的谐振频率，其结果能够抑制滤波器特性的降低。

图43是将对于实施方式10那样的具有平板电极350、351的滤波器装置的批次(lot)和不具有平板电极350、351的滤波器装置的批次的滤波器特性的波动进行比较的图。在各曲线中，示出各滤波器装置的插入损耗(线LN100、LN101)和回波损耗(线LN110、LN111)。如图43所示，在对比例中，对于通频带中的回波损耗，滤波器间的波动变大，但在实施方式10的构成的情况下，实现了稳定的回波损耗。

如以上所述，通过接近沿谐振器的延伸方向的层叠体的侧面配置与屏蔽电极连接的平板电极，从而能够抑制扩展绕至该侧面而形成的屏蔽电极对滤波器特性的影响。

此外，在图41的例子中，针对平板电极350、351分别由三个电极构成的情况进行了说明，但平板电极350、351的数量并不限定于此，可以根据所期望的与谐振器之间的耦合量而适当设定。

[实施方式11]

在实施方式11和变形例7～9中，对用于调整相邻的谐振器间的电容耦合的构成的变形进行说明。

图44是表示实施方式11的滤波器装置100Q1的内部构造的立体图。在滤波器装置100Q1中构成为，在图3的滤波器装置100的构成的基础上，还设置了平板电极451、452。滤波器装置100Q1中的其它构成与滤波器装置100相同，重复的要素的说明不再重复。

参照图44，平板电极451配置为，在从层叠体110的层叠方向俯视观察的情况下与谐振器141和谐振器142重叠。另外，平板电极452配置为，在从层叠体110的层叠方向俯视观察的情况下与谐振器144和谐振器145重叠。在图44中，平板电极451、452在各谐振器的开路端侧的端部处配置于与各谐振器相比向上表面111的方向离开的位置处。

如上述那样，谐振器间的电容耦合虽然也能够通过配置于谐振器的电容器电极C10～C50进行调整，但也能够通过设置平板电极451、452进行调整。在平板电极451、452的情况下，能够通过与谐振器之间的分离距离、与谐振器相对的面积和Y轴方向的位置而调整耦合量。

此外，在图44中，示出了在与各谐振器相比向上表面111侧离开的位置处配置了平板电极451、452的例子，但也可以替代该构成而是在与各谐振器相比向下表面112侧离开的位置处配置平板电极451、452，或者也可以在该构成的基础上还在与各谐振器相比向下表面112侧离开的位置处配置平板电极451、452。另外，也可以配置用于调整其它相邻的谐振器间、即谐振器142与谐振器143、以及/或者谐振器143与谐振器144之间的耦合量的平板电极。

通过像这样配置以与相邻的谐振器重叠的方式配置的平板电极，调整谐振器间的电容耦合，从而能够调整至所期望的滤波器特性。

(变形例7)

在变形例7中，对使用通路(柱状构件)调整谐振器间的耦合量的构成进行说明。

图45是表示变形例7的滤波器装置100Q2的内部构造的立体图。在滤波器装置100Q1中构成为，在图3的滤波器装置100的构成的基础上设置有通路V100、V110。滤波器装置100Q2中的其它构成与滤波器装置100相同，重复的要素的说明不再重复。

参照图45，在滤波器装置100Q2中，在谐振器142与谐振器143之间配置有通路V100，在谐振器143与谐振器144之间配置有通路V110。

参照图45，通路V100、V110例如是在贯穿介质层之间的通孔中填充了导电构件而形成的柱状电极。在此情况下，通路V100、V110与连接于接地电位的平板电极130或平板电极135连接。由此，通路V100、V110能够作为屏蔽构件起作用，减弱谐振器间的电容耦合。

另外，通路V100、V110也可以由具有与构成层叠体110的介质不同的介电常数的其它介质形成。通过使用具有比层叠体110的介电常数高的介电常数的介质，能够增强谐振器间的电容耦合。相反地，通过使用具有比层叠体110的介电常数低的介电常数的介质，能够减弱谐振器间的电容耦合。此外，通路V100、V110也可以形成为中空的通路。

如以上所述，通过在谐振器间配置使用了适当的材料的通路，调整谐振器间的电容耦合，从而能够调整至所期望的滤波器特性。

(变形例8)

在变形例8中，针对通过变更图11所示的实施方式2的滤波器装置100A中的连接导体180、181的配置而调整谐振器间的电容耦合的构成进行说明。

图46是表示变形例8的滤波器装置100Q3的内部构造的立体图。在滤波器装置100Q3中成为下述构成：在图11的滤波器装置100A中谐振器的连接导体150的部分中将谐振器相互连接的连接导体180、181被替换为连接导体180Q～183Q。更具体而言，滤波器装置100A中的连接导体180在滤波器装置100Q3中被替换为连接导体180Q、182Q，滤波器装置100A中的连接导体181在滤波器装置100Q3中被替换为连接导体181Q、183Q。滤波器装置100Q3中的其它构成与滤波器装置100A相同，重复的要素的说明不再重复。

参照图46，连接导体180Q在与连接导体180相同的位置处将谐振器142、143、144相互连接。另外，连接导体181Q在与连接导体181相同的位置处将谐振器142、143、144相互连接。

另一方面，连接导体182Q在从谐振器向上表面111侧离开的位置处，将连接导体151和连接导体152、以及连接导体154和连接导体155进行连接。另外，连接导体183Q在从谐振器向下表面112侧离开的位置处，将连接导体151和连接导体152、以及连接导体154和连接导体155进行连接。

如在实施方式2中所说明的那样，如果在谐振器的接地端侧将谐振器的导体相互连接，则谐振器间的电感耦合增强。在变形例8的滤波器装置100Q3中，连接导体182Q、183Q在与谐振器分离的位置处将连接导体150连接。由此，与图11的滤波器装置100A相比，谐振器141与谐振器142之间的电感耦合和谐振器144与谐振器145之间的电感耦合相对减弱。其结果，谐振器141与谐振器142之间的电容耦合和谐振器144与谐振器145之间的电容耦合与滤波器装置100A相比相对地增强。

如以上所述，通过针对在谐振器的接地端侧将谐振器相互耦合的连接导体变更与谐振器之间的距离，从而能够调整谐振器间的电容耦合。

(变形例9)

在变形例9中，针对相邻配置的两个谐振器中调整设置于各谐振器的导体的电容器电极的重叠程度而调整电容耦合的构成进行说明。

图47是表示变形例9的滤波器装置100Q4的内部构造的立体图。在滤波器装置100Q4中，具有将图3的滤波器装置100中分别设置于谐振器141、142的电容器电极C10、C20分别替换为电容器电极C10Q、C20Q的构成。滤波器装置100Q4中的其它构成与滤波器装置100相同，重复的要素的说明不再重复。

参照图47，电容器电极C10Q设置为从谐振器141朝向谐振器142凸出。另外，电容器电极C20Q设置为从谐振器142朝向谐振器141凸出。电容器电极C10Q、C20Q的X轴方向的凸出量大于图3的滤波器装置100的电容器电极C10、C20。在从层叠体110的层叠方向(Z轴方向)俯视观察的情况下，电容器电极C10Q与电容器电极C20Q彼此部分重叠。通过形成这样的构成，与滤波器装置100相比，谐振器141、142间的电容耦合增强。并且，通过调整电容器电极C10Q与电容器电极C20Q的重叠程度，从而能够调整谐振器141、142间的电容耦合。

此外，该构成也可以应用于谐振器142与143之间、谐振器143与144之间、以及谐振器144与145之间。

如以上所述，通过调整设置于各谐振器的导体的电容器电极的重叠程度，从而能够调整电容耦合。

[实施方式12]

在实施方式12中，对构成各谐振器的多个导体的形状的变形进行说明。

图48是实施方式12的谐振器140B的ZX平面的截面图。如上述那样，谐振器140B的截面形状成为大致椭圆形状。谐振器140B由具有第一宽度的电极220B、配置于比电极220B靠近上表面111或下表面112侧且具有比第一宽度窄的宽度的电极220A构成。并且，在谐振器140B中，电极220A的宽度方向(X轴方向)的两端部以沿着椭圆形状的包络线的方式向电极220B侧弯曲。

如上述那样，高频电流存在由于边缘效应而具有在导体的端部附近流动的趋势，因此，通过使电极220A的两端部以沿着椭圆形状的包络线的方式弯曲，从而能够提高沿着电流流动的路径的导体的连续性，从而降低电阻分量。由此，能够降低电流损耗，因此能够改善滤波器装置的插入损耗。

此外，也可以使电极220A的端部向与朝向电极220B的方向相反的方向弯曲。

(变形例10)

在变形例10中，针对使图48的实施方式12的谐振器140B中的电极220的厚度变厚的构成进行说明。

图49是变形例10中的谐振器140C的ZX平面的截面图。在谐振器140C中也由具有第一宽度的电极220B和具有比第一宽度窄的宽度的电极220A1构成。另外，电极220A1与电极220A相同地，宽度方向的两端部以沿着椭圆形状的包络线的方式向电极220B侧弯曲。并且，电极220A1的厚度比电极220B的厚度更厚。

从降低电流损耗的角度出发，优选使电极220B的厚度也变厚。然而，如果构成谐振器的所有电极的厚度变厚，则层叠方向上的导体密度增加，因此，由于介质与导体部之间的热膨胀系数不同，在制造过程中容易产生裂纹等构造缺陷。因此，通过使电极宽度逐渐变化的电极220A部分的厚度变厚，从而能够在抑制构造缺陷的产生风险的同时使滤波器特性提高。

(变形例11)

在变形例11中，针对通过使层叠体的一部分的介电常数不同而进一步提高滤波器特性的构成进行说明。

图50是变形例11中的滤波器装置100R的谐振器部分的ZX平面的截面图。滤波器装置100R中的谐振器基本上与实施方式12所说明的谐振器140B相同，由具有第一宽度的电极220B和具有比第一宽度窄的宽度且宽度方向的端部弯曲的电极220A构成。

并且，在滤波器装置100R中，层叠体110由具有彼此不同的介电常数的介质基板110C和介质基板110D构成。更具体而言，配置有电极220A的部分使用介质基板110D，电极220B和其它部分使用介质基板110C。

配置电极220A的介质基板110D的介电常数低于介质基板110C的介电常数。通过形成这样的构成，能够缓和集中于椭圆形状的截面中的圆弧部分的电场，因此，能够改善插入损耗。

应该认为本次公开的实施方式的所有方面都仅为例示，并非限定性的内容。本发明的范围并不由上述实施方式的说明示出，而是通过权利要求书的范围示出，其意图在于包括与权利要求书的范围等同的意义及范围内的所有变更。

标号的说明

10通信装置；12天线；20高频前端电路；22、28带通滤波器；24放大器；26衰减器；30混频器；32本地振荡器；40D/A转换器；50RF电路；100、100A～100H、100H1、100J、100J1、100K～100N、100P、100Q1～100Q4、100R、100X、100XZ、100-1、100-2滤波器装置；110层叠体；110A～100D介质基板；111上表面；112下表面；113～116侧面；121、122屏蔽导体；130、130G、135G、135、310、311、350、351、411、411A、451、452、PL1、PL1A、PL1A1、PL1A2、PL1B、PL2、PL2A、PL2A1、PL2A2、PL2B、PL11平板电极；140～145、140A～140C、141Y、142Y谐振器；150～155、150A、150B、150C、150H1、150H2、150X、150-1、150-2、151H1、151H2、152H1、170～175、170-1、170-2、180、180-1、180-2、181、181-1、181-2、180Q～183Q连接导体；160～165、161Y、162Y、C10～C50、C10Q、C20Q电容器电极；190连接构件；200多路复用器；210、210A、210B、215A、215B、210X通路导体；220、220A、220A1、220B电极；230C、230X片状电极；250空间；300、301、410、410A、420谐振电路；320、321、412、412A、V10、V11、V12、V21、V22、V100、V110通路；C1～C3、C31、C41、C42、C511、C512、C521、C522电容器；L31、L41、L42、L51、L52电感器；T1输入端子；T2输出端子。

Claims (34)

1.一种介质滤波器，其具备：

层叠体，具备多个介质层，具有长方体的形状；

第一平板电极和第二平板电极，在所述层叠体的内部在层叠方向上分离地配置；

多个谐振器，配置于所述第一平板电极与所述第二平板电极之间，在与所述层叠方向正交的第一方向上延伸；

第一屏蔽导体和第二屏蔽导体，在所述层叠体中分别配置于垂直于所述第一方向的第一侧面和第二侧面，与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接；以及

第一连接导体，将所述多个谐振器中所包含的第一谐振器与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接，

所述多个谐振器在所述层叠体的内部在与所述层叠方向和所述第一方向这两个方向正交的第二方向上排列配置，

所述多个谐振器的每一个谐振器的第一端部与所述第一屏蔽导体连接，第二端部与所述第二屏蔽导体分离。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

所述第一连接导体配置于所述第一谐振器的所述第一端部侧。

3.根据权利要求1或2所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器的每一个谐振器由在所述第一方向上延伸且在所述层叠方向上层叠的多个导体构成。

4.根据权利要求3所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器的每一个谐振器中还具备第二连接导体，所述第二连接导体配置于所述第二端部侧，将所述多个导体相互电连接。

5.根据权利要求4所述的介质滤波器，其中，

如果将由所述介质滤波器传递的高频信号的波长设为λ，则在所述第一谐振器中，所述第二端部与所述第一连接导体之间的所述第一方向的距离为约λ/4。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述多个导体包含具有第一宽度的第一导体和具有与所述第一宽度不同的第二宽度的第二导体。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的介质滤波器，其中，

在从所述层叠方向俯视观察的情况下，在所述多个导体的至少一部分中设有开口部。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的介质滤波器，其中，

还具备用于将所述多个谐振器相互连接的第三连接导体，

所述第三连接导体与所述多个谐振器的每一个谐振器的所述第一端部侧连接。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的介质滤波器，其中，

针对所述多个谐振器的每一个谐振器都配置有所述第一连接导体。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的介质滤波器，其中，

还具备电容器电极，其与所述第一谐振器的所述第二端部相对，与所述第二屏蔽导体连接。

11.根据权利要求2所述的介质滤波器，其中，

所述第一连接导体包含电连接的多个通路导体，

所述多个通路导体在所述层叠方向上锯齿形地配置。

12.根据权利要求2所述的介质滤波器，其中，

所述第一连接导体包含包括杨氏模量互不相同的第一通路导体和第二通路导体在内的多个通路导体，

所述第一通路导体和所述第二通路导体在所述层叠方向交替配置。

13.根据权利要求4所述的介质滤波器，其中，

所述第二连接导体包含电连接的多个通路导体，

所述多个通路导体在所述层叠方向上锯齿形地配置。

14.根据权利要求4所述的介质滤波器，其中，

所述第二连接导体包含包括杨氏模量互不相同的第一通路导体和第二通路导体在内的多个通路导体，

所述第一通路导体和所述第二通路导体在所述层叠方向上交替配置。

15.根据权利要求12或14所述的介质滤波器，其中，

所述第一通路导体为从所述第一平板电极朝向所述第二平板电极直径变小的锥形形状，

所述第二通路导体为从所述第二平板电极朝向所述第一平板电极直径变小的锥形形状。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述层叠体包含具有第一介电常数的第一基板、和具有比所述第一介电常数高的第二介电常数的第二基板。

17.根据权利要求16所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器配置于所述第一基板。

18.根据权利要求16所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器配置于所述第二基板。

19.一种多路复用器，其具备：

第一滤波器，具有第一通频带；以及

第二滤波器，具有与所述第一通频带不同的第二通频带，

所述第一滤波器和所述第二滤波器分别具有权利要求1至18中任一项所述的介质滤波器的构成。

20.一种介质谐振器，其具备：

层叠体，具有长方体的形状；

第一平板电极和第二平板电极，在所述层叠体的内部在层叠方向上分离地配置，具有平板形状；

分布参数元件，配置于所述第一平板电极与所述第二平板电极之间，在与所述层叠方向正交的第一方向上延伸；

第一屏蔽导体和第二屏蔽导体，在所述层叠体中分别配置于垂直于所述第一方向的第一侧面和第二侧面，与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接；以及

连接导体，将所述分布参数元件与所述第一平板电极和所述第二平板电极连接，

所述分布参数元件的第一端部与所述第一屏蔽导体连接，第二端部与所述第二屏蔽导体分离。

21.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

所述第一平板电极和所述第二平板电极具有网状构造。

22.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备谐振电路，其与所述多个谐振器中的至少一个谐振器连接，

所述谐振电路的谐振频率设定为与所述介质滤波器产生的寄生分量对应的频率。

23.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备：

输入端子，接收高频信号；

输出端子，输出经过所述多个谐振器后的信号；以及

谐振电路，与所述输入端子和所述输出端子的至少其中之一连接，

所述谐振电路的谐振频率设定为与所述介质滤波器产生的寄生分量对应的频率。

24.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备：

输入端子，接收高频信号；

输出端子，输出经过所述多个谐振器后的信号；以及

低通滤波器，与将所述输入端子与所述多个谐振器连结的信号路径和将所述多个谐振器与所述输出端子连结的信号路径的至少其中之一连接，

所述低通滤波器配置为，使与所述介质滤波器产生的寄生分量相比频率较低的信号通过。

25.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备：

输入端子，接收高频信号；以及

输出端子，输出经过所述多个谐振器后的信号，

所述输入端子和所述输出端子各自从所述层叠体的下表面经由侧面直至上表面地配置，

所述输入端子和所述输出端子各自通过两个信号路径与所述多个谐振器连接。

26.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备：

输入端子，接收高频信号；

输出端子，输出经过所述多个谐振器后的信号；以及

第三平板电极，配置于将所述输入端子和所述输出端子的每一个端子与所述多个谐振器连结的信号路径上，

所述第三平板电极包含配置于所述层叠体的多个层中的导体。

27.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

所述层叠体具有沿所述第一方向的第三侧面和第四侧面，

所述介质滤波器还具备：

第四平板电极，沿所述第三侧面且接近于所述第三侧面配置，与所述第二屏蔽导体连接；以及

第五平板电极，沿所述第四侧面且接近于所述第四侧面配置，与所述第二屏蔽导体连接。

28.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备第六平板电极，其配置为，在从所述层叠体的层叠方向俯视观察的情况下与所述多个谐振器中的相邻的两个谐振器重叠。

29.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

还具备柱状构件，配置于所述多个谐振器中的相邻的两个谐振器之间。

30.根据权利要求8所述的介质滤波器，其中，

所述第三连接导体的一部分配置于与所述多个谐振器分离的位置处。

31.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

所述多个谐振器包括与所述第一谐振器相邻地配置的第二谐振器，

所述第一谐振器包含朝向所述第二谐振器凸出的第一电极，

所述第二谐振器包含朝向所述第一谐振器凸出的第二电极，

在从所述层叠体的层叠方向俯视观察的情况下，所述第一电极的一部分与所述第二电极重叠。

32.根据权利要求6所述的介质滤波器，其中，

所述第二导体的所述第二方向的端部朝向所述第一导体弯曲。

33.根据权利要求32所述的介质滤波器，其中，

所述第二导体的所述层叠方向的厚度比所述第一导体的所述层叠方向的厚度更厚。

34.根据权利要求6、32、33中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述层叠体包含具有第三介电常数的第三基板、和具有比所述第三介电常数低的第四介电常数的第四基板，

所述第一导体配置于所述第三基板，

所述第二导体配置于所述第四基板。