CN117178429A - 滤波器 - Google Patents

Abstract

滤波器(10)，其具有：电介质基板(14)；多个谐振器(11A至11E)，其形成于电介质基板(14)内且周围被屏蔽导体包围；以及输入输出端子(22A、22B)，其形成于未形成屏蔽导体的部分，多个谐振器中的最接近输入输出端子(22A)的谐振器(11A)和多个谐振器中的最接近输入输出端子(22B)的谐振器(11E)处于点对称的位置关系。

Description

滤波器

技术领域

本发明涉及滤波器。

背景技术

在日本特表2011-507312号公报中，公开了在2个谐振器之间设有耦合调整用过孔的谐振器设备。依据日本特表2011-507312号公报，2个谐振器之间的电感耦合(耦合度)能够通过耦合调整用过孔来调整。

在日本特开2020-198482号公报中，提出了能够解决日本特表2011-507312号公报所记载的谐振器设备的课题的特性良好的小型的滤波器。即，在日本特开2020-198482号公报中，提出了能够解决在增大了谐振器之间的距离的情况下滤波器的大小变大这一课题的滤波器。

另外，在日本特开2020-198482号公报中，提出了如下的构造：通过适合地确保谐振器之间的距离和与屏蔽导体的距离，与以往相比，能够使Q值提高。通过适用该构造，能够研究出与以往相比而插入损失更小的滤波器或衰减量更大的滤波器。

发明内容

在日本特开2020-198482号公报中，通过适用上述的构造，能够研究出性能更高的滤波器，但在适用于滤波器的情况下，由于制造偏差，不能充分地确保衰减量，不能确保期望的滤波器特性。即使在实现高Q值的谐振器配置中，根据配置方法，也存在耦合度的偏差变大的情况。

本发明的目的在于，提供特性良好的小型的滤波器。

依据本发明的一个方案的滤波器具有：电介质基板；多个谐振器，其形成于电介质基板内且周围被屏蔽导体包围；以及第一输入输出端子和第二输入输出端子，其形成于未形成屏蔽导体的部分，多个谐振器中的最接近前述第一输入输出端子的谐振器即第一谐振器和前述多个谐振器中的最接近前述第二输入输出端子的谐振器即第二谐振器，以俯视下的前述电介质基板的中心为对称中心而处于点对称的位置关系，前述多个谐振器中的第三谐振器和前述多个谐振器中的第四谐振器，以俯视下的前述电介质基板的前述中心为对称中心而处于点对称的位置关系，前述第三谐振器在前述电介质基板的长度方向即第一方向上的位置，是前述第一谐振器在前述第一方向上的位置与前述电介质基板的前述中心在前述第一方向上的位置之间，前述第四谐振器在前述第一方向上的位置，是前述第二谐振器在前述第一方向上的位置与前述电介质基板的前述中心在前述第一方向上的位置之间。

依据本发明，能够提供特性良好的小型的滤波器。

附图说明

[图1]图1是示出依据第一实施方式的滤波器的立体图。

[图2]图2是示出依据第一实施方式的滤波器的俯视图。

[图3]图3A是示出理想的滤波器波形的图，图3B是示出包括偏差的滤波器波形的图。

[图4]图4A是示出将多个谐振器线对称地配置的示例的说明图，图4B是示出将多个谐振器点对称地配置的示例的说明图。

[图5]图5A和图5B是示出比较例1所涉及的滤波器波形相对于理想的滤波器波形的变动的图表。

[图6]图6A和图6B是示出实施例1所涉及的滤波器波形相对于理想的滤波器波形的变动的图表。

[图7]图7A是示出比较例2所涉及的滤波器中的通孔电极之间的电容耦合构造的侧视图，图7B是电容耦合构造的顶视图，图7C是电容耦合构造的侧视图。

[图8]图8是示出比较例2所涉及的滤波器的频率特性的图表。

[图9]图9A是示出实施例2所涉及的滤波器中的通孔电极之间的电容耦合构造的侧视图，图9B是电容耦合构造的顶视图，图9C是电容耦合构造的侧视图。

[图10]图10是示出实施例2所涉及的滤波器的频率特性的图表。

[图11]图11A是示出串联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图11B是示出在串联连接的情况下的多个平板电极的配置示例的示意图，图11C是概略性地示出平板电极的位置校正的一个示例的俯视图。

[图12]图12A是示出并联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图12B是示出在并联连接的情况下的多个平板电极的配置示例的示意图。

[图13]图13A是示出串联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图13B是示出在串联连接的情况下的多个平板电极的另一配置示例的示意图，图13C是示出并联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图13D是示出在并联连接的情况下的多个平板电极的另一配置示例的示意图。

[图14]图14是示出比较例3中的电容电极的配置关系的俯视图。

[图15]图15是示出比较例3的频率特性的波形图。

[图16]图16是示出实施例3中的电容电极的配置关系的俯视图。

[图17]图17是示出实施例3的频率特性的波形图。

[图18]图18是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图。

[图19]图19是示出依据第二实施方式的滤波器的俯视图。

[图20A]图20A是示出依据第二实施方式的滤波器的一部分的截面图。

[图20B]图20B是示出依据第二实施方式的滤波器的一部分的截面图。

[图21]图21是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图。

[图22]图22是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图。

[图23]图23是示出依据第二实施方式的滤波器的俯视图。

[图24]图24是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图。

[图25]图25是示出依据第二实施方式的滤波器的俯视图。

[图26]图26是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图。

[图27]图27是示出依据第二实施方式的滤波器的俯视图。

[图28]图28是示出依据第二实施方式的滤波器的俯视图。

[图29]图29是示出依据变形实施方式的滤波器的示例的俯视图。

[图30]图30是示出依据变形实施方式的滤波器的示例的俯视图。

[图31]图31是示出依据变形实施方式的滤波器的示例的俯视图。

具体实施方式

以下，列举合适的实施方式并参照附上的附图而对本发明所涉及的滤波器详细地进行说明。

[第一实施方式]

参照附图且同时对依据第一实施方式的滤波器10进行说明。图1是示出依据本实施方式的滤波器10的立体图。图2是示出依据本实施方式的滤波器10的俯视图。在图1和图2中，示出具备5个谐振器11A至11E的情况的示例。

如图1和图2所示，在依据本实施方式的滤波器10中，具备电介质基板14。电介质基板14例如以长方体状形成，但不限定于此。电介质基板14通过将多个陶瓷片(电介质陶瓷片)层叠来构成。

电介质基板14具有2个主面14a、14b以及4个侧面14c至14f。将沿着侧面14c和侧面14d的法线方向的方向，更具体而言将侧面14c、14d的法线方向作为X方向。即，将俯视下的电介质基板14的长度方向作为X方向。将沿着侧面14e和侧面14f的法线方向的方向，更具体而言将侧面14e、14f的法线方向作为Y方向。将沿着电介质基板14的一个主面(第一主面)14a和另一个主面(第二主面)14b的法线方向的方向，更具体而言将主面14a、14b的法线方向作为Z方向。

在电介质基板14中的主面14b侧，形成有屏蔽导体(第一主面侧屏蔽导体、下部屏蔽导体)12A。即，在图1中的电介质基板14的下侧，形成有屏蔽导体12A。在电介质基板14中的主面14a侧，形成有屏蔽导体(第二主面侧屏蔽导体、上部屏蔽导体)12B。即，在图1中的电介质基板14的上侧，形成有屏蔽导体12B。

在电介质基板14的侧面14c，形成有输入输出端子22A。在电介质基板14的侧面14d，形成有输入输出端子22B。输入输出端子22A经由连接线路32a耦合至屏蔽导体12B。另外，输入输出端子22B经由连接线路32b耦合至屏蔽导体12B。此外，在图1和图2中，示出将输入输出端子22A、22B连接至屏蔽导体12B的示例，但也可以将输入输出端子22A、22B分别连接至谐振器11A、11E。

在电介质基板14的侧面14e，形成有屏蔽导体12Ca。在电介质基板14的侧面14f，形成有屏蔽导体12Cb。屏蔽导体12Ca、12Cb以板状形成。

在电介质基板14内，形成有与屏蔽导体12A相对的电容器电极(带状线路)18A至18E。在图1中，电容器电极18A至18E以正方形示出，但电容器电极18A至18E的形状不限定于正方形。例如，电容器电极18A至18E的形状也可以是长方形。此外，在对电容器电极的一般性进行说明时，使用符号18，在对各个电容器电极进行说明时，使用符号18A至18E。

在电介质基板14内，还形成有通孔电极部20A、通孔电极部20B、通孔电极部20C、通孔电极部20D以及通孔电极部20E。此外，在对通孔电极部的一般性进行说明时，使用符号20，在对各个通孔电极部进行说明时，使用符号20A至20E。

通孔电极部20由多个通孔电极24构成。通孔电极24分别埋入至被形成于电介质基板14的过孔。如图2所示，在从上面观察时，构成通孔电极部20的多个通孔电极24沿着假想的环26排列。更具体而言，构成通孔电极部20的多个通孔电极24沿着假想的圆排列。通过将多个通孔电极24以沿着假想的环26的方式排列来构成通孔电极部20，因而该通孔电极部20能够如与该假想的环26对应的大直径的通孔电极那样进行动作。通孔电极部20由直径比较小的多个通孔电极24构成，因而能够谋求制造过程的简化。另外，由直径比较小的多个通孔电极24构成通孔电极部20，因而能够减小通孔电极部20的直径的偏差。另外，由直径比较小的多个通孔电极24构成通孔电极部20，因而埋入至通孔的银等材料较少即可，能够实现成本降低。

通孔电极部20的一端(下端)连接至电容器电极18。通孔电极部20的另一端(上端)连接至屏蔽导体12B。这样，从电容器电极18到屏蔽导体12B地形成通孔电极部20。

由电容器电极18A和通孔电极部20A构成构造体16A。由电容器电极18B和通孔电极部20B构成构造体16B。由电容器电极18C和通孔电极部20C构成构造体16C。同样地，由电容器电极18D和通孔电极部20D构成构造体16D。由电容器电极18E和通孔电极部20E构成构造体16E。此外，在对构造体的一般性进行说明时，使用符号16，在对各个构造体进行说明时，使用符号16A至16E。能够在各个构造体16之间适当设有未图示的图案。

在滤波器10中，具备分别包括构造体16A至16E的多个谐振器。即，在滤波器10中，具备谐振器11A、谐振器11B、谐振器11C、谐振器11D以及谐振器11E。此外，在对谐振器的一般性进行说明时，使用符号11，在对各个谐振器进行说明时，使用符号11A至11E。

谐振器11A和谐振器11B以彼此邻接的方式排列。谐振器11B和谐振器11C以彼此邻接的方式排列。谐振器11C和谐振器11D以彼此邻接的方式排列。谐振器11D和谐振器11E以彼此邻接的方式排列。在多个谐振器11的各个谐振器11中，各具备1个通孔电极部20。

如图2所示，通孔电极部20A、通孔电极部20B、通孔电极部20C、通孔电极部20D以及通孔电极部20E在X方向上彼此错开。通孔电极部20C的中心P3在X方向上的位置，是通孔电极部20A的中心P1在X方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在X方向上的位置之间。优选的是，通孔电极部20C的中心P3在X方向上的位置与通孔电极部20A的中心P1在X方向上的位置之间的距离，与通孔电极部20C的中心P3在X方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在X方向上的位置之间的距离相等。

同样地，通孔电极部20C的中心P3在Y方向上的位置，是通孔电极部20A的中心P1在Y方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在Y方向上的位置之间。优选的是，通孔电极部20C的中心P3在Y方向上的位置与通孔电极部20A的中心P1在Y方向上的位置之间的距离，与通孔电极部20C的中心P3在Y方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在Y方向上的位置之间的距离相等。通孔电极部20A的中心P1在Y方向上的位置与通孔电极部20D的中心P4在Y方向上的位置相同。同样地，通孔电极部20B的中心P2在Y方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在Y方向上的位置相同。

而且，5个通孔电极部20A至20E中的最接近输入输出端子22A的通孔电极部20是通孔电极部20A。即，通孔电极部20A的中心P1的位置与输入输出端子22A的位置之间的在X方向上的距离，比通孔电极部20B的中心P2的位置与输入输出端子22A的位置之间的在X方向上的距离更小。5个通孔电极部20A至20E中的最接近输入输出端子22B的通孔电极部20是通孔电极部20E。通孔电极部20E的中心P5的位置与输入输出端子22B的位置之间的在X方向上的距离，比通孔电极部20D的中心P4的位置与输入输出端子22B的位置之间的在X方向上的距离更小。通孔电极部20A和通孔电极部20D位于侧面14e侧。通孔电极部20B和通孔电极部20E位于侧面14f侧。

实施例

接着，示出对实施例和比较例确认特性的差异的结果。

首先，在图3A所示的理想的滤波器波形中，在衰减极的间隔上偏差小，峰值的偏差也小。与此相对的是，如图3B所示，包括偏差的滤波器的滤波器波形在衰减极的间隔上偏差大，峰值的偏差也大。其结果是，在包括偏差的滤波器中，无法得到期望的衰减特性。作为其主要原因，可列举谐振器的耦合度存在偏差、耦合电容存在偏差、跳变电容存在偏差等。

<第一实施例>

[比较例1]

在比较例1所涉及的滤波器100中，如图4A所示，具备4个谐振器11A至11D。这些谐振器11A至11D以俯视下的电介质基板14的中心线为对称轴而布置于线对称的位置。谐振器11A与谐振器11D彼此对应。谐振器11B与谐振器11C彼此对应。换而言之，依据比较例1的滤波器100具有将通孔电极部20A与通孔电极部20B的组合和通孔电极部20C与通孔电极部20D的组合配置于线对称的位置的构造。

如图5A和图5B所示，相对于理想的滤波器波形，比较例1所涉及的滤波器100的滤波器波形的偏差大，变动方向(+/-)也分散。

[实施例1]

在实施例1所涉及的滤波器中，如图4B所示，具备5个谐振器11A至11E。这些谐振器11A至11E以俯视下的电介质基板14的中心C(参照图2)为对称中心而布置于点对称的位置。谐振器11A与谐振器11E彼此对应。即，距输入输出端子22A的距离最小的谐振器11A和距输入输出端子22B的距离最小的谐振器11E布置于点对称的位置。另外，谐振器11B与谐振器11D彼此对应。换而言之，实施例1所涉及的滤波器具有将最接近一个输入输出的通孔电极部20A和最接近另一个输入输出的通孔电极部20E配置于点对称的位置的构造。此外，通孔电极部20B和通孔电极部20D也配置于点对称的位置。

如图6A和图6B所示，相对于理想的滤波器波形，实施例1所涉及的滤波器的偏差小，变动方向也是一定的。

<第二实施例>

[比较例2]

在比较例2所涉及的滤波器的通孔电极部20之间，如图7A至图7C所示，具备电容耦合构造52。在该电容耦合构造52中，耦合至通孔电极部20A的平板电极50A的前端部和耦合至通孔电极部20B的平板电极50B的前端部在侧视下彼此远离。另外，在该电容耦合构造52中，耦合至通孔电极部20A的平板电极50A的前端部和耦合至通孔电极部20B的平板电极50B的前端部在俯视下彼此重合。即，平板电极50A的前端部和平板电极50B的前端部彼此相对。在对平板电极的一般性进行说明时，使用符号50，在说明各个平板电极时，使用符号50A至50D。

关于比较例2所涉及的滤波器的频率特性，如图8所示，频率低的区域中的衰减特性的偏差大。

[实施例2]

在实施例2所涉及的滤波器中，在通孔电极部20之间，具备电容耦合构造54。在彼此邻接的通孔电极部20之间分别具备该电容耦合构造54。在图9A至图9C中示出在通孔电极部20A与通孔电极部20B之间所具备的电容耦合构造54的示例。图9A至图9C所示的电容耦合构造54具有耦合至通孔电极部20A的2个平板电极50Aa、50Ab、耦合至通孔电极部20B的2个平板电极50Ba、50Bb以及平板电极50C。平板电极50C的一个前端部50Ca在侧视下位于平板电极50Aa与平板电极50Ab之间。平板电极50C的前端部50Ca和平板电极50Aa在侧视下彼此远离。平板电极50C的前端部50Ca和平板电极50Ab在侧视下彼此远离。平板电极50C的前端部50Ca和平板电极50Aa在俯视下彼此重合。即，平板电极50C的前端部50Ca和平板电极50Aa彼此相对。平板电极50C的前端部50Ca和平板电极50Ab在俯视下彼此重合。即，平板电极50C的前端部50Ca和平板电极50Ab彼此相对。平板电极50C的另一个前端部50Cb在侧视下位于平板电极50Ba与平板电极50Bb之间。平板电极50C的前端部50Cb和平板电极50Ba在侧视下彼此远离。平板电极50C的前端部50Cb和平板电极50Bb在侧视下彼此远离。平板电极50C的前端部50Cb和平板电极50Ba在俯视下彼此重合。即，平板电极50C的前端部50Cb和平板电极50Ba彼此相对。平板电极50C的前端部50Cb和平板电极50Bb在俯视下彼此重合。即，平板电极50C的前端部50Cb和平板电极50Bb彼此相对。

关于实施例2所涉及的滤波器的频率特性，如图10所示，频率低的区域中的衰减特性的偏差小。即，在实施例2所涉及的滤波器中，频率低的区域中的衰减特性几乎无偏差。

在通孔电极部20之间所具备的电容耦合构造54不限定于上述的构造。例如，也可以在通孔电极部20之间具备如图11A所示的电容耦合构造54。例如，作为电容C1和电容C2串联地连接的电容耦合构造54，也可以采用图11B所示的构造。

在图11B所示的电容耦合构造54中，从通孔电极部20A延伸的平板电极50A的前端部和从通孔电极部20B延伸的平板电极50B的前端部彼此远离。在该电容耦合构造54中，平板电极50A的前端部和平板电极50C在侧视下彼此远离。另外，在该电容耦合构造54中，平板电极50B的前端部和平板电极50C在侧视下彼此远离。另外，在该电容耦合构造54中，平板电极50A的前端部和平板电极50C在俯视下彼此重合。即，平板电极50A的前端部和平板电极50C彼此相对。另外，在该电容耦合构造54中，平板电极50B的前端部和平板电极50C在俯视下彼此重合。即，平板电极50B的前端部和平板电极50C彼此相对。

在此情况下，也可以使由平板电极50A和平板电极50C形成的电容C1与由平板电极50B和平板电极50C形成的电容C2相同，也可以使它们不同。图11C中的上侧的图示出使电容C1与电容C2设为相同的示例。图11C中的下侧的图示出通过使平板电极50C的位置错开来使电容C2比电容C1更大的示例。也可以通过使平板电极50C的位置错开来使电容C1比电容C2更大。

另外，在通孔电极部20之间所具备的电容耦合构造54不限定于上述的构造。例如，也可以在通孔电极部20之间具备如图12A所示的电容耦合构造54。例如，作为电容C1和电容C2并联地连接的电容耦合构造54，也可以采用图12B所示的构造。

在图12B所示的电容耦合构造54中，从通孔电极部20A延伸的平板电极50A的前端部和从通孔电极部20B延伸的平板电极50B的前端部在俯视下彼此重合。平板电极50A和平板电极50B在侧视下彼此远离。即，平板电极50A的前端部和平板电极50B的前端部彼此相对。另外，在图12B所示的电容耦合构造54中，从通孔电极部20A延伸的平板电极50C的前端部和从通孔电极部20B延伸的平板电极50D的前端部在俯视下彼此重合。平板电极50C和平板电极50D在侧视下彼此远离。即，平板电极50C的前端部和平板电极50D的前端部彼此相对。此外，也可以将平板电极50A和平板电极50D分别形成于同一层的位置，将平板电极50B和平板电极50C分别形成于同一层的位置。在此情况下，形成有平板电极50A和平板电极50D的层与形成有平板电极50B和平板电极50C的层彼此不同。

另外，如图12B所示，也可以通过使平板电极50A与平板电极50B的相对位置关系变化，适当调整平板电极50A与平板电极50B之间的电容C1。另外，也可以通过使平板电极50C与平板电极50D的相对位置关系变化，适当调整平板电极50C与平板电极50D之间的电容C2。

在上文中使用图11A至图11C来阐述的电容耦合构造54中，通过使平板电极50C相对地沿一个方向(平板电极的延展方向)错开，能够调整平板电极50之间的电容。另外，在上文中使用图12A、图12B来阐述的电容耦合构造54中，通过使平板电极50A、50D相对地沿一个方向(平板电极的延展方向)错开，能够调整平板电极50之间的电容。平板电极50之间的电容的调整不限定于上述情况。例如，如图13A和图13B所示，也可以通过使平板电极50C相对地沿两个方向(平板电极的延展方向和与其正交的方向)错开，调整平板电极50之间的电容。在图13A和图13B所示的示例中，平板电极50C的一端与平板电极50A的至少1个角部在俯视下重合。另外，在图13A和图13B所示的示例中，平板电极50C的另一端与平板电极50B的至少1个角部在俯视下重合。

另外，如图13C和图13D所示，也可以通过使平板电极50A和平板电极50B相对地沿两个方向(平板电极的延展方向和与其正交的方向)错开，调整平板电极50之间的电容。另外，也可以通过使平板电极50C和平板电极50D相对地沿两个方向(平板电极的延展方向和与其正交的方向)错开，调整平板电极50之间的电容。也可以使平板电极50A和平板电极50B相对地沿两个方向错开，并且使平板电极50C和平板电极50D相对地沿两个方向错开。在图13C和图13D所示的示例中，平板电极50A与平板电极50B的至少1个角部在俯视下重合。另外，在图13C和图13D所示的示例中，平板电极50D与平板电极50C的至少1个角部在俯视下重合。

<第三实施例>

在比较例3所涉及的滤波器中，如图14所示，具备电容电极60ab、60ac、60ba、60bc。另外，在第三实施例所涉及的滤波器中，如图16所示，具备电容电极60ab、60ac、60ba、60bc。通孔电极部20A具有朝向通孔电极部20B延伸的电容电极60ab和朝向通孔电极部20C延伸的电容电极60ac。通孔电极部20B具有朝向通孔电极部20A延伸的电容电极60ba和朝向通孔电极部20C延伸的电容电极60bc。

另外，在比较例3所涉及的滤波器中，如图14所示，具备电容电极60dc、60de、60ec、60ed。另外，在第三实施例所涉及的滤波器中，如图16所示，具备电容电极60dc、60de、60ec、60ed。通孔电极部20D具有朝向通孔电极部20C延伸的电容电极60dc和朝向通孔电极部20E延伸的电容电极60de。通孔电极部20E具有朝向通孔电极部20C延伸的电容电极60ec和朝向通孔电极部20D延伸的电容电极60ed。

另外，在比较例3所涉及的滤波器中，如图14所示，具备电容电极60ca、60cb、60cd、60ce。另外，在第三实施例所涉及的滤波器中，如图16所示，具备电容电极60ca、60cb、60cd、60ce。通孔电极部20C具有朝向通孔电极部20A延伸的电容电极60ca、朝向通孔电极部20B延伸的电容电极60cb、朝向通孔电极部20D延伸的电容电极60cd以及朝向通孔电极部20E延伸的电容电极60ce。在对电容电极的一般性进行说明时，使用符号60，在对各个电容电极进行说明时，使用符号60ab、60ac、60ba、60bc、60dc、60de、60ec、60ed、60ca、60cb、60cd、60ce。彼此接近的电容电极60进行电容耦合。由彼此接近的电容电极60ac和电容电极60ca构成电容耦合构造61A。由彼此接近的电容电极60ec和电容电极60ce构成电容耦合构造61B。由彼此接近的电容电极60ab和电容电极60ba构成电容耦合构造61C。由彼此接近的电容电极60de和电容电极60ed构成电容耦合构造61D。由彼此接近的电容电极60bc和电容电极60cb构成电容耦合构造61E。由彼此接近的电容电极60cd和电容电极60dc构成电容耦合构造61F。

[比较例3]

在比较例3中，如图14所示，无论构成滤波器的元件的灵敏度如何，各电容电极60之间的距离(与电容电极60的延展方向正交的方向上的距离)g1都设定成相同。即，在比较例3所涉及的滤波器中，无论谐振器11之间的耦合度如何，各电容电极60之间的距离g1都设定成相同。在比较例3中，电容电极60ac与电容电极60ca之间的灵敏度相对较高。即，在比较例3中，谐振器11A与谐振器11C之间的耦合度相对较高。另外，在比较例3中，电容电极60ec与电容电极60ce之间的灵敏度相对较高。即，谐振器11C与谐振器11E之间的耦合度相对较高。

关于比较例3所涉及的滤波器的频率特性，如图15所示，频率高的区域中的衰减特性的偏差大。

[实施例3]

在实施例3中，如图16所示，根据构成滤波器10的元件的灵敏度而适合地设定各电容电极60之间的距离。即，在实施例3中，根据谐振器11之间的耦合度而适合地设定各电容电极60之间的距离。在图16中，将电容电极60ac与电容电极60ca之间的距离g2和电容电极60ec与电容电极60ce之间的距离g2设定得比其它电容电极60之间的距离g1更大。即，在实施例3中，将电容耦合构造61A、61B中的电容电极60之间的距离g2设定得比电容耦合构造61C至61F中的电容电极60之间的距离g1更大。

其结果是，关于实施例3所涉及的滤波器的频率特性，如图17所示，在频率高的区域中的衰减特性上几乎无偏差，是良好的。即，实施例3所涉及的滤波器能够使衰减特性的偏差降低。

这样，在本实施方式中，通过将最接近输入输出端子22A的谐振器11A和最接近输入输出端子22B的谐振器11E配置成点对称的位置关系，能够抑制谐振器11之间的耦合度的偏差。

例如，如图2所示，在五级滤波器的情况下，将第一级的谐振器11A和第五级的谐振器11E在俯视下相对于电介质基板14C的中心配置于点对称的位置。

而且，通过耦合电容或跳变电容的构造并非只是使之相对的构造，而是由2层的平板电极50夹入并将其串联地连接的构造，能够抑制偏差。

对于在同一层所构成的电容电极60之间的距离，根据构成滤波器的元件的灵敏度而适合地配置距离，由此能够使滤波器特性上的偏差降低。

[第二实施方式]

对依据第二实施方式的滤波器进行说明。图18是示出依据本实施方式的滤波器的立体图。图19是示出依据本实施方式的滤波器的俯视图。图20A和图20B是示出依据本实施方式的滤波器的一部分的截面图。图21和图22是示出依据本实施方式的滤波器的立体图。图23是示出依据本实施方式的滤波器的俯视图。图24是示出依据本实施方式的滤波器的立体图。图25是示出依据本实施方式的滤波器的俯视图。图26是示出依据本实施方式的滤波器的立体图。图27和图28是示出依据本实施方式的滤波器的俯视图。为了谋求简化，在图18至图28中，适当省略一部分的构成要素。

在依据本实施方式的滤波器10中，具备4个谐振器11。即，在依据本实施方式的滤波器10中，具备谐振器11A、谐振器11B、谐振器11D以及谐振器11E。在依据本实施方式的滤波器10中，不具备谐振器11C(参照图1)。

谐振器(第一谐振器)11A和谐振器(第二谐振器)11E以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。谐振器(第三谐振器)11B和谐振器(第四谐振器)11D以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。

谐振器11B在X方向上的位置，是谐振器11A在X方向上的位置与电介质基板14的中心C在X方向上的位置之间。

谐振器11D在X方向上的位置，是谐振器11E在X方向上的位置与电介质基板14的中心C在X方向上的位置之间。

谐振器11A和谐振器11B以彼此邻接的方式排列。谐振器11B和谐振器11D以彼此邻接的方式排列。谐振器11D和谐振器11E以彼此邻接的方式排列。

如图19所示，通孔电极部20A、通孔电极部20B、通孔电极部20D以及通孔电极部20E在X方向上彼此错开。通孔电极部20B的中心P2在X方向上的位置，是通孔电极部20A的中心P1在X方向上的位置与通孔电极部20D的中心P4在X方向上的位置之间。通孔电极部20D的中心P4在X方向上的位置，是通孔电极部20B的中心P2在X方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在X方向上的位置之间。

通孔电极部20A的中心P1在Y方向上的位置与通孔电极部20D的中心P4在Y方向上的位置相同。通孔电极部20B的中心P2在Y方向上的位置与通孔电极部20E的中心P5在Y方向上的位置相同。通孔电极部20B和通孔电极部20E相对于通孔电极部20A和通孔电极部20D在Y方向上错开。通孔电极部20A和通孔电极部20D位于侧面14e侧。即，通孔电极部20A、20D与屏蔽导体12Ca之间的距离比通孔电极部20A、20D与屏蔽导体12Cb之间的距离更小。通孔电极部20B、20E位于侧面14f侧。即，通孔电极部20B、20E与屏蔽导体12Cb之间的距离比通孔电极部20B、20E与屏蔽导体12Ca之间的距离更小。

这样，在本实施方式中，通孔电极部20A的中心P1的位置和通孔电极部20B的中心P2的位置不仅在X方向上彼此错开，也在Y方向上彼此错开。因此，依据本实施方式，能够不增大通孔电极部20A、20B之间的在X方向上的距离地增大通孔电极部20A、20B之间的距离。另外，依据本实施方式，通孔电极部20B的中心P2的位置和通孔电极部20D的中心P4的位置不仅在X方向上彼此错开，也在Y方向上彼此错开。因此，依据本实施方式，能够不增大通孔电极部20B、20D之间的在X方向上的距离地增大通孔电极部20B、20D之间的距离。另外，依据本实施方式，通孔电极部20D的中心P4的位置和通孔电极部20E的中心P5的位置不仅在X方向上彼此错开，也在Y方向上彼此错开。因此，依据本实施方式，能够不增大通孔电极部20D、20E之间的在X方向上的距离地增大通孔电极部20D、20E之间的距离。这样，依据本实施方式，能够不增大邻接的谐振器11的在X方向上的距离，而减小邻接的谐振器11之间的耦合度。因此，依据本实施方式，能够将滤波器10的大小保持得较小，且同时得到特性良好的滤波器10。

4个通孔电极部20A、20B、20D、20E中的最接近输入输出端子22A的通孔电极部20是通孔电极部20A。通孔电极部20A的中心P1的位置与输入输出端子22A的位置之间的在X方向上的距离，比通孔电极部20B的中心P2的位置与输入输出端子22A的位置之间的在X方向上的距离更小。通孔电极部20A的中心P1的位置与输入输出端子22A的位置之间的在Y方向上的距离，与通孔电极部20B的中心P2的位置与输入输出端子22A的位置之间的在Y方向上的距离相同。

4个通孔电极部20A、20B、20D、20E中的最接近输入输出端子22B的通孔电极部20是通孔电极部20E。通孔电极部20E的中心P5的位置与输入输出端子22B的位置之间的在X方向上的距离，比通孔电极部20D的中心P4的位置与输入输出端子22B的位置之间的在X方向上的距离更小。通孔电极部20E的中心P5的位置与输入输出端子22B的位置之间的在Y方向上的距离，与通孔电极部20D的中心P4的位置与输入输出端子22B的位置之间的在Y方向上的距离相同。

谐振器11A、11B、11D、11E以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。即，谐振器11A和谐振器11E以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。另外，谐振器11B和谐振器11D也以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而配置于点对称的位置。在本实施方式中，将谐振器11A、11B、11D、11E点对称地配置是为了得到良好的频率特性。

通孔电极部20A的中心P1和通孔电极部20D的中心P4在Y方向上的位置相对于电介质基板14的中心C在Y方向上的位置而位于侧面14e侧。通孔电极部20B的中心P2和通孔电极部20E的中心P5在Y方向上的位置相对于电介质基板14的中心C在Y方向上的位置而位于侧面14f侧。输入输出端子22A的中心和输入输出端子22B的中心在Y方向上的位置与电介质基板14的中心C在Y方向上的位置相同地设定。

如图22所示，在电介质基板14内，形成有耦合电容电极(平板电极)70A至70F。在谐振器11A具备耦合电容电极70A。在谐振器11E具备耦合电容电极70B。在谐振器11B具备耦合电容电极70C。在谐振器11D具备耦合电容电极70D。在俯视下的电介质基板14的中心C(参照图19)的附近具备耦合电容电极70E、70F。耦合电容电极70A至70F形成于同一层。换而言之，耦合电容电极70A至70F形成于未图示的同一陶瓷片上。在不区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号70，在区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号70A至70F。在耦合电容电极70与电容器电极18之间，存在未图示的一个以上的陶瓷片。耦合电容电极70能够例如通过印刷法来形成。

耦合电容电极70以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。即，耦合电容电极70A和耦合电容电极70B以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。另外，耦合电容电极70C和耦合电容电极70D也以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而配置于点对称的位置。另外，耦合电容电极70E和耦合电容电极70F也以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而配置于点对称的位置。在本实施方式中，将耦合电容电极70点对称地配置是为了得到良好的频率特性。

耦合电容电极70A连接至通孔电极部20A。耦合电容电极70A的下表面经由通孔电极部20A的一部分连接至电容器电极18A的上表面。

耦合电容电极70B连接至通孔电极部20E。耦合电容电极70B的下表面经由通孔电极部20E的一部分连接至电容器电极18E的上表面。

耦合电容电极70C连接至通孔电极部20B。耦合电容电极70C的下表面经由通孔电极部20B的一部分连接至电容器电极18B的上表面。

耦合电容电极70D连接至通孔电极部20D。耦合电容电极70D的下表面经由通孔电极部20D的一部分连接至电容器电极18D的上表面。

如图23所示，耦合电容电极70A包括部分图案(电极图案)70A1至70A3。部分图案70A1连接至通孔电极部20A。部分图案70A2的一端连接至部分图案70A1。部分图案70A2沿+X方向突出。部分图案70A3的一端连接至部分图案70A1。部分图案70A3沿+Y方向突出。

耦合电容电极70B包括部分图案70B1至70B3。部分图案70B1连接至通孔电极部20E。部分图案70B2的一端连接至部分图案70B1。部分图案70B2沿-X方向突出。部分图案70B3的一端连接至部分图案70B1。部分图案70B3沿-Y方向突出。

耦合电容电极70C包括部分图案70C1至70C3。部分图案70C1连接至通孔电极部20B。部分图案70C2的一端连接至部分图案70C1。部分图案70C2沿-X方向突出。部分图案70C3的一端连接至部分图案70C1。部分图案70C3沿+X方向突出。

耦合电容电极70D包括部分图案70D1至70D3。部分图案70D1连接至通孔电极部20D。部分图案70D2的一端连接至部分图案70D1。部分图案70D2沿+X方向突出。部分图案70D3的一端连接至部分图案70D1。部分图案70D3沿-X方向突出。

耦合电容电极70E在Y方向上的位置，是耦合电容电极70A、70D在Y方向上的位置与耦合电容电极70B、70C在Y方向上的位置之间。耦合电容电极70E在X方向上的位置，是耦合电容电极70A所具备的部分图案70A3在X方向上的位置与耦合电容电极70F在X方向上的位置之间。耦合电容电极70E连接至耦合电容电极70C。

耦合电容电极70F在Y方向上的位置，是耦合电容电极70A、70D在Y方向上的位置与耦合电容电极70B、70C在Y方向上的位置之间。耦合电容电极70F在X方向上的位置，是耦合电容电极70B所具备的部分图案70B3在X方向上的位置与耦合电容电极70E在X方向上的位置之间。耦合电容电极70F连接至耦合电容电极70D。

如图22所示，在电介质基板14内，还形成有耦合电容电极(平板电极)72A至72E。耦合电容电极72A至72E形成于同一层。换而言之，耦合电容电极72A至72E形成于同一未图示的陶瓷片上。在不区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号72，在区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号72A至72E。在耦合电容电极72与耦合电容电极70之间，存在未图示的一个以上的陶瓷片。耦合电容电极72例如能够通过印刷法来形成。

耦合电容电极72以俯视下的电介质基板14的中心C(参照图19)为对称中心而布置于点对称的位置。即，耦合电容电极72A和耦合电容电极72B以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。另外，耦合电容电极72C和耦合电容电极72D也以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而配置于点对称的位置。在本实施方式中，将耦合电容电极72点对称地配置是为了得到良好的频率特性。

如图23所示，耦合电容电极72A的长度方向是Y方向。耦合电容电极72A的一端在俯视下与耦合电容电极70A重合。更具体而言，耦合电容电极72A的一端在俯视下与部分图案70A3重合。耦合电容电极72A的另一端在俯视下与耦合电容电极70C重合。更具体而言，耦合电容电极72A的另一端在俯视下与部分图案70C2重合。由耦合电容电极70A、耦合电容电极72A以及耦合电容电极70C构成电容耦合构造71A。

耦合电容电极72B的长度方向是Y方向。耦合电容电极72B的一端在俯视下与耦合电容电极70D重合。更具体而言，耦合电容电极72B的一端在俯视下与部分图案70D2重合。耦合电容电极72B的另一端在俯视下与耦合电容电极70B重合。更具体而言，耦合电容电极72B的另一端在俯视下与部分图案70B3重合。由耦合电容电极70B、耦合电容电极72B以及耦合电容电极70D构成电容耦合构造71B。

耦合电容电极72C的长度方向是X方向。耦合电容电极72C的一端在俯视下与耦合电容电极70A重合。更具体而言，耦合电容电极72C的一端在俯视下与部分图案70A2重合。耦合电容电极72C的另一端在俯视下与耦合电容电极70D重合。更具体而言，耦合电容电极72C的另一端在俯视下与部分图案70D3重合。由耦合电容电极70A、耦合电容电极72C以及耦合电容电极70D构成电容耦合构造71C。通孔电极部20A和通孔电极部20D位于耦合电容电极72C的延长区域上。即，通孔电极部20A位于耦合电容电极72C的一端的延长区域上，通孔电极部20D位于耦合电容电极72C的另一端的延长区域上。

耦合电容电极72D的长度方向是X方向。耦合电容电极72D的一端在俯视下与耦合电容电极70B重合。更具体而言，耦合电容电极72D的一端在俯视下与部分图案70B2重合。耦合电容电极72D的另一端在俯视下与耦合电容电极70C重合。更具体而言，耦合电容电极72D的另一端在俯视下与部分图案70C3重合。由耦合电容电极70B、耦合电容电极72D以及耦合电容电极70C构成电容耦合构造71D。通孔电极部20B和通孔电极部20E位于耦合电容电极72D的延长区域上。即，通孔电极部20E位于耦合电容电极72D的一端的延长区域上，通孔电极部20B位于耦合电容电极72D的另一端的延长区域上。

耦合电容电极72E的长度方向是X方向。耦合电容电极72E的一端在俯视下与耦合电容电极70E重合。耦合电容电极72E的另一端在俯视下与耦合电容电极70F重合。

耦合电容电极72与耦合电容电极70之间的在耦合电容电极72的厚度方向上的距离即电极间距离d1(参照图20A)例如为0.12mm左右，但不限定于此。电极间距离d1例如也可以是0.06mm。电极间距离d1不限定于这些值。

耦合电容电极72A的在耦合电容电极72A的宽度方向(X方向)上的尺寸W12比部分图案70A3的在耦合电容电极72A的宽度方向上的尺寸W11更小。即，耦合电容电极72A的在X方向上的尺寸W12比部分图案70A3的在X方向上的尺寸W11更小。在耦合电容电极72A与部分图案70A3在俯视下重合的区域(部位)73A1的两侧，存在耦合电容电极72A不与部分图案70A3重合的区域(部位)73A2、73A3。区域73A2相对于区域73A1位于-X侧。区域73A3相对于区域73A1位于+X侧。部分图案70A3的在耦合电容电极72A的宽度方向上的尺寸W11例如设定成0.54mm。耦合电容电极72A的在耦合电容电极72A的宽度方向上的尺寸W12例如设定成0.18mm。

耦合电容电极72A的在耦合电容电极72A的宽度方向上的尺寸W12比部分图案70C2的在耦合电容电极72A的宽度方向上的尺寸更小。即，耦合电容电极72A的在X方向上的尺寸W12比部分图案70C2的在X方向上的尺寸更小。在耦合电容电极72A与部分图案70C2在俯视下重合的区域73B1的两侧，存在耦合电容电极72A不与部分图案70C2重合的区域73B2、73B3。区域73B2相对于区域73B1位于-X侧。区域73B3相对于区域73B1位于+X侧。

耦合电容电极72B的在耦合电容电极72B的宽度方向(X方向)上的尺寸W12比部分图案70B3的在耦合电容电极72B的宽度方向上的尺寸W11更小。即，耦合电容电极72B的在X方向上的尺寸W12比部分图案70B3的在X方向上的尺寸W11更小。在耦合电容电极72B与部分图案70B3在俯视下重合的区域73C1的两侧，存在耦合电容电极72B不与部分图案70B3重合的区域73C2、73C3。区域73C2相对于区域73C1位于-X侧。区域73C3相对于区域73C1位于+X侧。部分图案70B3的在耦合电容电极72B的宽度方向上的尺寸W11例如设定成0.54mm。耦合电容电极72B的在耦合电容电极72B的宽度方向上的尺寸W12例如设定成0.18mm。

耦合电容电极72B的在耦合电容电极72B的宽度方向上的尺寸W12比部分图案70D2的在耦合电容电极72B的宽度方向上的尺寸W11更小。即，耦合电容电极72B的在X方向上的尺寸W12比部分图案70D2的在X方向上的尺寸W11更小。在耦合电容电极72B与部分图案70D2在俯视下重合的区域73D1的两侧，存在耦合电容电极72B不与部分图案70D2重合的区域73D2、73D3。区域73D2相对于区域73D1位于-X侧。区域73D3相对于区域73D1位于+X侧。

耦合电容电极72C的在耦合电容电极72C的宽度方向(Y方向)上的尺寸W22比部分图案70A2的在耦合电容电极72C的宽度方向上的尺寸W21更小。即，耦合电容电极72C的在Y方向上的尺寸W22比部分图案70A2的在Y方向上的尺寸W21更小。在耦合电容电极72C与部分图案70A2在俯视下重合的区域73E1的两侧，存在耦合电容电极72C不与部分图案70A2重合的区域73E2、73E3。区域73E2相对于区域73E1位于-Y侧。区域73E3相对于区域73E1位于+Y侧。部分图案70A2的在耦合电容电极72C的宽度方向上的尺寸W21例如设定成0.56mm。耦合电容电极72C的在耦合电容电极72C的宽度方向上的尺寸W22例如设定成0.34mm。

耦合电容电极72C的在耦合电容电极72C的宽度方向上的尺寸W22比部分图案70D3的在耦合电容电极72C的宽度方向上的尺寸W21更小。即，耦合电容电极72C的在Y方向上的尺寸W22比部分图案70D3的在Y方向上的尺寸W21更小。在耦合电容电极72C与部分图案70D3在俯视下重合的区域73F1的两侧，存在耦合电容电极72C不与部分图案70D3重合的区域73F2、73F3。区域73F2相对于区域73F1位于-Y侧。区域73F3相对于区域73F1位于+Y侧。部分图案70D3的在耦合电容电极72C的宽度方向上的尺寸W21例如设定成0.56mm。

耦合电容电极72D的在耦合电容电极72D的宽度方向(Y方向)上的尺寸W22比部分图案70C3的在耦合电容电极72D的宽度方向上的尺寸W21更小。即，耦合电容电极72D的在Y方向上的尺寸W22比部分图案70C3的在Y方向上的尺寸W21更小。在耦合电容电极72D与部分图案70C3在俯视下重合的区域73G1的两侧，存在耦合电容电极72D不与部分图案70C3重合的区域73G2、73G3。区域73G2相对于区域73G1位于-Y侧。区域73G3相对于区域73G1位于+Y侧。部分图案70C3的在耦合电容电极72D的宽度方向上的尺寸W21例如设定成0.56mm。耦合电容电极72D的在耦合电容电极72D的宽度方向上的尺寸W22例如设定成0.34mm。

耦合电容电极72D的在耦合电容电极72D的宽度方向上的尺寸W22比部分图案70B2的在耦合电容电极72D的宽度方向上的尺寸W21更小。即，耦合电容电极72D的在Y方向上的尺寸W22比部分图案70B2的在Y方向上的尺寸W21更小。在耦合电容电极72D与部分图案70B2在俯视下重合的区域73H1的两侧，存在耦合电容电极72D不与部分图案70B2重合的区域73H2、73H3。区域73H2相对于区域73H1位于-Y侧。区域73H3相对于区域73H1位于+Y侧。部分图案70B2的在耦合电容电极72D的宽度方向上的尺寸W21例如设定成0.56mm。

通过从部分图案70A3、70B3的在耦合电容电极72A、72B的宽度方向上的尺寸W11减去耦合电容电极72A、72B的在耦合电容电极72A、72B的宽度方向上的尺寸W12而得到的值即尺寸差ΔW1，优选为电极间距离d1的1.4倍以上。尺寸差ΔW1、即尺寸差(W11-W12)更优选为电极间距离d1的2.6倍以上。在本实施方式中，尺寸差ΔW1设定成电极间距离d1的3倍。

尺寸差ΔW1如上述那样设定得比较大，因而区域73A2、73A3、73B2、73B3、73C2、73C3、73D2、73D3的在X方向上的尺寸L1比较大。在部分图案70A3、70B3的在耦合电容电极72A、72B的宽度方向上的尺寸W11是0.54mm，且耦合电容电极72A、72B的在耦合电容电极72A、72B的宽度方向上的尺寸W12是0.18mm的情况下，尺寸差ΔW1是0.36mm。在尺寸差ΔW1是0.36mm的情况下，尺寸L1是0.18mm。在此情况下，尺寸L1是电极间距离d1的例如1.5倍。这样，在尺寸差ΔW1是电极间距离d1的3倍的情况下，尺寸L1是电极间距离d1的例如1.5倍。

通过从部分图案70A2、70B2、70C3、70D3的在耦合电容电极72C、72D的宽度方向上的尺寸W21减去耦合电容电极72C、72D的在耦合电容电极72C、72D的宽度方向上的尺寸W22而得到的值即尺寸差ΔW2，优选为电极间距离d1的1.4倍以上。在本实施方式中，尺寸差ΔW2、即尺寸差(W21-W22)设定成电极间距离d1的1.84倍。

尺寸差ΔW2如上述那样设定得比较大，因而区域73E2、73E3、73F2、73F3、73G2、73G3、73H2、73H3的在Y方向上的尺寸L2比较大。在部分图案70A2、70B2、70C3、70D3的在耦合电容电极72C、72D的宽度方向上的尺寸W21是0.56mm，且耦合电容电极72C、72D的在耦合电容电极72C、72D的宽度方向上的尺寸W22是0.34mm的情况下，尺寸差ΔW2是0.22mm。在尺寸差ΔW2是0.22mm的情况下，尺寸L2是0.11mm。在此情况下，尺寸L2是电极间距离d1的例如0.92倍。这样，在尺寸差ΔW2是电极间距离d1的1.84倍的情况下，尺寸L2是电极间距离d1的0.92倍。

制造时的位置偏移的最大值例如是0.03mm左右。在制造时的位置偏移的最大值是0.03mm的情况下，尺寸L1、L2例如能够设定成0.03mm。与此相对的是，在本实施方式中，将尺寸L1、L2设定得比较大。在本实施方式中，将尺寸L1、L2设定得比较大是依据如以下那样的理由。即，在尺寸L1、L2比较小的情况下，如果在制造时产生某种程度的位置偏移，则电容耦合构造71A至71D的静电电容较大地变动。如果电容耦合构造71A至71D的静电电容较大地变动，则无法得到良好的滤波器特性。在尺寸L1、L2比较大的情况下，即使在制造时产生某种程度的位置偏移，电容耦合构造71A至71D的静电电容也不太变动。依据这样的理由，在本实施方式中，将尺寸L1、L2设定得比较大。

尺寸L2设定得比尺寸L1更小是依据如以下那样的理由。即，从对起因于制造时的位置偏移而电容耦合构造71C的静电电容变动进行抑制的观点出发，优选使尺寸L2比较大。在将尺寸L2设定得比较大的情况下，为了确保耦合电容电极72C与部分图案70A2、70D3、70B2、70C3在俯视下重合的区域73E1、73F1、73G1、73H1的面积，优选增大耦合电容电极72C、72D的在X方向上的尺寸。然而，在增大耦合电容电极72C的在X方向上的尺寸的情况下，耦合电容电极72C与通孔电极部20A之间的在X方向上的距离变短，耦合电容电极72C与通孔电极部20D之间的在X方向上的距离变短。另外，在增大耦合电容电极72D的在X方向上的尺寸的情况下，耦合电容电极72D与通孔电极部20B之间的在X方向上的距离变短，耦合电容电极72D与通孔电极部20E之间的在X方向上的距离变短。如果耦合电容电极72C与通孔电极部20A之间的在X方向上的距离变短，耦合电容电极72C与通孔电极部20D之间的在X方向上的距离变短，则担心会对滤波器特性产生不良影响。另外，如果耦合电容电极72D与通孔电极部20B之间的在X方向上的距离变短，耦合电容电极72D与通孔电极部20E之间的在X方向上的距离变短，则担心会对滤波器特性产生不良影响。另一方面，通孔电极部20全都并非位于耦合电容电极72A、72B的至少一端的延长区域上。通孔电极部20B布置于对于耦合电容电极72A沿+X方向远离的位置。因此，即使将耦合电容电极72A沿+Y方向延长，耦合电容电极72A与通孔电极部20B之间的距离也不会变小。另外，通孔电极部20D布置于对于耦合电容电极72B沿-X方向远离的位置。因此，即使将耦合电容电极72B沿-Y方向延长，耦合电容电极72B与通孔电极部20D之间的距离也不会变小。即使将耦合电容电极72A沿+Y方向延长，也不会产生特别的问题。另外，即使将耦合电容电极72B沿-Y方向延长，也不会产生特别的问题。依据这样的理由，尺寸L2设定得比尺寸L1更小。

耦合电容电极72E的在该耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸比耦合电容电极70E的在耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸更小。即，耦合电容电极72E的在Y方向上的尺寸比耦合电容电极70E的在Y方向上的尺寸更小。耦合电容电极70E的在耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸例如设定成0.5mm。耦合电容电极72E的在该耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸例如设定成0.29mm。

耦合电容电极72E的在该耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸比耦合电容电极70F的在耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸更小。即，耦合电容电极72E的在Y方向上的尺寸比耦合电容电极70F的在Y方向上的尺寸更小。耦合电容电极70F的在耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸例如设定成0.5mm。

通过从耦合电容电极70E、70F的在耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸W31减去该耦合电容电极72E的在耦合电容电极72E的宽度方向上的尺寸W32而得到的值即尺寸差ΔW3，优选为电极间距离d1的1.4倍以上。在本实施方式中，尺寸差ΔW3、即尺寸差(W31-W32)设定成电极间距离d1的1.75倍。

如图22所示，在电介质基板14内，形成有耦合电容电极(平板电极)74A、74B。耦合电容电极74A、74B形成于同一层。换而言之，耦合电容电极74A、74B形成于同一未图示的陶瓷片上。在不区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号74，在区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号74A、74B。在耦合电容电极72与耦合电容电极74之间，存在未图示的一个以上的陶瓷片。

耦合电容电极74以俯视下的电介质基板14的中心C(参照图19)为对称中心而布置于点对称的位置。即，耦合电容电极74A和耦合电容电极74B以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。在本实施方式中，将耦合电容电极74点对称地配置是为了得到良好的频率特性。

如图23所示，耦合电容电极74A包括部分图案(电极图案)74A1至74A3。部分图案74A1连接至通孔电极部20B。部分图案74A3相对于部分图案74A1位于-Y侧。部分图案74A3经由部分图案74A2连接至部分图案74A1。部分图案74A3在俯视下与耦合电容电极70E重合。部分图案74A3的大小与耦合电容电极70E的大小相同。耦合电容电极72E的一端被耦合电容电极70E和部分图案74A3夹持。

耦合电容电极74B包括部分图案74B1至74B3。部分图案74B1连接至通孔电极部20D。部分图案74B3相对于部分图案74B1位于+Y侧。部分图案74B3经由部分图案74B2连接至部分图案74B1。部分图案74B3在俯视下与耦合电容电极70F重合。部分图案74B3的大小与耦合电容电极70F的大小相同。耦合电容电极72E的另一端被耦合电容电极70F和部分图案74B3夹持。由耦合电容电极70E、耦合电容电极70F、耦合电容电极72E、耦合电容电极74A以及耦合电容电极74B构成电容耦合构造71E。

如图24所示，在电介质基板14内，还形成有耦合电容电极(梳齿电极、电容电极)76A至76D。耦合电容电极76A至76D形成于同一层。换而言之，耦合电容电极76A至76D形成于同一未图示的陶瓷片上。在不区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号76，在区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号76A至76D。在耦合电容电极74(参照图22)与耦合电容电极76之间，存在未图示的一个以上的陶瓷片。

耦合电容电极76以俯视下的电介质基板14的中心C(参照图19)为对称中心而布置于点对称的位置。即，耦合电容电极76A和耦合电容电极76B以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。另外，耦合电容电极76C和耦合电容电极76D也以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而配置于点对称的位置。在本实施方式中，将耦合电容电极76点对称地配置是为了得到良好的频率特性。

如图25所示，耦合电容电极76A包括部分图案(电极图案)76A1至76A4。部分图案76A1连接至通孔电极部20A。部分图案76A2的长度方向是X方向。部分图案76A2的一端连接至部分图案76A1。部分图案76A2沿+X方向突出。部分图案76A3的一端连接至部分图案76A2的另一端。部分图案76A3的长度方向是Y方向。部分图案76A3沿-Y方向突出。即，部分图案76A3朝向侧面14e突出。部分图案76A4的一端连接至部分图案76A1。部分图案76A4的长度方向是Y方向。部分图案76A4沿+Y方向突出。部分图案76A4以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。

耦合电容电极76B包括部分图案76B1至76B4。部分图案76B1连接至通孔电极部20E。部分图案76B2的长度方向是X方向。部分图案76B2的一端连接至部分图案76B1。部分图案76B2沿-X方向突出。部分图案76B3的一端连接至部分图案76B2的另一端。部分图案76B3的长度方向是Y方向。部分图案76B3沿+Y方向突出。部分图案76B3以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。部分图案76B4的一端连接至部分图案76B1。部分图案76B4的长度方向是Y方向。部分图案76B4沿-Y方向突出。部分图案76B4以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。

耦合电容电极76C包括部分图案76C1至76C6。部分图案76C1连接至通孔电极部20B。部分图案76C2的长度方向是X方向。部分图案76C2的一端连接至部分图案76C1。部分图案76C2沿-X方向突出。部分图案76C3的一端连接至部分图案76C2的另一端。部分图案76C3的长度方向是Y方向。部分图案76C3沿-Y方向突出。部分图案76C3以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。部分图案76C4的一端连接至部分图案76C1。部分图案76C4的长度方向是Y方向。部分图案76C4沿-Y方向突出。部分图案76C4以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。部分图案76C5的长度方向是X方向。部分图案76C5的一端连接至部分图案76C1。部分图案76C5沿+X方向突出。部分图案76C6的一端连接至部分图案76C5的另一端。部分图案76C6的长度方向是Y方向。部分图案76C6沿+Y方向突出。即，部分图案76C6朝向侧面14f突出。部分图案76C6以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。

耦合电容电极76D包括部分图案76D1至76D6。部分图案76D1连接至通孔电极部20D。部分图案76D2的长度方向是X方向。部分图案76D2的一端连接至部分图案76D1。部分图案76D2沿+X方向突出。部分图案76D3的一端连接至部分图案76D2的另一端。部分图案76D3的长度方向是Y方向。部分图案76D3沿+Y方向突出。部分图案76D3以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。部分图案76D4的一端连接至部分图案76D1。部分图案76D4的长度方向是Y方向。部分图案76D4沿+Y方向突出。部分图案76D4以沿着部分图案76A3的长度方向的方式突出。部分图案76D5的长度方向是X方向。部分图案76D5的一端连接至部分图案76D1。部分图案76D5沿-X方向突出。部分图案76D6的一端连接至部分图案76D5的另一端。部分图案76D6的长度方向是Y方向。部分图案76D6沿-Y方向突出。即，部分图案76D6朝向侧面14e突出。

部分图案76A3和部分图案76D6彼此邻接。部分图案76A3和部分图案76D6彼此邻接，因而耦合电容电极76A和耦合电容电极76D进行电容耦合。由耦合电容电极76A和耦合电容电极76D构成电容耦合构造77A。

部分图案76A2在Y方向上的位置与部分图案76D5在Y方向上的位置相同。部分图案76A3和部分图案76D6全都沿-Y方向突出。即，部分图案76A3和部分图案76D6朝向侧面14e突出。部分图案76A3、76D6在Y方向上的位置，是部分图案76A2、76D5在Y方向上的位置与屏蔽导体12Ca在Y方向上的位置之间。

使部分图案76A3和部分图案76D6全都朝向侧面14e突出是依据如以下那样的理由。即，使部分图案76A3和部分图案76D6全都沿-Y方向突出是依据如以下那样的理由。在使部分图案76A3和部分图案76D6全都沿+Y方向突出的情况下，部分图案76A3、76D6接近部分图案76C3、76C4等。如果部分图案76A3、76D6和部分图案76C3、76C4等彼此接近，则部分图案76A3、76D6和部分图案76C3、76C4等彼此进行电容耦合。将部分图案76A3、76D6和部分图案76C3、76C4等彼此进行电容耦合并不是优选的。另一方面，在使部分图案76A3和部分图案76D6全都沿-Y方向突出的情况下，这些部分图案76A3、76D6不接近部分图案76C3、76C4等。部分图案76A3、76D6和部分图案76C3、76C4等并非彼此接近，因而部分图案76A3、76D6和部分图案76C3、76C4并非彼此进行电容耦合。依据这样的理由，在本实施方式中，使部分图案76A3和部分图案76D6全都朝向侧面14e突出。

部分图案76B3和部分图案76C6彼此邻接。部分图案76B3和部分图案76C6彼此邻接，因而耦合电容电极76B和耦合电容电极76C进行电容耦合。由耦合电容电极76B和耦合电容电极76C构成电容耦合构造77B。

部分图案76B2在Y方向上的位置与部分图案76C5在Y方向上的位置相同。部分图案76B3和部分图案76C6全都沿+Y方向突出。即，部分图案76B3和部分图案76C6朝向侧面14f突出。部分图案76B3、76C6在Y方向上的位置，是部分图案76B2、76C5在Y方向上的位置与屏蔽导体12Cb在Y方向上的位置之间。

使部分图案76B3和部分图案76C6全都朝向侧面14f突出是依据如以下那样的理由。即，使部分图案76B3和部分图案76C6全都沿+Y方向突出是依据如以下那样的理由。在使部分图案76B3和部分图案76C6全都沿-Y方向突出的情况下，这些部分图案76B3、76C6接近部分图案76D3、76D4等。如果部分图案76B3、76C6和部分图案76D3、76D4等彼此接近，则部分图案76B3、76C6和部分图案76D3、76D4等彼此进行电容耦合。将部分图案76B3、76C6和部分图案76D3、76D4等彼此进行电容耦合并不是优选的。另一方面，在使部分图案76B3和部分图案76C6全都沿+Y方向突出的情况下，这些部分图案76B3、76C6不接近部分图案76D3、76D4等。部分图案76B3、76C6和部分图案76D3、76D4等并非彼此接近，因而部分图案76B3、76C6和部分图案76D3、76D4并非彼此进行电容耦合。依据这样的理由，在本实施方式中，使部分图案76B3和部分图案76C6全都朝向侧面14f突出。

部分图案76A4和部分图案76C3彼此邻接。部分图案76A4和部分图案76C3彼此邻接，因而耦合电容电极76A和耦合电容电极76C进行电容耦合。由耦合电容电极76A和耦合电容电极76C构成电容耦合构造77C。

部分图案76B4和部分图案76D3彼此邻接。部分图案76B4和部分图案76D3彼此邻接，因而耦合电容电极76B和耦合电容电极76D进行电容耦合。由耦合电容电极76B和耦合电容电极76D构成电容耦合构造77D。

部分图案76C4和部分图案76D4彼此邻接。部分图案76C4和部分图案76D4彼此邻接，因而耦合电容电极76C和耦合电容电极76D进行电容耦合。由耦合电容电极76C和耦合电容电极76D构成电容耦合构造77E。

如图26所示，在电介质基板14内，还形成有耦合电容电极(梳齿电极、电容电极)78A至78C。耦合电容电极78A至78C形成于同一层。换而言之，耦合电容电极78A至78C形成于同一未图示的陶瓷片上。在不区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号78，在区分各个耦合电容电极而说明时，使用符号78A至78C。在耦合电容电极76与耦合电容电极78之间，存在未图示的一个以上的陶瓷片。

耦合电容电极78以俯视下的电介质基板14的中心C(参照图19)为对称中心而布置于点对称的位置。即，耦合电容电极78A和耦合电容电极78B以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而布置于点对称的位置。另外，耦合电容电极78C也以俯视下的电介质基板14的中心C为对称中心而点对称地形成。在本实施方式中，将耦合电容电极78点对称地配置是为了得到良好的频率特性。

如图27所示，耦合电容电极78A包括部分图案78A1、78A2。部分图案78A1连接至通孔电极部20A。部分图案78A2的长度方向是Y方向。

耦合电容电极78B包括部分图案78B1、78B2。部分图案78B1连接至通孔电极部20E。部分图案78B2的长度方向是Y方向。

耦合电容电极78C包括部分图案78C1至78C3。部分图案78C1的长度方向是Y方向。部分图案78C1与部分图案78A2邻接。部分图案78C2的长度方向是Y方向。部分图案78C2与部分图案78B2邻接。部分图案(中继图案)78C3的一端连接至部分图案78C1。部分图案78C3的另一端连接至部分图案78C2。部分图案78A2和部分图案78C1彼此邻接，因而耦合电容电极78A和耦合电容电极78C进行电容耦合。部分图案78B2和部分图案78C2彼此邻接，因而耦合电容电极78B和耦合电容电极78C进行电容耦合。

如图26所示，在电介质基板14内，还形成有输入输出图案80A、80B。输入输出图案80A、80B形成于同一层。换而言之，输入输出图案80A、80B形成于同一未图示的陶瓷片上。在不区分各个输入输出图案而说明时，使用符号80，在区分各个输入输出图案而说明时，使用符号80A、80B。在耦合电容电极78与输入输出图案80之间，存在未图示的一个以上的陶瓷片。

如图27所示，输入输出图案80A包括部分图案80A1、80A2。部分图案80A1的一端连接至输入输出端子22A。部分图案80A1的另一端连接至部分图案80A2。部分图案80A2连接至通孔电极部20A。这样，输入输出端子22A经由输入输出图案80A连接至通孔电极部20A。

输入输出图案80B包括部分图案80B1、80B2。部分图案80B1的一端连接至输入输出端子22B。部分图案80B1的另一端连接至部分图案80B2。部分图案80B2连接至通孔电极部20E。这样，输入输出端子22B经由输入输出图案80B连接至通孔电极部20E。

这样，输入输出端子22A经由输入输出图案80A与通孔电极部20A导通，输入输出端子22B经由输入输出图案80B与通孔电极部20E导通。在本实施方式中，通过适当设定输入输出图案80A、80B在Z方向上的位置，能够适当调整外部Q。即，在本实施方式中，通过适当设定通孔电极部20A、20E的长度方向上的输入输出图案80A、80B的位置，能够适当调整外部Q。

如图26所示，在电介质基板14内，形成有屏蔽通孔电极部81A至81D。在不区分各个屏蔽通孔电极部而说明时，使用符号81，在区分各个屏蔽通孔电极部而说明时，使用符号81A至81D。

在屏蔽通孔电极部81A中，具备屏蔽通孔电极82A和屏蔽通孔电极82B。在屏蔽通孔电极部81B中，具备屏蔽通孔电极82C和屏蔽通孔电极82D。在屏蔽通孔电极部81C中，具备屏蔽通孔电极82E和屏蔽通孔电极82F。在屏蔽通孔电极部81D中，具备屏蔽通孔电极82G和屏蔽通孔电极82H。在不区分各个屏蔽通孔电极而说明时，使用符号82，在区分各个屏蔽通孔电极而说明时，使用符号82A至82H。在图28所示的示例中，在1个屏蔽通孔电极部81具备2个屏蔽通孔电极82，但1个屏蔽通孔电极部81也可以由1个屏蔽通孔电极82构成。

屏蔽通孔电极部81的一端连接至屏蔽导体12A。屏蔽通孔电极部81的另一端连接至屏蔽导体12B。

如图28所示，屏蔽通孔电极部81A在将通孔电极部20A所位于的区域沿-Y方向延长后的延长区域84A内连接至屏蔽导体12A、12B。即，屏蔽通孔电极部81A在将通孔电极部20A所位于的区域朝向屏蔽导体12Ca延长后的延长区域84A内连接至屏蔽导体12A、12B。这样，屏蔽通孔电极部81A选择性地形成于延长区域84A内。屏蔽通孔电极部81A位于屏蔽导体12Ca的附近。此外，通孔电极部20所位于的区域是与假想的环26对应的区域。

屏蔽通孔电极部81B在将通孔电极部20E所位于的区域沿+Y方向延长后的延长区域84E内连接至屏蔽导体12A、12B。即，屏蔽通孔电极部81B在将通孔电极部20E所位于的区域朝向屏蔽导体12Cb延长后的延长区域84E内连接至屏蔽导体12A、12B。屏蔽通孔电极部81B选择性地形成于延长区域84E内。屏蔽通孔电极部81B位于屏蔽导体12Cb的附近。

屏蔽通孔电极部81C在将通孔电极部20B所位于的区域沿+Y方向延长后的延长区域84B内连接至屏蔽导体12A、12B。即，屏蔽通孔电极部81C在将通孔电极部20B所位于的区域朝向屏蔽导体12Cb延长后的延长区域84B内连接至屏蔽导体12A、12B。屏蔽通孔电极部81C选择性地形成于延长区域84B内。屏蔽通孔电极部81C位于屏蔽导体12Cb的附近。

屏蔽通孔电极部81D在将通孔电极部20D所位于的区域沿-Y方向延长后的延长区域84D内连接至屏蔽导体12A、12B。即，屏蔽通孔电极部81D在将通孔电极部20D所位于的区域朝向屏蔽导体12Ca延长后的延长区域84D内连接至屏蔽导体12A、12B。屏蔽通孔电极部81D选择性地形成于延长区域84D内。屏蔽通孔电极部81D位于屏蔽导体12Ca的附近。在不区分各个延长区域而说明时，使用符号84，在区分各个延长区域而说明时，使用符号84A至84D。

在本实施方式中，形成屏蔽通孔电极部81是依据如以下那样的理由。即，如果在将电介质基板14切断时产生位置偏移，则通孔电极部20与侧面14e、14f之间的距离变动。如果通孔电极部20与侧面14e、14f之间的距离变动，则通孔电极部20与屏蔽导体12Ca、12Cb之间的距离变动。通孔电极部20与屏蔽导体12Ca、12Cb之间的距离的变动招致滤波器特性等的变动。另一方面，屏蔽通孔电极部81并非形成于侧面14e、14f，因而不会受到将电介质基板14切断时的位置偏移的影响。即，即使在将电介质基板14切断时产生位置偏移的情况下，屏蔽通孔电极部81与通孔电极部20之间的距离也不会变动。依据这样的理由，在本实施方式中，形成屏蔽通孔电极部81。

在本实施方式中，将屏蔽通孔电极部81选择性地形成于延长区域84内是依据如以下那样的理由。即，通过将激光束照射至电介质基板14来形成过孔，将导电体埋入至该过孔，由此能够形成屏蔽通孔电极部81。即，为了形成屏蔽通孔电极部81，需要某种程度的工时。因此，在只是沿着侧面14e、14f排列有许多屏蔽通孔电极部81的情况下，无法得到良好的生产性。另一方面，即使仅在延长区域84配置屏蔽通孔电极部81，也能够抑制起因于将电介质基板14切断时的位置偏移而导致的滤波器特性等的偏差。依据这样的理由，在本实施方式中，将屏蔽通孔电极部81选择性地形成于延长区域84内。

如上述那样，在本实施方式中，滤波器10所具备的谐振器11的数量是4个。依据本实施方式，谐振器11的数量比较少，因而能够抑制谐振器11之间的耦合度，进而，能够得到具有期望的特性的滤波器10。

[变形实施方式]

本发明不限于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的情况下，能够采用各种构成。

例如，也可以使第一实施方式与第二实施方式适当组合。

另外，在第一实施方式中，以谐振器11的数量是5个的情况为示例而进行了说明，在第二实施方式中，以谐振器11的数量是4个的情况为示例而进行了说明，但不限定于此。例如，谐振器11的数量也可以是6个。

另外，也可以在依据第一实施方式的滤波器10中具备屏蔽通孔电极部81A至81D、81Ea、81Eb。图29是示出依据变形实施方式的滤波器的示例的俯视图。如图29所示，在电介质基板14内，形成有屏蔽通孔电极部81A至81D、81Ea、81Eb。屏蔽通孔电极部81A至81D与依据第二实施方式的滤波器10所具备的上述的屏蔽通孔电极部81A至81D是同样的，因而省略说明。在屏蔽通孔电极部81Ea中，具备屏蔽通孔电极82I和屏蔽通孔电极82J。在屏蔽通孔电极部81Eb中，具备屏蔽通孔电极82K和屏蔽通孔电极82L。在不区分各个屏蔽通孔电极部而说明时，使用符号81，在区分各个屏蔽通孔电极部而说明时，使用符号81A至81D、81Ea、81Eb。屏蔽通孔电极部81的一端连接至屏蔽导体12A。屏蔽通孔电极部81的另一端连接至屏蔽导体12B。

如图29所示，屏蔽通孔电极部81Ea在将通孔电极部20C所位于的区域沿-Y方向延长后的延长区域84Ca内连接至屏蔽导体12A、12B。即，屏蔽通孔电极部81Ea在将通孔电极部20C所位于的区域朝向屏蔽导体12Ca延长后的延长区域84Ca内连接至屏蔽导体12A、12B。这样，屏蔽通孔电极部81Ea选择性地形成于延长区域84Ca内。屏蔽通孔电极部81Ea位于屏蔽导体12Ca的附近。

屏蔽通孔电极部81Eb在将通孔电极部20C所位于的区域沿+Y方向延长后的延长区域84Cb内连接至屏蔽导体12A、12B。即，屏蔽通孔电极部81Eb在将通孔电极部20C所位于的区域朝向屏蔽导体12Cb延长后的延长区域84Cb内连接至屏蔽导体12A、12B。这样，屏蔽通孔电极部81Eb选择性地形成于延长区域84Cb内。屏蔽通孔电极部81Eb位于屏蔽导体12Cb的附近。

图30是示出依据变形实施方式的滤波器的示例的俯视图。在图30所示的示例中，1个屏蔽通孔电极部81由1个屏蔽通孔电极82构成。屏蔽通孔电极部81A由屏蔽通孔电极82A构成。屏蔽通孔电极部81B由屏蔽通孔电极82C构成。屏蔽通孔电极部81C由屏蔽通孔电极82E构成。屏蔽通孔电极部81D由屏蔽通孔电极82G构成。屏蔽通孔电极部81Ea由屏蔽通孔电极82I构成。屏蔽通孔电极部81Eb由屏蔽通孔电极82K构成。这样，1个屏蔽通孔电极部81也可以由1个屏蔽通孔电极82构成。

图31是示出依据变形实施方式的滤波器的示例的俯视图。在图31所示的示例中，屏蔽通孔电极部81Ea位于通孔电极部20C与屏蔽导体12Ca之间的中间部位。在图31所示的示例中，屏蔽通孔电极部81Ea并非位于屏蔽导体12Ca的附近。屏蔽通孔电极部81Ea与屏蔽导体12Ca之间的在Y方向上的距离，比屏蔽通孔电极部81A、81D与屏蔽导体12Ca之间的在Y方向上的距离更大。在图31所示的示例中，屏蔽通孔电极部81Eb位于通孔电极部20C与屏蔽导体12Cb之间的中间部位。即，在图31所示的示例中，屏蔽通孔电极部81Eb并非位于屏蔽导体12Cb的附近。屏蔽通孔电极部81Eb与屏蔽导体12Cb之间的在Y方向上的距离，比屏蔽通孔电极部81B、81C与屏蔽导体12Cb之间的在Y方向上的距离更大。这样，也可以使屏蔽通孔电极部81Ea位于通孔电极部20C与屏蔽导体12Ca之间的中间部位。另外，也可以使屏蔽通孔电极部81Eb位于通孔电极部20C与屏蔽导体12Cb之间的中间部位。

另外，在第一实施方式中，以输入输出端子22A、22B经由连接线路32a、32b连接至屏蔽导体12B的情况为示例而进行了说明，但不限定于此。例如，输入输出端子22A、22B也可以经由输入输出图案80A、80B(参照图19)连接至通孔电极部20A、20E。

另外，在第二实施方式中，以输入输出端子22A、22B经由输入输出图案80A、80B连接至通孔电极部20A、20E的情况为示例而进行了说明，但不限定于此。例如，输入输出端子22A、22B也可以经由连接线路32a、32b(参照图2)连接至屏蔽导体12B。

另外，在上文中使用图29至图31来阐述的变形实施方式中，以输入输出端子22A、22B经由连接线路32a、32b连接至屏蔽导体12B的情况为示例而进行了说明，但不限定于此。例如，输入输出端子22A、22B也可以经由输入输出图案80A、80B(参照图19)连接至通孔电极部20A、20E。

以下，对能够从上述的实施方式掌握的发明进行记载。

滤波器(10)，其具有：电介质基板(14)；多个谐振器(11A至11E)，其形成于前述电介质基板内且周围被屏蔽导体(12A、12B、12Ca、12Cb)包围；以及第一输入输出端子(22A)和第二输入输出端子(22B)，其形成于未形成前述屏蔽导体的部分，多个前述谐振器中的最接近前述第一输入输出端子的谐振器即第一谐振器(11A)和多个前述谐振器中的最接近前述第二输入输出端子的谐振器即第二谐振器(11E)，以俯视下的前述电介质基板的中心(C)为对称中心而处于点对称的位置关系，多个前述谐振器中的第三谐振器(11B)和多个前述谐振器中的第四谐振器(11D)，以俯视下的前述电介质基板的前述中心为对称中心而处于点对称的位置关系，前述第三谐振器在前述电介质基板的长度方向即第一方向上的位置，是前述第一谐振器在前述第一方向上的位置与前述电介质基板的前述中心在前述第一方向上的位置之间，前述第四谐振器在前述第一方向上的位置，是前述第二谐振器在前述第一方向上的位置与前述电介质基板的前述中心在前述第一方向上的位置之间。依据这样的构成，谐振器点对称地配置，因而能够提供特性良好的滤波器。

在上述的滤波器中，也可以是，前述滤波器还具有在前述谐振器之间所具备的电容耦合构造(54)，前述电容耦合构造具有：第一电极(50A)，其从一个前述谐振器延伸；第二电极(50B)，其从另一个前述谐振器朝向前述第一电极延伸，且前端部在侧视下从前述第一电极远离；以及第三电极(50C)，其一端在俯视下与前述第一电极重合，并且另一端在俯视下与前述第二电极重合。

在上述的滤波器中，也可以是，前述电容耦合构造还具有：第四电极(50Ab)，其从前述一个谐振器延伸，并且与前述第一电极(50Aa)在俯视下重合；以及第五电极(50Bb)，其从前述另一个谐振器朝向前述第四电极延伸，并且与前述第二电极(50Ba)在俯视下重合，且前端部从前述第四电极远离，前述第三电极的前述一端(50Ca)在侧视下位于前述第一电极与前述第四电极之间，前述第三电极的前述另一端(50Cb)在侧视下位于前述第二电极与前述第五电极之间。

在上述的滤波器中，也可以是，前述第三电极的前述一端与前述第一电极的至少1个角部在俯视下重合，前述第三电极的前述另一端与前述第二电极的至少1个角部在俯视下重合。

在上述的滤波器中，也可以是，前述滤波器具有：第一电极(50A)，其从一个前述谐振器延伸；第二电极(50B)，其从另一个前述谐振器朝向前述第一电极延伸，且前端部在俯视下与前述第一电极重合；第三电极(50C)，其从前述一个谐振器延伸；以及第四电极(50D)，其从前述另一个谐振器朝向前述第三电极延伸，且前端部在俯视下与前述第三电极重合。

在上述的滤波器中，也可以是，前述第一电极，与前述第二电极的至少1个角部在俯视下重合，前述第四电极，与前述第三电极的至少1个角部在俯视下重合。

在上述的滤波器中，也可以是，前述滤波器具有在多个前述谐振器之间分别具备的电容耦合构造(61A至61F)，前述电容耦合构造具有从一个前述谐振器延伸的电容电极(60ac、60ab)和从另一个前述谐振器延伸的电容电极(60ca、60ba)，从前述一个谐振器延伸的前述电容电极的一部分和从前述另一个谐振器延伸的前述电容电极的一部分彼此接近。

在上述的滤波器中，也可以是，多个前述电容耦合构造中的第一电容耦合构造(61A)中的前述电容电极(60ac、60ca)之间的距离(g2)，比多个前述电容耦合构造中的第二电容耦合构造(61C)中的前述电容电极(60ab、60ba)之间的距离(g1)更大。

在上述的滤波器中，也可以是，前述电介质基板具备2个主面(14a、14b)和4个侧面(14c至14f)，前述4个侧面中的第一侧面(14e)与前述第一谐振器之间的距离，比前述第一侧面与前述第三谐振器之间的距离更小，前述滤波器还具备第一电容耦合构造(77A)，其包括连接至前述第一谐振器并且朝向前述第一侧面突出的第一电极图案(76A3)和连接至前述第四谐振器并且朝向前述第一侧面突出的第二电极图案(76D6)。

在上述的滤波器中，也可以是，前述滤波器还具备：第二电容耦合构造(77C)，其包括连接至前述第一谐振器的第三电极图案(76A4)和连接至前述第三谐振器的第四电极图案(76C3)；以及第三电容耦合构造(77E)，其包括连接至前述第三谐振器的第五电极图案(76C4)和连接至前述第四谐振器的第六电极图案(76D4)，前述第一电极图案、前述第二电极图案、前述第三电极图案、前述第四电极图案、前述第五电极图案以及前述第六电极图案形成于同一层，前述第三电极图案、前述第四电极图案、前述第五电极图案以及前述第六电极图案以沿着前述第一电极图案的长度方向的方式突出。

在上述的滤波器中，也可以是，在多个前述谐振器中，分别具备通孔电极部(20A、20B、20D、20E)，前述滤波器具备电容耦合构造(71A)，其包括连接至多个前述通孔电极部中的任一个前述通孔电极部的第一电极图案(70A3)、连接至多个前述通孔电极部中的任一个前述通孔电极部的第二电极图案(70C2)以及一端在俯视下与前述第一电极图案重合并且另一端在俯视下与前述第二电极图案重合的耦合电容电极(72A)，前述耦合电容电极的在前述耦合电容电极的宽度方向上的尺寸(W12)比前述第一电极图案的在前述耦合电容电极的前述宽度方向上的尺寸(W11)更小，在前述耦合电容电极与前述第一电极图案重合的第一区域(73A1)的两侧，存在前述耦合电容电极不与前述第一电极图案重合的第二区域(73A2、73A3)，通过从前述第一电极图案的在前述耦合电容电极的前述宽度方向上的尺寸减去前述耦合电容电极的在前述耦合电容电极的前述宽度方向上的尺寸而得到的值即尺寸差(W11-W12)，是前述耦合电容电极与前述第一电极图案之间的在前述耦合电容电极的厚度方向上的距离即电极间距离(d1)的1.4倍以上。

在上述的滤波器中，也可以是，前述尺寸差是前述电极间距离的2.6倍以上。

在上述的滤波器中，也可以是，多个前述屏蔽导体中的第一屏蔽导体(12A)形成于前述电介质基板的一个主面侧，多个前述屏蔽导体中的第二屏蔽导体(12B)形成于前述电介质基板的另一个主面侧，多个前述屏蔽导体中的第三屏蔽导体(12Ca)形成于前述电介质基板的第一侧面，多个前述屏蔽导体中的第四屏蔽导体(12Cb)形成于与前述第一侧面相对的第二侧面，多个前述谐振器的各个前述谐振器具备形成于前述电介质基板内的通孔电极部(20A至20E)和与前述第一屏蔽导体相对并且连接至前述通孔电极部的一端的电容器电极(18A至18E)，前述滤波器还具备一端连接至前述第一屏蔽导体并且另一端连接至前述第二屏蔽导体的屏蔽通孔电极部(81A至81D、81Ea、81Eb)，前述屏蔽通孔电极部选择性地形成于将形成有前述通孔电极部的区域朝向前述第三屏蔽导体或前述第四屏蔽导体延长后的延长区域(84A、84B、84Ca、84Cb、84D、84E)内。

Claims (13)

1.一种滤波器(10)，其具有：

电介质基板(14)；

多个谐振器(11A至11E)，其形成于所述电介质基板内且周围被屏蔽导体(12A、12B、12Ca、12Cb)包围；以及

第一输入输出端子(22A)和第二输入输出端子(22B)，其形成于未形成所述屏蔽导体的部分，

多个所述谐振器中的最接近所述第一输入输出端子的谐振器即第一谐振器(11A)和多个所述谐振器中的最接近所述第二输入输出端子的谐振器即第二谐振器(11E)，以俯视下的所述电介质基板的中心(C)为对称中心而处于点对称的位置关系，

多个所述谐振器中的第三谐振器(11B)和多个所述谐振器中的第四谐振器(11D)，以俯视下的所述电介质基板的所述中心为对称中心而处于点对称的位置关系，

所述第三谐振器在所述电介质基板的长度方向即第一方向上的位置，是所述第一谐振器在所述第一方向上的位置与所述电介质基板的所述中心在所述第一方向上的位置之间，

所述第四谐振器在所述第一方向上的位置，是所述第二谐振器在所述第一方向上的位置与所述电介质基板的所述中心在所述第一方向上的位置之间。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，

所述滤波器还具有在所述谐振器之间所具备的电容耦合构造(54)，

所述电容耦合构造具有：

第一电极(50A)，其从一个所述谐振器延伸；

第二电极(50B)，其从另一个所述谐振器朝向所述第一电极延伸，且前端部在侧视下从所述第一电极远离；以及

第三电极(50C)，其一端在俯视下与所述第一电极重合，并且另一端在俯视下与所述第二电极重合。

3.根据权利要求2所述的滤波器，其中，

所述电容耦合构造还具有：

第四电极(50Ab)，其从所述一个谐振器延伸，并且与所述第一电极(50Aa)在俯视下重合；以及

第五电极(50Bb)，其从所述另一个谐振器朝向所述第四电极延伸，并且与所述第二电极(50Ba)在俯视下重合，且前端部从所述第四电极远离，所述第三电极的所述一端(50Ca)在侧视下位于所述第一电极与所述第四电极之间，

所述第三电极的所述另一端(50Cb)在侧视下位于所述第二电极与所述第五电极之间。

4.根据权利要求3所述的滤波器，其中，

所述第三电极的所述一端与所述第一电极的至少1个角部在俯视下重合，

所述第三电极的所述另一端与所述第二电极的至少1个角部在俯视下重合。

5.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器具有：

第一电极(50A)，其从一个所述谐振器延伸；

第二电极(50B)，其从另一个所述谐振器朝向所述第一电极延伸，且前端部在俯视下与所述第一电极重合；

第三电极(50C)，其从所述一个谐振器延伸；以及

第四电极(50D)，其从所述另一个谐振器朝向所述第三电极延伸，且前端部在俯视下与所述第三电极重合。

6.根据权利要求5所述的滤波器，其中，

所述第一电极，与所述第二电极的至少1个角部在俯视下重合，

所述第四电极，与所述第三电极的至少1个角部在俯视下重合。

7.根据权利要求1所述的滤波器，其中，

所述滤波器具有在多个所述谐振器之间分别具备的电容耦合构造(61A至61F)，

所述电容耦合构造具有从一个所述谐振器延伸的电容电极(60ac、60ab)和从另一个所述谐振器延伸的电容电极(60ca、60ba)，

从所述一个谐振器延伸的所述电容电极的一部分和从所述另一个谐振器延伸的所述电容电极的一部分彼此接近。

8.根据权利要求7所述的滤波器，其中，

多个所述电容耦合构造中的第一电容耦合构造(61A)中的所述电容电极(60ac、60ca)之间的距离(g2)，比多个所述电容耦合构造中的第二电容耦合构造(61C)中的所述电容电极(60ab、60ba)之间的距离(g1)更大。

9.根据权利要求1所述的滤波器，其中，

所述电介质基板具备2个主面(14a、14b)和4个侧面(14c至14f)，

所述4个侧面中的第一侧面(14e)与所述第一谐振器之间的距离，比所述第一侧面与所述第三谐振器之间的距离更小，

所述滤波器还具备第一电容耦合构造(77A)，其包括连接至所述第一谐振器并且朝向所述第一侧面突出的第一电极图案(76A3)和连接至所述第四谐振器并且朝向所述第一侧面突出的第二电极图案(76D6)。

10.根据权利要求9所述的滤波器，其中，所述滤波器还具备：

第二电容耦合构造(77C)，其包括连接至所述第一谐振器的第三电极图案(76A4)和连接至所述第三谐振器的第四电极图案(76C3)；以及

第三电容耦合构造(77E)，其包括连接至所述第三谐振器的第五电极图案(76C4)和连接至所述第四谐振器的第六电极图案(76D4)，

所述第一电极图案、所述第二电极图案、所述第三电极图案、所述第四电极图案、所述第五电极图案以及所述第六电极图案形成于同一层，

所述第三电极图案、所述第四电极图案、所述第五电极图案以及所述第六电极图案以沿着所述第一电极图案的长度方向的方式突出。

11.根据权利要求1所述的滤波器，其中，

在多个所述谐振器中，分别具备通孔电极部(20A、20B、20D、20E)，

所述滤波器具备电容耦合构造(71A)，其包括连接至多个所述通孔电极部中的任一个的第一电极图案(70A3)、连接至多个所述通孔电极部中的任一个的第二电极图案(70C2)以及一端在俯视下与所述第一电极图案重合并且另一端在俯视下与所述第二电极图案重合的耦合电容电极(72A)，

所述耦合电容电极的在所述耦合电容电极的宽度方向上的尺寸(W12)比所述第一电极图案的在所述耦合电容电极的所述宽度方向上的尺寸(W11)更小，

在所述耦合电容电极与所述第一电极图案重合的第一区域(73A1)的两侧，存在所述耦合电容电极不与所述第一电极图案重合的第二区域(73A2、73A3)，

通过从所述第一电极图案的在所述耦合电容电极的所述宽度方向上的尺寸减去所述耦合电容电极的在所述耦合电容电极的所述宽度方向上的尺寸而得到的值即尺寸差(W11-W12)，是所述耦合电容电极与所述第一电极图案之间的在所述耦合电容电极的厚度方向上的距离即电极间距离(d1)的1.4倍以上。

12.根据权利要求11所述的滤波器，其中，

所述尺寸差是所述电极间距离的2.6倍以上。

13.根据权利要求1所述的滤波器，其中，

多个所述屏蔽导体中的第一屏蔽导体(12A)形成于所述电介质基板的一个主面侧，

多个所述屏蔽导体中的第二屏蔽导体(12B)形成于所述电介质基板的另一个主面侧，

多个所述屏蔽导体中的第三屏蔽导体(12Ca)形成于所述电介质基板的第一侧面，

多个所述屏蔽导体中的第四屏蔽导体(12Cb)形成于与所述第一侧面相对的第二侧面，

多个所述谐振器的各个所述谐振器具备形成于所述电介质基板内的通孔电极部(20A至20E)和与所述第一屏蔽导体相对并且连接至所述通孔电极部的一端的电容器电极(18A至18E)，

所述滤波器还具备一端连接至所述第一屏蔽导体并且另一端连接至所述第二屏蔽导体的屏蔽通孔电极部(81A至81D、81Ea、81Eb)，

所述屏蔽通孔电极部选择性地形成于将形成有所述通孔电极部的区域朝向所述第三屏蔽导体或所述第四屏蔽导体延长后的延长区域(84A、84B、84Ca、84Cb、84D、84E)内。