CN116724364A - 变阻器部件 - Google Patents

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CN116724364A
CN116724364A CN202280010189.5A CN202280010189A CN116724364A CN 116724364 A CN116724364 A CN 116724364A CN 202280010189 A CN202280010189 A CN 202280010189A CN 116724364 A CN116724364 A CN 116724364A
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服部将也
藤井健史
佐佐木保彦
齐藤义行
神山智英
矢内剑
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors

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Abstract

本公开提供一种变阻器部件,变阻器部件(1)具备变阻器材料烧结体(10)、设置在第1侧面(11)的一部分的第1外部电极(51)、设置在第1侧面(11)的一部分的第2外部电极(52)、和设置在第2侧面(12)的一部分的第3外部电极(53)。第1外部电极(51)、第2外部电极(52)以及第3外部电极(53)未设置在第3侧面(13)以及第4侧面(14)。第1外部电极(51)以及第2外部电极(52)沿着第1方向(d1)相互空出间隔而配置在第1侧面(11)。第3外部电极(53)配置在第2侧面(12),使得在从第2方向(d2)观察的情况下位于第1外部电极(51)以及第2外部电极(52)之间。

Description

变阻器部件
技术领域
本公开涉及用于电子设备的变阻器部件。
背景技术
近年来,在电子设备中小型化不断发展,对搭载于电子设备的变阻器部件也要求小型化。此外,在电子设备中高频化也正在推进,要求静电电容的波动小的变阻器部件。作为变阻器部件的一个例子,在专利文献1中公开了具有2个变阻器元件的层叠型的变阻器部件。该变阻器部件由变阻器材料烧结体、多个外部电极以及多个内部电极构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭63-211602号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在以往的变阻器部件中,存在由于多个外部电极以及多个内部电极而产生杂散电容这样的问题。若产生杂散电容,则例如有时2个变阻器元件的静电电容波动,对电子设备的动作产生影响。
鉴于上述情况,本公开的目的在于,减小在变阻器部件中产生的杂散电容。
用于解决课题的手段
本公开的一方式涉及的变阻器部件具备第1变阻器元件以及第2变阻器元件,该变阻器部件具备:变阻器材料烧结体,具有底面、与所述底面背对的顶面、以及将所述底面和所述顶面连结的多个侧面;第1外部电极,是所述第1变阻器元件的一端侧的端子,设置在所述多个侧面之中的第1侧面的一部分;第2外部电极,是所述第2变阻器元件的一端侧的端子,设置在所述第1侧面的一部分;和第3外部电极,是所述第1变阻器元件的另一端侧以及所述第2变阻器元件的另一端侧的公共端子,设置在所述多个侧面之中的与所述第1侧面背对的第2侧面的一部分,所述多个侧面还包括与所述第1侧面以及所述底面这两个面正交的第3侧面、以及与所述第3侧面背对的第4侧面,所述第1外部电极、所述第2外部电极以及所述第3外部电极未设置在所述第3侧面以及所述第4侧面,所述第1外部电极以及所述第2外部电极沿着作为所述第3侧面和所述第4侧面所背对的方向的第1方向相互空出间隔而配置在所述第1侧面,所述第3外部电极配置在所述第2侧面,使得在从作为所述第1侧面和所述第2侧面所背对的方向的第2方向观察的情况下位于所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间。
发明效果
根据本公开,能够减小在变阻器部件中产生的杂散电容。
附图说明
图1是实施方式1涉及的变阻器部件的立体图。
图2是示出实施方式1涉及的变阻器部件具备的外部电极以及内部电极的图。
图3是从正面观察实施方式1涉及的变阻器部件的剖视图。
图4是从侧方观察实施方式1涉及的变阻器部件的剖视图。
图5是从顶面观察实施方式1涉及的变阻器部件的剖视图。
图6是比较例的变阻器部件的立体图。
图7是示出在实施方式1以及比较例的变阻器部件中产生的电通量密度以及杂散电容的图。
图8是示出在实施方式1涉及的变阻器部件中外部电极的高度与杂散电容的关系的曲线图。
图9是从顶面侧观察在实施方式1涉及的变阻器部件中产生的电通量密度的图。
图10是从正面观察实施方式1的变形例1涉及的变阻器部件的剖视图。
图11是从侧方观察实施方式1的变形例1涉及的变阻器部件的剖视图。
图12是从顶面侧观察在实施方式1的变形例1涉及的变阻器部件中产生的电通量密度的图。
图13是示出在实施方式1以及变形例1的变阻器部件中产生的静电电容等的曲线图。
图14是从顶面观察实施方式1的变形例2涉及的变阻器部件的剖视图。
图15是实施方式2涉及的变阻器部件的立体图。
图16是示出在实施方式2以及比较例的变阻器部件中产生的电通量密度的图。
图17是实施方式3涉及的变阻器部件的立体图。
图18是示出在实施方式3以及比较例的变阻器部件中产生的电通量密度的图。
具体实施方式
(实现本公开的经过)
变阻器元件是电阻值根据施加的电压而变化的元件,为了保护电子设备免受雷电冲击波或静电等异常电压的影响而被使用。变阻器元件例如用于汽车、OA设备、通信设备、家电产品等的电气回路。
例如,为了应对通信网络中的2线式差动通信,在电子设备搭载2个具备1个变阻器元件的变阻器部件,或搭载1个具备2个变阻器元件的变阻器部件。这些变阻器部件由变阻器材料烧结体、多个外部电极以及多个内部电极构成。例如,若在变阻器部件的外部电极与内部电极之间、外部电极彼此之间或内部电极彼此之间产生不希望的静电电容即杂散电容,则2个变阻器元件的静电电容成为不同的值,有时在电子设备中会发生通信错误。因此,在本实施方式中,为了减小在变阻器部件中产生的杂散电容,具有以下所示的结构。
以下,一边参照附图一边对实施方式更具体地进行说明。
另外,以下说明的实施方式均示出本公开的一具体例。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置、连接方式、步骤以及步骤的顺序等是一个例子,其主旨不在于限定本公开。此外,对于以下的实施方式中的构成要素之中的未记载于独立技术方案的构成要素,作为任意的构成要素来进行说明。
此外,在本说明书中,平行等表示要素间的关系性的术语以及长方体等表示要素的形状的术语、和数值范围并不是仅表示严格的意思的表述,而是意味着实质上同等的范围的表述,例如是意味着还包括几%程度的差异的表述。
此外,各图是为了示出本公开而适当进行了强调、省略或比率的调整的示意图,未必严格地进行了图示,有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中,对实质上相同的结构标注相同的符号,有时省略或简化重复的说明。
此外,在本说明书中,变阻器部件的结构中的“顶面”以及“底面”这样的术语不是指绝对性的空间识别中的顶面(铅垂上方侧的面)以及底面(铅垂下方侧的面),而作为由变阻器部件的构成要素的相对性位置关系规定的术语来使用。
(实施方式1)
[变阻器部件的结构]
一边参照图1~图5一边对实施方式1涉及的变阻器部件的结构进行说明。
图1是实施方式1涉及的变阻器部件1的立体图。图2是示出变阻器部件1具备的外部电极50以及内部电极30的图。图3是从正面观察变阻器部件1的剖视图。图4是从侧方观察变阻器部件1的剖视图。图5是从顶面观察变阻器部件1的剖视图。
另外,图3是从图2所示的III-III线观察变阻器部件1的图,图4是从图2所示的IV-IV线观察变阻器部件1的图,图5是从图3所示的V-V线观察变阻器部件1的图。在图3~图5中,省略了针对外部电极50的阴影线。
变阻器部件1具备第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2。如图1以及图2所示,第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2由变阻器材料烧结体10、设置在变阻器材料烧结体10的外部的多个外部电极50、和设置在变阻器材料烧结体10的内部的多个内部电极30构成。
变阻器材料烧结体10以ZnO为主成分,作为副成分,包含Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3等、或Pr6O11、Co2O3,CaCO3、Cr2O3等。通过将ZnO烧结并且在其晶界析出其他副成分来形成变阻器材料烧结体10。
变阻器材料烧结体10是长方体状,具有底面16、与底面16背对的顶面17、以及将底面16和顶面17连结的多个侧面。底面16、顶面17以及多个侧面各自是平坦的平面。多个侧面包括第1侧面11、与第1侧面11背对的第2侧面12、与第1侧面11以及底面16这两个面正交的第3侧面13、和与第3侧面13背对的第4侧面14。底面16以及顶面17相互平行,第1侧面11以及第2侧面12相互平行,第3侧面13以及第4侧面14相互平行。变阻器材料烧结体10的各面相交的角部分(棱线部分)也可以具有圆弧。
在此,将第3侧面13和第4侧面14所背对的方向称为第1方向d1,将第1侧面11和第2侧面12所背对的方向称为第2方向d2,将底面16和顶面17所背对的方向称为第3方向d3。
在变阻器材料烧结体10中,例如,沿着第1方向d1的长度X、沿着第2方向d2的宽度Y具有X>Y的关系。在本实施方式中,成为X=1.6mm,Y=0.8mm。另外,沿着第3方向d3的高度h为h=0.6mm。
多个外部电极50由第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53构成。第1外部电极51是第1变阻器元件Z1的一端侧的端子,设置在第1侧面11的一部分。第2外部电极52是第2变阻器元件Z2的一端侧的端子,设置在第1侧面11的一部分。第3外部电极53是第1变阻器元件Z1的另一端侧以及第2变阻器元件Z2的另一端侧的公共端子,设置在第2侧面12的一部分。例如,第1外部电极51以及第2外部电极52分别与不同的信号线连接,第3外部电极53与接地连接。
另外,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53未设置在顶面17、第3侧面13以及第4侧面14。此外,第1外部电极51以及第2外部电极52未设置在第2侧面12,第3外部电极53未设置在第1侧面11。
第1外部电极51以及第2外部电极52沿着第1方向d1相互空出间隔而配置在第1侧面11。第3外部电极53配置在第2侧面12,使得在从第2方向d2观察的情况下位于第1外部电极51以及第2外部电极52之间(参照图3)。更具体地,在从第2方向d2观察的情况下,第3外部电极53位于第1外部电极51以及第2外部电极52的中间。
此外,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53还设置在底面16的一部分。设置在底面16的第1外部电极51与设置在第1侧面11的第1外部电极51连接。设置在底面16的第2外部电极52与设置在第1侧面11的第2外部电极52连接。设置在底面16的第3外部电极53与设置在第2侧面12的第3外部电极53连接。即,在从第1方向d1观察的情况下,多个外部电极50各自具有L字状的形状(参照图2以及图4)。
第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53从底面16朝向顶面17侧延伸,在到达顶面17之前中断。从底面16朝向顶面17侧的第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自的高度he例如为变阻器材料烧结体的高度h的0.5倍以上且小于1倍。另外,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自的高度he不需要一定相同。
多个内部电极30由第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33构成。第1内部电极31在第1侧面11中与第1外部电极51连接。第2内部电极32在第1侧面11中与第2外部电极52连接。第3内部电极33在第2侧面12中与第3外部电极53连接。
变阻器部件是通过在将多个陶瓷层以及多个带有内部电极的陶瓷层沿着第3方向d3层叠之后形成外部电极而构成的层叠型的部件。第1内部电极31以及第2内部电极32形成在相同的陶瓷层上,第3内部电极33形成在与形成有第1内部电极31以及第2内部电极32的陶瓷层不同的陶瓷层上。本实施方式中的第3内部电极33配置在比第1内部电极31以及第2内部电极32更靠顶面17侧的位置。换言之,第1内部电极31以及第2内部电极32配置在比第3内部电极33更靠底面16侧的位置。
另外,期望第1内部电极31配置在作为第3内部电极33的一部分的第1对置电极部36与设置在底面16的第1外部电极51之间。期望第2内部电极32配置在作为第3内部电极33的一部分的第2对置电极部37与设置在底面16的第2外部电极52之间(参照图4)。
在从第3方向d3观察的情况下,第1内部电极31以及第2内部电极32各自是长方形状,沿着第2方向d2配置(参照图5)。第1内部电极31以及第2内部电极32各自从第1侧面11朝向第2侧面12延伸,在到达第2侧面12之前中断。
在从第3方向d3观察的情况下,第3内部电极33具有T字状的形状。第3内部电极33由引出电极部35、第1对置电极部36和第2对置电极部37构成。另外,在从第3方向d3观察的情况下,第3内部电极33也可以具有Y字状的形状,也可以具有+(加号)字状的形状。
引出电极部35是长方形状,沿着第2方向d2配置。引出电极部35从第2侧面12朝向第1侧面11延伸,在到达第1侧面11之前中断。第1对置电极部36以及第2对置电极部37与引出电极部35的第1侧面11侧的端部连接,沿着第1方向d1配置。第1对置电极部36朝向第3侧面13延伸,在到达第3侧面13之前中断。第2对置电极部37朝向第4侧面14延伸,在到达第4侧面14之前中断。从第3方向d3观察的情况下,第1对置电极部36与第1内部电极31交叉,第2对置电极部37与第2内部电极32交叉。
变阻器部件1具有作为第1内部电极31和第3内部电极33所对置的区域的第1对置区域41、以及作为第2内部电极32和第3内部电极33所对置的区域的第2对置区域42(参照图3以及图5)。第1对置区域41以及第2对置区域42各自具有一对内部电极夹着变阻器烧结材料而对置的构造,是表现出作为变阻器的功能的区域。第1对置区域41通过第1内部电极31的一部分和第1对置电极部36的一部分对置而被形成,第2对置区域42通过第2内部电极32的一部分和第2对置电极部37的一部分对置而被形成。
第1对置区域41中的第1内部电极31以及第3内部电极33的间隔(间隙)与第2对置区域42中的第2内部电极32以及第3内部电极33的间隔(间隙)相同。上述的间隔例如是0.035mm。
在从第3方向d3观察的情况下,第1对置区域41以及第2对置区域42配置在与第2侧面12相比更接近第1侧面11的位置(参照图5)。例如,关于第1对置区域41以及第2对置区域42,以第1侧面11为基准,在将变阻器材料烧结体10的沿着第2方向d2的宽度设为Y的情况下,对置区域的整个区域被配置在大于0且小于0.5Y的位置。另外,期望第1侧面11与第1对置区域41的缘部的最小的距离y1、或第1侧面11与第2对置区域42的缘部的最小的距离y1大于上述的间隔(间隙)。
在从第3方向d3观察的情况下,第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33配置为,相对于穿过第1外部电极51以及第2外部电极52的中间的位置且沿着第2方向d2的中心线cL2而成为线对称(参照图5)。由此,能够减小在第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2中产生的杂散电容的差异。另外,期望中心线cL2与从第3方向d3观察变阻器1的情况下的中心线一致。
此外,在从第2方向d2观察的情况下,第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33配置为,相对于穿过第1外部电极51以及第2外部电极52的中间的位置且沿着第3方向d3的中心线cL3而成为线对称(参照图3)。由此,能够减小在第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2中产生的杂散电容的差异。另外,期望中心线cL3与从第2方向d2观察变阻器1的情况下的中心线一致。
[效果等]
一边与比较例等对比一边对具有上述结构的变阻器部件1的效果进行说明。
图6是比较例的变阻器部件101的立体图。
比较例的变阻器部件101还在长方体状的变阻器材料烧结体10的两端部设置有外部电极。具体地,第1外部电极151设置在第3侧面13的全部、第1侧面11的一部分、第2侧面12的一部分、底面16的一部分以及顶面17的一部分。第2外部电极152设置在第4侧面14的全部、第1侧面11的一部分、第2侧面12的一部分、底面16的一部分以及顶面17的一部分。此外,第3外部电极153还设置在第2侧面12的一部分、底面16的一部分、第1侧面11的一部分以及顶面17的一部分。
图7是示出实施方式1以及比较例的变阻器部件中产生的电通量密度以及杂散电容的图。在该图中,示出了向变阻器部件的第1外部电极施加电压1V、向第2外部电极施加电压1V、向第3外部电极施加电压0V的情况下的电通量密度以及杂散电容。另外,该图是不包括内部电极而进行仿真的结果。
在图7中,例如若着眼于第2侧面12,则在比较例中,在第1外部电极151与第3外部电极153之间电通量密度高的部分较多地出现,此外,在第2外部电极152与第3外部电极153之间电通量密度高的部分较多地出现。对于电通量密度高的部分出现的倾向,对第1侧面11以及顶面17也是同样的。在比较例中,在第1侧面11以及第2侧面12各自设置有电位不同的多个外部电极,进一步在顶面17也设置有电位不同的多个外部电极,因而以整体观察变阻器部件101时,电通量密度高的部分较多,杂散电容变大。
相对于此,在实施方式1中,虽然在设置于第2侧面12的第3外部电极53的周围出现电通量密度高的部分,但与比较例相比,电通量密度高的部分变少。在实施方式1中,电位不同的多个外部电极50在多个侧面以及顶面17中配置为不相邻。因此,以整体观察变阻器部件1时,电通量密度高的部分少于比较例,杂散电容与比较例相比也变小。
如此,在实施方式1的变阻器部件1中,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53未设置在顶面17、第3侧面13以及第4侧面14。此外,在第2侧面12仅设置有第3外部电极53,而未设置第1外部电极51以及第2外部电极52。此外,在第1侧面11仅设置有第1外部电极51以及第2外部电极52,而未设置第3外部电极53。由此,在变阻器部件1中,能够减少电通量密度高的部分,减小杂散电容。
图8是示出在实施方式1涉及的变阻器部件1中外部电极50的高度与杂散电容的关系的曲线图。该图的横轴是外部电极50的高度之比he/h,纵轴是变阻器部件1中产生的杂散电容。另外,杂散电容是不包括内部电极进行仿真而求出的结果。变阻器材料烧结体10的高度h为0.6mm,外部电极50的高度he在第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自中是相同的高度。
如图8所示,外部电极50的高度he变得越低则变阻器部件1中产生的杂散电容变得越小。因此,在变阻器部件1中,期望将外部电极50的高度he设为变阻器材料烧结体10的高度h的0.5倍以上且小于1倍。另外,设为he≥0.5h是因为,若设为he<0.5h则将变阻器部件1安装于印刷电路基板等时的连接可靠性下降。
如此,在实施方式1的变阻器部件1中,将第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自的高度he设为变阻器材料烧结体10的高度的0.5倍以上且小于1倍。由此,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
图9是示出从顶面17侧观察实施方式1涉及的变阻器部件1中产生的电通量密度的图。图9的(a)是包括外部电极50以及内部电极30的变阻器部件1的仿真结果,图9的(b)是在从变阻器部件1中将外部电极50除外的状态下进行仿真的结果。
在这些图中,示出了向变阻器部件1的第1内部电极31施加电压1V、向第2内部电极32施加电压1V、向第3内部电极33施加电压0V的情况下的电通量密度。在这些图中,出现在第1对置区域41以及第2对置区域42的电通量密度是用于产生变阻器部件1所需要的静电电容的电通量密度,出现在第1对置区域41以外以及第2对置区域42以外的电通量密度是由杂散电容的产生引起的电通量密度。
此外,在这些图中示出了在第2方向d2上改变第1对置区域41以及第2对置区域42的位置后的3个例子。在3个例子中,第1对置区域41以及第2对置区域42的位置的差异通过将变阻器材料烧结体10的沿着第2方向d2的宽度设为Y、将从第2侧面12到第1对置电极部36(或第2对置电极部37)的第2侧面12侧的缘部为止的距离设为y2时的距离比y2/Y来表现。沿着第2方向d2改变第1内部电极31的长度以及第2内部电极32的长度,并改变引出电极部35的长度,并且移动第1对置电极部36以及第2对置电极部37,由此改变了第1对置区域41以及第2对置区域42的位置。
如这些图所示,随着上述的距离比y2/Y依次变大为0.3125、0.625、0.875,由杂散电容引起的电通量密度变高的部分变少。因此,在变阻器部件1中,期望第1对置区域41以及第2对置区域42设置在与第2侧面12相比更接近第1侧面11的位置。在变阻器部件1中,例如,也可以设计为距离比y2/Y大于0.5。如此,通过将第1对置区域41以及第2对置区域42设置在第1侧面11的附近来减少电通量密度变高的部分,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
[实施方式1的变形例1]
对实施方式1的变形例1涉及的变阻器部件1A进行说明。在变形例1中,对第3内部电极33配置在比第1内部电极31以及第2内部电极32更靠底面16侧的位置的例子进行说明。
图10是从正面观察实施方式1的变形例1涉及的变阻器部件1A的剖视图。图11是从侧方观察变形例1的变阻器部件1A的剖视图。
变形例1的变阻器部件1A也由变阻器材料烧结体10、多个外部电极50以及多个内部电极30构成。变阻器材料烧结体10以及多个外部电极50的结构与实施方式1相同。
多个内部电极30由第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33构成。
如图10以及图11所示,在变形例1的变阻器部件1A中,第3内部电极33配置在比第1内部电极31以及第2内部电极32更靠底面16侧的位置。换言之,第1内部电极31以及第2内部电极32配置在比第3内部电极33更靠顶面17侧的位置。
另外,期望作为第3内部电极33的一部分的第1对置电极部36配置在第1内部电极31和设置于底面16的第1外部电极51之间。期望作为第3内部电极33的一部分的第2对置电极部37配置在第2内部电极32和设置于底面16的第2外部电极52之间(参照图11)。
接下来,对关于变形例1的变阻器部件1A的效果进行说明。
图12是从顶面17侧观察变形例1涉及的变阻器部件1A中产生的电通量密度的图。在图12中,用单点划线示出了位于比第3内部电极33更靠顶面17侧的位置的第1内部电极31以及第2内部电极32。在该图中,示出了以与图9相同的设定条件进行的仿真结果。
如图12所示,在变形例1中,与实施方式1同样,随着距离比y2/Y依次变大为0.3125、0.625、0.875,由杂散电容引起的电通量密度变高的部分也变少。因此,在变阻器部件1A中,也期望第1对置区域41以及第2对置区域42设置在与第2侧面12相比更接近第1侧面11的位置。
如此,在变形例1中,与实施方式1同样,也能够减小变阻器部件1A中产生的杂散电容。
接下来,对实施方式1以及变形例1的变阻器部件进行比较来进行说明。
图13是示出实施方式1以及变形例1的变阻器部件中产生的静电电容等的曲线图。在图13的(a)中示出了从变阻器部件中将外部电极50除外后的状态的内部电极30彼此之间产生的静电电容。在图13的(b)中示出了在内部电极30与外部电极50之间产生的静电电容(即杂散电容)。在图13的(c)中示出了在内部电极30彼此之间以及内部电极30与外部电极50之间产生的静电电容。图13的(c)是将图13的(a)以及(b)的数据合成后的结果。这些图的横轴是前述的距离比y2/Y,纵轴是静电电容。
如图13的(a)所示,若仅着眼于内部电极30,则在实施方式1以及变形例1中,内部电极30间的间隙以及对置面积相同,因而静电电容的变化成为相同的倾向。相对于此,如图13的(b)所示,关于在外部电极50与内部电极30之间产生的静电电容即杂散电容,相比于实施方式1,变形例1成为更高的倾向。因此,如图13的(c)所示,合成后的静电电容在变形例1和实施方式1中示出不同的倾向。
作为其理由,认为这是因为,在变形例1中,成为具有不同的电位的第3内部电极33和第1外部电极51直接对置的构造,在第3内部电极33与第1外部电极51之间容易产生杂散电容。另一方面,在实施方式1中,成为具有不同的电位的第3内部电极33和第1外部电极51将第1内部电极31夹在其间而对置的构造,变得不易在第3内部电极33与第1外部电极51之间产生杂散电容。
因此,在变阻器部件中,如实施方式1那样,期望第3内部电极33位于比第1内部电极31以及第2内部电极32更靠顶面17侧的位置。另外,即便是变形例1所示的结构,也能够充分地达成减小杂散电容这样的目的。
[实施方式1的变形例2]
对实施方式1的变形例2涉及的变阻器部件1B进行说明。在变形例2中,对第3内部电极33的形状与实施方式1不同的例子进行说明。
图14是从顶面17观察实施方式1的变形例2涉及的变阻器部件1B的剖视图。
变形例2的变阻器部件1B也由变阻器材料烧结体10、多个外部电极50以及多个内部电极30构成。变阻器材料烧结体10以及多个外部电极50的结构与实施方式1相同。
多个内部电极30由第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33构成。
在从第3方向d3观察的情况下,第1内部电极31以及第2内部电极32各自是长方形状,沿着第2方向d2配置。
如图14所示,第3内部电极33由第1引出电极部35a、第2引出电极部35b、第1对置电极部36和第2对置电极部37构成。
第1引出电极部35a是长方形状,沿着第2方向d2配置。第1引出电极部35a从第2侧面12朝向第1侧面11延伸,在到达第1侧面11之前中断。第2引出电极部35b与第1引出电极部35a的第1侧面11侧的端部连接,沿着第1方向d1配置。沿着第1方向d1的第2引出电极部35b的一方朝向第3侧面13延伸,在到达第3侧面13之前中断。第2引出电极部35b的另一方朝向第4侧面14延伸,在到达第4侧面14之前中断。
第1对置电极部36与第2引出电极部35b的第3侧面13侧的端部连接,沿着第2方向d2配置。第1对置电极部36朝向第1侧面11延伸,在到达第1侧面11之前中断。第2对置电极部37与第2引出电极部35b的第4侧面14侧的端部连接,沿着第2方向d2配置。第2对置电极部37朝向第1侧面11延伸,在到达第1侧面11之前中断。在从第3方向d3观察的情况下,第1对置电极部36与第1内部电极31重叠,第2对置电极部37与第2内部电极32重叠。
变阻器部件1B具有作为第1内部电极31和第3内部电极33所对置的区域的第1对置区域41、以及作为第2内部电极32和第3内部电极33所对置的区域的第2对置区域42。在变形例2中,也通过第1内部电极31的一部分和第1对置电极部36的一部分对置来形成第1对置区域41,通过第2内部电极32的一部分和第2对置电极部37的一部分对置来形成第2对置区域42。
在变形例2中,与实施方式1同样,也能够减小变阻器部件1B中产生的杂散电容。
(实施方式2)
对实施方式2涉及的变阻器部件1C进行说明。在实施方式2中,对外部电极50的高度与变阻器材料烧结体10的高度相同的例子进行说明。
图15是实施方式2涉及的变阻器部件1C的立体图。
实施方式2的变阻器部件1C也由变阻器材料烧结体10、多个外部电极50以及多个内部电极30构成。变阻器材料烧结体10以及内部电极30的结构与实施方式1相同。
多个外部电极50由第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53构成。
如图15所示,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53还设置在底面16的一部分以及顶面17的一部分。设置在底面16以及顶面17的第1外部电极51与设置在第1侧面11的第1外部电极51连接。设置在底面16以及顶面17的第2外部电极52与设置在第1侧面11的第2外部电极52连接。设置在底面16以及顶面17的第3外部电极53与设置在第2侧面12的第3外部电极53连接。
第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53从底面16延伸至到达顶面17为止。即,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自的高度与变阻器材料烧结体的高度h相同。
图16是示出实施方式2以及比较例的变阻器部件中产生的电通量密度的图。在该图中,示出了以与图7相同的设定条件进行的仿真结果。关于比较例的变阻器部件101,是如图7中说明的部件。
在实施方式2中,虽然在设置于第2侧面12的第3外部电极53的周围出现电通量密度高的部分,但若与比较例相比则电通量密度高的部分变少。在实施方式2中,电位不同的多个外部电极50配置为在多个侧面中不相邻。因此,在以整体观察变阻器部件1C时,电通量密度高的部分少于比较例,杂散电容与比较例相比也变小。
如此,在实施方式2的变阻器部件1C中,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53未设置在第3侧面13以及第4侧面14。此外,在第2侧面12仅设置有第3外部电极53,而未设置第1外部电极51以及第2外部电极52。此外,在第1侧面11仅设置有第1外部电极51以及第2外部电极52,而未设置第3外部电极53。由此,在变阻器部件1C中,能够减少电通量密度高的部分,减小杂散电容。
(实施方式3)
对实施方式3涉及的变阻器部件1D进行说明。在实施方式3中,对第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53设置在第1侧面11以及第2侧面12这两方的例子进行说明。
图17是实施方式3涉及的变阻器部件1D的立体图。
实施方式3的变阻器部件1D也由变阻器材料烧结体10、多个外部电极50以及多个内部电极30构成。变阻器材料烧结体10以及内部电极30的结构与实施方式1相同。
多个外部电极50由第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53构成。
第1外部电极51以及第2外部电极52以及第3外部电极53设置在底面16的一部分、顶面17的一部分、第1侧面11的一部分以及第2侧面12的一部分。设置在第1侧面11的第1外部电极51与设置在第2侧面12的第1外部电极51对置。设置在第1侧面11的第2外部电极52与设置在第2侧面12的第2外部电极52对置。设置在第1侧面11的第3外部电极53与设置在第2侧面12的第3外部电极53对置。
设置在底面16以及顶面17的第1外部电极51与设置在第1侧面11以及第2侧面12的第1外部电极51连接。设置在底面16以及顶面17的第2外部电极52与设置在第1侧面11以及第2侧面12的第2外部电极52连接。设置在底面16以及顶面17的第3外部电极53与设置在第1侧面11以及第2侧面12的第3外部电极53连接。
另外,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53未设置在第3侧面13以及第4侧面14。
第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53沿着第1方向d1相互空出间隔而配置在第1侧面11以及第2侧面12。在从第2方向d2观察的情况下,第3外部电极53配置为位于第1外部电极51以及第2外部电极52之间。更具体地,在从第2方向d2观察的情况下,第3外部电极53位于第1外部电极51以及第2外部电极52的中间。例如,第1方向d1上的第1外部电极51与第3外部电极53的间隔为0.25mm,第2外部电极52与第3外部电极53的间隔也是0.25mm。
图18是示出实施方式3以及比较例的变阻器部件中产生的电通量密度的图。在该图中,示出了以与图7相同的设定条件进行的仿真结果。关于比较例的变阻器部件101,是如图7中说明的部件。
在实施方式3中,虽然在设置于第2侧面12的第1外部电极51与第3外部电极53之间、以及第2外部电极52与第3外部电极53之间出现电通量密度高的部分,但若与比较例相比则在顶面17中电通量密度高的部分变少。
在实施方式3的变阻器部件1D中,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53未设置在第3侧面13以及第4侧面14。由此,在变阻器部件1D中,能够减少电通量密度高的部分,减小杂散电容。
(总结)
本实施方式涉及的变阻器部件1是具备第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2的部件,具备:变阻器材料烧结体10,具有底面16、与底面16背对的顶面17、以及将底面16和顶面17连结的多个侧面;第1外部电极51,是第1变阻器元件Z1的一端侧的端子,设置在多个侧面之中的第1侧面11的一部分;第2外部电极52,是第2变阻器元件Z2的一端侧的端子,设置在第1侧面11的一部分;和第3外部电极53,是第1变阻器元件Z1的另一端侧以及第2变阻器元件Z2的另一端侧的公共端子,设置在多个侧面之中的与第1侧面11背对的第2侧面12的一部分。多个侧面还包括与第1侧面11以及底面16这两个面正交的第3侧面13、以及与第3侧面13背对的第4侧面14。第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53未设置在第3侧面13以及第4侧面14。第1外部电极51以及第2外部电极52沿着作为第3侧面13和第4侧面14所背对的方向的第1方向d1相互空出间隔而配置在第1侧面11。第3外部电极53配置在第2侧面12,使得在从作为第1侧面11和第2侧面12所背对的方向的第2方向d2观察的情况下位于第1外部电极51以及第2外部电极52之间。
如此,通过设为不将第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53设置在第3侧面13以及第4侧面14的结构,能够减小起因于第3侧面13以及第4侧面14而在变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,在从第2方向d2观察的情况下,第3外部电极53也可以位于第1外部电极51以及第2外部电极52的中间。
根据该结构,从第2方向d2观察的情况下的第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53的配置成为左右对称,能够减小由于第1外部电极51和第3外部电极53而产生的杂散电容、以及由于第2外部电极52和第3外部电极53而产生的杂散电容的差异。由此,能减小第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2的静电电容的差异,抑制对电子设备的动作产生影响。
此外,也可以是,第1外部电极51以及第2外部电极52是分别与不同的信号线连接的电极,第3外部电极53是与接地连接的电极。
据此,例如,即便在将第1外部电极51以及第2外部电极52各自与通信线路上的不同的信号线连接的情况下,也能够减小第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2的静电电容的差异,抑制对电子设备的动作产生影响。
此外,也可以是,第1外部电极51以及第2外部电极52还设置在底面16的一部分以及第2侧面12的一部分,第3外部电极53还设置在底面16的一部分以及第1侧面11的一部分。
根据具有上述结构的变阻器部件1D,第1侧面11以及第2侧面12中的第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53的配置相同,能够减小第1侧面11以及第2侧面12各自中产生的多个外部电极50间的杂散电容的差异。由此,能够减小第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2的静电电容的差异,抑制对电子设备的动作产生影响。
此外,也可以是,第1外部电极51以及第2外部电极52未设置在第2侧面12,第3外部电极53未设置在第1侧面11。
据此,能够将第1外部电极51以及第2外部电极52仅设置在第1侧面11,并将第3外部电极53仅设置在第2侧面12,能够在第1侧面11以及第2侧面12各自中减少电通量密度高的部分。由此,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,也可以是,第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53设置为从底面16朝向顶面17侧延伸,未设置在顶面17,从底面16朝向顶面17侧的第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自的高度he为变阻器材料烧结体10的高度h的0.5倍以上且小于1倍。
如此,通过将第1外部电极51、第2外部电极52以及第3外部电极53各自的高度he设为变阻器材料烧结体10的高度h的0.5倍以上且小于1倍,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,也可以是,变阻器部件1还具备:第1内部电极31,与第1外部电极51连接,设置在变阻器材料烧结体10的内部;第2内部电极32,与第2外部电极52连接,设置在变阻器材料烧结体10的内部;和第3内部电极33,与第3外部电极53连接,设置在变阻器材料烧结体10的内部,变阻器部件1具有作为第1内部电极31和第3内部电极33所对置的区域的第1对置区域41、以及作为第2内部电极32和第3内部电极33所对置的区域的第2对置区域42。
如此,通过由内部电极所对置的区域产生静电电容,能够提供静电电容的波动小的变阻器部件1。
此外,第3内部电极33也可以配置在比第1内部电极31以及第2内部电极32更靠顶面17侧的位置。
根据该结构,与将第3内部电极33配置在比第1内部电极31以及第2内部电极32更靠底面16侧的位置的情况相比,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,也可以是,在从作为底面16和顶面17所背对的方向的第3方向d3观察的情况下,第1对置区域41以及第2对置区域42配置在与第2侧面12相比更接近第1侧面11的位置。
根据该结构,相比于将第1对置区域41以及第2对置区域42配置在与第1侧面11相比更接近第2侧面12的位置的情况,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,也可以是,在从第3方向d3观察的情况下,第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33配置为,相对于穿过第1外部电极51以及第2外部电极52的中间的位置且沿着第2方向d2的中心线cL2而成为线对称。
根据该结构,能够减小在中心线cL2的左右产生的杂散电容的差异,因而能够减小由于第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2而产生的静电电容的差异。由此,能够抑制对电子设备的动作产生影响。
此外,也可以是,在从第2方向d2观察的情况下,第1内部电极31、第2内部电极32以及第3内部电极33配置为,相对于穿过第1外部电极51以及第2外部电极52的中间的位置且沿着第3方向d3的中心线cL3而成为线对称。
根据该结构,能够减小在中心线cL3的左右产生的杂散电容的差异,因而能够减小由于第1变阻器元件Z1以及第2变阻器元件Z2而产生的静电电容的差异。由此,能够抑制对电子设备的动作产生影响。
此外,也可以是,第1内部电极31以及第2内部电极32各自配置为从第1侧面11朝向第2侧面12延伸,第3内部电极33具有:引出电极部35,从第2侧面12朝向第1侧面11延伸;第1对置电极部36,与引出电极部35连接且朝向第3侧面13延伸;和第2对置电极部37,与引出电极部35连接且朝向第4侧面14延伸,通过第1对置电极部36的一部分以及第1内部电极31的一部分对置而构成第1对置区域41,通过第2对置电极部37的一部分以及第2内部电极32的一部分对置而构成第2对置区域42。
据此,能够高精度地形成第1对置区域41以及第2对置区域42。由此,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,也可以是,第1内部电极31以及第2内部电极32各自配置为从第1侧面11朝向第2侧面12延伸,第3内部电极33具有:第1引出电极部35a,从第2侧面12朝向第1侧面11延伸;第2引出电极部35b,与第1引出电极部35a连接且朝向第3侧面13以及第4侧面14延伸;和第1对置电极部36以及第2对置电极部37,与第2引出电极部35b连接且朝向第1侧面11延伸,通过第1对置电极部36的一部分以及第1内部电极31的一部分对置而构成第1对置区域41,通过第2对置电极部37的一部分以及第2内部电极32的一部分对置而构成第2对置区域42。
据此,能够高精度地形成第1对置区域41以及第2对置区域42。由此,能够减小变阻器部件1中产生的杂散电容。
此外,也可以是,第1外部电极51以及第2外部电极52各自还设置在底面16的一部分,第1内部电极31配置在第1对置电极部36的一部分和设置于底面16的第1外部电极51之间,第2内部电极32配置在第2对置电极部37的一部分和设置于底面16的第2外部电极52之间。
根据该结构,成为第1对置电极部36和第1外部电极51将第1内部电极31夹在其间而对置的构造,能够减小在第1对置电极部36与第1外部电极51之间产生的杂散电容。此外,成为第2对置电极部37和第2外部电极52将第2内部电极32夹在其间而对置的构造,能够减小在第2对置电极部37与第2外部电极52之间产生的杂散电容。
(其他实施方式等)
以上,对本公开的实施方式以及各变形例涉及的变阻器部件等进行了说明,但本公开不限定于上述实施方式以及各变形例。只要不脱离本公开的主旨,则对实施方式以及各变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的方式、和将实施方式以及各变形例中的一部分的构成要素组合而构建的另外的方式也包括于本公开的范围内。
在实施方式1中,示出了将第1对置电极部36配置在比第1内部电极31更靠顶面17侧的位置,将第2对置电极部37配置在比第2内部电极32更靠顶面17侧的位置的例子,但不限于此。例如,也可以将2个对置电极部之中的一方的对置电极部配置在比内部电极更靠底面16侧的位置。具体地,也可以将第1对置电极部36配置在比第1内部电极31更靠底面16侧的位置,并将第2对置电极部37配置在比第2内部电极32更靠顶面17侧的位置。也可以反之将第1对置电极部36配置在比第1内部电极31更靠顶面17侧的位置,并将第2对置电极部37配置在比第2内部电极32更靠底面16侧的位置。
产业上的可利用性
本公开涉及的变阻器部件作为用于各种电子设备以及通信系统的变阻器部件是有用的。
符号说明
1、1A、1B、1C、1D变阻器部件
10变阻器材料烧结体
11第1侧面
12第2侧面
13第3侧面
14第4侧面
16底面
17顶面
30内部电极
31第1内部电极
32第2内部电极
33第3内部电极
35、35a、35b引出电极部
36第1对置电极部
37第2对置电极部
41第1对置区域
42第2对置区域
50外部电极
51第1外部电极
52第2外部电极
53第3外部电极
cL2、cL3中心线
d1第1方向
d2第2方向
d3第3方向
h,he高度
X长度
Y宽度
y1、y2距离
Z1第1变阻器元件
Z2第2变阻器元件。

Claims (14)

1.一种变阻器部件,具备第1变阻器元件以及第2变阻器元件,
所述变阻器部件具备:
变阻器材料烧结体,具有底面、与所述底面背对的顶面、以及将所述底面和所述顶面连结的多个侧面;
第1外部电极,是所述第1变阻器元件的一端侧的端子,设置在所述多个侧面之中的第1侧面的一部分;
第2外部电极,是所述第2变阻器元件的一端侧的端子,设置在所述第1侧面的一部分;和
第3外部电极,是所述第1变阻器元件的另一端侧以及所述第2变阻器元件的另一端侧的公共端子,设置在所述多个侧面之中的与所述第1侧面背对的第2侧面的一部分,
所述多个侧面还包括与所述第1侧面以及所述底面这两个面正交的第3侧面、以及与所述第3侧面背对的第4侧面,
所述第1外部电极、所述第2外部电极以及所述第3外部电极未设置在所述第3侧面以及所述第4侧面,
所述第1外部电极以及所述第2外部电极沿着作为所述第3侧面和所述第4侧面所背对的方向的第1方向相互空出间隔而配置在所述第1侧面,
所述第3外部电极配置在所述第2侧面,使得在从作为所述第1侧面和所述第2侧面所背对的方向的第2方向观察的情况下位于所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间。
2.根据权利要求1所述的变阻器部件,其中,
在从所述第2方向观察的情况下,所述第3外部电极位于所述第1外部电极以及所述第2外部电极的中间。
3.根据权利要求1或2所述的变阻器部件,其中,
所述第1外部电极以及所述第2外部电极是分别与不同的信号线连接的电极,
所述第3外部电极是与接地连接的电极。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的变阻器部件,其中,
所述第1外部电极以及所述第2外部电极还设置在所述底面的一部分以及所述第2侧面的一部分,
所述第3外部电极还设置在所述底面的一部分以及所述第1侧面的一部分。
5.根据权利要求1~3的任一项所述的变阻器部件,其中,
所述第1外部电极以及所述第2外部电极未设置在所述第2侧面,
所述第3外部电极未设置在所述第1侧面。
6.根据权利要求5所述的变阻器部件,其中,
所述第1外部电极、所述第2外部电极以及所述第3外部电极设置为从所述底面朝向所述顶面侧延伸,并且未设置在所述顶面,
从所述底面朝向所述顶面侧的所述第1外部电极、所述第2外部电极以及所述第3外部电极各自的高度为所述变阻器材料烧结体的高度的0.5倍以上且小于1倍。
7.根据权利要求5或6所述的变阻器部件,其中,
所述变阻器部件还具备:
第1内部电极,与所述第1外部电极连接,设置在所述变阻器材料烧结体的内部;
第2内部电极,与所述第2外部电极连接,设置在所述变阻器材料烧结体的内部;和
第3内部电极,与所述第3外部电极连接,设置在所述变阻器材料烧结体的内部,
所述变阻器部件具有作为所述第1内部电极和所述第3内部电极所对置的区域的第1对置区域、以及作为所述第2内部电极和所述第3内部电极所对置的区域的第2对置区域。
8.根据权利要求7所述的变阻器部件,其中,
所述第3内部电极配置在比所述第1内部电极以及所述第2内部电极更靠所述顶面侧的位置。
9.根据权利要求7或8所述的变阻器部件,其中,
在从作为所述底面和所述顶面所背对的方向的第3方向观察的情况下,所述第1对置区域以及所述第2对置区域配置在与所述第2侧面相比更接近所述第1侧面的位置。
10.根据权利要求9所述的变阻器部件,其中,
在从所述第3方向观察的情况下,所述第1内部电极、所述第2内部电极以及所述第3内部电极配置为,相对于穿过所述第1外部电极以及所述第2外部电极的中间的位置且沿着所述第2方向的中心线而成为线对称。
11.根据权利要求9或10所述的变阻器部件,其中,
在从所述第2方向观察的情况下,所述第1内部电极、所述第2内部电极以及所述第3内部电极配置为,相对于穿过所述第1外部电极以及所述第2外部电极的中间的位置且沿着所述第3方向的中心线而成为线对称。
12.根据权利要求7~11的任一项所述的变阻器部件,其中,
所述第1内部电极以及所述第2内部电极各自配置为从所述第1侧面朝向所述第2侧面延伸,
所述第3内部电极具有:引出电极部,从所述第2侧面朝向所述第1侧面延伸;第1对置电极部,与所述引出电极部连接且朝向所述第3侧面延伸;和第2对置电极部,与所述引出电极部连接且朝向所述第4侧面延伸,
通过所述第1对置电极部的一部分以及所述第1内部电极的一部分对置而构成所述第1对置区域,
通过所述第2对置电极部的一部分以及所述第2内部电极的一部分对置而构成所述第2对置区域。
13.根据权利要求7~11的任一项所述的变阻器部件,其中,
所述第1内部电极以及所述第2内部电极各自配置为从所述第1侧面朝向所述第2侧面延伸,
所述第3内部电极具有:第1引出电极部,从所述第2侧面朝向所述第1侧面延伸;第2引出电极部,与所述第1引出电极部连接且朝向所述第3侧面以及所述第4侧面延伸;和第1对置电极部以及第2对置电极部,与所述第2引出电极部连接且朝向所述第1侧面延伸,
通过所述第1对置电极部的一部分以及所述第1内部电极的一部分对置而构成所述第1对置区域,
通过所述第2对置电极部的一部分以及所述第2内部电极的一部分对置而构成所述第2对置区域。
14.根据权利要求12或13所述的变阻器部件,其中,
所述第1外部电极以及所述第2外部电极各自还设置在所述底面的一部分,
所述第1内部电极配置在所述第1对置电极部的一部分与设置在所述底面的所述第1外部电极之间,
所述第2内部电极配置在所述第2对置电极部的一部分与设置在所述底面的所述第2外部电极之间。
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