CN112470337B - 滤波器 - Google Patents

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Abstract

提供特性良好的小型滤波器。滤波器（10）具有：谐振器（11A），其具有形成在电介质基板（14）内的过孔电极部（20）和与以包围过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体（12A、12B、12Ca、12Cb）之中的第1屏蔽导体（12B）对置并与过孔电极部的一端连接的第1带状线路（18）；输入输出端子（22A），与多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体（12A）耦合；以及第1电容器电极图案（26A），与输入输出端子耦合，第1电容器电极图案与和过孔电极部连接的第2电容器电极图案（27A）或第1带状线路电容耦合。

Description

滤波器
技术领域
本发明涉及滤波器。
背景技术
提出有在输入输出端子与LC谐振电路之间具备由电感器和电容器的并联连接构成的并联谐振陷波电路的滤波器（日本特开2002－94349号公报、日本特开2013－70288号公报）。在这样的滤波器中，在输入输出端子与LC谐振电路之间具备并联谐振陷波电路，所以对期望频率能够确保必要的衰减量，且能够调整通带内的阻抗。
发明内容
然而，在日本特开2002－94349号公报、日本特开2013－70288号公报中提出的滤波器，需要新增加谐振电路，从而需要用于形成这样的谐振电路的区域，因此无法充分地满足小型化要求。
本发明的目的在于提供特性良好的小型滤波器。
依据本发明的一种方式的滤波器，具有：谐振器，其具有过孔（via）电极部和第1带状（strip）线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合。
依据本发明，能够提供特性良好的小型滤波器。
附图说明
图1是示出依据第1实施方式的滤波器的立体图。
图2中图2A及图2B是示出依据第1实施方式的滤波器的截面图。
图3是示出依据第1实施方式的滤波器的平面图。
图4是示出依据第1实施方式的滤波器的等效电路的图。
图5是示出依据第1实施方式的滤波器的衰减特性的例子的图表。
图6是示出依据第1实施方式的滤波器的衰减特性及反射损耗特性的例子的图表。
图7是示出依据第1实施方式的滤波器的输入反射系数的例子的史密斯图（Smithchart）。
图8中图8A及图8B是示出第1过孔电极及第2过孔电极的配置的例子的平面图。
图9中图9A及图9B是示出依据第1实施方式的变形例1的滤波器的截面图。
图10是示出依据第1实施方式的变形例1的滤波器的平面图。
图11中图11A及图11B是示出依据第1实施方式的变形例2的滤波器的截面图。
图12是示出依据第1实施方式的变形例2的滤波器的平面图。
图13中图13A及图13B是示出依据第1实施方式的变形例3的滤波器的截面图。
图14中图14A及图14B是示出依据第1实施方式的变形例4的滤波器的截面图。
图15是示出依据第1实施方式的变形例4的滤波器的平面图。
图16中图16A及图16B是示出依据第1实施方式的变形例5的滤波器的截面图。
图17是示出依据第1实施方式的变形例5的滤波器的平面图。
图18是示出依据第1实施方式的变形例6的滤波器的立体图。
图19中图19A及图19B是示出依据第1实施方式的变形例6的滤波器的截面图。
图20是示出依据第1实施方式的变形例7的滤波器的立体图。
图21中图21A及图21B是示出依据第1实施方式的变形例7的滤波器的截面图。
图22是示出依据第1实施方式的变形例7的滤波器的平面图。
图23中图23A及图23B是示出依据第1实施方式的变形例8的滤波器的截面图。
图24中图24A及图24B是示出依据第1实施方式的变形例9的滤波器的截面图。
图25中图25A及图25B是示出依据第2实施方式的滤波器的截面图。
图26是示出依据第2实施方式的滤波器的衰减特性及反射损耗特性的例子的图表。
图27是示出依据第2实施方式的滤波器的输入反射系数的例子的史密斯图。
图28中图28A及图28B是示出依据第2实施方式的变形例1的滤波器的截面图。
图29中图29A及图29B是示出依据第2实施方式的变形例2的滤波器的截面图。
具体实施方式
以下，举出合适的实施方式，并参照所附附图，对本发明所涉及的滤波器详细地进行说明。
[第1实施方式]
利用附图，对依据第1实施方式的滤波器进行说明。图1是示出依据本实施方式的滤波器的立体图。图2A及图2B是示出依据本实施方式的滤波器的截面图。图2A与图1的IIA－IIA线对应。图2B与图1的IIB－IIB线对应。图3是示出依据本实施方式的滤波器的平面图。
如图1所示，依据本实施方式的滤波器10具有电介质基板14。电介质基板14例如形成为长方体状。电介质基板14通过层叠多个陶瓷片（电介质陶瓷片）而构成。
在电介质基板14的一个主面侧、即图1中的电介质基板14的上侧，形成有上部屏蔽导体（屏蔽导体、第2屏蔽导体）12A。在电介质基板14之中的另一个主面侧、即图1中的电介质基板14的下侧，形成有下部屏蔽导体（屏蔽导体、第1屏蔽导体）12B。
在电介质基板14内形成有与下部屏蔽导体12B对置的带状线路（第1带状线路）18。
在电介质基板14内还形成有过孔电极部20。过孔电极部20具有第1过孔电极部（过孔电极部）20A和第2过孔电极部（过孔电极部）20B。过孔电极部20的一端与带状线路18连接。过孔电极部20的另一端与上部屏蔽导体12A连接。这样，过孔电极部20从带状线路18形成到上部屏蔽导体12A。通过带状线路18和过孔电极部20构成构造体16。滤波器10具备分别包含构造体16的多个谐振器11A～11C（参照图2A）。
在电介质基板14的4个侧面之中的第1侧面14a形成有第1输入输出端子（输入输出端子）22A。在与第1侧面14a对置的第2侧面14b形成有第2输入输出端子22B。第1输入输出端子22A经由第1连接线路32a与上部屏蔽导体12A耦合。另外，第2输入输出端子22B经由第2连接线路32b与上部屏蔽导体12A耦合。在电介质基板14的4个侧面之中的第3侧面14c形成有第1侧面屏蔽导体（屏蔽导体）12Ca。在与第3侧面14c对置的第4侧面14d形成有第2侧面屏蔽导体（屏蔽导体）12Cb。在电介质基板14内，第1过孔电极部20A位于第1侧面屏蔽导体12Ca侧，第2过孔电极部20B位于第2侧面屏蔽导体12Cb侧。此外，在此，以第1输入输出端子22A经由第1连接线路32a与上部屏蔽导体12A连接的情况为例进行说明，但不限于此。例如，第1输入输出端子22A也可以经由第1连接线路32a和未图示的间隙而与上部屏蔽导体12A耦合。这样的间隙既可以形成在第1输入输出端子22A与第1连接线路32a之间，也可以形成在第1连接线路32a与上部屏蔽导体12A之间。另外，在此，以第2输入输出端子22B经由第2连接线路32b与上部屏蔽导体12A连接的情况为例进行说明，但不限于此。例如，第2输入输出端子22B也可以经由第2连接线路32b和未图示的间隙而与上部屏蔽导体12A耦合。这样的间隙既可以形成在第2输入输出端子22B与第2连接线路32b之间，也可以形成在第2连接线路32b与上部屏蔽导体12A之间。
第1过孔电极部20A由多个第1过孔电极（过孔电极）24a构成。第2过孔电极部20B由多个第2过孔电极（过孔电极）24b构成。第1过孔电极24a及第2过孔电极24b被分别埋入到形成在电介质基板14的通路孔中。第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间不存在其他过孔电极部。
在电介质基板14内，还形成有电容器电极图案（第1电容器电极图案）26A和电容器电极图案26B。电容器电极图案26A与第1输入输出端子22A连接。电容器电极图案26B与第2输入输出端子22B连接。此外，在此，以电容器电极图案26A与第1输入输出端子22A连接的情况为例进行说明，但不限于此。电容器电极图案26A也可以经由未图示的间隙而与第1输入输出端子22A耦合。另外，在此，以电容器电极图案26B与第2输入输出端子22B连接的情况为例进行说明，但不限于此。电容器电极图案26B也可以经由未图示的间隙而与第2输入输出端子22B耦合。在谐振器11A的过孔电极部20连接有电容器电极图案（第2电容器电极图案）27A。电容器电极图案27A与谐振器11A的带状线路18对置。电容器电极图案27A的上表面通过谐振器11A的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。在此，谐振器11A的过孔电极部20之中的下部是指过孔电极部20之中存在于电容器电极图案27A的下表面与带状线路18的上表面之间的部分。电容器电极图案27A的下表面通过谐振器11A的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11A的带状线路18连接。在谐振器11C的过孔电极部20连接有电容器电极图案27B。电容器电极图案27B与谐振器11C的带状线路18对置。电容器电极图案27B的上表面通过谐振器11C的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。电容器电极图案27B的下表面通过谐振器11C的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11C的带状线路18连接。
电容器电极图案26A的一部分与电容器电极图案27A的一部分对置。电容器电极图案26B的一部分与电容器电极图案27B的一部分对置。电容器电极图案26A从第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27A的上方位置延伸到第1输入输出端子22A。电容器电极图案26B从第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27B的上方位置延伸到第2输入输出端子22B。此外，也可以以从第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27A的下方位置延伸到第1输入输出端子22A的方式形成电容器电极图案26A。另外，也可以以从第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27B的下方位置延伸到第2输入输出端子22B的方式形成电容器电极图案26B。通过电容器电极图案26A和电容器电极图案27A和存在于它们之间的电介质，构成电容器30A。通过电容器电极图案26B和电容器电极图案27B和存在于它们之间的电介质，构成电容器30B。
在电介质基板14内还设置有耦合电容电极29。在图2A及图2B所示的例子中，耦合电容电极29的一部分与谐振器11B的带状线路18对置。在谐振器11B的过孔电极部20连接有耦合电容电极29连接。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11B的带状线路18连接。耦合电容电极29从谐振器11B的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置。耦合电容电极29之中的与谐振器11A的带状线路18对置的部分，位于谐振器11A的带状线路18与处于该带状线路18上方位置的电容器电极图案27A之间。耦合电容电极29从谐振器11B的带状线路18的上方位置延伸到谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置。耦合电容电极29之中的与谐振器11C的带状线路18对置的部分，位于谐振器11C的带状线路18与处于该带状线路18的上方位置的电容器电极图案27B之间。
图4是示出依据本实施方式的滤波器的等效电路的图。如图4所示，在本实施方式中，在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间存在电容器30A。另外，如图4所示，在本实施方式中，在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间存在电容器30B。
第1输入输出端子22A与谐振器11A磁耦合。而且，在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间附加有电容器30A，因此第1输入输出端子22A与谐振器11A电磁耦合。通过在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间附加的电容器30A，能够控制滤波器10的衰减极。另外，第2输入输出端子22B和谐振器11C磁耦合。而且，在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间附加有电容器30B，因此第2输入输出端子22B与谐振器11C电磁耦合。通过设置在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间的电容器30B，能够控制滤波器10的衰减极。图5是示出依据本实施方式的滤波器的衰减特性的例子的图表。图5的横轴表示频率，图5的纵轴表示衰减。实线表示本实施方式的情况下，即设置了电容器30A、30B的情况下的例子。虚线表示参考例1的情况下，即没有设置电容器30A、30B的情况下的例子。在图5中以圆圈包围的部分示出衰减极。由图5可知，通过设置电容器30A、30B，能够在通带的附近形成期望频率位置的期望衰减极。通过设置电容器30A、30B，能够在通带的附近形成期望频率位置的期望衰减极，因此，依据本实施方式，能够得到具有良好特性的滤波器10。此外，衰减极的频率位置能够通过适当设定电容器30A、30B各自的静电电容来调整。
另外，在本实施方式中，通过设置在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间的电容器30A，能够调整输入输出阻抗。另外，在本实施方式中，通过设置在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间的电容器30B，能够调整输入输出阻抗。图6是示出依据本实施方式的滤波器的衰减特性及反射损耗特性的例子的图表。图6的横轴表示频率，图6的左侧的纵轴表示衰减，图6的右侧的纵轴表示反射损耗。实线表示本实施方式的情况下，即设置了电容器30A、30B的情况下的衰减的例子。虚线表示参考例1的情况下，即没有设置电容器30A、30B的情况下的衰减的例子。单点划线表示本实施方式的情况下，即设置了电容器30A、30B的情况下的反射损耗的例子。双点划线表示参考例1的情况下，即没有设置电容器30A、30B的情况下的反射损耗的例子。图7是示出依据本实施方式的滤波器的输入反射系数的例子的史密斯图。图7示出4GHz～7GHz的频率范围的输入反射系数（S11）。图7中的实线表示设置了电容器30A、30B的情况下的例子。图7中的虚线表示没有设置电容器30A、30B的情况下的例子。由图6中的例如5.2GHz～5.5GHz的范围的反射损耗可知，在设置电容器30A、30B的情况下，与没有设置电容器30A、30B的情况相比，滤波器的通带内的反射特性得到改善。这样，依据本实施方式，由于具备电容器30A、30B，能够抑制滤波器10的输入输出阻抗的不匹配，并且能够改善滤波器的通带内的反射特性。
在本实施方式中，能够通过简单的构成进行期望频率位置的期望衰减极的形成及输入输出阻抗的调整。因此，依据本实施方式，能够提供具有良好特性的小型滤波器10。
图8A及图8B是示出第1过孔电极及第2过孔电极的配置的例子的平面图。图8A示出沿着假想的椭圆37的一部分地配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b的例子。图8B示出沿着假想的轨道形状38的一部分地配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b的例子。轨道形状是指由对置的两个半圆部和连接这些半圆部的两个平行的直线部构成的形状。
在图8A所示的例子中，从上面观察时，多个第1过孔电极24a沿着构成假想的椭圆37的一部分的假想的第1弯曲线28a配置。另外，在图8A所示的例子中，从上面观察时，多个第2过孔电极24b沿着构成假想的椭圆37的一部分的假想的第2弯曲线28b配置。在图8B所示的例子中，从上面观察时，多个第1过孔电极24a沿着构成假想的轨道形状38的一部分的假想的第1弯曲线28a配置。另外，在图8B所示的例子中，从上面观察时，多个第2过孔电极24b沿着构成假想的轨道形状38的一部分的假想的第2弯曲线28b配置。
沿着假想的椭圆37或假想的轨道形状38地配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b是根据如下理由进行的配置。即，在将谐振器11A～11C多级化而构成滤波器10的情况下，如果仅仅增大过孔电极部20的直径，则在谐振器11A～11C间产生电壁，导致Q值的劣化。相对于此，如果使过孔电极部20为椭圆形，并沿该椭圆形的短轴方向使谐振器11A～11C多级化，则过孔电极部20间的距离彼此变长，因此能够提高Q值。另外，如果使过孔电极部20为轨道形状38，并沿与该轨道形状38的直线部的长度方向垂直的方向使谐振器11A～11C多级化，则过孔电极部20间的距离彼此变长，因此能够提高Q值。根据这样的理由，在本实施方式中，沿着假想的椭圆37或假想的轨道形状38地配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b。
另外，在假想的椭圆37的端部、即假想的椭圆37之中的曲率较大的两端部分别配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b是根据如下理由进行的配置。另外，在假想的轨道形状38的半圆部分别配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b是根据如下理由进行的配置。即，高频电流会集中在假想的椭圆37的端部、即假想的椭圆37之中的曲率较大的两端部。另外，高频电流会集中在假想的轨道形状38的两端部、即假想的轨道形状38的半圆部。因此，即便不在假想的椭圆37或假想的轨道形状38的两端部以外的部分配置过孔电极24a、24b，也不会导致高频电流的大幅下降。另外，如果减少过孔电极24a、24b的数量，则能够缩短形成过孔所需要的时间，因此能够实现生产量的提高。另外，如果减少过孔电极24a、24b的数量，则能够减少埋入过孔的银等的材料，因此也能实现成本降低。另外，由于在第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B间形成有电磁场比较稀疏的区域，因此还能够在该区域形成用于耦合调整等的带状线路。出于这样的观点，在本实施方式中，在假想的椭圆37或假想的轨道形状38的两端部配置第1过孔电极24a及第2过孔电极24b。
过孔电极部20和第1侧面屏蔽导体12Ca及第2侧面屏蔽导体12Cb，如半同轴谐振器那样动作。流过过孔电极部20的电流的方向和流过第1侧面屏蔽导体12Ca的电流的方向相反，另外，流过过孔电极部20的电流的方向和流过第2侧面屏蔽导体12Cb的电流的方向相反。因此，能够将电磁场限制在被屏蔽导体12A、12B、12Ca、12Cb包围的部分内，从而能够减小辐射造成的损耗，且能够减小对外部的影响。在谐振时的某一定时，以电流从上部屏蔽导体12A的中心向上部屏蔽导体12A的整个面扩散的方式流动。此时，在下部屏蔽导体12B上，电流以从下部屏蔽导体12B的整个面向下部屏蔽导体12B的中心集中的方式流动。另外，在谐振时的另一定时，以电流从下部屏蔽导体12B的中心向下部屏蔽导体12B的整个面扩散的方式流动。此时，在上部屏蔽导体12A上，电流以从上部屏蔽导体12A的整个面向上部屏蔽导体12A的中心集中的方式流动。以向上部屏蔽导体12A或下部屏蔽导体12B的整个面扩散的方式流动的电流，也保持原状地在第1侧面屏蔽导体12Ca及第2侧面屏蔽导体12Cb同样流动。即，电流在线宽较宽的导体中流动。线宽较宽的导体的电阻分量较少，因此Q值的劣化较小。第1过孔电极部20A及第2过孔电极部20B与屏蔽导体12A、12B、12Ca、12Cb一起实现TEM波的谐振器。即，第1过孔电极部20A及第2过孔电极部20B实现参照了屏蔽导体12A、12B、12Ca、12Cb的TEM波的谐振器。带状线路18起到形成开放端电容的作用。滤波器10所具备的各个谐振器11A～11C可作为λ/4谐振器进行动作。
这样，依据本实施方式，在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间设置电容器30A，在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间设置电容器30B。通过这些电容器30A、30B，能够在通带的附近形成期望频率位置的期望衰减极，所以依据本实施方式，能够得到具有良好特性的滤波器10。而且，通过这些电容器30A、30B，能够调整输入输出阻抗，因此依据本实施方式，能够抑制输入输出阻抗的不匹配。而且，这样的电容器30A、30B构成简单。因而，依据本实施方式，能够提供具有良好特性的小型滤波器10。
（变形例1）
利用图9A～图10，对依据本实施方式的变形例1的滤波器进行说明。图9A及图9B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。图10是示出依据本变形例的滤波器的平面图。
本变形例中，电容器电极图案26A、26B和电容器电极图案27A、27B形成在相同层中。本变形例中，电容器电极图案26A、26B经由间隙33A、33B而与电容器电极图案27A、27B电容耦合。
电容器电极图案27A位于谐振器11A的带状线路18的上方。另外，电容器电极图案27B位于谐振器11C的带状线路18的上方。耦合电容电极29形成在形成有带状线路18的层与形成有电容器电极图案27A、27B的层之间的层中。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11B的带状线路18连接。耦合电容电极29从谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。另外，耦合电容电极29从谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。
电容器电极图案26A形成在与电容器电极图案27A相同层。在电容器电极图案26A与电容器电极图案27A之间存在间隙33A。电容器电极图案26A经由间隙33A与电容器电极图案27A电容耦合。
电容器电极图案26B形成在与电容器电极图案27B相同层。在电容器电极图案26B与电容器电极图案27B之间存在间隙33B。电容器电极图案26B经由间隙33B与电容器电极图案27B电容耦合。
这样，也可以使电容器电极图案26A、26B和电容器电极图案27A、27B形成在相同层中。而且，也可以使电容器电极图案26A、26B经由间隙33A、33B与电容器电极图案27A、27B电容耦合。
（变形例2）
利用图11A～图12，对依据本实施方式的变形例2的滤波器进行说明。图11A及图11B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。图12是示出依据本变形例的滤波器的平面图。
本变形例中，使电容器电极图案26A、26B与（以与电容器电极图案27A、27B对置的方式形成的）耦合电容电极31A、31B对置。
电容器电极图案27A位于谐振器11A的带状线路18的上方。另外，电容器电极图案27B位于谐振器11C的带状线路18的上方。耦合电容电极29形成在形成有带状线路18的层与形成有电容器电极图案27A、27B的层之间的层中。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11B的带状线路18连接。耦合电容电极29从谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。另外，耦合电容电极29从谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。
电容器电极图案26A形成在与电容器电极图案27A相同层。在电容器电极图案26A与电容器电极图案27A之间存在间隙33A。在形成有电容器电极图案27A和电容器电极图案26A的层的上方，形成有与电容器电极图案27A和电容器电极图案26A对置的耦合电容电极31A。电容器电极图案26A经由耦合电容电极31A与电容器电极图案27A电容耦合。另外，电容器电极图案26A经由间隙33A与电容器电极图案27A电容耦合。
电容器电极图案26B形成在与电容器电极图案27B相同层。在电容器电极图案26B与电容器电极图案27B之间存在间隙33B。在形成有电容器电极图案27B和电容器电极图案26B的层的上方，形成有与电容器电极图案27B和电容器电极图案26B对置的耦合电容电极31B。电容器电极图案26B经由耦合电容电极31B与电容器电极图案27B电容耦合。另外，电容器电极图案26B经由间隙33B与电容器电极图案27B电容耦合。
这样，也可以使电容器电极图案26A、26B与（以与电容器电极图案27A、27B对置的方式形成的）耦合电容电极31A、31B对置。
（变形例3）
利用图13A及图13B，对依据本实施方式的变形例3的滤波器进行说明。图13A及图13B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。
依据本变形例的滤波器10，以与谐振器11A、11C的带状线路18对置的方式形成有电容器电极图案26A、26B。
如图13A及图13B所示，以与谐振器11A的带状线路18对置的方式，形成有电容器电极图案27A。电容器电极图案27A位于谐振器11A的带状线路18的上方。另外，以与谐振器11C的带状线路18对置的方式，形成有电容器电极图案27B。电容器电极图案27B位于谐振器11C的带状线路18的上方。
在形成有带状线路18的层与形成有电容器电极图案27A、27B的层之间的层，形成有电容器电极图案26A、26B。电容器电极图案26A以从谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置延伸到第1输入输出端子22A的方式形成。电容器电极图案26B以从谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置延伸到第2输入输出端子22B的方式形成。
以与谐振器11C的带状线路18对置的方式形成耦合电容电极29。耦合电容电极29形成在比形成有电容器电极图案27A、27B的层更上侧的层。耦合电容电极29从谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27A的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。另外，耦合电容电极29从谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27B的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。
这样，也可以使电容器电极图案26A、26B与谐振器11A、11C的带状线路18对置。
（变形例4）
利用图14A～图15，对依据本实施方式的变形例4的滤波器进行说明。图14A及图14B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。图15是示出依据本变形例的滤波器的平面图。
本变形例中，电容器电极图案26A、26B和带状线路18形成在相同层，电容器电极图案26A、26B经由间隙33A、33B与带状线路18电容耦合。
电容器电极图案26A形成在与带状线路18相同层。在电容器电极图案26A与谐振器11A的带状线路18之间存在间隙33A。电容器电极图案26A经由间隙33A与谐振器11A的带状线路18电容耦合。
电容器电极图案26B形成在与带状线路18相同层。在电容器电极图案26B与谐振器11C的带状线路18之间存在间隙33B。电容器电极图案26B经由间隙33B与谐振器11C的带状线路18电容耦合。
耦合电容电极29形成在形成有带状线路18的层的上方。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11B的带状线路18连接。耦合电容电极29从谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。另外，耦合电容电极29从谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。本变形例中，没有形成电容器电极图案27A、27B。
这样，电容器电极图案26A、26B和带状线路18也可以形成在相同层。而且，电容器电极图案26A、26B也可以经由间隙33A、33B与带状线路18电容耦合。
（变形例5）
利用图16A～图17，对依据本实施方式的变形例5的滤波器进行说明。图16A及图16B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。图17是示出依据本变形例的滤波器的平面图。
本变形例中，使电容器电极图案26A、26B与（以与带状线路18对置的方式形成的）耦合电容电极31A、31B对置。
电容器电极图案26A形成在与带状线路18相同层。在电容器电极图案26A与谐振器11A的带状线路18之间存在间隙33A。在形成有电容器电极图案26A与带状线路18的层的上方，形成有与电容器电极图案26A和谐振器11A的带状线路18对置的耦合电容电极31A。电容器电极图案26A经由耦合电容电极31A与谐振器11A的带状线路18电容耦合。另外，电容器电极图案26A经由间隙33A与谐振器11A的带状线路18电容耦合。
电容器电极图案26B形成在与带状线路18相同层。在电容器电极图案26B与谐振器11C的带状线路18之间存在间隙33B。在形成有电容器电极图案26B和带状线路18的层的上方，形成有与电容器电极图案26B和谐振器11C的带状线路18对置的耦合电容电极31B。电容器电极图案26B经由耦合电容电极31B与谐振器11C的带状线路18电容耦合。另外，电容器电极图案26B经由间隙33B与谐振器11C的带状线路18电容耦合。
电容器电极图案27A位于谐振器11A的带状线路18的上方。另外，电容器电极图案27B位于谐振器11C的带状线路18的上方。电容器电极图案27A、27B位于形成有耦合电容电极31A、31B的层的上方的层。
耦合电容电极29形成在形成有电容器电极图案27A、27B的层的上方的层。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部以外的部分，与上部屏蔽导体12A连接。耦合电容电极29通过谐振器11B的过孔电极部20之中的下部，与谐振器11B的带状线路18连接。耦合电容电极29从谐振器11A的第1过孔电极部20A与谐振器11A的第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27A的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。另外，耦合电容电极29从谐振器11C的第1过孔电极部20A与谐振器11C的第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27B的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方。
这样，也可以使电容器电极图案26A、26B与（以与带状线路18对置的方式形成的）耦合电容电极31A、31B对置。
（变形例6）
利用图18～图19B，对依据本实施方式的变形例6的滤波器进行说明。图18是示出依据本变形例的滤波器的立体图。图19A及图19B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。图19A与图18的XIXA－XIXA线对应。图19B与图18的XIXB－XIXB线对应。
依据本变形例的滤波器10，在过孔电极部20的长度方向的中间，电容器电极图案27A、27B与过孔电极部20连接。
本变形例中，在过孔电极部20的长度方向的中间，电容器电极图案27A、27B与过孔电极部20连接。电容器电极图案26A与电容器电极图案27A对置，电容器电极图案26B与电容器电极图案27B对置。通过电容器电极图案26A和电容器电极图案27A和存在于它们之间的电介质，构成电容器30A。通过电容器电极图案26B和电容器电极图案27B和存在于它们之间的电介质，构成电容器30B。
在本变形例中，在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间也设置有电容器30A，在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间也设置有电容器30B。在本变形例中，也能够通过这些电容器30A、30B，在通带的附近形成期望频率位置的期望衰减极，因此能够得到具有良好特性的滤波器10。而且，由于能够通过这些电容器30A、30B来调整输入输出阻抗，因此在本变形例中也能抑制输入输出阻抗的不匹配。而且，这样的电容器30A、30B构成简单。因而，在本变形例中，也能够提供具有良好特性的小型滤波器10。
（变形例7）
利用图20～图22，对依据本实施方式的变形例7的滤波器进行说明。图20是示出依据本变形例的滤波器的立体图。图21A及图21B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。图21A与图20的XXIA－XXIA线对应。图21B与图20的XXIB－XXIB线对应。图22是示出依据本变形例的滤波器的平面图。
本变形例中，谐振器11A具备一个过孔电极部（第3过孔电极部）20C。谐振器11A的第3过孔电极部20C由多个过孔电极（第3过孔电极）24c（参照图22）构成。第3过孔电极24c埋入到形成在电介质基板14的通路孔中。一个第3过孔电极部20C例如通过4个第3过孔电极24c构成。构成一个第3过孔电极部20C的4个第3过孔电极24c，位于假想的菱形34的顶点。谐振器11A的第3过孔电极部20C在该谐振器11A的带状线路18的X方向上的中心与该带状线路18连接。此外，将第3侧面14c及第4侧面14d的法线方向设为X方向（第1方向）。将第1侧面14a及第2侧面14b的法线方向设为Y方向（第2方向）。另外，将电介质基板14的一个主面及另一个主面的法线方向设为Z方向。
在谐振器11B具备两个过孔电极部、即第1过孔电极部20A及第2过孔电极部20B。谐振器11B的第1过孔电极部20A位于电介质基板14的第3侧面14c侧。谐振器11B的第2过孔电极部20B位于电介质基板14的第4侧面14d侧。
在谐振器11C具备一个过孔电极部（第3过孔电极部）20C。谐振器11C的第3过孔电极部20C在该谐振器11C的带状线路18的X方向上的中心与该带状线路18连接。此外，在此，以一个第3过孔电极部20C由4个第3过孔电极24c构成的情况为例进行了说明，但不限于此。
谐振器11B的过孔电极部20A、20B的位置P2A、P2B和谐振器11A的过孔电极部20C的位置P1，在X方向上不同。谐振器11C的过孔电极部20C的位置P3和谐振器11B的过孔电极部20A、20B的位置P2A、P2B，在X方向上不同。此外，在此，将谐振器11A的过孔电极部20C的中心的位置设为该过孔电极部20C的位置P1而进行说明。另外，将谐振器11B的过孔电极部20A、20B的中心的位置设为该过孔电极部20A、20B的位置P2A、P2B而进行说明。另外，将谐振器11C的过孔电极部20C的中心的位置设为该过孔电极部20C的位置P3而进行说明。谐振器11A的过孔电极部20C的位置即位置P1为谐振器11A的带状线路18的中心。谐振器11C的过孔电极部20C的中心的位置即位置P3为谐振器11C的带状线路18的中心。
本变形例中，电容器电极图案26A从谐振器11A的过孔电极部20C的两侧中的电容器电极图案27A的上方位置延伸到第1输入输出端子22A。另外，本变形例中，电容器电极图案26B从谐振器11C的过孔电极部20C的两侧中的电容器电极图案27B的上方位置延伸到第2输入输出端子22B。
本变形例中，耦合电容电极29从谐振器11A的过孔电极部20C的两侧中的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方位置。另外，本变形例中，耦合电容电极29从谐振器11C的过孔电极部20C的两侧中的带状线路18的上方位置，延伸到谐振器11B的带状线路18的上方位置。
这样，本变形例中，在互相邻接的谐振器11A～11C间，过孔电极部20A、20B的位置和过孔电极部20C的位置在X方向上彼此错开。因此，依据本变形例，无需增大互相邻接的谐振器11A～11C间的Y方向的距离，而能够增大过孔电极部20A、20B与过孔电极部20C之间的距离。因而，依据本变形例，无需增大互相邻接的谐振器11A～11C间的Y方向的距离，而能够减小互相邻接的谐振器11A～11C间的耦合度。因而，依据本变形例，在确保滤波器10的尺寸较小的同时，能够减小互相邻接的谐振器11A～11C间的耦合度。由于能够增大互相邻接的谐振器11A～11C的过孔电极部20A、20B与过孔电极部20C之间的距离，所以能够得到较高的Q值。
（变形例8）
利用图23A及图23B，对依据本实施方式的变形例8的滤波器进行说明。图23A及图23B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。
本变形例中，通过相对介电常数不同的电介质层来构成电介质基板14。本变形例中，电容器电极图案26A、26B、27A、27B、耦合电容电极29及带状线路18被埋入相对介电常数比较低的电介质层中。
如图23A及图23B所示，本变形例中，通过相对介电常数比较低的电介质层（第1电介质层）15A和相对介电常数比较高的电介质层（第2电介质层）15B，构成电介质基板14。上部屏蔽导体12A位于电介质基板14之中的电介质层15B所在位置的一侧即一个主面侧，即图23A及图23B中的电介质基板14的上侧。下部屏蔽导体12B位于电介质基板14之中的电介质层15A所在位置的一侧即另一个主面侧，即图23A及图23B中的电介质基板14的下侧。电介质层15A的厚度例如可为200μm～300μm左右，但不限于此。电介质基板14的厚度例如可为1.5mm～2.0mm左右，但不限于此。
带状线路18、电容器电极图案26A、26B、27A、27B及耦合电容电极29，被埋入到相对介电常数比较低的电介质层15A中。过孔电极部20至少埋入在相对介电常数比较高的电介质层15B中。过孔电极部20在电介质层15A内与带状线路18连接。
本变形例中，在电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15A的一部分。因此，本变形例中，即便电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间的距离有一定程度的偏差，使电容器30A、30B的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便电容器电极图案26A、26B、27A、27B的线宽有一定程度的偏差，使得电容器30A、30B的静电电容的变化变小就可以了。另外，本变形例中，在电容器电极图案27A、27B与耦合电容电极29之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15A的一部分。因此，本变形例中，即便电容器电极图案27A、27B与耦合电容电极29之间的距离有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便电容器电极图案27A、27B或耦合电容电极29的线宽有一定程度的偏差，使电容器30A、30B的静电电容的变化变小就可以了。另外，本变形例中，在带状线路18与耦合电容电极29之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15A的一部分。因此，本变形例中，即便带状线路18与耦合电容电极29之间的距离有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便带状线路18或耦合电容电极29的线宽有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。因此，依据本变形例，能够减小滤波器特性的偏差。
在如本实施方式那样构造的谐振器11A～11C中，谐振频率大致由过孔电极部20的长度和带状线路18与下部屏蔽导体12B之间的静电电容决定。过孔电极部20的长度越长，谐振频率越有下降的倾向。在谐振频率相同的情况下，过孔电极部20的长度越长，谐振器11A～11C的Q值就越高。另外，带状线路18与下部屏蔽导体12B之间的静电电容越大，谐振频率越有下降的倾向。在带状线路18与下部屏蔽导体12B之间存在相对介电常数比较高的电介质层的情况下，带状线路18与下部屏蔽导体12B之间的静电电容增加。在带状线路18与下部屏蔽导体12B之间的静电电容增加的情况下，为了得到期望的谐振频率，例如可以考虑缩短过孔电极部20的长度。然而，在缩短过孔电极部20的长度的情况下，Q值会下降。为了防止带状线路18与下部屏蔽导体12B之间的静电电容的增加，还可以考虑减小带状线路18的面积。然而，在减小带状线路18的面积的情况下，谐振器11A～11C间所具备的耦合电容电极29等的图案的布局有可能会有限制。另外，在利用多个过孔电极24a、24b构成谐振器11A～11C的情况下，将需要足够大面积的带状线路18，在这样的情况下，难以减小带状线路18的面积。相对于此，本变形例中，在带状线路18与下部屏蔽导体12B之间存在相对介电常数比较低的电介质层15A，所以能够避免如上述的问题。
本变形例中，过孔电极部20被埋入到相对介电常数比较高的电介质层15B中。因此，本变形例中，在该部分能得到波长缩短效果。因此，依据本变形例，能够缩短传输线路，并且有助于滤波器10的小型化。
（变形例9）
利用图24A及图24B，对依据本实施方式的变形例9的滤波器进行说明。图24A及图24B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。
依据本变形例的滤波器10通过相对介电常数不同的电介质层来构成电介质基板14。本变形例中，在电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层的一部分。
如图24A及图24B所示，本变形例中，通过相对介电常数比较低的电介质层15Ad、15Au和相对介电常数比较高的电介质层15Bd、15Bu，构成电介质基板14。在电介质层15Ad上层叠有电介质层15Bd，在电介质层15Bd上层叠有电介质层15Au，在电介质层15Au上层叠有电介质层15Bu。上部屏蔽导体12A位于电介质基板14之中的电介质层15Bu所在位置的一侧即一个主面侧，即图24A及图24B中的电介质基板14的上侧。下部屏蔽导体12B位于电介质基板14之中的电介质层15Ad所在位置的一侧即另一个主面侧，即图24A及图24B中的电介质基板14的下侧。
本变形例中，利用图18～图19B，与上述的滤波器10同样，在电介质基板14内形成与过孔电极部20连接的电容器电极图案27A、27B。电容器电极图案26A、26B及电容器电极图案27A、27B被埋入到相对介电常数比较低的电介质层15Au中。带状线路18被埋入到相对介电常数比较低的电介质层15Ad中。过孔电极部20在电介质层15Ad内与带状线路18连接。过孔电极部20在电介质层15Au内与电容器电极图案27A、27B连接。
本变形例中，在电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Au的一部分。因此，本变形例中，即便电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间的距离有一定程度的偏差，使电容器30A、30B的静电电容的偏差变小就可以了。另外，本变形例中，即便电容器电极图案26A、26B或电容器电极图案27A、27B的线宽有一定程度的偏差，使电容器30A、30B的静电电容的偏差变小就可以了。另外，本变形例中，在带状线路18与耦合电容电极29之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Ad的一部分。因此，本变形例中，即便带状线路18与耦合电容电极29之间的距离有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便带状线路18或耦合电容电极29的线宽有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。因此，依据本变形例，能够减小滤波器特性的偏差。
在本变形例中，也与图23A及图23B所示的变形例8的情况同样，在带状线路18与下部屏蔽导体12B之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Ad的一部分。因此，在本变形例中，也能较大地确保带状线路18的面积。因此，依据本实施方式，能够提高在谐振器11A～11C间所具备的耦合电容电极29等的图案的布局自由度。另外，较大地确保带状线路18的面积，从而能够实现利用多个过孔电极24a、24b的谐振器11A～11C。因此，依据本实施方式，能够得到Q值较高的良好的谐振器11A～11C。
在本变形例中，也与图23A及图23B所示的变形例8的情况同样，过孔电极部20被埋入相对介电常数比较高的电介质层15Bd、15Bu中。因此，本变形例中，在该部分能得到波长缩短效果。因此，在本变形例中，也能缩短传输线路，并且能够有助于滤波器10的小型化。
[第2实施方式]
利用附图，对依据第2实施方式的滤波器进行说明。图25A及图25B是示出依据本实施方式的滤波器的截面图。对于与第1实施方式的滤波器同样的构成要素标注相同的标号，并省略或简化说明。
在依据本实施方式的滤波器10A中，在电介质基板14内形成有与上部屏蔽导体12A对置的上部带状线路（第2带状线路）18A和与下部屏蔽导体12B对置的下部带状线路（第1带状线路）18B。
在本实施方式中，过孔电极部20的一端与上部带状线路18A连接，过孔电极部20的另一端与下部带状线路18B连接。这样，过孔电极部20从上部带状线路18A形成到下部带状线路18B。通过过孔电极部20和上部带状线路18A和下部带状线路18B，构成构造体16。
在本实施方式中，也利用图1～图2B与上述的第1实施方式的滤波器10同样地，在电介质基板14内形成有电容器电极图案26A、26B。在本实施方式中，也利用图1～图2B，与上述的第1实施方式的滤波器10同样地，在电介质基板14内形成有与过孔电极部20连接的电容器电极图案27A、27B。
电容器电极图案26A的一部分，利用图1～图2B与上述的第1实施方式的滤波器10同样地，与电容器电极图案27A的一部分对置。电容器电极图案26B的一部分，利用图1～图2B与上述的第1实施方式的滤波器10同样地，与电容器电极图案27B的一部分对置。电容器电极图案26A，利用图1～图2B与上述的第1实施方式的滤波器10同样地，从第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27A的上方位置延伸到第1输入输出端子22A。电容器电极图案26B，利用图1～图2B与上述的第1实施方式的滤波器10同样地，从第1过孔电极部20A与第2过孔电极部20B之间的电容器电极图案27B的上方位置延伸到第2输入输出端子22B。通过电容器电极图案26A和电容器电极图案27A和存在于它们之间的电介质，构成电容器30A。通过电容器电极图案26B和电容器电极图案27B和存在于它们之间的电介质，构成电容器30B。
过孔电极部20和第1侧面屏蔽导体12Ca及第2侧面屏蔽导体12Cb，与第1实施方式的滤波器10的情况同样，如半同轴谐振器那样进行动作。
在本实施方式中，过孔电极部20不与上部屏蔽导体12A导通，也不与下部屏蔽导体12B导通。在与过孔电极部20连接的上部带状线路18A和上部屏蔽导体12A之间，存在静电电容（开放端电容）。另外，在与过孔电极部20连接的下部带状线路18B和下部屏蔽导体12B之间也存在静电电容。过孔电极部20与上部带状线路18A及下部带状线路18B一起构成λ/2谐振器。
在如第1实施方式那样的λ/4谐振器中，谐振时电流集中在过孔电极部和屏蔽导体相接的部分即短路部。过孔电极部和屏蔽导体相接的部分是电流的路径垂直弯曲的部分。电流集中在电流的路径较大地弯曲的部位，可能带来Q值的下降。也可以考虑增大电流路径的截面积，以通过消除电流向短路部的集中来提高Q值。例如，可考虑增大过孔直径或增加过孔的个数。然而，在这样的情况下，滤波器的大小会变大，将无法满足滤波器的小型化要求。相对于此，在本实施方式中，过孔电极部20不与上部屏蔽导体12A相接，也不与下部屏蔽导体12B相接。即，在本实施方式中，构成两端开放型的λ/2谐振器。因此，在本实施方式中，防止在上部屏蔽导体12A及下部屏蔽导体12B发生局部的电流集中，另一方面能够使电流集中在过孔电极部20的中心附近。电流集中的部位只是过孔电极部20，即电流集中在具有连续性（线性）的部位，因此，依据本实施方式，能够提高Q值。
图26是示出依据本实施方式的滤波器的衰减特性及反射损耗特性的例子的图表。图26的横轴表示频率，图26的左侧的纵轴表示衰减，图26的右侧的纵轴表示反射损耗。实线表示本实施方式的情况下即设置了电容器30A、30B的情况下的衰减的例子。虚线表示参考例2的情况下即没有设置电容器30A、30B的情况下的衰减的例子。单点划线表示本实施方式的情况下即设置了电容器30A、30B的情况下的反射损耗的例子。双点划线表示参考例2的情况下、没有设置电容器30A、30B的情况下的反射损耗的例子。图27是示出依据本实施方式的滤波器的输入反射系数的例子的史密斯图。图27示出4GHz～7GHz的频率范围的输入反射系数（S11）。图27中的实线表示设置了电容器30A、30B的情况下的例子。图27中的虚线表示没有设置电容器30A、30B的情况下的例子。由图26中例如5.2GHz～5.5GHz的范围的反射损耗可知，在设置了电容器30A、30B的情况下，与没有设置电容器30A、30B的情况相比，滤波器的通带内的反射特性得到改善。这样，在本实施方式中，也具备电容器30A、30B，所以能够抑制滤波器10A的输入输出阻抗的不匹配，并能改善滤波器10A的通带内的反射特性。
这样，在本实施方式中，在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间设置有电容器30A，在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间设置有电容器30B。通过这些电容器30A、30B，能够在通带的附近的期望频率位置形成期望衰减极，因此在本实施方式中也能得到具有良好特性的滤波器10A。而且，通过这些电容器30A、30B，能够调整输入输出阻抗，因此在本实施方式中，也能抑制输入输出阻抗的不匹配。而且，这样的电容器30A、30B构成简单。因而，在本实施方式中，也能提供具有良好特性的小型滤波器10A。而且，在本实施方式中，过孔电极部20的一端与和上部屏蔽导体12A对置的上部带状线路18A连接，过孔电极部20的另一端与和下部屏蔽导体12B对置的下部带状线路18B连接。因此，在本实施方式中，防止在上部屏蔽导体12A及下部屏蔽导体12B发生局部的电流集中，另一方面能够使电流集中在过孔电极部20的中心附近。电流集中的部位仅为过孔电极部20，即电流集中在具有连续性（线性）的部位，因此依据本实施方式，能够提高Q值。
（变形例1）
利用图28A及图28B，对依据本实施方式的变形例1的滤波器进行说明。图28A及图28B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。
依据本变形例的滤波器10A，在过孔电极部20的长度方向的中间，电容器电极图案27A、27B与过孔电极部20连接。
如图28A及图28B所示，本变形例中，在过孔电极部20的长度方向的中间，电容器电极图案27A、27B与过孔电极部20连接。本变形例中，电容器电极图案26A与谐振器11A的电容器电极图案27A对置，电容器电极图案26B与谐振器11C的电容器电极图案27B对置。通过电容器电极图案26A和谐振器11A的电容器电极图案27A和存在于它们之间的电介质，构成电容器30A。通过电容器电极图案26B和谐振器11C的电容器电极图案27B和存在于它们之间的电介质，构成电容器30B。这样，也使得电容器电极图案26A与在过孔电极部20的长度方向的中间和谐振器11A的过孔电极部20连接的电容器电极图案27A对置。另外，也使得电容器电极图案26B与在过孔电极部20的长度方向的中间和谐振器11C的过孔电极部20连接的电容器电极图案27B对置。
在本变形例中，也在第1输入输出端子22A与谐振器11A之间设置有电容器30A，并且在第2输入输出端子22B与谐振器11C之间设置有电容器30B。在本变形例中，也通过这些电容器30A、30B，能够在通带的附近的期望频率位置形成期望衰减极，因此能够得到具有良好特性的滤波器10A。而且，通过这些电容器30A、30B，能够调整输入输出阻抗，因此，在本变形例中，也能抑制输入输出阻抗的不匹配。而且，这样的电容器30A、30B构成简单。因而，在本变形例中，也能提供具有良好特性的小型滤波器10A。
（变形例2）
利用图29A及图29B，对依据本实施方式的变形例2的滤波器进行说明。图29A及图29B是示出依据本变形例的滤波器的截面图。
本变形例中，通过相对介电常数不同的电介质层来构成电介质基板14。本变形例中，在电容器电极图案26A、26B与谐振器11A、11C的带状线路18之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层的一部分。
如图29A及图29B所示，本变形例中，通过相对介电常数比较低的电介质层15Ad、15Au和相对介电常数比较高的电介质层15B，构成电介质基板14。在电介质层15Ad上层叠有电介质层15B，在电介质层15B上层叠有电介质层15Au。上部屏蔽导体12A位于电介质基板14之中的电介质层15Au所在位置的一侧即一个主面侧，即图29A及图29B中的电介质基板14的上侧。下部屏蔽导体12B位于电介质基板14之中的电介质层15Ad所在位置的一侧即另一个主面侧，即图29A及图29B中的电介质基板14的下侧。电介质层15Ad、15Au的厚度例如可为200μm～300μm左右，但不限于此。电介质基板14的厚度例如也可为1.5mm～2.0mm左右，但不限于此。
下部带状线路18B及电容器电极图案26A、26B被埋入到相对介电常数比较低的电介质层15Ad中。过孔电极部20至少被埋入到相对介电常数比较高的电介质层15B中。过孔电极部20在电介质层15Ad内与下部带状线路18B连接。过孔电极部20在电介质层15Au内与上部带状线路18A连接。
本变形例中，在电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Ad的一部分。因此，本变形例中，即便电容器电极图案26A、26B与电容器电极图案27A、27B之间的距离有一定程度的偏差，使电容器30A、30B的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便电容器电极图案26A、26B、27A、27B的线宽有一定程度的偏差，使电容器30A、30B的静电电容的偏差变小就可以了。另外，本变形例中，在电容器电极图案27A、27B与耦合电容电极29之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Ad的一部分。因此，本变形例中，即便电容器电极图案27A、27B与耦合电容电极29之间的距离有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便电容器电极图案27A、27B或耦合电容电极29的线宽有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。另外，本变形例中，在耦合电容电极29与下部带状线路18B之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Ad的一部分。因此，本变形例中，即便耦合电容电极29与下部带状线路18B之间的距离有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。另外，即便耦合电容电极29或下部带状线路18B的线宽有一定程度的偏差，使它们之间的静电电容的偏差变小就可以了。因此，依据本变形例，能够减小滤波器特性的偏差。
本变形例中，在上部带状线路18A与上部屏蔽导体12A之间夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Au的一部分。另外，在下部带状线路18B与下部屏蔽导体12B之间也夹持有相对介电常数比较低的电介质层15Ad的一部分。因此，在本变形例中，也能较大地确保带状线路18A、18B的面积。因此，依据本变形例，能够提高在谐振器11A～11C间所具备的耦合电容电极29等的图案的布局自由度。另外，通过较大地确保带状线路18A、18B的面积，能够实现利用多个过孔电极24a、24b的谐振器11A～11C。因此，依据本变形例，能够得到Q值高的良好的谐振器11A～11C。
本变形例中，过孔电极部20被埋入到相对介电常数比较高的电介质层15B中。因此，本变形例中，在该部分能够得到波长缩短效果。因此，依据本变形例，能够缩短传输线路，并且能够有助于滤波器10A的小型化。
上述实施方式总结如下。
滤波器（10）具有：谐振器（11A），其具有形成在电介质基板（14）内的过孔电极部（20）、和与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体（12A、12B、12Ca、12Cb）之中的第1屏蔽导体（12B）对置并且与所述过孔电极部的一端连接的第1带状线路（18、18B）；输入输出端子（22A），与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体（12A）耦合；以及第1电容器电极图案（26A），与所述输入输出端子连接，所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案（27A）或所述第1带状线路电容耦合。依据这样的构成，在输入输出端子与谐振器之间形成电容器。通过这样的电容器，能够在通带的附近形成期望频率位置的期望衰减极，因此，依据这样的构成，能够得到具有良好特性的滤波器。而且，通过这样的电容器，能够调整输入输出阻抗，因此，依据这样的构成能够抑制输入输出阻抗的不匹配。而且，这样的电容器构成简单。因而，依据这样的构成，能够提供具有良好特性的小型滤波器。
所述第1电容器电极图案也可以与所述第2电容器电极图案或所述第1带状线路对置。
所述第1电容器电极图案也可以经由间隙（33A）与所述第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合。
所述第1电容器电极图案也可以与以和所述第2电容器电极图案或所述第1带状线路对置的方式形成的耦合电容电极（31A）对置。
所述过孔电极部的另一端也可以与所述第2屏蔽导体连接。
也可以还具有在所述电介质基板内与所述过孔电极部的另一端连接并与所述第2屏蔽导体对置的第2带状线路（18A）。依据这样的构成，谐振器能够作为λ/2谐振器进行动作。依据这样的构成，防止在第1屏蔽导体及第2屏蔽导体发生局部的电流集中，另一方面能够使电流集中在过孔电极部的中心附近。由于电流集中的部位仅为过孔电极部，即电流集中在具有连续性（线性）的部位，因此依据这样的构成，能够提高Q值。
也可以使所述第1屏蔽导体形成在所述电介质基板的一个主面侧，并使所述第2屏蔽导体形成在所述电介质基板的另一个主面侧。
也可以使所述电介质基板包含第1电介质层（15A）和相对介电常数比所述第1电介质层高的第2电介质层（15B），在所述第1电容器电极图案与所述第2电容器电极图案之间、或者在所述第1电容器电极图案与所述第1带状线路之间夹持有所述第1电介质层的一部分，所述过孔电极部至少形成在所述第2电介质层内。依据这样的构成，相对介电常数比较低的第1电介质层的一部分，被夹持在第1电容器电极图案与第2电容器电极图案之间、或者第1电容器电极图案与第1带状线路之间。因此，即便第1电容器电极图案与第2电容器电极图案之间的距离、或者第1电容器电极图案与第1带状线路之间的距离有一定程度的偏差，使电容器的静电电容的变化变小就可以了。另外，即便第1电容器电极图案、第2电容器电极图案或第1带状线路的线宽有偏差，使电容器的静电电容的变化变小就可以了。因此，依据这样的构成，能够减小电特性的偏差。而且，依据这样的构成，过孔电极部被埋入到相对介电常数比较高的第2电介质层，因此能够在该部分得到波长缩短效果。因此，依据这样的构成，能够缩短传输线路，并且能够有助于滤波器的小型化。
所述过孔电极部也可以由多个过孔电极（24a、24b）构成。
所述过孔电极部也可以具有第1过孔电极部（20A）和第2过孔电极部（20B）。
也可以使所述第1过孔电极部由多个第1过孔电极构成，所述第2过孔电极部由多个第2过孔电极构成，在所述第1过孔电极部与所述第2过孔电极部之间不存在其他过孔电极部。依据这样的构成，由于在第1过孔电极部与第2过孔电极部之间不存在其他过孔电极部，因此能够缩短形成过孔所需要的时间，进而能够实现生产量的提高。另外，依据这样的构成，由于在第1过孔电极部与第2过孔电极部之间不存在其他过孔电极部，在过孔中埋入较少的银等材料就可以了，进而也能实现成本降低。另外，由于在第1过孔电极部与第2过孔电极部间形成电磁场比较稀疏的区域，所以也能在该区域形成用于耦合调整等的图案。
也可以使所述多个第1过孔电极在从上面观察时，沿着假想的第1弯曲线（28a）配置，使所述多个第2过孔电极在从上面观察时，沿着假想的第2弯曲线（28b）配置。
也可以使所述第1弯曲线及所述第2弯曲线由一个椭圆的一部分或一个轨道形状的一部分构成。
以上，举出合适的实施方式，对本发明进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式，在不脱离本发明的要点的范围内，可以进行各种改变。
标号说明
10 滤波器；11A～11C 谐振器；12A 上部屏蔽导体；12B 下部屏蔽导体；12Ca 第1侧面屏蔽导体；12Cb 第2侧面屏蔽导体；14 电介质基板；15A、15B 电介质层；16 构造体；18带状线路；18A 上部带状线路；18B 下部带状线路；20 过孔电极部；20A 第1过孔电极部；20B 第2过孔电极部；20C 第3过孔电极部；22A 第1输入输出端子；22B 第2输入输出端子；24a 第1过孔电极；24b 第2过孔电极；24c 第3过孔电极；26A、26B、27A、27B 电容器电极图案；28a 假想的第1弯曲线；28b 假想的第2弯曲线；29、31A、31B 耦合电容电极；30A、30B 电容器；33A、33B 间隙；34 假想的菱形；37 假想的椭圆；38 假想的轨道形状。

Claims (13)

1.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体连接；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合。
2.如权利要求1所述的滤波器，其中，
所述过孔电极部的另一端与所述第2屏蔽导体连接。
3.如权利要求1所述的滤波器，其中，
所述第1屏蔽导体形成在所述电介质基板的一个主面侧，
所述第2屏蔽导体形成在所述电介质基板的另一个主面侧。
4.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合，
所述第1电容器电极图案与所述第2电容器电极图案或所述第1带状线路对置。
5.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合，
所述第1电容器电极图案经由间隙与所述第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合。
6.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合，
所述第1电容器电极图案与以和所述第2电容器电极图案或所述第1带状线路对置的方式形成的耦合电容电极对置。
7.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合，
还具有在所述电介质基板内与所述过孔电极部的另一端连接并与所述第2屏蔽导体对置的第2带状线路。
8.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合，
所述电介质基板包含第1电介质层和相对介电常数比所述第1电介质层高的第2电介质层，
在所述第1电容器电极图案与所述第2电容器电极图案之间、或者在所述第1电容器电极图案与所述第1带状线路之间夹持有所述第1电介质层的一部分，
所述过孔电极部至少形成在所述第2电介质层内。
9.如权利要求1～8的任一项所述的滤波器，其中，
所述过孔电极部由多个过孔电极构成。
10.如权利要求9所述的滤波器，其中，
所述过孔电极部具有第1过孔电极部和第2过孔电极部。
11.一种滤波器，具有：
谐振器，其具有过孔电极部和第1带状线路，所述过孔电极部形成在电介质基板内，所述第1带状线路与以包围所述过孔电极部的方式形成的多个屏蔽导体之中的第1屏蔽导体对置并且与所述过孔电极部的一端连接；
输入输出端子，与所述多个屏蔽导体之中的第2屏蔽导体耦合；以及
第1电容器电极图案，与所述输入输出端子耦合，
所述第1电容器电极图案与跟所述过孔电极部连接的第2电容器电极图案或所述第1带状线路电容耦合，
所述过孔电极部由多个过孔电极构成，
所述过孔电极部具有第1过孔电极部和第2过孔电极部，
所述第1过孔电极部由多个第1过孔电极构成，
所述第2过孔电极部由多个第2过孔电极构成，
在所述第1过孔电极部与所述第2过孔电极部之间不存在其他过孔电极部。
12.如权利要求11所述的滤波器，其中，
所述多个第1过孔电极在从上面观察时，沿假想的第1弯曲线配置，
所述多个第2过孔电极在从上面观察时，沿假想的第2弯曲线配置。
13.如权利要求12所述的滤波器，其中，
所述第1弯曲线及所述第2弯曲线构成一个椭圆的一部分或一个轨道形状的一部分。
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