DE112022001909T5

DE112022001909T5 - Filter

Info

Publication number: DE112022001909T5
Application number: DE112022001909.3T
Authority: DE
Inventors: Yoshiharu Imai; Yuichi Miyata; Genta Nishio; Shun Suzuki; Kazuya Adachi; Hiroyuki Isono; Kazuma Kosaka
Original assignee: Soshin Electric Co Ltd
Current assignee: Soshin Electric Co Ltd
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2022-02-28
Publication date: 2024-01-18
Also published as: JPWO2022209505A1; CN117178429A; US20240170825A1; WO2022209505A1

Abstract

Dieser Filter (10) umfasst: ein dielektrisches Substrat (14); eine Vielzahl von Resonatoren (11A bis 1 1E), die innerhalb des dielektrischen Substrats (14) ausgebildet sind und für die die Peripherie von einem Schirmleiter umgeben ist; und Eingangs-/Ausgangsklemmen (22A, 22B), die in einem Abschnitt ausgebildet sind, in dem der Schirmleiter nicht ausgebildet ist. Der Resonator (11A) der Vielzahl von Resonatoren, der am nächsten zur Eingangs-/Ausgangsklemme (22A) liegt, und der Resonator (11E) der Vielzahl von Resonatoren, der am nächsten zur Eingangs-/Ausgangsklemme (22B) liegt, sind einer punktsymmetrischen Lagebeziehung.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Filter.
TECHNISCHER HINTERGRUND
JP 2011-507312 A offenbart eine Resonatorvorrichtung, die mit Durchgangslöchern zur Einstellung der Kopplung zwischen zwei Resonatoren bereitgestellt wird. Gemäß JP 2011-507312 A kann die induktive Kopplung (Kopplungsgrad) zwischen den beiden Resonatoren durch die Durchgangslöcher zur Kopplungseinstellung eingestellt werden.
JP 2020-198482 A schlägt einen kleinformatigen Filter vor, der hervorragende Eigenschaften zur Lösung der Probleme der in JP 2011-507312 A offenbarten Resonatorvorrichtung aufweist. Insbesondere schlägt JP 2020 - 198482 A einen Filter vor, der in der Lage ist, das Problem zu lösen, dass die Größe des Filters zunimmt, wenn der Abstand zwischen Resonatoren vergrößert wird.
Darüber hinaus schlägt JP 2020-198482 A eine Struktur vor, die in der Lage ist, den Q-Wert im Vergleich zum Stand der Technik zu verbessern, indem der Abstand zwischen Resonatoren und der Abstand von einem Schirmleiter in geeigneter Weise sichergestellt wird. Durch die Annahme dieser Struktur wurde es möglich, einen Filter mit geringerer Einfügungsdämpfung und einen Filter mit größerem Dämpfungsausmaß im Vergleich zum Stand der Technik in Betracht zu ziehen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
In JP 2020-198482 A kann ein Filter mit höherer Leistung, der durch die Annahme der obigen Struktur realisiert wird, in Betracht gezogen werden, aber wenn auf den Filter angewendet, kann das Dämpfungsausmaß aufgrund von Fertigungsschwankungen nicht ausreichend sichergestellt werden, und so können die gewünschten Filtereigenschaften nicht gewährleistet werden. Selbst innerhalb einer Resonatoranordnung, die einen hohen Q-Wert realisiert, gibt es Fälle, in denen es aus Kopplungsgraden gemäß dem Anordnungsverfahren eine starke Variation gibt.
Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, einen kleinformatigen Filter mit hervorragenden Eigenschaften bereitzustellen.
Ein Filter gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein dielektrisches Substrat; eine Vielzahl von Resonatoren, die innerhalb des dielektrischen Substrats ausgebildet und von Schirmleitern umgeben sind; und eine erste Eingangs-/Ausgangsklemme und eine zweite Eingangs-/Ausgangsklemme, die in einem Abschnitt ausgebildet sind, in dem die Schirmleiter nicht ausgebildet sind. Ein erster Resonator, der ein Resonator ist, der aus der Vielzahl von Resonatoren der ersten Eingangs-/Ausgangsklemme am nächsten ist, und ein zweiter Resonator, der aus der Vielzahl von Resonatoren ein Resonator ist, der der zweiten Eingangs-/Ausgangsklemme am nächsten ist, sind in einer Lagebeziehung, bzw. positionellen Beziehung mit Punktsymmetrie angeordnet, wobei ein Zentrum des dielektrischen Substrats in einer Draufsicht ein Zentrum der Punktsymmetrie ist; ein dritter Resonator aus der Vielzahl von Resonatoren und ein vierter Resonator aus der Vielzahl von Resonatoren in einer Lagebeziehung mit Punktsymmetrie angeordnet sind, wobei das Zentrum des dielektrischen Substrats in der Draufsicht ein Zentrum der Punktsymmetrie ist; eine Position des dritten Resonators in einer ersten Richtung, die eine Längsrichtung des dielektrischen Substrats ist, zwischen einer Position des ersten Resonators in der ersten Richtung und einer Position des Zentrums des dielektrischen Substrats in der ersten Richtung liegt; und eine Position des vierten Resonators in der ersten Richtung zwischen einer Position des zweiten Resonators in der ersten Richtung und der Position des Zentrums des dielektrischen Substrats in der ersten Richtung liegt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, einen kleinformatigen Filter mit hervorragenden Eigenschaften bereitzustellen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Filters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
2 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel;
3A zeigt ein Diagramm, das eine ideale Filterwellenform zeigt;
3B zeigt ein Diagramm, das eine Filterwellenform zeigt, die Variationen aufweist;
4A zeigt ein beschreibendes Diagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem eine Vielzahl von Resonatoren mit Liniensymmetrie angeordnet sind;
4B zeigt ein beschreibendes Diagramm, das ein Beispiel zeigt, bei dem eine Vielzahl von Resonatoren mit Punktsymmetrie angeordnet sind;
5A zeigt einen Graphen, der eine Fluktuation einer Filterwellenform gemäß Vergleichsbeispiel 1 relativ zu der idealen Filterwellenform zeigt;
5B zeigt einen Graphen, der eine Fluktuation einer Filterwellenform gemäß Vergleichsbeispiel 1 relativ zu der idealen Filterwellenform zeigt;
6A zeigt einen Graphen, der eine Fluktuation einer Filterwellenform gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 1 relativ zu der idealen Filterwellenform zeigt;
6B zeigt einen Graphen, der eine Fluktuation einer Filterwellenform gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 1 relativ zu der idealen Filterwellenform zeigt;
7A zeigt eine Seitenansicht einer kapazitiven Kopplungsstruktur zwischen Durchgangselektroden in einem Filter gemäß Vergleichsbeispiel 2;
7B zeigt eine Draufsicht auf eine obere Oberfläche der kapazitiven Kopplungsstruktur;
7C zeigt eine Seitenansicht der kapazitiven Kopplungsstruktur;
8 zeigt einen Graphen, der die Frequenzeigenschaften des Filters gemäß Vergleichsbeispiel 2 zeigt;
9A zeigt eine Seitenansicht einer kapazitiven Kopplungsstruktur zwischen Durchgangselektroden in einem Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 2;
9B zeigt eine Draufsicht auf die Oberfläche der kapazitiven Kopplungsstruktur;
9C zeigt eine Seitenansicht der kapazitiven Kopplungsstruktur;
10 zeigt einen Graphen, der die Frequenzeigenschaften des Filters gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 2 zeigt;
11A zeigt ein Ersatzschaltbild, das die kapazitive Kopplungsstruktur zwischen in Reihe geschalteten Durchgangselektrodenabschnitten zeigt;
11B zeigt eine schematische Ansicht eines Anordnungsbeispiels einer Vielzahl von flachen Elektroden im Falle einer Reihenschaltung;
11C zeigt eine Draufsicht, die schematisch ein Beispiel für eine Positionskorrektur der flachen Elektroden zeigt;
12A zeigt ein Ersatzschaltbild, das die kapazitive Kopplungsstruktur zwischen Durchgangselektrodenabschnitten zeigt, die parallel geschaltet sind;
12B zeigt eine schematische Ansicht eines Anordnungsbeispiels einer Vielzahl von flachen Elektroden im Falle einer Parallelschaltung;
13A zeigt ein Ersatzschaltbild, das die kapazitive Kopplungsstruktur zwischen in Reihe geschalteten Durchgangselektrodenabschnitten zeigt;
13B zeigt eine schematische Ansicht eines weiteren Anordnungsbeispiels einer Vielzahl von flachen Elektroden im Falle einer Reihenschaltung;
13C zeigt ein Ersatzschaltbild, das die kapazitive Kopplungsstruktur zwischen parallel geschalteten Durchgangselektrodenabschnitten zeigt;
13D zeigt eine schematische Ansicht eines weiteren Anordnungsbeispiels einer Vielzahl von flachen Elektroden im Falle einer Parallelschaltung;
14 zeigt eine Draufsicht auf eine Anordnungsbeziehung von kapazitiven Elektroden im Vergleichsbeispiel 3;
15 zeigt ein Wellenformdiagramm, das die Frequenzeigenschaften von Vergleichsbeispiel 3 zeigt;
16 zeigt eine Draufsicht auf eine Anordnungsbeziehung kapazitiver Elektroden in Ausführungsbeispielbeispiel 3;
17 zeigt ein Wellenformdiagramm, das die Frequenzeigenschaften von Ausführungsbeispielbeispiel 3 zeigt;
18 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Filters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel;
19 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
20A zeigt eine Schnittansicht eines Abschnitts des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
20B zeigt eine Schnittansicht eines Abschnitts des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
21 zeigt eine perspektivische Ansicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
22 zeigt eine perspektivische Ansicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
23 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
24 zeigt eine perspektivische Ansicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
25 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
26 zeigt eine perspektivische Ansicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
27 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
28 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel;
29 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß einem modifizierten Ausführungsbeispiel;
30 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß einem modifizierten Ausführungsbeispiel;
31 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß einem modifizierten Ausführungsbeispiel.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Im Folgenden sind die Einzelheiten eines Filters gemäß der vorliegenden Erfindung anhand von Beispielen von bevorzugten Ausführungsbeispielen bereitgestellt, wobei auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen wird.
(Erstes Ausführungsbeispiel)
Ein Filter 10 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel ist unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht des Filters 10 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. 2 zeigt eine Draufsicht des Filters 10 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. 1 und 2 zeigen ein Beispiel für einen Fall, in dem fünf Resonatoren 11A bis 11E bereitgestellt sind.
Wie in den 1 und 2 gezeigt, umfasst der Filter 10 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ein dielektrisches Substrat 14. Das dielektrische Substrat 14 ist beispielsweise in Form eines rechteckigen Parallelepipeds ausgebildet, ist aber nicht darauf beschränkt. Das dielektrische Substrat 14 wird durch Stapeln einer Vielzahl von Keramikplatten (dielektrische Keramikplatten) gebildet.
Das dielektrische Substrat 14 umfasst zwei Hauptoberflächen 14a und 14b und vier Seitenoberflächen 14c bis 14f. Eine Richtung entlang der Normalenrichtung der Seitenoberfläche 14c und der Seitenoberfläche 14d, genauer gesagt die Normalenrichtung der Seitenoberflächen 14c und 14d, ist die X-Richtung. Das heißt, die Längsrichtung des dielektrischen Substrats 14 in einer Draufsicht ist die X-Richtung. Eine Richtung entlang der Normalenrichtung der Seitenoberflächen 14e und 14f, genauer gesagt, die Normalenrichtung der Seitenoberflächen 14e und 14f, ist die Y-Richtung. Eine Richtung entlang der Normalenrichtung einer Hauptoberfläche (erste Hauptoberfläche) 14a und der anderen Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche) 14b des dielektrischen Substrats 14, genauer gesagt, die Normalenrichtung der Hauptoberflächen 14a und 14b, ist die Z-Richtung.
Auf der Seite der Hauptoberfläche 14b des dielektrischen Substrats 14 ist ein Schirmleiter, bzw. Abschirmleiter (erster-Hauptoberflächen-seitiger Schirmleiter oder unterer Schirmleiter) 12A ausgebildet. Das heißt, der Schirmleiter 12A ist auf der unteren Seite des dielektrischen Substrats 14 in 1 ausgebildet. Auf der Seite der Hauptoberfläche 14a des dielektrischen Substrats 14 ist ein Schirmleiter, bzw. Abschirmleiter (zweiter-Hauptoberflächen-seitiger Schirmleiter oder oberer Schirmleiter) 12B ausgebildet. Das heißt, der Schirmleiter 12B ist auf der oberen Seite des dielektrischen Substrats 14 in 1 ausgebildet.
Eine Eingangs-/Ausgangsklemme 22A ist auf der Seitenoberfläche 14c des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Eine Eingangs-/Ausgangsklemme 22B ist auf der Seitenoberfläche 14d des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Die Eingangs-/Ausgangsklemme 22A ist über eine Verbindungsleitung 32a mit dem Schirmleiter 12B gekoppelt. Die Eingangs-/Ausgangsklemme 22B ist über eine Verbindungsleitung 32b mit dem Schirmleiter 12B gekoppelt. In den 1 und 2 ist ein Beispiel dargestellt, bei dem die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B mit dem Schirmleiter 12B verbunden sind, die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B können aber mit jedem der Resonatoren 11A und 11E verbunden sein.
Ein Schirmleiter, bzw. Abschirmleiter 12Ca ist auf der Seitenoberfläche 14e des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Ein Schirmleiter, bzw. Abschirmleiter 12Cb ist auf der Seitenoberfläche 14f des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Die Schirmleiter 12Ca und 12Cb sind als Platten ausgebildet.
Innerhalb des dielektrischen Substrats 14 sind dem Schirmleiter 12A zugewandte Kondensatorelektroden (Streifenleitungen) 18A bis 18E ausgebildet. In 1 sind die Kondensatorelektroden 18A bis 18E in quadratischen Formen dargestellt, aber die Formen der Kondensatorelektroden 18A bis 18E sind nicht auf Quadrate beschränkt. Beispielsweise können die Kondensatorelektroden 18A bis 18E auch eine rechteckige Form aufweisen. Das Bezugszeichen 18 wird verwendet, wenn eine Kondensatorelektrode im Allgemeinen beschrieben ist, und die Bezugszeichen 18A bis 18E werden verwendet, wenn einzelne Kondensatorelektroden beschrieben sind.
Ein Durchgangselektrodenabschnitt 20A, ein Durchgangselektrodenabschnitt 20B, ein Durchgangselektrodenabschnitt 20C, ein Durchgangselektrodenabschnitt 20D und ein Durchgangselektrodenabschnitt 20E sind ebenfalls innerhalb des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Das Bezugszeichen 20 wird verwendet, wenn ein Durchgangselektrodenabschnitt im Allgemeinen beschrieben ist, und die Bezugszeichen 20A bis 20E werden verwendet, wenn einzelne Durchgangselektrodenabschnitte beschrieben sind.
Jeder Durchgangselektrodenabschnitt 20 wird durch eine Vielzahl von Durchgangselektroden 24 gebildet. Die Durchgangselektroden 24 sind jeweils in Durchgangslöcher eingebettet, die in dem dielektrischen Substrat 14 ausgebildet sind. Wie in 2 gezeigt, ist die Vielzahl von Durchgangselektroden 24, die jeden Durchgangselektrodenabschnitt 20 bilden, von oben gesehen entlang eines imaginären Rings 26 angeordnet. Genauer gesagt, die Vielzahl von Durchgangselektroden 24, die den Durchgangselektrodenabschnitt 20 bilden, sind entlang eines imaginären Kreises angeordnet. Da der Durchgangselektrodenabschnitt 20 durch Anordnung der Vielzahl von Durchgangselektroden 24 entlang des imaginären Rings 26 gebildet wird, kann sich der Durchgangselektrodenabschnitt 20 wie eine Durchgangselektrode mit großem Durchmesser verhalten, die dem imaginären Ring 26 entspricht. Da der Durchgangselektrodenabschnitt 20 aus der Vielzahl von Durchgangselektroden 24 gebildet wird, die jeweils einen relativ kleinen Durchmesser aufweisen, kann der Herstellungsprozess vereinfacht werden. Da der Durchgangselektrodenabschnitt 20 durch die Vielzahl von Durchgangselektroden 24 gebildet wird, die jeweils einen relativ kleinen Durchmesser aufweisen, kann außerdem die Variation des Durchmessers zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 reduziert werden. Da der Durchgangselektrodenabschnitt 20 durch die Vielzahl von Durchgangselektroden 24 gebildet wird, die jeweils einen relativ kleinen Durchmesser aufweisen, wird darüber hinaus weniger Material, wie z. B. Silber, zum Einbetten in die Durchgangslöcher benötigt, wodurch die Kosten gesenkt werden können.
Ein Ende (unteres Ende) des Durchgangselektrodenabschnitts 20 ist mit der Kondensatorelektrode 18 verbunden. Das andere Ende (oberes Ende) des Durchgangselektrodenabschnitts 20 ist mit dem Schirmleiter 12B verbunden. Auf diese Weise wird der Durchgangselektrodenabschnitt 20 von der Kondensatorelektrode 18 zum Schirmleiter 12B gebildet.
Ein Strukturkörper 16A wird durch die Kondensatorelektrode 18A und den Durchgangselektrodenabschnitt 20A gebildet. Ein Strukturkörper 16B wird durch die Kondensatorelektrode 18B und den Durchgangselektrodenabschnitt 20B gebildet. Ein Strukturkörper 16C wird durch die Kondensatorelektrode 18C und den Durchgangselektrodenabschnitt 20C gebildet. In ähnlicher Weise wird ein Strukturkörper 16D durch die Kondensatorelektrode 18D und den Durchgangselektrodenabschnitt 20D gebildet. Ein Strukturkörper 16E wird durch die Kondensatorelektrode 18E und den Durchgangselektrodenabschnitt 20E gebildet. Das Bezugszeichen 16 wird verwendet, wenn ein Strukturkörper im Allgemeinen beschrieben ist, und die Bezugszeichen 16A bis 16E werden verwendet, wenn einzelne Strukturkörper beschrieben sind. Muster (engl. patterns) (in den Zeichnungen nicht dargestellt) können in geeigneter Weise zwischen jeweiligen Strukturkörpern 16 bereitgestellt sind.
Der Filter 10 umfasst eine Vielzahl von Resonatoren, die jeweils die Strukturkörper 16A bis 16E umfassen. Das heißt, der Filter 10 umfasst einen Resonator 11A, einen Resonator 11B, einen Resonator 11C, einen Resonator 11D und einen Resonator 11E. Das Bezugszeichen 11 wird verwendet, wenn ein Resonator im Allgemeinen beschrieben ist, und die Bezugszeichen 11A bis 11E werden verwendet, wenn einzelne Resonatoren beschrieben sind.
Der Resonator 11A und der Resonator 11B sind benachbart zueinander angeordnet. Der Resonator 11B und der Resonator 11C sind benachbart zueinander angeordnet. Der Resonator 11C und der Resonator 11D sind benachbart zueinander angeordnet. Der Resonator 11D und der Resonator 11E sind benachbart zueinander angeordnet. Ein Durchgangselektrodenabschnitt 20 ist für jeden der Vielzahl von Resonatoren 11 bereitgestellt.
Wie in 2 gezeigt, sind der Durchgangselektrodenabschnitt 20A, der Durchgangselektrodenabschnitt 20B, der Durchgangselektrodenabschnitt 20C, der Durchgangselektrodenabschnitt 20D und der Durchgangselektrodenabschnitt 20E in X-Richtung gegeneinander verschoben. Die Position des Zentrums P3 des Durchgangselektrodenabschnitts 20C in X-Richtung liegt zwischen der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in X-Richtung und der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in X-Richtung. Vorzugsweise ist der Abstand zwischen der Position des Zentrums P3 des Durchgangselektrodenabschnitts 20C in X-Richtung und der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in X-Richtung gleich dem Abstand zwischen der Position des Zentrums P3 des Durchgangselektrodenabschnitts 20C in X-Richtung und der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in X-Richtung.
In ähnlicher Weise liegt die Position des Zentrums P3 des Durchgangselektrodenabschnitts 20C in der Y-Richtung zwischen der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in Y-Richtung und der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in Y-Richtung. Vorzugsweise ist der Abstand zwischen der Position des Zentrums P3 des Durchgangselektrodenabschnitts 20C in Y-Richtung und der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in Y-Richtung gleich dem Abstand zwischen der Position des Zentrums P3 des Durchgangselektrodenabschnitts 20C in Y-Richtung und der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in Y-Richtung. Die Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in Y-Richtung und die Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D in Y-Richtung sind die gleichen. In ähnlicher Weise sind die Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B in Y-Richtung und die Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in Y-Richtung die gleichen.
Unter den fünf Durchgangselektrodenabschnitten 20A bis 20E ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20, der der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A am nächsten liegt, der Durchgangselektrodenabschnitt 20A. Das heißt, der Abstand in X-Richtung zwischen der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A ist geringer als der Abstand in X-Richtung zwischen der Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A. Unter den fünf Durchgangselektrodenabschnitten 20A bis 20E ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20, der der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B am nächsten liegt, der Durchgangselektrodenabschnitt 20E. Der Abstand in X-Richtung zwischen der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B ist geringer als der Abstand in X-Richtung zwischen der Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20A und der Durchgangselektrodenabschnitt 20D sind an der Seite der Seitenoberfläche 14e positioniert. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20B und der Durchgangselektrodenabschnitt 20E sind an der Seite der Seitenoberfläche 14f positioniert. (Ausführungsbeispielbeispiele)
Im Folgenden sind die Ergebnisse gezeigt, die durch die Bestätigung von Unterschieden in den Eigenschaften zwischen Ausführungsbeispielbeispielen und Vergleichsbeispielen erhalten wurden.
Erstens ist in der idealen Filterwellenform, die in 3A dargestellt ist, die Variation zwischen den Intervallen zwischen den Dämpfungspolen klein und die Variation zwischen Peak-Werten, bzw. Spitzen-Werten ist ebenfalls klein. Im Gegensatz dazu ist in der Filterwellenform eines Filters mit Variation, wie in 3B gezeigt, die Variation zwischen den Intervallen zwischen den Dämpfungspolen groß und die Variation zwischen Peak-Werten, bzw. Spitzen-Werten ebenfalls groß. Infolgedessen können die gewünschten Dämpfungseigenschaften mit einem Filter, der eine Variation enthält, nicht erreicht werden. Die Ursachen hierfür sind zum Beispiel, dass es eine Variation zwischen den Kopplungsgraden der Resonatoren gibt, dass es eine Variation zwischen den Kopplungskapazitäten gibt, dass es eine Variation zwischen den Sprungkapazitäten gibt und ähnliches.
<Erstes Ausführungsbeispielbeispiel>
(Vergleichsbeispiel 1)
Wie in 4A gezeigt, umfasst ein Filter 100 gemäß Vergleichsbeispiel 1 vier Resonatoren 11A bis 11D. Diese Resonatoren 11A bis 11D sind an Positionen, die Liniensymmetrie aufweisen, angeordnet, mit der Mittellinie des dielektrischen Substrats 14 in einer Draufsicht als die Symmetrieachse. Der Resonator 11A und der Resonator 11D entsprechen sich gegenseitig. Der Resonator 11B und der Resonator 11C entsprechen sich gegenseitig. Mit anderen Worten weist der Filter 100 des Vergleichsbeispiels 1 eine Struktur auf, bei der eine Kombination des Durchgangselektrodenabschnitts 20A und des Durchgangselektrodenabschnitts 20B und eine Kombination des Durchgangselektrodenabschnitts 20C und des Durchgangselektrodenabschnitts 20D an Positionen angeordnet sind, die eine Liniensymmetrie relativ zueinander aufweisen.
Wie in den 5A und 5B gezeigt, wies die Filterwellenform des Filters 100 gemäß Vergleichsbeispiel 1 im Vergleich zur idealen Filterwellenform große Variationen auf, und die Schwankungsrichtungen (+ oder -) dieser Variationen waren ebenfalls variierend.
(Ausführungsbeispielbeispiel 1)
Wie in 4B gezeigt, umfasst der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 1 fünf Resonatoren 11A bis 11E. Diese Resonatoren 11A bis 11E sind an Positionen angeordnet, die eine Punktsymmetrie aufweisen, bzw. an punktsymmetrischen Positionen angeordnet, mit dem Zentrum C (siehe 2) des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum, bzw. wobei das Zentrum C (siehe 2) des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht das Symmetriezentrum darstellt. Der Resonator 11A und der Resonator 11E entsprechen sich gegenseitig. Das heißt, der Resonator 11A, der den geringsten Abstand zur Eingangs-/Ausgangsklemme 22A hat, und der Resonator 11E, der den geringsten Abstand zur Eingangs-/Ausgangsklemme 22B hat, sind punktsymmetrisch angeordnet. Außerdem entsprechen der Resonator 11B und der Resonator 11D sich gegenseitig. Mit anderen Worten, der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 1 weist eine Struktur auf, bei der der Durchgangselektrodenabschnitt 20A, der dem einen Eingang/Ausgang am nächsten liegt, und der Durchgangselektrodenabschnitt 20E, der dem anderen Eingang/Ausgang am nächsten liegt, an Positionen angeordnet sind, die Punktsymmetrie aufweisen. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20B und der Durchgangselektrodenabschnitt 20D sind ebenfalls an punktsymmetrischen Positionen angeordnet.
Wie in den 6A und 6B gezeigt, wies der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 1 im Vergleich zur idealen Filterwellenform geringe Variationen auf und die Schwankungsrichtung war konstant.
<Zweites Ausführungsbeispielbeispiel>
(Vergleichsbeispiel 2)
Wie in den 7A bis 7C gezeigt, ist eine kapazitive Kopplungsstruktur 52 zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 des Filters gemäß dem Vergleichsbeispiel 2 enthalten. In dieser kapazitiven Kopplungsstruktur 52 sind ein Spitzenabschnitt einer flachen Elektrode 50A, die mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A gekoppelt ist, und ein Spitzenabschnitt einer flachen Elektrode 50B, die mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B gekoppelt ist, in einer Seitenansicht voneinander getrennt. Darüber hinaus überlappen in dieser kapazitiven Kopplungsstruktur 52 der Spitzenabschnitt der mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A gekoppelten flache Elektrode 50A und der Spitzenabschnitt der mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B gekoppelten flache Elektrode 50B in der Draufsicht miteinander. Insbesondere sind der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A und der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B einander zugewandt. Das Bezugszeichen 50 wird verwendet, wenn eine flache Elektrode im Allgemeinen beschrieben ist, und die Bezugszeichen 50A bis 50D werden verwendet, wenn einzelne flache Elektroden beschrieben sind.
Die Frequenzeigenschaften des Filters gemäß Vergleichsbeispiel 2 waren so, dass es eine große Variation der Dämpfungseigenschaft in der Niederfrequenzregion gab, wie in 8 gezeigt.
(Ausführungsbeispielbeispiel 2)
Der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 2 ist mit einer kapazitiven Kopplungsstruktur 54 zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 bereitgestellt. Diese kapazitive Kopplungsstruktur 54 ist zwischen jedem Satz von benachbarten Durchgangselektrodenabschnitten 20 bereitgestellt. Ein Beispiel für die kapazitive Kopplungsstruktur 54, die zwischen dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B bereitgestellt ist, ist in den 9A bis 9C dargestellt. Die in den 9A bis 9C dargestellte kapazitive Kopplungsstruktur 54 umfasst zwei flache Elektroden 50Aa und 50Ab, die mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A gekoppelt sind, zwei flache Elektroden 50Ba und 50Bb, die mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B gekoppelt sind, und eine flache Elektrode 50C. Ein Spitzenabschnitt 50Ca der flache Elektrode 50C ist in der Seitenansicht zwischen der flachen Elektrode 50Aa und der flachen Elektrode 50Ab positioniert. Der Spitzenabschnitt 50Ca der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Aa sind in der Seitenansicht voneinander getrennt. Der Spitzenabschnitt 50Ca der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Ab sind in der Seitenansicht voneinander getrennt. Der Spitzenabschnitt 50Ca der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Aa überlappen einander in der Draufsicht. Insbesondere der Spitzenabschnitt 50Ca der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Aa sind einander zugewandt. Der Spitzenabschnitt 50Ca der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Ab überlappen einander in der Draufsicht. Insbesondere der Spitzenabschnitt 50Ca der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Ab sind einander zugewandt. Der andere Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C ist in der Seitenansicht zwischen der flachen Elektrode 50Ba und der flachen Elektrode 50Bb positioniert. Der Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Ba sind in der Seitenansicht voneinander getrennt. Der Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Bb sind in der Seitenansicht voneinander getrennt. Der Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Ba überlappen einander in der Draufsicht. Insbesondere der Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Ba sind einander zugewandt. Der Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Bb überlappen einander in der Draufsicht. Insbesondere sind der Spitzenabschnitt 50Cb der flachen Elektrode 50C und die flache Elektrode 50Bb einander zugewandt.
Die Frequenzeigenschaften des Filters gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 2 waren so, dass es eine geringe Variation der Dämpfungseigenschaft in der Niederfrequenzregion gab, wie in 10 gezeigt. Das heißt, mit dem Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 2 gibt es fast keine Variation in der Dämpfungseigenschaft in der Niederfrequenzregion.
Die kapazitive Kopplungsstruktur 54, die zwischen dem Durchgangselektrodenabschnitt 20 bereitgestellt ist, ist nicht auf die oben beschriebene Struktur beschränkt. Beispielsweise kann eine kapazitive Kopplungsstruktur 54, wie in 11A dargestellt, zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 bereitgestellt sein. Als weiteres Beispiel kann die in 11B gezeigte Struktur als kapazitive Kopplungsstruktur 54 angenommen werden, bei der eine Kapazität C1 und eine Kapazität C2 in Reihe geschaltet sind.
In der in 11B gezeigten kapazitiven Kopplungsstruktur 54 sind der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A, der sich von dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A erstreckt, und der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B, der sich von dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B erstreckt, voneinander getrennt. In dieser kapazitiven Kopplungsstruktur 54 sind der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A und die flache Elektrode 50C in der Seitenansicht voneinander getrennt. In dieser kapazitiven Kopplungsstruktur 54 sind der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B und die flache Elektrode 50C in der Seitenansicht voneinander getrennt. In dieser kapazitiven Kopplungsstruktur 54 überlappen der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A und die flache Elektrode 50C in der Draufsicht miteinander. Das heißt, der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A und die flache Elektrode 50C sind einander zugewandt. Bei dieser kapazitiven Kopplungsstruktur 54 überlappen der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B und die flache Elektrode 50C in der Draufsicht miteinander. Das heißt, der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B und die flache Elektrode 50C sind einander zugewandt.
In diesem Fall kann die Kapazität C1, die durch die flache Elektrode 50A und die flache Elektrode 50C gebildet wird, dieselbe sein wie die Kapazität C2, die durch die flache Elektrode 50B und die flache Elektrode 50C gebildet wird, oder sie kann sich davon unterscheiden. Das Diagramm im oberen Abschnitt von 11C zeigt ein Beispiel, bei dem die Kapazität C1 und die Kapazität C2 gleich sind. Das Diagramm im unteren Abschnitt von 11C zeigt ein Beispiel, bei dem die Position der flachen Elektrode 50C so verschoben ist, um die Kapazität C2 größer als die Kapazität C1 zu machen. Stattdessen kann die Kapazität C1 durch Verschieben der Position der flachen Elektrode 50C größer als die Kapazität C2 gemacht werden.
Die kapazitive Kopplungsstruktur 54, die zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 bereitgestellt ist, ist nicht auf die oben beschriebene Struktur beschränkt. Beispielsweise kann eine kapazitive Kopplungsstruktur 54, wie in 12A dargestellt, zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 bereitgestellt sein. Als weiteres Beispiel kann die in 12B gezeigte Struktur als kapazitive Kopplungsstruktur 54 angenommen werden, bei der eine Kapazität C1 und eine Kapazität C2 parallel geschaltet sind.
In der in 12B gezeigten kapazitiven Kopplungsstruktur 54 überlappen der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A, der sich von dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A erstreckt, und der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B, der sich von dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B erstreckt, in der Draufsicht miteinander. Die flache Elektrode 50A und die flache Elektrode 50B sind in der Seitenansicht voneinander getrennt. Das heißt, der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50A und der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50B sind einander zugewandt. In der in 12B dargestellten kapazitiven Kopplungsstruktur 54 überlappen der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50C, der sich vom Durchgangselektrodenabschnitt 20A erstreckt, und der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50D, der sich vom Durchgangselektrodenabschnitt 20B erstreckt, in der Draufsicht. Die flache Elektrode 50C und die flache Elektrode 50D sind in der Seitenansicht voneinander getrennt. Das heißt, der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50C und der Spitzenabschnitt der flachen Elektrode 50D sind einander zugewandt. Die flache Elektrode 50A und die flache Elektrode 50D können an entsprechenden Positionen in derselben Schicht ausgebildet sein, und die flache Elektrode 50B und die flache Elektrode 50C können an entsprechenden Positionen in derselben Schicht ausgebildet sein. In diesem Fall können die Schicht, in der die flache Elektrode 50A und die flache Elektrode 50D ausgebildet sind, und die Schicht, in der die flache Elektrode 50B und die flache Elektrode 50C ausgebildet sind, voneinander verschieden sein.
Wie in 12B gezeigt, kann die Kapazität C1 zwischen der flachen Elektrode 50A und der flachen Elektrode 50B in geeigneter Weise eingestellt werden, indem die relative Lagebeziehung, bzw. Positionsbeziehung zwischen der flachen Elektrode 50A und der flachen Elektrode 50B verändert wird. Darüber hinaus kann die Kapazität C2 zwischen der flachen Elektrode 50C und der flachen Elektrode 50D durch Ändern der relativen Lagebeziehung zwischen der flachen Elektrode 50C und der flachen Elektrode 50D in geeigneter Weise eingestellt werden.
In der oben anhand der 11A bis 11C beschriebenen kapazitiven Kopplungsstruktur 54 kann die Kapazität zwischen den flachen Elektroden 50 durch eine relative Verschiebung der flachen Elektrode 50C in eine Richtung (Erstreckungsrichtung der flachen Elektrode) eingestellt werden. In der kapazitiven Kopplungsstruktur 54, die oben anhand der 12A und 12B beschrieben wurde, kann die Kapazität zwischen den flachen Elektroden 50 durch eine relative Verschiebung der flachen Elektroden 50A und 50D in eine Richtung (Erstreckungsrichtung der flachen Elektroden) eingestellt werden. Die Einstellung der Kapazität zwischen den flachen Elektroden 50 ist nicht auf das oben Gesagte, bzw. Gezeigte beschränkt. Wie in den 13A und 13B gezeigt, kann die Kapazität zwischen den flachen Elektroden 50 beispielsweise durch eine relative Verschiebung der flachen Elektrode 50C in zwei Richtungen (die Erstreckungsrichtung der flachen Elektrode und eine dazu orthogonale Richtung) eingestellt werden. In dem Beispiel der 13A und 13B überlappt ein Ende der flachen Elektrode 50C mit mindestens einem Eckabschnitt der flachen Elektrode 50A in der Draufsicht. Darüber hinaus überlappt in dem Beispiel der 13A und 13B das andere Ende der flachen Elektrode 50C mit mindestens einem Eckabschnitt der flachen Elektrode 50B in der Draufsicht.
Wie in den 13C und 13D gezeigt, kann die Kapazität zwischen den flachen Elektroden 50 durch eine relative Verschiebung der flachen Elektrode 50A und der flachen Elektrode 50B in zwei Richtungen (die Erstreckungsrichtung der flachen Elektroden und eine dazu orthogonale Richtung) eingestellt werden. Außerdem kann die Kapazität zwischen den flachen Elektroden 50 durch eine relative Verschiebung der flachen Elektrode 50C und der flachen Elektrode 50D in zwei Richtungen (die Erstreckungsrichtung der flachen Elektroden und eine dazu orthogonale Richtung) eingestellt werden. Die flache Elektrode 50C und die flache Elektrode 50D können in den beiden Richtungen relativ verschoben werden, während auch die flache Elektrode 50A und die flache Elektrode 50B in den beiden Richtungen relativ verschoben werden. In dem in den 13C und 13D gezeigten Beispiel überlappt die flache Elektrode 50A mit mindestens einem Eckabschnitt der flachen Elektrode 50B in der Draufsicht. Darüber hinaus überlappt in dem in den 13C und 13D gezeigten Beispiel die flache Elektrode 50D mit mindestens einem Eckabschnitt der flachen Elektrode 50C in der Draufsicht.
<Drittes Ausführungsbeispielbeispiel>
Wie in 14 gezeigt, umfasst der Filter gemäß dem Vergleichsbeispiel 3 kapazitive Elektroden 60ab, 60ac, 60ba und 60bc. Wie in 16 gezeigt, umfasst der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 3 außerdem kapazitive Elektroden 60ab, 60ac, 60ba und 60bc. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20A umfasst die kapazitive Elektrode 60ab, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20B erstreckt, und die kapazitive Elektrode 60ac, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20C erstreckt. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20B umfasst die kapazitive Elektrode 60ba, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20A erstreckt, und die kapazitive Elektrode 60bc, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20C erstreckt.
Wie in 14 gezeigt, umfasst der Filter gemäß Vergleichsbeispiel 3 kapazitive Elektroden 60dc, 60de, 60ec und 60ed. Wie in 16 gezeigt, umfasst der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 3 außerdem kapazitive Elektroden 60dc, 60de, 60ec und 60ed. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20D umfasst die kapazitive Elektrode 60dc, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20C erstreckt, und die kapazitive Elektrode 60de, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20E erstreckt. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20E umfasst die kapazitive Elektrode 60ec, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20C erstreckt, und die kapazitive Elektrode 60ed, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20D erstreckt.
Wie in 14 gezeigt, umfasst der Filter gemäß Vergleichsbeispiel 3 kapazitive Elektroden 60ca, 60cb, 60cd und 60ce. Wie in 16 gezeigt, umfasst der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 3 außerdem kapazitive Elektroden 60ca, 60cb, 60cd und 60ce. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20C umfasst die kapazitive Elektrode 60ca, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20A erstreckt, die kapazitive Elektrode 60cb, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20B erstreckt, die kapazitive Elektrode 60cd, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20D erstreckt, und die kapazitive Elektrode 60ce, die sich in Richtung des Durchgangselektrodenabschnitts 20E erstreckt. Das Bezugszeichen 60 wird verwendet, wenn eine kapazitive Elektrode im Allgemeinen beschrieben ist, und die Bezugszeichen 60ab, 60ac, 60ba, 60bc, 60dc, 60de, 60ec, 60ed, 60ca, 60cb, 60cd, 60ce werden verwendet, wenn bestimmte kapazitive Elektroden beschrieben sind. Kapazitive Elektroden 60, die nahe beieinander sind, sind kapazitiv gekoppelt. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 61A wird durch die kapazitive Elektrode 60ac und die kapazitive Elektrode 60ca gebildet, die nahe beieinander sind. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 61B wird durch die kapazitive Elektrode 60ec und die kapazitive Elektrode 60ce gebildet, die nahe beieinander sind. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 61C wird durch die kapazitive Elektrode 60ab und die kapazitive Elektrode 60ba gebildet, die nahe beieinander sind. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 61D wird durch die kapazitive Elektrode 60de und die kapazitive Elektrode 60ed gebildet, die nahe beieinander sind. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 61E wird durch die kapazitive Elektrode 60bc und die kapazitive Elektrode 60cb gebildet, die nahe beieinander sind. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 61F wird durch die kapazitive Elektrode 60cd und die kapazitive Elektrode 60dc gebildet, die nahe beieinander sind.
(Vergleichsbeispiel 3)
Wie in 14 gezeigt, wird im Vergleichsbeispiel 3 jeder Abstand g1 zwischen einem Paar kapazitiver Elektroden 60 (Abstand in einer Richtung orthogonal zur Erstreckungsrichtung der kapazitiven Elektroden 60) unabhängig von der Empfindlichkeit der den Filter bildenden Elemente gleich eingestellt. Das heißt, dass in dem Filter gemäß Vergleichsbeispiel 3 der Abstand g1 zwischen den jeweiligen kapazitiven Elektroden 60 unabhängig vom Kopplungsgrad zwischen den Resonatoren 11 gleich eingestellt ist. Im Vergleichsbeispiel 3 ist die Empfindlichkeit zwischen der kapazitiven Elektrode 60ac und der kapazitiven Elektrode 60ca relativ hoch. Das heißt, im Vergleichsbeispiel 3 ist der Kopplungsgrad zwischen dem Resonator 11A und dem Resonator 11C relativ hoch. Außerdem ist im Vergleichsbeispiel 3 die Empfindlichkeit zwischen der kapazitiven Elektrode 60ec und der kapazitiven Elektrode 60ce relativ hoch. Das heißt, der Kopplungsgrad zwischen dem Resonator 11C und dem Resonator 11E ist relativ hoch.
Wie in 15 gezeigt, waren die Frequenzeigenschaften des Filters gemäß Vergleichsbeispiel 3 so, dass es eine große Variation in der Dämpfungseigenschaft in der Hochfrequenzregion gab.
(Ausführungsbeispielbeispiel 3)
Wie in 16 gezeigt, wurden in Ausführungsbeispielbeispiel 3 die Abstände zwischen Paaren von kapazitiven Elektroden 60 entsprechend der Empfindlichkeit der Elemente, die den Filter 10 bilden, in geeigneter Weise eingestellt. Das heißt, in Ausführungsbeispielbeispiel 3 wurden die Abstände zwischen Paaren von kapazitiven Elektroden 60 entsprechend dem Kopplungsgrad zwischen den Resonatoren 11 eingestellt. In 16 wurden der Abstand g2 zwischen der kapazitiven Elektrode 60ac und der kapazitiven Elektrode 60ca und der Abstand g2 zwischen der kapazitiven Elektrode 60ec und der kapazitiven Elektrode 60ce so eingestellt, dass er größer ist als der Abstand g1 zwischen anderen Paaren von kapazitiven Elektroden 60. Das heißt, im Ausführungsbeispielbeispiel 3 wurde der Abstand g2 zwischen den kapazitiven Elektroden 60 in den kapazitiven Kopplungsstrukturen 61A und 61B größer eingestellt als der Abstand g1 zwischen den kapazitiven Elektroden 60 in den kapazitiven Kopplungsstrukturen 61C bis 61F.
Als Ergebnis waren, wie in 17 gezeigt, die Frequenzeigenschaften des Filters gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 3 so hervorragend, und es gab sehr wenig Variation in der Dämpfungseigenschaft in der Hochfrequenzregion. Das heißt, der Filter gemäß Ausführungsbeispielbeispiel 3 kann die Variation in der Dämpfungseigenschaft reduzieren.
Auf diese Weise ist es in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, die Variation des Kopplungsgrades zwischen den Resonatoren 11 einzuschränken, indem der Resonator 11A, der der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A am nächsten ist, und der Resonator 11E, der der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B am nächsten ist, an Positionen angeordnet werden, die Punktsymmetrie aufweisen.
Wie in 2 gezeigt, sind beispielsweise im Falle eines fünfstufigen Filters der Resonator 11A der ersten Stufe und der Resonator 11E der fünften Stufe an Positionen angeordnet, die in Bezug auf das Zentrum des dielektrischen Substrats 14C in der Draufsicht eine Punktsymmetrie aufweisen, bzw. punktsymmetrisch sind.
Des Weiteren werden die Strukturen der Kopplungskapazitäten und Sprungkapazitäten nicht durch die einander zugewandten flachen Elektroden gebildet, sondern dadurch, dass die flache Elektrode durch die in zwei Schichten gebildeten flachen Elektroden 50 sandwichartig umgeben ist und dass sie in Reihe geschaltet werden, wodurch es möglich ist, die Variation zu begrenzen.
Der Abstand zwischen den kapazitiven Elektroden 60, die in der gleichen Schicht ausgebildet sind, wird entsprechend der Empfindlichkeit der Elemente, die den Filter bilden, auf einen geeigneten Abstand eingestellt, so dass es möglich ist, die Variation der Filtereigenschaften zu reduzieren.
(Zweites Ausführungsbeispiel)
Im Folgenden ist ein Filter gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel beschrieben. 18 zeigt eine perspektivische Ansicht, die den Filter gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zeigt. 19 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. 20A und 20B zeigen jeweils eine Schnittansicht, die einen Teil des Filters gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zeigt. 21 und 22 zeigen jeweils eine perspektivische Ansicht des Filters gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. 23 zeigt eine Draufsicht des Filters gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. 24 zeigt eine perspektivische Ansicht des Filters gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. 25 zeigt eine Draufsicht, die den Filter gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zeigt. 26 zeigt eine perspektivische Ansicht, die den Filter gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel zeigt. 27 und 28 zeigen jeweils eine Draufsicht des Filters gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. Der Einfachheit halber sind einige Konfigurationselemente in den 18 bis 28 weggelassen.
Der Filter 10 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel umfasst vier Resonatoren 11. Insbesondere umfasst der Filter 10 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel einen Resonator 11A, einen Resonator 11B, einen Resonator 11D und einen Resonator 11E. Der Filter 10 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel enthält nicht den Resonator 11C (siehe 1).
Der Resonator (erster Resonator) 11A und der Resonator (zweiter Resonator) 11E sind an punktsymmetrischen Positionen angeordnet, bzw. an Positionen angeordnet, die eine Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum, bzw. wobei das Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht das Symmetriezentrum darstellt. Der Resonator (dritter Resonator) 11B und der Resonator (vierter Resonator) 11D sind an Positionen angeordnet, die eine Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum.
Die Position des Resonators 11B in X-Richtung liegt zwischen der Position des Resonators 11A in X-Richtung und dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in X-Richtung.
Die Position des Resonators 11D in X-Richtung liegt zwischen der Position des Resonators 11E in X-Richtung und dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in X-Richtung.
Der Resonator 11A und der Resonator 11B sind so angeordnet, dass sie einander benachbart sind. Der Resonator 11B und der Resonator 11D sind so angeordnet, dass sie einander benachbart sind. Der Resonator 11D und der Resonator 11E sind so angeordnet, dass sie einander benachbart sind.
Wie in 19 gezeigt, sind der Durchgangselektrodenabschnitt 20A, der Durchgangselektrodenabschnitt 20B, der Durchgangselektrodenabschnitt 20D und der Durchgangselektrodenabschnitt 20E relativ zueinander in X-Richtung verschoben. Die Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B in X-Richtung liegt zwischen der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in X-Richtung und der Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D in X-Richtung. Die Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D in X-Richtung liegt zwischen der Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B in X-Richtung und der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in X-Richtung.
Die Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A in Y-Richtung und die Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D in Y-Richtung sind die gleiche. Die Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B in Y-Richtung und die Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E in Y-Richtung sind die gleiche. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20B und der Durchgangselektrodenabschnitt 20E sind in Y-Richtung relativ zum Durchgangselektrodenabschnitt 20A und zum Durchgangselektrodenabschnitt 20D verschoben. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20A und der Durchgangselektrodenabschnitt 20D sind auf der Seite der Seitenoberfläche 14e positioniert. Insbesondere ist der Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20D und dem Schirmleiter 12Ca geringer als der Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20D und dem Schirmleiter 12Cb. Die Durchgangselektrodenabschnitte 20B und 20E sind auf der Seite der Seitenoberfläche 14f positioniert. Insbesondere ist der Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20B und 20E und dem Schirmleiter 12Cb geringer als der Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20B und 20E und dem Schirmleiter 12Ca.
Auf diese Weise sind bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A und die Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B nicht nur in der X-Richtung, sondern auch in der Y-Richtung gegeneinander verschoben. Daher ist es gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, den Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20B zu vergrößern, ohne den Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20B in X-Richtung zu vergrößern. Darüber hinaus sind gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B und die Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D nicht nur in der X-Richtung, sondern auch in der Y-Richtung gegeneinander verschoben. Daher ist es gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, den Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20B und 20D zu vergrößern, ohne den Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20B und 20D in X-Richtung zu vergrößern. Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D und die Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E nicht nur in der X-Richtung, sondern auch in der Y-Richtung gegeneinander verschoben. Daher ist es gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, den Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20D und 20E zu vergrößern, ohne den Abstand zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20D und 20E in X-Richtung zu vergrößern. Auf diese Weise ist es gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, den Kopplungsgrad zwischen benachbarten Resonatoren 11 zu reduzieren, ohne den Abstand in X-Richtung zwischen benachbarten Resonatoren 11 zu vergrößern. Dementsprechend ist es mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel möglich, einen Filter 10 mit hervorragenden Eigenschaften zu realisieren, während die Größe des Filters 10 klein gehalten wird.
Unter den vier Durchgangselektrodenabschnitten 20A, 20B, 20D und 20E ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20, der der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A am nächsten liegt, der Durchgangselektrodenabschnitt 20A. Der Abstand in X-Richtung zwischen der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A ist geringer als der Abstand in X-Richtung zwischen dem Zentrum P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A. Der Abstand in Y-Richtung zwischen der Position des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A ist gleich dem Abstand in Y-Richtung zwischen der Position des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A.
Unter den vier Durchgangselektrodenabschnitten 20A, 20B, 20D und 20E ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20, der der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B am nächsten liegt, der Durchgangselektrodenabschnitt 20E. Der Abstand in X-Richtung zwischen der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B ist kleiner als der Abstand in X-Richtung zwischen dem Zentrum P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B. Der Abstand in Y-Richtung zwischen der Position des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B ist gleich dem Abstand in Y-Richtung zwischen der Position des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D und der Position der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B.
Die Resonatoren 11A, 11B, 11D und 11E sind an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Insbesondere der Resonator 11A und der Resonator 11E sind an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Außerdem sind der Resonator 11B und der Resonator 11D an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Grund für die Anordnung der Resonatoren 11A, 11B, 11D und 11E mit Punktsymmetrie, um hervorragende Frequenzeigenschaften zu realisieren.
Die Positionen in Y-Richtung des Zentrums P1 des Durchgangselektrodenabschnitts 20A und des Zentrums P4 des Durchgangselektrodenabschnitts 20D sind auf der Seite der Seitenoberfläche 14e der Position in Y-Richtung des Zentrums C des dielektrischen Substrats 14. Die Positionen in Y-Richtung des Zentrums P2 des Durchgangselektrodenabschnitts 20B und des Zentrums P5 des Durchgangselektrodenabschnitts 20E sind auf der Seite der Seitenoberfläche 14f der Position in Y-Richtung des Zentrums C des dielektrischen Substrats 14. Die Positionen in Y-Richtung des Zentrums der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A und des Zentrums der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B sind eingestellt, dass sie mit der Position in Y-Richtung des Zentrums C des dielektrischen Substrats 14 gleich sind.
Wie in 22 gezeigt, sind innerhalb des dielektrischen Substrats 14 kapazitive Kopplungselektroden (flache Elektroden) 70A bis 70F ausgebildet. Die kapazitive Kopplungselektrode 70A ist für den Resonator 11A bereitgestellt. Die kapazitive Kopplungselektrode 70B ist für den Resonator 11E bereitgestellt. Die kapazitive Kopplungselektrode 70C ist für den Resonator 11B bereitgestellt. Die kapazitive Kopplungselektrode 70D ist für den Resonator 11D bereitgestellt. Die kapazitiven Kopplungselektroden 70E und 70F sind in der Nähe des Zentrums C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht bereitgestellt (siehe 19). Die kapazitiven Kopplungselektroden 70A bis 70F sind in der gleichen Schicht ausgebildet. Mit anderen Worten, die kapazitiven Kopplungselektroden 70A bis 70F sind auf der gleichen Keramikplatte (nicht dargestellt) ausgebildet. Das Bezugszeichen 70 wird für Beschreibungen verwendet, die nicht zwischen einzelnen kapazitiven Kopplungselektroden unterscheiden, und die Bezugszeichen 70A bis 70F werden für Beschreibungen verwendet, die zwischen einzelnen kapazitiven Kopplungselektroden unterscheiden. Zwischen den kapazitiven Kopplungselektroden 70 und der Kondensatorelektrode 18 sind eine oder mehrere Keramikplatten (nicht dargestellt) bereitgestellt. Die kapazitiven Kopplungselektroden 70 können z.B. durch Drucken gebildet werden.
Die kapazitiven Kopplungselektroden 70 sind an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Insbesondere sind die kapazitive Kopplungselektrode 70A und die kapazitive Kopplungselektrode 70B an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Darüber hinaus sind die kapazitive Kopplungselektrode 70C und die kapazitive Kopplungselektrode 70D an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Darüber hinaus sind die kapazitive Kopplungselektrode 70E und die kapazitive Kopplungselektrode 70F an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel liegt der Grund für die Anordnung der kapazitiven Kopplungselektroden 70 mit Punktsymmetrie darin, es möglich zumachen hervorragende Frequenzeigenschaften zu realisieren.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70A ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A verbunden. Die untere Oberfläche der kapazitiven Kopplungselektrode 70A ist mit der oberen Oberfläche der Kondensatorelektrode 18A über einen Teil des Durchgangselektrodenabschnitts 20A verbunden.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70B ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E verbunden. Die untere Oberfläche der kapazitiven Kopplungselektrode 70B ist mit der oberen Oberfläche der Kondensatorelektrode 18E über einen Teil des Durchgangselektrodenabschnitts 20E verbunden.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70C ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B verbunden. Die untere Oberfläche der kapazitiven Kopplungselektrode 70C ist mit der oberen Oberfläche der Kondensatorelektrode 18B über einen Teil des Durchgangselektrodenabschnitts 20B verbunden.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70D ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D verbunden. Die untere Oberfläche der kapazitiven Kopplungselektrode 70D ist mit der oberen Oberfläche der Kondensatorelektrode 18D über einen Teil des Durchgangselektrodenabschnitts 20D verbunden.
Wie in 23 gezeigt, umfasst die kapazitive Kopplungselektrode 70A Teilmuster (Elektrodenmuster) 70A1 bis 70A3. Das Teilmuster 70A1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A verbunden. Ein Ende des Teilmusters 70A2 ist mit dem Teilmuster 70A1 verbunden. Das Teilmuster 70A2 steht in +X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 70A3 ist mit dem Teilmuster 70A1 verbunden. Das Teilmuster 70A3 steht in +Y-Richtung hervor.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70B umfasst Teilmuster 70B1 bis 70B3. Das Teilmuster 70B1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E verbunden. Ein Ende des Teilmusters 70B2 ist mit dem Teilmuster 70B1 verbunden. Das Teilmuster 70B2 steht in -X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 70B3 ist mit dem Teilmuster 70B1 verbunden. Das Teilmuster 70B3 steht in -Y-Richtung hervor.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70C umfasst Teilmuster 70C1 bis 70C3. Das Teilmuster 70C1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B verbunden. Ein Ende des Teilmusters 70C2 ist mit dem Teilmuster 70C1 verbunden. Das Teilmuster 70C2 steht in -X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 70C3 ist mit dem Teilmuster 70C1 verbunden. Das Teilmuster 70C3 steht in +X-Richtung hervor.
Die kapazitive Kopplungselektrode 70D umfasst Teilmuster 70D1 bis 70D3. Das Teilmuster 70D1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D verbunden. Ein Ende des Teilmusters 70D2 ist mit dem Teilmuster 70D1 verbunden. Das Teilmuster 70D2 steht in +X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 70D3 ist mit dem Teilmuster 70D1 verbunden. Das Teilmuster 70D3 steht in -X-Richtung hervor.
Die Position in Y-Richtung der kapazitiven Kopplungselektrode 70E liegt zwischen den Positionen in Y-Richtung der kapazitiven Kopplungselektroden 70A und 70D und den Positionen in Y-Richtung der kapazitiven Kopplungselektroden 70B und 70C. Die Position in X-Richtung der kapazitiven Kopplungselektrode 70E liegt zwischen der Position in X-Richtung des der kapazitiven Kopplungselektrode 70A bereitgestellten Teilmusters 70A3 und der Position in X-Richtung der kapazitiven Kopplungselektrode 70F. Die kapazitive Kopplungselektrode 70E ist mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70C verbunden.
Die Position in Y-Richtung der kapazitiven Kopplungselektrode 70F liegt zwischen den Positionen in Y-Richtung der kapazitiven Kopplungselektroden 70A und 70D und den Positionen in Y-Richtung der kapazitiven Kopplungselektroden 70B und 70C. Die Position in X-Richtung der kapazitiven Kopplungselektrode 70F liegt zwischen der Position in X-Richtung des der kapazitiven Kopplungselektrode 70B bereitgestellten Teilmusters 70B3 und der Position in X-Richtung der kapazitiven Kopplungselektrode 70E. Die kapazitive Kopplungselektrode 70F ist mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70D verbunden.
Wie in 22 gezeigt, sind auch kapazitive Kopplungselektroden (flache Elektroden) 72A bis 72E innerhalb des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Die kapazitiven Kopplungselektroden 72A bis 72E sind in der gleichen Schicht ausgebildet. Mit anderen Worten, die kapazitiven Kopplungselektroden 72A bis 72E sind auf der gleichen Keramikplatte (nicht dargestellt) ausgebildet. Das Bezugszeichen 72 wird für Beschreibungen verwendet, die nicht zwischen einzelnen kapazitiven Kopplungselektroden unterscheiden, und die Bezugszeichen 72A bis 72E werden für Beschreibungen verwendet, die zwischen einzelnen kapazitiven Kopplungselektroden unterscheiden. Zwischen den kapazitiven Kopplungselektroden 72 und den kapazitiven Kopplungselektroden 70 sind eine oder mehrere Keramikplatten (nicht dargestellt) bereitgestellt. Die kapazitiven Kopplungselektroden 72 können z.B. durch Drucken gebildet werden.
Die kapazitiven Kopplungselektroden 72 sind an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum (siehe 19). Insbesondere sind die kapazitive Kopplungselektrode 72A und die kapazitive Kopplungselektrode 72B punktsymmetrisch angeordnet, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Darüber hinaus sind die kapazitive Kopplungselektrode 72C und die kapazitive Kopplungselektrode 72D punktsymmetrisch angeordnet, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Grund für die Anordnung der kapazitiven Kopplungselektroden 72 mit Punktsymmetrie, dass es möglich wird, ausgezeichnete Frequenzeigenschaften zu realisieren.
Wie in 23 gezeigt, ist die Längsrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72A die Y-Richtung. Ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72A überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70A. Genauer gesagt, ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72A überlappt in der Draufsicht mit dem Teilmuster 70A3. Das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72A überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70C. Genauer gesagt, das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72A überlappt in der Draufsicht mit dem Teilmuster 70C2. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 71A wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 70A, die kapazitive Kopplungselektrode 72A und die kapazitive Kopplungselektrode 70C gebildet.
Die Längsrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72B ist die Y-Richtung. Ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72B überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70D. Genauer gesagt, ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72B überlappt in der Draufsicht mit dem Teilmuster 70D2. Das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72B überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70B. Genauer gesagt, das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72B überlappt in der Draufsicht mit dem Teilmuster 70B3. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 71B wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 70B, die kapazitive Kopplungselektrode 72B und die kapazitive Kopplungselektrode 70D gebildet.
Die Längsrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C ist die X-Richtung. Ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70A. Genauer gesagt, ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C überlappt in der Draufsicht mit dem Teilmuster 70A2. Das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70D. Genauer gesagt, das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C überlappt in der Draufsicht mit dem Teilmuster 70D3. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 71C wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 70A, die kapazitive Kopplungselektrode 72C und die kapazitive Kopplungselektrode 70D gebildet. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20A und der Durchgangselektrodenabschnitt 20D sind auf der Erweiterungsregion der kapazitiven Kopplungselektrode 72C positioniert. Insbesondere ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20A auf der Erweiterungsregion an einem Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C positioniert, und der Durchgangselektrodenabschnitt 20D ist auf der Erweiterungsregion am anderen Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C positioniert.
Die Längsrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D ist die X-Richtung. Ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72D überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70B. Genauer gesagt überlappt ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72D mit dem Teilmuster 70B2 in der Draufsicht. Das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72D überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70C. Genauer gesagt überlappt das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72D mit dem Teilmuster 70C3 in der Draufsicht. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 71D wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 70B, die kapazitive Kopplungselektrode 72D und die kapazitive Kopplungselektrode 70C gebildet. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20B und der Durchgangselektrodenabschnitt 20E sind auf der Erweiterungsregion der kapazitiven Kopplungselektrode 72D positioniert. Insbesondere ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20E auf der Erweiterungsregion an einem Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72D positioniert, und der Durchgangselektrodenabschnitt 20B ist auf der Erweiterungsregion am anderen Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72C positioniert.
Die Längsrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E ist die X-Richtung. Ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72E überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70E. Das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72E überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70F.
Ein Zwischenelektrodenabstand d1 (siehe 20A) zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72 und der kapazitiven Kopplungselektrode 70 in der Dickenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72 beträgt beispielsweise etwa 0,12 mm, ist aber nicht darauf beschränkt. Der Zwischenelektrodenabstand d1 kann z.B. 0,06 mm betragen, ist aber nicht auf diesen Wert beschränkt.
Die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72A in der Breitenrichtung (X-Richtung) der kapazitiven Kopplungselektrode 72A ist kleiner als die Abmessung W11 des Teilmusters 70A3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72A. Das heißt, die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72A in X-Richtung ist kleiner, bzw. geringer als die Abmessung W11 des Teilmusters 70A3 in X-Richtung. Es gibt Regionen (Orte) 73A2 und 73A3, an denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72A und das Teilmuster 70A3 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region (Ort) 73A1, an der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72A und das Teilmuster 70A3 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73A2 ist auf der -X-Seite der Region 73A1 positioniert, bzw. befindet sich auf der -X-Seite der Region 73A1. Die Region 73A3 ist auf der +X-Seite der Region 73A1 positioniert. Die Abmessung W11 des Teilmusters 70A3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72A wird z. B. auf 0,54 mm eingestellt, bzw. festgelegt. Die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72A in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72A wird auf z.B. 0,18 mm festgelegt.
Die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72A in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72A ist kleiner als die Abmessung des Teilmusters 70C2 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72A. Insbesondere ist die Breite W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72A in X-Richtung kleiner als die Abmessung des Teilmusters 70C2 in X-Richtung. Es gibt Regionen 73B2 und 73B3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72A und das Teilmuster 70C2 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73B1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72A und das Teilmuster 70C2 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73B2 ist auf der -X-Seite der Region 73B1 positioniert. Die Region 73B3 ist auf der +X-Seite der Region 73B1 positioniert.
Die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72B in der Breitenrichtung (X-Richtung) der kapazitiven Kopplungselektrode 72B ist kleiner als die Abmessung W11 des Teilmusters 70B3 in der Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72B. Das heißt, die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72B in X-Richtung ist kleiner als die Abmessung W11 des Teilmusters 70B3 in X-Richtung. Es gibt Regionen 73C2 und 73C3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72B und das Teilmuster 70B3 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73C1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72B und das Teilmuster 70B3 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73C2 ist auf der -X-Seite der Region 73C1 positioniert. Die Region 73C3 ist auf der +X-Seite der Region 73C1 positioniert. Die Abmessung W11 des Teilmusters 70B3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72B wird z. B. auf 0,54 mm festgelegt. Die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72B in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72B wird auf z.B. 0,18 mm festgelegt.
Die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72B in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72B ist kleiner als die Abmessung W11 des Teilmusters 70D2 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72B. Insbesondere ist die Breite W12 der kapazitiven Kopplungselektrode 72B in X-Richtung kleiner als die Abmessung W11 des Teilmusters 70D2 in X-Richtung. Es gibt Regionen 73D2 und 73D3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72B und das Teilmuster 70D2 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73D1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72B und das Teilmuster 70D2 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73D2 ist auf der -X-Seite der Region 73D1 positioniert. Die Region 73D3 ist auf der +X-Seite der Region 73D1 positioniert.
Die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72C in Breitenrichtung (Y-Richtung) der kapazitiven Kopplungselektrode 72C ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70A2 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C. Das heißt, die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72C in Y-Richtung ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70A2 in Y-Richtung. Es gibt Regionen 73E2 und 73E3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72C und das Teilmuster 70A2 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73E1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72C und das Teilmuster 70A2 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73E2 ist auf der -Y-Seite der Region 73E1 positioniert. Die Region 73E3 ist auf der +Y-Seite der Region 73E1 positioniert. Die Abmessung W21 des Teilmusters 70A2 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C wird z.B. auf 0,56 mm festgelegt. Die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72C in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C wird auf z.B. 0,34 mm festgelegt.
Die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72C in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70D3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C. Das heißt, die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72C in Y-Richtung ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70D3 in Y-Richtung. Es gibt Regionen 73F2 und 73F3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72C und das Teilmuster 70D3 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73F1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72C und das Teilmuster 70D3 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73F2 ist auf der -Y-Seite der Region 73F1 positioniert. Die Region 73F3 ist auf der +Y-Seite der Region 73F1 positioniert. Die Abmessung W21 des Teilmusters 70D3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C wird z.B. auf 0,56 mm festgelegt.
Die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72D in Breitenrichtung (Y-Richtung) der kapazitiven Kopplungselektrode 72D ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70C3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D. Das heißt, die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72D in Y-Richtung ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70C3 in Y-Richtung. Es gibt Regionen 73G2 und 73G3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72D und das Teilmuster 70C3 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73G1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72D und das Teilmuster 70C3 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73G2 ist auf der -Y-Seite der Region 73G1 positioniert. Die Region 73G3 ist auf der +Y-Seite der Region 73G1 positioniert. Die Abmessung W21 des Teilmusters 70C3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D wird z.B. auf 0,56 mm festgelegt. Die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72D in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D wird auf z.B. 0,34 mm festgelegt.
Die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72D in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70B2 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D. Das heißt, die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektrode 72D in Y-Richtung ist kleiner als die Abmessung W21 des Teilmusters 70B2 in Y-Richtung. Es gibt Regionen 73H2 und 73H3, in denen sich die kapazitive Kopplungselektrode 72D und das Teilmuster 70B2 nicht überlappen, auf beiden Seiten einer Region 73H1, in der sich die kapazitive Kopplungselektrode 72D und das Teilmuster 70B2 in der Draufsicht überlappen. Die Region 73H2 ist auf der -Y-Seite der Region 73H1 positioniert. Die Region 73H3 ist auf der +Y-Seite der Region 73H1 positioniert. Die Abmessung W21 des Teilmusters 70B2 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D wird z.B. auf 0,56 mm festgelegt.
Eine Abmessungsdifferenz ΔW1, die ein Wert ist, der sich durch Subtraktion der Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektroden 72A und 72B in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72A und 72B von der Abmessung W11 der Teilmuster 70A3 und 70B3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72A und 72B erhalten werden kann, ist vorzugsweise größer als oder gleich dem 1,4-fachen des Zwischenelektrodenabstands d1. Die Abmessungsdifferenz ΔW1, d.h. die Abmessungsdifferenz (W11-W12), ist vorzugsweise größer oder gleich dem 2,6-fachen des Zwischenelektrodenabstandes d1. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Abmessungsdifferenz ΔW1 auf das Dreifache des Zwischenelektrodenabstands d1 eingestellt.
Da die Abmessungsdifferenz ΔW1 wie oben beschrieben relativ groß eingestellt ist, ist die Abmessung L1 in X-Richtung der Regionen 73A2, 73A3, 73B2, 73B3, 73C2, 73C3, 73D2 und 73D3 relativ groß. In einem Fall, in dem die Abmessung W11 der Teilmuster 70A3 und 70B3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72A und 72B 0,54 mm und die Abmessung W12 der kapazitiven Kopplungselektroden 72A und 72B in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72A und 72B 0,18 mm ist, ist die Abmessungsdifferenz ΔW1 0,36 mm. In einem Fall, in dem die Abmessungsdifferenz ΔW1 0,36 mm beträgt, ist die Abmessung L1 0,18 mm. In diesem Fall beträgt die Abmessung L1 beispielsweise das 1,5-fache des Zwischenelektrodenabstands d1. Wenn die Abmessungsdifferenz ΔW1 das Dreifache des Zwischenelektrodenabstands d1 ist, ist die Abmessung L1 auf diese Weise beispielsweise das 1,5-fache des Zwischenelektrodenabstands d1.
Eine Abmessungsdifferenz ΔW2, die ein Wert ist, der durch Subtraktion der Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D von der Abmessung W21 der Teilmuster 70A2, 70B2, 70C3 und 70D3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D erhalten werden kann, ist vorzugsweise größer als oder gleich dem 1,4-fachen des Zwischenelektrodenabstands d1. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Abmessungsdifferenz ΔW2, d.h. die Abmessungsdifferenz (W21-W22), vorzugsweise größer als oder gleich dem 1,84-fachen des Zwischenelektrodenabstandes d1.
Da die Abmessungsdifferenz ΔW2 wie oben beschrieben relativ groß eingestellt ist, ist die Abmessung L2 in Y-Richtung der Regionen 73E2, 73E3, 73F2, 73F3, 73G2, 73G3, 73H2 und 73H3 relativ groß. In einem Fall, in dem die Abmessung W21 der Teilmuster 70A2, 70B2, 70C3 und 70D3 in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D 0,56 mm ist und die Abmessung W22 der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D 0,34 mm ist, ist die Abmessungsdifferenz ΔW2 0,22 mm. In einem Fall, in dem die Abmessungsdifferenz ΔW2 0,22 mm ist, ist die Abmessung L2 0,11 mm. In diesem Fall ist die Abmessung L2 z. B. das 0,92-fache des Zwischenelektrodenabstands d1. Wenn die Abmessungsdifferenz ΔW2 das 1,84-fache des Zwischenelektrodenabstands d1 ist, ist auf diese Weise die Abmessung L2 z. B. das 0,92-fache des Zwischenelektrodenabstands d1.
Der Maximalwert einer Fehlausrichtung (Positionsverschiebung) während der Herstellung beträgt z. B. etwa 0,03 mm. Wenn der Maximalwert der Positionsverschiebung bei der Herstellung 0,03 mm beträgt, können die Abmessungen L1 und L2 beispielsweise auf 0,03 mm festgelegt werden. Im Gegensatz dazu sind im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Abmessungen L1 und L2 relativ groß eingestellt. Die Abmessungen L1 und L2 können in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus folgendem Grund relativ groß eingestellt werden. In einem Fall, in dem ein gewisses Ausmaß einer Lageverschiebung während der Herstellung auftritt, schwanken die elektrostatischen Kapazitäten der kapazitiven Kopplungsstrukturen 71A bis 71D stark, wenn die Abmessungen L1 und L2 relativ klein sind. Wenn die elektrostatischen Kapazitäten der kapazitiven Kopplungsstrukturen 71A bis 71D stark schwanken, können keine hervorragenden Filtereigenschaften erzielt werden. In einem Fall, in dem die Abmessungen L1 und L2 relativ groß sind, schwanken die elektrostatischen Kapazitäten der kapazitiven Kopplungsstrukturen 71A bis 71D kaum, selbst wenn ein gewisses Ausmaß einer Lageverschiebung während der Herstellung auftritt.
Aus diesem Grund werden in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Abmessungen L1 und L2 relativ groß eingestellt.
Die Abmessung L2 wird aus folgendem Grund kleiner als die Abmessung L1 eingestellt. Um Schwankungen in der elektrostatischen Kapazität der kapazitiven Kopplungsstruktur 71C, die durch eine Lageverschiebung während der Herstellung verursacht werden, zu begrenzen, ist die Abmessung L2 vorzugsweise relativ groß. Wenn die Abmessung L2 relativ groß eingestellt ist, ist es vorteilhaft, die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektroden 72C und 72D in X-Richtung relativ groß einzustellen, um das Gebiet der Regionen 73E1, 73F1, 73G1 und 73H1, in denen die kapazitive Kopplungselektrode 72C mit den Teilmustern 70A2, 70D3, 70B2 und 70C3 in der Draufsicht überlappt, sicherzustellen. Wenn jedoch die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72C in X-Richtung groß ist, wird der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72C und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A kurz und der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72C und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D wird kurz. Wenn darüber hinaus die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72D in X-Richtung groß ist, wird der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72D und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B kurz und der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72D und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E wird kurz. Wenn der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72C und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A kurz ist und der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72C und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D kurz ist, besteht die Sorge, dass es eine negative Wirkung auf die Filtereigenschaften gibt. Wenn der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72D und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B kurz ist und der Abstand in X-Richtung zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72D und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E kurz ist, ist zu befürchten, dass es eine negative Wirkung auf die Filtereigenschaften gibt. Andererseits ist kein Durchgangselektrodenabschnitt 20 auf der Erweiterungsregion von mindestens einem Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72A, 72B positioniert. Der Durchgangselektrodenabschnitt 20B ist an einer Position auf der +X-Richtung-Seite der kapazitiven Kopplungselektrode 72A angeordnet. Obwohl sich die kapazitive Kopplungselektrode 72A in +Y-Richtung erstreckt, wird der Abstand zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72A und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B daher nicht verkürzt. Darüber hinaus ist der Durchgangselektrodenabschnitt 20D an einer Position auf der -X-Richtung-Seite der kapazitiven Kopplungselektrode 72B angeordnet. Daher wird der Abstand zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 72B und dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D nicht verkürzt, auch wenn sich die kapazitive Kopplungselektrode 72B in -Y-Richtung erstreckt. Durch das Erstrecken der kapazitiven Kopplungselektrode 72A in die +Y-Richtung wird kein besonderes Problem verursacht. Durch das Erstrecken der kapazitiven Kopplungselektrode 72B in -Y-Richtung wird kein besonderes Problem verursacht. Aus diesen Gründen wird die Abmessung L2 kleiner als die Abmessung L1 eingestellt.
Die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E ist kleiner als die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 70E in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E. Das heißt, die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E in der Y-Richtung ist kleiner als die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 70E in der Y-Richtung. Die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 70E in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E wird z. B. auf 0,5 mm eingestellt. Die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E wird z.B. auf 0,29 mm eingetsellt.
Die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E ist kleiner als die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 70F in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E. Das heißt, die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E in der Y-Richtung ist geringer als die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 70F in der Y-Richtung. Die Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode 70F in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E wird z.B. auf 0,5 mm eingestellt.
Eine Abmessungsdifferenz ΔW3, die ein Wert ist, der durch Subtraktion der Abmessung W32 der kapazitiven Kopplungselektrode 72E in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E von der Abmessung W31 der kapazitiven Kopplungselektroden 70E und 70F in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode 72E erhalten wird, ist vorzugsweise größer als oder gleich dem 1,4-fachen des Zwischenelektrodenabstands d1. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Abmessungsdifferenz ΔW3, d.h. die Abmessungsdifferenz (W31-W32), auf das 1,75-fache des Zwischenelektrodenabstandes d1 eingestellt.
Wie in 22 gezeigt, sind kapazitive Kopplungselektroden (flache Elektroden) 74A und 74B innerhalb des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Die kapazitiven Kopplungselektroden 74A und 74B sind in der gleichen Schicht ausgebildet. Mit anderen Worten, die kapazitiven Kopplungselektroden 74A und 74B sind auf der gleichen Keramikplatte (nicht dargestellt) ausgebildet. Das Bezugszeichen 74 wird verwendet, wenn kapazitive Kopplungselektroden beschrieben werden, ohne zwischen ihnen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 74A und 74B werden verwendet, wenn kapazitive Kopplungselektroden beschrieben werden, wobei zwischen bestimmten kapazitiven Kopplungselektroden unterschieden wird. Zwischen den kapazitiven Kopplungselektroden 72 und den kapazitiven Kopplungselektroden 74 sind eine oder mehrere Keramikplatten (nicht dargestellt) bereitgestellt.
Die kapazitiven Kopplungselektroden 74 sind an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, bzw. an punktsymmetrischen Positionen angeordnet, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 (siehe 19) in der Draufsicht als das Symmetriezentrum, bzw. wobei das Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 (siehe 19) in der Draufsicht das Symmetriezentrum darstellt. Insbesondere sind die kapazitive Kopplungselektrode 74A und die kapazitive Kopplungselektrode 74B an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel besteht der Grund für die Anordnung der kapazitiven Kopplungselektroden 74 mit Punktsymmetrie darin, hervorragende Frequenzeigenschaften zu erzielen.
Wie in 23 gezeigt, umfasst die kapazitive Kopplungselektrode 74A Teilmuster (Elektrodenmuster) 74A1 bis 74A3. Das Teilmuster 74A1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B verbunden. Das Teilmuster 74A3 ist auf der -Y-Seite des Teilmusters 74A1 positioniert. Das Teilmuster 74A3 ist mit dem Teilmuster 74A1 über das Teilmuster 74A2 verbunden. Das Teilmuster 74A3 überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70E. Die Größe des Teilmusters 74A3 ist gleich der Größe der kapazitiven Kopplungselektrode 70E. Ein Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72E ist zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 70E und dem Teilmuster 74A3 sandwichartig umgeben.
Die kapazitive Kopplungselektrode 74B umfasst Teilmuster 74B1 bis 74B3. Das Teilmuster 74B1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D verbunden. Das Teilmuster 74B3 ist auf der +Y-Seite des Teilmusters 74B1 positioniert. Das Teilmuster 74B3 ist mit dem Teilmuster 74B1 über das Teilmuster 74B2 verbunden. Das Teilmuster 74B3 überlappt in der Draufsicht mit der kapazitiven Kopplungselektrode 70F. Die Größe des Teilmusters 74B3 ist gleich der Größe der kapazitiven Kopplungselektrode 70F. Das andere Ende der kapazitiven Kopplungselektrode 72E ist zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode 70F und dem Teilmuster 74B3 sandwichartig umgeben. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 71E wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 70E, die kapazitive Kopplungselektrode 70F, die kapazitive Kopplungselektrode 72E, die kapazitive Kopplungselektrode 74A und die kapazitive Kopplungselektrode 74B gebildet.
Wie in 24 gezeigt, sind innerhalb des dielektrischen Substrats 14 kapazitive Kopplungselektroden (kammförmige Elektroden, kapazitive Kopplungselektroden) 76A bis 76D ausgebildet. Die kapazitiven Kopplungselektroden 76A bis 76D sind in der gleichen Schicht ausgebildet. Mit anderen Worten, die kapazitiven Elektroden 76A bis 76D sind auf der gleichen Keramikplatte (nicht dargestellt) ausgebildet. Das Bezugszeichen 76 wird verwendet, wenn kapazitive Kopplungselektroden beschrieben werden, ohne zwischen ihnen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 76A bis 76D werden verwendet, wenn kapazitive Kopplungselektroden beschrieben werden, wobei zwischen bestimmten kapazitiven Kopplungselektroden unterschieden wird. Zwischen den kapazitiven Kopplungselektroden 74 (siehe 22) und den kapazitiven Kopplungselektroden 76 sind eine oder mehrere Keramikplatten (nicht dargestellt) bereitgestellt.
Die kapazitiven Kopplungselektroden 76 sind an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 (siehe 19) in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Insbesondere sind die kapazitive Kopplungselektrode 76A und die kapazitive Kopplungselektrode 76B an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Darüber hinaus sind die kapazitive Kopplungselektrode 76C und die kapazitive Kopplungselektrode 76D an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Grund für die Anordnung der kapazitiven Kopplungselektroden 76 mit Punktsymmetrie, um hervorragende Frequenzeigenschaften zu erzielen.
Wie in 25 gezeigt, umfasst die kapazitive Kopplungselektrode 76A Teilmuster (Elektrodenmuster) 76A1 bis 76A4. Das Teilmuster 76A1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76A2 ist die X-Richtung. Ein Ende des Teilmusters 76A2 ist mit dem Teilmuster 76A1 verbunden. Das Teilmuster 76A2 steht in der +X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 76A3 ist mit dem anderen Ende des Teilmusters 76A2 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76A3 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76A3 steht in der -Y-Richtung hervor. Das heißt, das Teilmuster 76A3 steht in Richtung der Seitenoberfläche 14e hervor. Ein Ende des Teilmusters 76A4 ist mit dem Teilmuster 76A1 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76A4 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76A4 steht in der +Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76A4 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor.
Die kapazitive Kopplungselektrode 76B umfasst Teilmuster 76B1 bis 76B4. Das Teilmuster 76B1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76B2 ist die X-Richtung. Ein Ende des Teilmusters 76B2 ist mit dem Teilmuster 76B1 verbunden. Das Teilmuster 76B2 steht in der -X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 76B3 ist mit dem anderen Ende des Teilmusters 76B2 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76B3 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76B3 steht in der +Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76B3 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor. Ein Ende des Teilmusters 76B4 ist mit dem Teilmuster 76B1 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76B4 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76B4 steht in der -Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76B4 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor.
Die kapazitive Kopplungselektrode 76C umfasst Teilmuster 76C1 bis 76C6. Das Teilmuster 76C1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20B verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76C2 ist die X-Richtung. Ein Ende des Teilmusters 76C2 ist mit dem Teilmuster 76C1 verbunden. Das Teilmuster 76C2 steht in -X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 76C3 ist mit dem anderen Ende des Teilmusters 76C2 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76C3 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76C3 steht in der -Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76C3 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor. Ein Ende des Teilmusters 76C4 ist mit dem Teilmuster 76C1 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76C4 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76C4 steht in der -Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76C4 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor. Die Längsrichtung des Teilmusters 76C5 ist die X-Richtung. Ein Ende des Teilmusters 76C5 ist mit dem Teilmuster 76C1 verbunden. Das Teilmuster 76C5 steht in der +X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 76C6 ist mit dem anderen Ende des Teilmusters 76C5 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76C6 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76C6 steht in der +Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76C6 steht in Richtung der Seitenoberfläche 14f hervor. Das Teilmuster 76C6 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor.
Die kapazitive Kopplungselektrode 76D umfasst Teilmuster 76D1 bis 76D6. Das Teilmuster 76D1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20D verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76D2 ist die X-Richtung. Ein Ende des Teilmusters 76D2 ist mit dem Teilmuster 76D1 verbunden. Das Teilmuster 76D2 steht in der +X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 76D3 ist mit dem anderen Ende des Teilmusters 76D2 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76D3 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76D3 steht in der +Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76D3 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor. Ein Ende des Teilmusters 76D4 ist mit dem Teilmuster 76D1 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76D4 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76D4 steht in der +Y-Richtung hervor. Das Teilmuster 76D4 steht entlang der Längsrichtung des Teilmusters 76A3 hervor. Die Längsrichtung des Teilmusters 76D5 ist die X-Richtung. Ein Ende des Teilmusters 76D5 ist mit dem Teilmuster 76D1 verbunden. Das Teilmuster 76D5 steht in der -X-Richtung hervor. Ein Ende des Teilmusters 76D6 ist mit dem anderen Ende des Teilmusters 76D5 verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 76D6 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 76D6 steht in der -Y-Richtung hervor. Das heißt, das Teilmuster 76D6 steht in Richtung der Seitenoberfläche 14e hervor.
Das Teilmuster 76A3 und das Teilmuster 76D6 sind benachbart zueinander. Da das Teilmuster 76A3 und das Teilmuster 76D6 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 76A und die kapazitive Kopplungselektrode 76D kapazitiv gekoppelt. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 77A wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 76A und die kapazitive Kopplungselektrode 76D gebildet.
Die Position in Y-Richtung des Teilmusters 76A2 und die Position in Y-Richtung des Teilmusters 76D5 sind gleich. Das Teilmuster 76A3 und das Teilmuster 76D6 stehen beide in der -Y-Richtung hervor. Das heißt, das Teilmuster 76A3 und das Teilmuster 76D6 stehen in Richtung der Seitenoberfläche 14e hervor. Die Position der Teilmuster 76A3 und 76D6 in Y-Richtung liegt zwischen der Position der Teilmuster 76A2 und 76D5 in Y-Richtung und der Position des Schirmleiters 12Ca in Y-Richtung.
Der Grund dafür, dass sowohl das Teilmuster 76A3 als auch das Teilmuster 76D6 in Richtung der Seitenoberfläche 14e hervorstehen, ist der folgende. Mit anderen Worten, der Grund dafür, dass sowohl das Teilmuster 76A3 als auch das Teilmuster 76D6 in der -Y-Richtung hervorstehen, ist der folgende. In einem Fall, in dem sowohl das Teilmuster 76A3 als auch das Teilmuster 76D6 in der +Y-Richtung hervorstehen, nähern sich die Teilmuster 76A3 und 76D6 den Teilmustern 76C3, 76C4 und dergleichen. Wenn sich die Teilmuster 76A3 und 76D6 in der Nähe der Teilmuster 76C3, 76C4 und dergleichen befinden, werden die Teilmuster 76A3 und 76D6 und die Teilmuster 76C3, 76C4 und dergleichen kapazitiv miteinander gekoppelt. Eine kapazitive Kopplung zwischen den Teilmustern 76A3 und 76D6 und den Teilmustern 76C3, 76C4 usw. ist unerwünscht. Andererseits, wenn sowohl das Teilmuster 76A3 als auch das Teilmuster 76D6 in der -Y-Richtung hervorstehen, nähern sich diese Teilmuster 76A3 und 76D6 nicht den Teilmustern 76C3, 76C4 und dergleichen. Da die Teilmuster 76A3 und 76D6 sich nicht in der Nähe der Teilmuster 76C3, 76C4 und dergleichen befinden, werden die Teilmuster 76A3 und 76D6 und die Teilmuster 76C3 und 76C4 nicht kapazitiv miteinander gekoppelt. Aus diesem Grund stehen bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sowohl das Teilmuster 76A3 als auch das Teilmuster 76D6 in Richtung der Seitenoberfläche 14e hervor.
Das Teilmuster 76B3 und das Teilmuster 76C6 liegen benachbart zueinander. Da das Teilmuster 76B3 und das Teilmuster 76C6 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 76B und die kapazitive Kopplungselektrode 76C kapazitiv gekoppelt. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 77B wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 76B und die kapazitive Kopplungselektrode 76C gebildet.
Die Position in Y-Richtung des Teilmusters 76B2 und die Position in Y-Richtung des Teilmusters 76C5 sind gleich. Das Teilmuster 76B3 und das Teilmuster 76C6 stehen beide in der +Y-Richtung hervor. Das heißt, das Teilmuster 76B3 und das Teilmuster 76C6 stehen in Richtung der Seitenoberfläche 14f hervor. Die Position in Y-Richtung der Teilmuster 76B3 und 76C6 liegt zwischen der Position in Y-Richtung der Teilmuster 76B2 und 76C5 und der Position in Y-Richtung des Schirmleiters 12Cb.
Der Grund dafür, dass sowohl das Teilmuster 76B3 als auch das Teilmuster 76C6 in Richtung der Seitenoberfläche 14f hervorstehen, ist der folgende. Mit anderen Worten, der Grund dafür, dass sowohl das Teilmuster 76B3 als auch das Teilmuster 76C6 in der +Y-Richtung hervorstehen, ist der folgende. In einem Fall, in dem sowohl das Teilmuster 76B3 als auch das Teilmuster 76C6 in der -Y-Richtung hervorstehen, nähern sich die Teilmuster 76B3 und 76C6 den Teilmustern 76D3, 76D4 und dergleichen. Wenn sich die Teilmuster 76B3 und 76C6 in der Nähe der Teilmuster 76D3, 76D4 und dergleichen befinden, werden die Teilmuster 76B3 und 76C6 und die Teilmuster 76D3, 76D4 und dergleichen kapazitiv miteinander gekoppelt. Eine kapazitive Kopplung zwischen den Teilmustern 76B3 und 76C6 und den Teilmustern 76D3, 76D4 usw. ist unerwünscht. Andererseits, wenn sowohl das Teilmuster 76B3 als auch das Teilmuster 76C6 in der +Y-Richtung hervorstehen, nähern sich diese Teilmuster 76B3 und 76C6 nicht den Teilmustern 76D3, 76D4 und dergleichen. Da die Teilmuster 76B3 und 76C6 sich nicht in der Nähe der Teilmuster 76D3, 76D4 und dergleichen befinden, werden die Teilmuster 76B3 und 76C6 und die Teilmuster 76D3 und 76D4 nicht kapazitiv miteinander gekoppelt. Aus diesem Grund stehen bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sowohl das Teilmuster 76B3 als auch das Teilmuster 76C6 in Richtung der Seitenoberfläche 14f hervor.
Das Teilmuster 76A4 und das Teilmuster 76C3 liegen benachbart zueinander. Da das Teilmuster 76A4 und das Teilmuster 76C3 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 76A und die kapazitive Kopplungselektrode 76C kapazitiv gekoppelt. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 77C wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 76A und die kapazitive Kopplungselektrode 76C gebildet.
Das Teilmuster 76B4 und das Teilmuster 76D3 liegen benachbart zueinander. Da das Teilmuster 76B4 und das Teilmuster 76D3 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 76B und die kapazitive Kopplungselektrode 76D kapazitiv gekoppelt. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 77D wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 76B und die kapazitive Kopplungselektrode 76D gebildet.
Das Teilmuster 76C4 und das Teilmuster 76D4 liegen benachbart zueinander. Da das Teilmuster 76C4 und das Teilmuster 76D4 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 76C und die kapazitive Kopplungselektrode 76D kapazitiv gekoppelt. Eine kapazitive Kopplungsstruktur 77E wird durch die kapazitive Kopplungselektrode 76C und die kapazitive Kopplungselektrode 76D gebildet.
Wie in 26 gezeigt, sind innerhalb des dielektrischen Substrats 14 kapazitive Kopplungselektroden (kammförmige Elektroden, kapazitive Elektroden) 78A bis 78C ausgebildet. Die kapazitiven Kopplungselektroden 78A bis 78C sind in der gleichen Schicht ausgebildet. Mit anderen Worten, die kapazitiven Kopplungselektroden 78A bis 78C sind auf der gleichen Keramikplatte (nicht dargestellt) ausgebildet. Das Bezugszeichen 78 wird verwendet, wenn kapazitive Kopplungselektroden beschrieben werden, ohne zwischen diesen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 78A bis 78C werden verwendet, wenn kapazitive Kopplungselektroden beschrieben werden, wobei zwischen bestimmten kapazitiven Kopplungselektroden unterschieden wird. Zwischen den kapazitiven Kopplungselektroden 76 und den kapazitiven Kopplungselektroden 78 sind eine oder mehrere Keramikplatten (nicht dargestellt) bereitgestellt.
Die kapazitiven Kopplungselektroden 78 sind an Positionen angeordnet, die Punksymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 (siehe 19) in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Insbesondere sind die kapazitive Kopplungselektrode 78A und die kapazitive Kopplungselektrode 78B an Positionen angeordnet, die Punktsymmetrie aufweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Darüber hinaus ist die kapazitive Kopplungselektrode 78C ausgebildet, um Punktsymmetrie aufzuweisen, mit dem Zentrum C des dielektrischen Substrats 14 in der Draufsicht als das Symmetriezentrum. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Grund für die Anordnung der kapazitiven Kopplungselektroden 78 mit Punktsymmetrie, um ausgezeichnete Frequenzeigenschaften zu erzielen.
Wie in 27 gezeigt, umfasst die kapazitive Kopplungselektrode 78A Teilmuster 78A1 und 78A2. Das Teilmuster 78A1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 78A2 ist die Y-Richtung.
Die kapazitive Kopplungselektrode 78B umfasst Teilmuster 78B1 und 78B2. Das Teilmuster 78B1 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E verbunden. Die Längsrichtung des Teilmusters 78B2 ist die Y-Richtung.
Die kapazitive Kopplungselektrode 78C umfasst Teilmuster 78C1 bis 78C3. Die Längsrichtung der Teilmuster 78C1 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 78C1 liegt benachbart zu dem Teilmuster 78A2. Die Längsrichtung des Teilmusters 78C2 ist die Y-Richtung. Das Teilmuster 78C2 liegt benachbart zu dem Teilmuster 78B2. Ein Ende des Teilmusters (Relaismuster) 78C3 ist mit dem Teilmuster 78C1 verbunden. Das andere Ende des Teilmusters 78C3 ist mit dem Teilmuster 78C2 verbunden. Da das Teilmuster 78A2 und das Teilmuster 78C1 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 78A und die kapazitive Kopplungselektrode 78C kapazitiv gekoppelt. Da das Teilmuster 78B2 und das Teilmuster 78C2 einander benachbart sind, sind die kapazitive Kopplungselektrode 78B und die kapazitive Kopplungselektrode 78C kapazitiv gekoppelt.
Wie in 26 gezeigt, sind Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B auch innerhalb des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Die Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B sind in der gleichen Schicht ausgebildet. Mit anderen Worten, die Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B sind auf der gleichen Keramikplatte (nicht dargestellt) ausgebildet. Das Bezugszeichen 80 wird verwendet, wenn Eingangs-/Ausgangsmuster beschrieben sind, ohne zwischen diesen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 80A und 80B werden verwendet, wenn Eingangs-/Ausgangsmuster beschrieben sind, wobei zwischen bestimmten Eingangs-/Ausgangsmustern unterschieden wird. Zwischen den kapazitiven Kopplungselektroden 78 und den Eingangs-/Ausgangsmustern 80 sind eine oder mehrere Keramikplatten (nicht dargestellt) bereitgestellt.
Wie in 27 gezeigt, umfasst das Eingangs-/Ausgangsmuster 80A Teilmuster 80A1 und 80A2. Ein Ende des Teilmusters 80A1 ist mit der Eingangs-/Ausgangsklemme 22A verbunden. Das andere Ende des Teilmusters 80A1 ist mit dem Teilmuster 80A2 verbunden. Das Teilmuster 80A2 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A verbunden. Auf diese Weise ist die Eingangs-/Ausgangsklemme 22A mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A über das Eingangs-/Ausgangsmuster 80A verbunden.
Das Eingangs-/Ausgangsmuster 80B umfasst Teilmuster 80B1 und 80B2. Ein Ende des Teilmusters 80B1 ist mit der Eingangs-/Ausgangsklemme 22B verbunden. Das andere Ende des Teilmusters 80B1 ist mit dem Teilmuster 80B2 verbunden. Das Teilmuster 80B2 ist mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E verbunden. Auf diese Weise ist die Eingangs-/Ausgangsklemme 22B mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E über das Eingangs-/Ausgangsmuster 80B verbunden.
Auf diese Weise ist die Eingangs-/Ausgangsklemme 22A über das Eingangs-/Ausgangsmuster 80A mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20A elektrisch verbunden, und die Eingangs-/Ausgangsklemme 22B ist über das Eingangs-/Ausgangsmuster 80B mit dem Durchgangselektrodenabschnitt 20E elektrisch verbunden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann ein externer Abschnitt Q in geeigneter Weise eingestellt werden, indem die Positionen der Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B in Z-Richtung in geeigneter Weise eingestellt werden. Das heißt, im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann der externe Abschnitt Q in geeigneter Weise eingestellt werden, indem die Positionen der Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B in der Längsrichtung der Durchgangselektrodenabschnitte 20A und 20E in geeigneter Weise eingestellt werden.
Wie in 26 gezeigt, sind Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81A bis 81D innerhalb des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Das Bezugszeichen 81 wird verwendet, wenn Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte beschrieben sind, ohne zwischen diesen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 81A bis 81D werden verwendet, wenn Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte beschrieben sind, während zwischen bestimmten Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitten unterschieden wird.
Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81A umfasst eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82A und eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82B. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81B umfasst eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82C und eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82D. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81C umfasst eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82E und eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82F. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81D umfasst eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82G und eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82H. Das Bezugszeichen 82 wird verwendet, wenn die Abschirmungsdurchgangselektroden beschrieben sind, ohne zwischen diesen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 82A bis 82H werden verwendet, wenn die Abschirmungsdurchgangselektroden beschrieben sind, wobei zwischen bestimmten Abschirmungsdurchgangselektroden unterschieden wird. In dem in 28 gezeigten Beispiel sind in jedem einzelnen Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81 zwei Abschirmungsdurchgangselektroden 82 enthalten, aber jeder einzelne Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81 kann stattdessen durch eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82 gebildet sein.
Ein Ende des Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitts 81 ist mit dem Schirmleiter 12A verbunden. Das andere Ende des Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitts 81 ist mit dem Schirmleiter 12B verbunden.
Wie in 28 dargestellt, ist der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81A mit den Schirmleitern 12A und 12B innerhalb einer Erweiterungsregion 84A verbunden, die durch Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20A positioniert ist, bzw. in der sich der Durchgangselektrodenabschnitt 20A befindet, in -Y-Richtung realisiert wird. Das heißt, der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81A ist mit den Schirmleitern 12A und 12B in der Erweiterungsregion 84A verbunden, die durch das Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20A positioniert ist, in Richtung des Schirmleiters 12Ca realisiert wird. Auf diese Weise wird der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81A selektiv innerhalb der Erweiterungsregion 84A ausgebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81A ist in der Nähe des Schirmleiters 12Ca angeordnet. Die Regionen, in denen Durchgangselektrodenabschnitte 20 positioniert sind, sind Regionen, die den imaginären Ringen 26 entsprechen.
Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81B ist mit den Schirmleitern 12A und 12B innerhalb einer Erweiterungsregion 84E verbunden, die durch Verlängerung der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20E positioniert ist, in +Y-Richtung realisiert wird. Das heißt, der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81B ist mit den Schirmleitern 12A und 12B in der Erweiterungsregion 84E verbunden, die durch die Verlängerung der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20E positioniert ist, in Richtung des Schirmleiters 12Cb realisiert wird. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81B ist selektiv innerhalb der Erweiterungsregion 84E ausgebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81B ist in der Nähe des Schirmleiters 12Cb positioniert.
Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81C ist mit den Schirmleitern 12A und 12B innerhalb einer Erweiterungsregion 84B verbunden, die durch Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20B positioniert ist, in +Y-Richtung realisiert wird. Das heißt, der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81C ist mit den Schirmleitern 12A und 12B in der Erweiterungsregion 84B verbunden, die durch das Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20B positioniert ist, in Richtung des Schirmleiters 12Cb realisiert wird. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81C ist selektiv innerhalb der Erweiterungsregion 84B ausgebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81C ist in der Nähe des Schirmleiters 12Cb positioniert.
Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81D ist mit den Schirmleitern 12A und 12B innerhalb einer Erweiterungsregion 84D verbunden, die durch Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20D positioniert ist, in -Y-Richtung realisiert wird. Das heißt, der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81D ist mit den Schirmleitern 12A und 12B in der Erweiterungsregion 84D verbunden, die durch das Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20D positioniert ist, in Richtung des Schirmleiters 12Ca realisiert wird. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81D ist selektiv innerhalb der Erweiterungsregion 84D ausgebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81D ist in der Nähe des Schirmleiters 12Ca positioniert. Das Bezugszeichen 84 wird verwendet, wenn Erweiterungsregionen beschrieben werden, ohne zwischen diesen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 84A bis 84D werden verwendet, wenn Erweiterungsregionen beschrieben werden, wobei zwischen bestimmten Erweiterungsregionen unterschieden wird.
Der Grund für die Bildung der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der folgende. Wenn beim Schneiden des dielektrischen Substrats 14 eine Positionsverschiebung, bzw. Lageverschiebung auftritt, schwanken die Abstände zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 und den Seitenoberflächen 14e und 14f. Wenn die Abstände zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 und den Seitenoberflächen 14e und 14f schwanken, schwanken die Abstände zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 und den Schirmleitern 12Ca und 12Cb. Diese Schwankung in den Abständen zwischen den Durchgangselektrodenabschnitten 20 und den Schirmleitern 12Ca und 12Cb verursacht eine Schwankung in den Filtereigenschaften und dergleichen. Da die Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 andererseits nicht auf den Seitenoberflächen 14e und 14f ausgebildet sind, werden die Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 nicht durch eine Positionsverschiebung beeinträchtigt, die beim Schneiden des dielektrischen Substrats 14 auftritt. Das heißt, selbst wenn beim Schneiden des dielektrischen Substrats 14 eine Positionsverschiebung auftritt, schwanken die Abstände zwischen den Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitten 81 und den Durchgangselektrodenabschnitten 20 nicht. Aus diesem Grund sind die Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 im vorliegenden Ausführungsbeispiel ausgebildet.
Der Grund zum selektiven Ausbilden der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 in den Erweiterungsregionen 84 im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Folgende. Insbesondere können die Durchgangselektrodenabschnitte 81 durch die Bildung von Durchgangslöchern gebildet werden, indem das dielektrische Substrat 14 mit einem Laserstrahl bestrahlt wird und Leiter in diese Durchgangslöcher eingebettet werden. Das heißt, dass eine Verarbeitung mit mehreren Schritten ist erforderlich, um die Durchgangselektrodenabschnitte 81 zu bilden. Wenn eine große Anzahl von Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitten 81 einfach entlang der Seitenoberflächen 14e und 14f angeordnet wird, kann daher keine günstige Produktivität erzielt werden. Andererseits ist es allein durch die Anordnung der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 nur in den Erweiterungsregionen 84 möglich, die durch Positionsverschiebung, die während des Schneidens des dielektrischen Substrats 14 auftritt, verursachte Variation der Filtereigenschaften zu begrenzen. Aus diesem Grund sind in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81 selektiv in den Erweiterungsregionen 84 ausgebildet.
Wie oben beschrieben, beträgt im vorliegenden Ausführungsbeispiel die Anzahl der in dem Filter 10 enthaltenen Resonatoren 11 vier. Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist es, da die Anzahl der Resonatoren 11 relativ gering ist, möglich, den Kopplungsgrad zwischen Resonatoren 11 zu begrenzen und somit einen Filter 10 zu realisieren, der die gewünschten Eigenschaften aufweist.
(Modifizierte Ausführungsbeispiele)
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsbeispiele beschränkt, und es können verschiedene Konfigurationen angenommen werden, ohne vom Anwendungsbereich der Erfindung abzuweichen.
Als ein Beispiel können das erste Ausführungsbeispiel und das zweite Ausführungsbeispiel in geeigneter Weise kombiniert werden.
Ferner ist in dem ersten Ausführungsbeispiel ein Beispiel eines Falls beschrieben, in dem die Anzahl von Resonatoren 11 fünf beträgt, und ist in dem zweiten Ausführungsbeispiel ein Beispiel eines Falls beschrieben, in dem die Anzahl von Resonatoren 11 vier beträgt, aber die Konfiguration jedoch nicht auf diese beschränkt ist. Beispielsweise kann die Anzahl von Resonatoren 11 sechs betragen.
Ferner kann der Filter 10 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81A bis 81D, 81Ea und 81Eb aufweisen. 29 zeigt eine Draufsicht auf ein Beispiel eines Filters gemäß einem modifizierten Ausführungsbeispiel. Wie in 29 dargestellt, sind die Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81A bis 81D, 81Ea und 81Eb innerhalb des dielektrischen Substrats 14 ausgebildet. Die Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81A bis 81D sind die gleichen wie die oben beschriebenen Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte 81A bis 81D, die in dem Filter 10 des zweiten Ausführungsbeispiels enthalten sind, und daher wird auf eine Beschreibung verzichtet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea umfasst eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82I und eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82J. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb umfasst eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82K und eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82L. Das Bezugszeichen 81 wird verwendet, wenn Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte beschrieben sind, ohne zwischen ihnen zu unterscheiden, und die Bezugszeichen 81A bis 81D, 81Ea und 81Eb werden verwendet, wenn Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitte beschrieben sind, während zwischen bestimmten Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitten unterschieden wird. Ein Ende jedes Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitts 81 ist mit dem Schirmleiter 12A verbunden. Das andere Ende jedes Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitts 81 ist mit dem Schirmleiter 12B verbunden.
Wie in 29 gezeigt, ist der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea mit den Schirmleitern 12A und 12B innerhalb einer Erweiterungsregion 84Ca verbunden, die durch Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20C positioniert ist, in -Y-Richtung realisiert wird. Das heißt, der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea ist mit den Schirmleitern 12A und 12B in der Erweiterungsregion 84Ca verbunden, die durch das Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20C positioniert ist, in Richtung des Schirmleiters 12Ca realisiert wird. Auf diese Weise wird der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea selektiv innerhalb der Erweiterungsregion 84Ca ausgebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea ist in der Nähe des Schirmleiters 12Ca positioniert.
Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb ist mit den Schirmleitern 12A und 12B innerhalb einer Erweiterungsregion 84Cb verbunden, die durch Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20C positioniert ist, in +Y-Richtung realisiert ist. Das heißt, der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb ist mit den Schirmleitern 12A und 12B in der Erweiterungsregion 84Cb verbunden, die durch das Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt 20C positioniert ist, in Richtung des Schirmleiters 12Cb realisiert wird. Auf diese Weise wird der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb selektiv innerhalb der Erweiterungsregion 84Cb ausgebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb ist in der Nähe des Schirmleiters 12Cb positioniert.
30 zeigt eine Draufsicht, die ein Beispiel eines Filters gemäß einem modifizierten Ausführungsbeispiel zeigt. In dem in 30 dargestellten Beispiel wird der einzelne Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81 durch eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82 gebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81A wird durch die Abschirmungsdurchgangselektrode 82A gebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81B wird durch die Abschirmungsdurchgangselektrode 82C gebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81C wird durch die Abschirmungsdurchgangselektrode 82E gebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81D wird durch die Abschirmungsdurchgangelektrode 82G gebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea wird durch die Abschirmungsdurchgangelektrode 82I gebildet. Der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb wird durch die Abschirmungsdurchngangselektrode 82K gebildet. Auf diese Weise wird jeder Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81 durch eine Abschirmungsdurchgangselektrode 82 gebildet.
31 zeigt eine Draufsicht, die ein Beispiel eines Filters gemäß einem modifizierten Ausführungsbeispiel zeigt. In dem in 31 dargestellten Beispiel ist der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea in der Mitte zwischen dem Durchgangselektrodenabschnitt 20C und dem Schirmleiter 12Ca angeordnet. In dem in 31 dargestellten Beispiel ist der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea nicht in der Nähe des Schirmleiters 12Ca positioniert. Der Abstand in Y-Richtung zwischen dem Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea und dem Schirmleiter 12Ca ist größer als die Abstände in Y-Richtung zwischen den Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitten 81A und 81D und dem Schirmleiter 12Ca. In dem in 31 dargestellten Beispiel ist der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb in der Mitte zwischen dem Durchgangselektrodenabschnitt 20C und dem Schirmleiter 12Cb positioniert. Das heißt, dass der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb in dem in 31 dargestellten Beispiel nicht in der Nähe des Schirmleiters 12Cb positioniert ist. Der Abstand in Y-Richtung zwischen dem Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb und dem Schirmleiter 12Cb ist größer als die Abstände in Y-Richtung zwischen den Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitten 81B und 81C und dem Schirmleiter 12Cb. Auf diese Weise kann der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Ea in der Mitte zwischen dem Durchgangselektrodenabschnitt 20C und dem Schirmleiter 12Ca positioniert werden. Darüber hinaus kann der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt 81Eb in der Mitte zwischen dem Durchgangselektrodenabschnitt 20C und dem Schirmleiter 12Cb positioniert sein.
In dem ersten Ausführungsbeispiel ist ein Beispiel eines Falls beschrieben, in dem die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B über die Verbindungsleitungen 32a und 32b mit dem Schirmleiter 12B verbunden sind, aber die Konfiguration ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B mit den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20E über die Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B verbunden sein (siehe 19).
In dem zweiten Ausführungsbeispiel ist ein Beispiel eines Falls beschrieben, in dem die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B mit den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20E über die Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B verbunden sind, aber die Konfiguration ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B über die Verbindungsleitungen 32a und 32b mit dem Schirmleiter 12B verbunden sein (siehe 2).
In den oben anhand der 29 bis 31 beschriebenen modifizierten Ausführungsbeispielen ist ein Beispiel eines Falls beschrieben, in dem die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B über die Verbindungsleitungen 32a und 32b mit dem Schirmleiter 12B verbunden sind, aber die Konfiguration ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Eingangs-/Ausgangsklemmen 22A und 22B mit den Durchgangselektrodenabschnitten 20A und 20E über die Eingangs-/Ausgangsmuster 80A und 80B verbunden sein (siehe 19).
Das Folgende ist eine Aufzeichnung der Erfindungen, die aus den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen verstanden werden können.
Der Filter (10) umfasst: das dielektrische Substrat (14); die Vielzahl von Resonatoren (11A bis 11E), die innerhalb des dielektrischen Substrats ausgebildet und von den Schirmleitern (12A, 12B, 12Ca, 12Cb) umgeben sind; und die erste Eingangs-/Ausgangsklemme (22A) und die zweite Eingangs-/Ausgangsklemme (22B), die in dem Abschnitt ausgebildet sind, wo die Schirmleiter nicht ausgebildet sind, wobei: der erste Resonator (11A), der der aus der Vielzahl von Resonatoren der ersten Eingangs-/Ausgangsklemme am nächsten liegende Resonator ist, und der zweite Resonator (11E), der der aus der Vielzahl von Resonatoren der zweiten Eingangs-/Ausgangsklemme am nächsten liegende Resonator ist, in einer Lagebeziehung, bzw. positionellen Beziehung mit Punktsymmetrie angeordnet sind, wobei das Zentrum (C) des dielektrischen Substrats in der Draufsicht das Zentrum der Punktsymmetrie ist; der dritte Resonator (11B) unter der Vielzahl von Resonatoren und der vierte Resonator (11D) unter der Vielzahl von Resonatoren in einer Lagebeziehung mit Punktsymmetrie angeordnet sind, wobei das Zentrum des dielektrischen Substrats in der Draufsicht das Zentrum der Punktsymmetrie ist; die Position des dritten Resonators in der ersten Richtung, die die Längsrichtung des dielektrischen Substrats ist, zwischen der Position des ersten Resonators in der ersten Richtung und der Position des Zentrums des dielektrischen Substrats in der ersten Richtung liegt; und die Position des vierten Resonators in der ersten Richtung zwischen der Position des zweiten Resonators in der ersten Richtung und der Position des Zentrums des dielektrischen Substrats in der ersten Richtung liegt. Bei dieser Konfiguration sind die Resonatoren punktsymmetrisch angeordnet, so dass ein Filter mit hervorragenden Eigenschaften bereitgestellt werden kann.
Der oben beschriebene Filter kann ferner die kapazitive Kopplungsstruktur (54) enthalten, die zwischen den Resonatoren enthalten ist, und die kapazitive Kopplungsstruktur kann enthalten: die erste Elektrode (50A), die sich von einem der Resonatoren aus erstreckt; die zweite Elektrode (50B), die sich von einem anderen der Resonatoren aus in Richtung der ersten Elektrode erstreckt und den Spitzenabschnitt aufweist, der von der ersten Elektrode in der Seitenansicht getrennt ist; und die dritte Elektrode (50C), die ein Ende aufweist, das mit der ersten Elektrode in der Draufsicht überlappt, und das andere Ende, das mit der zweiten Elektrode in der Draufsicht überlappt.
In dem oben beschriebenen Filter kann die kapazitive Kopplungsstruktur ferner umfassen: die vierte Elektrode (50Ab), die sich von dem einen Resonator aus erstreckt und in der Draufsicht mit der ersten Elektrode (50Aa) überlappt; und die fünfte Elektrode (50Bb), die sich von dem anderen Resonator aus in Richtung der vierten Elektrode erstreckt, in der Draufsicht mit der zweiten Elektrode (50Ba) überlappt und den Spitzenabschnitt aufweist, der von der vierten Elektrode getrennt ist; das eine Ende (50Ca) der dritten Elektrode kann in der Seitenansicht zwischen der ersten Elektrode und der vierten Elektrode positioniert sein; und das andere Ende (50Cb) der dritten Elektrode kann in der Seitenansicht zwischen der zweiten Elektrode und der fünften Elektrode positioniert sein.
In dem oben beschriebenen Filter kann das eine Ende der dritten Elektrode mit mindestens einem Eckabschnitt der ersten Elektrode in der Draufsicht überlappen; und das andere Ende der dritten Elektrode kann mit mindestens einem Eckabschnitt der zweiten Elektrode in der Draufsicht überlappen.
Der oben beschriebene Filter kann umfassen: die erste Elektrode (50A), die sich von einem der Resonatoren aus erstreckt; die zweite Elektrode (50B), die sich von einem anderen der Resonatoren aus in Richtung der ersten Elektrode erstreckt und den Spitzenabschnitt aufweist, der mit der ersten Elektrode in der Draufsicht überlappt; die dritte Elektrode (50C), die sich von dem einen Resonator aus erstreckt; und die vierte Elektrode (50D), die sich von dem anderen Resonator aus in Richtung der dritten Elektrode erstreckt und den Spitzenabschnitt aufweist, der mit der dritten Elektrode in der Draufsicht überlappt.
In dem oben beschriebenen Filter kann die erste Elektrode mit mindestens einem Eckabschnitt der zweiten Elektrode in der Draufsicht überlappen; und die vierte Elektrode kann mit mindestens einem Eckabschnitt der dritten Elektrode in der Draufsicht überlappen.
In dem oben beschriebenen Filter können die kapazitiven Kopplungsstrukturen (61A bis 61F) jeweils zwischen der Vielzahl von Resonatoren enthalten sein; jede der kapazitiven Kopplungsstrukturen kann die kapazitive Elektrode (60ac, 60ab), die sich von einem der Resonatoren erstreckt, und die kapazitive Elektrode (60ca, 60ba), die sich von einem anderen der Resonatoren erstreckt, enthalten; und der Abschnitt der kapazitiven Elektrode, der sich von dem einen Resonator erstreckt, und der Abschnitt der kapazitiven Elektrode, der sich von dem anderen Resonator erstreckt, können nahe beieinander sein.
In dem oben beschriebenen Filter kann der Abstand (g2) zwischen den kapazitiven Elektroden (60ac, 60ca) in der ersten kapazitiven Kopplungsstruktur (61A) unter der Vielzahl von kapazitiven Kopplungsstrukturen größer sein als der Abstand (g1) zwischen den kapazitiven Elektroden (60ab, 60ba) in der zweiten kapazitiven Kopplungsstruktur (61C) unter der Vielzahl von kapazitiven Kopplungsstrukturen.
In dem oben beschriebenen Filter kann das dielektrische Substrat zwei Hauptoberflächen (14a, 14b) und vier Seitenoberflächen (14c bis 14f) umfassen; der Abstand zwischen der ersten Seitenoberfläche (14e) aus den vier Seitenoberflächen und dem ersten Resonator kann geringer sein als der Abstand zwischen der ersten Seitenoberfläche und dem dritten Resonator; und der Filter ferner die erste kapazitive Kopplungsstruktur (77A) ferner enthalten kann, die das erste Elektrodenmuster (76A3), das mit dem ersten Resonator verbunden ist und in Richtung der ersten Seitenoberfläche hervorsteht, und das zweite Elektrodenmuster (76D6) enthält, das mit dem vierten Resonator verbunden ist und in Richtung der ersten Seitenoberfläche hervorsteht.
Der oben beschriebene Filter kann ferner umfassen: die zweite kapazitive Kopplungsstruktur (77C), die das dritte Elektrodenmuster (76A4), das mit dem ersten Resonator verbunden ist, und das vierte Elektrodenmuster (76C3), das mit dem dritten Resonator verbunden ist, enthält; und die dritte kapazitive Kopplungsstruktur (77E), die das fünfte Elektrodenmuster (76C4), das mit dem dritten Resonator verbunden ist, und das sechste Elektrodenmuster (76D4), das mit dem vierten Resonator verbunden ist, enthält. Das erste Elektrodenmuster, das zweite Elektrodenmuster, das dritte Elektrodenmuster, das vierte Elektrodenmuster, das fünfte Elektrodenmuster und das sechste Elektrodenmuster können in der gleichen Schicht ausgebildet sein; und das dritte Elektrodenmuster, das vierte Elektrodenmuster, das fünfte Elektrodenmuster und das sechste Elektrodenmuster können entlang der Längsrichtung des ersten Elektrodenmusters hervorstehen.
In dem oben beschriebenen Filter kann die Vielzahl von Resonatoren jeweils mit der Vielzahl von Durchgangselektrodenabschnitten (20A, 20B, 20D, 20E) bereitgestellt sein; der Filter kann die kapazitive Kopplungsstruktur (71A) enthalten, die das erste Elektrodenmuster (70A3), das mit dem Durchgangselektrodenabschnitt aus der Vielzahl von Durchgangselektrodenabschnitten verbunden ist, das zweite Elektrodenmuster (70C2), das mit dem Durchgangselektrodenabschnitt aus der Vielzahl von Durchgangselektrodenabschnitten verbunden ist, und die kapazitive Kopplungselektrode (72A), die ein Ende aufweist, das in der Draufsicht mit dem ersten Elektrodenmuster überlappt, und ein anderes Ende, das in der Draufsicht mit dem zweiten Elektrodenmuster überlappt, enthält; die Abmessung (W12) der kapazitiven Kopplungselektrode in der Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode kleiner sein kann als die Abmessung (W11) des ersten Elektrodenmusters in der Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode; es zweite Regionen (73A2, 73A3) geben kann, in denen die kapazitive Kopplungselektrode nicht mit dem ersten Elektrodenmuster überlappt, auf beiden Seiten der ersten Region (73A1), in der die kapazitive Kopplungselektrode und das erste Elektrodenmuster überlappen; und die Abmessungsdifferenz (W11-W12), die ein Wert ist, der durch Subtraktion der Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode von der Abmessung des ersten Elektrodenmusters in Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode erhalten wird, größer als oder gleich dem 1,4-fachen sein kann des Zwischenelektrodenabstands (d1), d.h. der Abstand zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode und dem ersten Elektrodenmuster in der Dickenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode.
Bei dem oben beschriebenen Filter kann die Abmessungsdifferenz größer als oder gleich dem 2,6-fachen des Zwischenelektrodenabstands sein.
In dem oben beschriebenen Filter kann der erste Schirmleiter (12A) aus der Vielzahl von Schirmleitern auf einer Hauptoberflächenseite des dielektrischen Substrats ausgebildet sein; der zweite Schirmleiter (12B) aus der Vielzahl von Schirmleitern kann auf einer anderen Hauptoberflächenseite des dielektrischen Substrats ausgebildet sein; der dritte Schirmleiter (12Ca) aus der Vielzahl von Schirmleitern kann auf der ersten Seitenoberfläche des dielektrischen Substrats ausgebildet sein; der vierte Schirmleiter (12Cb) aus der Vielzahl von Schirmleitern kann auf der zweiten Seitenoberfläche ausgebildet sein, die der ersten Seitenoberfläche zugewandt ist; jeder der Vielzahl von Resonatoren den Durchgangselektrodenabschnitt (20A bis 20E), der innerhalb des dielektrischen Substrats ausgebildet ist, und die Kondensatorelektrode (18A bis 18E), die dem ersten Schirmleiter zugewandt ist und mit einem Ende des Durchgangselektrodenabschnitts verbunden ist, enthalten kann; der Filter ferner den Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt (81A bis 81D, 81Ea, 81Eb) enthalten kann, der mit einem Ende mit dem ersten Schirmleiter und mit einem anderen Ende mit dem zweiten Schirmleiter verbunden ist; und der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt kann innerhalb der Erweiterungsregion (84A, 84B, 84Ca, 84Cb, 84D, 84E) selektiv ausgebildet sein, die durch Erweitern der Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt ausgebildet ist, in Richtung des dritten Schirmleiters oder des vierten Schirmleiters erhalten wird.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2011507312 A [0002, 0003]
JP 2020198482 A [0003, 0004, 0005]
JP 2020 [0003]
JP 198482 A [0003]

Claims

Filter (10), mit: einem dielektrischen Substrat (14); einer Vielzahl von Resonatoren (11A bis 11E), die innerhalb des dielektrischen Substrats ausgebildet und von Schirmleitern (12A, 12B, 12Ca, 12Cb) umgeben sind; und einer ersten Eingangs-/Ausgangsklemme (22A) und einer zweiten Eingangs-/Ausgangsklemme (22B), die in einem Abschnitt ausgebildet sind, wo die Schirmleiter nicht ausgebildet sind, wobei: ein erster Resonator (11A), der aus der Vielzahl von Resonatoren ein Resonator ist, der der ersten Eingangs-/Ausgangsklemme am nächsten ist, und ein zweiter Resonator (11E), der aus der Vielzahl von Resonatoren ein Resonator ist, der der zweiten Eingangs-/Ausgangsklemme am nächsten ist, in einer Lagebeziehung mit Punktsymmetrie angeordnet sind, wobei ein Zentrum (C) des dielektrischen Substrats in einer Draufsicht ein Zentrum der Punktsymmetrie ist; ein dritter Resonator (11B) aus der Vielzahl von Resonatoren und ein vierter Resonator (11D) aus der Vielzahl von Resonatoren in einer Lagebeziehung mit Punktsymmetrie angeordnet sind, wobei das Zentrum des dielektrischen Substrats in der Draufsicht ein Zentrum der Punktsymmetrie ist; eine Position des dritten Resonators in einer ersten Richtung, die eine Längsrichtung des dielektrischen Substrats ist, zwischen einer Position des ersten Resonators in der ersten Richtung und einer Position des Zentrums des dielektrischen Substrats in der ersten Richtung liegt; und eine Position des vierten Resonators in der ersten Richtung zwischen einer Position des zweiten Resonators in der ersten Richtung und der Position des Zentrums des dielektrischen Substrats in der ersten Richtung liegt.
Filter nach Anspruch 1, ferner mit: einer kapazitiven Kopplungsstruktur (54), die zwischen den Resonatoren enthalten ist, wobei die kapazitive Kopplungsstruktur umfasst: eine erste Elektrode (50A), die sich von einem Resonator der Resonatoren aus erstreckt; eine zweite Elektrode (50B), die sich von einem anderen Resonator der Resonatoren aus in Richtung der ersten Elektrode erstreckt und einen Spitzenabschnitt aufweist, der von der ersten Elektrode in einer Seitenansicht getrennt ist; und eine dritte Elektrode (50C), die ein Ende, das in der Draufsicht mit der ersten Elektrode überlappt, und ein anderes Ende, das in der Draufsicht mit der zweiten Elektrode überlappt, umfasst.
Filter nach Anspruch 2, wobei: die kapazitive Kopplungsstruktur ferner umfasst: eine vierte Elektrode (50Ab), die sich von dem einen Resonator aus erstreckt und in der Draufsicht mit der ersten Elektrode (50Aa) überlappt; und eine fünfte Elektrode (50Bb), die sich von dem anderen Resonator aus in Richtung der vierten Elektrode erstreckt, mit der zweiten Elektrode (50Ba) in der Draufsicht überlappt und einen Spitzenabschnitt aufweist, der von der vierten Elektrode getrennt ist; das eine Ende (50Ca) der dritten Elektrode in der Seitenansicht zwischen der ersten Elektrode und der vierten Elektrode positioniert ist; und das andere Ende (50Cb) der dritten Elektrode in der Seitenansicht zwischen der zweiten Elektrode und der fünften Elektrode positioniert ist.
Filter nach Anspruch 3, wobei: das eine Ende der dritten Elektrode mit mindestens einem Eckabschnitt der ersten Elektrode in der Draufsicht überlappt; und das andere Ende der dritten Elektrode mit mindestens einem Eckabschnitt der zweiten Elektrode in der Draufsicht überlappt.
Filter nach Anspruch 1, mit: einer ersten Elektrode (50A), die sich von einem Resonator der Resonatoren aus erstreckt; einer zweiten Elektrode (50B), die sich von einem anderen Resonator der Resonatoren aus in Richtung der ersten Elektrode erstreckt und einen Spitzenabschnitt enthält, der in der Draufsicht mit der ersten Elektrode überlappt; einer dritten Elektrode (50C), die sich von dem einen Resonator aus erstreckt; und einer vierten Elektrode (50D), die sich von dem anderen Resonator aus in Richtung der dritten Elektrode erstreckt und einen Spitzenabschnitt enthält, der in der Draufsicht mit der dritten Elektrode überlappt.
Filter nach Anspruch 5, wobei: die erste Elektrode mit mindestens einem Eckabschnitt der zweiten Elektrode in der Draufsicht überlappt; und die vierte Elektrode mit mindestens einem Eckabschnitt der dritten Elektrode in der Draufsicht überlappt.
Filter nach Anspruch 1, wobei: eine Vielzahl von kapazitiven Kopplungsstrukturen (61A bis 61F) jeweils zwischen den Resonatoren enthalten sind; jede der kapazitiven Kopplungsstrukturen eine kapazitive Elektrode (60ac, 60ab) enthält, die sich von einem Resonator der Resonatoren aus erstreckt, und eine kapazitive Elektrode (60ca, 60ba), die sich von einem anderen Resonator der Resonatoren aus erstreckt; und ein Abschnitt der kapazitiven Elektrode, der sich von dem einen Resonator aus erstreckt, und ein Abschnitt der kapazitiven Elektrode, der sich von dem anderen Resonator aus erstreckt, nahe beieinander liegen.
Filter nach Anspruch 7, wobei: ein Abstand (g2) zwischen den kapazitiven Elektroden (60ac, 60ca) in einer ersten kapazitiven Kopplungsstruktur (61A) aus der Vielzahl von kapazitiven Kopplungsstrukturen größer ist als ein Abstand (g1) zwischen den kapazitiven Elektroden (60ab, 60ba) in einer zweiten kapazitiven Kopplungsstruktur (61C) aus der Vielzahl von kapazitiven Kopplungsstrukturen.
Filter nach Anspruch 1, wobei: das dielektrische Substrat zwei Hauptoberflächen (14a, 14b) und vier Seitenoberflächen (14c bis 14f) enthält; ein Abstand zwischen einer ersten Seitenoberfläche (14e) aus den vier Seitenoberflächen und dem ersten Resonator geringer ist als ein Abstand zwischen der ersten Seitenoberfläche und dem dritten Resonator; und der Filter ferner eine erste kapazitive Kopplungsstruktur (77A) enthält, die ein erstes Elektrodenmuster (76A3), das mit dem ersten Resonator verbunden ist und in Richtung der ersten Seitenoberfläche hervorsteht, und ein zweites Elektrodenmuster (76D6), das mit dem vierten Resonator verbunden ist und in Richtung der ersten Seitenoberfläche hervorsteht, enthält.
Filter nach Anspruch 9, ferner mit: einer zweiten kapazitiven Kopplungsstruktur (77C), die ein drittes Elektrodenmuster (76A4), das mit dem ersten Resonator verbunden ist, und ein viertes Elektrodenmuster (76C3), das mit dem dritten Resonator verbunden ist, enthält; und einer dritten kapazitiven Kopplungsstruktur (77E), die ein fünftes Elektrodenmuster (76C4), das mit dem dritten Resonator verbunden ist, und ein sechstes Elektrodenmuster (76D4), das mit dem vierten Resonator verbunden ist, enthält, wobei: das erste Elektrodenmuster, das zweite Elektrodenmuster, das dritte Elektrodenmuster, das vierte Elektrodenmuster, das fünfte Elektrodenmuster und das sechste Elektrodenmuster in einer gleichen Schicht ausgebildet sind; und das dritte Elektrodenmuster, das vierte Elektrodenmuster, das fünfte Elektrodenmuster und das sechste Elektrodenmuster entlang einer Längsrichtung des ersten Elektrodenmusters hervorstehen.
Filter nach Anspruch 1, wobei: die Vielzahl von Resonatoren jeweils mit einer Vielzahl von Durchgangselektrodenabschnitten (20A, 20B, 20D, 20E) bereitgestellt sind; der Filter eine kapazitive Kopplungsstruktur (71A) umfasst, die ein erstes Elektrodenmuster (70A3), das mit einem Durchgangselektrodenabschnitt aus der Vielzahl von Durchgangselektrodenabschnitten verbunden ist, ein zweites Elektrodenmuster (70C2), das mit einem Durchgangselektrodenabschnitt aus der Vielzahl von Durchgangselektrodenabschnitten verbunden ist, und eine kapazitive Kopplungselektrode (72A), die ein Ende, das mit dem ersten Elektrodenmuster in der Draufsicht überlappt, und ein anderes Ende enthält, das mit dem zweiten Elektrodenmuster in der Draufsicht überlappt, enthält; eine Abmessung (W12) der kapazitiven Kopplungselektrode in einer Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode kleiner ist als eine Abmessung (W11) des ersten Elektrodenmusters in der Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode; es zweite Regionen (73A2, 73A3) gibt, in denen die kapazitive Kopplungselektrode nicht mit dem ersten Elektrodenmuster überlappt, auf beiden Seiten einer ersten Region (73A1), in der die kapazitive Kopplungselektrode und das erste Elektrodenmuster überlappen; und eine Abmessungsdifferenz (W11-W12), die ein Wert ist, der durch Subtrahieren der Abmessung der kapazitiven Kopplungselektrode in der Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode von der Abmessung des ersten Elektrodenmusters in der Breitenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode erhalten wird, größer als oder gleich dem 1,4-fachen eines Zwischenelektrodenabstands (d1) ist, der ein Abstand zwischen der kapazitiven Kopplungselektrode und dem ersten Elektrodenmuster in einer Dickenrichtung der kapazitiven Kopplungselektrode ist.
Filter nach Anspruch 11, wobei: die Abmessungsdifferenz größer als oder gleich dem 2,6-fachen des Zwischenelektrodenabstands ist.
Filter nach Anspruch 1, wobei: ein erster Schirmleiter (12A) aus der Vielzahl von Schirmleitern auf einer Hauptoberfläche des dielektrischen Substrats ausgebildet ist; ein zweiter Schirmleiter (12B) aus der Vielzahl von Schirmleitern auf einer anderen Hauptoberflächenseite des dielektrischen Substrats ausgebildet ist; ein dritter Schirmleiter (12Ca) aus der Vielzahl von Schirmleitern auf einer ersten Seitenoberfläche des dielektrischen Substrats ausgebildet ist; ein vierter Schirmleiter (12Cb) aus der Vielzahl von Schirmleitern auf einer zweiten Seitenoberfläche ausgebildet ist, die der ersten Seitenoberfläche zugewandt ist; jeder der Vielzahl von Resonatoren einen Durchgangselektrodenabschnitt (20A bis 20E), der innerhalb des dielektrischen Substrats ausgebildet ist, und eine Kondensatorelektrode (18A bis 18E) aufweist, die dem ersten Schirmleiter zugewandt ist und mit einem Ende des Durchgangselektrodenabschnitts verbunden ist; der Filter ferner einen Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt (81A bis 81D, 81Ea, 81Eb) umfasst, der ein mit dem ersten Schirmleiter verbundenes Ende und ein anderes mit dem zweiten Schirmleiter verbundenes Ende enthält; und der Abschirmungsdurchgangselektrodenabschnitt innerhalb einer Erweiterungsregion (84A, 84B, 84Ca, 84Cb, 84D, 84E) selektiv ausgebildet ist, die durch Erweitern einer Region, in der der Durchgangselektrodenabschnitt ausgebildet ist, in Richtung des dritten Schirmleiters oder des vierten Schirmleiters erhalten wird.